CN101051675A - 有机发光装置及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
提供了一种例如用在平板显示器中的有机发光装置和制造该装置的方法。该有机发光装置具有通过在其衬底的端部进行分割而形成的侧边。该三维部分沿着该侧边形成在衬底的表面上。无机密封层形成为朝着该三维部分延伸。
Description
技术领域
本发明涉及一种用于例如平板显示器的有机发光装置，以及制造该装置的方法。
背景技术
目前，具有有机场致发光(EL)器件作为自发光器件的有机发光装置由于其用作平板显示器的潜在可能而受到了越来越多的注意。有机EL器件是通过将至少第一电极、包括有机发光层的叠层、第二电极以所述顺序层叠在衬底上而获得的。该有机EL器件容易由于潮气或氧气而导致其特性劣化；痕量的潮气就会将所述叠层从电极层上剥落，而该剥落导致黑点的产生。考虑到这一点，有机EL器件覆盖了蚀刻玻璃罩，密封剂粘在所产生的结构的四周，并且在这样产生的结构的内部安放吸潮剂，从而由该吸潮剂吸收从密封表面渗透进来的潮气。由此，保证了有机EL器件的寿命。
利用该有机EL器件实现薄的、节省空间的平板显示器需要减小发光区周围的吸潮剂所占用的空间。一种用于密封有机EL器件同时消除对吸潮剂的需要的方法的例子包括将密封层层叠在第二电极上。需要高性能的密封层来防止潮气或氧气渗透到所述叠层。
已经特别建议以通过CVD方法或溅射方法获得的氮氧化硅膜、或通过层叠陶瓷和有机膜而获得的密封层作为用于有机EL器件的密封层。利用任何一种由无机材料形成的用于有机发光层的密封层都可以屏蔽潮气或氧气。
顺便提一下，在制造具有这种有机EL器件的有机发光装置时，从降低制造成本的观点来看，在一个大的衬底上制造多个有机发光装置，然后执行分割(分离)。
以下每种建议都已经作为用于将单个的有机发光装置与上面形成了多个有机发光装置的大衬底分离开的方法。
日本专利3042192描述了以下发明：在分割衬底时从粘接的衬底的两个表面开始顺序执行划线和断开，从而减小在分割步骤中对衬底的损坏。
日本专利申请公开2003-181825描述了以下发明：在通过多次构图来制造有机发光装置时，形成压力传递部分，用于在断开步骤中将压力从一个衬底传递到另一个衬底，由此可以解决衬底不良分割的问题。
但是，当采用通用的划线方法从上面形成了多个有机发光装置的衬底分割出单个的有机发光装置时，在该装置将要被分割的位置上出现密封层的剥落或破裂。结果，潮气或气体成分渗透到叠层中，由此导致显示劣化。日本专利3042192和日本专利申请公开2003-181825都没有描述用于降低在该装置将要被分割的位置上出现由无机材料形成的密封层的剥落或破裂的措施。
本发明就是针对上述问题而作出的，本发明的目的是提供这样一种有机发光装置，其可以在从上面形成了多个有机发光装置的衬底分割出单个的有机发光装置的步骤中，在对密封层没有诸如剥落或破裂的损坏的情况下被分割，同时还提供制造该装置的方法。
发明内容
按照本发明的一个方面，提供以下有机发光装置作为用于解决现有技术的上述问题的装置。
也就是说，一种通过分割集成形成的多个有机发光装置而获得的有机发光装置包括：至少具有基体材料的衬底，该衬底具有通过在其端部分割该衬底而形成的侧边，而且该衬底具有在其表面上沿着该侧边形成的三维部分；在衬底上形成的有机发光器件，该有机发光器件具有第一电极、有机发光层、第二电极，并且它们以所述顺序形成在衬底上；以及无机密封层，其被形成以覆盖有机发光器件的上部和衬底的表面，并朝着所述三维部分延伸。
按照本发明的另一方面，提供了用于制造有机发光装置的以下方法。
也就是说，提供了一种制造有机发光装置的方法，该有机发光装置具有：衬底、有机发光器件、以及被形成以覆盖有机发光器件的上部和衬底的表面并朝着衬底端部延伸的无机密封层，该有机发光器件具有第一电极、有机发光层、第二电极，并且它们以所述顺序形成在衬底上，该方法包括以下步骤：形成有机发光器件，该有机发光器件具有第一电极、有机发光层、第二电极，并且它们以所述顺序形成在衬底上；沿着预先设置在衬底表面上的分割线形成三维部分；从第二电极上方在该分割线中形成无机密封层，使得该无机密封层横跨该三维部分；以及沿着该分割线分割衬底和无机密封层。
按照本发明，在从上面形成了多个有机发光装置的衬底分割出单个有机发光装置的步骤中，可以分割出单个有机发光装置而不会对密封层造成诸如剥落或破裂的损坏。结果可以完全防止潮气或气体成分渗透到叠层中，由此可以获得抑制了发光降级、并具有较长寿命的有机发光装置。
通过下面参照附图对示例性实施例的描述，本发明的其它特征将变得清楚。
附图说明
图1A和1B是分别示意性地示出本发明的有机发光装置的实施例的截面视图。
图2是示出本发明的有机发光装置的三维部分的形状和放置位置的示例的透视图。
图3是示出本发明的有机发光装置的三维部分的形状和放置位置的另一个示例的透视图。
图4A和4B是示出本发明的有机发光装置的三维部分的形状和放置位置的另一个示例的透视图。
图5A和5B是分别示意性地示出本发明的有机发光装置的三维部分的形状的截面视图。
图6是示意性地示出本发明的有机发光装置的三维部分和电阻丝之间的位置关系的截面视图。
图7A、7B、7C、7D是分别示意性地示出制造本发明的有机发光装置的方法的示例的截面视图。
图8A和8B是分别示意性地示出本发明的有机发光装置的每个相邻三维部分的形状、放置位置和分割位置的示例的截面视图。
图9A和9B是分别示意性地示出示例1中的评估衬底的构造概要的截面视图。
图10是示意性地示出对比示例中的评估衬底的构造概要的截面视图。
具体实施方式
下面参照附图描述本发明的实施例。应当注意每个附图都通过取其一部分而示意性示出按照本发明的有机发光装置的构造的示例。
图1A和1B是分别示出有机发光装置的一部分的示意性截面视图，用于图解装置构造的一个例子。这两个图分别示出从显示区的端部到该显示区的外围区域的范围。在图1A和图1B中示出的发光装置具有通过在衬底的端部分割衬底而形成的侧边。
用于构成薄膜晶体管(下面称为“TFT”)的层(源电极/漏电极层)2、绝缘层3、有机平坦化(leveling)层4按照所述顺序层叠并形成在玻璃基体材料1上。在该实施例中，采用上述构造作为衬底。然后，在该衬底的上部形成单元像素的第一电极5，每个像素的周围覆盖了由聚酰亚胺制成的器件隔离膜8。通过在玻璃基体材料1上依次层叠空穴传输层、有机发光层、电子传输层和电子注入层来形成叠层(有机复合层)6。在该结构的上部形成第二电极7。然后，由第一电极5、包括有机发光层的叠层6以及第二电极7形成有机EL器件。此外，形成由无机材料制成的密封层9，用于除了引出(extraction)电极之外完全覆盖第二电极7、叠层6、器件隔离膜8和有机平坦化层4。然后，通过粘合剂10将圆偏振器11设置在由此产生的包括密封层9的结构的上部。
在该实施例中，该衬底只需要至少具有基体材料1。这是因为本发明不仅可应用于具有用于驱动如上所述单个有机EL器件的薄膜晶体管的有源矩阵类型的发光装置，还可以应用于在条形电极的交叉部分获得发光的无源矩阵类型的发光装置。在后一种装置中，衬底没有薄膜晶体管，而且在某些情况下电极形成在基体材料1上。
此外，在该实施例中，用于构成TFT的层2是与源电极/漏电极相同的层。层2可以是不同于源电极/漏电极的层。例如，层2可以是与栅电极层相同的层。
此外，叠层6只需要至少具有有机发光层；优选该结构具有如上所述的空穴传输层、电子传输层和电子注入层。
在图1A所示的构造中，在用于构成TFT的层2和用于沿着通过分割衬底而形成的侧边覆盖TFT的绝缘层3中形成具有凹形结构的三维部分A，并且通过该三维部分A来确定将要形成的密封层9的端部。在图1B所示的构造中，在绝缘层3上形成具有凸形结构的三维部分A，通过该三维部分A来确定将要形成的密封层9的端部。应当注意，在从上面形成了绝缘层3的表面朝着基体材料1的方向上具有预定深度的三维部分A具有凹形结构，而在从上面形成了绝缘层3的表面背离基体材料1的方向上具有预定高度的三维部分A具有凸形结构。
为了可以在形成三维部分A的位置上产生密封层9的裂纹或膜质量不连续区，本发明的三维部分A形成在显示区的周围。该三维部分A形成为平行于显示区的至少一侧。具体地说，如图2所示，三维部分A形成在除了形成电源和信号供应焊盘14的一侧以及与这一侧相对的一侧之外的两侧上。可替换地，如图3所示，三维部分A形成在相邻两侧上。此外，如图4A和4B分别示出的，多个三维部分A序列或多个三维部分A形成在显示区的周围，从而与该显示区的一侧平行。当然，三维部分A可以形成在所有四侧上，从而包围该显示区。在这种情况下，优选每个三维部分A都形成为线形，其中在该部分和显示区之间具有预定的间距。但是，只要可以在分割有机发光装置时在密封层9中产生裂纹或膜质量不连续区，则如何放置该部分就没有什么特殊限制。例如，如图3所示，可以形成由三维部分A形成的组织结构，其中每个三维部分A都比显示区的某一侧短。当树脂层形成在显示区的周围时，每个三维部分A形成在该树脂层的外周边区中。
如图5A和5B分别示出的，每个三维部分A的形状可以具有凹形结构或凸形结构。每个三维部分A只需要具有使得在分割有机发光装置时能产生密封层9的裂纹或膜质量不连续区的形状。下面参照图5A和5B分别示出的概要截面视图来描述所希望的形状。优选每个三维部分A的高度或深度D是0.1μm或更大，或者是密封层9的厚度的百分之一或更大。当每个三维部分A的高度或深度D小于0.1μm或者小于密封层9的厚度的百分之一时，三维部分A与密封层9相比非常小。结果在重叠膜的过程中，在密封层9成型的初始阶段形成的裂纹或膜质量不连续区被填满或变得均匀。因此，除非对密封层9施加很大的外部冲击，否则不能分割出单个的有机发光装置，其结果是这样的分割会带来诸如剥落或破裂的损坏。
只要能在密封层9中产生裂纹或膜质量不连续，对每个三维部分A的锥角(taper angle)E就没有什么特殊限制。优选该角的最大值是10°或更大，进一步优选是45°或更大。最大值可以是90°或更大。此外，不需要基体材料1上形成的所有三维部分A都具有相同的锥角。例如，当在显示区的周围形成多个三维部分A时，相邻三维部分A和A的锥角可以彼此不同。
只要每个三维部分A的宽度G使得能够确定地形成该三维部分A，对该宽度就没有什么特殊限制。但是，优选该宽度尽可能小，因为较大的宽度会导致框架区扩大。优选每个三维部分A的宽度小于该部分的高度或深度D。
在形成多个三维部分A时，相邻三维部分A和A之间的间距F不需要恒定，而是可以采取任意值；但假定该间距F大于每个三维部分A的高度或深度D，因为间距F太小的情况会导致无法获得穿透密封层9的裂纹或膜质量不连续的情况出现。
借助每个三维部分A，在分割单个有机发光装置时将产生的密封层9的裂纹或膜质量不连续区使得在形成三维部分A的位置施加很小的外部冲击就可以很容易地分割密封层9。可替换地，选择每个三维部分A的形状使得能够在不施加外部冲击的情况下在形成三维部分A的位置上完全切断密封层9。
形成每个三维部分A的方法的例子包括通过蚀刻形成凹形结构或凸形结构的方法和通过掩模成型来形成凸形结构的方法。在图1A所示的有源矩阵类型发光装置的情况下，优选通过蚀刻来形成每个部分。这是因为在制造TFT时可以与构图步骤同时形成每个三维部分。根据该方法，可以很容易形成各三维部分，同时又抑制了制造成本。
此外如图6所示，可以沿着每个三维部分A设置电阻丝12，以使得可以确定地在通过该三维部分A形成的密封层9的裂纹或膜质量不连续区处切断密封层9。电流流入电阻丝12，从而加热该三维部分A。结果在密封层9中产生很强的应力，由此密封层在该密封层9的裂纹或膜质量不连续区处切断。只要可以通过将电流流入电阻丝12而加热三维部分A，对电阻丝12就没有什么特殊限制；优选通过使用构成TFT的层来构图而与导电层成型同时地形成该电阻丝。
对第一电极5没有什么特殊限制，只要该电极用具有高导电性的电极材料制成。例如，可以使用作为具有高反射性的材料的Cr、Al或Ag。可以层叠并使用诸如ITO或IZO的透明电极。
对第二电极7没有什么特殊限制，只要该电极用具有高导电性的电极材料制成。例如，该电极可以由高透射性或半透射性的材料形成；可以使用包含In的氧化物膜如ITO和IZO或者使用Ag。
只要密封层具有很强的屏蔽潮气或气体成分的能力，对密封层9就没有什么特殊限制。可以使用由通常公知具有很强的潮气阻挡性能和很强的气体阻挡性能的无机材料形成的膜(下面可以简写为“无机膜”)。此外，可以通过将成分互不相同的两种或更多种膜层叠在一起来获得密封层9。根据该密封层需要具有的性能，可以通过层叠无机膜和有机膜来构成该密封层。但是，不期望有机膜形成在有机发光装置将被分割的位置B上，因为在此该有机膜起到潮气或气体成分的传播通道的作用。
只要能保证对潮气或气体成分的屏蔽性能，对密封层9的厚度就没有什么特殊限制。优选该厚度是0.5μm或更大，以便可以获得足够的密封性能，具体地说，可以保证第二电极7的表面的光滑度，并且可以覆盖粘附在该表面上的灰尘。
用于本发明的密封层9中的无机膜可以通过例如等离子体CVD形成。当所使用的等离子体CVD的激励频率处于从30MHz到100MHz的VHF带内时，可以减弱等离子体的离子冲击力，并且可以抑制有机EL器件的热损失。同时，可以实现良好的无机密封层，即：密度大而且没有任何缺陷；优选覆盖斜面或不规则形；表现很强的潮气抵抗性；并具有很低的应力。相对于硅、氮、氢和氧原子的总数来说，优选无机膜具有12到32原子％的氢浓度。在这种情况下，无机膜优选作为基层粘附在有机密封层上，优选覆盖不规则形，有效减小热应力，并因为有机EL器件的发光而产生的巨大的温度提高效果。此外，17到28原子％的氢浓度更加有效。
由具有如上所述氢浓度梯度的密封层9形成的有机发光装置不仅可以表现出很强的潮气抵抗性能，还能抑制因层叠反射性互不相同的膜而致的光反射，以提高透光性。
图7A至7D分别示出用于制造按照本发明的有机发光装置的方法的例子。
在上面形成了具有凹形结构的三维部分A的衬底上形成叠层6和第二电极7(图7A)。随后，形成密封层9，由此将原材料物质吸附并沉积在该衬底上，以便继续膜形成过程。结果，在该三维部分A中在该物质的沉积率不连续的位置处的部分中产生裂纹或膜质量不连续区(图7B)。在密封层9的裂纹或膜质量不连续区中，密封层9可以容易地通过外部冲击如外力、热或电磁波而分开，而不会对密封层9造成诸如剥落或破裂的大的损坏。此外，密封层9的分割表面具有很强的潮气抵抗性能，因此也具有很强的屏蔽性能，使得可以防止潮气或气体成分从分割密封层9的位置处渗透进去。接着，在三维部分A上或其外部，在分割位置B上沿着平行于三维部分A的方向分割密封层9和衬底。尽管在密封层9中产生与该分割相关的损坏，但通过在形成三维部分A的位置上的密封层9的裂纹或膜质量不连续区，可以防止密封层9的剥落和破裂。结果，可以防止由该分割带来的损坏穿过该密封层9而传播到相对于三维部分A的显示区一侧(图7D)。
应当注意，在制造有机发光装置时，从降低制造成本的观点来看，在一个衬底上形成多个有机发光装置，从而同时形成多个有机发光装置，然后分割每个有机发光装置。图8A和8B分别示出其中在衬底上放置多个有机发光装置时形成各个三维部分A的位置的例子。
图8A示出分别具有凹形结构的三维部分A形成在分离位置B的两侧的例子。在这种情况下，在该分离位置B处沿着平行于每个三维部分A的方向将衬底分开。尽管在密封层9的该分离位置B处产生裂纹和剥落，但通过在形成每个三维部分A的位置上的密封层9的裂纹或膜质量不连续区，可以防止密封层9的剥落和破裂。结果，由该分割带来的损坏不会穿过该密封层9而传播到显示区一侧。在图8B中，形成具有凹形结构的三维部分A以横跨该分离位置B。类似地，在形成该三维部分A的位置上阻止了在分离位置B上产生绝缘层9的剥落或破裂。结果，由该分割带来的损坏不会穿过该密封层9而传播到显示区一侧。
如上所述，可以在相邻的有机发光装置之间形成多个三维部分A。在这种情况下，密封层9可以在任意位置处分割开来，只要该密封层是在最靠近显示区的三维部分A之外的位置上分开的。换句话说，至少一个三维部分A必须形成在密封层9被分割的位置和显示区之间。
每个三维部分A可以通过任意方法、采用任意材料来形成，只要可以实现期望的结构。但是，添加只用于形成每个三维部分A的材料和过程导致：有机发光装置的成本增加；以及产出量的减少。考虑到这一点，优选利用现有的组分层通过现有的过程来形成每个三维部分A。
例如，在制造具有凹形结构的三维部分A时，可以在TFT和要在衬底上形成的绝缘层3中形成该部分。具体地说，在将要形成三维部分A的位置上执行蚀刻，同时设置具有接触孔的绝缘层3，由此可以形成具有对应于绝缘层3的厚度的深度D的三维部分A。当该深度D必须等于或大于绝缘层3的厚度时，可以在形成TFT时，通过对应于要形成该三维部分A的位置对构成TFT的层进行构图来形成具有深度D的三维部分A，该深度D的最大值对应于TFT和绝缘层3的总厚度。
利用平坦化层4和器件隔离膜8可以与形成每一层同时地形成具有凸形结构的三维部分A。
应当注意，可以采用通用划线方法(例如用刀刃划线或激光划线)来分割衬底。然后，衬底沿着划出的分割线断开，由此可以分割衬底。将这种分割方法用于没有本发明的三维部分的有机发光装置涉及到以下问题：在分割位置会出现对密封层9的损坏，如在该层中产生破裂或该层剥落。
下面通过举例更详细地描述本发明的实施例。
(示例1)
将参照图9A和图9B描述该示例。图9A是示意性地示出从评估样品取出的一部分的截面视图，图9B是示意性地示出该部分的顶视图。
在该示例中，如图9A和9B中每一个所示那样制造该评估样品，并基于由钙腐蚀导致的透射率变化来估计是否从分割位置渗透进潮气。Ca膜的透射率由于Ca膜和水或氧气之间的反应而发生变化。
在通过在玻璃基体材料上形成绝缘层而获得的衬底上以线条形状形成高度为0.5μm、宽度为1μm、锥角为55°的三维部分A。接着，在衬底的中心部分与三维部分A相距0.2mm的位置通过蒸镀局部地形成厚度为1000的Ca膜13。接着，通过VHF等离子体CVD形成厚度为5μm的氮化硅膜以覆盖三维部分A和Ca膜13，由此形成密封层9。在真空中执行在装载衬底时开始并在形成密封层9后结束的过程。
接着，从密封层9那一侧用具有高度穿透性的孔切割刀片在距Ca膜端部0.3mm而距三维部分A0.1mm的位置对衬底进行划线，由此产生评估样品。
用SEM来观察该示例中的样品的分割位置。结果，在分割位置B观察到出现了密封层9的剥落和破裂。但是，在三维部分A的位置上防止了密封层9的剥落和破裂，因此，在Ca膜那一侧的密封层9中没有发现任何剥落和裂纹。
将该示例的评估样品放在温度为60°、相对湿度为90％RH的恒温恒湿器中。从放在其中开始过去1000个小时之后，测量Ca膜的透射率，没有表现出什么改变。
(对比示例1)
将参照图10描述该对比示例。图10是示出从评估样品中取出的一部分的横截面视图。
在该对比示例中，如图10所示那样制造评估样品，并基于由钙腐蚀导致的透射率变化来估计是否从分割位置渗透进潮气。
该对比示例的评估样品通过除了没有形成三维部分A之外与示例1相同的过程产生。从密封层9那一侧距Ca膜端部0.3mm的位置处分割衬底1。
用SEM来观察该对比示例中的样品的分割位置。结果观察到出现了密封层9的剥落和破裂。因分割而对密封层9造成的损坏出现在从该分割位置开始0.5mm或更小的范围内。
将该对比示例的评估样品放在温度为60°、相对湿度为90％RH的恒温恒湿器中。从放在其中开始过去1000个小时之后，Ca膜沿从该分割位置开始的方向被腐蚀，在约25mm的区域上观察到透射率的降低。
(对比示例2)
在该对比示例中，如图10所示那样产生评估样品，并基于由钙腐蚀导致的透射率变化来估计是否从分割位置渗透进潮气。
该对比示例的评估样品通过除了没有形成三维部分A之外与示例1相同的过程产生。从衬底1那一侧开始在距Ca膜端部0.3mm的位置处分割衬底1。
用SEM来观察该对比示例中的样品的分割位置。结果，观察到出现了密封层9的剥落。因分割而对密封层9造成的损坏出现在从该分割位置开始0.3mm或更小的范围内。
将该对比示例的评估样品放在温度为60°、相对湿度为90％RH的恒温恒湿器中。从放在其中开始过去1000个小时之后，Ca膜沿从该分割位置开始的方向被腐蚀，在约15mm的区域上观察到透射率的降低。
(示例2)
将参照图1A、2和8A描述该示例。
在该示例中，制造图1A所示的有机发光装置，并对发光性能进行评估。
在该示例中，每一个都具有图1A所示构造的有机发光装置形成在大的衬底上以彼此靠近。在形成密封层9之后分割每个有机发光装置。如图2所示，在除了形成电源和信号供应焊盘14的一侧以及与这一侧相对的一侧之外的两侧上，在相邻的有机发光装置之间形成三维部分A。
如图8A所示，从距分割位置B 0.1mm的地方开始朝着显示区一侧以10μm的间距形成两个各自都具有深度为0.5μm、宽度为5μm、锥角为60°的凹形结构的三维部分A，从而关于分割位置B对称。
如下所述制造该示例的有机发光装置。用于构成TFT的层2、绝缘层3、有机平坦化层4按顺序形成在玻璃基体材料1上，由此制造衬底。接着，在将要形成在衬底上的第一电极5和构成TFT的层2之间形成接触孔。与接触孔的形成同时地在绝缘层3中形成上述三维部分A。随后，形成第一电极5，在第一电极5的周围形成由聚酰亚胺制成的器件隔离膜8以隔离该电极。由FL03/DpyFL+sDTAB2/DFPH1/DFPH1+Cs2CO3制成的叠层6从蒸汽中沉积到衬底上，由此形成通过将空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以所述顺序层叠在一起而获得的叠层6。通过在该叠层上溅射而形成由ITO制成并且厚度为60nm的第二电极7，由此形成像素。此外，通过VHF等离子体CVD形成厚度为5μm的氮化硅膜，以覆盖有机平坦化层4、第一电极5、叠层6、第二电极7、器件隔离膜8、粘合剂10以及三维部分A，由此形成密封层9。在真空中执行从装载玻璃基体材料1时开始并在形成密封层9后结束的过程。
接着，从密封层9那一侧开始用具有高度穿透性的孔切割刀片在分割位置B对衬底进行划线，由此分割出各个有机发光装置。随后，使用粘合剂10将圆偏振器11粘接到每个有机发光装置的密封层9上，由此制造出图1A所示的有机发光装置。
用光学显微镜和SEM来观察该示例的有机发光装置的分割位置。结果，在密封层9中观察到剥落和破裂。但是，在相对于最靠近显示区的三维部分A的显示区那一侧，没有在密封层9中观察到任何剥落和裂纹。
将该示例的有机发光装置放在温度为60°、相对湿度为90％RH的恒温恒湿器中。从放在其中开始过去1000个小时之后，针对V-I特性和亮度评估该装置，没有观察到V-I特性和亮度出现降级。此外，从该有机发光装置的外周边区域上没有出现亮度变化和直径Φ为1μm或更大的黑点。此外，像素的周围也没有出现亮度降级和直径Φ为1μm或更大的黑点。
(示例3)
将参照图1A、2和8B描述该示例。
在该示例中，类似于示例2那样制造有机发光装置，并评估其发光特性；在该示例中，如图8B所示，形成深度为0.5μm、宽度为100μm、锥角为60°的凹形结构作为横跨分割位置B的三维部分A，此外，从该凹形结构的端部开始朝着显示区一侧分别以30μm、20μm、10μm的变化间距形成3个分别具有深度为0.5μm、宽度为5μm、锥角为60°的三维部分A。
用光学显微镜和SEM来观察该示例的有机发光装置的分割位置。结果，在密封层9中观察到剥落和破裂。但是，在相对于最靠近显示区的三维部分A的显示区那一侧，没有在密封层9中观察到任何剥落和裂纹。
将该示例的有机发光装置放在温度为60°、相对湿度为90％RH的恒温恒湿器中。从放在其中开始过去1000个小时之后，针对V-I特性和亮度评估该装置，没有观察到V-I特性和亮度出现降级。此外，从该有机发光装置的外周边区域上没有出现亮度变化和直径Φ为1μm或更大的黑点。此外，像素的周围也没有出现亮度降级和直径Φ为1μm或更大的黑点。
按照本发明的有机发光装置具有非常优异的屏蔽潮气和气体成分的能力。因此，该装置可以用于例如移动设备的显示器中，如数码相机或数码摄像机的监视器，它们：假定要在很大的温度或湿度范围内使用；而且需要很强的环境抵抗性。
虽然参照示例性实施例描述了本发明，但是应当理解本发明不限于所公开的示例性实施例。所附权利要求的范围应当被赋予最宽泛的解释，从而涵盖所有变型和等同结构及功能。
Claims (13)
1.一种通过分割集成形成的多个有机发光装置而获得的有机发光装置，该有机发光装置包括：
至少具有基体材料的衬底，该衬底具有通过在其端部分割该衬底而形成的侧边，而且该衬底具有在其表面上沿着该侧边形成的三维部分；
在衬底上形成的有机发光器件，该有机发光器件具有第一电极、有机发光层、第二电极，并且它们以所述顺序形成在衬底上；以及
无机密封层，其被形成以覆盖有机发光器件的上部和衬底的表面，并朝着所述三维部分延伸。
2.根据权利要求1的有机发光装置，其中：
所述有机发光装置还包括所述有机发光器件周围的电源和信号供应部件；并且
所述三维部分形成在除设置所述电源和所述信号供应部件的一侧以及与这一侧相对的一侧之外的两侧上。
3.根据权利要求1的有机发光装置，其中所述三维部分的个数是两个或更多个。
4.根据权利要求1的有机发光装置，其中所述三维部分的相邻三维部分在形状和间距中的至少一个方面彼此不同。
5.根据权利要求1的有机发光装置，其中每个三维部分都具有0.1μm或更大的高度以及0.1μm或更大的深度。
6.根据权利要求1的有机发光装置，其中每个三维部分的高度或深度是所述无机密封层的厚度的百分之一或更大。
7.根据权利要求1的有机发光装置，其中：
所述衬底在基体材料上具有用于控制有机发光器件的发光的薄膜晶体管以及覆盖该薄膜晶体管的绝缘层；以及
所述三维部分形成在与作为绝缘层的基层的构成所述薄膜晶体管的层相同的层上，并且形成在与绝缘层相同的层上。
8.根据权利要求7的有机发光装置，其中：
电阻丝设置在基体材料上；并且
所述三维部分设置在该电阻丝上。
9.根据权利要求8的有机发光装置，其中所述电阻丝形成在与用于构成所述薄膜晶体管的层相同的层上。
10.一种制造有机发光装置的方法，该有机发光装置具有：衬底、有机发光器件、以及被形成以覆盖有机发光器件的上部和衬底的表面并朝着衬底端部延伸的无机密封层，该有机发光器件具有第一电极、有机发光层、第二电极，并且它们以所述顺序形成在衬底上，该方法包括以下步骤：
形成有机发光器件，该有机发光器件具有第一电极、有机发光层、第二电极，并且它们以所述顺序形成在衬底上；
沿着预先设置在衬底表面上的分割线形成三维部分；
从第二电极上方在该分割线中形成无机密封层，使得该无机密封层横跨该三维部分；以及
沿着该分割线分割衬底和无机密封层。
11.根据权利要求10的制造有机发光装置的方法，其中所述分割步骤包括：
沿着所述分割线对无机密封层划线的步骤；以及
沿着所划出的分割线断开衬底和无机密封层的步骤。
12.根据权利要求10的制造有机发光装置的方法，其中：
形成有机发光器件的步骤包括在衬底上形成多个有机发光器件的步骤；并且
所述分割线位于该有机发光器件的相邻器件之间。
13.根据权利要求10所述的制造有机发光装置的方法，其中形成三维部分的步骤包括蚀刻步骤。
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