CN1469689A - El器件密封板、多密封板—制造母玻璃基板及el器件 - Google Patents
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Abstract
一种EL器件，其具有足以抵制外部压力的强度并能有效地防止潮气和氧渗入EL器件，由此具有延长的寿命。有机EL器件200由基板1、形成在基板1上的有机EL多层膜2、以及用粘接剂4连接到基板上以便覆盖E1多层膜2的密封板31构成。密封板31是无凸缘型的，其中周边突起部分的宽度不小于在这些周边突起部分处的厚度，并且不小于0.7mm。
Description
技术领域
本发明涉及EL(场致发光)器件密封板、用于制造多个EL器件密封板的多密封板-制造母玻璃基板及EL器件，特别涉及具有周边突起部分并覆盖形成在EL器件基板上的EL多层膜的无凸缘EL器件密封板、用于制造多个EL器件密封板的多密封板-制造母玻璃基板、以及EL器件。
背景技术
EL器件一般由透明基板、形成在基板上的EL多层膜以及通过连接材料等连接到基板上以便密封地覆盖EL多层膜的EL密封板构成
例如，在日本特许公开专利公报(Kokai)No.2000-156287、日本特许公开专利公报(Kokai)No.2000-195662、日本特许公开专利公报(Kokai)No.2000-260562、日本特许公开专利公报(Kokai)No.2001-167875以及日本特许公开专利公报(Kokai)No.2001-176655中提出的第一现有技术的EL器件中，在密封EL多层膜的空间中设置吸收剂以吸收经常从外部渗入这个空间中的潮气和氧。
而且，在如日本特许公开专利公报(Kokai)No.11-40354中提出的第二现有技术的EL器件中，在EL多层膜本身上设置保护膜。
此外，如在日本特许公开专利公报(Kokai)No.10-172757中提出的第三现有技术的El器件中，通过在要被连接的部分的外周边周围设置低熔点金属，然后熔化低熔点金属，由此密封EL多层膜；如在日本特许公开专利公报(Kokai)No.2001-92376中提出的第四现有技术的EL器件中，通过在要密封的部分的外周边周围设置金属如Cr，然后用激光瞬时加热该金属使其熔化，因而连接部分，由此密封EL多层膜。而且，有人还提出了这样一种EL器件，其中在要连接的部分之间设置间隔物，然后进行包括间隔物的连接，由此在EL多层膜中进行密封。
如上所述，第一到第四现有技术都是用于解决由于从EL器件外部渗入的潮气和氧而造成EL多层膜退化的问题。
另一方面，El器件密封板可由金属、玻璃、树脂等构成。在玻璃EL器件密封板的情况下，将原始(starting)材料玻璃板加工成凹槽形状以制造玻璃EL器件密封板的方法包括其中弯曲原始材料玻璃板本身的压制法、以及除去原始材料玻璃板的中心部分的喷砂法和刻蚀法。在喷砂法或刻蚀法中，原始材料玻璃板的周边部分被掩敝(mask)，然后中心部分被喷砂或刻蚀以在中心部分形成凹槽部分。
而且，利用上述第一到第四现有技术，虽然可以防止潮气和氧渗入EL器件，但是没有考虑要连接到EL器件的基板上的密封板的部分的区域，并且这个区域是不够的。
而且，利用上述压制法，与其中使用密封板的EL器件的基板接触的密封板的部分，即连接到基板上的部分是凸缘形状的，因此其面积可以制成足够高，但是这些部分具有底平坦度，而且在制造EL器件时用粘接剂将这些部分连接到基板上时，粘接剂的厚度不均匀，因此潮气和氧经过这些连接部分很容易渗入EL器件中。
此外，利用上述喷砂法，在密封板中会出现喷砂法固有的大量微小裂纹，因此密封板的强度下降。特别是，在使用密封板的EL器件是用在移动电话等中的顶部发射型EL器件的情况下，密封板将受到外部压力，因此要求密封板必须具有抵制这种外部压力的足够的强度。
发明内容
本发明的第一目的是提供一种EL器件密封板以及用于制造多个这种EL密封板的多密封板-制造母玻璃基板，这种密封板可确保足够的连接面积，因此允许提高抵制外部压力的强度增加。
本发明的第二目的是提供一种EL器件，其具有抵抗外部压力的足够强度并能有效地防止潮气和氧渗入EL器件中，由此具有延长的寿命。
为实现上述第一目的，在本发明的第一方面中，提供一种具有周边突起部分的无凸缘EL器件密封板，在周边突起部分的内部限定用于覆盖形成在EL器件基板上的EL多层膜的凹槽部分，该周边突起部分通过连接材料连接到基板上，其中周边突起部分的宽度不小于在周边突起部分处的厚度，并且不小于0.7mm。
根据这种结构，无凸缘EL器件密封板的周边突起部分的宽度不小于在这些周边突起部分处的厚度，因此可以提高EL器件密封板抵制外部压力的强度，并且可以减小连接材料的厚度。而且，周边突起部分的宽度不小于0.7mm，因此可以确保足够的连接区域。
优选地，周边突起部分具有不小于1.1mm的宽度。结果是，El器件密封板抵抗外部压力的强度进一步提高了，而且可以确保更大的连接区域。
还优选，EL器件密封板由玻璃制成。结果是，可以采用刻蚀法等很容易地形成凹槽部分。
更优选，采用刻蚀法形成凹槽部分。结果是，与喷砂法相比，可以更可靠地使凹槽部分的基底部分表面制成平坦形，因此可以提高EL器件密封板抵抗外部压力的强度，而且可以减少连接材料的厚度。而且，与压制法相比，可以更可靠地使周边突起部分平坦，因此可以使连接材料的厚度更均匀。
为实现第一目的，在本发明的第二方面中，提供一种多密封板-制造母玻璃基板，其包括前述第一方面所要求的EL器件密封板，这些EL器件密封板基本上形成为矩阵形状。
根据这种结构，可实现与根据第一方面的EL器件密封板相同的效果。
为实现上述第二目的，在本发明的第三方面中，提供一种EL器件，其包括EL器件基板、形成在基板上的EL多层膜、根据第一方面的EL器件密封板、以及将EL器件密封板的周边突起部分与基板连接在一起的连接部分，其中连接部分的宽度不小于0.7mm。
根据这种结构，EL器件具有根据第一方面的EL器件密封板，因此可提供具有抵制外部压力的足够强度的EL器件，而且可以确保足够的连接区域。此外，连接EL器件密封板的周边突起部分与基板的连接部分的宽度不小于0.7mm，因此可以有效地防止潮气和氧渗入EL器件中。由此可提供具有延长寿命的EL器件。
优选地，连接部分具有不小于1.1mm的宽度。结果是，可以提高结合强度。
还优选地，连接部分包括固化软材料，并且在将周边突起部分与基板连接在一起时压缩该固化软材料。结果是，由于连接部分包括固化软材料，在连接在一起时可以压制周边突起部分和基板；因此在将周边突起部分和基板连接在一起时可以压缩固化软材料，因此可以减小连接部分的厚度。
通过下列结合附图的详细说明使本发明的上述和其它目的、特点和优点更明了。
附图说明
图1是根据本发明一个实施例的其中EL器件密封板基本上形成为矩阵形状的多密封板-制造母玻璃基板的顶部平面图；
图2是具有根据本实施例的EL器件密封板的EL器件的剖面图；
图3是具有采用压制法制造的密封板32的EL器件300的剖面图；
图4是具有采用喷砂法制造的密封板33的El器件400的剖面图；
图5是表示根据上述实施例的EL器件密封板的周边突起部分的顶部平面图；和
图6是表示根据本实施例的EL器件密封板的周边突起部分的剖面图。
优选实施例
本发明人进行刻苦的研究以实现上述目的，结果发现，在具有周边突起部分的无凸缘EL器件密封板中，在该周边突起部分的内部限定用于覆盖形成在EL器件基板上的EL多层膜的凹槽部分，该周边突起部分通过连接材料连接到基板上，如果周边突起部分的宽度不小于周边突起部分处的厚度，并且不小于0.7mm，则可确保足够的连接区域，并可提高EL器件密封板抵制外部压力的强度。
而且，本发明人发现在由El器件基板、形成在基板上的EL多层膜、具有周边突起部分的无凸缘EL器件密封板、以及将周边突起部分与基板连接在一起的连接部分构成的EL器件中，在周边突起部分的内部限定用于覆盖EL多层膜的凹槽部分，如果EL器件密封板的周边突起部分的宽度不小于周边突起部分处的厚度，并且不小于0.7mm，而且，连接部分的宽度不小于0.7mm，则可提供具有抵制外部压力的足够强度并能有效地防止潮气和氧渗入的EL器件并由此具有延长寿命的EL器件。
在上述发现基础上实现了本发明。
下面参照附图详细介绍本发明的实施例。
图1是根据本发明实施例的多密封板-制造母玻璃基板的顶部平面图，其中EL器件密封板基本上形成为矩阵形状。
在图1中，长度为30cm和宽度为40cm的多密封板-制造母玻璃基板100具有以5×6矩阵形状形成在其中的玻璃EL器件密封板。
在原始材料玻璃板中以5×6矩阵形状形成这种EL器件密封板的方法是采用喷砂法、刻蚀法如湿刻蚀等方法除去原始材料玻璃板的预定部分以形成凹槽。
例如，在湿刻蚀的情况下，采用宽度为2.0mm的带状抗蚀剂掩敝第一无碱玻璃原始材料玻璃板，以便保持露出的原始材料玻璃板的部分形成为5×6矩阵形状。然后将被掩敝的原始材料玻璃板浸在刻蚀液中约10-180分钟，其中刻蚀液包括含有适量的选自硫酸、盐酸、硝酸、和磷酸的至少一种无机酸的5-50％质量百分比的氢氟酸，由此从原始材料玻璃板除去玻璃以在露出部分形成凹槽部分，在掩敝部分留下突起部分101。然后用纯水彻底清洗原始材料玻璃板，之后剥离抗蚀剂。注意表面活性剂可适当地添加到刻蚀液中。而且，优选刻蚀液含有适量的选自羧酸、二羧酸、胺、和氨基酸的一种或多种有机酸和/或碱。
由于采用上述刻蚀法除去原始材料玻璃板的预定部分以形成凹槽部分，每个EL器件密封板的凹槽部分的基底部分表面可以可靠地制成平坦的，因此可提高EL器件密封板抵制外部压力的强度。
接着，沿着使凹槽部分102互相隔开的突起部分101切割其中已经按上述那样形成5×6矩阵形状的凹槽部分的多密封板-制造母玻璃基板100。结果是，可得到30(5×6)个密封板。
在上述多密封板-制造母玻璃基板100中，EL器件密封板的设置是矩阵形状；然而，不限于此，可采用适合于由单个母玻璃基板制造多个EL器件密封板的任何设置。
而且，抗蚀剂的宽度不限于2.0mm，可以为任何宽度，只要得到的每个EL器件密封板的周边突起部分的宽度不小于在这些周边突起部分处的厚度，并且可以为约1cm的高值以确保用于切割EL器件密封板的余量。
根据图1中所示的多密封板-制造母玻璃基板100中，通过切割分离可得到多个EL器件密封板。而且，可提高EL器件密封板抵制外部压力的强度。而且，可消除一次处理一个EL器件密封板，因此可以提高EL器件密封板的制造生产率。
图2是具有根据本实施例的EL器件密封板的EL器件的剖面图。
在图2中，有机EL器件200由厚度为0.7mm的透明板形无碱玻璃基板1、形成在基板上的有机EL多层膜2、以及采用粘接剂4接到基板上以覆盖有机EL多层膜2的无碱玻璃密封板31构成。粘接剂4由紫外线固化型环氧树脂等构成。
无碱玻璃密封板31是通过从图1所示的多密封板-制造母玻璃基板100切割制造的，并具有采用上述湿刻蚀法形成的凹槽形状，因此，例如，基底部分的厚度为0.4mm，基底部分的边缘的长度(图5中的A和B)各为40mm，周边突起部分的宽度(图5中的XA1、XA2、XB1和XB2)各至少为0.7mm，并且周边突起部分处的厚度(图6中的T)为0.7mm。用于吸收潮气的分子筛粉末5(由Union Carbide Corportion制造的)施加于密封板31的基底部分的表面上。优选在干环境下或减压下进行分子筛粉末5的施加以及密封板31与基板1的结合，以便消除潮气和氧的效果。
有机EL多层膜2由形成在基板1上并由ITO制成且高度为300nm的透明导电膜21、形成在透明导电膜21的上表面上的有机EL膜22、形成在有机EL膜22的上表面上并由Mg-Ag合金制成且高度为300nm的背电极23、以及形成在基板1上并连接到背电极23且由ITO制成且高度为300nm的背电极抽取电极24构成。
有机EL膜22由空穴输运层和发光层从透明导电膜21一侧顺序设置构成，其中空穴输运层由三苯基二胺制成并且高度为70nm，发光层由羟基喹啉铝络合物制成并且高度为70nm。
在本例中，有机EL膜22由空穴输运层和发光层构成，但是由三唑、噁二唑等构成的电子输运层可进一步设置在背电极23和发光层之间。
由于密封板31是具有在其内部限定凹槽部分的周边突起部分的无凸缘型，因此可以防止密封板31与有机EL多层膜2接触。密封板31中的凹槽部分的刻蚀深度根据有机EL多层膜2的类型和厚度适当改变。结果是，有一个空间设置用于吸收已经渗入到有机EL器件200中的潮气的吸收剂如分子筛和/或吸收已经渗入到有机EL器件200中的氧的还原剂。
在上述实施例中，采用湿刻蚀法将无碱玻璃密封板31加工成凹槽形状；将这种玻璃密封板加工成凹槽形状的可能方法不仅包括刻蚀法如湿刻蚀，而且还包括其中弯曲原始材料玻璃板的压制法以及喷砂法。
在喷砂法的情况下，在得到的密封板33的基底部分表面上出现大量微小裂纹(见图4)，这是喷砂法固有的，因此密封板33的基底部分的强度下降。关于这一点，在刻蚀法的情况下，在密封板31的基底部分表面上不会出现微小裂纹，因此基底部分和密封板31的周边突起部分的强度优异；因此优选刻蚀法。而且，在刻蚀法的情况下，由于基底部分和密封板31的周边突起部分的强度很高，因此可提供具有长亮度半衰期(brightness half-life)的EL器件200。
而且，可能的刻蚀法不仅包括湿刻蚀，而且包括干刻蚀。通过干刻蚀，一次在一个密封板31上进行处理，因此虽然可以精确地进行刻蚀，但是生产率很低。另一方面，通过湿刻蚀，如果适当选择刻蚀液的成分和刻蚀温度，则可以进行批量处理，其中可以同时刻蚀多个密封板，因此生产率很高。
湿刻蚀法中使用的刻蚀液优选是5-50％质量百分比的氢氟酸，其中在该氢氟酸中添加了适量的选自硫酸、盐酸、硝酸和磷酸的至少一种无机强酸。结果是，提高了刻蚀能力。而且，表面活性剂可以适量地加入到刻蚀液中。
刻蚀液的成分及其浓度可根据刻蚀液的温度、要刻蚀的玻璃成分等适当选择。
在上述实施例中，密封板31被制成为具有形成在其中的凹槽部分的无碱玻璃密封板，以便在基底部分的厚度为0.4mm，周边突起部分的宽度至少为0.7mm。然而，根据有机EL器件200的结构，代替无碱玻璃，密封板31可由低碱玻璃、石英玻璃、钠钙玻璃等制成。而且，密封板31的基底部分的厚度优选在0.3-1.1mm范围内。这是因为如果该厚度小于0.3mm，则密封板31的基底部分的强度太低，而厚度为1.1mm时，密封板31的基底部分的强度就足够高了。密封板31的周边突起部分的宽度不小于在周边突起部分处的厚度，而且不小于0.7mm，优选不小于1.1mm。如果周边突起部分的宽度小于周边突起部分处的厚度，则周边突起部分的强度太低，而如果周边突起部分的宽度不小于周边突起部分处的厚度，则周边突起部分的强度足够高到可以保持玻璃的原始强度的程度。而且，如果周边突起部分的宽度不小于0.7mm，则可确保用于粘接剂4的足够的结合区域。
在本实施例中，EL器件密封板由玻璃制成，但是EL器件密封板可由金属、树脂等制成。
而且，在本例中，EL膜被制成为有机EL多层膜2，但是EL膜可制成为无机EL多层膜。在这种情况下，无机EL多层膜由绝缘层、发光层和绝缘层，或电子阻挡层、发光层和电流限制层按照从透明导电膜一侧的顺序叠置而成。
此外，在本例中，EL器件被制成为具有无源结构的有机EL器件200。然而，也可采用有源结构。
例子
下面介绍本发明的第一例。
采用湿刻蚀法作为凹槽部分形成方法，由1.1mm厚的原始材料玻璃板制备无碱玻璃密封板31，其中每个密封板在其内部部分上具有40mm边缘和300μm深度的方形凹槽部分，改变抗蚀剂的宽度，以使密封板31的周边突起部分的宽度如表1所示那样变化；然后如参照图2所述那样制备具有每个密封板31的有机EL器件200(例1-3，以及对比例1和2，如表1所示)。湿刻蚀法中使用的刻蚀液的温度保持在25℃。而且，当制备每个有机EL器件200测试件时，粘接剂4上的压力为980N/m2(100kg/m2)；在这个压力下不会损伤测试件密封板31。
然后评估制备的每个测试件的密封板31周边突起部分和基底部分的强度。具体而言，向每个制备的测试件的密封板31施加1960N/m2(200kg/m2)的外部压力，并且密封板的周边突起部分和基底部分的强度被评估为“满意”(即没有损伤)或“不满意”(即产生损伤)。
评估结果示于表1中。
表1
| 凹槽部分形成方法 | 周边突起部分的宽度[mm] | 强度 | ||
| 周边突起部分 | 基底部分 | |||
| 例1 | 湿刻蚀 | 1.6 | 满意 | 满意 |
| 例2 | 湿刻蚀 | 1.3 | 满意 | 满意 |
| 例3 | 湿刻蚀 | 1.1 | 满意 | 满意 |
| 对比例1 | 湿刻蚀 | 0.9 | 不满意 | 满意 |
| 对比例2 | 湿刻蚀 | 0.7 | 不满意 | 满意 |
从表1可以看出，在原始材料玻璃板的的厚度(对应在周边突起部分处的密封板31的厚度)为1.1mm的情况下，如果密封板31的周边突起部分的宽度不小于1.1mm，则密封板31抵制1960N/m2外部压力的强度是满意的。
下面介绍本发明的第二例。
采用前述喷砂法作为凹槽部分形成方法，由1.1mm厚的原始材料玻璃板制备密封板33，每个密封板在其内部具有40mm边缘和300μm深度的方形凹槽部分，用与第一例相同的方式改变抗蚀剂的宽度，以使密封板33的周边突起部分的宽度如表2所示那样变化；然后制备具有每个密封板33的有机EL器件400测试件(见图4)(例4-6，对比例3和4，如表2所示)。而且，用上述压制法作为凹槽部分形成方法，同样制备密封板32，并制备具有这种密封板32的有机EL器件300测试件(见图3)(如表2所示的对比例5)。然后与第一例相同，作为“满意”或“不满意”评估每个测试件的密封板32或33的强度。
评估结果示于表2中。
表2
| 凹槽部分形成方法 | 周边突起部分的宽度[mm] | 强度 | ||
| 周边突起部分 | 基底部分 | |||
| 例4 | 喷砂法 | 1.6 | 满意 | 满意 |
| 例5 | 喷砂法 | 1.3 | 满意 | 满意 |
| 例6 | 喷砂法 | 1.1 | 满意 | 满意 |
| 对比例3 | 喷砂法 | 0.9 | 满意 | 不满意 |
| 对比例4 | 喷砂法 | 0.7 | 满意 | 不满意 |
| 对比例5 | 压制法 | 2.0* | 不满意 | 不满意 |
*表示凸缘部分的宽度[mm]
从表2中可看出，在采用喷喷砂法和原始材料玻璃板的厚度(对应在周边突起部分处的密封板33的厚度)为1.1mm的情况下，如果密封板33的周边突起部分的宽度不小于1.1mm，则密封板33抵制1960N/m2的外部压力的强度是满意的。
而且，从表2还可以看出在采用压制法的情况下，由于密封部分不平整，如果凸缘部分的宽度为2.0mm，则密封板32抵制1960N/m2的外部压力的强度是不满意的。
比较表1和2中的结果，可以看出对于对比例3和4来说，从其基底部分损伤了密封板33，这是因为在密封板33的基底部分的表面中出现喷砂法固有的微小裂纹6，而对于对比例1和2来说，从周边突起部分损伤密封板31；因此可以看出更优选采用湿刻蚀法形成凹槽部分。
而且，从表1和2可以看出，如周边突起部分的宽度不小于1.1mm，则可以提高粘接剂4的结合强度。
下面介绍本发明的第三例。
采用表3中所示的凹槽部分形成方法，用0.7mm原始材料玻璃板制备无碱玻璃密封板，每个密封板具有在其内部的40mm边缘和300μm深度的方形凹槽部分，并具有周边突起部分，周边突起部分的宽度在周边突起部分处的厚度的约0.5-1.3倍的范围内。然后通过向密封板的周边突起部分施加由紫外线固化型环氧树脂构成的粘接剂4，从基板1一侧和密封板一侧向粘接剂4施加980N/m2(100kg/m2)的压力，并用紫外线照射，将基板1连接到每个密封板上，由此制备有机EL器件200、300、或400测试件(例7和8，以及对比例6-11，如表3所示)。
具体而言，在表3中用湿刻蚀法作为凹槽部分形成方法的情况下，采用宽度为1.4、1.0、0.9、0.83、0.7或0.6mm的带状刻蚀剂掩敝原始材料玻璃板(考虑到将发生侧向刻蚀，因此形成的周边突起部分的宽度将会小于使用的抗蚀剂的宽度)，然后将被掩敝的原始材料玻璃板浸在刻蚀液中约60分钟，其中刻蚀液由含有1.0％质量百分比的钠十二烷基苯磺酸酯的20％质量百分比的氢氟酸构成并保持在25℃，由此从原始材料玻璃板除去玻璃以形成凹槽部分102，同时留下突起部分101。然后用纯水彻底清洗原始材料薄板，之后剥离抗蚀剂，由此制备密封板31，其具有宽度是原始材料玻璃板的厚度的约0.5至1.3倍的周边突起部分。然后用上述密封板31制备有机EL器件200测试件。由于侧向刻蚀，密封板31的周边突起部分的宽度变为1.1、0.7、0.6、0.53、0.4或0.3mm(分别为例7和8以及对比例6-9)。施加于粘接剂4上的压力为980N/m2；在这个压力下不会损伤测试件密封板31。
而且，在表3采用压制法作为凹槽部分形成方法的情况下，在制备用密封板32密封的有机EL器件300时不会在粘接剂4上施加压力。
此外，在表3中采用喷砂法作为凹槽部分形成方法的情况下，在制备用密封板33密封的有机EL器件400测试件时，施加于粘接剂4的压力为490N/m2，这是因为在施加于粘接剂4的压力为980N/m2时会损伤密封板33。
然后评估制备的每个有机EL器件200、300或400测试件的密封板强度和寿命。具体而言，在10mA/cm2的驱动电流下，利用8V的驱动电压连续驱动每个有机El器件200、300或400测试件，同时向测试件的密封板的中心部分中的2cm×2cm区域施加490N/m2的压力，并评估驱动电压的增加。而且，对于例7和8以及对比例7、10和11，还测量亮度半衰期。
表3中所示的驱动电压的增加量是驱动电压必须增加的量以保持有机EL器件200、300或400测试件的亮度；在20V或更高的情况下这个增加量被评估为“大”，在低于20V的情况下为“小”。
评估结果示于表3中(注：“hr”表示“小时”)。
表3
从表3可以看出，在原始材料薄板的厚度(对应在其周边突起部分处密封板的厚度)为0.7mm的情况下，如果采用湿刻蚀并且密封板31的周边突起部分的宽度不小于0.7mm，即不小于周边突起部分处的厚度的1.0倍，则具有密封板31的有机EL器件200的亮度可以维持一个延长的时间周期。
下面介绍本发明的第四例。
与第三例相同，但是这次是用1.1mm原始材料玻璃板制备无碱玻璃密封板，每个密封板具有在其内部的40mm边缘和300μm深度的方形凹槽部分，并具有周边突起部分，周边突起部分的宽度是在周边突起部分处的厚度的约0.5-1.6倍。然后制备具有每个密封板的有机EL器件200、300或400测试件(例9和10以及对比例12-17，如表4所示)。
与在第三例中相同，评估每个有机EL器件200、300或400测试件的驱动电压的增加；而且，对于例9和10以及对比例13、16和17，还测量亮度半衰期。
测量结果示于表4中。
表4
从表4可以看出，在原始材料玻璃板的厚度(对应在其周边突起部分处密封板的厚度)为1.1mm的情况下，如果采用湿刻蚀并且密封板31的周边突起部分的宽度不小于1.1mm，即不小于周边突起部分处的厚度的1.0倍，则具有密封板31的有机EL器件200的亮度可以维持一个延长的时间周期。
Claims (8)
1、一种具有周边突起部分的无凸缘EL器件密封板，在该周边突起部分的内部限定一个用于覆盖形成在EL器件基板上的EL多层膜的凹槽部分，所述周边突起部分通过连接材料连接到基板上；
其中所述周边突起部分的宽度不小于在所述周边突起部分处的厚度，且不小于0.7mm。
2、根据权利要求1的EL器件密封板，其中所述周边突起部分的宽度不小于1.1mm。
3、根据权利要求1或2的EL器件密封板，其中EL器件密封板由玻璃制成。
4、根据权利要求3的EL器件密封板，其中凹槽部分是采用蚀刻法形成的。
5、一种包括多个权利要求1-4任一项的EL器件密封板的多密封板-制造母玻璃基板，所述EL器件密封板基本上形成为矩阵形状。
6、一种EL器件，包括：
EL器件基板；
形成在所述基板上的EL多层膜；
如权利要求1-5任一项的EL器件密封板；和
将所述EL器件密封板的周边突起部分与所述基板连接在一起的连接部分；
其中所述连接部分的宽度不小于0.7mm。
7、根据权利要求6的EL器件，其中所述连接部分的宽度不小于1.1mm。
8、根据权利要求6或7的EL器件，其中所述连接部分包括固化软材料，在将所述周边突起部分与所述基板连接在一起时，压缩所述固化软材料。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103190199A (zh) * | 2010-11-30 | 2013-07-03 | 株式会社钟化 | 有机el 装置 |
| CN105152540A (zh) * | 2015-08-28 | 2015-12-16 | 朱江明 | 3d玻璃板的制造方法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005322464A (ja) * | 2004-05-07 | 2005-11-17 | Canon Inc | 有機ｅｌ素子 |
| GB0524783D0 (en) * | 2005-12-05 | 2006-01-11 | Cambridge Display Tech Ltd | Cavity glass for light-emissive devices and a method of manufacturing the same |
| JP4755002B2 (ja) * | 2006-03-23 | 2011-08-24 | パイオニア株式会社 | 光デバイス用の封止部材の製造方法、光デバイスの製造方法、光デバイス、および光デバイス用の封止部材 |
| JP6404361B2 (ja) * | 2014-11-28 | 2018-10-10 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5130531A (en) * | 1989-06-09 | 1992-07-14 | Omron Corporation | Reflective photosensor and semiconductor light emitting apparatus each using micro Fresnel lens |
| US5535231A (en) * | 1994-11-08 | 1996-07-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optoelectronic circuit including heterojunction bipolar transistor laser and photodetector |
| JPH10172757A (ja) | 1996-12-13 | 1998-06-26 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機ｅｌ発光装置 |
| JP3304287B2 (ja) * | 1997-06-30 | 2002-07-22 | 出光興産株式会社 | 有機ｅｌ多色発光表示装置 |
| JP3846819B2 (ja) | 1997-07-18 | 2006-11-15 | カシオ計算機株式会社 | 発光素子 |
| JP2000156287A (ja) | 1998-11-20 | 2000-06-06 | Hokuriku Electric Ind Co Ltd | 有機ｅｌ素子とその製造方法 |
| JP2000195662A (ja) | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Futaba Corp | 有機ｅｌ素子及びその製造方法 |
| JP4342023B2 (ja) | 1999-03-11 | 2009-10-14 | トヨタ自動車株式会社 | 吸湿膜及び有機ｅｌ表示装置 |
| JP2001092376A (ja) | 1999-09-20 | 2001-04-06 | Denso Corp | 表示素子およびその製造方法 |
| JP2001167875A (ja) | 1999-12-07 | 2001-06-22 | Toyota Motor Corp | 有機ｅｌ素子の吸着剤保持構造 |
| JP3409762B2 (ja) | 1999-12-16 | 2003-05-26 | 日本電気株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP4944301B2 (ja) * | 2000-02-01 | 2012-05-30 | パナソニック株式会社 | 光電子装置およびその製造方法 |
| JP3620706B2 (ja) * | 2000-04-13 | 2005-02-16 | 日本精機株式会社 | 有機ｅｌパネルの製造方法 |
| JP2003100446A (ja) * | 2001-09-21 | 2003-04-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンスパネルおよびその製造方法 |
-
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103190199A (zh) * | 2010-11-30 | 2013-07-03 | 株式会社钟化 | 有机el 装置 |
| CN103190199B (zh) * | 2010-11-30 | 2016-03-02 | 株式会社钟化 | 有机el装置 |
| US9281498B2 (en) | 2010-11-30 | 2016-03-08 | Kaneka Corporation | Organic EL device |
| CN105152540A (zh) * | 2015-08-28 | 2015-12-16 | 朱江明 | 3d玻璃板的制造方法 |
| CN105152540B (zh) * | 2015-08-28 | 2018-09-11 | 深圳市汇隆源科技有限公司 | 3d玻璃板的制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JP2004022291A (ja) | 2004-01-22 |
| KR20030096058A (ko) | 2003-12-24 |
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