WO2018179891A1 - ウエハ保持体 - Google Patents

ウエハ保持体 Download PDF

Info

Publication number
WO2018179891A1
WO2018179891A1 PCT/JP2018/004421 JP2018004421W WO2018179891A1 WO 2018179891 A1 WO2018179891 A1 WO 2018179891A1 JP 2018004421 W JP2018004421 W JP 2018004421W WO 2018179891 A1 WO2018179891 A1 WO 2018179891A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
ceramic base
wafer
circuit
lead
wafer holder
Prior art date
Application number
PCT/JP2018/004421
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
木村 功一
晃 三雲
成伸 先田
大介 島尾
Original Assignee
住友電気工業株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 住友電気工業株式会社 filed Critical 住友電気工業株式会社
Priority to US16/498,853 priority Critical patent/US11732359B2/en
Priority to JP2019508697A priority patent/JP7184034B2/ja
Priority to KR1020237020073A priority patent/KR20230096124A/ko
Priority to KR1020197027802A priority patent/KR102545967B1/ko
Publication of WO2018179891A1 publication Critical patent/WO2018179891A1/ja
Priority to JP2022186144A priority patent/JP2023021139A/ja
Priority to US18/218,164 priority patent/US20230340668A1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50Substrate holders
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4586Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • C23C16/509Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
    • C23C16/5096Flat-bed apparatus
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715Workpiece holder
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715Workpiece holder
    • H01J37/32724Temperature
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00Ohmic-resistance heating
    • H05B3/02Details
    • H05B3/03Electrodes
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00Ohmic-resistance heating
    • H05B3/20Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater
    • H05B3/22Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible
    • H05B3/28Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor embedded in insulating material
    • H05B3/283Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor embedded in insulating material the insulating material being an inorganic material, e.g. ceramic

Definitions

  • This disclosure relates to a wafer holder.
  • This application claims the priority based on the Japanese application 2017-062458 of an application on March 28, 2017, and uses all the description content described in the said Japanese application.
  • a semiconductor manufacturing apparatus that manufactures semiconductor devices such as LSI
  • various thin film processes such as film forming processes such as CVD and sputtering and etching processes are performed on a semiconductor wafer. These thin film treatments may be performed in a plasma atmosphere.
  • one of the high-frequency (RF) electrodes (lower electrode) is placed on a wafer holder that heats a wafer called a susceptor mounted in a chamber.
  • the other high-frequency electrode (upper electrode) is provided above the wafer holder so as to face the lower electrode, and a high-frequency (RF) voltage is applied between these electrodes.
  • the source gas introduced into the chamber can be ionized to generate plasma in the space above the wafer holder.
  • Patent Document 1 as a susceptor including a lower electrode and a resistance heating element, a disk-shaped ceramic base portion having a flat wafer mounting surface on the upper surface, and a cylindrical support portion for supporting this from the center portion of the lower surface
  • RF radio frequency
  • the two types of radio frequency (RF) electrodes as the lower electrodes are embedded in the ceramic base at positions where the depths from the wafer mounting surface are different from each other.
  • an electrostatic chuck (ESC) electrode for electrically attracting and fixing the semiconductor wafer may be provided inside the ceramic base.
  • a wafer holder includes a ceramic base having a wafer mounting surface on an upper surface, and a conductive member embedded in the ceramic base.
  • the conductive member includes a circuit unit provided parallel to the wafer mounting surface, a lead unit provided parallel to the wafer mounting surface and spaced apart from the circuit unit in a direction opposite to the wafer mounting surface, a circuit unit, And a connection part for electrically connecting the drawer part.
  • FIG. 1A is a schematic longitudinal sectional view of a wafer holder according to the first embodiment.
  • FIG. 1B is an arrow view when the ceramic base of FIG. 1A is cut along A1-A1 and B1-B1.
  • FIG. 2A is a schematic longitudinal sectional view of a wafer holder according to the second embodiment.
  • FIG. 2B is an arrow view when the ceramic base of FIG. 2A is cut along A2-A2, B2-B2, and C2-C2.
  • FIG. 3 is an arrow view corresponding to FIG. 2B of the ceramic base included in the alternative example of the wafer holder of the second embodiment.
  • FIG. 4A is a schematic longitudinal sectional view of still another alternative example of the wafer holder of the second embodiment.
  • FIG. 4B is an arrow view when the ceramic base of FIG. 4A is cut along A3-A3 and B3-B3.
  • FIG. 5 is an arrow view corresponding to FIG. 4B of a ceramic base included in still another alternative example of the wafer holder of the second embodiment.
  • FIG. 6A is a schematic longitudinal sectional view of a wafer holder according to the third embodiment.
  • 6B is an arrow view when the ceramic base of FIG. 6A is cut along A4-A4 and B4-B4.
  • FIG. 7 is an arrow view corresponding to FIG. 6B of a ceramic base included in still another alternative example of the wafer holder of the third embodiment.
  • FIG. 8 is an arrow view corresponding to FIG. 4B of the ceramic base of still another alternative example of the wafer holder of the second embodiment.
  • the terminal portion for supplying power to the RF electrode and the resistance heating element embedded in the ceramic base is on the lower surface side of the ceramic base. It is necessary to provide it. Since these terminal portions are in a high temperature state together with the ceramic base during the processing of the semiconductor wafer, it is necessary to protect them from corrosive gases such as halogen gas introduced into the chamber as a reactive gas during CVD or etching. Become.
  • the terminal portions such as the RF electrode and the resistance heating element, and the power supply line connected thereto are accommodated inside the cylindrical support portion, and both ends of the cylindrical support portion are respectively connected to the lower surface of the ceramic base and the chamber. It is a common practice to hermetically seal the floor of the floor. Although such a structure can prevent the terminal portion from being damaged by corrosion, it is necessary to dispose the terminal portion at the center portion of the lower surface of the ceramic base portion to which the cylindrical support portion is attached. As a result, power is supplied from the central terminal portion to the RF electrode, the resistance heating element, etc., which are spread over almost the entire surface in a plane parallel to the wafer mounting surface in the ceramic base.
  • connection portion with the RF electrode, the resistance heating element, etc. An excessive electrical load is easily applied to the connection portion with the RF electrode, the resistance heating element, etc., and local overheating occurs in the connection portion of the ceramic base, so that the thermal uniformity of the wafer mounting surface is lowered, or the ceramic The base itself may be damaged.
  • a wafer holder of the present disclosure includes a ceramic base portion having a wafer mounting surface on an upper surface, and a conductive member embedded in the ceramic base portion,
  • the conductive member includes a circuit portion provided parallel to the wafer placement surface, a lead portion provided parallel to the wafer placement surface and spaced apart from the circuit portion in a direction opposite to the wafer placement surface;
  • the ceramic base may be disk-shaped. Thereby, it can supply electric power, without applying an excessive electric load from the terminal part with respect to electrically conductive members, such as RF electrode currently embed
  • the wafer holder further includes a cylindrical support portion that supports the ceramic base portion from the center of the lower surface of the ceramic base portion, and an electrode terminal portion that is connected to the lead portion, and a part of the electrode terminal portion May protrude from the lower surface side of the ceramic base and be accommodated in the cylindrical support.
  • the cylindrical support portion may be cylindrical.
  • the conductive member may constitute an RF electrode or a resistance heating element.
  • the wafer holder may include a plurality of the conductive members, and each of the plurality of conductive members may constitute an RF electrode or a resistance heating element.
  • the wafer holder further includes a second circuit unit embedded in the ceramic base and provided in parallel with the wafer mounting surface, and a second electrode terminal unit connected to the circuit unit, A part of the second electrode terminal portion may protrude from the lower surface side of the ceramic base portion.
  • the second circuit unit may be an RF electrode, a resistance heating element, or an electrostatic chuck electrode.
  • the connecting portion may be a ceramic member covered with a metal layer.
  • a wafer holder 10 according to the first embodiment shown in FIG. 1A is mounted in a chamber (not shown) in which thin film processing is performed on a semiconductor wafer in a plasma atmosphere such as plasma CVD.
  • the wafer holder 10 includes a disk-shaped ceramic base 11 having a wafer mounting surface 11 a on the upper surface, and a cylindrical tubular support portion 12 that supports the ceramic base 11 from the center of the lower surface of the ceramic base 11. .
  • the disc shape does not mean a geometrically strict disc but includes a processing error and the like.
  • the cylindrical shape does not mean a geometrically strict cylinder but includes a processing error and the like.
  • the material of the cylindrical support portion 12 is preferably ceramic.
  • Ceramics that are suitable materials for the ceramic base 11 and the cylindrical support 12 include aluminum nitride, silicon nitride, silicon carbide, and aluminum oxide. Of these, aluminum nitride is most preferred because of its high thermal conductivity and excellent corrosion resistance.
  • Both end portions of the cylindrical support portion 12 have a flange shape bent outward, for example. You may join the upper end surface of the cylindrical support part 12 with the lower surface of the ceramic base 11 by sintering. Further, the cylindrical support portion 12 may be joined to the lower surface of the ceramic base portion 11 by a coupling means such as a screw passing through the flange-shaped bent portion. About the lower end part of the cylindrical support part 12, you may join to the bottom face of a chamber similarly to an upper end part. However, it is preferable that the lower end portion is detachably fixed by a coupling means such as a clamp.
  • a set of conductive members 13 as a lower electrode of the RF electrode is embedded in the ceramic base 11.
  • the conductive member 13 includes a circuit portion 14 that is parallel to the wafer placement surface 11a, and a lead portion 15 that is parallel to the wafer placement surface 11a and spaced apart from the circuit portion 14 in the thickness direction of the ceramic base 11. And six connection portions 16 that electrically connect the circuit portion 14 and the lead portion 15 to each other.
  • the ceramic base 11 has a lead-out portion 15 provided away from the circuit portion 14 in the direction opposite to the wafer mounting surface 11a.
  • FIG. 1B which shows arrow views when the ceramic base portion 11 of FIG.
  • circuit portion 14 and the lead portion 15 have a circular pattern.
  • the circuit portion 14 and the lead portion 15 are arranged so as to be concentric with respect to the central portion of the ceramic base portion 11.
  • the outer diameter of the lead-out portion 15 is smaller than the outer diameter of the circuit portion 14.
  • Six connection portions 16 are arranged on the outer peripheral portion of the lead-out portion 15 at equal intervals in the circumferential direction.
  • the material of the circuit part 14 and the lead part 15 is not particularly limited as long as it has conductivity.
  • a metal foil such as a stainless steel foil may be laid.
  • a paste containing metal powder such as tungsten may be formed by screen printing and baking.
  • the material of the connecting portion 16 is also conductive.
  • a formation method of a metal layer after apply
  • the ceramic member preferably has substantially the same thermal expansion coefficient as the ceramic base 11, and more preferably the same material. Thereby, even if thermal expansion and thermal contraction due to the heat cycle are repeated, the ceramic member can be expanded and contracted similarly to the ceramic base 11. Therefore, problems such as a decrease in temperature uniformity and breakage are less likely to occur.
  • a single electrode terminal portion 17 made of metal is connected to the central portion of the lead portion 15.
  • the distal end portion of the electrode terminal portion 17 protrudes at the center of the lower surface of the ceramic base portion 11. That is, a part of the electrode terminal portion 17 protrudes from the lower surface side of the ceramic base portion 11.
  • the electrode terminal portion 17 and a power supply line (not shown) connected to the electrode terminal portion 17 can be accommodated inside the cylindrical support portion 12.
  • a temperature sensor such as a thermocouple (not shown), a resistance heating element, an electrode for electrostatic chuck, and the like may be provided inside the ceramic base 11.
  • these terminal portions can be accommodated inside the cylindrical support portion 12 together with the electrode terminal portion 17 by projecting from the central portion of the lower surface of the ceramic base portion 11.
  • the power supply line extending downward inside the cylindrical support portion 12 can be drawn out of the chamber through a through-hole on the bottom surface of the chamber (not shown).
  • the RF electrode it is preferable that the distance between the circuit portion and the wafer mounting surface is narrow. Therefore, if an excessive electrical load is applied to the circuit portion, the thin plate portion of the ceramic base portion closer to the wafer mounting surface than the circuit portion may be damaged.
  • the current can be appropriately distributed by using a plurality of connection portions 16 as in the wafer holder 10 of the present disclosure. Therefore, the problem of local overload can be suppressed. Thereby, the reliability of the semiconductor manufacturing apparatus on which the wafer holder 10 is mounted can be improved.
  • a wafer holder 20 including a disk-shaped ceramic base 21 and a cylindrical support portion 22 that supports the ceramic base 21 from the center of the lower surface is provided with a plurality of conductive members in the ceramic base 21. Except for this, it is basically the same as the wafer holder 10 of the first embodiment. Therefore, the ceramic base 21 will be specifically described below.
  • the first set of conductive members 23 ⁇ / b> A is parallel to the wafer placement surface 21 a and is parallel to the wafer placement surface 21 a and separated from the circuit portion 24 ⁇ / b> A in the thickness direction of the ceramic base plate 21.
  • the lead portion 25A includes six connecting portions 26A that electrically connect the circuit portion 24A and the lead portion 25A to each other.
  • the ceramic base 21 has a lead-out portion 25A provided away from the circuit portion 24A in the direction opposite to the wafer placement surface 21a.
  • the second set of conductive members 23B has a circuit portion 24B parallel to the wafer mounting surface 21a, and is parallel to the wafer mounting surface 21a and the circuit portion 24B is the ceramic base plate 21.
  • the drawing portion 25B is spaced apart in the thickness direction, and the four connection portions 26B electrically connect the circuit portion 24B and the drawing portion 25B to each other.
  • the ceramic base 21 has a lead-out portion 25B provided away from the circuit portion 24B in the direction opposite to the wafer mounting surface 21a.
  • the circuit portions 24A and 24B are embedded in the same layer closest to the wafer mounting surface 21a. Therefore, the circuit portion 24A has a concentric circular pattern having an outer diameter smaller than the outer diameter of the wafer mounting surface 21a.
  • the circuit portion 24B has a concentric annular pattern so as to surround the outer periphery of the circuit portion 24A.
  • the lead portion 25 ⁇ / b> A is embedded in a layer located approximately in the center of the ceramic base 21 in the thickness direction.
  • the outer diameter of the lead portion 25A has a circular pattern having an outer diameter smaller than the outer diameter of the circuit portion 24A.
  • Six connecting portions 26A are arranged on the outer peripheral portion of the drawing portion 25A at equal intervals in the circumferential direction.
  • one metal electrode terminal portion 27A is connected to the central portion of the lead portion 25A.
  • the front end portion passes through an opening in the center portion of the lead portion 25B described later and protrudes from the lower surface center portion of the ceramic base plate 21. That is, a part of the electrode terminal portion 27 ⁇ / b> A protrudes from the lower surface side of the ceramic base 21.
  • the lead portion 25B is embedded in the lowermost layer of the ceramic base plate 21.
  • the lead portion 25B has an outer diameter substantially the same as or slightly smaller than the circuit portion 24B.
  • the lead portion 25B has a circular pattern having a circular opening at the center.
  • Four connecting portions 26B are arranged at equal intervals in the circumferential direction on the outer peripheral portion of the drawing portion 25B.
  • four electrode terminal portions 27B made of metal are connected around the opening of the lead portion 25B.
  • the tip end portion of the electrode terminal portion 27 ⁇ / b> B protrudes at the center of the lower surface of the ceramic base plate 21. That is, a part of the electrode terminal portion 27 ⁇ / b> B protrudes from the lower surface side of the ceramic base 21.
  • the wafer holder 21 of the second embodiment of the present invention has two sets of conductive members 23A and 23B. Therefore, the RF voltage can be separately applied to the two sets of conductive members. Therefore, the plasma atmosphere above the wafer mounting surface 21a can be controlled to be different between the inside and the outside.
  • the case of a two-zone structure including an inner circular pattern and an outer annular pattern in which the wafer mounting surface 21a is divided into two in the radial direction has been described.
  • the present invention is not limited to this. Possible zone numbers and division patterns.
  • the outer conductive member is equally divided into four in the circumferential direction of the wafer mounting surface 21a. That is, it has a five-zone structure in which five sets of conductive members are embedded in the ceramic base 121.
  • the ceramic base 121 shown in FIG. 3 four outer circuit portions 124B, 124C, 124D, and 124E having a shape obtained by dividing the annular pattern of FIG.
  • the circuit part 124A of the circular pattern located in is surrounded from the outside.
  • the four outer circuit portions 124B to 124E are electrically connected to the lead portions 125B, 125C, 125D, and 125E having four fan-shaped patterns having substantially the same shape through the connection portions 126B, 126C, 126D, and 126E, respectively. Connected to. This makes it possible to control the plasma atmosphere above the wafer placement surface 121a more finely.
  • two sets of conductive members having the same shape are embedded in two zones obtained by dividing the wafer mounting surface into two by a straight line passing through the center thereof. It may be a structure. That is, two sets of conductive members 223A and 223B as RF electrodes are buried in the ceramic base 221 shown in FIG. 4A.
  • the first set of conductive members 223A includes a circuit portion 224A parallel to the wafer placement surface 221a, and is parallel to the wafer placement surface 221a and spaced from the circuit portion 224A in the thickness direction of the ceramic base plate 221. And the two connection portions 226A that electrically connect the circuit portion 224A and the lead portion 225A to each other.
  • the ceramic base 221 has a lead-out portion 225A provided away from the circuit portion 224A in a direction opposite to the wafer mounting surface 221a.
  • the second set of conductive members 223B includes a circuit portion 224B that is parallel to the wafer mounting surface 221a, and is parallel to the wafer mounting surface 221a and the circuit portion 224B is a ceramic base plate.
  • the lead part 225 ⁇ / b> B is spaced apart in the thickness direction of 221, and the two connection parts 226 ⁇ / b> B electrically connect the circuit part 224 ⁇ / b> B and the lead part 225 ⁇ / b> B to each other. That is, the ceramic base portion 221 has a lead-out portion 225B that is provided away from the circuit portion 224B in the direction opposite to the wafer mounting surface 221a.
  • FIG. 4B which shows arrow views when the ceramic base plate 221 of FIG. 4A is cut along A3-A3 and B3-B3, the circuit embedded in the same layer closest to the wafer mounting surface 221a
  • the portions 224A and 224B have a semicircular pattern divided into two by a straight line passing through the center portion of the ceramic base portion 221.
  • the lead-out portions 225A and 225B embedded in the same layer close to the lower surface side of the ceramic base portion 221 also have a semicircular pattern divided into two as described above.
  • the circuit portion 224A and the lead-out portion 225A are electrically connected to each other through two connection portions 226A located on the outer peripheral portion thereof.
  • the circuit portion 224B and the lead-out portion 225B are electrically connected to each other via the two connection portions 226B.
  • the two connecting portions in each set are the positions of line objects in the semicircular pattern and extend from the central portion of the ceramic base 221 to them so that a uniform voltage can be applied to the circuit portion. It is arranged at a position where the angle formed by the line segment of the book is substantially a right angle.
  • the ceramic base 221 shown in FIGS. 4A and 4B has a two-zone structure in which two sets of conductive members having the same shape are provided in two zones obtained by dividing the wafer mounting surface into two equal parts by a straight line passing through the central portion thereof.
  • the ceramic base of the present disclosure is not limited to this, and may have a structure in which the wafer mounting surface is divided into three or more zones.
  • the wafer mounting surface of the ceramic base 321 is divided into four equal parts in the circumferential direction, and four sets of the same shape of conductive members are respectively embedded.
  • An example of a four zone structure is shown.
  • the four circuit portions 324A, 324B, 324C, and 324D embedded in the same layer closest to the wafer placement surface include two pieces passing through the center of the wafer placement surface of the ceramic base 321. It has a fan-shaped pattern with a central angle of 90 ° divided into four by straight lines orthogonal to each other.
  • the lead-out portions 325A, 325B, 325C, and 325D embedded in the same layer near the lower surface side of the ceramic base 321 also have a fan-shaped pattern with a central angle of 90 °, similarly divided into four at the same angular positions as described above. is doing.
  • connection portion 326A, 326B, 326C, or 326D located on the outer peripheral portion thereof.
  • a wafer holder 30 including a substantially disk-shaped ceramic base 31 shown in FIG. 6A and a cylindrical support portion 32 that supports the ceramic base 31 from the center of the lower surface of the ceramic base 31 is provided in one set in the ceramic base 31.
  • This is basically the same as the wafer holder 20 of the second embodiment described above except that a conductive member and a circuit portion that is directly connected to the electrode terminal portion without using the lead portion are provided. Therefore, the ceramic base 31 will be specifically described below.
  • a second circuit part 34A and a circuit part 34B as RF electrodes are provided in two zones of an inner circular part and an outer annular part obtained by dividing the wafer mounting surface 31a in the radial direction, respectively.
  • the circuit part 34B is electrically connected to the extraction part 35B via the connection part 36B similarly to 2nd Embodiment.
  • the second embodiment is different from the second embodiment in that the second circuit portion 34A is directly connected to the second electrode terminal portion 37A.
  • the second circuit portion 34A has a lead-out portion and a connection portion for connection thereof. It is electrically connected directly to the second electrode terminal portion 37A without going through. A part of the second electrode terminal portion 37 ⁇ / b> A protrudes from the lower surface of the ceramic base 31. A part of the second electrode terminal portion 37 ⁇ / b> A is accommodated in the cylindrical support portion 32.
  • FIG. 6B which shows arrow views when the ceramic base 31 of FIG. 6A is cut along A4-A4 and B4-B4-B4
  • the second circuit portion 34A has a lead-out portion and a connection portion for connection thereof. It is electrically connected directly to the second electrode terminal portion 37A without going through. A part of the second electrode terminal portion 37 ⁇ / b> A protrudes from the lower surface of the ceramic base 31. A part of the second electrode terminal portion 37 ⁇ / b> A is accommodated in the cylindrical support portion 32.
  • the set of conductive members 33B includes a circuit portion 34B parallel to the wafer placement surface 31a, and a parallel to the wafer placement surface 31a and the circuit portion 34B is a ceramic base plate.
  • 31 includes a lead part 35B that is spaced apart in the thickness direction, and four connection parts 36B that electrically connect the circuit part 34B and the lead part 35B to each other.
  • the ceramic base 31 has a lead-out portion 35B provided away from the circuit portion 34B in the direction opposite to the wafer placement surface 31a.
  • the second circuit portion 34A located at the center of the wafer placement surface 31a is directly connected to the second electrode terminal portion 37A without going through the lead-out portion. Therefore, the number of layers in which the conductive member is embedded in the ceramic base plate 31 can be reduced to two layers, and it becomes possible to manufacture easily.
  • the present invention is not limited to this.
  • Various zone numbers and division patterns can be considered.
  • the outer conductive member has a five-zone structure in which the outer conductive member is equally divided into four in the circumferential direction of the wafer mounting surface 131a.
  • each outer circuit 134B, 134C, 134D, and 134E having a shape obtained by dividing the annular pattern of FIG.
  • the second circuit portion 134A having a circular pattern located inside is surrounded from the outside.
  • the four outer circuit portions 134B to 134E are electrically connected to the lead portions 135B, 135C, 135D, and 135E having four substantially identical fan-shaped patterns via the connection portions 136B, 136C, 136D, and 136E, respectively. Connected to. This makes it possible to control the plasma atmosphere above the wafer placement surface 131a more finely.
  • the circuit portion is described as being an RF electrode.
  • the circuit unit may be a resistance heating element.
  • one of them may be an RF electrode, and the rest may be a resistance heating element.
  • FIG. 8 shows an example in which two heating resistors are embedded as circuit portions 424A and 424B in the same layer closest to the wafer mounting surface of the ceramic base 421 in the two-zone structure of the second embodiment. It is shown.
  • the ceramic base 421 concentric curved portions and straight portions are drawn in a single stroke in each of two zones of a substantially semicircular pattern obtained by dividing the wafer mounting surface by a straight line passing through the center thereof.
  • Circuit portions 424A and 424B having circuit patterns in a connected shape are embedded. These circuit portions are electrically connected to lead portions 425A and 425B having semicircular patterns spaced in the thickness direction of the ceramic base portion 421 via connection portions 426A and 426B, respectively.
  • the ceramic base 421 has lead-out portions 425A and 425B that are provided apart from the circuit portions 424A and 424B in the direction opposite to the wafer mounting surface.
  • Each of the lead portions 425 ⁇ / b> A and 425 ⁇ / b> B is electrically connected to an electrode terminal portion (not shown), and a tip portion of the lead portions 425 ⁇ / b> A and 425 ⁇ / b> B protrudes from the lower surface center portion of the ceramic base portion 421.
  • a portion corresponding to the center portion of the wafer mounting surface is cut out in a semicircular shape so as not to interfere with one of the pair of electrodes of each resistance heating element.
  • a slurry was prepared by adding 0.5 parts by mass of yttrium oxide as a sintering aid to 99.5 parts by mass of the aluminum nitride powder, adding a binder and an organic solvent, and mixing them with a ball mill.
  • the obtained slurry was sprayed by a spray drying method to produce granules, which were press-molded to produce three molded bodies having the same shape.
  • These compacts were degreased at 700 ° C. in a nitrogen atmosphere and then sintered at 1850 ° C. in a nitrogen atmosphere to obtain three aluminum nitride sintered bodies.
  • the obtained sintered body was processed into a disk shape having a diameter of 330 mm and a thickness of 8 mm. At this time, the surface roughness Ra was 0.8 ⁇ m, and the flatness was 50 ⁇ m.
  • an adhesive material mainly composed of aluminum nitride for adhesion was applied to one side of each of the two sintered bodies that are the uppermost part and the lowermost part, and then degreased. These uppermost and lowermost surfaces to which the adhesive material was applied were sandwiched and bonded so as to face the sintered body serving as the intermediate portion.
  • one hole reaching the center of the lead-out portion 15 is counterbored on the lower surface side, and an electrode terminal portion made of W so as to come into contact with the lead-out portion 15 there. 17 was inserted.
  • the one end portion of the cylindrical support portion 12 made of AlN having an inner diameter of 60 mm, a height of 150 mm, and a thickness of 2 mm having flange portions at both ends was joined to the lower surface side of the ceramic base portion 11 thus manufactured with a screw.
  • the flange portion and the joint surface of the ceramic base 11 were hermetically sealed using an O-ring.
  • a power supply line was connected to the electrode terminal portion 17 protruding from the lower surface side of the ceramic base portion 11 inside the cylindrical support portion 12.
  • the wafer holder 10 of the sample 1 produced in this way is mounted in the chamber of the CVD apparatus, and the other end of the cylindrical support 12 is hermetically sealed with an O-ring at the bottom of the chamber using a clamp. Fixed.
  • two disk-shaped sintered bodies having a thickness of 8 mm and 16 mm are produced instead of the three disk-shaped sintered bodies having a thickness of 8 mm, and the circuit portion 14 is provided on one surface of the sintered body having a thickness of 8 mm.
  • a wafer holder of sample 2 in which the electrode terminal portion was directly connected to the center portion of the circuit portion without using a connection portion for connection to the substrate was manufactured and mounted in the chamber.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

ウエハ載置面を上面に有するセラミック基部と、セラミック基部に埋設された導電部材と、を備え、導電部材は、ウエハ載置面と平行に設けられた回路部と、ウエハ載置面と平行かつウエハ載置面と反対の方向に回路部と離間して設けられた引出部と、回路部と引出部とを電気的に接続する接続部と、を含む、ウエハ保持体

Description

ウエハ保持体
 本開示はウエハ保持体に関する。本出願は、2017年3月28日出願の日本出願2017-062458号に基づく優先権を主張し、前記日本出願に記載された全ての記載内容を援用するものである。
 LSIなどの半導体デバイスを製造する半導体製造装置では、半導体ウエハに対してCVD、スパッタリングなどの成膜処理やエッチング処理など、各種の薄膜処理が施される。これら薄膜処理はプラズマ雰囲気下で行う場合があり、そのため、半導体製造装置ではチャンバー内に搭載するサセプタとも称するウエハを載置して加熱するウエハ保持体に高周波(RF)電極の一方(下部電極)を埋設すると共に、ウエハ保持体の上方にもう一方の高周波電極(上部電極)を設けて該下部電極に対向させ、これら電極間に高周波(RF)電圧を印加することが行われている。これにより、チャンバー内に導入した原料ガスを電離させてウエハ保持体の上方の空間にプラズマを発生させることができる。
 例えば特許文献1には、下部電極及び抵抗発熱体を備えたサセプタとして、上面に平坦なウエハ載置面を備えた円板状のセラミック基部と、これを下面中央部から支持する筒状支持部とからなるウエハ保持体が開示されており、下部電極としての2種類の高周波(RF)電極は、該セラミック基部の内部においてウエハ載置面からの深さが互いに異なる位置に埋設されている。このセラミック基部の内部には、更に半導体ウエハを電気的に吸着固定する静電チャック(ESC)電極を設けてもよいことも示されている。
特開2012-89694号公報
本開示のウエハ保持体は、ウエハ載置面を上面に有するセラミック基部と、セラミック基部に埋設された導電部材と、を備える。導電部材は、ウエハ載置面と平行に設けられた回路部と、ウエハ載置面と平行かつウエハ載置面と反対の方向に回路部と離間して設けられた引出部と、回路部と引出部とを電気的に接続する接続部と、を含む。
図1Aは、第1実施形態のウエハ保持体の模式的な縦断面図である。 図1Bは、図1Aのセラミック基部をA1-A1及びB1-B1で切断したときの矢視図である。 図2Aは、第2実施形態のウエハ保持体の模式的な縦断面図である。 図2Bは、図2Aのセラミック基部をA2-A2、B2-B2及びC2-C2で切断したときの矢視図である。 図3は、第2実施形態のウエハ保持体の代替例が有するセラミック基部の図2Bに対応する矢視図である。 図4Aは、第2実施形態のウエハ保持体の更に他の代替例の模式的な縦断面図である。 図4Bは、図4Aのセラミック基部をA3-A3及びB3-B3で切断したときの矢視図である。 図5は、第2実施形態のウエハ保持体の更に他の代替例が有するセラミック基部の図4Bに対応する矢視図である。 図6Aは、第3実施形態のウエハ保持体の模式的な縦断面図である。 図6Bは、図6Aのセラミック基部をA4-A4及びB4-B4で切断したときの矢視図である。 図7は、第3実施形態のウエハ保持体の更に他の代替例が有するセラミック基部の図6Bに対応する矢視図である。 図8は、第2実施形態のウエハ保持体の更に他の代替例が有するセラミック基部の図4Bに対応する矢視図である。
 上記したように、ウエハ保持体ではセラミック基部の上面がウエハ載置面となるため、セラミック基部の内部に埋設されているRF電極や抵抗発熱体等に給電する端子部はセラミック基部の下面側に設ける必要がある。これら端子部は、半導体ウエハの処理の際にセラミック基部と共に高温状態になるので、CVDやエッチング時の反応性ガスとしてチャンバー内に導入されるハロゲンガス等の腐食性ガスから保護することが必要となる。
 そこで、RF電極や抵抗発熱体等の端子部、及びそれらに接続される給電線を上記筒状支持部の内側に収納すると共に、該筒状支持部の両端部をそれぞれセラミック基部の下面及びチャンバーの床面に気密シールすることが一般的に行われている。かかる構造により上記端子部が腐食により破損するのを防ぐことができるが、セラミック基部の下面のうち筒状支持部が取り付けられる中央部に端子部を配置することが必要になる。その結果、セラミック基部内においてウエハ載置面に平行な面内にほぼ全面に亘って敷き詰められているRF電極や抵抗発熱体等に対して中央部の端子部から給電するので、当該端子部とRF電極や抵抗発熱体等との接続部に過度の電気的な負荷がかかりやすくなり、セラミック基部の当該接続部において局所的な過熱が生じてウエハ載置面の均熱性が低下したり、セラミック基部自体が破損したりすることがあった。
 最初に本開示の実施形態を列記して説明する。本開示のウエハ保持体は、ウエハ載置面を上面に有するセラミック基部と、前記セラミック基部に埋設された導電部材と、を備え、
前記導電部材は、前記ウエハ載置面と平行に設けられた回路部、前記ウエハ載置面と平行かつ前記ウエハ載置面と反対の方向に前記回路部と離間して設けられた引出部および前記回路部と前記引出部とを電気的に接続する接続部を含む。また前記セラミック基部は円板形状であってもよい。これにより、セラミック基部に埋設されているRF電極等の導電部材に対してその端子部から過度の電気的な負荷をかけることなく給電することができる。
 上記のウエハ保持体においては、前記セラミック基部の下面中央部から前記セラミック基部を支持する筒状支持部と、前記引出部と接続される電極端子部とをさらに備え、前記電極端子部の一部は前記セラミック基部の下面側から突出し、かつ、前記筒状支持部内に収容されていてもよい。また、前記筒状支持部は円筒形状であってもよい。これにより、電極端子部及びこれに接続される給電線を筒状支持部の内側に収容することができるので、これらを腐食環境から隔離することができる。
 上記のウエハ保持体においては、前記導電部材はRF電極又は抵抗発熱体を構成してもよい。またウエハ保持体は、複数の前記導電部材を備え、複数の前記導電部材はそれぞれがRF電極または抵抗発熱体を構成してもよい。これにより、RF電極における導電部材に対してその端子部への過度の電気的な負荷を低減することができるため、長期に亘って高い信頼性を維持することができる。また、抵抗発熱体においては回路パターンの設計の自由度が増すため、均熱性を向上させることができる。更に、RF電極や抵抗発熱体に従来のものより高い電圧を印加することができるので、処理速度を高めることができる。
 上記のウエハ保持体においては、前記セラミック基部に埋設され前記ウエハ載置面と平行に設けられた第2回路部と、前記回路部と接続される第2電極端子部とを、さらに備え、前記第2電極端子部の一部は前記セラミック基部の下面側から突出していてもよい。また、前記第2回路部はRF電極又は抵抗発熱体又は静電チャック電極にすることができる。これにより、セラミック基部内に埋設する電極の種類やそれらの形状の自由度を高めることができる。
 上記のウエハ保持体においては、前記接続部は金属層で覆われたセラミック部材であってもよい。これにより、ウエハ保持体にヒートサイクルによる熱膨張と収縮が繰り返される場合であっても破損しにくくすることが可能になる。
 次に、図1A、図1Bを参照しながら第1実施形態のウエハ保持体について説明する。図1Aに示す第1実施形態のウエハ保持体10は、半導体ウエハに対してプラズマCVDなどのプラズマ雰囲気下での薄膜処理が行われる図示しないチャンバー内に搭載されるものである。ウエハ保持体10は、ウエハ載置面11aを上面に備えた円板形状のセラミック基部11と、セラミック基部11をセラミック基部11の下面中央部から支持する円筒形状の筒状支持部12とを有する。本開示において円板形状とは幾何学的に厳密な円板を意味するものではなく加工誤差等が含まれる。本開示において円筒形状とは幾何学的に厳密な円筒を意味するものではなく加工誤差等が含まれる。筒状支持部12の材質としてはセラミックスが好ましい。
 セラミック基部11や筒状支持部12の好適な材質であるセラミックスとしては、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸化アルミニウム等を挙げることができる。これらの中では熱伝導率が高く耐腐食性にも優れた窒化アルミニウムが最も好ましい。
筒状支持部12の両端部は例えば外側に屈曲したフランジ形状になっている。筒状支持部12の上端面をセラミック基部11の下面に対して焼結により接合してもよい。また、上記フランジ形状の屈曲部を貫通するネジ等の結合手段によって筒状支持部12をセラミック基部11の下面に接合してもよい。筒状支持部12の下端部については、上端部と同様にチャンバーの底面に接合してもよい。しかし、下端部は、クランプ等の結合手段により取外し自在に固定することが好ましい。
 セラミック基部11の内部には、RF電極の下部電極としての1組の導電部材13が埋設されている。導電部材13は、ウエハ載置面11aに対して平行な回路部14と、該ウエハ載置面11aに対して平行で且つ上記回路部14とはセラミック基部11の厚み方向に離間する引出部15と、回路部14と引出部15とを互いに電気的に接続する6個の接続部16とで構成されている。つまり、セラミック基部11は、ウエハ載置面11aと反対の方向に回路部14と離間して設けられた引出部15を有している。回路部14と引出部15は、図1Aのセラミック基部11をA1-A1及びB1-B1でそれぞれ切断したときの矢視図を示す図1Bから分かるように、いずれも円形パターンを有している。回路部14と引出部15は、セラミック基部11の中心部に関して同心円状となるように配されている。引出部15の外径は回路部14の外径よりも小さくなっている。引出部15の外周部に、周方向に均等な間隔をあけて6個の接続部16が配されている。
 回路部14と引出部15の材質は導電性を有するものであれば特に制約はない。例えばステンレス箔などの金属箔を敷いてもよい。例えば、タングステン等の金属粉を含んだペーストをスクリーン印刷及び焼成して形成してもよい。接続部16の材質も導電性を有するものであれば特に制約はない。一例としては、円柱状のセラミック部材の外表面を金属層で覆ったものが好ましい。金属層の形成方法としては、例えば、セラミック部材の表面に金属ペーストを塗布した後、脱脂及び焼成することが挙げられる。金属層の他の例としては、セラミック部材に外嵌させるべく予め筒状に成形した金属製スリーブを用いてもよい。また、上記のセラミック部材は、上記のセラミック基部11とほぼ同じ熱膨張係数を有するものが好ましく、同じ材質であることがより好ましい。これにより、ヒートサイクルによる熱膨張や熱収縮が繰り返されても当該セラミック部材をセラミック基部11と同様に膨張・収縮させることができる。したがって、均熱性の低下や破損等の問題が生じにくくなる。
 引出部15の中央部には金属製の1個の電極端子部17が接続されている。電極端子部17の先端部は、セラミック基部11の下面中央部において突出している。つまり電極端子部17の一部はセラミック基部11の下面側から突出している。これにより、電極端子部17及び電極端子部17に接続される給電線(図示せず)を筒状支持部12の内側に収容することができる。なお、セラミック基部11の内部には、図示しない熱電対等の温度センサー、抵抗発熱体、静電チャック用電極等を設けてもよい。この場合は、これらの端子部もセラミック基部11の下面中央部から突出させることで上記電極端子部17と共に筒状支持部12の内側に収容することができる。筒状支持部12の内側で下方に向かって延在する給電線は、チャンバーの底面の貫通孔を通ってチャンバーの外部に引き出すことができる(図示せず)。
 かかる構成により、導電部材13に高周波電圧を印加する際に電極端子部との接続部において生じやすい電気的な過負荷の問題を抑えることができる。特に、RF電極の場合は、その回路部とウエハ載置面との間隔が狭いほど好ましい。よって、回路部に過度の電気的負荷がかかるとセラミック基部のうち回路部よりもウエハ載置面側の薄板部分が破損する恐れがあった。しかし、本開示のウエハ保持体10のように複数個の接続部16を用いることで電流を適度に分配することができる。したがって、局所的な過負荷の問題を抑えることができる。これによりウエハ保持体10を搭載した半導体製造装置の信頼性を高めることができる。
 次に図2A、図2Bを参照しながら第2実施形態のウエハ保持体20について説明する。図2Aに示すように、円板形状のセラミック基部21と、これを下面中央部から支持する筒状支持部22とからなるウエハ保持体20は、セラミック基部21内に複数の導電部材が設けられていることを除いて、第1実施形態のウエハ保持体10と基本的に同じである。したがって以降はセラミック基部21について具体的に説明する。
 セラミック基部21の内部には、RF電極としての2組の導電部材23A、23Bが埋没されている。1組目の導電部材23Aは、ウエハ載置面21aに対して平行な回路部24Aと、ウエハ載置面21aに対して平行で且つ回路部24Aとはセラミック基部板21の厚み方向に離間する引出部25Aと、回路部24Aと引出部25Aとを互いに電気的に接続する6個の接続部26Aとで構成されている。つまり、セラミック基部21は、ウエハ載置面21aと反対の方向に回路部24Aと離間して設けられた引出部25Aを有している。2組目の導電部材23Bも上記1組目と同様にウエハ載置面21aに対して平行な回路部24Bと、ウエハ載置面21aに対して平行で且つ回路部24Bとはセラミック基部板21の厚み方向に離間する引出部25Bと、回路部24Bと引出部25Bとを互いに電気的に接続する4個の接続部26Bとで構成されている。つまり、セラミック基部21は、ウエハ載置面21aと反対の方向に回路部24Bと離間して設けられた引出部25Bを有している。
 図2Bから分かるように、回路部24Aと24Bは、ウエハ載置面21aに最も近い同じ層内に埋設されている。よって、回路部24Aはウエハ載置面21aの外径よりも外径の小さい同心円状の円形パターンを有している。回路部24Bは回路部24Aの外周をとり囲むように同心円状の環状パターンを有している。引出部25Aはセラミック基部21の厚み方向の略中央に位置する層内に埋設されている。引出部25Aの外径は回路部24Aの外径よりも小さい外径を有する円形パターンを有している。引出部25Aの外周部に、周方向に均等な間隔をあけて6個の接続部26Aが配されている。また、引出部25Aの中央部には金属製の1個の電極端子部27Aが接続している。その先端部は後述する引出部25Bの中央部の開口部を貫通してセラミック基部板21の下面中央部から突出している。つまり、電極端子部27Aの一部はセラミック基部21の下面側から突出している。
 引出部25Bはセラミック基部板21の最も下側に位置する層内に埋設されている。引出部25Bは、回路部24Bと略同径若しくはこれよりやや小さな外径を有する。引出部25Bは、中央部に円形の開口部を有する円形パターンを有している。引出部25Bの外周部に周方向に均等な間隔で4個の接続部26Bが配されている。また、引出部25Bの開口部の周りには金属製の4個の電極端子部27Bが接続している。電極端子部27Bの先端部はセラミック基部板21の下面中央部において突出している。つまり、電極端子部27Bの一部はセラミック基部21の下面側から突出している。
 このように本発明の第2実施形態のウエハ保持体21は2組の導電部材23A及び23Bを有している。よって、2組の導電部材に別々にRF電圧を印加することができる。したがってウエハ載置面21a上方のプラズマ雰囲気を内側と外側で異なるように制御することができる。なお、第2実施形態はウエハ載置面21aをその径方向に2分割した内側円形パターンと外側環状パターンとからなる2ゾーン構造の場合について説明したが、これに限定されるものではなく、様々なゾーン数や分割パターンが考えられる。
 例えば図3に示す第2実施形態の代替例では、上記した図2A、図2Bに示す2組の導電部材のうち内側の導電部材については同様である。しかし、外側の導電部材がウエハ載置面21aの周方向に均等に4つに分割されている。すなわち、セラミック基部121内に5組の導電部材が埋設された5ゾーン構造になっている。具体的には、図3に示すセラミック基部121では、図2Bの環状パターンを周方向に略4等分した形状を有する4つの外側回路部124B、124C、124D、及び124Eが同じ層内の内側に位置する円形パターンの回路部124Aを外側からとり囲んでいる。そして、これら4つの外側回路部124B~124Eは、4つの略同形状の扇形パターンを有する引出部125B、125C、125D、及び125Eにそれぞれ接続部126B、126C、126D、及び126Eを介して電気的に接続している。これにより、ウエハ載置面121aの上方のプラズマ雰囲気をよりきめ細かく制御することが可能になる。
 あるいは図4A、図4Bに示す第2実施形態の他の代替例のように、ウエハ載置面をその中心を通る直線で2分割した2ゾーンに2組の同形状の導電部材をそれぞれ埋設した構造でもよい。すなわち、図4Aに示すセラミック基部221の内部には、RF電極としての2組の導電部材223A、223Bが埋没されている。
 1組目の導電部材223Aは、ウエハ載置面221aに対して平行な回路部224Aと、該ウエハ載置面221aに対して平行で且つ回路部224Aとはセラミック基部板221の厚み方向に離間する引出部225Aと、これら回路部224Aと引出部225Aとを互いに電気的に接続する2個の接続部226Aとで構成されている。つまり、セラミック基部221は、ウエハ載置面221aと反対の方向に回路部224Aと離間して設けられた引出部225Aを有している。2組目の導電部材223Bも上記1組目と同様にウエハ載置面221aに対して平行な回路部224Bと、該ウエハ載置面221aに対して平行で且つ回路部224Bとはセラミック基部板221の厚み方向に離間する引出部225Bと、これら回路部224Bと引出部225Bとを互いに電気的に接続する2個の接続部226Bとで構成されている。つまり、セラミック基部221は、ウエハ載置面221aと反対の方向に回路部224Bと離間して設けられた引出部225Bを有している。
 図4Aのセラミック基部板221をA3-A3及びB3-B3でそれぞれ切断したときの矢視図を示す図4Bから分かるように、ウエハ載置面221aに最も近い同じ層内に埋設されている回路部224Aと224Bは、セラミック基部221の中心部を通る直線で2分割した半円形状パターンを有している。また、セラミック基部221の下面側に近い同じ層内に埋設されている引出部225Aと225Bも、上記と同様に2分割した半円形状パターンを有している。回路部224Aと引出部225Aは、それらの外周部に位置する2個の接続部226Aで互いに電気的に接続されている。回路部224Bと引出部225Bも同様に2個の接続部226Bを介して互いに電気的に接続されている。各組における2個の接続部は、回路部に均一な電圧を印加できるように、上記半円形状パターン内の線対象の位置であって且つセラミック基部221の中心部からそれらに延在する2本の線分のなす角が略直角となる位置に配されている。
 図4A、図4Bに示すセラミック基部221では、ウエハ載置面をその中心部を通る直線で略2等分した2ゾーンに2組の同形状の導電部材をそれぞれ設けた2ゾーン構造であった。しかし、本開示のセラミック基部は、これに限定されるものではなく、ウエハ載置面を3ゾーン以上に分割した構造でもよい。例えば図5に示す第2実施形態の更に他の代替例のウエハ保持体では、セラミック基部321のウエハ載置面を周方向に4等分して4組の同形状の導電部材をそれぞれ埋設した4ゾーン構造の例が示されている。
 具体的には、ウエハ載置面に最も近い同じ層内に埋設されている4つの回路部324A、324B、324C、及び324Dは、セラミック基部321のウエハ載置面をその中心を通る2本の互いに直交する直線で4分割した中心角90°の扇形パターンを有している。また、セラミック基部321の下面側に近い同じ層内に埋設されている引出部325A、325B、325C、及び325Dも、上記と同じ角度位置で同様に4分割した中心角90°の扇形パターンを有している。そして各対の回路部と引出部とは、それらの外周部に位置する1個の接続部326A、326B、326C、又は326Dで互いに電気的に接続されている。かかる構造により、ウエハ載置面の上方のプラズマ雰囲気を周方向により精密に制御することが可能になる。
 次に図6A、図6Bを参照しながら第3実施形態のウエハ保持体について説明する。図6Aに示す略円板形状のセラミック基部31と、セラミック基部31をセラミック基部31の下面中央部から支持する筒状支持部32とからなるウエハ保持体30は、セラミック基部31内に1組の導電部材と、引出部を介さずに直接電極端子部に接続する回路部とが設けられていることを除いて上記した第2実施形態のウエハ保持体20と基本的に同じである。従って以降はセラミック基部31について具体的に説明する。
 セラミック基部31の内部には、ウエハ載置面31aを径方向に分割した内側円形部と外側環状部の2ゾーンに、それぞれRF電極としての第2回路部34Aと回路部34Bが設けられている点において、第2実施形態の図2Bの左側に示す分割パターンと同様である。また、回路部34Bは第2実施形態と同様に接続部36Bを介して引出部35Bに電気的に接続されている。しかし、第2回路部34Aが直接第2電極端子部37Aに接続している点が第2実施形態と異なっている。
 すなわち、図6Aのセラミック基部31をA4-A4及びB4-B4でそれぞれ切断したときの矢視図を示す図6Bから分かるように、第2回路部34Aは引出部やその接続のための接続部を介さずに直接第2電極端子部37Aに電気的に接続している。第2電極端子部37Aは一部がセラミック基部31の下面から突出している。第2電極端子部37Aの一部は、筒状支持部32の内部に収容されている。他方、1組の導電部材33Bは、図2Bと同様に、ウエハ載置面31aに対して平行な回路部34Bと、ウエハ載置面31aに対して平行で且つ回路部34Bとはセラミック基部板31の厚み方向に離間する引出部35Bと、回路部34Bと引出部35Bとを互いに電気的に接続する4個の接続部36Bとで構成されている。つまり、セラミック基部31は、ウエハ載置面31aと反対の方向に回路部34Bと離間して設けられた引出部35Bを有している。このように、ウエハ載置面31aの中央部に位置する第2回路部34Aは引出部を介さずに第2電極端子部37Aに直接接続している。よって、セラミック基部板31内に導電部材を埋設する層の数を2層に抑えることができ、簡易に製造することが可能になる。
 尚、上記の第3実施形態ではウエハ載置面31aをその径方向に2分割した内側円形パターンと外側環状パターンとからなる2ゾーン構造の場合について説明したが、これに限定されるものではなく、様々なゾーン数や分割パターンが考えられる。例えば図7に示す第3実施形態の代替例では、上記した図6A、図6Bに示す内側の回路部については同様である。しかし、外側の導電部材がウエハ載置面131aの周方向に均等に4つに分割された5ゾーン構造になっている。
 具体的には、図7に示す代替例のセラミック基部131では、図6Bの環状パターンを周方向に略4等分した形状を有する4つの外側回路134B、134C、134D、及び134Eが同じ層内の内側に位置する円形パターンの第2回路部134Aを外側からとり囲んでいる。そして、これら4つの外側回路部134B~134Eは、4つの略同形状の扇形パターンを有する引出部135B、135C、135D、及び135Eにそれぞれ接続部136B、136C、136D、及び136Eを介して電気的に接続している。
これによりウエハ載置面131aの上方のプラズマ雰囲気をよりきめ細かく制御することが可能になる。
 上記の第1~第3の実施形態では、いずれも回路部がRF電極であるとして説明を行った。しかし、本開示はこれに限定されるものではなく、回路部が抵抗発熱体であってもよい。また、導電部材が2組以上の場合は、それらのうちの1組がRF電極であり、残りが抵抗発熱体でもよい。例えば図8には、第2実施形態の2ゾーン構造において、セラミック基部421のウエハ載置面に最も近い同じ層内に回路部424A、424Bとして2個の発熱抵抗体が埋設されている例が示されている。
 すなわち、セラミック基部421の内部には、ウエハ載置面をその中心を通る直線で2分割した略半円形状パターンの2ゾーンのそれぞれに、同心円状の湾曲部と直線部とが一筆書き状に連結した形状の回路パターンを有する回路部424A、424Bが埋設されている。そして、これら回路部はセラミック基部421の厚み方向に離間する半円形状パターンを有する引出部425A、425Bにそれぞれ接続部426A、426Bを介して電気的に接続している。つまり、セラミック基部421は、ウエハ載置面と反対の方向に回路部424A、424Bと離間して設けられた引出部425A、425Bを有している。引出部425A、425Bの各々は、図示しない電極端子部に電気的に接続しており、その先端部がセラミック基部421の下面中央部で突出している。尚、引出部425A、425Bにおいてウエハ載置面の中心部に対応する部分は、各抵抗発熱体の1対の電極のうちの一方に干渉しないように半円状に切り欠かれている。
 今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって、どのような面からも制限的なものではないと理解されるべきである。本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
 窒化アルミニウム粉末99.5質量部に焼結助剤として酸化イットリウム0.5質量部を加え、更にバインダー、有機溶剤を加えて、ボールミル混合することにより、スラリーを作製した。得られたスラリーをスプレードライ法で噴霧することにより顆粒を作製し、これをプレス成形して3枚の同形状の成形体を作製した。これら成形体を窒素雰囲気中にて700℃の条件で脱脂した後、窒素雰囲気中において1850℃で焼結して、3枚の窒化アルミニウム焼結体を得た。得られた焼結体を、直径330mm、厚み8mmの円板状に加工した。このときの表面粗さはRaで0.8μm、平面度は50μmであった。
 上記3枚の窒化アルミニウムの焼結体のうち、中間部となる焼結体の中央部に内径8.0mmの貫通孔を周方向に均等な間隔をあけて6か所穿孔した。更に上記と同様の条件で作製した外径7.9mmの円柱状の窒化アルミニウム焼結体の外表面にWペーストを塗布し、窒素雰囲気中にて700℃で脱脂した後、窒素雰囲気中にて1830℃で焼成して外径8.0mm、高さ8mmの6個の接続部16を作製し、上記の貫通孔に嵌め込んだ。この中間部となる焼結体の一方の面に、図1Bの左側の回路部14用円形パターンを、もう一方の面に右側の引出部15用円形パターンを形成すべくWペーストをスクリーン印刷により塗布し、窒素雰囲気中にて700℃で脱脂した後、窒素雰囲気中にて1830℃で焼成した。
 次に最上部及び最下部となる2枚の焼結体のそれぞれ片面に、接着用の窒化アルミニウムを主成分とする接着材料を塗布してから脱脂を行った。これら最上部及び最下部の接着材料を塗布した面が、上記の中間部となる焼結体に向き合うように挟み込んで接合させた。このようにして得た接合体に対して、その下面側に引出部15の中央部に達する1個の穴をザグリ加工し、そこに該引出部15に当接するようにW製の電極端子部17を嵌入した。
 このようにして作製したセラミック基部11の下面側に、両端部にフランジ部を有する内径60mm、高さ150mm、肉厚2mmのAlN製の筒状支持部12の一端部をネジで接合した。尚、フランジ部とセラミック基部11の接合面との間はO-リングを用いて気密にシールした。そして、筒状支持部12の内側でセラミック基部11の下面側から突出している電極端子部17に給電線を接続した。このようにして作製した試料1のウエハ保持体10をCVD装置のチャンバー内に搭載し、筒状支持部12の他端部をチャンバーの底部にO-リングで気密シールした状態でクランプを用いて固定した。
 比較のため、厚み8mmの3枚の円板状焼結体に代えて厚み8mmと16mmの2枚の円板状焼結体を作製し、厚み8mmの焼結体の片面に回路部14を成膜し、厚み16mmの焼結体の片面に上記と同様の接着材料を塗布、脱脂してから両焼結体を重ね合わせて接合すること以外は上記試料1と同様にして引出部及びこれとの接続用の接続部を介さずに回路部の中央部に直接電極端子部が接続された試料2のウエハ保持体を製作し、チャンバー内に搭載した。これら試料1及び2のウエハ保持体の各々に対して、ウエハ載置面にセンサレー社製の300mm17点ウエハ測温計を載置した状態で13.56MHzの高周波電圧を印加する運転を行った。その結果、試料1ではウエハ記載面の均熱性に変化がなく高い均熱性が保たれていたが、資料2では中央部での局所発熱により中央部の温度が上昇し均熱が悪化する結果となった。これは電極端子部との接続部分において過負荷になっていたことによるものと考えられる。
 10、20、30  ウエハ保持体
 11、21、31、121、131、221、321、421  セラミック基部
 11a、21a、31a、221a  ウエハ載置面
 12、22、32、222  筒状支持部
 13、23A、23B、33B、223A、223B  導電部材の組
 14、24A、24B、34B、224A、224B、124A、124B、124C、124D、124E、134B、134C、134D、134E、224A、224B、324A、324B、324C、324D、424A、424B  回路部
 34A、134A 第2回路部
 15、25A、25B、35B、225A、225B、125A、125B、125C、125D、125E、135B、135C、135D、135E、225A、225B、325A、325B、325C、325D、425A、425B  引出部
 16、26A、26B、36B、226A、226B、126A、126B、126C、126D、126E、136B、136C、136D、136E、226A、226B、326A、326B、326C、326D、426A、426B  接続部
 17、27A、27B、37B、227A、227B  電極端子部
37A 第2電極端子部
 

Claims (9)

  1. ウエハ載置面を上面に有するセラミック基部と、
    前記セラミック基部に埋設された導電部材と、を備え、
    前記導電部材は、前記ウエハ載置面と平行に設けられた回路部と、前記ウエハ載置面と平行かつ前記ウエハ載置面と反対の方向に前記回路部と離間して設けられた引出部と、前記回路部と前記引出部とを電気的に接続する接続部と、を含む、
    ウエハ保持体。
  2. 前記セラミック基部の下面を支持する筒状支持部と、前記引出部と接続される電極端子部とをさらに備え、
    前記電極端子部の一部は前記セラミック基部の下面側から突出し、かつ、前記筒状支持部内に収容されている、請求項1に記載のウエハ保持体。
  3. 前記導電部材はRF電極又は抵抗発熱体を構成する、請求項1又は請求項2に記載のウエハ保持体。
  4. 複数の前記導電部材を備え、複数の前記導電部材はそれぞれがRF電極または抵抗発熱体を構成する、請求項1又は請求項2に記載のウエハ保持体。
  5. 前記セラミック基部に埋設され前記ウエハ載置面と平行に設けられた第2回路部と、
    前記第2回路部と接続される第2電極端子部とを、さらに備え、
    前記第2電極端子部の一部は前記セラミック基部の下面側から突出している、
    請求項1~請求項4のいずれか1項に記載のウエハ保持体。
  6. 前記第2回路部はRF電極又は抵抗発熱体又は静電チャック電極である、
    請求項5に記載のウエハ保持体。
  7. 前記接続部は金属層で覆われたセラミック部材である、
    請求項1~請求項6のいずれか1項に記載のウエハ保持体。
  8. 前記セラミック基部は円板形状である、
    請求項1~7のいずれか1項に記載のウエハ保持体。
  9. 前記筒状支持部は円筒形状である、
    請求項2に記載のウエハ保持体。
PCT/JP2018/004421 2017-03-28 2018-02-08 ウエハ保持体 WO2018179891A1 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16/498,853 US11732359B2 (en) 2017-03-28 2018-02-08 Wafer holder
JP2019508697A JP7184034B2 (ja) 2017-03-28 2018-02-08 ウエハ保持体
KR1020237020073A KR20230096124A (ko) 2017-03-28 2018-02-08 웨이퍼 유지체
KR1020197027802A KR102545967B1 (ko) 2017-03-28 2018-02-08 웨이퍼 유지체
JP2022186144A JP2023021139A (ja) 2017-03-28 2022-11-22 ウエハ保持体
US18/218,164 US20230340668A1 (en) 2017-03-28 2023-07-05 Wafer holder

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017062458 2017-03-28
JP2017-062458 2017-03-28

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US16/498,853 A-371-Of-International US11732359B2 (en) 2017-03-28 2018-02-08 Wafer holder
US18/218,164 Division US20230340668A1 (en) 2017-03-28 2023-07-05 Wafer holder

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2018179891A1 true WO2018179891A1 (ja) 2018-10-04

Family

ID=63675090

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2018/004421 WO2018179891A1 (ja) 2017-03-28 2018-02-08 ウエハ保持体

Country Status (4)

Country Link
US (2) US11732359B2 (ja)
JP (2) JP7184034B2 (ja)
KR (2) KR102545967B1 (ja)
WO (1) WO2018179891A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7392887B1 (ja) 2023-03-27 2023-12-06 Toto株式会社 静電チャック

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11289355B2 (en) * 2017-06-02 2022-03-29 Lam Research Corporation Electrostatic chuck for use in semiconductor processing
CN111670491A (zh) 2018-01-31 2020-09-15 朗姆研究公司 静电卡盘(esc)基座电压隔离
US11086233B2 (en) 2018-03-20 2021-08-10 Lam Research Corporation Protective coating for electrostatic chucks
US11692267B2 (en) 2020-12-31 2023-07-04 Applied Materials, Inc. Plasma induced modification of silicon carbide surface
US20220243921A1 (en) * 2021-01-29 2022-08-04 Koninklijke Fabriek Inventum B.V. Vehicle oven having an improved heating element

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09213455A (ja) * 1996-02-05 1997-08-15 Kyocera Corp ウエハ保持装置の給電構造
JP2005197393A (ja) * 2004-01-06 2005-07-21 Ibiden Co Ltd プラズマ発生装置用電極埋設部材
JP2006179897A (ja) * 2001-09-11 2006-07-06 Sumitomo Electric Ind Ltd 被処理物保持体、半導体製造装置用サセプタおよび処理装置
JP2014075525A (ja) * 2012-10-05 2014-04-24 Ngk Spark Plug Co Ltd 積層発熱体、静電チャック、及びセラミックヒータ
JP2014222697A (ja) * 2013-05-13 2014-11-27 コバレントマテリアル株式会社 電極埋め込み石英部材及びその製造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5647945A (en) * 1993-08-25 1997-07-15 Tokyo Electron Limited Vacuum processing apparatus
US6267839B1 (en) * 1999-01-12 2001-07-31 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with improved RF power distribution
JP4436575B2 (ja) * 2001-01-31 2010-03-24 京セラ株式会社 ウエハ支持部材及びその製造方法
CN100346462C (zh) * 2002-04-15 2007-10-31 住友电气工业株式会社 用于加工设备的工件固定器和使用该固定器的加工设备
CN100413024C (zh) * 2003-08-18 2008-08-20 东京毅力科创株式会社 基板保持构件以及基板处理装置
JP2005277335A (ja) * 2004-03-26 2005-10-06 Kyocera Corp ウェハ支持部材
JP5025109B2 (ja) * 2005-08-26 2012-09-12 東京エレクトロン株式会社 基板載置機構、基板処理装置、および基板載置機構の製造方法
JP5896595B2 (ja) 2010-10-20 2016-03-30 ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation 2層rf構造のウエハ保持体
JP2013026312A (ja) 2011-07-19 2013-02-04 Sumitomo Electric Ind Ltd セラミックス電極からなる電極構造及びそれを備えたウエハ保持体
JP6497248B2 (ja) 2015-07-13 2019-04-10 住友電気工業株式会社 ウェハ保持体
US11532497B2 (en) * 2016-06-07 2022-12-20 Applied Materials, Inc. High power electrostatic chuck design with radio frequency coupling
KR102225236B1 (ko) 2017-03-06 2021-03-10 엔지케이 인슐레이터 엘티디 웨이퍼 지지대

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09213455A (ja) * 1996-02-05 1997-08-15 Kyocera Corp ウエハ保持装置の給電構造
JP2006179897A (ja) * 2001-09-11 2006-07-06 Sumitomo Electric Ind Ltd 被処理物保持体、半導体製造装置用サセプタおよび処理装置
JP2005197393A (ja) * 2004-01-06 2005-07-21 Ibiden Co Ltd プラズマ発生装置用電極埋設部材
JP2014075525A (ja) * 2012-10-05 2014-04-24 Ngk Spark Plug Co Ltd 積層発熱体、静電チャック、及びセラミックヒータ
JP2014222697A (ja) * 2013-05-13 2014-11-27 コバレントマテリアル株式会社 電極埋め込み石英部材及びその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7392887B1 (ja) 2023-03-27 2023-12-06 Toto株式会社 静電チャック

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190129881A (ko) 2019-11-20
JPWO2018179891A1 (ja) 2020-02-06
US20230340668A1 (en) 2023-10-26
US11732359B2 (en) 2023-08-22
JP2023021139A (ja) 2023-02-09
KR20230096124A (ko) 2023-06-29
JP7184034B2 (ja) 2022-12-06
US20200340102A1 (en) 2020-10-29
KR102545967B1 (ko) 2023-06-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2018179891A1 (ja) ウエハ保持体
JP5896595B2 (ja) 2層rf構造のウエハ保持体
JP6615134B2 (ja) ウエハ支持台
JP3582518B2 (ja) 抵抗発熱体回路パターンとそれを用いた基板処理装置
US20090159590A1 (en) Substrate temperature adjusting-fixing devices
JPWO2013047555A1 (ja) 静電チャック装置
CN104582019B (zh) 用于半导体制造装置的陶瓷加热器
KR102468523B1 (ko) 반도체 기판 가열용 기판 배치대 및 반도체 기판 가열 히터
JP7099495B2 (ja) シャワーヘッド
US10615060B2 (en) Heating device
US10626501B2 (en) Heating device
JP6664660B2 (ja) マルチゾーンに区分された加熱ヒータ
JPWO2019008889A1 (ja) 半導体基板加熱用の基板載置台
JP6973995B2 (ja) セラミックスヒータ
US20210242046A1 (en) Ceramic heater
CN111446197B (zh) 静电吸盘和包括其的静电吸盘装置
JPWO2018230232A1 (ja) ウエハ加熱ヒータ及び半導体製造装置
JP2019040939A (ja) ウエハ載置台
JP6789081B2 (ja) 保持装置
JP7383575B2 (ja) 保持装置
JP6903512B2 (ja) 接合体
TW202414678A (zh) 靜電吸盤
TW202403822A (zh) 晶圓載置台
KR20150092846A (ko) 캡형 정전척 및 그 제조방법
JP2021093428A (ja) 試料保持具

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 18777639

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2019508697

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20197027802

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 18777639

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1