KR102560167B1 - 디본딩 서포트 장치 및 이를 이용한 디본딩 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 디본딩 서포트 장치 및 이를 이용한 디본딩 방법에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 일면에 소자층이 돌출되는 형태로 형성되어 있는 초박판 유리와 이의 타면에 본딩되어 있는 캐리어 유리를 디본딩하는 공정을 안정적으로 서포트할 수 있음은 물론, 각기 다른 소자층의 형성 두께를 갖는 초박판 유리들에 대한 디본딩 공정에도 공용할 수 있는 디본딩 서포트 장치 및 이를 이용한 디본딩 방법에 관한 것이다.
이를 위해, 본 발명은, 본딩되어 하나의 유리 접합체를 이루는 캐리어 유리와 초박판 유리를 디본딩하는 공정을 서포트하는 디본딩 서포트 장치에 있어서, 안착되는 상기 유리 접합체를 흡착 고정하는 복수 개의 석션홀을 포함하고, 상기 초박판 유리의 일면에 돌출되는 형태로 형성되어 있는 적어도 하나의 소자층을 수용하는 적어도 하나의 홈부를 포함하는 석션 플레이트; 상기 복수 개의 석션홀 각각에 장착되고, 상기 초박판 유리 및 상기 소자층의 접촉 압력에 따라 신축되는 석션컵; 상기 복수 개의 석션홀에 연결되어 상기 복수 개의 석션홀에 진공압을 인가하는 진공 펌프; 및 상기 진공 펌프를 제어하여 상기 복수 개의 석션홀에 인가되는 진공압을 조절하는 컨트롤러를 포함하는 디본딩 서포트 장치를 제공한다.

Description

디본딩 서포트 장치 및 이를 이용한 디본딩 방법{APPARATUS OF SUPPORTING DEBONDING AND METHOD FOR DEBONDING USING THE SAME}
본 발명은 디본딩 서포트 장치 및 이를 이용한 디본딩 방법에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 일면에 소자층이 돌출되는 형태로 형성되어 있는 초박판 유리와 이의 타면에 본딩되어 있는 캐리어 유리를 디본딩하는 공정을 안정적으로 서포트할 수 있음은 물론, 각기 다른 소자층의 형성 두께를 갖는 초박판 유리들에 대한 디본딩 공정에도 공용할 수 있는 디본딩 서포트 장치 및 이를 이용한 디본딩 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 초박판 유리는 핸들링이 어려워 그 유용성에도 불구하고 활용도가 떨어지는 단점을 가지고 있다. 20~500㎛ 두께의 초박판 유리는 작은 충격에도 흠집이 쉽게 발생되며 그 흠집은 대부분 초박판 유리의 파손을 초래하는 원인으로 작용하게 된다. 이 때문에, 초박판 유리에 비해 상대적으로 경직도가 높은 예컨대, 0.5㎜ 이상의 두께를 가지는 박판 유리를 지지체로 하여 초박판 유리를 이에 본딩하고, 이를 하나의 단위체(시트)로 핸들링하는 경우가 많다. 예컨대, 플렉서블 OLED 또는 LED 사이니지(signage) 등의 제조에서는 이러한 단위체에 소자층을 증착하여 형성한 다음, 최종적으로 초박판 유리를 박판 유리로부터 분리하는 디본딩 공정을 진행하게 된다.
여기서, 플렉서블 OLED의 경우, 초박판 유리로부터 인캡슐레이션 필름이 일정 두께 이상 초박판 유리의 표면으로부터 돌출된다. LED 사이지니 역시 초박판 유리 상에 LED 칩을 실장하게 되면 LED 칩이 일정 두께 이상 초박판 유리의 표면으로부터 돌출된다.
통상적으로, 초박판 유리와 박판 유리의 본딩으로 이루어진 단위체에 상기와 같은 소자층을 형성한 다음, 디본딩하는 과정에서는 진공도를 이용하여 디본딩하기 위해, 흡착판, 석션 플레이트, 석션컵 등과 같은 진공기구를 이용하게 된다.
하지만, 전술했듯이, 초박판 유리 상에 형성된 소자층으로 인한 돌출부로 인해, 초박판 유리와 상기 진공기구들의 밀착도가 저하되는 문제점이 있다. 예를 들어, 종래의 디본딩 공정은 평판 형태의 석션 플레이트의 표면에 초박판 유리의 일면, 보다 상세하게는 복수 개의 소자층이 형성되어 있는 초박판 유리의 일면을 흡착 고정시킨 상태에서 초박판 유리의 타면에 본딩되어 있는 박판 유리를 분리시키는 방식으로 진행된다.
하지만, 초박판 유리의 일면에 형성된 복수 개의 소자층의 돌출로 인해, 소자층과 석션 플레이트는 밀착되는 반면, 이웃하는 소자층들 사이의 초박판 유리의 일면 및 테두리 영역은 석션 플레이트와 밀착되지 않는다. 이에 따라, 초박판 유리와 석션 플레이트 간의 밀착도는 전체적으로 저하된다. 이 상태에서, 석션 플레이트에 진공압을 인가하여 초박판 유리를 흡착하게 되면, 석션 플레이트와 밀착되지 않은 초박판 유리의 테두리 영역이 석션 플레이트 측으로 끌어당겨지게 되고, 그 결과, 초박판 유리가 구부러지거나 휘게 된다. 이렇게 되면, 디본딩 공정을 진행하는 것이 어려워진다. 또한, 초박판 유리의 구부러짐이나 휨이 심화되면, 결국에는 초박판 유리가 파손되어, 공정 수율에 악영향을 끼치게 된다.
대한민국 공개특허공보 제10-2016-0031637호(2016.03.23.)
본 발명은 상술한 바와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 일면에 소자층이 돌출되는 형태로 형성되어 있는 초박판 유리와 이의 타면에 본딩되어 있는 캐리어 유리를 디본딩하는 공정을 안정적으로 서포트할 수 있음은 물론, 각기 다른 소자층의 형성 두께를 갖는 초박판 유리들에 대한 디본딩 공정에도 공용할 수 있는 디본딩 서포트 장치 및 이를 이용한 디본딩 방법을 제공하는 것이다.
이를 위해, 본 발명은, 본딩되어 하나의 유리 접합체를 이루는 캐리어 유리와 초박판 유리를 디본딩하는 공정을 서포트하는 디본딩 서포트 장치에 있어서, 안착되는 상기 유리 접합체를 흡착 고정하는 복수 개의 석션홀을 포함하고, 상기 초박판 유리의 일면에 돌출되는 형태로 형성되어 있는 적어도 하나의 소자층을 수용하는 적어도 하나의 홈부를 포함하는 석션 플레이트; 상기 복수 개의 석션홀 각각에 장착되고, 상기 초박판 유리 및 상기 소자층의 접촉 압력에 따라 신축되는 석션컵; 상기 복수 개의 석션홀에 연결되어 상기 복수 개의 석션홀에 진공압을 인가하는 진공 펌프; 및 상기 진공 펌프를 제어하여 상기 복수 개의 석션홀에 인가되는 진공압을 조절하는 컨트롤러를 포함하는 디본딩 서포트 장치를 제공한다.
여기서, 상기 홈부는 상기 소자층의 두께보다 깊게 형성될 수 있다.
상기 석션 플레이트는 상기 유리 접합체가 안착되는 면을 기준으로, 상기 홈부 및 상기 홈부를 둘러싸는 테두리부로 구획될 수 있다.
상기 석션 플레이트는 상기 유리 접합체가 안착되는 면을 기준으로, 복수 개의 상기 홈부, 복수 개의 상기 홈부 전체를 둘러싸는 테두리부 및 이웃하는 상기 홈부 사이의 격벽부로 구획될 수 있다.
또한, 상기 석션 플레이트는, 상기 홈부에 형성되어 있는 복수 개의 상기 석션홀을 하나로 연결시키고 상기 진공 펌프와 연결되는 제1 유로, 상기 테두리부에 형성되어 있는 복수 개의 상기 석션홀을 하나로 연결시키고 상기 진공 펌프와 연결되는 제2 유로, 및 상기 격벽부에 형성되어 있는 복수 개의 상기 석션홀을 하나로 연결시키고 상기 진공 펌프와 연결되는 제3 유로를 더 포함할 수 있다.
상기 석션 플레이트는 상기 제1 유로, 상기 제2 유로 및 상기 제3 유로에 각각 설치되어 있는 제어밸브를 더 포함할 수 있다.
이때, 상기 제1 유로는 복수 개의 상기 홈부 각각에 형성되고, 각각의 상기 홈부에 형성되는 상기 제1 유로는 개별 제어될 수 있다.
상기 석션컵은, 상기 석션홀의 내주면에 체결되고 길이방향을 따라 제1 홀이 형성되어 있는 고정부, 및 상기 고정부의 상단에 결합되어 상기 석션 플레이트의 상면 측으로 돌출되고 길이방향을 따라 상기 제1 홀과 연통되는 제2 홀이 형성되어 있으며 상기 초박판 유리 및 상기 소자층의 접촉 압력에 따라 신축 동작을 하는 동작부를 포함할 수 있다.
상기 고정부의 외주면은 상기 석션홀의 내주면과 나사 결합할 수 있다.
이때, 상기 동작부는 자바라 형태의 벨로우즈로 형성될 수 있다.
상기 유리 접합체는, 두께가 상대적으로 두껍고 면적이 상대적으로 큰 상기 캐리어 유리가 상기 초박판 유리를 둘러싸는 형태로 본딩되어 이루어질 수 있다.
상기 초박판 유리는 20~500㎛ 두께를 갖는 유리일 수 있다.
상기 유리 접합체가 상기 석션 플레이트의 상면에 안착된 후, 상기 캐리어 유리 상에 배치되는 적어도 하나의 석션캡을 더 포함할 수 있다.
상기 석션캡은 상기 컨트롤러에 의해 제어되는 상기 진공 펌프와 연결되어 상기 진공 펌프로부터 인가되는 진공압을 통해 상기 캐리어 유리를 흡착할 수 있다.
상기 석션캡은 상, 하 동작 가능하게 형성되고, 상기 컨트롤러에 의한 제어를 통해, 흡착되어 있는 상기 캐리어 유리를 상측 방향으로 들어올려 상기 초박판 유리로부터 분리시킬 수 있다.
이때, 상기 석션캡은 복수 개로 구비되고, 상기 컨트롤러는 디본딩 진행 방향을 따라 복수 개의 상기 석션캡에 순차적으로 진공압이 인가되도록 상기 진공 펌프를 제어할 수 있다.
석션 플레이트는 수평방향으로 이동 가능하게 형성될 수 있다.
상기 석션 플레이트는 상면에 상기 유리 접합체가 안착되면, 상기 적어도 하나의 석션캡 하측으로 이동하고, 디본딩이 완료되면, 최초 위치로 복귀할 수 있다.
또한, 상기 석션 플레이트의 둘레를 따라 배치되되, 디본딩될 상기 유리 접합체가 놓이는 제1 트레이; 디본딩된 상기 초박판 유리가 쌓이는 제2 트레이; 디본딩된 상기 캐리어 유리가 쌓이는 제3 트레이; 및 상기 제1 트레이 내지 상기 제3 트레이로 공급되는 복수 개의 간지가 적재되어 있는 제4 트레이를 더 포함할 수 있다.
그리고 상기 석션 플레이트, 상기 제1 트레이 내지 상기 제4 트레이를 오가며 상기 유리 접합체, 디본딩된 상기 초박판 유리, 디본딩된 상기 캐리어 유리 및 상기 간지를 이송하는 갠트리 유닛을 더 포함할 수 있다.
한편, 본 발명은, 본딩되어 하나의 유리 접합체를 이루는 캐리어 유리와 초박판 유리를 디본딩하는 방법에 있어서, 본 발명의 실시 예에 따른 디본딩 서포트 장치의 석션 플레이트 상면에 상기 유리 접합체를 정위치시키는 정렬단계; 상기 석션 플레이트 상면에 정렬된 상기 유리 접합체를 흡착 고정하기 위해, 상기 석션 플레이트에 진공압을 인가하는 가압단계; 및 상기 초박판 유리가 상기 석션 플레이트에 흡착된 상태에서 상기 초박판 유리로부터 상기 캐리어 유리를 디본딩하는 디본딩 단계를 포함하는 디본딩 방법을 제공한다.
여기서, 상기 정렬단계에서는 상기 캐리어 유리와 상기 석션 플레이트가 접촉되지 않도록 상기 유리 접합체를 정위치시킬 수 있다.
상기 디본딩 단계에서는 상기 캐리어 유리 측에서 상기 캐리어 유리를 흡착하고, 상기 캐리어 유리를 일 방향에서 타 방향으로 순차적으로 들어올리는 방식으로 디본딩할 수 있다.
이때, 상기 디본딩 단계에서는 디본딩 방향을 따라 순차적으로 디본딩 진행 부분의 상기 캐리어 유리를 흡착할 수 있다.
본 발명에 따르면, 초박판 유리의 일면에 돌출되는 형태로 형성되어 있는 소자층을 수용하는 홈부가 형성되어 있는 석션 플레이트를 구비함으로써, 초박판 유리와 이의 타면에 본딩되어 있는 캐리어 유리를 디본딩하는 공정을 안정적으로 서포트할 수 있다.
즉, 본 발명에 따르면, 디본딩 공정 시, 초박판 유리의 일면을 기준으로, 소자층이 형성되어 있는 초박판 유리의 일 영역과 소자층이 형성되어 있지 않은 초박판 유리의 타 영역 간의 석션 플레이트에 대한 밀착도 차이를 최소화할 수 있고, 이를 통해, 초박판 유리의 구부러짐 또는 이로 인한 파손 발생확률을 줄일 수 있으며, 그 결과, 공정 수율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 초박판 유리와 마주하는 석션 플레이트의 상면을 기준으로, 홈부 및 홈부를 구획하는 테두리부 모두에 복수 개의 석션홀이 형성됨으로써, 디본딩 공정을 안정적으로 서포트할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 길이방향으로 신축되는 석션컵을 석션 플레이트의 홈부에 형성되어 있는 석션홀에 구비함으로써, 각기 다른 소자층의 형성 두께를 갖는 초박판 유리들에 대한 디본딩 공정에도 공용할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 길이방향으로 신축되는 석션컵을 홈부 뿐만 아니라 테두리부 혹은 테두리부와 격벽부에 형성되어 있는 석션홀에도 구비함으로써, 금속재질로 이루어지는 석션 플레이트와 초박판 유리 간의 접촉에 의한 초박판 유리의 손상을 미연에 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 디본딩 서포트 장치를 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1의 단면도이다.
도 3은 도 2의 "A" 부분을 확대하여 나타낸 확대도이다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 디본딩 서포트 장치에 유리 접합체가 흡착 지지되는 형태를 나타낸 모식도이다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 디본딩 서포트 장치에 소자층의 형성 두께가 다른 유리 접합체가 흡착 지지되는 형태를 비교하여 나타낸 모식도들이다.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 디본딩 서포트 장치에서, 석션컵의 결합 구조를 나타낸 모식도이다.
도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 디본딩 서포트 장치에서, 석션컵이 석션홀에 장착된 모습을 개략적으로 나타낸 모식도이다.
도 8 내지 도 10은 본 발명의 실시 예에 따른 디본딩 서포트 장치에서, 다양한 구조의 홈부를 나타낸 평면도들이다.
도 11은 본 발명의 실시 예에 따른 디본딩 서포트 장치의 석션 캡의 적용 모습을 나타낸 모식도이다.
도 12는 본 발명의 실시 예에 따른 디본딩 서포트 장치를 이용하여 유리 접합체를 디본딩하는 모습을 나타낸 모식도이다.
도 13은 본 발명의 실시 예에 따른 디본딩 서포트 장치를 개략적으로 나타낸 구성도이다.
이하에서는 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 디본딩 서포트 장치 및 이를 이용한 디본딩 방법에 대해 상세히 설명한다.
아울러, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단된 경우 그 상세한 설명은 생략한다.
도 1 내지 도 4에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 디본딩 서포트 장치는 플렉서블 OLED 또는 LED 사이니지 등을 이루는 소자층(13)을 표면에 형성하는 공정의 원활한 핸들링을 위해, 지지체인 캐리어 유리(11)에 본딩되어 하나의 유리 접합체(10)를 이루는 초박판 유리(12)를 소자층(13) 형성 공정 완료 후 캐리어 유리(11)로부터 디본딩하는 공정을 서포트하는 장치이다.
이를 위해, 본 발명의 실시 예에 따른 디본딩 서포트 장치는 석션 플레이트(110), 석션컵(120), 진공 펌프(130) 및 컨트롤러(140)를 포함하여 형성된다.
석션 플레이트(110)는 상면에 안착되는 유리 접합체(10)를 흡착 고정하는 테이블이다. 여기서, 유리 접합체(10)는 초박판 유리(12)를 운반하거나 초박판 유리(12) 위에 소자층(13)을 형성하는 경우 핸들링이 어렵기 때문에, 초박판 유리(12)를 지지하기 위해 만들어지는 것으로, 캐리어 유리(11)에 초박판 유리(12)를 본딩하여 만들어진다. 즉, 유리 접합체(10)는, 초박판 유리(12)가 캐리어 유리(11)에 의해 지지되는 상태에서 소자층(13) 형성 공정을 안정적으로 수행하기 위해 만들어진다.
이러한 유리 접합체(10)는 두께 및 면적이 서로 다른 캐리어 유리(11)와 초박판 유리(12)의 본딩으로 이루어진다. 하나의 유리 접합체(10)는, 면적이 상대적으로 크고 두께가 두꺼운 캐리어 유리(11)가 초박판 유리(12)를 둘러싸는 형태, 즉, 초박판 유리(12)의 4변 외곽으로 캐리어 유리(11)가 노출되는 형태로 본딩되어 이루어진다. 이 상태에서, 초박판 유리(12) 상에 예컨대, 전극층을 이루는 ITO가 코팅 및 패터닝되고, 그 위에 절연층이 코팅 및 패터닝되며, 패터닝된 각각의 절연층 위에 유기발광층이 증착된 후 인캡슐레이션 필름에 의해 인캡슐레이션되어 복수 개의 소자층(13)을 형성하게 된다. 이때, 복수 개의 소자층(13)은 초박판 유리(12)의 표면으로부터 일정 두께 이상 돌출되는 형태를 갖게 된다.
복수 개의 소자층(13) 형성이 완료되면, 패널 커팅과 같은 후속 공정 진행을 위해, 복수 개의 소자층(13)이 형성된 초박판 유리(12)는 캐리어 유리(11)로부터 디본딩되어야 한다.
본 발명의 실시 예에서, 초박판 유리(12)는 20㎛ 내지 500㎛ 두께를 갖는 유리를 말한다. 또한, 전술했듯이, 캐리어 유리(11)로는 초박막 유리(12)보다 면적이 크고 두께가 두꺼운 유리가 사용된다.
한편, 디본딩 공정을 위해, 유리 접합체(10)는 석션 플레이트(110)에 안착된 후 흡착 고정된다. 이를 위해, 석션 플레이트(110)는 유리 접합체(10)와 접촉되어 유리 접합체(10)를 흡착 고정하는 복수 개의 석션홀(111a, 111b, 111c)를 포함한다.
본 발명의 실시 예에서, 석션 플레이트(110)의 상면은 홈부(112) 및 이러한 홈부(112)를 둘러싸는 테두리부(113)로 구획된다. 본 발명의 실시 예에서, 홈부(112)에는 복수 개의 석션홀(111a)이 형성되어 있다. 또한, 테두리부(113)에도 복수 개의 석션홀(111b)이 형성되어 있다. 이때, 도 1 및 도 8에 도시한 바와 같이, 홈부(112)에 형성되어 있는 복수 개의 석션홀(111a)은 테두리부(113)에 형성되어 있는 복수 개의 석션홀(111b)보다 형성 밀도가 낮을 수 있다. 이를 통해, 홈부(112)에서는 테두리부(113)에 비해 상대적으로 약한 흡착력이 발생되어, 홈부(112)에 수용되는 소자층(13)에 결함이 발생되는 것을 방지할 수 있다. 하지만, 도 9 및 도 10에 도시한 바와 같이, 홈부(112)에 형성되어 있는 복수 개의 석션홀(111a)과 테두리부(113)에 형성되어 있는 복수 개의 석션홀(111b)은 형성 밀도가 동일할 수 있다.
이와 같이, 홈부(112)나 테두리부(113) 각각에 형성되는 복수 개의 석션홀(111a, 111b)의 형성 밀도는 디본딩 공정 조건이나 환경에 맞게 가변될 수 있으므로, 본 발명의 실시 예에서, 홈부(112)나 테두리부(113) 각각에 형성되는 복수 개의 석션홀(111a, 111b)의 형성 밀도를 특별히 한정하는 것은 아니다.
한편, 석션 플레이트(110)의 상면에는 이웃하는 홈부(112) 사이에 형성되어, 테두리부(113)와 함께 홈부(112)를 구획하는 격벽부(114)가 형성될 수 있다. 하지만, 도 9에 도시한 바와 같이, 초박판 유리(12)의 일면에 하나의 소자층(13)이 형성되어 있는 경우, 격벽부(114)는 생략될 수 있다.
또한, 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 격벽부(114)에도 복수 개의 석션홀(111c)이 형성될 수 있다. 하지만, 도 10에 도시한 바와 같이, 초박판 유리(12)의 일면에 형성되어 있는 복수 개의 소자층(13) 간의 간격이 좁고, 이에 따라, 격벽부(114)의 폭이 좁게 형성될 경우, 석션홀(111c)은 생략될 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 실시 예에서는 석션 플레이트(110)의 홈부(112) 및 이러한 홈부(112)를 구획하는 테두리부(113), 그리고 추가적으로 격벽부(114) 모두에 복수 개의 석션홀(111a, 111b, 111c)이 형성됨에 따라, 디본딩 공정을 안정적으로 서포트할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 디본딩 공정 시, 소자층(13)이 돌출되는 형태로 형성되어 있는 초박판 유리(12)의 일면이 석션 플레이트(110)의 상면과 마주하는 방향으로, 석션 플레이트(110)의 상면에 유리 접합체(10)가 안착된다. 즉, 석션 플레이트(110)의 복수 개의 석션홀(111a, 111b, 111c)은 소자층(13)을 포함하는 초박판 유리(12)의 일면을 흡착 고정하게 된다. 이때, 홈부(112)는 소자층(13)을 수용하는 석션 플레이트(110)의 일 영역으로, 초박판 유리(12)의 일면에 형성되어 있는 소자층(13)의 형성 개수에 대응되는 개수로 석션 플레이트(110)의 상면에 형성된다.
본 발명의 실시 예에서, 소자층(13)을 수용하는 홈부(112)는 소자층(13)의 두께보다 깊게 형성된다. 이와 같이, 석션 플레이트(110)의 상면에 초박판 유리(12)의 일면에 돌출되는 형태로 형성되어 있는 소자층(13)을 수용하는 홈부(112)가 형성되면, 초박판 유리(12)와 이의 타면에 본딩되어 있는 캐리어 유리(11)를 디본딩하는 공정을 안정적으로 서포트할 수 있게 된다.
즉, 디본딩 공정 시, 초박판 유리(12)의 일면을 기준으로, 소자층(13)이 형성되어 있는 초박판 유리(12)의 일 영역과 소자층(13)이 형성되어 있지 않은 초박판 유리(12)의 타 영역 간의 석션 플레이트(110) 상면에 대한 밀착도 차이를 최소화할 수 있고, 이를 통해, 진공압을 이용하는 디본딩 공정 중 초박판 유리(12)의 구부러짐 또는 이로 인한 파손 발생확률을 줄일 수 있고, 이를 통해, 공정 수율을 향상시킬 수 있게 된다.
한편, 본 발명의 실시 예에 따른 석션 플레이트(110)는 제1 유로(115), 제2 유로(116) 및 제3 유로(117)를 더 포함할 수 있다.
제1 유로(115)는 홈부(112)에 형성되어 있는 복수 개의 석션홀(111a)과 진공 펌프(130) 사이에 설치되어 이들을 연결한다. 이때, 제1 유로(115)는 홈부(112)에 형성되어 있는 복수 개의 석션홀(111a)을 하나로 연결시킨다. 이에 따라, 진공 펌프(130)로부터 인가되는 진공압은 제1 유로(115)를 통해 복수 개의 석션홀(111a) 각각에 분배되어 흡착력을 발생시킨다. 이때, 본 발명의 실시 예에서는 홈부(112)가 복수 개 형성되는데, 제1 유로(115)는 복수 개의 홈부(112) 각각에 형성될 수 있다. 이 경우, 복수 개의 홈부(112) 각각에 형성되는 제1 유로(115)는 개별 제어될 수 있다.
제2 유로(116)는 테두리부(113)에 형성되어 있는 복수 개의 석션홀(111b)과 진공 펌프(130) 사이에 설치되어 이들을 연결한다. 이때, 제2 유로(116)는 테두리부(113)에 형성되어 있는 복수 개의 석션홀(111b)을 하나로 연결시킨다. 이에 따라, 진공 펌프(130)로부터 인가되는 진공압은 제2 유로(116)를 통해 복수 개의 석션홀(111b) 각각에 분배되어 흡착력을 발생시킨다.
제3 유로(117)는 격벽부(114)에 형성되어 있는 복수 개의 석션홀(111c)과 진공 펌프(130) 사이에 설치되어 이들을 연결한다. 이때, 제3 유로(117)는 격벽부(114)에 형성되어 있는 복수 개의 석션홀(111c)을 하나로 연결시킨다. 이에 따라, 진공 펌프(130)로부터 인가되는 진공압은 제3 유로(117)를 통해 복수 개의 석션홀(111c)에 각각에 분배되어 흡착력을 발생시킨다.
본 발명의 실시 예에서는 제1 유로(115), 제2 유로(116) 및 제3 유로(117) 각각에 제어밸브(118)가 설치될 수 있다. 이를 통해, 진공 펌프(130)로부터 제1 유로(115), 제2 유로(116) 및 제3 유로(117)에 진공압이 인가되더라도, 홈부(112)에 형성되어 있는 복수 개의 석션홀(111a)에 흡착력이 발생되는 것을 방지하거나, 테두리부(113)에 형성되어 있는 복수 개의 석션홀(111b)에 흡착력이 발생되는 것을 방지하거나, 격벽부(114)에 형성되어 있는 복수 개의 석션홀(111c)에 흡착력이 발생되는 것을 방지할 수 있게 된다. 즉, 본 발명에 따르면, 제1 유로(115), 제2 유로(116) 및 제3 유로(117) 각각에 설치되어 있는 제어밸브(118)를 제어함으로써, 디본딩 공정 조건이나 환경에 따라 석션 플레이트(110) 상면의 영역별 흡착력을 조절할 수 있다.
석션컵(120)은 복수 개의 석션홀(111a, 111b, 111c) 각각에 장착된다. 이러한 석션컵(120)은 초박판 유리(12) 및 소자층(13)의 접촉 압력에 따라 길이방향으로 신축된다. 즉, 홈부(112)에 형성되어 있는 복수 개의 석션홀(111a) 각각에 장착되는 석션컵(120)은 소자층(13)과 접촉되고, 이의 접촉 압력에 따라 신축된다. 또한, 테두리부(113) 및 격벽부(113)에 형성되어 있는 복수 개의 석션홀(111b, 111c) 각각에 장착되는 석션컵(120)은 초박판 유리(12)와 직접 접촉되고, 이의 접촉 압력에 따라 신축된다.
도 5에 도시한 바와 같이, 홈부(112)에 형성되어 있는 석션홀(111a)에 길이방향으로 신축되는 석션컵(120)이 장착되어 있으면, 각기 다른 소자층(13)의 형성 두께를 갖는 초박판 유리(12)들에 대한 디본딩 공정에도 공용할 수 있다.
아울러, 테두리부(113) 및 격벽부(113)에 형성되어 있는 복수 개의 석션홀(111b, 111c) 각각에 장착되는 석션컵(120)은 금속재질의 석션 플레이트(110)의 상면과 초박판 유리(12)의 일면이 직접 접촉되어 초박판 유리(12)에 국부적인 손상이 발생되는 것을 방지하는 역할을 한다.
도 6 및 도 7에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 석션컵(120)은 고정부(121) 및 동작부(122)를 포함하여 형성될 수 있다.
고정부(121)는 석션홀(111a, 111b, 111c)의 내주면에 체결된다. 이때, 고정부(121)의 외주면은 석션홀(111a, 111b, 111c)의 내주면과 나사 결합할 수 있다. 이러한 고정부(121)에는 길이방향을 따라 제1 홀(미도시)이 형성되어 있다. 본 발명의 실시 예에서, 고정부(121)는 금속재질로 이루어질 수 있다.
동작부(122)는 자바라 형태의 벨로우즈로 형성될 수 있다. 이러한 동작부(122)는 공정부(121)의 상단에 끼움 결합될 수 있다. 이를 통해, 동작부(122)는 석션 플레이트(110)의 상면 측으로 돌출된다. 또한, 동작부(122)에는 길이방향을 따라 고정부(121)에 형성되어 있는 제1 홀(미도시)과 연통되는 제2 홀(미도시)이 형성되어 있다.
본 발명의 실시 예에서, 초박판 유리(12) 및 소자층(13)과 실질적으로 접촉 혹은 밀착되는 부분은 동작부(122)이다. 본 발명의 실시 예에서는 이러한 동작부(122)가 이와 접촉되는 초박판 유리(12)나 소자층(13)의 접촉 압력에 따라 신축 동작을 한다. 이와 같은 동작부(122)가 신축 동작을 함에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 디본딩 서포트 장치는 각기 다른 소자층(13)의 형성 두께를 갖는 초박판 유리(12)들에 대한 디본딩 공정에도 공용할 수 있다.
진공 펌프(130)는 석션 플레이트(110), 보다 상세하게는 석션 플레이트(110)의 상면에 구획되어 있는 홈부(112), 테두리부(113) 및 격벽부(114) 각각에 형성되어 있는 복수 개의 석션홀(111a, 111b, 111c)에 제1 유로(115), 제2 유로(116) 및 제3 유로(117)를 매개로 연결되어 이들 각각에 진공압을 인가한다. 이때, 보다 상세하게는 복수 개의 석션홀(111a, 111b, 111c) 각각에는 석션컵(120)이 장착되어 있으므로, 진공 펌프(130)는 실질적으로, 복수 개의 석션홀(111a, 111b, 111c) 각각에 장착되어 있는 석션컵(120)에 진공압을 인가하게 된다.
이와 같이, 진공 펌프(130)로부터 인가되는 진공압에 의해 해당 영역의 복수 개의 석션컵(120)에는 흡착력이 발생된다. 그 결과, 디본딩 공정을 위해 복수 개의 석션컵(120)에 접촉되어 있는 초박판 유리(12)나 소자층(13)은 석션컵(120)에 의해 흡착 고정된다. 이에 따라, 석션 플레이트(110)의 상면에 안착된 유리 접합체(10)는 디본딩 가능한 상태가 된다.
컨트롤러(140)는 진공 펌프(130)를 제어하여 복수 개의 석션홀(111a, 111b, 111c)에 인가되는 진공압을 조절한다. 이때, 본 발명의 실시 예에서, 컨트롤러(140)는 복수 개의 석션홀(111a, 111b, 111c)에 균일한 진공압이 인가되도록 진공 펌프(130)를 제어할 수 있다.
본 발명의 실시 예에서는 홈부(112)에 형성되어 있는 복수 개의 석션홀(111a)과 테두리부(113)에 형성되어 있는 복수 개의 석션홀(111b)에 균일한 진공압이 인가되더라도 홈부(112)에 형성되어 있는 복수 개의 석션홀(111a)과 테두리부(113)에 형성되어 있는 복수 개의 석션홀(111b)의 형성 밀도가 다르기 때문에, 홈부(112)와 테두리부(113)에는 서로 다른 세기의 흡착력이 발생된다. 즉, 소자층(13)이 수용되는 홈부(112)에서는 균일한 진공압이 가해지더라도 상대적으로 약한 흡착력이 발생되고, 소자층(13)이 형성되어 있지 않은 초박판 유리(12)의 일면과 접촉되는 테두리부(113)에서는 균일한 진공압이 가해지더라도 상대적으로 강한 흡착력이 발생된다. 본 발명의 실시 예에서, 영역 별 석션홀의 형성 밀도를 다르게 하여, 영역 별로 서로 다른 세기의 흡착력을 발생시킨다. 하지만 이는 일례일 뿐, 디본딩 공정 조건이나 환경에 따라 영역 별 석션홀의 형성 밀도는 동일 또는 다르게 조절될 수 있다. 마찬가지로, 석션홀의 크기 또한 디본딩 공정의 조건이나 환경에 따라 적절하게 조절될 수 있다.
한편, 도 11 및 도 12에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 디본딩 서포트 장치는 적어도 하나의 석션캡(150)을 더 포함하여 형성될 수 있다. 이러한 석션캡(150)은, 유리 접합체(10)가 석션 플레이트(110)의 상면에 안착될 때, 캐리어 유리(11) 상에 배치된다. 석션캡(150)은 컨트롤러(140)에 의해 제어되는 진공 펌프(130)와 연결되어 진공 펌프(130)로부터 인가되는 진공압을 통해 캐리어 유리(11)를 상측에서 흡착한다.
본 발명의 실시 예에서, 석션캡(150)은 상, 하 동작 가능하게 형성된다. 이때, 석션캡(150)의 상, 하 동작은 컨트롤러(140)에 의해 제어될 수 있다. 즉, 석션캡(150)은 컨트롤러(140)에 의한 제어를 통해, 흡착되어 있는 캐리어 유리(11)를 상측 방향으로 들어올려, 석션 플레이트(110)에 흡착 고정되어 있는 초박판 유리(12)로부터 캐리어 유리(11)를 완전히 분리시킨다. 이때, 컨트롤러(140)는 디본딩 진행 방향을 따라 복수 개의 석션캡(150)에 순차적으로 진공압이 인가되도록 진공 펌프(130)를 제어할 수 있다.
이때, 본 발명의 실시 예에서, 석션 플레이트(110)는 수평방향으로 이동 가능하게 형성될 수 있다. 이에 따라, 석션 플레이트(110)는 상면에 유리 접합체(10)가 안착되면, 복수 개의 석션캡(150) 하측으로 이동한다. 그리고 석션 플레이트(110)는 디본딩 공정이 완료되면, 최초 위치로 복귀한다.
한편, 도 13에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 디본딩 서포트 장치는 석션 플레이트(110)의 둘레를 따라 배치되는 제1 트레이(161), 제2 트레이(162), 제3 트레이(163) 및 제4 트레이(164)를 더 포함할 수 있다. 제1 트레이(161)에는 디본딩 공정 전, 디본딩될 유리 접합체(10)가 놓이는 트레이이다. 제2 트레이(162)는 디본딩된, 즉, 캐리어 유리(11)와 분리된 초박판 유리(12)가 차례로 쌓이는 트레이이다. 또한, 제3 트레이(163)는 디본딩된 캐리어 유리(11)가 차례로 쌓이는 트레이이다. 그리고 제4 트레이(164)는 제1 트레이(161), 제2 트레이(162) 및 제3 트레이(163)로 공급되는 복수 개의 간지가 적재되어 있는 트레이이다.
이와 같이, 본 발명의 실시 예에서는 유리 접합체(10)가 제1 트레이(161)에서 석션 플레이트(110)로 옮겨지고, 디본딩된 초박판 유리(12)가 석션 플레이트(110)에서 제2 트레이(162)로, 디본딩된 캐리어 유리(11)가 석션 플레이트(110)에서 제3 트레이(163)로 옮겨진다. 그리고 간지는 제1 트레이(161), 제2 트레이(162) 및 제3 트레이(163)로 옮겨진다.
도 13에 도시한 바와 같이, 유리 접합체(10), 디본딩된 초박판 유리(12) 및 캐리어 유리(11), 그리고 간지의 이러한 이동을 위해, 본 발명의 실시 예에 따른 디본딩 서포트 장치는 갠트리(gantry) 유닛(170)을 더 포함할 수 있다.
갠트리 유닛(170)은 석션 플레이트(110), 제1 트레이 내지 제4 트레이(161 내지 164)를 오가며 유리 접합체(10), 디본딩된 초박판 유리(12) 및 캐리어 유리(11), 그리고 간지를 이송한다. 이때, 갠트리 유닛(170)의 이송 순서 및 방식에 대해서는 하기에서 보다 상세히 설명하기로 한다.
이하, 본 발명의 실시 예에 따른 디본딩 서포트 장치를 이용하여 유리 접합체를 디본딩하는 과정을 도 11 내지 도 13을 참조하여 설명하기로 한다. 설명과정에서 도 11 내지 도 13에 도시되지 않은 구성들은 나머지 도면을 참조한다.
본 발명의 실시 예에 따른 유리 접합체 디본딩 방법은 정렬단계, 가압단계 및 디본딩 단계를 포함한다.
먼저, 도 11 및 도 13에 도시한 바와 같이, 정렬단계에서는 석션 플레이트(110) 상면에 유리 접합체(10)를 정위치시킨다. 구체적으로, 정렬단계에서는 갠트리 유닛(170)이 제1 트레이(161)에 놓여있는 유리 접합체(10)를 들어올린 후 비전 얼라인먼트(vision alignment)를 마치고 석션 플레이트(110)의 상면에 유리 접합체(10)를 정위치시킨다. 이때, 정렬단계에서는 초박판 유리(12)가 아래(도면기준)로 향하도록 석션 플레이트(110) 상면에 유리 접합체(10)를 안착시킨다. 이때, 정렬단계에서는 캐리어 유리(11)의 하면과 석션 플레이트(110)의 상면이 접촉되지 않도록 유리 접합체(10)를 정위치시킨다.
유리 접합체(10)를 석션 플레이트(110)의 상면에 안착시키는 과정에서, 초박판 유리(12)의 일면에 돌출되는 형태로 형성되어 있는 소자층(13)은 석션 플레이트(110)의 홈부(112)에 수용된다. 이때, 홈부(112)에 형성되어 있는 복수 개의 석션홀(111a) 각각에 장착되어 있는 석션컵(120)은 소자층(13)과 접촉되고, 소자층(13)의 접촉 압력에 따라 수축된다. 그 결과, 초박판 유리(12)는 평판 형상을 그대로 유지할 수 있게 된다. 그리고 소자층(13)이 형성되어 있지 않은 초박판 유리(12)의 일면은 석션 플레이트(110)의 테두리부(113) 및 격벽부(114) 상에 안착된다. 보다 상세하게는 소자층(13)이 형성되어 있지 않은 초박판 유리(12)의 나머지 일면은 테두리부(113) 및 격벽부(114)에 형성되어 있는 복수 개의 석션홀(111b, 111c) 각각에 장착되어 있는 석션컵(120)에 접촉되고, 그 결과, 이들 석션컵(120)은 일제히 수축된다.
다음으로, 가압단계에서는 석션 플레이트(110) 상면에 정렬된 유리 접합체(10)를 흡착 고정하기 위해, 복수 개의 석션컵(120)에 진공압을 인가한다. 즉, 가압단계에서는 컨트롤러(140)를 통해 진공 펌프(130)를 제어하여, 석션 플레이트(110)의 상면 측으로 진공압을 가한다. 이에 따라, 유리 접합체(10)는 석션 플레이트(110)의 상면에서 흡착 지지된다. 이때, 본 발명의 실시 예에 따른 디본딩 서포트 장치에서, 홈부(112)에 형성되어 있는 복수 개의 석션홀(111a)과 테두리부(113) 및 격벽부(114)에 형성되어 있는 복수 개의 석션홀(111b, 111c)은 그 형성 밀도에 차이가 있으므로, 각 영역에 균일한 진공압이 가해지더라도 홈부(112) 측에는 상대적으로 약한 흡착력이 발생되고, 테두리부(113) 및 격벽부(114)에는 상대적으로 강한 흡착력이 발생된다.
이와 같이, 가압단계에서, 유리 접합체(10)를 석션 플레이트(110) 상면에 흡착시킨 후, 석션 플레이트(110)를 복수 개의 석션캡(150) 하측으로 이동시킨다.
한편, 제1 트레이(161)의 최상단에 있던 유리 접합체(10)가 디본딩을 위해 석션 플레이트(110) 측으로 옮겨짐에 따라, 제1 트레이(161)의 최상단에는 적층되어 있는 유리 접합체(10)들 사이에 개재되어 있는 간지가 노출된다. 본 발명의 실시 예에서는 갠트리 유닛(170)을 동작시켜 이러한 간지를 제3 트레이(163)로 옮기고, 제4 트레이(164)에 적재되어 있는 간지를 제2 트레이(162)로 옮긴다.
다음으로, 도 12에 도시한 바와 같이, 디본딩 단계에서는 하측의 초박판 유리(12)는 석션 플레이트(110), 보다 상세하게는 복수 개의 석션컵(120)에 흡착되고, 상측의 캐리어 유리(11)는 복수 개의 석션캡(150)에 흡착된 상태에서 초박판 유리(12)로부터 캐리어 유리(11)를 디본딩한다.
디본딩 단계에서는 석션캡(150)을 통해 캐리어 유리(11) 측에서 캐리어 유리(11)를 흡착한 다음, 캐리어 유리(11)를 일 방향에서 타 방향으로 순차적으로 들어올리는 방식으로 디본딩 공정을 진행한다. 이때, 디본딩 단계에서는 디본딩 방향을 따라 순차적으로 디본딩 진행 부분의 캐리어 유리(11)를 흡착할 수 있다. 즉, 캐리어 유리(11) 상에 배치되어 있는 석션캡(150)들 중에서 디본딩이 진행되는 부분에 배치되어 있는 석션캡(150)에 순차적으로 진공압을 가하면서 들어올림으로써, 디본딩 공정을 원활하게 진행할 수 있다.
이러한 디본딩 단계를 통해, 캐리어 유리(11)를 초박판 유리(12)로부터 완전하게 분리시킨 다음, 복수 개의 석션컵(120)에 인가되어 있는 진공압을 해제하면, 하나의 유리 접합체(10)에 대한 디본딩 공정이 완료된다.
이때, 디본딩 공정이 완료되면, 석션 플레이트(110)에는 초박판 유리(12)가 흡착되어 있고, 석션캡(150)에는 캐리어 유리(11)가 흡착되어 있는 상태가 된다.
본 발명의 실시 예에서는 다른 유리 접합체(10)에 대한 디본딩 공정을 연속해서 진행하기 위해, 먼저, 초박판 유리(12)가 흡착되어 있는 석션 플레이트(110)를 최초 위치로 복귀시키고, 초박판 유리(12)에 가해진 진공압을 해제시킨다. 그 다음, 갠트리 유닛(170)을 동작시켜, 초박판 유리(12)를 제2 트레이(162)로 옮긴다.
그 다음, 초박판 유리(12)가 제거된 석션 플레이트(110)를 다시 복수 개의 석션캡(150) 하측으로 이동시키고, 석션캡(150)에 인가되는 진공압을 해제하면, 석션캡(150)에 흡착되어 있는 캐리어 유리(11)는 석션 플레이트(110)의 상면에 안착된다.
그 다음, 상면에 캐리어 유리(11)가 안착되어 있는 석션 플레이트(110)를 다시 최초 위치로 복귀시킨다. 그리고 그 다음, 갠트리 유닛(170)을 동작시켜, 캐리어 유리(11)를 제3 트레이(163)로 옮긴다.
이후, 상기와 같은 공정을 반복하여 다른 유리 접합체(10)에 대한 디본딩 공정을 진행한다.
한편, 본 발명의 실시 예에 따른 디본딩 서포트 장치를 이용하여 캐리어 유리(11)로부터 디본딩된 초박판 유리(12)는 이후, 복수 개의 소자층(13)을 개별 패널화하는 공정 시 커팅된다.
이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시 예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.
그러므로 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
110; 석션 플레이트 111a, 111b, 111c; 석션홀
112; 홈부 113; 테두리부
114; 격벽부 115; 제1 유로
116; 제2 유로 117; 제3 유로
118; 제어밸브 120; 석션컵
121; 고정부 122; 동작부
130; 진공 펌프 140; 컨트롤러
150; 석션캡 161; 제1 트레이
162; 제2 트레이 163; 제3 트레이
164; 제4 트레이 170; 갠트리 유닛

Claims (24)

  1. 본딩되어 하나의 유리 접합체를 이루는 캐리어 유리와 초박판 유리를 디본딩하는 공정을 서포트하는 디본딩 서포트 장치에 있어서,
    안착되는 상기 유리 접합체를 흡착 고정하는 복수 개의 석션홀을 포함하고, 상기 초박판 유리의 일면에 돌출되는 형태로 형성되어 있는 적어도 하나의 소자층을 수용하는 적어도 하나의 홈부를 포함하는 석션 플레이트;
    상기 복수 개의 석션홀 각각에 장착되고, 상기 초박판 유리 및 상기 소자층의 접촉 압력에 따라 신축되는 석션컵;
    상기 복수 개의 석션홀에 연결되어 상기 복수 개의 석션홀에 진공압을 인가하는 진공 펌프; 및
    상기 진공 펌프를 제어하여 상기 복수 개의 석션홀에 인가되는 진공압을 조절하는 컨트롤러;
    를 포함하는 디본딩 서포트 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 홈부는 상기 소자층의 두께보다 깊게 형성되는 디본딩 서포트 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 석션 플레이트는 상기 유리 접합체가 안착되는 면을 기준으로, 상기 홈부 및 상기 홈부를 둘러싸는 테두리부로 구획되는 디본딩 서포트 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 석션 플레이트는 상기 유리 접합체가 안착되는 면을 기준으로, 복수 개의 상기 홈부, 복수 개의 상기 홈부 전체를 둘러싸는 테두리부 및 이웃하는 상기 홈부 사이의 격벽부로 구획되는 디본딩 서포트 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 석션 플레이트는,
    상기 홈부에 형성되어 있는 복수 개의 상기 석션홀을 하나로 연결시키고 상기 진공 펌프와 연결되는 제1 유로,
    상기 테두리부에 형성되어 있는 복수 개의 상기 석션홀을 하나로 연결시키고 상기 진공 펌프와 연결되는 제2 유로, 및
    상기 격벽부에 형성되어 있는 복수 개의 상기 석션홀을 하나로 연결시키고 상기 진공 펌프와 연결되는 제3 유로를 더 포함하는 디본딩 서포트 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 석션 플레이트는 상기 제1 유로, 상기 제2 유로 및 상기 제3 유로에 각각 설치되어 있는 제어밸브를 더 포함하는 디본딩 서포트 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1 유로는 복수 개의 상기 홈부 각각에 형성되고, 각각의 상기 홈부에 형성되는 상기 제1 유로는 개별 제어되는 디본딩 서포트 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 석션컵은,
    상기 석션홀의 내주면에 체결되고 길이방향을 따라 제1 홀이 형성되어 있는 고정부, 및
    상기 고정부의 상단에 결합되어 상기 석션 플레이트의 상면 측으로 돌출되고 길이방향을 따라 상기 제1 홀과 연통되는 제2 홀이 형성되어 있으며 상기 초박판 유리 및 상기 소자층의 접촉 압력에 따라 신축 동작을 하는 동작부를 포함하는 디본딩 서포트 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 고정부의 외주면은 상기 석션홀의 내주면과 나사 결합하는 디본딩 서포트 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 동작부는 자바라 형태의 벨로우즈로 형성되는 디본딩 서포트 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 유리 접합체는, 두께가 상대적으로 두껍고 면적이 상대적으로 큰 상기 캐리어 유리가 상기 초박판 유리를 둘러싸는 형태로 본딩되어 이루어진 디본딩 서포트 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 초박판 유리는 20~500㎛ 두께를 갖는 유리인 디본딩 서포트 장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 유리 접합체가 상기 석션 플레이트의 상면에 안착된 후, 상기 캐리어 유리 상에 배치되는 적어도 하나의 석션캡을 더 포함하는 디본딩 서포트 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 석션캡은 상기 컨트롤러에 의해 제어되는 상기 진공 펌프와 연결되어 상기 진공 펌프로부터 인가되는 진공압을 통해 상기 캐리어 유리를 흡착하는 디본딩 서포트 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 석션캡은 상, 하 동작 가능하게 형성되고, 상기 컨트롤러에 의한 제어를 통해, 흡착되어 있는 상기 캐리어 유리를 상측 방향으로 들어올려 상기 초박판 유리로부터 분리시키는 디본딩 서포트 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 석션캡은 복수 개로 구비되고,
    상기 컨트롤러는 디본딩 진행 방향을 따라 복수 개의 상기 석션캡에 순차적으로 진공압이 인가되도록 상기 진공 펌프를 제어하는 디본딩 서포트 장치.
  17. 제13항에 있어서,
    상기 석션 플레이트는 수평방향으로 이동 가능하게 형성되는 디본딩 서포트 장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 석션 플레이트는 상면에 상기 유리 접합체가 안착되면, 상기 적어도 하나의 석션캡 하측으로 이동하고, 디본딩이 완료되면, 최초 위치로 복귀하는 디본딩 서포트 장치.
  19. 제1항에 있어서,
    상기 석션 플레이트의 둘레를 따라 배치되되,
    디본딩될 상기 유리 접합체가 놓이는 제1 트레이;
    디본딩된 상기 초박판 유리가 쌓이는 제2 트레이;
    디본딩된 상기 캐리어 유리가 쌓이는 제3 트레이; 및
    상기 제1 트레이 내지 상기 제3 트레이로 공급되는 복수 개의 간지가 적재되어 있는 제4 트레이;
    를 더 포함하는 디본딩 서포트 장치.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 석션 플레이트, 상기 제1 트레이 내지 상기 제4 트레이를 오가며 상기 유리 접합체, 디본딩된 상기 초박판 유리, 디본딩된 상기 캐리어 유리 및 상기 간지를 이송하는 갠트리 유닛을 더 포함하는 디본딩 서포트 장치.
  21. 본딩되어 하나의 유리 접합체를 이루는 캐리어 유리와 초박판 유리를 디본딩하는 방법에 있어서,
    제1항에 따른 디본딩 서포트 장치의 석션 플레이트 상면에 상기 유리 접합체를 정위치시키는 정렬단계;
    상기 석션 플레이트 상면에 정렬된 상기 유리 접합체를 흡착 고정하기 위해, 상기 석션 플레이트에 진공압을 인가하는 가압단계; 및
    상기 초박판 유리가 상기 석션 플레이트에 흡착된 상태에서 상기 초박판 유리로부터 상기 캐리어 유리를 디본딩하는 디본딩 단계;
    를 포함하는 디본딩 방법.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 정렬단계에서는 상기 캐리어 유리와 상기 석션 플레이트가 접촉되지 않도록 상기 유리 접합체를 정위치시키는 디본딩 방법.
  23. 제21항에 있어서,
    상기 디본딩 단계에서는 상기 캐리어 유리 측에서 상기 캐리어 유리를 흡착하고, 상기 캐리어 유리를 일 방향에서 타 방향으로 순차적으로 들어올리는 방식으로 디본딩하는 디본딩 방법.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 디본딩 단계에서는 디본딩 방향을 따라 순차적으로 디본딩 진행 부분의 상기 캐리어 유리를 흡착하는 디본딩 방법.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023127518A1 (ja) * 2021-12-27 2023-07-06 三井金属鉱業株式会社 シート固定装置、シート剥離装置及びシートの剥離方法
CN114940582B (zh) * 2022-06-30 2023-06-27 成都光明光电股份有限公司 玻璃片加工方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008108593A (ja) 2006-10-26 2008-05-08 Toyota Motor Corp 燃料電池用セパレータ吸引装置
JP2014237545A (ja) 2013-05-07 2014-12-18 株式会社半導体エネルギー研究所 剥離方法および剥離装置
US20160005637A1 (en) 2010-10-05 2016-01-07 Skyworks Solutions, Inc. Devices for methodologies related to wafer carriers
WO2018093719A1 (en) 2016-11-15 2018-05-24 Corning Incorporated Methods for processing a substrate

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0538647A (ja) 1991-05-29 1993-02-19 Haruo Konagai 吸着テーブル
JPH06268051A (ja) * 1993-03-10 1994-09-22 Mitsubishi Electric Corp ウエハ剥し装置
US7187162B2 (en) * 2002-12-16 2007-03-06 S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies S.A. Tools and methods for disuniting semiconductor wafers
JP4516354B2 (ja) * 2004-05-17 2010-08-04 パナソニック株式会社 部品供給方法
JP5307970B2 (ja) 2006-01-11 2013-10-02 旭硝子株式会社 大型ガラス基板の剥離方法及びその装置
JP5375328B2 (ja) * 2009-05-20 2013-12-25 株式会社デンソー 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造に用いられる治具
JP5155454B2 (ja) * 2009-08-31 2013-03-06 旭硝子株式会社 剥離装置
CN101819992B (zh) * 2010-03-31 2012-10-17 固镒电子(芜湖)有限公司 一种整流器晶粒、其生产方法及吸盘模具
CN102870204B (zh) 2010-06-07 2016-02-03 日本电气硝子株式会社 板状构件的移送装置及吸附垫
US8888085B2 (en) * 2010-10-05 2014-11-18 Skyworks Solutions, Inc. Devices and methodologies for handling wafers
JP2014179355A (ja) 2011-07-04 2014-09-25 Asahi Glass Co Ltd ガラス基板の剥離方法及びその装置
JP2013078810A (ja) * 2011-10-03 2013-05-02 Smc Corp 真空吸着装置
KR102082271B1 (ko) * 2013-05-24 2020-04-16 엘지디스플레이 주식회사 캐리어기판 분리 시스템 및 분리 방법
KR102064405B1 (ko) * 2014-02-04 2020-01-10 삼성디스플레이 주식회사 기판 박리 장치 및 그것을 이용한 기판 박리 방법
WO2015170210A1 (en) * 2014-05-03 2015-11-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Separation apparatus for thin film stacked body
WO2016005347A1 (en) * 2014-07-09 2016-01-14 Ventana Medical Systems, Inc. Automated coverslipper and methods of use
KR101652350B1 (ko) 2014-09-12 2016-09-01 주식회사 글로벌식스 기판 본딩 및 디본딩 장치 및 이를 이용한 반도체 소자 기판의 제조 방법
KR20150060506A (ko) 2014-10-10 2015-06-03 주식회사 윌리언스 전사필름 고정장치
KR102336572B1 (ko) * 2015-01-23 2021-12-08 삼성디스플레이 주식회사 기판 탈착 장치 및 이를 이용한 표시장치의 제조 방법
KR102076054B1 (ko) * 2015-06-09 2020-02-11 로욜 코포레이션 플렉서블 전자 장치 제조 장치
KR101731537B1 (ko) * 2015-09-21 2017-04-28 코스텍시스템(주) 임시 접합 웨이퍼 디본딩장치 및 방법
CN106710442B (zh) * 2015-10-21 2021-01-22 京东方科技集团股份有限公司 背光源分离设备
KR101951811B1 (ko) * 2015-12-03 2019-04-22 코닝정밀소재 주식회사 고유연성 기판을 캐리어에 접합 및 탈접합하는 방법 및 장치
KR20170103056A (ko) * 2016-03-02 2017-09-13 (주) 피엔피 필름 박리장치
KR102446955B1 (ko) * 2016-05-24 2022-09-23 세메스 주식회사 웨이퍼 분리 장치
JP2018043377A (ja) 2016-09-13 2018-03-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 剥離装置および剥離方法
KR101829039B1 (ko) 2017-11-22 2018-03-29 박미경 베큠척

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008108593A (ja) 2006-10-26 2008-05-08 Toyota Motor Corp 燃料電池用セパレータ吸引装置
US20160005637A1 (en) 2010-10-05 2016-01-07 Skyworks Solutions, Inc. Devices for methodologies related to wafer carriers
JP2014237545A (ja) 2013-05-07 2014-12-18 株式会社半導体エネルギー研究所 剥離方法および剥離装置
WO2018093719A1 (en) 2016-11-15 2018-05-24 Corning Incorporated Methods for processing a substrate

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KR20200038753A (ko) 2020-04-14
CN112956009B (zh) 2023-09-01
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US20210394505A1 (en) 2021-12-23
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