JPS62298728A - 照度測定装置 - Google Patents
照度測定装置Info
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- JPS62298728A JPS62298728A JP61142545A JP14254586A JPS62298728A JP S62298728 A JPS62298728 A JP S62298728A JP 61142545 A JP61142545 A JP 61142545A JP 14254586 A JP14254586 A JP 14254586A JP S62298728 A JPS62298728 A JP S62298728A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔概要〕
本発明は、照度測定装置において、光セン］Ｊを遮蔽部
材で被いこれにピンホールを形成して、極く狭い領域の
照度を測定可能としたものである。
材で被いこれにピンホールを形成して、極く狭い領域の
照度を測定可能としたものである。
本発明は照度測定装置、特に半導体製造用露光装置に適
用しつる照度測定装置に関する。
用しつる照度測定装置に関する。
第８図は、縮小露光装置（ステッパ）の構成を示す。１
は水銀ランプ、２はレチクル、３は縮小レンズ、４はレ
ンズ１−が塗布されたウェハである。
は水銀ランプ、２はレチクル、３は縮小レンズ、４はレ
ンズ１−が塗布されたウェハである。
ウェハ４は、Ｘ−Ｙステージ５十のチャック６十に固定
しである。レチクル２のｔＣパターン７がレンズ３を通
して縮小されてつ■ハ／Ｉ Ｊ−に結像されて、露光が
行なわれる。
しである。レチクル２のｔＣパターン７がレンズ３を通
して縮小されてつ■ハ／Ｉ Ｊ−に結像されて、露光が
行なわれる。
露光は、Ｘ−Ｙステージ５を移動さＩ！“τ繰り返して
間歇的に行なわれる。８は露光中のパターン、９．１０
は露光されたパターンである。
間歇的に行なわれる。８は露光中のパターン、９．１０
は露光されたパターンである。
露光後の現像を経て回路パターンを１ｆｊＩα良く形成
するためには、第８図中、ハツチングをイ・１しτ示１
つＴハ４Ｆの四角形状の露光領域１１での照度が所定の
値であること及び均一であることが必要とされる。
するためには、第８図中、ハツチングをイ・１しτ示１
つＴハ４Ｆの四角形状の露光領域１１での照度が所定の
値であること及び均一であることが必要とされる。
従来は、第９図に示すように、夏、１板１２−１に例え
ば５個の光レンサ１３を分散して配冒した照度測定装置
１４を使用し、これを第８図中レチクル２の位置に設置
し、各光センサ１３よりの出力により、レチクル２のＩ
Ｃパターン７の個所にお（Ｊる照度及び照度の分布を測
定していた。
ば５個の光レンサ１３を分散して配冒した照度測定装置
１４を使用し、これを第８図中レチクル２の位置に設置
し、各光センサ１３よりの出力により、レチクル２のＩ
Ｃパターン７の個所にお（Ｊる照度及び照度の分布を測
定していた。
〔発明が解決しようとする問題点］
光はレチクル２を透過した後縮小レンズ３を透過して集
光されて露光領域１１に到るものであり、露光領域１１
での照ｍ及び照度の分布を１ノブクル２の個所での測定
結東より正確に知ることは出来ず、つ■ハ４上での照度
管理に問題があった。
光されて露光領域１１に到るものであり、露光領域１１
での照ｍ及び照度の分布を１ノブクル２の個所での測定
結東より正確に知ることは出来ず、つ■ハ４上での照度
管理に問題があった。
光レンリ−と、該光センリ−を被うように配された遮蔽
部材と、該光センリ−に相ス・１して該鴻蔽部月に形成
されているピン小−ルとからなる。
部材と、該光センリ−に相ス・１して該鴻蔽部月に形成
されているピン小−ルとからなる。
ピンホールは、光レンリ−による照＋ｆｆ測定領域を極
く狭い領域に制限し、露光領域のうち更に狭もＸ部分に
ついての照度の測定を可能とＪる。
く狭い領域に制限し、露光領域のうち更に狭もＸ部分に
ついての照度の測定を可能とＪる。
（実施例〕
第１図は本発明になる照度測定装ｒ７２０が設置されて
いる状態を示す。第２図ｔま照度測定装置２０の一部切
截斜視図、第３図は照度測定装置２０の表裏反転して示
す一部切截斜視図、第４図は照度測定装置２０の底面図
である。
いる状態を示す。第２図ｔま照度測定装置２０の一部切
截斜視図、第３図は照度測定装置２０の表裏反転して示
す一部切截斜視図、第４図は照度測定装置２０の底面図
である。
各図中、２１は光セン１ノであり、略円形（約２０φ）
のガラス板２２の底面の凹部内に固定しである。
のガラス板２２の底面の凹部内に固定しである。
ガラス板２２の上面には、低反射ｎｔａ ２３が、下面
には、クロム膜２４、絶縁膜２５が小ねて設（−）であ
る。低反射膜２３の上面にはアルミニウム板２６が接着
してあり、更にアルミニウム板２６の上面に低反射膜２
７が設けである。低段！ＪＪ股２７゜２３及びアルミニ
ウム板２６には、光センサ２１の中心に相対して、ピン
ボール２８が形成しである。ピンホール２８の面積は、
露光領域１１０面積に比べて相当小なるように定めであ
る。
には、クロム膜２４、絶縁膜２５が小ねて設（−）であ
る。低反射膜２３の上面にはアルミニウム板２６が接着
してあり、更にアルミニウム板２６の上面に低反射膜２
７が設けである。低段！ＪＪ股２７゜２３及びアルミニ
ウム板２６には、光センサ２１の中心に相対して、ピン
ボール２８が形成しである。ピンホール２８の面積は、
露光領域１１０面積に比べて相当小なるように定めであ
る。
ガラス板２２及びアルミニウム板２６の板厚は出来る限
り薄くしてあり、また股２３．２／Ｉ。
り薄くしてあり、また股２３．２／Ｉ。
２５，２７は蒸着により形成してあり、照度測定装置２
０は厚さＴが約７ｍｍと薄形構造となっている。この′
７４９形化によって、照度測定装置２０は、第１図、第
５図に示すように、基台２９」に固定されて、上面がチ
ャック６の上面と同一高さどされて、チャック６に隣接
してステージ５」−に設置されている。
０は厚さＴが約７ｍｍと薄形構造となっている。この′
７４９形化によって、照度測定装置２０は、第１図、第
５図に示すように、基台２９」に固定されて、上面がチ
ャック６の上面と同一高さどされて、チャック６に隣接
してステージ５」−に設置されている。
低反射膜２３．２７は共に酸化金属の膜であり、絶縁膜
２５は酸化膜である。
２５は酸化膜である。
クロム膜２４は、光レンη２１の熱を放熱さゼる役割を
有するものであるが、Ｖ記の装置２０においては、この
クロム膜２４を利用して光センサ２１の信号取り出し配
線３０．３１及び端子３２゜３３が第３図及び第４図に
示すように形成しである。即ち、配線３０．３１は、ク
ロム膜２４をエツチングして、ガラス板２２の中心と周
縁の間に平行に延在するように残置形成され、端子３２
゜３３は絶縁膜２５の切欠２５ａより露出して、アルミ
ニウム板２６の突出舌部２６ａに相対する個所に形成し
である。
有するものであるが、Ｖ記の装置２０においては、この
クロム膜２４を利用して光センサ２１の信号取り出し配
線３０．３１及び端子３２゜３３が第３図及び第４図に
示すように形成しである。即ち、配線３０．３１は、ク
ロム膜２４をエツチングして、ガラス板２２の中心と周
縁の間に平行に延在するように残置形成され、端子３２
゜３３は絶縁膜２５の切欠２５ａより露出して、アルミ
ニウム板２６の突出舌部２６ａに相対する個所に形成し
である。
照度測定に際して、上記の照度測定装置２０に、ｈ１測
機器４０がコネクタ４１により接続される。
機器４０がコネクタ４１により接続される。
］コネクタ１は、第６図に示すように、挾み形式のもの
であり、本体４２と、これにピン４３により支持された
挾み板４４と、コイルばね４５とよりなる構成である。
であり、本体４２と、これにピン４３により支持された
挾み板４４と、コイルばね４５とよりなる構成である。
本体４２には、接触部４６゜４７、及びガイド溝４８が
形成しである。
形成しである。
このコネクタ４１は、第１図及び第５図に示Ｊように、
ガイド溝４８が舌部２６ａと嵌合し、接触部４６．４７
が対応する端子３２．３３に接触導通した状態で、装置
２０の端を挾んで装置２゜に接続しである。
ガイド溝４８が舌部２６ａと嵌合し、接触部４６．４７
が対応する端子３２．３３に接触導通した状態で、装置
２０の端を挾んで装置２゜に接続しである。
照度測定は、第７図に示すように、ステージ５をＸ、Ｙ
方向に移動させ、ピンホール２８を露光領域１１内の複
数の所定の位置（例えば各］−す部と中心部）に位置決
めして行なう。第７図は露光領域１１のうち−のコーナ
部の照度を測定しているときの状態を示す。レンズ３を
通り露光領域１１に到った光のうち、ピンホール２８に
対応する光がピンホール２８を通り、４９で示すように
回折して光セン］ｊ゛１３全面に照０−１７１−る。光
セン４ノー１３はこれが受光する光の照度に対応したレ
ベルの信号を出力し、これが］コネクタ１を介して４測
機器４０に送られ、ここで露光領域１１の−の］−フ部
近傍の照度が測定される。ピンボール２８を上記のよう
に移動させ、各位置において計測を行なうことにより、
露光領域１１の個所での照度が測定され、且つ露光領域
１１内での照度の分布が求められる。
方向に移動させ、ピンホール２８を露光領域１１内の複
数の所定の位置（例えば各］−す部と中心部）に位置決
めして行なう。第７図は露光領域１１のうち−のコーナ
部の照度を測定しているときの状態を示す。レンズ３を
通り露光領域１１に到った光のうち、ピンホール２８に
対応する光がピンホール２８を通り、４９で示すように
回折して光セン］ｊ゛１３全面に照０−１７１−る。光
セン４ノー１３はこれが受光する光の照度に対応したレ
ベルの信号を出力し、これが］コネクタ１を介して４測
機器４０に送られ、ここで露光領域１１の−の］−フ部
近傍の照度が測定される。ピンボール２８を上記のよう
に移動させ、各位置において計測を行なうことにより、
露光領域１１の個所での照度が測定され、且つ露光領域
１１内での照度の分布が求められる。
この照度測定を定期的に行ない、この測定結果に応じて
光学系を適宜調整することにより、露光領域、即ちウェ
ハ４上におｔＪる照度を正確に管理することが可能とな
る。
光学系を適宜調整することにより、露光領域、即ちウェ
ハ４上におｔＪる照度を正確に管理することが可能とな
る。
なお、上記のコネクタ４１は差し込み式ではなく挟み形
式であるため、外力を加えずに衿脱出来、外力が作用さ
れることをぎらうＸ−Ｙステージ５には好適である。ガ
イド満４８と舌部２６ａとの嵌合は、使用中に］ネクタ
／１１がずれることを防止する。
式であるため、外力を加えずに衿脱出来、外力が作用さ
れることをぎらうＸ−Ｙステージ５には好適である。ガ
イド満４８と舌部２６ａとの嵌合は、使用中に］ネクタ
／１１がずれることを防止する。
次に、照度測定装！？ ２０自体の測定粘度向上のだめ
の構成について、特に第１図を参照して説明する。
の構成について、特に第１図を参照して説明する。
装置２０の上面には低段０１膜２７が形成してあり、こ
こでの光の反射が抑えられている。
こでの光の反射が抑えられている。
装ｆｆ１２０の上面で反射した光は、符８５０で示すよ
うに、レンズ３の下面で反０・１シ、その一部はピンホ
ール２８内に進入し、照度測定誤差の−・囚となる。こ
こで、上記の低反射膜２７ににす、装置２０の−Ｖ面で
の反射は抑えられており、照射測定誤差が生じにくくな
っている。
うに、レンズ３の下面で反０・１シ、その一部はピンホ
ール２８内に進入し、照度測定誤差の−・囚となる。こ
こで、上記の低反射膜２７ににす、装置２０の−Ｖ面で
の反射は抑えられており、照射測定誤差が生じにくくな
っている。
光センサ２１の上面に対向する面に、低反射膜２３が形
成してあり、ここでの光の反身・１が抑えられている。
成してあり、ここでの光の反身・１が抑えられている。
光センサ２１の上面に入射した光は、符号５１で示すよ
うに、反射し、低反射膜２３で反射し、その一部は光セ
ンサ２１に再び入射し、照射測定誤差の一因となる。こ
こで膜２３での反射は抑えられているため、光センサ２
１に再び入射する光の光量は極く僅かであり、照度測定
誤差が生じにくくなっている。
うに、反射し、低反射膜２３で反射し、その一部は光セ
ンサ２１に再び入射し、照射測定誤差の一因となる。こ
こで膜２３での反射は抑えられているため、光センサ２
１に再び入射する光の光量は極く僅かであり、照度測定
誤差が生じにくくなっている。
従って、上記の照度測定装置２０に」：れば、露光領域
１１内の更に小さな部分の照度を正確に測定することが
可能となる。
１１内の更に小さな部分の照度を正確に測定することが
可能となる。
なお、装置２０の径を２０φとしたのは、露光領域の］
−す部の照度を測定するときにも、焦点チェック用の１
−［ｌ′）にりの光が装Ｆ？２０の上面で反０４するｊ
；うにするため、叩Ｉ〕照庶測定動作時に焦点ブエツク
装置が■常に動作するようにするためである。
−す部の照度を測定するときにも、焦点チェック用の１
−［ｌ′）にりの光が装Ｆ？２０の上面で反０４するｊ
；うにするため、叩Ｉ〕照庶測定動作時に焦点ブエツク
装置が■常に動作するようにするためである。
〔発明の効果〕
本発明によれば、極く狭い部分の照度の測定が可能とな
り、然して、例えば半導体製造用の縮小露光装置におい
て、つ■ハ上の露光領域での照度を測定することが出来
、ウェハ十での照磨管即を精疫良く行なうことが出来、
従って製造される半導体の品質の向上を図ることが出来
る。
り、然して、例えば半導体製造用の縮小露光装置におい
て、つ■ハ上の露光領域での照度を測定することが出来
、ウェハ十での照磨管即を精疫良く行なうことが出来、
従って製造される半導体の品質の向上を図ることが出来
る。
第１図は本発明になる照度測定装置の設定状態を示す図
、 −〇 − 第２図は第１図の照度測定装置の一部ｌ；７ＪｉＩ！斜
視図、 第３図は第１図の照度測定装置を表裏反転して示す一部
切餞斜視図、 第４図は照度測定装置の底面図、 第５図は照度測定装置のステージへの取付状態を示す斜
視図、 第６図は照度測定装置に接続される］ネクタの分解斜視
図、 第７図は照度測定動作中の状態を示す斜視図、第８図は
半導体製造用の縮小露光装置を示す図、第９図は従来の
照射測定誤差の斜視図である。 第１図乃至第７図中、 １は水銀ランプ、 ２はレチクル、 ３は縮小レンズ、 ４はレンズ１−が塗布されｌこウェハ、５はＸ−Ｙステ
ージ、 ６はチ１１ツク、 ７はＩＣパターン、 ８は露光中のパターン、 １１は露光領域、 ２０は照度測定装置、 ２１は光センサ、 ２２はガラス板、 ２３．２７は低段銅膜、 ２４はクロム股、 ２５は絶縁膜、 ２６はアルミニウム板、 ２６ａは突出舌部、 ２８はピンホール、 ３０．３１は信号取出しｌ’ｌＩ！線、３２．３３は端
子、 ４０は目測機器、 ４１は］ネクタ、 ４２は本体、 ４４は挾み板、 ４６．４７は接触部、 ４８はガイド溝である。 ≦２０ 照刀（ｊμリヌヒプＣ【］（ 第 ４ 凶 第６図 敢セニサ Ｆ’）今斗才見Ｕろ
、 −〇 − 第２図は第１図の照度測定装置の一部ｌ；７ＪｉＩ！斜
視図、 第３図は第１図の照度測定装置を表裏反転して示す一部
切餞斜視図、 第４図は照度測定装置の底面図、 第５図は照度測定装置のステージへの取付状態を示す斜
視図、 第６図は照度測定装置に接続される］ネクタの分解斜視
図、 第７図は照度測定動作中の状態を示す斜視図、第８図は
半導体製造用の縮小露光装置を示す図、第９図は従来の
照射測定誤差の斜視図である。 第１図乃至第７図中、 １は水銀ランプ、 ２はレチクル、 ３は縮小レンズ、 ４はレンズ１−が塗布されｌこウェハ、５はＸ−Ｙステ
ージ、 ６はチ１１ツク、 ７はＩＣパターン、 ８は露光中のパターン、 １１は露光領域、 ２０は照度測定装置、 ２１は光センサ、 ２２はガラス板、 ２３．２７は低段銅膜、 ２４はクロム股、 ２５は絶縁膜、 ２６はアルミニウム板、 ２６ａは突出舌部、 ２８はピンホール、 ３０．３１は信号取出しｌ’ｌＩ！線、３２．３３は端
子、 ４０は目測機器、 ４１は］ネクタ、 ４２は本体、 ４４は挾み板、 ４６．４７は接触部、 ４８はガイド溝である。 ≦２０ 照刀（ｊμリヌヒプＣ【］（ 第 ４ 凶 第６図 敢セニサ Ｆ’）今斗才見Ｕろ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 光センサ（２１）と、 該光センサ（２１）を被うように配された遮蔽部材（２
６）と、 該光センサ（２１）に相対して該遮蔽部材（２６）に形
成されているピンホール（２８）とよりなることを特徴
とする照度測定装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61142545A JPS62298728A (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | 照度測定装置 |
| US07/063,471 US4746958A (en) | 1986-06-18 | 1987-06-18 | Method and apparatus for projection printing |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61142545A JPS62298728A (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | 照度測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62298728A true JPS62298728A (ja) | 1987-12-25 |
Family
ID=15317841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61142545A Pending JPS62298728A (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | 照度測定装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4746958A (ja) |
| JP (1) | JPS62298728A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999039375A1 (fr) * | 1998-01-29 | 1999-08-05 | Nikon Corporation | Luxmetre et systeme d'exposition |
| US7557901B2 (en) | 2003-07-24 | 2009-07-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| WO2023276765A1 (ja) * | 2021-06-30 | 2023-01-05 | シーシーエス株式会社 | 光出力測定装置 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2893778B2 (ja) * | 1990-01-17 | 1999-05-24 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
| DE4116803A1 (de) * | 1991-05-23 | 1992-12-10 | Agfa Gevaert Ag | Vorrichtung zur gleichmaessigen ausleuchtung einer projektionsflaeche |
| JPH0536586A (ja) * | 1991-08-02 | 1993-02-12 | Canon Inc | 像投影方法及び該方法を用いた半導体デバイスの製造方法 |
| JPH09320945A (ja) * | 1996-05-24 | 1997-12-12 | Nikon Corp | 露光条件測定方法及び露光装置 |
| US6549277B1 (en) * | 1999-09-28 | 2003-04-15 | Nikon Corporation | Illuminance meter, illuminance measuring method and exposure apparatus |
| TWI598934B (zh) | 2003-10-09 | 2017-09-11 | Nippon Kogaku Kk | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| JP2009099873A (ja) * | 2007-10-18 | 2009-05-07 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
| NL2003204A1 (nl) * | 2008-08-14 | 2010-02-16 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and method. |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58103624A (ja) * | 1981-12-16 | 1983-06-20 | Toshiba Corp | 光学測定装置 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2444675A (en) * | 1945-07-19 | 1948-07-06 | Rath Karl | Exposure time control for photographic printing apparatus |
| US2857555A (en) * | 1953-10-20 | 1958-10-21 | Koen Floyd | Exposure timing for use with photographic printing apparatus |
| US3170367A (en) * | 1961-05-10 | 1965-02-23 | Agfa Ag | Photographic enlarger |
| US3222983A (en) * | 1962-05-16 | 1965-12-14 | Ouchi Satoru | Automatic exposure timing means |
| US3422442A (en) * | 1966-01-12 | 1969-01-14 | Us Army | Micro-electronic form masking system |
| US3677641A (en) * | 1970-08-24 | 1972-07-18 | Eastman Kodak Co | Photographic printing apparatus |
| US3907428A (en) * | 1972-10-17 | 1975-09-23 | Eskofot A S Industriparken | Reproduction camera having a control circuit for automatic regulation of the exposure time |
| US3874793A (en) * | 1973-04-09 | 1975-04-01 | Philip D Nielsen | Electronic print exposure analyzer |
| US4265532A (en) * | 1979-06-21 | 1981-05-05 | Logetronics Inc. | Photo printing by intensity and velocity modulation |
| DE3318980C2 (de) * | 1982-07-09 | 1986-09-18 | Perkin-Elmer Censor Anstalt, Vaduz | Vorrichtung zum Justieren beim Projektionskopieren von Masken |
| JPS5952246A (ja) * | 1982-09-20 | 1984-03-26 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 露光制御装置 |
-
1986
- 1986-06-18 JP JP61142545A patent/JPS62298728A/ja active Pending
-
1987
- 1987-06-18 US US07/063,471 patent/US4746958A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58103624A (ja) * | 1981-12-16 | 1983-06-20 | Toshiba Corp | 光学測定装置 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999039375A1 (fr) * | 1998-01-29 | 1999-08-05 | Nikon Corporation | Luxmetre et systeme d'exposition |
| US7557901B2 (en) | 2003-07-24 | 2009-07-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US8711333B2 (en) | 2003-07-24 | 2014-04-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US9213247B2 (en) | 2003-07-24 | 2015-12-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US9594308B2 (en) | 2003-07-24 | 2017-03-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US9804509B2 (en) | 2003-07-24 | 2017-10-31 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US10146143B2 (en) | 2003-07-24 | 2018-12-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US10444644B2 (en) | 2003-07-24 | 2019-10-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| WO2023276765A1 (ja) * | 2021-06-30 | 2023-01-05 | シーシーエス株式会社 | 光出力測定装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4746958A (en) | 1988-05-24 |
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