JP4976915B2 - 静電チャックおよび静電チャックの製造方法 - Google Patents
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Description
前記金属ベースの前記エラストマー層の貼着面に溝部を形成し、
該溝部の端部が前記金属ベースの側方で前記金属ベース外部に開口した構成とし、
前記エラストマー層を前記金属ベースに貼着する際、前記溝部を通して前記エラストマー層と前記金属ベースとの間の空気を排出することを特徴とする静電チャックの製造方法により、解決する。
前記金属ベースの前記エラストマー層に面する側に溝部が形成され、
該溝部の端部が前記金属ベースの側方で前記金属ベース外部に開口した構成とされていることを特徴とする静電チャックにより、解決する。
101 金属ベース
102 エラストマー層
102a,102b,107 接着層
103 吸着部
104 絶縁層
105 電極
106 絶縁層
Claims (16)
- 電圧が印加される電極がフィルム状の絶縁層に覆われてなる静電吸着部が、エラストマー層を介して金属ベースに貼り付けられた構造を有する静電チャックの製造方法であって、
前記金属ベースの前記エラストマー層の貼着面に溝部を形成し、
該溝部の端部が前記金属ベースの側方で前記金属ベース外部に開口した構成とし、
前記エラストマー層を前記金属ベースに貼着する際、前記溝部を通して前記エラストマー層と前記金属ベースとの間の空気を排出することを特徴とする静電チャックの製造方法。 - 前記エラストマー層が第1の接着層により前記金属ベースに貼着されることを特徴とする請求項1記載の静電チャックの製造方法。
- 前記静電吸着部と前記エラストマー層とを第2の接着層を介して積層した後、前記第1の接着層を介して前記エラストマー層と前記金属ベースを貼着することを特徴とする請求項2記載の静電チャックの製造方法。
- 前記静電吸着部は、下部絶縁層と上部絶縁層との間に電極が挟まれるようにして覆われ、かつ、前記下部絶縁層と前記上部絶縁層とが第3の接着層により貼着された構造であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の静電チャックの製造方法。
- 前記エラストマー層は、シリコーンゴム、ウレタンゴム、およびフッ素ゴムの群から選択される一の材料からなることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の静電チャックの製造方法。
- 前記溝部が格子状又は放射状に形成されてなることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の静電チャックの製造方法。
- 基板の吸着時において、前記エラストマー層が吸着される前記基板の変形を吸収することを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の静電チャックの製造方法。
- ロールラミネータにより、前記エラストマー層を前記金属ベースに押圧することを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の静電チャックの製造方法。
- 減圧空間で前記エラストマー層を前記金属ベースに押圧することを特徴とする請求項8記載の静電チャックの製造方法。
- 電圧が印加される電極がフィルム状の絶縁層に覆われてなる静電吸着部が、エラストマー層を介して金属ベースに貼り付けられた構造を有する静電チャックであって、
前記金属ベースの前記エラストマー層に面する側に溝部が形成され、
該溝部の端部が前記金属ベースの側方で前記金属ベース外部に開口した構成とされていることを特徴とする静電チャック。 - 前記エラストマー層が第1の接着層により前記金属ベースに貼着されてなることを特徴とする請求項10記載の静電チャック。
- 前記静電吸着部と前記エラストマー層が第2の接着層を介して積層され、
前記エラストマー層と前記金属ベースが前記第1の接着層を介して貼着されてなることを特徴とする請求項11記載の静電チャック。 - 前記静電吸着部は、下部絶縁層と上部絶縁層との間に電極が挟まれるようにして覆われ、かつ、前記下部絶縁層と前記上部絶縁層とが第3の接着層により貼着された構造であることを特徴とする請求項10乃至12のいずれか一項に記載の静電チャック。
- 前記エラストマー層は、シリコーンゴム、ウレタンゴム、およびフッ素ゴムの群から選択される一の材料からなることを特徴とする請求項10乃至13のいずれか一項に記載の静電チャック。
- 前記溝部が格子状又は放射状に形成されていることを特徴とする請求項10乃至14のいずれか一項に記載の静電チャック。
- 基板の吸着時において、前記エラストマー層が吸着される前記基板の変形を吸収する構成であることを特徴とする請求項10乃至15のいずれか一項に記載の静電チャック。
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JP2000114358A (ja) * | 1998-10-05 | 2000-04-21 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 静電チャック装置 |
JP2000315720A (ja) * | 1999-04-28 | 2000-11-14 | Ibiden Co Ltd | セラミックス製の半導体製造用治具 |
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