TW202403822A - 晶圓載置台 - Google Patents

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Abstract

晶圓載置台10包含陶瓷板20、及導電性基材30。陶瓷板20，在具有晶圓載置面21a的板片中央部21之外周，具備設有聚焦環載置面25a的板片環狀部25。導電性基材30，設置在陶瓷板20之底面，使用作為射頻來源電極。板片環狀部25中，在和聚焦環載置面25a距離相同高度處，埋設有聚焦環吸附用電極26、與接受供給偏壓用射頻電波之聚焦環側射頻偏壓電極27。

Description

晶圓載置台
本發明有關晶圓載置台。
人們為了使用電漿對晶圓進行CVD或蝕刻等，使用晶圓載置台。例如，專利文獻1揭示之晶圓載置台，具備陶瓷基材及冷卻基材。其中，陶瓷基材包含：中央部，具有圓形之晶圓載置面；及外周部，在該中央部之外周側具有環狀之聚焦環載置面。晶圓載置面上載置之晶圓，係藉由對陶瓷基材之中央部埋設的晶圓吸附用電極施加直流電壓，以靜電吸附在晶圓載置面。聚焦環載置面上載置之聚焦環，係藉由對陶瓷基材之外周部埋設的聚焦環吸附用電極施加直流電壓，以靜電吸附在聚焦環載置面。冷卻基材，連接有：第一射頻電源，產生用以生成電漿之來源用射頻電波；及第二射頻電源，產生用以對晶圓導入離子之偏壓用射頻電波。 [先前技術文獻]
[專利文獻1]日本特開2018-206804號公報
[發明欲解決之課題]
上述晶圓載置台，可考慮在中央部，從靠近晶圓載置面一側埋設晶圓吸附用電極、與晶圓側偏壓用電極，在外周部，從靠近聚焦環載置面一側埋設聚焦環吸附用電極、與聚焦環側偏壓用電極，並在冷卻基材連接來源用射頻電源。晶圓側偏壓用電極，為用以對晶圓導入離子之射頻電極，聚焦環側偏壓用電極，為用以對聚焦環導入離子之射頻電極。關於晶圓上方或聚焦環上方產生之電漿，若偏壓用電極、與載置面之間的陶瓷介電層之靜電容C（C=ɛ·S/d（C:靜電容[F]、ɛ:介電常數[F/m]、S:電極面積[m2]、d:介電層厚度[m]））越高，該電漿越有效率地產生。然而，偏壓電極配置在吸附用電極之下側的話，介電層厚度變厚，導致靜電容變小，電漿之產生效率降低。
本發明係為解決此種課題而完成，其目的為：在不妨礙對象物接受吸附之情況下，提高電漿之產生效率。 [解決課題之手段]
[1] 本發明之第一晶圓載置台，包含： 陶瓷板，在具有圓形之晶圓載置面的板片中央部之外側，具備設有環狀之聚焦環載置面的板片環狀部；及 導電性基材，設置在該陶瓷板之底面，使用作為射頻來源電極； 該板片環狀部中，在和該聚焦環載置面距離相同高度處，埋設有聚焦環吸附用電極、與接受供給偏壓用射頻電波之聚焦環側射頻偏壓電極。
此晶圓載置台中，將聚焦環側射頻偏壓電極配置在和聚焦環吸附用電極相同高度之處，而非聚焦環吸附用電極之下側。因此，聚焦環側射頻偏壓電極與聚焦環載置面之間的距離（相當於上述介電層厚度）變短，其間之靜電容變大，聚焦環上方之電漿的產生效率變高。又，由於聚焦環吸附用電極與聚焦環載置面之距離也較短，因此聚焦環在聚焦環載置面上的吸附不受妨礙。因此，可在不妨礙聚焦環（對象物）之吸附的情況下，提高聚焦環上方之電漿產生效率。
又，本說明書中，「上」「下」不表示絕對的位置關係，而表示相對的位置關係。因此，依晶圓載置台之方向，「上」「下」為「下」「上」、或「左」「右」、或「前」「後」。
[2] 上述第一晶圓載置台（該[1]記載之晶圓載置台）中，該聚焦環吸附用電極、與該聚焦環側射頻偏壓電極，可俯視觀察時在該聚焦環載置面之內周側與外周側分開配置。如此安排，即能較容易形成聚焦環吸附用電極、與聚焦環側射頻偏壓電極。
[3] 於上述第一晶圓載置台（該[1]或[2]記載之晶圓載置台），該聚焦環吸附用電極、與該聚焦環側射頻偏壓電極，亦可俯視觀察時在該聚焦環載置面彼此交錯配置。如此安排，即能以平衡妥當之方式使聚焦環吸附在聚焦環載置面，及在聚焦環之上方產生電漿。
[4] 上述第一晶圓載置台（該[1]〜[[3]任一者記載之晶圓載置台）中，該板片中央部中，可從靠近該晶圓載置面一側，依序埋設有晶圓吸附用電極、與接受供給偏壓用射頻電波之晶圓側射頻偏壓電極。如此一來，由於晶圓吸附用電極、與晶圓側射頻偏壓電極配置在不同高度之處（不同段），因此可將各電極配置成俯視觀察時在晶圓載置面之大致整面。藉此，可使晶圓之吸附力足夠大，並在晶圓之上方大致均一地產生電漿。
[5] 上述第一晶圓載置台（該[1]〜[4]任一者記載之晶圓載置台）中，該板片中央部中，在和該晶圓載置面距離相同高度處，可埋設有晶圓吸附用電極、與接受供給偏壓用射頻電波之晶圓側射頻偏壓電極。如此一來，由於晶圓吸附用電極、與晶圓側射頻偏壓電極配置在相同高度（相同段），因此可使從晶圓吸附用電極或晶圓側射頻偏壓電極到晶圓載置面為止之距離較小。藉此，可在不妨礙晶圓（對象物）之吸附的情況下，提高晶圓上方之電漿產生效率。
[6] 上述第一晶圓載置台（該[5]記載之晶圓載置台）中，該晶圓側射頻偏壓電極之面積相對於該晶圓吸附用電極之面積的比率，可在0.8以上1.2以下。如此安排，即能以平衡妥當之方式使晶圓吸附在晶圓載置面，及在晶圓上方產生電漿。
[7] 上述第一晶圓載置台（該[5]或[6]記載之晶圓載置台）中，該晶圓吸附用電極、與該晶圓側射頻偏壓電極，可俯視觀察時在該晶圓載置面彼此交錯配置。如此安排，亦能以平衡妥當之方式使晶圓吸附在晶圓載置面，及在晶圓上方產生電漿。
[8] 本發明之第二晶圓載置台，包含： 陶瓷板，具有圓形之晶圓載置面；及 導電性基材，設置在該陶瓷板之底面，使用作為射頻來源電極； 該陶瓷板中，在和該晶圓載置面距離相同高度處，埋設有晶圓吸附用電 極、與接受供給偏壓用射頻電波之晶圓側射頻偏壓電極。
此晶圓載置台中，將晶圓側射頻偏壓電極配置在和晶圓吸附用電極相同高度之處，而非晶圓吸附用電極之下側。因此，晶圓側射頻偏壓電極與晶圓載置面之間的距離（相當於上述介電層厚度）變短，其間之靜電容變大，晶圓上方之電漿的產生效率變高。又，由於晶圓吸附用電極與晶圓載置面之距離也較短，因此晶圓在晶圓載置面上的吸附不受妨礙。因此，可在不妨礙晶圓（對象物）之吸附的情況下，提高晶圓上方之電漿產生效率。
[9] 上述第二晶圓載置台（該[8]記載之晶圓載置台）中，該晶圓側射頻偏壓電極之面積相對於該晶圓吸附用電極之面積的比率，可在0.8以上1.2以下。如此安排，即能以平衡妥當之方式使晶圓吸附在晶圓載置面，及在晶圓上方產生電漿。
[10] 上述第二晶圓載置台（該[8]或[9]記載之晶圓載置台）中，該陶瓷板中，該晶圓吸附用電極、與該晶圓側射頻偏壓電極，可俯視觀察時彼此交錯配置。如此安排，即能以平衡妥當之方式使晶圓吸附在晶圓載置面，及在晶圓上方產生電漿。
以下一面參照圖式，一面說明本發明之較佳實施態樣。圖1係晶圓載置台10之縱剖面圖（在包含晶圓載置台10之中心軸的面切開時之剖面圖），圖2係圖1之A-A剖面圖，圖3係圖1之B-B剖面圖。
晶圓載置台10，使用於以電漿對晶圓W進行CVD或蝕刻等，固定在半導體製程用處理室（未圖示）之內部來使用。晶圓載置台10具備陶瓷板20、導電性基材30、及金屬接合層40。
陶瓷板20，整體呈圓形，在「具有圓形之晶圓載置面21a」的板片中央部21之外側，具備「具有環形之聚焦環載置面25a」的板片環狀部25。以下，聚焦環有時簡稱為「FR」。晶圓載置面21a載置晶圓W，FR載置面25a載置聚焦環78。陶瓷板20，以氧化鋁、氮化鋁等所代表之陶瓷材料形成。FR載置面25a，相對於晶圓載置面21a大幅度地較低。陶瓷板20之外徑，並無特別限定，但例如在250mm以上350mm以下。
板片中央部21中，在和晶圓載置面21a距離相同高度處，埋設有晶圓吸附用電極22、與晶圓側射頻偏壓電極23。此等電極22、23，例如以含有W、Mo、Ru、WC、MoC等之材料形成。此等電極22、23之形狀，並無特別限定，例如可為網格狀，亦可為帶狀。
晶圓吸附用電極22，為單極型之靜電電極，如圖2所示般配置成俯視觀察時呈漩渦狀。板片中央部21中，較晶圓吸附用電極22上側之層，發揮作為介電層之功能。板片中央部21中，從晶圓吸附用電極22之頂面到晶圓載置面21a為止之厚度，較佳在1mm以下。晶圓吸附用電極22，藉由供電構件54連接有晶圓吸附用電源52。供電構件54，和金屬接合層40及導電性基材30電性絕緣。
晶圓側射頻偏壓電極23，為接受供給偏壓用射頻電波之電極，如圖2所示般俯視觀察時形成漩渦狀。偏壓用射頻電波，其頻率相較於供給至「使用作為射頻來源電極之導電性基材30」的來源用射頻電波較低。例如，偏壓用射頻電波為數l00kHz，來源用射頻電波為數10MHz到數100MHz。晶圓吸附用電極22、與晶圓側射頻偏壓電極23，俯視觀察時沿直徑方向隔開而交錯配置。板片中央部21中，晶圓側射頻偏壓電極23之面積相對於晶圓吸附用電極22之面積的比率，較佳在0.8以上1.2以下。晶圓側射頻偏壓電極23，藉由供電構件64連接有偏壓用射頻電源62。供電構件64，和金屬接合層40及導電性基材30電性絕緣。
板片環狀部25中，在和FR載置面25a距離相同高度處，埋設有FR吸附用電極26、與FR側射頻偏壓電極27。此等電極26、27，例如以含有W、Mo、Ru、WC、MoC等之材料形成。此等電極26、27之形狀，並無特別限定，例如可為網格狀，亦可為帶狀。
FR吸附用電極26，為單極型之靜電電極，如圖3所示般俯視觀察時在板片環狀部25之外周側形成圓環狀。為方便說明起見，以圖3之邊界線BL顯示板片中央部21與板片環狀部25之邊界。陶瓷板20中，從FR吸附用電極26之頂面到FR載置面25a為止之厚度，較佳在1mm以下。FR吸附用電極26，藉由供電構件58連接有FR吸附用電源56。供電構件58，和金屬接合層40及導電性基材30電性絕緣。
FR側射頻偏壓電極27，為接受供給偏壓用射頻電波之電極，如圖3所示般俯視觀察時在板片環狀部25之內周側形成圓環狀。FR吸附用電極26、與FR側射頻偏壓電極27，俯視觀察時隔開環狀間隔而埋設。FR側射頻偏壓電極27，藉由供電構件64連接有偏壓用射頻電源62。供電構件64，和金屬接合層40及導電性基材30電性絕緣。
導電性基材30，整體呈圓形，隔著金屬接合層40接合於陶瓷板20之底面。導電性基材30，其內部具備冷媒可循環之冷媒通道32。冷媒通道32，以俯視觀察時冷媒遍佈陶瓷板20之整面的方式，從一端到另一端為止一筆劃地形成。冷媒通道32之一端及另一端，連接於未圖示之冷媒循環裝置。冷媒循環裝置，為具有溫度調節功能之循環泵浦，將調節成所希望之溫度的冷媒導入冷媒通道32之一端，並將從冷媒通道32之另一端排出的冷媒調節成所希望之溫度後，再次導入冷媒通道32之一端。流經冷媒通道32之冷媒，較佳為液體，並具有電絕緣性。作為電絕緣性之液體，可舉例如氟惰性液體等。導電性基材30，以含有金屬之導電材料製作而得。導電材料可舉例如複合材料或金屬等。複合材料可舉例如金屬與陶瓷之複合材料等。金屬與陶瓷之複合材料，可舉例如金屬基複合材料（MMC）或陶瓷基複合材料（CMC）等。此複合材料之具體例子，可舉例如含有Si、SiC及Ti之材料、或在SiC多孔質體含漬Al及／或Si而得之材料等。含有Si、SiC及Ti之材料稱為SiSiCTi，在SiC多孔質體含漬Al而得之材料稱為A1SiC，在SiC多孔質體含漬Si而得之材料稱為SiSiC。金屬可舉例如Mo。導電性基材30之材料，較佳係選擇熱膨脹係數接近陶瓷板20之材料者。導電性基材30，連接於用以產生電漿之來源用射頻電源60。
金屬接合層40，接合陶瓷板20之底面、與導電性基材30之頂面。金屬接合層40，例如可為以軟焊料或金屬硬焊料形成的層。金屬接合層40，例如以TCB（Thermal compression bonding，熱壓接合法）形成。所謂的TCB為一種習知方法，於接合對象之兩個構件之間夾入金屬接合材料，在加熱至金屬接合材料之固相線溫度以下的狀態，加壓接合兩個構件。
在此雖未圖示，晶圓載置面21a具有：密封環帶，呈環狀，沿晶圓載置面21a之外周緣配置；及小突起部，呈扁平圓柱狀，在該密封環帶之內側面複數配置。密封環帶之頂面、與小突起部之頂面，具有相同高度（例如數µm到數10µm)，晶圓W在接觸此等頂面之狀態下接受支持。晶圓載置台10具有：氣體通路（未圖示），用以將背面氣體（He氣等傳熱氣體）供給至晶圓W之底面。氣體通路，將導電性基材30、金屬接合層40、及陶瓷板20之板片中央部21在上下方向貫穿。
接著，使用圖1，針對晶圓載置台10之使用例進行說明。晶圓載置台10，固定在半導體製程用處理室（未圖示）之內部。處理室之頂部面，配置有「從複數之氣體噴射孔往處理室之內部釋放處理氣體」的噴淋頭。
晶圓載置台10之FR載置面25a載置聚焦環78，晶圓載置面21a載置晶圓W。聚焦環78，以不與晶圓W發生干涉之方式，沿上端部之內周形成高低差。於此狀態下，對晶圓吸附用電極22施加晶圓吸附用電源52之直流電壓，而使晶圓W吸附在晶圓載置面21a。與此同時，對FR吸附用電極26施加FR吸附用電源56之直流電壓，而使聚焦環78吸附在FR載置面25a。然後，將處理室之內部設定成預定之真空環境氣氛（或減壓環境氣氛），並一面從噴淋頭供給處理氣體，一面對導電性基材30施加來自來源用射頻電源60之來源用射頻電壓。與此同時，對晶圓側及FR側射頻偏壓電極23、27施加來自偏壓用射頻電源62之偏壓用射頻電壓。如此一來，在接受施加來源用射頻電壓之導電性基材30（和其同電位的金屬接合層40）與噴淋頭之間，產生電漿。然後，使用該電漿對晶圓W施加CVD成膜、或施加蝕刻。來源用射頻電壓係為了產生電漿而施加，偏壓用射頻電壓係為了對晶圓W或聚焦環78導入離子而施加。
晶圓側射頻偏壓電極23、與晶圓載置面21a之間的距離較長（亦即介電層厚度較厚）的話，其間之靜電容C變小。
相對於此，本實施態樣中，將晶圓側射頻偏壓電極23配置在和晶圓吸附用電極22相同高度之處，而非晶圓吸附用電極22之下側。因此，晶圓側射頻偏壓電極23與晶圓載置面21a之間的距離變短，其間之靜電容C變大，晶圓W上方之電漿的產生效率變高。又，由於晶圓吸附用電極22與晶圓載置面21a之距離也較短，因此晶圓W在晶圓載置面21a上的吸附不受妨礙。
此外，將FR側射頻偏壓電極27配置在和FR吸附用電極26相同高度之處，而非FR吸附用電極26之下側。因此，FR側射頻偏壓電極27與FR載置面25a之間的距離變短，其間之靜電容C變大，聚焦環78上方之電漿的產生效率變高。又，由於FR吸附用電極26與FR載置面25a之距離也較短，因此聚焦環78在FR載置面25a上的吸附不受妨礙。
又，隨著晶圓W接受電漿處理，聚焦環78也會損耗，但由於聚焦環78較晶圓W為厚，因此聚焦環78之更換，係在處理複數片晶圓W之後進行。
依以上說明之晶圓載置台10，可在不妨礙晶圓W接受吸附之情況下，提高晶圓W之上方的電漿產生效率，並可在不妨礙聚焦環78接受吸附之情況下，提高聚焦環78之上方的電漿產生效率。
又，晶圓側射頻偏壓電極23之面積相對於晶圓吸附用電極22之面積的比率，較佳係設定在0.8以上1.2以下。如此安排，可以平衡妥當之方式使晶圓W吸附在晶圓載置面21a，及在晶圓W上方產生電漿。
再者，板片中央部21中，俯視觀察時晶圓吸附用電極22與晶圓側射頻偏壓電極23彼此交錯配置。因此，可以平衡妥當之方式使晶圓W吸附在晶圓載置面21a，及在晶圓W上方產生電漿。
又再者，FR吸附用電極26與FR側射頻偏壓電極27，俯視觀察時在FR載置面25a之內周側與外周側分開配置。因此，可較容易形成FR吸附用電極26與FR側射頻偏壓電極27。
又，本發明完全不受限於上述實施態樣，只要屬於本發明之技術範圍，可以各種態樣實施，係屬當然。
上述實施態樣，板片中央部21中，在相同高度之處埋設晶圓吸附用電極22、與晶圓側射頻偏壓電極23，但不特別限定於此。例如，如圖4所示之晶圓載置台110，從靠近晶圓載置面21a一側，在板片中央部21依序埋設晶圓吸附用電極122、與晶圓側射頻偏壓電極123亦可。圖4中，針對和上述實施態樣相同之構成要素標註相同符號。兩個電極122、123之形狀，並不特別限定，例如可為圓板，亦可為圓形網格。兩個電極122、123，可埋設成與晶圓載置面21a大致平行。晶圓載置台110中，由於晶圓吸附用電極122、與晶圓側射頻偏壓電極123配置在不同高度之處（不同段），因此可將各電極122、123配置成俯視觀察時在晶圓載置面21a之大致整面。藉此，可使晶圓W之吸附力足夠大，並在晶圓W之上方大致均一地產生電漿。
上述實施態樣中，在陶瓷板20之板片中央部21之相同高度處，將漩渦狀之晶圓吸附用電極22、與漩渦狀之晶圓側射頻偏壓電極23，配置成俯視觀察時交錯，但不特別限定於此。亦可例如圖5所示，在陶瓷板20之板片中央部21之相同高度處，將櫛齒狀之晶圓吸附用電極222、與櫛齒狀之晶圓側射頻偏壓電極223，配置成俯視觀察時沿直徑方向交錯（亦即一電極的齒部在另一電極的兩根齒部之間）。
或是，亦可如圖6所示，在陶瓷板20之板片中央部21之相同高度處，將「複數之外齒從中心圓板延伸成輻射狀」的晶圓吸附用電極322、與「內齒從沿著外周之圓環進入晶圓吸附用電極322的外齒之間」的晶圓側射頻偏壓電極323，配置成俯視觀察時沿圓周方向交錯。
上述實施態樣中，在陶瓷板20之板片環狀部25之相同高度處，將圓環狀之FR吸附用電極26、與圓環狀之FR側射頻偏壓電極27，配置成俯視觀察時在外周側與內周側，但不特別限定於此。例如，將FR吸附用電極26配置在內周側，將FR側射頻偏壓電極27配置在外周側亦可。
或是，如圖7所示，配置雙極型之FR吸附用電極226來取代單極型之FR吸附用電極26亦可。圖7中，針對和上述實施態樣相同之構成要素標註相同符號。FR吸附用電極226，係將一對半圓形電極226a、226b配置成隔開而對向。
上述實施態樣中，如圖8所示，將呈同心圓的圓環狀之FR吸附用電極26、圓環狀之FR側射頻偏壓電極27、與圓環狀之FR吸附用電極26'在半徑方向交互配置亦可。或是，如圖9所示，將呈同心圓的圓環狀之FR吸附用電極26、圓環狀之FR側射頻偏壓電極27、圓環狀之FR吸附用電極26'、與圓環狀之FR側射頻偏壓電極27'在半徑方向交互配置亦可。圖8及圖9中，沿半徑方向俯視觀察時，FR吸附用電極、與FR側射頻偏壓電極交錯。藉此，乃能以平衡妥當的方式，使聚焦環78吸附在FR載置面25a，及在聚焦環78之上方產生電漿。
上述實施態樣中，如圖10所示，在圓環狀之FR吸附用電極26設複數之內齒26a，在圓環狀之FR側射頻偏壓電極27設複數之外齒27a，並在內齒26a之間以隔開間隔之方式配置外齒27a，在外齒27a之間以隔開間隔之方式配置內齒26a亦可。圖10中，沿圓周方向俯視觀察時，FR吸附用電極26與FR側射頻偏壓電極27交錯。如此安排，亦可以平衡妥當之方式使聚焦環78吸附在FR載置面25a，及在聚焦環78之上方產生電漿。
上述實施態樣中，個別準備晶圓吸附用電源52、與FR吸附用電源56，但使用一直流電源作為晶圓吸附用與FR吸附用雙方共通的電源亦可。
上述實施態樣中，使用偏壓用射頻電源62作為晶圓側與FR側雙方共通的電源，但個別準備晶圓側偏壓用射頻電源、與FR側偏壓用射頻電源亦可。
上述實施態樣中，以金屬接合層40接合陶瓷板20與導電性基材30，但不特別限定於此。例如，使用樹脂接合層來取代金屬接合層40亦可。
上述實施態樣中，可在板片中央部21配置加熱器電極（電阻發熱體），亦可在板片環狀部25配置加熱器電極（電阻發熱體）。
上述實施態樣中，使用板片中央部21與板片環狀部25兩者一體的陶瓷板20，但板片中央部21與板片環狀部25分開設置亦可。
本申請案，以2022年3月31日申請之日本專利申請案第2022-059152號為主張優先權之基礎案，援用其全部內容寫入本說明書。
10:晶圓載置台 20:陶瓷板 21:板片中央部 21a:晶圓載置面 22:晶圓吸附用電極(電極) 23:晶圓側射頻偏壓電極(電極) 25:板片環狀部 25a:聚焦環載置面(FR載置面) 26:聚焦環吸附用電極(FR吸附用電極)(電極) 26':FR吸附用電極(電極) 26a:內齒 27:聚焦環側射頻偏壓電極(FR側射頻偏壓電極)(電極) 27':FR側射頻偏壓電極(電極) 27a:外齒 30:導電性基材 32:冷媒通道 40:金屬接合層 52:晶圓吸附用電源 54:供電構件 56:FR吸附用電源 58:供電構件 60:來源用射頻電源 62:偏壓用射頻電源 64:供電構件 78:聚焦環 110:晶圓載置台 122:晶圓吸附用電極(電極) 123:晶圓側射頻偏壓電極(電極) 222:晶圓吸附用電極(電極) 223:晶圓側射頻偏壓電極(電極) 226:FR吸附用電極(電極) 226a,226b:半圓形電極 322:晶圓吸附用電極(電極) 323:晶圓側射頻偏壓電極(電極) BL:邊界線 W:晶圓
[圖1]圖1係晶圓載置台10之縱剖面圖。 [圖2]圖2係圖1之A-A剖面圖。 [圖3]圖3係圖1之B-B剖面圖。 [圖4]圖4係晶圓載置台110之縱剖面圖。 [圖5]圖5係顯示電極222與電極223之配置的說明圖（水平剖面圖）。 [圖6]圖6係顯示電極322與電極323之配置的說明圖（水平剖面圖）。 [圖7]圖7係顯示電極226與電極27之配置的說明圖（水平剖面圖）。 [圖8]圖8係顯示電極26、26'與電極27之配置的說明圖（水平剖面部分放大圖）。 [圖9]圖9係顯示電極26、26'與電極27、27'之配置的說明圖（水平剖面部分放大圖）。 [圖10]圖10係顯示具有內齒26a之電極26與具有外齒27a之電極27的配置之說明圖（水平剖面部分放大圖）。
10:晶圓載置台
20:陶瓷板
21:板片中央部
21a:晶圓載置面
22:晶圓吸附用電極(電極)
23:晶圓側射頻偏壓電極(電極)
25:板片環狀部
25a:聚焦環載置面(FR載置面)
26:聚焦環吸附用電極(FR吸附用電極)(電極)
27:聚焦環側射頻偏壓電極(FR側射頻偏壓電極)(電極)
30:導電性基材
32:冷媒通道
40:金屬接合層
52:晶圓吸附用電源
54:供電構件
56:FR吸附用電源
58:供電構件
60:來源用射頻電源
62:偏壓用射頻電源
64:供電構件
78:聚焦環
W:晶圓

Claims (10)

  1. 一種晶圓載置台，包含： 陶瓷板，在具有圓形之晶圓載置面的板片中央部之外側，具備設有環狀之聚焦環載置面的板片環狀部；及 導電性基材，設置在該陶瓷板之底面，使用作為射頻來源電極； 於該板片環狀部，在和該聚焦環載置面距離相同高度處，埋設有聚焦環吸附用電極、與接受供給偏壓用射頻電波之聚焦環側射頻偏壓電極。
  2. 如請求項1之晶圓載置台，其中， 該聚焦環吸附用電極、與該聚焦環側射頻偏壓電極，俯視觀察時在該聚焦環載置面之內周側與外周側分開配置。
  3. 如請求項1或2之晶圓載置台，其中， 該聚焦環吸附用電極、與該聚焦環側射頻偏壓電極，俯視觀察時在該聚焦環載置面彼此交錯配置。
  4. 如請求項1或2之晶圓載置台，其中， 於該板片中央部，從靠近該晶圓載置面一側，依序埋設有晶圓吸附用電極、與接受供給偏壓用射頻電波之晶圓側射頻偏壓電極。
  5. 如請求項1或2之晶圓載置台，其中， 於該板片中央部，在和該晶圓載置面距離相同高度處，埋設有晶圓吸附用電極、與接受供給偏壓用射頻電波之晶圓側射頻偏壓電極。
  6. 如請求項5之晶圓載置台，其中， 該晶圓側射頻偏壓電極之面積相對於該晶圓吸附用電極之面積的比率，在0.8以上1.2以下。
  7. 如請求項5之晶圓載置台，其中， 該晶圓吸附用電極、與該晶圓側射頻偏壓電極，俯視觀察時在該晶圓載置面彼此交錯配置。
  8. 一種晶圓載置台，包含： 陶瓷板，具有圓形之晶圓載置面；及 導電性基材，設置在該陶瓷板之底面，使用作為射頻來源電極； 於該陶瓷板，在和該晶圓載置面距離相同高度處，埋設有晶圓吸附用電 極、與接受供給偏壓用射頻電波之晶圓側射頻偏壓電極。
  9. 如請求項8之晶圓載置台，其中， 該晶圓側射頻偏壓電極之面積相對於該晶圓吸附用電極之面積的比率，在0.8以上1.2以下。
  10. 如請求項8或9之晶圓載置台，其中， 於該陶瓷板，俯視觀察時，該晶圓吸附用電極、與該晶圓側射頻偏壓電極，彼此交錯配置。
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