JP2010087531A - 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】露光装置は、投影光学系と液体とを介して基板上にパターンの像を投影することによって、基板を露光する。露光装置は、基板を保持する基板ホルダを有し、基板ホルダに基板を保持して移動可能な基板ステージと、基板ホルダに基板もしくはダミー基板が保持されているか否かを検出する検出器と、検出器の検出結果に応じて、基板ステージの可動領域を変更する制御装置とを備える。
【選択図】図1
Description
だけ基板ステージを移動することで、マスクのパターン像の投影位置とそのショット領域とを位置合わせし、その状態で露光する。こうすることにより、基板(ショット領域)に既に形成されているパターンと次のマスクのパターン像とを重ね合わせることができる。
δ=±k2・λ/NA2 … (2)
ここで、λは露光波長、NAは投影光学系の開口数、k1、k2はプロセス係数である。(1)式、(2)式より、解像度Rを高めるために、露光波長λを短くして、開口数NAを大きくすると、焦点深度δが狭くなることが分かる。
る。
23号公報に開示されているものを用いることができる。
を向上することができる。例えばウエット状態からドライ状態に切り替えた場合、切り替え後において例えば基準部材3の上面等に残存している液体LQを除去する作業が必要となるが、切り替え回数が増えるとその液体除去作業の回数も多くなり処理効率を低下させる。しかしながら、切り替え回数を低減することで、スループットを向上することができる。
ている凹部60に配置される状況が発生することが考えられるが、凹部60の基板ホルダPSHに基板Pを配置しておくことで、凹部60内部への液体LQの浸入を防止することができる。また、基板Pを配置することで凹部60を平坦にすることができ、凹部(段部)に起因する液浸領域の乱れを防止することができる。なお、基準マークが形成された基準部材3をZステージ52の凹部61に埋設する構成の他に、凹部61を設けずにZステージ52の上面に直接基準マークを形成するようにしてもよい。
基板DPが基板ホルダPSHからアンロードされるとともに、デバイス製造用の基板Pが基板ホルダPSHにロードされる。そして、基板P上のアライメントマーク1が基板アライメント系5により検出された後、基板P上のアライメントマーク1の位置情報とベースライン量とに基づいて、基板P上のショット領域とパターン像との位置合わせが行われ、液浸露光が行われる。
、基板交換位置RPに移動される。基板交換位置RPで基板Pがロードされた基板ステージPSTは、投影光学系PLの下である露光処理位置EPに移動する。また、露光処理を終えた基板Pを保持した基板ステージPSTは、基板交換位置RPに移動する。露光処理済みの基板Pは、基板交換位置RPにおいて、第2アーム部82(あるいは別のアーム部)によってアンロードされ、第1アーム部81(あるいな別のアーム部)によって、インターフェース部IFを介してコータ・デベロッパC/Dに搬送される。
とを行い、その基準マークPFM、MFMの位置情報の検出結果に基づいてベースライン量を求めた後、その露光処理済みの基板Pを基板ステージPSTより搬出することによって、基板ホルダPSH内部や基板ステージPST内部に液体LQが浸入することを防止できる。
内部への液体の浸入等を防止することができる。
コスト)の上昇やスループットの低下を抑えることができる。
またはリアクタンス力を用いた磁気浮上型のどちらを用いてもよい。また、各ステージPST、MSTは、ガイドに沿って移動するタイプでもよく、ガイドを設けないガイドレスタイプであってもよい。
Claims (19)
- 投影光学系と液体とを介して基板上にパターンの像を投影することによって、前記基板を露光する露光装置において、
前記基板を保持する基板ホルダを有し、前記基板ホルダに前記基板を保持して移動可能な基板ステージと、
前記基板ホルダに基板もしくはダミー基板が保持されているか否かを検出する検出器と、
前記検出器の検出結果に応じて、前記基板ステージの可動領域を変更する制御装置とを備えたことを特徴とする露光装置。 - 前記基板上に液体を供給する供給口及び液体を回収する回収口のうち少なくともいずれか一方を有するノズル部材を備え、
前記検出器が基板もしくは前記ダミー基板を検出しないときは、前記制御装置は、前記基板ステージの可動領域を前記ノズル部材の下に前記基板ホルダが位置しない領域とすることを特徴とする請求項1記載の露光装置。 - 前記ノズル部材に液体を供給する液体供給機構を備え、
前記検出器が前記基板ホルダに基板もしくはダミー基板を検出しないときは、前記制御装置は、前記液体供給機構による液体供給を停止することを特徴とする請求項1又は2記載の露光装置。 - 投影光学系と液体とを介して基板上にパターンの像を投影することによって、前記基板を露光する露光装置において、
前記基板を保持する基板ホルダを有し、前記基板ホルダに前記基板を保持して移動可能な基板ステージと、
液体を供給する液体供給機構と、
前記基板ホルダに基板もしくはダミー基板が保持されているか否かを検出する検出器と、
前記検出器の検出結果に基づいて、前記液体供給機構の動作を制御する制御装置とを備えたことを特徴とする露光装置。 - さらに、基板ホルダに基板を吸着するための基板吸着保持機構を備え、前記検出器は基板吸着保持機構と流体接続された圧力検出器であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の露光装置。
- 投影光学系と液体とを介して基板上にパターンの像を投影することによって、前記基板を露光する露光装置において、
前記基板を保持する基板ホルダを有し、前記基板ホルダに前記基板を保持して移動可能な基板ステージと、
前記基板ホルダ上に基板又はダミー基板が保持されている場合に限り、前記基板ステージ上に液体を供給する液体供給機構とを備えたことを特徴とする露光装置。 - 液体を介して基板上にパターンの像を投影することによって、前記基板を露光する露光装置において、
基板上にパターンの像を投影する投影光学系と、
前記基板を保持して移動可能な基板ステージと、
前記基板ステージに基板又はダミー基板が保持されている場合に限り、前記基板ステージ上に液浸領域を形成する液浸機構とを備えたことを特徴とする露光装置。 - 前記基板ステージは、その保持された基板又はダミー基板の周囲に、その保持された基板又はダミー基板の表面とほぼ面一の平坦部を有することを特徴とする請求項7に記載の露光装置。
- 前記基板ステージの平坦部に配置された計測部材と、
前記計測部材上の少なくとも一部に液浸領域を形成した状態で、前記計測部材からの光を検出する検出系とを備えたことを特徴とする請求項8に記載の露光装置。 - さらに、ダミー基板を収容するダミー基板ライブラリを備えたことを特徴とする請求項1〜9のいずれか一項に記載の露光装置。
- 液体を介して基板上にパターンの像を投影することによって、前記基板を露光する露光装置において、
基板上にパターンの像を投影する投影光学系と、
前記基板を保持するための凹部と、前記凹部の周囲に配置され、前記凹部に保持された前記基板の表面とほぼ面一の平坦部とを有する基板ステージとを備え、
前記基板ステージ上の凹部に物体が配置され、前記物体表面と前記平坦部とがほぼ面一になっている場合に限り、前記基板ステージ上に液浸領域を形成することを特徴とする露光装置。 - 前記物体は、基板又はダミー基板を含むことを特徴とする請求項11記載の露光装置。
- 前記凹部に前記物体が配置されていない場合、前記基板ステージ上に液浸領域を形成することを禁止する制御装置を備えたことを特徴とする請求項11又は12に記載の露光装置。
- 前記液浸領域を形成するために液体を供給する液浸機構を更に備え、前記制御装置は、前記凹部に前記物体が配置されていない場合に、前記液浸機構による液体の供給を中止することを特徴とする請求項11〜13のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記制御装置は、前記凹部に前記物体が配置されていない場合に、前記基板ステージと前記投影光学系の終端の光学素子とが対向しないように、前記基板ステージの移動を制御することを特徴とする請求項11〜14のいずれか一項に記載の露光装置。
- 請求項1〜請求項15のいずれか一項記載の露光装置を用いることを特徴とするデバイス製造方法。
- 移動可能な基板ステージの基板ホルダに保持された基板上に液体を介してパターンの像を投影することによって前記基板を露光する露光方法において、
前記基板ホルダに基板もしくはダミー基板が保持されているか否かを検出することと、
前記検出結果に応じて、前記基板ステージの可動領域を設定することを含む露光方法。 - 移動可能な基板ステージに保持された基板上に液体を介してパターンの像を投影することによって前記基板を露光する露光方法において、
前記基板ステージに基板もしくはダミー基板が保持されているか否かを検出することと、
前記検出結果に応じて、前記基板ステージ上に液浸領域を形成するか否かを判断することを含む露光方法。 - 請求項17又は請求項18に記載の露光方法を用いることを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010000106A JP5136565B2 (ja) | 2003-10-09 | 2010-01-04 | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003350628 | 2003-10-09 | ||
JP2003350628 | 2003-10-09 | ||
JP2004045103 | 2004-02-20 | ||
JP2004045103 | 2004-02-20 | ||
JP2010000106A JP5136565B2 (ja) | 2003-10-09 | 2010-01-04 | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004296379A Division JP4524601B2 (ja) | 2003-10-09 | 2004-10-08 | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011082809A Division JP5299465B2 (ja) | 2003-10-09 | 2011-04-04 | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010087531A true JP2010087531A (ja) | 2010-04-15 |
JP2010087531A5 JP2010087531A5 (ja) | 2011-05-26 |
JP5136565B2 JP5136565B2 (ja) | 2013-02-06 |
Family
ID=34436914
Family Applications (9)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010000106A Expired - Fee Related JP5136565B2 (ja) | 2003-10-09 | 2010-01-04 | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
JP2011082809A Expired - Fee Related JP5299465B2 (ja) | 2003-10-09 | 2011-04-04 | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
JP2012082716A Expired - Fee Related JP5765285B2 (ja) | 2003-10-09 | 2012-03-30 | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
JP2013269195A Expired - Fee Related JP5811169B2 (ja) | 2003-10-09 | 2013-12-26 | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
JP2014227908A Expired - Fee Related JP6036791B2 (ja) | 2003-10-09 | 2014-11-10 | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
JP2015205399A Expired - Fee Related JP6304190B2 (ja) | 2003-10-09 | 2015-10-19 | 液浸露光装置及び液浸露光方法、デバイス製造方法 |
JP2016201770A Expired - Fee Related JP6332395B2 (ja) | 2003-10-09 | 2016-10-13 | 液浸露光装置及び液浸露光方法、デバイス製造方法 |
JP2017212586A Pending JP2018028692A (ja) | 2003-10-09 | 2017-11-02 | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
JP2018218881A Withdrawn JP2019035983A (ja) | 2003-10-09 | 2018-11-22 | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
Family Applications After (8)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011082809A Expired - Fee Related JP5299465B2 (ja) | 2003-10-09 | 2011-04-04 | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
JP2012082716A Expired - Fee Related JP5765285B2 (ja) | 2003-10-09 | 2012-03-30 | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
JP2013269195A Expired - Fee Related JP5811169B2 (ja) | 2003-10-09 | 2013-12-26 | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
JP2014227908A Expired - Fee Related JP6036791B2 (ja) | 2003-10-09 | 2014-11-10 | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
JP2015205399A Expired - Fee Related JP6304190B2 (ja) | 2003-10-09 | 2015-10-19 | 液浸露光装置及び液浸露光方法、デバイス製造方法 |
JP2016201770A Expired - Fee Related JP6332395B2 (ja) | 2003-10-09 | 2016-10-13 | 液浸露光装置及び液浸露光方法、デバイス製造方法 |
JP2017212586A Pending JP2018028692A (ja) | 2003-10-09 | 2017-11-02 | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
JP2018218881A Withdrawn JP2019035983A (ja) | 2003-10-09 | 2018-11-22 | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (5) | US8130361B2 (ja) |
EP (6) | EP3206083B1 (ja) |
JP (9) | JP5136565B2 (ja) |
KR (8) | KR101613062B1 (ja) |
CN (1) | CN102360167B (ja) |
HK (4) | HK1094090A1 (ja) |
IL (1) | IL174854A (ja) |
SG (3) | SG147431A1 (ja) |
TW (4) | TWI553701B (ja) |
WO (1) | WO2005036624A1 (ja) |
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- 2004-10-11 TW TW101117751A patent/TWI553701B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-10-11 TW TW106122876A patent/TW201738932A/zh unknown
- 2004-10-11 TW TW093130706A patent/TW200514138A/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-10-11 TW TW104138732A patent/TWI598934B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-10-12 SG SG200807578-0A patent/SG147431A1/en unknown
- 2004-10-12 EP EP16205778.0A patent/EP3206083B1/en not_active Not-in-force
- 2004-10-12 KR KR1020147016498A patent/KR101613062B1/ko active IP Right Grant
- 2004-10-12 KR KR1020187005006A patent/KR20180021920A/ko active IP Right Grant
- 2004-10-12 KR KR1020137022692A patent/KR101523456B1/ko active IP Right Grant
- 2004-10-12 KR KR1020127013752A patent/KR101261774B1/ko active IP Right Grant
- 2004-10-12 WO PCT/JP2004/015332 patent/WO2005036624A1/ja active Application Filing
- 2004-10-12 KR KR1020167009409A patent/KR101832713B1/ko active IP Right Grant
- 2004-10-12 CN CN201110302682.8A patent/CN102360167B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-10-12 KR KR1020127033864A patent/KR101476903B1/ko active IP Right Grant
- 2004-10-12 SG SG10201508288RA patent/SG10201508288RA/en unknown
- 2004-10-12 EP EP18177525.5A patent/EP3410216A1/en not_active Withdrawn
- 2004-10-12 KR KR1020117024988A patent/KR101183851B1/ko active IP Right Grant
- 2004-10-12 KR KR1020067006560A patent/KR101183850B1/ko active IP Right Grant
- 2004-10-12 EP EP04773783A patent/EP1672680B1/en not_active Not-in-force
- 2004-10-12 EP EP18177529.7A patent/EP3432073A1/en not_active Withdrawn
- 2004-10-12 EP EP15151347.0A patent/EP2937734B1/en not_active Not-in-force
- 2004-10-12 EP EP10186748.9A patent/EP2284614B1/en not_active Not-in-force
- 2004-10-12 SG SG10201702204YA patent/SG10201702204YA/en unknown
-
2006
- 2006-04-06 IL IL174854A patent/IL174854A/en active IP Right Grant
- 2006-04-07 US US11/399,537 patent/US8130361B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-09-22 HK HK06110605.0A patent/HK1094090A1/xx not_active IP Right Cessation
-
2010
- 2010-01-04 JP JP2010000106A patent/JP5136565B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-04-04 JP JP2011082809A patent/JP5299465B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-01-20 US US13/354,899 patent/US9063438B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2012-03-30 JP JP2012082716A patent/JP5765285B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-05-25 HK HK12105144.0A patent/HK1164462A1/xx not_active IP Right Cessation
-
2013
- 2013-12-26 JP JP2013269195A patent/JP5811169B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-11-10 JP JP2014227908A patent/JP6036791B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-04-22 US US14/693,320 patent/US9383656B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2015-10-19 JP JP2015205399A patent/JP6304190B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-03-02 HK HK16102384.2A patent/HK1214373A1/zh not_active IP Right Cessation
- 2016-06-30 US US15/199,195 patent/US10209623B2/en active Active
- 2016-10-13 JP JP2016201770A patent/JP6332395B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2017
- 2017-11-02 JP JP2017212586A patent/JP2018028692A/ja active Pending
-
2018
- 2018-11-22 JP JP2018218881A patent/JP2019035983A/ja not_active Withdrawn
-
2019
- 2019-01-24 US US16/256,026 patent/US20190155168A1/en not_active Abandoned
- 2019-01-31 HK HK19101715.1A patent/HK1259349A1/zh unknown
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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