CN103298615A - 层叠体的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种层叠体的制造方法，其包括对层叠体块进行加工而得到层叠体的加工工序，所述层叠体块具有基板和对该基板进行加强的加强板，前述加强板由以能够剥离的方式与前述基板结合的树脂层和隔着该树脂层支撑前述基板的支撑板构成，前述层叠体块以支撑板的外形和树脂层的外形分别大于基板的外形的方式形成，前述加工工序包括：切割前述层叠体块中的前述支撑板和前述树脂层的各自的外周部，从而使前述支撑板、前述树脂层与前述基板的各自的外周边缘的整体或者局部平齐的切割工序。

Description

层叠体的制造方法
技术领域
本发明涉及层叠体的制造方法。
背景技术
对液晶显示器（LCD）、等离子体显示器面板（PDP）、有机EL显示器（OLED）等显示面板、太阳能电池、薄膜2次电池等电子设备而言，迫切需要薄型化、轻量化，用于这些电子设备的基板的薄板化正在推进。由于薄板化而导致基板的刚性变低时，基板的操作性变差。而且，由于薄板化而导致基板的厚度改变时，难以使用现有设备来制作电子设备。
因此，提出了如下方法：在基板上贴附加强板而制成层叠体块，在层叠体块的基板上形成规定的功能层（例如导电层），然后，从层叠体块的基板剥离加强板（例如，参照专利文献1）。根据该方法，能够确保基板的操作性，并且能够使用现有设备来制造薄型的电子设备。
加强板具有以能够剥离的方式与基板结合的树脂层、以及隔着树脂层支撑基板的支撑板。树脂层通过将具有流动性的树脂组合物涂布在支撑板上并使其固化而形成。树脂组合物例如为硅树脂组合物，其包含具有乙烯基的直链状聚有机硅氧烷和具有硅氢基的甲基氢聚硅氧烷，在铂催化剂的存在下加热固化。由该树脂组合物的固化物形成的树脂层的耐热性、易剥离性优异。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2007-326358号公报
发明内容
发明要解决的问题
图9示出现有的层叠体块的侧视图。层叠体块1具有基板2和对基板2进行加强的加强板3。加强板3具有以能够剥离的方式与基板2结合的树脂层4和隔着树脂层4支撑基板2的支撑板5。
层叠体块1具有由树脂组合物的涂布不均引起的、树脂层4的厚度不均6。该厚度不均6在树脂层4的外周边缘附近较为显著，有时会使结合于树脂层4的基板2变形。
另外，从耐冲击性的观点出发，层叠体块1的基板2、支撑板5进行了倒角，另外，树脂层4的外形形成得比基板2的外形小，因此侧面具有凹陷7。
层叠体块1被供给至电子设备的制造工序，导电层等功能层在基板2上进行图案形成。功能层的图案形成多使用抗蚀液等涂布液。
若涂布液通过毛细管现象而进入层叠体块1侧面的凹部7，则即使利用清洗也难以去除，干燥后容易以异物的形式残留。该异物在后工序中被加热时，会成为污染功能层等的污染源，从而使电子设备的成品率降低。
因此，为了去除凹部7、提高耐冲击性等，可以考虑预先对层叠体块1进行加工。作为加工的种类，有切割（包括熔断、割断）、倒角、研磨等，从加工效率的观点出发，优选的是，在倒角之前进行切割，使支撑板5、树脂层4和基板2的各自的外周边缘的整体或者局部平齐。
然而，若要将支撑板5、树脂层4和基板2整体进行切割，则操作性存在问题。
尤其是支撑板5和基板2两者由脆性材料构成的情况下，在支撑板5和基板2两者的表面形成沟状的切线以各切线裂开的方式对层叠体块1施加弯曲应力，将层叠体块1从两侧切割，因此操作性存在问题。
本发明是鉴于上述课题而进行的，其目的在于，提供一种层叠体的制造方法，其能够高效地制造适合于电气设备的制造的层叠体。
用于解决问题的方案
为了实现上述目的，本发明提供一种层叠体的制造方法，其包括对层叠体块进行加工而得到层叠体的加工工序，所述层叠体块具有基板和对该基板进行加强的加强板，
前述加强板由以能够剥离的方式与前述基板结合的树脂层和隔着该树脂层支撑前述基板的支撑板构成，
前述层叠体块以支撑板的外形和树脂层的外形分别大于基板的外形的方式形成，
前述加工工序包括：切割前述层叠体块中的前述支撑板和前述树脂层的各自的外周部，从而使前述支撑板、前述树脂层与前述基板的各自的外周边缘的整体或者局部平齐的切割工序。
在本发明中，优选的是，在前述切割工序的至少一部分中，用载物台支撑前述层叠体块的前述基板的主面，并且使前述层叠体块的前述基板的外周边缘与设置在前述载物台上的定位块抵接。
在本发明中，优选的是，前述支撑板由脆性材料制成，在前述切割工序中，在前述层叠体块的前述支撑板的表面形成切线后，沿着该切线将前述层叠体块的前述支撑板和前述树脂层的各自的外周部割断。
在本发明中，优选的是，前述加工工序还包括对切割前述层叠体块而得到的前述层叠体的外周部进行倒角的倒角工序。
在本发明中，优选的是，前述加工工序还包括对通过倒角而得到的前述层叠体的基板进行表面研磨的研磨工序。
发明的效果
根据本发明，能够提供一种层叠体的制造方法，其能够高效地制造适合于电气设备的制造的层叠体。
附图说明
图1是本发明的一个实施方式的层叠体的制造方法中使用的层叠体块的侧视图。
图2是切割图1的层叠体块的外周部而得到的层叠体的侧视图。
图3是对图2的层叠体的外周部进行倒角而得到的层叠体的侧视图。
图4是对图3的层叠体的基板进行表面研磨而得到的层叠体的侧视图。
图5是对载置在载物台上的层叠体块进行局部透视而显示的俯视图。
图6是将载置在载物台上的层叠体块和加工头局部破断而显示的侧视图。
图7是表示载置在其它载物台上的层叠体块和夹持夹具的侧视图。
图8是表示图1的层叠体块的变形例的侧视图。
图9是现有的层叠体块的侧视图。
具体实施方式
以下，参照附图对用于实施本发明的方式进行说明，各图中，对相同的构成赋予相同的标记。
（层叠体）
图1是本发明的一个实施方式的层叠体的制造方法中使用的层叠体块的侧视图。
如图1所示那样，层叠体块10具有基板20和对基板20进行加强的加强板30。加强板30由以能够剥离的方式与基板20结合的树脂层32和隔着树脂层32支撑基板20的支撑板34构成。
层叠体块10在加工后用于制造具有基板20作为制品结构的一部分的制品。加强板30在制品的制造工序过程中从基板20剥离，不会成为制品结构的一部分。作为制品，例如可列举出显示面板、太阳能电池、薄膜2次电池等电子设备。
层叠体块10使用对现有基板（未利用加强板进行过加强的基板）进行处理的处理设备制造电子设备，因此可以具有与现有的基板大致相同的厚度。以下，基于图1对各构成进行说明。
（基板）
基板20为电子设备用的基板。基板20的表面在电子设备的制造工序中形成规定的功能层（例如导电层）。功能层的种类根据电子设备的种类进行选择，也可以在基板20上依次层叠多个功能层。
对基板20的种类没有特别限定，例如可列举出玻璃基板、陶瓷基板、树脂基板、金属基板、半导体基板等。这些之中，优选玻璃基板。这是因为玻璃基板的耐化学药品性、耐透湿性优异，且线膨胀系数小。线膨胀系数大时，由于电子设备的制造工序多伴有加热处理，因此容易产生各种不良情况。例如，将在加热下形成有TFT（薄膜晶体管）的基板20冷却时，由于基板20的热收缩，TFT的位置偏移有可能变得过大。
作为玻璃基板的玻璃，没有特别限定，例如可列举出无碱玻璃、硼硅酸玻璃、钠钙玻璃、高硅玻璃、其它以氧化硅为主要成分的氧化物系玻璃等。作为氧化物系玻璃，优选以氧化物换算的氧化硅含量为40～90质量%的玻璃。
作为玻璃基板的玻璃，可采用适合于电子设备的种类、其制造工序的玻璃。例如，液晶面板用的玻璃基板由实质上不含碱金属成分的玻璃（无碱玻璃）形成。这样，玻璃基板的玻璃基于所应用的电子设备的种类及其制造工序而进行适当选择。
作为电子设备的特性，在要求柔性的情况下，作为基板20，可使用树脂基板。树脂基板的树脂可以是结晶性树脂，也可以是非结晶性树脂，没有特别限定。
作为上述结晶性树脂，例如可列举出属于热塑性树脂的聚酰胺、聚缩醛、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或间规聚苯乙烯（syndiotactic polystyrene）等，在热固化性树脂中可列举出聚苯硫醚、聚醚醚酮、液晶聚合物、氟树脂或聚醚腈等。
作为上述非结晶性树脂，例如可列举出属于热塑性树脂的聚碳酸酯、改性聚苯醚、聚环己烯或聚降冰片烯系树脂等，在热固化性树脂中可列举出聚砜、聚醚砜、聚芳酯、聚酰胺酰亚胺、聚醚酰亚胺、或热塑性聚酰亚胺。
作为树脂基板的树脂，特别优选非结晶性的热塑性树脂。
基板20的厚度根据基板20的种类来设定。例如，在玻璃基板的情况下，为了电子设备的轻量化、薄板化，优选为0.7mm以下，更优选为0.3mm以下，进一步优选为0.1mm以下。
基板20的外周面如图1所示，形成为相对于基板20的主面垂直的面。由此，可以防止基板20和树脂层32之间形成间隙，在后述的倒角工序中，可以抑制间隙的周围缺损。
（树脂层）
树脂层32与基板20密合时，会防止基板20的位置偏移直至进行剥离操作为止。树脂层32通过剥离操作而容易地从基板20剥离。通过容易地剥离，可以防止基板20的破损，另外，可以防止不期望的位置处的剥离。
树脂层32以其与支撑板34的结合力相对高于其与基板20的结合力的方式形成（形成方法的详细内容见后述）。由此，在进行剥离操作时，可以防止层叠体块10在不期望的位置处发生剥离。
树脂层32与基板20之间的初始剥离强度取决于电子设备的制造工序。例如，在基板20中使用板厚0.05mm的聚酰亚胺薄膜（DU PONT-TORAY CO.,LTD.制、Kapton200HV）时，在下述剥离试验中，初始剥离强度的下限值为0.3N/25mm、优选为0.5N/25mm、更优选为1N/25mm。另外，初始剥离强度的上限值为10N/25mm、优选为5N/25mm。此处，“初始剥离强度”是指层叠体块10刚制作结束后的剥离强度，是指在室温下测定的剥离强度。
初始剥离强度为0.3N/25mm以上时，能够充分地限制不期望的分离。另一方面，初始剥离强度为10N/25mm以下时，在修正树脂层32与基板20的位置关系时等，从基板20剥离树脂层32变得容易。
需要说明的是，剥离试验表示为以下的测定方法。
将通过以下方式得到的层叠物作为评价样品：在纵25mm×横75mm的支撑板34上的整个面形成树脂层32，将纵25mm×横50mm的基板20以支撑板34和基板20的一个纵面平齐的方式进行层叠。并且，将与该样品的基板20的树脂层侧的面相对的面用双面胶带固定在检查台的端部，然后使用数字测力计垂直地提拉突出的支撑板（25×25mm）的中央部，测定剥离强度。
树脂层32与基板20之间的加热后的剥离强度虽因电子设备的制造工序而异，但在上述剥离试验中例如优选为8.5N/25mm以下，更优选为7.8N/25mm以下，进一步优选为4.5N/25mm以下。此处，“加热后的剥离强度”是指将树脂层32以350℃（相当于构成薄膜晶体管的非晶硅层的形成温度）进行加热后在室温下测定的剥离强度。
加热后的剥离强度为0.3N/25mm以上时，能够充分地抑制不期望的分离。另一方面，加热后的剥离强度为10N/25mm以下时，从基板20剥离树脂层32变得容易。
对树脂层32的树脂没有特别限定。例如，作为树脂层32的树脂，可列举出丙烯酸系树脂、聚烯烃树脂、聚氨酯树脂、聚酰亚胺树脂、硅树脂、聚酰亚胺硅树脂等。也可以将几种树脂混合使用。其中，从耐热性、剥离性的观点出发，优选为硅树脂、聚酰亚胺硅树脂。
对树脂层32的厚度没有特别限定，优选为1～50μm、更优选为5～30μm、进一步优选为7～20μm。通过将树脂层32的厚度设为1μm以上，在气泡、异物混入树脂层32与基板20之间的情况下，可以抑制基板20的变形。另外，通过将树脂层32的厚度设为5μm，从洁净室内容易产生的数μm数量级的异物（因纤维、树脂的固化不均而产生的异物）容易被埋入树脂层32中的观点来看是优选的。另一方面，树脂层32的厚度为50μm以下时，能够缩短树脂层32的形成时间，进而不会过量使用树脂层32的树脂，因此是经济的。
树脂层32的外形形成得比基板20的外形大。由此，能够在树脂层32的平坦部分贴附基板20，能够降低基板20的变形。为了充分地降低基板20的变形，优选不在树脂层32的外周边缘～15mm以内（更优选为20mm以内、最优选为25mm以内）的区域粘附基板20。这是因为，在树脂层32的外周边缘～15mm以内的区域内，由树脂组合物的涂布不均引起的厚度不均12显著。
（支撑板）
支撑板34隔着树脂层32支撑基板20进行加强。支撑板34会防止电子设备的制造工序中的基板20的变形、损伤、破损等。
对支撑板34的种类没有特别限定，例如可以使用玻璃板、陶瓷板、树脂板、半导体板、金属板、玻璃/树脂复合板等。支撑板34的种类根据电子设备的种类、基板20的种类等进行选择，与基板20的种类相同时，支撑板34和基板20的热膨胀差小，因此能够抑制因加热而产生翘曲。
支撑板34和基板20的平均线膨胀系数之差（绝对值）根据基板20的外形等而适当设定，例如优选为35×10-7/℃以下。此处，“平均线膨胀系数”是指50～300℃的温度范围内的平均线膨胀系数（JIS R3102:1995）。
对支撑板34的厚度没有特别限定，为了使层叠体块10适合于现有的处理设备，优选为0.7mm以下。另外，为了对基板20进行加强，支撑板34的厚度优选为0.4mm以上。支撑板34可以比基板20厚，也可以比其薄。
支撑板34的外形形成得比基板20的外形大，形成得与树脂层32的外形相同，或者比树脂层32的外形大。
（层叠体块的制造方法）
作为制造层叠体块10的方法，有以下方法：（1）在支撑板34上涂布具有流动性的树脂组合物，使其固化而形成树脂层32后，在树脂层32上压接基板20的方法；（2）在规定的基材上涂布具有流动性的树脂组合物，使其固化而形成树脂层32后，将树脂层32从规定的基材上剥离，以薄膜的形态夹持在基板20与支撑板34之间并压接的方法；（3）在基板20与支撑板34之间夹持树脂组合物，使其固化而形成树脂层32的方法等。
在上述（1）的方法中，树脂组合物固化时，树脂组合物与支撑板34相互作用，因此支撑板34与树脂层32的结合力容易变得高于树脂层32与基板20的结合力。
上述（2）的方法在树脂层32压接后对基板20的结合力低、树脂层32压接后对支撑板34的结合力高的情况下是有效的。也可以在与树脂层32接触前，对基板20或支撑板34的表面进行表面处理，从而使其与树脂层32的压接后的结合力存在差异。
上述（3）的方法在树脂组合物固化后对基板20的结合力低、树脂组合物固化后对支撑板34的结合力高的情况下是有效的。也可以在与树脂组合物接触前，对基板20或支撑板34的表面进行表面处理，从而使树脂组合物的固化后结合力存在差异。
在上述（1）～（3）的方法中，对树脂组合物的种类没有特别限定。例如，树脂组合物虽根据固化原理而分为缩合反应型、加成反应型、紫外线固化型、电子射线固化型，但均可使用。在它们之中优选加成反应型。这是因为固化反应的容易程度、形成树脂层32时剥离性的程度良好，耐热性也高。
另外，树脂组合物虽根据形态而分为溶剂型、乳液型、无溶剂型，但均可使用。在它们之中优选无溶剂型。其理由是生产率、环境特性的方面优异。另外，其理由在于在形成树脂层32时的固化时、即加热固化、紫外线固化或电子射线固化时不含有产生发泡的溶剂，因而树脂层32中不易残留气泡。
作为加成反应型且无溶剂型的硅树脂组合物，有包含具有乙烯基的直链状聚有机硅氧烷和具有硅氢基的甲基氢聚硅氧烷的组合物。该硅树脂组合物在铂催化剂的存在下加热固化，成为硅树脂层。
树脂组合物的涂布方法例如有喷涂法、模涂法、旋涂法、浸涂法、辊涂法、棒涂法、丝网印刷法、凹版涂布法等。这些涂布方法根据树脂组合物的种类而适当选择。
树脂组合物的涂覆量根据树脂组合物的种类等而适当选择。例如，在上述硅树脂组合物的情况下，优选为1～100g/m2、更优选为5～20g/m2。
树脂组合物的固化条件根据树脂组合物的种类等而适当选择。例如，作为上述硅树脂组合物，相对于直链状聚有机硅氧烷和甲基氢聚硅氧烷的总量100质量份配混2质量份的铂系催化剂时，在大气中的加热温度为50℃～250℃、优选为100℃～200℃。另外，此时的反应时间为5～60分钟、优选为10～30分钟。树脂组合物的固化条件为上述的反应时间的范围和反应温度的范围时，不会同时发生硅树脂的氧化分解，不会生成低分子量的有机硅成分，硅迁移性不会变高。
在上述（1）和（2）的方法中，压接优选在洁净度高的环境下实施。作为压接的方式，有辊式、压制式（press）等。实施压接的气氛可以是大气压气氛，但为了抑制气泡的混入，优选为减压气氛。实施压接的温度可以是高于室温的温度，但为了防止树脂层32的劣化，优选为室温。
（层叠体的制造方法）
层叠体的制造方法包括对层叠体块10进行加工而得到层叠体的加工工序。
图2是切割图1的层叠体块的外周部而得到的层叠体的侧视图。在图2中，对层叠体块进行加工而去除的部分的形状用2点虚线表示。图3是对图2的层叠体的外周部进行倒角而得到的层叠体的侧视图。在图3中，倒角前的状态用2点虚线表示。图4是对图3的层叠体的基板进行表面研磨而得到的层叠体的侧视图。在图4中，表面研磨前的状态用2点虚线表示。
加工工序包括：切割层叠体块10的外周部而得到层叠体10A的切割工序（参照图2）；对层叠体10A的外周部进行倒角而得到层叠体10B的倒角工序（参照图3）；以及对层叠体10B的基板进行表面研磨而得到层叠体10C的研磨工序（参照图4）。研磨工序后得到的层叠体10C根据需要进行清洗、干燥后，被供给至电子设备的制造工序。
切割工序是为了提高倒角工序的加工效率而切割层叠体块10的外周部，使支撑板、树脂层与基板的各自的外周的整体或者局部平齐的工序。此处，“使支撑板、树脂层与基板的各自的外周的整体或者局部平齐”是指：俯视层叠体10A时，支撑板、树脂层与基板的各自的外周的整体或者局部重合。
在本实施方式的切割工序中，层叠体块10中的支撑板34和树脂层32的各自的外周部被切割，成为支撑板34A和树脂层32A。由此，如图2所示那样，支撑板34A、树脂层32A与基板20的各自的外周边缘的整体或者局部平齐。因此，基板20的外周部未被切割，从而切割工序的操作性提高。其中，切割工序的详细内容见后述。
通过切割而得到的层叠体10A具有基板20和对基板20进行加强的加强板30A。加强板30A由以能够剥离的方式与基板20结合的树脂层32A和隔着树脂层32A支撑基板20的支撑板34A构成。
倒角工序是为了提高耐冲击性而对层叠体10A的外周部进行倒角的工序。在该工序中，基板20、树脂层32A和支撑板34A的各自的外周部被磨削，成为基板20B、支撑板34B和树脂层32B。
倒角如下进行：例如，在将圆板状的磨石的外周面抵接于层叠体10A的外周部的状态下，边使磨石沿着层叠体10A的外周部移动，边使磨石在磨石的中心轴的周围旋转。倒角可以是R倒角，也可以是C倒角，对倒角的种类没有限制。层叠体10A的外周部之中，实施倒角的部分可以包含外周平齐的部分，也可以包含外周不平齐的部分。
通过实施倒角，在研磨工序中，还可以降低基板20B、研磨垫受损。为了防止基板20B、研磨垫受损，另外，为了提高耐冲击性，优选对层叠体10A的外周部整体进行倒角，此时，优选的是，在切割工序中预先使支撑板34A、树脂层32A与基板20的各自的外周整体平齐。
通过倒角而得到的层叠体10B具有基板20B和对基板20B进行加强的加强板30B。加强板30B由以能够剥离的方式与基板20B结合的树脂层32B和隔着树脂层32B支撑基板20B的支撑板34B构成。
研磨工序是为了提高基板表面的平坦度而对通过倒角而得到的层叠体10B的基板20B进行表面研磨的工序。在该工序中，基板20B被表面研磨，从而成为基板20C。
在研磨工序中，由于基板20B上贴附有加强板30B，因此基板20B的变形受到抑制。对基板20B进行表面研磨的方法根据基板20B的种类而选择。例如，在玻璃基板的情况下，进行使用氧化铈磨料的研磨。
通过研磨而得到的层叠体10C具有基板20C和对基板20C进行加强的加强板30B。加强板30B由以能够剥离的方式与基板20B结合的树脂层32B和隔着树脂层32B支撑基板20C的支撑板34B构成。
需要说明的是，在本实施方式中，加工工序包括切割工序、倒角工序以及研磨工序，但本发明不限于此。即，加工工序至少包括切割工序即可，也可以不包括倒角工序、研磨工序。
接着，基于图5～图7对切割工序的详细内容进行说明。图5是对载置在载物台上的层叠体块进行局部透视而显示的俯视图，图6是将载置在载物台上的层叠体块和加工垫局部破断而显示的侧视图，图7是表示载置在其它载物台上的层叠体块和夹持夹具的侧视图。
如图5所示那样，在切割工序中，用载物台50支撑层叠体块10的基板20的主面，并且使层叠体块10的基板20的外周边缘与设置在载物台50上的定位块51～53抵接。
例如，用载物台50的上表面支撑基板20的下表面，使矩形的基板20的相互垂直的2条边21、22与定位块51～53抵接。其后，移动块54、55从箭头方向接近基板20的剩余各边23、24，并与其抵接。
这样，在切割工序的至少一部分（例如，后述的形成切线36的工序）中，若基板20的外周边缘与定位块51～53抵接，则基板20的外周边缘与载物台50的对齐精度变得良好。因此，基板20的外周边缘与支撑板34A和树脂层32A的外周边缘可以精度良好地平齐。
接着，用真空泵等对载物台50的上表面设置的多个吸附孔内进行减压，基板20被吸附在载物台50的上表面。为了保护基板20，也可以在载物台50的上表面设置树脂薄膜等。
接着，摄像装置对载物台50上的层叠体块10进行摄像。所拍摄的图像被发送至计算机。计算机对所接收的图像进行图像处理，检测基板20的外周边缘和载物台50的位置关系。
接着，计算机基于图像处理的结果而使加工层叠体块10的加工头60相对于载物台50进行相对移动。加工头60的移动轨迹控制为俯视时与基板20的外周边缘重合。
需要说明的是，在本实施方式中，计算机为了控制加工头60的移动轨迹而利用了图像处理的结果，但也可以利用预先记录在硬盘等记录介质等中的关于基板20的形状尺寸的信息来取而代之。此时，不需要摄像装置。
加工头60根据支撑板34的种类、厚度等来构成。例如，支撑板34由玻璃、陶瓷、半导体等脆性材料构成时，加工头60如图6所示那样为在支撑板34的表面形成切线36的设备，由切刀62等构成。
切刀62例如为圆板状，外周部由金刚石、超钢合金等形成，由保持架64以可旋转的方式支撑。在将切刀62的外周部向支撑板34的表面按压的状态下使保持架64向支撑板34的面内方向相对移动时，切刀62边旋转边在支撑板34的表面形成切线36。切线36与矩形的基板20的4条边21～24相对应地设置4根，以俯视时分别与基板20的对应边重合的方式形成。各切线36以分割支撑板34的表面的方式从支撑板34的一边延伸至其它边。
需要说明的是，本实施方式的加工头60由切刀62等构成，但也可以由激光光源等构成。激光光源向支撑板34的表面照射点光（spot light）。点光在支撑板34的表面上扫描，通过热应力形成切线36。
需要说明的是，本实施方式的加工头60在支撑板34的表面形成切线36，但本发明不限于此。例如，在支撑板34由树脂构成时，加工头60为将支撑板34和树脂层32分割的工具即可，此时，由刀等构成。另一方面，支撑板34由玻璃、树脂、金属等熔点较低的材料构成时，加工头60为熔断支撑板34和树脂层32的工具即可，此时，由热源（例如激光光源）等构成。
利用加工头60形成切线36后，真空泵停止运转，吸附孔内向大气开放，吸附解除。接着，移动块54、55离开基板20，并且基板20离开定位块51～53。其后，从载物台50向上方提拉层叠体块10，并转移至其他载物台70的上方。接着，层叠体块10向下方下降而载置在载物台70上。
接着，如图7所示那样，用真空泵等对载物台70的上表面设置的多个吸附孔内进行减压，使基板20吸附在载物台70的上表面。在该状态下，载物台70的外侧有1根切线36露出。
接着，比1根切线36更外侧的部分在板厚方向上被夹持夹具72所夹持。在该状态下，夹持夹具72向下方转动时，对支撑板34和树脂层32施加弯曲应力，从而裂纹37以1根切线36为起点向板厚方向伸展，从而将支撑板34和树脂层32一同割断。
接着，载物台50上的基板20的吸附被解除，层叠体块10在平行移动或转动90°后，再次被吸附。其后，沿着另一根切线36割断支撑板34和树脂层32。重复该操作，支撑板34和树脂层32沿着4根切线36割断。
需要说明的是，在本实施方式中，为了进行割断，层叠体块10从载物台50被转移至其它载物台70，但也可以在同一载物台50上进行平行移动或旋转90°后再进行割断。
（电子设备的制造方法）
制造电子设备的方法包括：在层叠体10C的基板上形成规定的功能层（例如导电层）的形成工序；以及从形成有规定的功能层的基板上剥离加强板的剥离工序。需要说明的是，也可以使用层叠体10A、层叠体10B来代替层叠体10C。
在形成工序中，作为形成规定的功能膜的方法，例如可以使用光刻法、蚀刻法、蒸镀法等。另外，为了对功能层进行图案形成，可以使用抗蚀液等涂布液。
在剥离工序中，作为从基板上剥离加强板的方法，例如，可以使用以下方法：在构成加强板的树脂层与基板之间刺入剃刀等，形成间隙后，将基板侧与支撑板侧拉开。
在制造电子设备的方法中，在剥离工序之后，还可以包括在基板、功能层上层叠其它功能层的工序。
另外，制造电子设备的方法也可以是以下方法：使用形成有规定的功能层的2组层叠体10C，组装电子设备，其后，从2组层叠体10C的基板上分别剥离加强板的方法。
接着，对电子设备的制造方法的具体例子进行说明。
液晶显示器（LCD）的制造方法例如包括以下工序：在层叠体的基板上形成TFT等，从而制作TFT基板的TFT基板制作工序；以及在其它层叠体的基板上形成CF等，从而制作CF基板的CF基板制作工序。另外，液晶面板的制造方法包括以下工序：在TFT基板与CF基板之间密封液晶材料的组装工序；以及，从各层叠体的基板剥离加强板的剥离工序。
在TFT基板制作工序、CF基板制作工序中，作为形成TFT（薄膜晶体管）、CF（彩色滤光片）的方法，例如可以使用光刻法、蚀刻法等。另外，为了对TFT、CF等进行图案形成，可以使用抗蚀液作为涂布液。
需要说明的是，也可以在TFT基板制作工序、CF基板制作工序之前清洗层叠体的基板表面。作为清洗方法，可以使用公知的干式清洗、湿式清洗。
在组装工序中，液晶材料被注入到TFT基板与CF基板之间。作为注入液晶材料的方法，有减压注入法、滴加注入法。
在减压注入法中，例如，首先，通过密封材料和间隔材料来贴合TFT基板和CF基板，制作大型面板。此时，以TFT、CF配置在内侧的方式制作大型面板并切割成多个单元。接着，使各单元的内部处于减压气氛，从注入孔向各单元的内部注入液晶材料后，注入孔被封装。接着，向各单元贴附偏光板，组装背光灯等，由此制作液晶显示器。
在滴加注入法中，例如，首先，向TFT基板和CF基板中任一者滴加液晶材料，其后，通过密封材料和间隔材料来贴合TFT基板和CF基板，制作大型面板。此时，以TFT、CF被配置在内侧的方式制作大型面板。其后，大型面板被切割成多个单元。接着，向单元贴附偏光板，组装背光灯等，由此制作液晶显示器。
剥离工序也可以在TFT基板制作工序、CF基板制作工序之后且组装工序之前进行，还可以在组装工序的过程中进行。剥离工序在基于减压注入法的组装工序的过程中进行时，可以在制作大型面板后且将大型面板切割成多个单元之前进行，也可以在向各单元密封液晶材料后且向各单元贴附偏光板之前进行。另外，剥离工序在基于滴加注入法的组装工序的过程中进行时，可以在制作大型面板后且将大型面板切割成多个单元之前进行，也可以在将大型面板切割成多个单元之后且向各单元贴附偏光板之前进行。
有机EL显示器（OLED）的制造方法例如包括以下工序：在层叠体的基板上形成有机EL元件的有机EL元件形成工序；将形成有有机EL元件的基板和对向基板贴合的贴合工序；以及从层叠体的基板剥离加强板的剥离工序。
在有机EL元件形成工序中，作为形成有机EL元件的方法，例如可以使用光刻法、蒸镀法等。另外，为了对有机EL元件进行图案形成，可以使用抗蚀液作为涂布液。有机EL元件例如由透明电极层、空穴传输层、发光层、电子传输层等形成。
需要说明的是，在有机EL元件形成工序之前，根据需要，也可以清洗层叠体的基板表面。作为清洗方法，可以使用公知的干式清洗、湿式清洗。
在贴合工序中，形成有有机EL元件的基板被切割成多个单元，各单元贴附有对向基板，从而制作有机EL显示器。
剥离工序例如可以在有机EL元件形成工序之后且贴合工序之前进行，也可以在贴合工序的过程中或之后进行。
太阳能电池的制造方法例如包括以下工序：在层叠体的基板上形成太阳能电池元件的太阳能电池元件形成工序；以及，从层叠体的基板剥离加强板的剥离工序。
在太阳能电池元件形成工序中，作为形成太阳能电池元件的方法，例如可以使用光刻法、蒸镀法等。另外，为了对太阳能电池元件进行图案形成，可以使用抗蚀液作为涂布液。太阳能电池元件例如由透明电极层、半导体层等形成。
剥离工序例如在太阳能电池元件形成工序之后进行。
以上，对用于实施本发明的实施方式进行了说明，但本发明不限定于上述实施方式，可以不脱离本发明的范围地对上述的实施方式施加各种变形和置换。
例如，在图1所示的层叠体块10中，基板20的侧面形成为相对于基板20的主面垂直的面，但本发明不限于此。例如，如图8所示的层叠体块110那样，基板120的侧面也可以倒角得较圆。在图8所示的层叠体块110中，处于层叠体块110的侧面的凹部112在切割工序之后还有一定程度的残留，因此通过倒角工序去除凹部112。
详细并参照特定的实施方式对本发明进行了说明，但本领域技术人员清楚，可以不脱离本发明的范围和主旨地对本发明进行各种修正、变更。
本申请基于2010年12月28日申请的日本专利申请2010-293248，将其内容作为参照而援引至此。
附图标记说明
10             层叠体块
10A、10B、10C  层叠体
20             基板
21～24         基板的外周边缘（基板的4条边）
30、30A        加强板
32、32A        树脂层
34、34A        支撑板
50             载物台
51～53         定位块
70             载物台
72             夹持夹具

Claims (5)

1.一种层叠体的制造方法，其包括对层叠体块进行加工而得到层叠体的加工工序，所述层叠体块具有基板和对该基板进行加强的加强板，
所述加强板由以能够剥离的方式与所述基板结合的树脂层和隔着该树脂层支撑所述基板的支撑板构成，
所述层叠体块以支撑板的外形和树脂层的外形分别大于基板的外形的方式形成，
所述加工工序包括：切割所述层叠体块中的所述支撑板和所述树脂层的各自的外周部，从而使所述支撑板、所述树脂层与所述基板的各自的外周边缘的整体或者局部平齐的切割工序。
2.根据权利要求1所述的层叠体的制造方法，其中，在所述切割工序的至少一部分中，用载物台支撑所述层叠体块的所述基板的主面，并且使所述层叠体块的所述基板的外周边缘与设置在所述载物台上的定位块抵接。
3.根据权利要求1或2所述的层叠体的制造方法，其中，所述支撑板由脆性材料制成，
在所述切割工序中，在所述层叠体块的所述支撑板的表面形成切线后，沿着该切线将所述层叠体块的所述支撑板和所述树脂层的各自的外周部割断。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的层叠体的制造方法，其中，所述加工工序还包括对切割所述层叠体块而得到的所述层叠体的外周部进行倒角的倒角工序。
5.根据权利要求4所述的层叠体的制造方法，其中，所述加工工序还包括对通过倒角而得到的所述层叠体的基板进行表面研磨的研磨工序。
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