JP7184722B2 - 支持基板、支持基板の剥離方法、及び、半導体装置の製造方法 - Google Patents

支持基板、支持基板の剥離方法、及び、半導体装置の製造方法 Download PDF

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Description

本発明の実施形態は、支持基板、支持基板の剥離方法、及び、半導体装置の製造方法に関する。
近年、半導体ウェーハの超薄化や大口径化が進んでいる。半導体装置の製造過程において、半導体ウェーハの割れを抑制するために、半導体ウェーハに貼り付けて支持する支持基板を用いる場合がある。支持終了後、半導体ウェーハから支持基板を剥離する。
特開２００９－１７５５８７号公報
本発明の実施形態は、ウェーハから容易に剥離させることができる支持基板、ウェーハから支持基板を剥離する方法、及び、半導体装置の製造方法を提供する。
本発明の実施形態によれば、支持基板を剥離する剥離方法は、厚さ方向に貫通する空隙が形成され、下面に粘着層及び前記粘着層が設けられていない非粘着領域を有する基材と、前記粘着層とを含む支持基板において、前記粘着層に、ウェーハが粘着された構造体における、前記ウェーハから前記支持基板を剥離する支持基板の剥離方法である。前記方法は、前記非粘着領域と前記ウェーハによって挟まれた空間内に、前記空隙からきっかけ部材を挿入し、前記ウェーハ及び前記基材に接触させ、前記ウェーハと前記基材に相互に離隔する方向の力を印加する第１の挿入工程を備えている。
本発明の別の実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、厚さ方向に貫通する空隙が形成された基材、及び、前記基材の下面に設けられた粘着層を含み、前記基材の下面における前記空隙に臨む領域の少なくとも一部は前記粘着層が設けられていない非粘着領域である支持基板の前記粘着層に半導体ウェーハを粘着させる工程と、前記非粘着領域と前記半導体ウェーハによって挟まれた空間内に、前記空隙からきっかけ部材を挿入し、前記きっかけ部材を前記半導体ウェーハ及び前記基材に接触させ、前記半導体ウェーハから前記支持基板を剥離する工程と、を備えている。
本発明の別の実施形態によれば、支持基板は、厚さ方向に貫通する空隙が形成された基材と、前記基材の下面に設けられた粘着層とを備える。前記基材の下面における前記空隙を臨む領域の少なくとも一部は、前記粘着層が設けられていない非粘着領域である。前記基材は、前記空隙を囲む内側面を有する第１円環部と、前記第１円環部の前記内側面から内側に向かって延びる第１径部と、前記第１円環部の内側に配置され、外側面が前記第１径部と繋がった第２円環部とを有している。前記粘着層は、前記第１円環部の下面にも設けられ、前記第１円環部の内周部の下面が前記非粘着領域の少なくとも一部である。
第１の実施形態に係る構造体を示す平面図である。 図１に示すＡ－Ａ’線による断面図である。 （ａ）及び（ｂ）は、第１の実施形態において使用するきっかけ部材を示す平面図である。 （ａ）～（ｃ）は、第１の実施形態に係る支持基板の剥離方法を示す断面図である。 （ａ）及び（ｂ）は、第１の実施形態に係る支持基板の剥離方法を示す平面図である。 （ａ）及び（ｂ）は、第１の実施形態に係る支持基板の剥離方法を示す平面図である。 （ａ）及び（ｂ）は、第１の実施形態に係る支持基板の剥離方法を示す平面図である。 （ａ）及び（ｂ）は、第１の実施形態に係る支持基板の剥離方法を示す平面図である。 比較例に係る支持基板の剥離方法を示す断面図である。 第２の実施形態における構造体を示す平面図である。 第２の実施形態に係る支持基板を示す底面図である。 第３の実施形態における構造体を示す平面図である。 第４の実施形態における構造体を示す平面図である。
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
（第１の実施形態）
図１は、第１実施形態に係る支持基板にウェーハを粘着した構造体を示す平面図である。図２は、図１に示すＡ－Ａ’線による断面図である。
半導体装置（図示せず）を製造する際には、一枚の半導体ウェーハに複数の半導体装置を一括で形成し、各々を切断して分離し、１つ１つの半導体装置とする。
近年、半導体ウェーハの超薄化や大口径化が進み、半導体ウェーハの反りや割れが生じやすくなっている。そこで、加工時や搬送時において割れを防ぐために、半導体ウェーハを支持基板によって支持する場合がある。半導体ウェーハに支持基板を貼り合わせて、加工及び搬送を行う。
図１及び図２に示すように、本実施形態に係る支持基板１０１は、基材１０と粘着層２０を備える。支持基板１０１とウェーハ６０により、構造体２０１が構成されている。基材１０は粘着層２０によってウェーハ６０に接着されている。構造体２０１の概略的な形状は、円板状である。本明細書においては、説明の便宜上、構造体２０１の厚み方向において、ウェーハ６０から支持基板１０１に向かう方向を「上」といい、支持基板１０１からウェーハ６０に向かう方向を「下」という。また、上から見て、構造体２０１の中心から外縁に向かう方向を「径方向」といい、外縁に沿った方向を「周方向」という。
基材１０は、ウェーハ６０と同程度の外径を成す円環形状である。基材１０は、第１円環部１１を有し、第１円環部１１の内側には、基材１０を厚さ方向に貫通する空隙３０が形成されている。第１円環部１１の表面は、空隙３０を囲む内側面１１ａと、ウェーハ６０の外側面と略連続した曲面を成す外側面１１ｂと、上面１１Ａと、下面１１Ｂと、を有する。基材１０は、例えば、ＰＥＴ（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ Ｔｅｌｅｐｈｔｈａｌａｔｅ：ポリエチレンテレフタレート）、ガラスエポキシ、カーボンエポキシ、ガラスファイバーを少なくとも１つ含む。基材１０の厚さは、３００～８００μｍ程度である。
粘着層２０は、基材１０の下面１０Ｂに、詳細には第１円環部１１の下面１１Ｂに配置されている。粘着層２０は、環状の層であり、粘着層２０の内側面２０ａは、空隙３０からやや外側に離れて位置し、粘着層２０の外側面２０ｂは、基材１０の外側面１０ｂに、詳細には第１円環部１１の外側面１１ｂに、連なっている。粘着層２０は、シリコーン系樹脂またはＰＥＴなどを少なくとも１つ含み、その厚みは例えば２０～３０μｍである。粘着層２０は、低粘着性樹脂によって形成されており、ウェーハ６０に粘着するが剥離及び再粘着が可能である。粘着層２０の弾性率は、基材１０の弾性率よりも低い。
第１円環部１１の下面１１Ｂにおける空隙３０を臨む領域、例えば、第１円環部１１の内周部の下面は、粘着層２０が設けられていない非粘着領域４０である。非粘着領域４０は、基材１０の下面１０Ｂにおいて、詳細には第１円環部１１の下面１１Ｂにおいて、粘着層２０の内側に設けられ、下面１０Ｂの空隙３０を囲む環状の領域である。非粘着領域４０の径方向の幅は例えば１～３ｍｍである。
構造体２０１は、支持基板１０１と、ウェーハ６０の上面６０Ａとの間に粘着層２０を貼り合わせて形成される。空隙３０の下側は、ウェーハ６０の上面６０Ａによって閉じられ、空隙３０の上側は、上方に開口している。空隙３０は、非粘着領域４０とウェーハ６０の上面６０Ａと粘着層２０の内側面２０ａで囲まれた環状の空間８０に連通している。
ウェーハ６０の上面６０Ａは、粘着層２０を介して基材１０の下面１０Ｂに接着されている。これにより、ウェーハ６０は支持基板１０１によって支持され、割れや反りが抑制される。
支持基板１０１を貼り合わせた構造体２０１の状態で、ウェーハ６０の下面６０Ｂについて所定の加工を行う。また、加工の前後において、支持基板１０１によってウェーハ６０を支持した状態でウェーハ６０を搬送する。所定の加工及び搬送が終了した後、ダイシングテープ（図示せず）をウェーハ６０の下面６０Ｂに貼り付けて、ウェーハ６０から支持基板１０１を剥離する。
次に、ウェーハ６０から支持基板１０１を剥離する方法について説明する。図３は、本実施形態に係る支持基板の剥離方法に用いるきっかけ部材を示す平面図である。図４（ａ）～（ｃ）は、本実施形態に係る支持基板の剥離方法を示す断面図である。図５（ａ）～図８（ｂ）は、本実施形態に係る支持基板の剥離方法を示す平面図である。
剥離には、きっかけ部材５０と付勢部材７０を用いる。図３（ａ）に示すように、きっかけ部材５０は、シート状の長方形状であって、例えば短辺の長さは２～５ｃｍ、長辺の長さは５～１０ｃｍである。きっかけ部材５０の長手方向の端部は、角部５０ａａが２個設けられた先端部５０ａである。きっかけ部材５０の厚さは、粘着層２０の厚さより薄ければよい。きっかけ部材５０の厚さは、例えば１００μｍ程度である。きっかけ部材５０の材料には、例えば可撓性材料を用いるが、変形が多少残る弾塑性材料または変形が戻らない非弾性材料でもよい。きっかけ部材５０は、例えばクリーンルームなどに持ち込めるクリーンシートなどが好ましい。
きっかけ部材５０の他の形状としては、図３（ｂ）のように先端部５１ａに角部５１ａａが１か所設けられた形状でもよい。
付勢部材７０は、支持基板１０１をウェーハ６０に向けて付勢する。付勢部材７０は、例えば、基材１０の上面１０Ａに載置される重りである。付勢部材７０は複数用いることができる。１つの付勢部材７０は、上面１０Ａからウェーハ６０に例えば数十ｇ重の荷重を下方に向けて負荷する。上面１０Ａの１以上の所定箇所に１以上の付勢部材７０を載置して、当該箇所を付勢部材７０で付勢することができる。
付勢部材７０を使用せずきっかけ部材５０のみで支持基板１０１を剥離する方法について説明する。図４（ａ）に示すように、構造体２０１の上方に開口する空隙３０にきっかけ部材５０の先端部５０ａを挿入し、先端部５０ａをウェーハ６０の上面６０Ａに当接させる。先端部５０ａを第１円環部１１の内側面１１ａ及び内側面１１ａの下方に位置する粘着層２０の内側面２０ａに向けてきっかけ部材５０の挿入を進め、先端部５０ａを非粘着領域４０とウェーハ６０の上面６０Ａに挟まれた空間８０内に挿入する。詳しくは、空間８０に、きっかけ部材５０の先端部５０ａの側方にある角部５０ａａを最初に挿入させる。この時、先端部５０ａより手前側の当接部５０ｂがウェーハ６０の上面６０Ａに当接し、当接部５０ｂより手前側が屈曲している。
図４（ｂ）に示すように、きっかけ部材５０をＦ１方向に負荷をかけて更に挿入すると、１または２つの角部５０ａａが曲面を成す粘着層２０の内側面２０ａに当接する。この時、当接した角部５０ａａは内側面２０ａから反力を受け、当接部５０ｂはウェーハ６０の上面６０Ａから反力を受ける。内側面２０ａに当接していた角部５０ａａは、上方に反り上がって非粘着領域４０に当接する。詳しくは、非粘着領域４０は平面なので、１つの角部５０ａａもしくは先端部５０ａが非粘着領域４０を付勢する。
これにより、ウェーハ６０の上面６０Ａは当接部５０ｂから下方に付勢され、非粘着領域４０は先端部５０ａから上方に付勢される。きっかけ部材５０は、基材１０の下面１０Ｂを上に付勢し、ウェーハ６０の上面６０Ａを下に付勢し、基材１０とウェーハ６０を相互に離隔する方向に付勢する。これにより、粘着層２０の表面からウェーハ６０の上面６０Ａの剥離が徐々に始まる。
図４（ｃ）に示すように、挿入力Ｆ１を印加されているきっかけ部材５０に、Ｆ１より大きなＦ２またはＦ３の負荷をかける。このとき、ウェーハ６０の上面６０Ａに当接する当接部５０ｂは、更に長い範囲になり、ウェーハ６０の上面６０Ａを更に強く下に押し下げる。先端部５０ａは更に立ち上がり、非粘着領域４０を更に強く上に押し上げる。
これにより、きっかけ部材５０の先端部５０ａと当接部５０ｂは、基材１０とウェーハ６０を相互に離隔する力を更に強め、基材１０に固着した粘着層２０の表面からウェーハ６０の上面６０Ａが剥離される。この状態で、支持基板１０１を上に持ち上げ、支持基板１０１をウェーハ６０の上面６０Ａから外し、支持基板１０１の剥離が完了する。
図３（ａ）に示すような角部５０ａａが２つ設けられたきっかけ部材５０の替わりに、図３（ｂ）に示すような角部５１ａａが１つ設けられたきっかけ部材５１を用いても、上記と同様にウェーハ６０から支持基板１０１を剥離することができる。きっかけ部材５１は、先端部５１ａの中央に角部５１ａａを設けているので、図５（ｂ）に示すきっかけ部材５０の先端部５０ａ側部からの挿入と異なり、きっかけ部材５１の長手方向に直進して挿入すれば角部５１ａａを空間８０に挿入できる。したがって、空隙３０の開口の幅が狭い場合でも、きっかけ部材５１の幅が開口の幅より小さければ角部５１ａａを容易に空間８０に挿入することができる。
本実施形態の効果について説明する。本実施形態においては、支持基板１０１をきっかけ部材５０によって剥離するのでウェーハ６０に粘着層２０が残らず洗浄工程が不要である。また、構造体２０１の状態においては、ウェーハ６０は弾性の低い粘着層２０を介して弾性の高い支持基板１０１によって支持されるので、サポート性が良く割れにくい。第１円環部１１の下面１１Ｂにおいて非粘着領域４０と粘着層２０を設けているので、剥離しやすく、非粘着領域４０にきっかけ部材５０を挿入することができる。
粘着層２０の外側面２０ｂとウェーハ６０の外側面６０ｂを略連続して設けることができるので、ウェーハ６０の下面６０Ｂの加工に使用した液状の薬剤の侵入を防ぐことができ、ウェーハ６０の最外周の割れを抑制することができる。
更に、本実施形態においては、非粘着領域４０を設け、非粘着領域４０と非粘着領域４０に対面するウェーハ６０の上面６０Ａに囲まれた空間内に、屈曲自在な可撓性又は弾塑性を備えるきっかけ部材５０を挿入している。これにより、きっかけ部材５０が支持基板１０１とウェーハ６０に相互に離隔する方向の力（以下、「離隔力」ということもある）を印加し、支持基板１０１をウェーハ６０から剥離することができる。また、柔らかいきっかけ部材５０は、ウェーハ６０に当接しても傷をつけ難い。きっかけ部材５０は印加する力が小さいので、粘着層２０を一気に剥離させ難く、剥離によるウェーハ６０への応力の影響を抑制することができる。
粘着層２０は低粘着樹脂を用いるので、印加する力が小さいきっかけ部材５０で剥離することができる。
なお、きっかけ部材５０の形状は平坦でなくてもよい。例えば、弾塑性材料のきっかけ部材５０であれば、角部５０ａａがやや上に向くように曲げ癖をつけておけば、粘着層２０の内側面２０ａに当接したときに角部５０ａａが反り上がり易い。
以下に、付勢部材７０ときっかけ部材５０を用いた支持基板１０１の剥離方法について図５（ａ）～図８（ｂ）を用いて説明する。なお、以下の説明では、付勢部材７０を８個用いる例について説明するが、付勢部材７０の数は８個には限定されない。
図５（ａ）に示すように、構造体２０１のウェーハ６０を重力の作用方向である下に向け、支持基板１０１を重力の作用方向と反対の方向である上に向けて、構造体２０１を平らな面に置く。付勢部材７０ａ、７０ｂ、・・・、７０ｈ（以下、単に「付勢部材７０」ともいう）を配置する配置部７１ａ、７１ｂ、・・・、７１ｈ（以下、単に「配置部７１」ともいう）を、粘着層２１を有する第１円環部１１の上面１１Ａに設定する。例えば、構造体２０１を上から見た場合に、第１円環部１１の上面１１Ａのある位置に配置部７１ａを設定し、配置部７１ａを基準に第１円環部１１を周方向に沿って８等分する。そして、８等分した部分に配置部７１ａから順に配置部７１ｂ、７１ｃ、７１ｄ、７１ｅ、７１ｆ、７１ｇ、７１ｈを設定する。
設定した配置部７１ａ、７１ｂ、・・・、７１ｈに付勢部材７０ａ、７０ｂ、・・・、７０ｈをそれぞれ載置する。付勢部材７０ａ、７０ｂ、・・・、７０ｈは、配置部７１ａ、７１ｂ、・・・、７１ｈを各々の重力によって下方に付勢する。
図５（ｂ）に示すように、付勢部材７０ａを除去して配置部７１ａへの下方付勢を解除する。空間８０のうち、付勢を解除した配置部７１ａに相当する部分に、空隙３０の上方からきっかけ部材５０の先端部５０ａを挿入する。図３を用いて前述した手順と同様に、きっかけ部材５０の挿入を進める。きっかけ部材５０の両隣にある付勢部材７０ｂ、７０ｈとその他の付勢部材７０ｃ、・・・７０ｇが下方付勢を続けている状態で、下方付勢されていない配置部７１ａの下にきっかけ部材５０が挿入され、きっかけ部材５０が基材１０とウェーハ６０の相互に離隔力を印加する。
図６（ａ）に示すように、８枚のきっかけ部材５０を、空間８０のうち、上から見て配置部７１ａ、・・・、７１ｈが設けられていない部分に挿入する。詳細には、上面１１Ａの配置部７１ａと配置部７１ｂの間の部分、配置部７１ｂと配置部７１ｃの間の部分、配置部７１ｃと配置部７１ｄの間の部分、配置部７１ｄと配置部７１ｅの間の部分、配置部７１ｅと配置部７１ｆの間の部分、配置部７１ｆと配置部７１ｇの間の部分、配置部７１ｇと配置部７１ｈの間の部分、及び、配置部７１ｈと配置部７１ａの間の部分に一枚ずつきっかけ部材５０を臨ませて同様に挿入する。これによって、挿入された９枚のきっかけ部材５０の両側をそれぞれ付勢部材７０ｂ・・・７０ｈが下方付勢する状況で、下方付勢されていない付勢部材７０ｂ・・・７０ｈが設けられていない部分にきっかけ部材５０が離隔力を印加する。また、配置部７１ｂから配置部７１ｃの間の下方付勢がされていない領域に３枚のきっかけ部材５０を挿入しているので、配置部７１ｂから配置部７１ｃの間において粘着層２１の表面からウェーハ６０の上面６０Ａが剥離しやすくなっている。
図６（ｂ）に示すように、付勢部材７０ｂ、７０ｈを除去して配置部７１ｂ、７１ｈへの付勢を解除する。２枚のきっかけ部材５０を下方付勢が解除された配置部７１ｂ、７１ｃの下にきっかけ部材５０をそれぞれ同様に挿入する。配置部７１ｃ、７１ｄ、７１ｅ、７１ｆ、７１ｇまでの半分程度の第１円環部１１を付勢した状況で、新たに２枚のきっかけ部材５０を下方付勢されていない部分に挿入したので、配置部７１ｃと配置部７１ｇより配置部７１ａ側の下方付勢されていない部分の粘着層２０の剥離が進む。
図７（ａ）に示すように、付勢部材７０ｃ、７０ｇを除去して配置部７１ｃ、７１ｇへの付勢を解除する。２枚のきっかけ部材５０を下方付勢が解除された配置部７１ｃ、７１ｇの下にきっかけ部材５０をそれぞれ同様に挿入する。配置部７１ｄ、７１ｅ、７１ｆにおいて第１円環部１１を付勢した状況で、新たに２枚のきっかけ部材５０を下方付勢されていない配置部７１ｃ、７１ｇの下に挿入したので、配置部７１ｄと配置部７１ｆより配置部７１ａ側の下方付勢されていない部分の粘着層２０の剥離が進む。
図７（ｂ）に示すように、付勢部材７０ｄ、７０ｆを除去して配置部７１ｄ、７１ｆへの付勢を解除する。２枚のきっかけ部材５０を下方付勢が解除された配置部７１ｄ、７１ｆの下にきっかけ部材５０をそれぞれ同様に挿入する。配置部７１ｅにおいて第１円環部１１を付勢した状況で、新たに２枚のきっかけ部材５０を下方付勢されていない配置部７１ｄ、７１ｆの下に挿入したので、配置部７１ｅより配置部７１ａ側の下方付勢されていない部分の粘着層２０の剥離が進む。
図８（ａ）に示すように、付勢部材７０ｅを除去して配置部７１ｅへの付勢を解除する。２枚のきっかけ部材５０を下方付勢が解除された配置部７１ｅの下にきっかけ部材５０をそれぞれ同様に挿入する。全ての付勢が解除された状態で、新たに１枚のきっかけ部材５０を下方付勢されていない配置部７１ｅの下に挿入したので、粘着層２０全体の剥離が進む。粘着層２０が剥離していない部分があれば、適宜その部分のきっかけ部材５０に挿入力を与えて剥離させる。
図８（ｂ）に示すように、支持基板１０１を上方に持ち上げて支持基板１０１の剥離は完了する。ウェーハ６０の上面６０Ａから全てのきっかけ部材５０を回収する。
以下に、付勢部材７０ときっかけ部材５０を用いた支持基板１０１の剥離方法についての効果を説明する。付勢部材７０によって基材１０の上面１０Ａを下方付勢された状態で挿入されたきっかけ部材５０が基材１０とウェーハ６０に離隔力を印加するので、粘着層２０の表面からウェーハ６０の上面６０Ａが一気に剥離することを抑制している。これにより、剥離によって生じるウェーハ６０内の応力を緩和し、ウェーハ６０の割れを防ぐことができる。
また、弾塑性材料で形成されたきっかけ部材５０の場合、挿入によって当接部５０ｂの手前や先端部５０ａに折り目が残る。これにより、きっかけ部材５０の挿入力を解除しても、図４（ｂ）に示したＦｇ方向に、きっかけ部材５０の自重による力がかかり、この力が離隔力に変換されて、支持基板１０１とウェーハ６０に離隔力を与え続けることもできる。
また、本実施形態においては付勢部材７０は重りを利用したが、これに限らない。例えば、機械によって付勢させることもできる。この場合は、付勢方向は重力の作用方向の他に、ウェーハ６０の下面６０Ｂから重力の作用方向の反対方向に付勢してもよい。
以下に、きっかけ部材５０を用いない比較例を図９に基づいて説明する。図９は、本比較例に係る支持基板の剥離方法を示す断面図である。図９に示すように、本比較例においては、支持基板１１１に空隙が形成されていない。また、本比較例においては、きっかけ部材５０を使用しない。
図９に示すように、本比較例においては、支持基板１１１とウェーハ６００の粘着に粘着層２２２を用いている。きっかけ部材５００は鋼鉄製で先端が鋭利なものを用いる。ウェーハ６００の損傷を防ぐために、支持基板１１１の外周からきっかけ部材５００の先端を粘着層２２２に挿入する。きっかけ部材５００の挿入位置の精度が厳しいため作業は困難である。また、加工精度を要するので、粘着層２２２の材質や厚みの違いに合わせてきっかけ部材５００を複数用意しなければならない。きっかけ部材５００は硬質なので、ウェーハ６００に傷などがつくおそれもある。また、剥離後にウェーハ６００に粘着層２２２の残りが付着するため、ウェーハ６００を洗浄しなくてはならない。
（第２の実施形態）
図１０は、第２の実施形態における構造体を示す平面図である。図１１は、第２の実施形態に係る支持基板を示す底面図である。
図１０及び図１１に示すように、支持基板１０２の基材１０は、最外縁に位置する第１円環部１１、第１円環部１１の内側に位置した第２円環部１３、及び、第２円環部１３の内側に位置した第３円環部１５を有する。第１円環部１１、第２円環部１３、及び、第３円環部１５は、同一平面に同心状に配置されている。
基材１０は、更に、第１円環部１１の内側面１１ａと第２円環部１３の外側面１３ｂの間を、径方向に延びて繋いだ複数の第１径部１２と、第２円環部１３の内側面１３ａと第３円環部１５の外側面１５ｂの間を、径方向に延びて繋いだ複数の第２径部１４と、第３円環部１５の内側面１５ａから径方向に延び第１円環部１１の中心で互いに交わった複数の第３径部１６を有する。第１径部１２、第２径部１４、及び、第３径部１６は、各々第１円環部１１の中心から見て同じ方向に設けられている。例えば、図１０及び図１１に示す例では、構造体２０２の中心線ＸＹのＹ線の上端を０°とすると、第１径部１２、第２径部１４、及び第３径部１６は、０°、６０°、１２０°、１８０°、２４０°、３００°の位置に設けられている。
基材１０には、厚さ方向に貫通した複数の空隙３１、３２、３３が形成されている。
空隙３１は、第１円環部１１と第２円環部１３の間に複数設けられている。空隙３１は、両側を二つの第１径部１２に挟まれた空間である。空隙３２は、第２円環部１３と第３円環部１５の間に複数設けられている。空隙３２は、両側を二つの第２径部１４に挟まれた空間である。空隙３３は、第３円環部１５の内側に複数設けられ、二つの第３径部１６に囲まれた略三角形の空間である。
粘着層２１、２２、２３、２４、２５、２６は、第１円環部１１の下面１１Ｂ、第１径部１２の下面１２Ｂ、第２円環部１３の下面１３Ｂ、第２径部１４の下面１４Ｂ、第３円環部１５の下面１５Ｂ、及び、第３径部１６の下面１６Ｂに、それぞれ設けられている。
第１円環部１１に設けられた粘着層２１は、環状の層形状である。粘着層２１の内側面２１ａは、空隙３１を臨む部分であって、第１円環部１１の内側面１１ａからやや外側に位置している。粘着層２１の内側面２１ａと第１円環部１１の内側面２１ａの間は、非粘着領域４１が介在している。すなわち、第１円環部１１の内周部の下面が非粘着領域４１である。粘着層２１の内側の第１径部１２の下面１２Ｂに臨んだ部分は、非粘着領域４１は設けられず、第１径部１２の粘着層２２に繋がっている。粘着層２１の外側面２１ｂは、第１円環部１１の外側面１１ｂから離れずに連なっており、非粘着領域は設けられていない。
第１径部１２に設けられた粘着層２２は、帯状の層である。粘着層２２の外側の一端は第１円環部１１の粘着層２１に繋がり、内側の他端は第２円環部１３の粘着層２３に繋がっている。粘着層２２の両側の側面２２ａは、空隙３１を臨んでいる。側面２２ａは、第１径部１２の側面１２ａからやや内側に離れた位置にあり、第１径部１２の側面１２ａとの間には非粘着領域４２が介在している。すなわち、第１径部１２の両側部の下面が、非粘着領域４２である。
第２円環部１３に設けられた粘着層２３は、環状の層形状である。粘着層２３の空隙３２を臨んだ内側面２３ａは、第２円環部１３の内側面１３ａからやや外側に位置している。粘着層２３の内側面２３ａと第２円環部１３の内側面１３ａとの間には、非粘着領域４３ａが介在している。粘着層２３の内側の第２径部１４の下面１４Ｂを臨んだ部分は、非粘着領域４３ａは設けられず、第２径部１４の粘着層２４に繋がっている。粘着層２３の外側面２３ｂは、空隙３１を臨む部分であって、第２円環部１３の外側面１３ｂからやや内側に位置する。粘着層２３の外側面２３ｂと第２円環部１３の外側面１３ｂとの間には、非粘着領域４３ｂが介在している。粘着層２３の外側の第１径部１２の下面１２Ｂを臨んだ部分には、非粘着領域４３ｂは設けられず、第１径部１２の粘着層２２に繋がっている。すなわち、第２円環部１３の内周部の一部の下面は非粘着領域４３ａであり、第２円環部１３の外周部の一部の下面は非粘着領域４３ｂである。
第２径部１４に設けられた粘着層２４は、帯状の層である。粘着層２４の外側の一端は第２円環部１３の粘着層２３に繋がり、内側の他端は第３円環部１５の粘着層２５に繋がっている。粘着層２４の両側の側面２４ａは、空隙３２を臨んでいる。側面２４ａは、第２径部１４の側面１４ａからやや内側に離れた位置にあり、第２径部１４の側面１４ａとの間には、非粘着領域４４が介在している。
第３円環部１５に設けられた粘着層２５は、環状の層形状である。粘着層２５の空隙３３を臨んだ内側面２５ａは、第３円環部１５の内側面１５ａからやや外側に位置する。粘着層２５の内側面２５ａと第３円環部１５の内側面１３ａとの間には、非粘着領域４５ａが介在している。粘着層２５の内側の第３径部１６の下面１６Ｂを臨んだ部分には、非粘着領域４５ａは設けられず、第３径部１６の粘着層２６に繋がっている。粘着層２５の外側面２５ｂは、空隙３２に臨む部分であって、第３円環部１５の外側面１５ｂからやや内側に位置する。粘着層２５の外側面２５ｂと第３円環部１５の外側面１５ｂとの間には、非粘着領域４５ｂが介在している。粘着層２５の外側の第２径部１４の下面１４Ｂを臨む部分には、非粘着領域４５ｂは設けられず、第２径部１４の粘着層２４に繋がっている。すなわち、第３円環部１５の内周部の一部の下面は非粘着領域４５ａであり、第３円環部１５の外周部の一部の下面は非粘着領域４５ｂである。
第３径部１６に設けられた粘着層２６は、帯状の層である。粘着層２６の外側の一端は第３円環部１５の粘着層２５に繋がり、内側の他端は各々第１円環部１１の中心で交わっている。粘着層２６の両側の側面２６ａは、空隙３４を臨んでいる。側面２６ａは、第３径部１６の側面１６ａからやや内側に離れた位置にあり、第３径部１６の側面１６ａの間には、非粘着領域４６が介在している。
このように、空隙３１は、非粘着領域４１、４３ｂ、４２ａによって囲まれている。空隙３２は、非粘着領域４３ａ、４４ａ、４５ｂによって囲まれている。空隙３３は、非粘着領域４５ａ、４６ａによって囲まれている。
本実施形態の効果について説明する。本実施形態に係る支持基板１０２は、第２円環部１３及び第３円環部１５、並びに、第１径部１２、第２径部１４及び第３径部１６によって、ウェーハ６０における第１円環部１１の内部に位置する部分も支持することができるので、サポート性が良好である。また、基材１０の全体に空隙３１、３２、３３を略均一に設けているので、剥離性が良い。更に、基材１０の全体に略均一に設けられた複数の空隙３１、３２、３３とそれを囲む非粘着領域が設けられているので、きっかけ部材５０も基材１０の下面１０Ｂに対して略均一に挿入することができ、未剥離の部分が生じにくい。
本実施形態においては、例えば、第２円環部１３は、空隙３１と空隙３２に臨む領域にそれぞれ非粘着領域４３ａと４３ｂが設けられているが、これに限らず、一方のみに設けても良い。剥離性が充分なところは適宜、非粘着領域４０を設けなくてもよい。
支持基板１０２の剥離方法は、第１実施形態と同様に、きっかけ部材５０のみ用いて支持基板１０２を剥離してもよく、付勢部材７０で押さえながらきっかけ部材５０を用いて支持基板１０２を剥離してもよい。支持基板１０２は、複数の空隙３１、３２、３３を有すると共に複数の非粘着領域４１、４２、４３ａ、４３ｂ、４４、４５ａ、４５ｂ、４６を有しているので、非粘着領域の様々な位置に様々な角度からきっかけ部材５０を挿入できる。
例えば、第２円環部１３及び第３円環部１５は、内側面１３ａ、１５ａ側や外側面１３ｂ、１５ｂ側から、適宜きっかけ部材５０を挿入することができる。第２円環部１３及び第３円環部１５は、内側面１３ａ、１５ａ側からきっかけ部材５０を挿入することもできるが、内側面１３ａ、１５ａより広い外側面１３ｂ、１５ｂ側の方がきっかけ部材５０の挿入箇所が広く、挿入し易い。第１径部１２、第２径部１４、及び第３径部１６の場合は、両側面１２ａ、１４ａ、１６ａ側から適宜挿入することができる。
付勢部材７０を用いる場合は、第１円環部１１、第２円環部１３、第３円環部１５、及び、第１径部１２、第２径部１４、第３径部１６上に略均一に配置部７１を設け、付勢部材７０で付勢すると、急激な剥離を防ぐことができウェーハ６０を傷つけずに剥離することができる。なお、本実施形態では３つの円環部を持つ例で説明したが、これに限定されず、円環部は３つ以上あってもよく、それに伴い径部もさらに多く設けてもよい。
本実施形態における上記以外の構成、動作及び効果は、第１の実施形態と同様である。
（第３の実施形態）
図１２は、第３の実施形態における構造体を示す平面図である。図１２に示すように、本実施形態においては、第２の実施形態と同様に、支持基板１０３の基材１０は、同心状に、最外周の第１円環部１１から内側に向かって第５円環部１９までを有し、それらの間に第１径部１２、第２径部１４ｅ、１４ｆ、第３径部１６ｅ、１６ｆ、第４径部１８が設けられている。
例えば、第１径部１２は、構造体２０３の中心線ＸＹのＹ線の上端を０°とすると、０°、４５°、９０°、１３５°、１８０°、２２５°、２７０°、３１５°の位置に８か所設けられている。第１径部１２は、第１円環部１１の中心に向かって延びている。
第２径部１４ｅ、１４ｆは、第１径部１２及び第３径部１６ｅ、１６ｆに対してずらして設けられており、支持基板１０３の中心から見て異なる方向に設けられている。例えば、第２径部１４ｅ、１４ｆは、中心線ＸＹのＹ線の上端を０°とすると、１５°、６０°、１０５°、１５０°、１９５°、２４０°、２８５°、３３０°の位置に８か所設けられている。第２径部１４ｅは、第２円環部１３の中心に向かって延びた形状である。第２径部１４ｆは、第２円環部１３の中心に向かう方向に対して、やや反時計回りに傾斜した方向に延びている。第２径部１４ｅと第２径部１４ｆは、周方向に沿って交互に設けられている。
第３径部１６ｅ、１６ｆは、第２径部１４ｅ、１４ｆ及び第４径部１８に対してずらして設けられており、支持基板１０３の中心から見て異なる方向に設けられている。例えば、第３径部１６ｅ、１６ｆは、中心線ＸＹのＹ線の上端を０°とすると、０°、９０°、１８０°、２７０°の位置に４か所設けられている。第３径部１６ｅは、第２円環部１３の中心に向かって延びた形状である。第３径部１６ｆは、第３円環部１５の中心に向かう方向に対して、やや反時計回りに傾斜した方向に延びている。第３径部１６ｅと第３径部１６ｆは、周方向に沿って交互に設けられている。
第４径部１８は、第３径部１６ｅ、１６ｆに対してずらして設けられており、中心から見て異なる方向に設けられている。例えば、第４径部１８は、中心線ＸＹのＹ線の上端を０°とすると、７５°、１９５°、３１５°の位置に３か所設けられている。第４径部１８は、第４円環部１７の中心に向かって延びた形状である。
複数の空隙３１は、第１円環部１１と第２円環部１３の間において、両側を二つの第１径部１２に挟まれた空間である。複数の空隙３２は、第２円環部１３、第３円環部１５の間において、両側を第２径部１４ｅ、１４ｆに挟まれた空間である。複数の空隙３３は、第３円環部１５と第４円環部１７の間において、両側を第３径部１６ｅ、１６ｆに囲まれた空間である。複数の空隙３４は、第４円環部１７と第５円環部１９の間において、両側を二つの第４径部１８に囲まれた空間である。空隙３５は、第１円環部１１の中心に設けられ第５円環部１９に囲まれた空間である。
第２の実施形態と同様に、粘着層２０は、第１円環部１１、・・・、第５円環部１９、及び、第１径部１２、・・・、第４径部１８の下面１１Ｂ、・・・、１９Ｂにそれぞれ設けられている。また、非粘着領域４０も、それぞれ空隙３１、・・・、３５を臨む領域に適宜設けられている。
第３の実施形態の効果について説明する。第１円環部１１から第５円環部１９まで構成して更に多重・多径構造にし、第１径部１２、・・・、第４径部１８を中心から見て異なる方向に配置し、さらに延びる方向を変化させているので、粘着層２０を介した基材１０による支持を均一化することができ、サポート性と剥離性が良好である。
第１径部１２と第２径部１４ｅ、１４ｆ、第２径部１４ｅ、１４ｆと第３径部１６ｅ、１６ｆ、及び、第３径部１６ｅ、１６ｆと第４径部１８を、それぞれ中心から見て異なる方向に位置することにより、ウェーハ６０に生じる応力を分散させることができる。
また、空隙３１、・・・、３５の径方向の長さが第２の実施形態より更に短くなるが、きっかけ部材５０を用いるので空隙３１、・・・、３５に挿入することができ、支持基板１０３を剥離することができる。
本実施形態における上記以外の構成、動作及び効果は、第１の実施形態と同様である。
（第４の実施形態）
図１３は、第４の実施形態における構造体を示す平面図である。図１３に示すように、本実施形態に係る支持基板１０４においては、基材１０は、最外周の第１円環部１１と、第１円環部１１の内側に設けられ渦形状を成す渦状部９１を有する。
渦状部９１は、外側の端部である外端９１ｃと、内側の端部である内端９１ｄを有し、外端９１ｃから図１３において時計回りに中心に向かって渦形状を成して内端９１ｄまで繋がっている。外側の端部である外端９１ｃは、第１円環部１１の内側面１１ａに、連結部１１ｃにおいて繋がっている。渦状部９１の内側の端部である内端９１ｄは、第１円環部１１の中心近辺に配置されている。
渦状部９１の内側面９１ａ及び外側面９１ｂは、それぞれ外端９１ｃから時計回りに中心に向かって渦形状を成し、内端９１ｄの先端面を介して繋がっている。
空隙３１は、第１円環部１１の内側に設けられており、平面視において渦状部９１が設けられていない部分に形成されている。詳細には、空隙３１は、第１円環部１１の内側面１１ａと渦状部９１の外側面９１ｂが繋がった部分を一端として時計回りに徐々に中心に向かって平面視において渦状に形成され、他端は渦状部９１の内端９１ｄを囲んでいる。空隙３１は、第１円環部１１の内側面１１ａと渦状部９１の外側面９１ｂの間と、渦状部９１の外側面９１ｂと内側面９１ａの間に設けられている。ウェーハ６０の上面６０Ａを基材１０の下面１０Ｂの粘着層２０に粘着した構造体２０４においては、上面１０Ａに開口する空隙３１からウェーハ６０の上面６０Ａが視認できる。
第１円環部１１の下面と渦状部９１の下面には、それぞれ粘着層２１、９２が設けられている。
第１円環部１１の下面に設けられた粘着層２１は、環状である。粘着層２１は、連結部１１ｃの下面において渦状部９１の粘着層９２に繋がっている。
粘着層２１は、内側面２１ａと外側面２１ｂを有する。内側面２１ａは、空隙３１を臨み、第１円環部１１の内側面１１ａからやや外側に離れて設けられている。粘着層２１の内側面２１ａと第１円環部１１の内側面２１ａの間に非粘着領域４１が設けられている。すなわち、第１円環部１１の内周部の下面は、非粘着領域４１となっている。連結部１１ｃ近傍の粘着層２１には、非粘着領域４１は設けられず、渦状部９１の粘着層９２に繋がっている。
粘着層２１の外側面２１ｂは、第１円環部１１の外側面１１ｂから離れずに連なっており、非粘着領域は設けられていない。すなわち、第１円環部１１の外周部の下面には、非粘着領域は設定されていない。
渦状部９１の下面に設けられた粘着層９２は、渦状である。粘着層９２は、外端９１ｃの下面において第１円環部１１の粘着層２１と繋がっている。
粘着層９２の内側面９２ａは、平面視において渦状に設けられている。内側面９２ａは、空隙３１を臨み、渦状部９１の内側面９１ａよりやや外側に離れて設けられている。粘着層９２の内側面９２ａと渦状部９１の内側面９１ａの間に非粘着領域９３ａが設けられている。内側面９２ａの一端は、外端９１ｃのＹ軸の負方向側において第１円環部１１の粘着層２１の内側面２１ａと繋がっている。
粘着層９２の外側面９２ｂは、平面視において渦状に設けられている。外側面９２ｂは、空隙３１を臨み、渦状部９１の外側面９１ｂよりやや内側に離れて設けられている。粘着層９２の外側面９２ｂと渦状部９１の外側面９１ｂの間に非粘着領域９３ｂが設けられている。すなわち、渦状部９１の下面における幅方向両側部は、非粘着領域９３ａ及び９３ｂとなっている。外側面９２ｂの一端は、外端９１ｃのＹ軸の正方向側において第１円環部１１の粘着層２１の内側面２１ａと繋がっている。
次に、支持基板１０４の剥離方法について説明する。第１～３の実施形態と同様に、複数のきっかけ部材５０を、空隙３１を介して第１円環部１１の非粘着領域４１とウェーハ６０の上面６０Ａの間の空間８０と、渦状部９１の非粘着領域９３ａ、９３ｂとウェーハ６０の上面６０Ａの間の空間９４に、複数のきっかけ部材５０を挿入する。また、第１～３の実施形態と同様に、複数の付勢部材７０を基材１０の上面１０Ａに適宜配置して、粘着層２１、２２の表面からウェーハ６０の上面６０Ａが一気に剥離することによるウェーハ６０の破損を防ぐことができる。
以下に、第４の実施形態についての効果を説明する。本実施形態の支持基板１０４は、第１円環部１１の内側面と繋がった渦状部９１を設けている。このため、第１円環部１１をウェーハ６０から剥離すれば、渦状部９１も外端９１ｃ側から剥離が進み易く、剥離性が良い。また、渦状部９１の粘着層９２の内側面９２ａ及び外側面９２ｂが外端９１ｃから内端９１ｄまで連続しているので、きっかけ部材５０の挿入可能な部分が長く、作業性が高い。空隙３１や渦状部９１の径方向の長さを短くして渦状部９１の巻き数を多くできるので、サポート性と剥離性を共に良好にすることができる。また、空隙３１の径方向の長さが短くても、きっかけ部材５０を用いれば、支持基板１０４を容易に剥離することができる。
本実施形態における上記以外の構成、動作及び効果は、第１の実施形態と同様である。
以上説明した実施形態によれば、ウェーハから容易に剥離させることができる支持基板、ウェーハから支持基板を剥離する方法、及び、半導体装置の製造方法を実現することができる。
以上、第１～第４の実施形態を説明したが、これには限定されない。例えば、基材１０は、更に多重にした円環構造であってもよく、第１円環部１１とその内側に中心に向かって複数の第１径部１２を設けた車輪のような構造や、第１円環部１１の内側に縦横複数張り巡らせた網目状の構造にしてもよい。このような場合でも、空隙に臨んだ非粘着領域を基材の下面に適宜設ければ、当該部分に臨んだ空隙からきっかけ部材５０を挿入して、非粘着領域とウェーハ６０の上面６０Ａを相互に離隔する力を加えることができ、支持基板１０２を剥離できる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
１０…基材
１０Ａ…上面
１０Ｂ…下面
１０ｂ…外側面
１１…第１円環部
１１Ａ…上面
１１Ｂ…下面
１１ａ…内側面
１１ｂ…外側面
１１ｃ…連結部
１２…第１径部
１２Ｂ…下面
１２ａ…側面
１３…第２円環部
１３Ｂ…下面
１３ａ…内側面
１３ｂ…外側面
１４…第２径部
１４Ｂ…下面
１４ａ…側面
１４ｅ、１４ｆ…第２径部
１５…第３円環部
１５Ｂ…下面
１５ａ…内側面
１５ｂ…外側面
１６…第３径部
１６Ｂ…下面
１６ａ…側面
１６ｅ、１６ｆ…第３径部
１７…第４円環部
１８…第４径部
１９…第５円環部
２０…粘着層
２０ａ…内側面
２０ｂ…外側面
２１、２２、２３、２４、２５、２６、２７、２８、２９…粘着層
２１ａ、２３ａ、２５ａ、２７ａ、２９ａ…内側面
２１ｂ、２３ｂ、２５ｂ、２７ｂ、２９ｂ…外側面
２２ａ、２４ａ、２６ａ、２８ａ…側面
３０、３１、３２、３３、３４、３５…空隙
４０、４１、４２、４２ａ、４２ｂ、４３ａ、４３ｂ、４４、４４、４５ａ、４５ｂ、４６…非粘着領域
５０、５１…きっかけ部材
５０ａ、５１ａ…先端部
５０ａａ、５１ａａ…角部
５０ｂ…当接部
６０…ウェーハ
６０Ａ…上面
６０Ｂ…下面
６０ｂ…外側面
７０、７０ａ、７０ｂ、７０ｃ、７０ｄ、７０ｅ、７０ｆ、７０ｇ、７０ｈ…付勢部材
７１、７１ａ、７１ｂ、７１ｃ、７１ｄ、７１ｅ、７１ｆ、７１ｇ、７１ｈ…配置部
８０、８１…空間
９１…渦状部
９１ａ…内側面
９１ｂ…外側面
９１ｃ…外端
９１ｄ…内端
９２…粘着層
９２ａ…内側面
９２ｂ…外側面
９３ａ、９３ｂ…非粘着領域
９４…空間
１０１、１０２、１０３、１０４、１１１…支持基板
２０１、２０２、２０３、２０４…構造体
２２２…粘着層
５００…きっかけ部材
６００…ウェーハ

Claims (12)

  1. 厚さ方向に貫通する空隙が形成され、下面に粘着層が設けられている領域及び前記粘着層が設けられていない非粘着領域を有する基材と、前記粘着層とを含む支持基板において、前記粘着層に、ウェーハが粘着された構造体における、前記ウェーハから前記支持基板を剥離する支持基板の剥離方法であって、
    前記支持基板を前記ウェーハに向けて付勢する複数の付勢部材を、前記支持基板上に配置する工程と、
    前記複数の付勢部材のうち少なくとも１つを除去する工程と、
    前記非粘着領域と前記ウェーハによって挟まれた空間内に、前記空隙から前記付勢部材を除去した部分の下の前記空間内にきっかけ部材を挿入し、前記ウェーハ及び前記基材に接触させ、前記ウェーハと前記基材に相互に離隔する方向の力を印加する第１の挿入工程と、
    を備えた支持基板の剥離方法。
  2. 前記除去する工程と前記第１の挿入工程を、前記付勢部材が全て除去されるまで複数回実施する請求項１記載の支持基板の剥離方法。
  3. 前記配置する工程の後に行う第２の挿入工程をさらに備え、
    前記第２の挿入工程においては、前記付勢部材が配置されていない部分の下の前記空間内に、前記空隙から１以上の前記きっかけ部材を挿入し、前記ウェーハ及び前記基材に接触させ、前記ウェーハと前記基材に相互に離隔する方向の力を印加する請求項１または２に記載の支持基板の剥離方法。
  4. 厚さ方向に貫通する空隙が形成された基材と、
    前記基材の下面に設けられた粘着層と、
    を備え、
    前記基材の下面における前記空隙を臨む領域の少なくとも一部は、前記粘着層が設けられていない非粘着領域であり、
    前記基材は、前記空隙を囲む内側面を有する第１円環部と、前記第１円環部の前記内側面から内側に向かって延びる第１径部と、前記第１円環部の内側に配置され、外側面が前記第１径部と繋がった第２円環部を有し、
    前記粘着層は、前記第１円環部の下面にも設けられ、
    前記第１円環部の内周部の下面が前記非粘着領域の少なくとも一部である支持基板。
  5. 前記粘着層は、前記第１径部の下面にも設けられ、
    前記第１径部の両側部の下面が前記非粘着領域の一部である請求項４記載の支持基板。
  6. 前記粘着層は、前記第２円環部の下面にも設けられ、
    前記第２円環部の内周部及び外周部の少なくとも一部の下面が前記非粘着領域の一部である請求項４または５に記載の支持基板。
  7. 前記基材は、前記第２円環部の内側面から内側に向かって延びる第２径部をさらに有する請求項４～６のいずれか１つに記載の支持基板。
  8. 前記基材は、前記第２円環部の内側に配置され、外側面が前記第２径部と繋がった第３円環部をさらに有する請求項７記載の支持基板。
  9. 前記第１円環部の中心から見て、前記第１径部と前記第２径部は同じ方向に位置する請求項７または８に記載の支持基板。
  10. 前記第１円環部の中心から見て、前記第１径部と前記第２径部は相互に異なる方向に位置する請求項７または８に記載の支持基板。
  11. 厚さ方向に貫通する空隙が形成された基材と、
    前記基材の下面に設けられた粘着層と、
    を備え、
    前記基材の下面における前記空隙を臨む領域の少なくとも一部は、前記粘着層が設けられていない非粘着領域であり、
    前記基材は、前記空隙を囲む内側面を有する第１円環部と、前記第１円環部の前記内側面と繋がり、前記基材の厚さ方向から見た形状が渦形状である渦状部を有し、
    前記空隙は、前記渦状部が設けられていない部分に形成され、
    前記粘着層は、前記第１円環部の下面と前記渦状部の下面にも設けられ、
    前記第１円環部の内周部の下面が前記非粘着領域の少なくとも一部である支持基板。
  12. 前記粘着層は、前記第１円環部の前記下面の外縁に到達している請求項４～１１のいずれか１つに記載の支持基板。
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013175628A (ja) 2012-02-27 2013-09-05 Shin Etsu Polymer Co Ltd 半導体ウェーハ用治具の剥離装置及び半導体ウェーハの取り扱い方法
JP2015173088A (ja) 2013-08-30 2015-10-01 株式会社半導体エネルギー研究所 積層体の加工装置および加工方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2764501A (en) * 1953-06-18 1956-09-25 Perri Myrtle Sangree Supply of pressure-sensitive reinforcements for paper and the like
US4609964A (en) * 1983-10-11 1986-09-02 Coronet Paper Corporation Reinforcement for magnetic recording disk
JP3242452B2 (ja) 1992-06-19 2001-12-25 三菱電機株式会社 薄膜太陽電池の製造方法
US20070048481A1 (en) * 2005-08-30 2007-03-01 Donnarose Melvin Adhesive doily
JP4922752B2 (ja) 2006-12-28 2012-04-25 東京応化工業株式会社 孔あきサポートプレート
JP2009175587A (ja) 2008-01-28 2009-08-06 Toshiba Corp 露光装置検査用マスク、その製造方法、及び露光装置検査用マスクを用いた露光装置の検査方法
JP5970986B2 (ja) 2012-07-05 2016-08-17 富士通株式会社 ウエハー基板の製造方法
JP2016146429A (ja) 2015-02-09 2016-08-12 トヨタ自動車株式会社 半導体装置の製造方法
JP6612588B2 (ja) 2015-11-06 2019-11-27 東京応化工業株式会社 支持体分離装置及び支持体分離方法
JP6615707B2 (ja) 2016-07-05 2019-12-04 信越ポリマー株式会社 サポート治具の剥離装置及び剥離方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013175628A (ja) 2012-02-27 2013-09-05 Shin Etsu Polymer Co Ltd 半導体ウェーハ用治具の剥離装置及び半導体ウェーハの取り扱い方法
JP2015173088A (ja) 2013-08-30 2015-10-01 株式会社半導体エネルギー研究所 積層体の加工装置および加工方法

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