CN103247763A - 有机发光器件的制造方法 - Google Patents
有机发光器件的制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103247763A CN103247763A CN2013100499481A CN201310049948A CN103247763A CN 103247763 A CN103247763 A CN 103247763A CN 2013100499481 A CN2013100499481 A CN 2013100499481A CN 201310049948 A CN201310049948 A CN 201310049948A CN 103247763 A CN103247763 A CN 103247763A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- protective layer
- organic compound
- district
- zone
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 47
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 575
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 254
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 227
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 150
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 82
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 65
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 42
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 35
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 16
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 6
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims description 5
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 51
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 32
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 46
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 24
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 21
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 16
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 16
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 16
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 16
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 15
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 14
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 11
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 9
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 9
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 9
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 9
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 7
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000011161 development Methods 0.000 description 6
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 6
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 6
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 6
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 5
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- -1 for example Substances 0.000 description 5
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N triphenylene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C2=C1 SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 4
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003466 anti-cipated effect Effects 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L caesium carbonate Chemical compound [Cs+].[Cs+].[O-]C([O-])=O FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910000024 caesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Chemical class 0.000 description 2
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001597008 Nomeidae Species 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000006615 aromatic heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000536 complexating effect Effects 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 125000003983 fluorenyl group Chemical class C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003230 hygroscopic agent Substances 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 229910017053 inorganic salt Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- CECAIMUJVYQLKA-UHFFFAOYSA-N iridium 1-phenylisoquinoline Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12.C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12.C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12 CECAIMUJVYQLKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000037361 pathway Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 1
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 150000004040 pyrrolidinones Chemical class 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000002195 soluble material Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
- H10K71/221—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by lift-off techniques
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
- H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
- H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
- H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
- H10K71/233—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers by photolithographic etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明提供了一种能够抑制由脱模层的残余引起的图案化缺陷的有机发光器件的制造方法，所述方法包括：第一有机化合物层形成步骤；第一保护层形成步骤；第二保护层形成步骤；第二保护层处理步骤；第一保护层处理步骤；第一有机化合物层处理步骤；第二有机化合物层形成步骤；以及剥离步骤，其中，还在第二区中形成在第二保护层处理步骤中获得的第二保护层的图案。
Description
技术领域
本发明涉及一种有机发光器件的制造方法。
背景技术
作为对包括构成有机发光元件的发射层的有机化合物层进行图案化的方法，近年来，一种采用光刻法的方法引起了人们的注意，因为与诸如采用金属掩模的图案化过程之类的其他图案化过程相比，该方法能够执行高精确度的图案化。
例如，日本专利No.4578026公开了一种利用光刻法对有机化合物层进行图案化的方法。具体地，在日本专利No.4578026中，根据下述方法制造一种包括多个有机场致发光元件的发光器件。首先，在基底上形成将成为在光致抗蚀剂材料中不可溶解的第一发射层的薄膜层，在所述薄膜层上形成光致抗蚀剂层，之后对所述光致抗蚀剂层进行图案化，从而使所述光致抗蚀剂层留在将形成第一发光部分的部分中。接下来，在去除了设置在未保留光致抗蚀剂层的区域内的薄膜层之后，在具有第一发射层和保留在所述第一发射层的表面上的光致抗蚀剂层的基底上形成第二发射层。尔后，使脱模剂与其余的光致抗蚀剂层接触，从而使所述光致抗蚀剂层连同形成于所述光致抗蚀剂层上的第二发射层剥离。因此，获得了以预期图案形状形成的第一发光部分和第二发光部分。
日本专利No.4544811也描述了一种与日本专利No.4578026基本类似的制造过程。此外，日本专利No.4544811公开了在有机化合物层和抗蚀剂层之间提供脱模层。这里，脱模层是指所提供的用于容易地剥离诸如光致抗蚀剂层之类的构件的层，具体而言，在难以将诸如光致抗蚀剂层的构件从包括发射层的有机化合物层上剥离下来的情况下采用脱模层。
在如日本专利No.4578026和4544811中所述从有机化合物层上直接或者利用脱模层剥离图案化的光致抗蚀剂层的过程中，采用利用使预定层的构成材料溶解的溶液来使所述构成材料溶解并剥离的方法。具体地，使光致抗蚀剂层和脱模层与用于使所述光致抗蚀剂层和脱模层溶解的溶液（脱模剂）接触，从而使所述光致抗蚀剂层和脱模层溶解。在这种情况下，采用用于使光致抗蚀剂层或脱模层（下文统称为“脱模层”）选择性地溶解的液体作为脱模剂。在这种情况下，必须使所述溶液充分渗透所述脱模层。然而，问题在于，将在脱模层上形成的层相对于脱模剂具有低溶解速率，因而脱模剂不能容易地从脱模层的上部渗透到脱模层内。因此，脱模剂从脱模层的端部向脱模层内渗透。在所要剥离的区域大的情况下，所述溶液不能充分地渗透脱模层，因此出现了形成脱模层的残余的问题。
一般而言，通过在脱模层上形成掩模图案而对所述脱模层图案化，所述掩模图案具有能够通过光刻法形成图案的层。在这种情况下，能够通过光刻法形成图案的层是指由至少一个层形成的并且在脱模层的图案形成过程中表现出阻力的层。
尽管日本专利No.4578026和4544811没有特别提到所述有机化合物层的具体图案形状，但是可认为所述有机化合物层的图案形状取决于脱模层的图案形状。一般将设置于发光区内的脱模层图案化至几μm到几百μm的尺寸，但是其取决于屏幕尺寸，因而脱模剂将从每一图案的端部充分地渗透整个脱模层。相反，除了发光区以外的部分则不具有或者具有较少的上文描述的微细图案。因此，即使在试图使脱模剂从图案的端部渗透到脱模层内时，脱模剂也无法容易地渗透到脱模层的图案中心部分，因而不能使脱模层充分地剥离，结果可能形成残余。例如，在提供了用于从外面密封发光区的密封构件或者密封膜的情况下，当形成了从外面连接至发光区的脱模层的残余，所述残余将起到水侵路径的作用，从而引起密封缺陷。
发明内容
做出本发明以便解决上述问题，并且本发明的目的在于提供一种能够抑制由脱模层的残余引起的密封缺陷的有机发光器件的制造方法。
根据本发明的示范性实施例，提供了一种有机发光器件的制造方法，所述有机发光器件包括：其上设置有第一区和第二区的衬底，所述第一区是具有多个发光部分的发光区，所述第二区设置在所述第一区的周围；以及分别在对应于所述多个发光部分的区域内形成的第一电极，所述方法包括：至少在所述第一区内形成包括第一发射层的第一有机化合物层的第一有机化合物层形成步骤；在其上形成了第一有机化合物层的衬底的整个表面上形成包括脱模层的第一保护层的第一保护层形成步骤；在所述第一保护层上形成第二保护层的第二保护层形成步骤；去除所述第二保护层的一部分以获得图案化的第二保护层的第二保护层处理步骤；根据所述第二保护层的图案去除所述第一保护层和所述第一有机化合物层的一部分以获得图案化的第一保护层和图案化的第一有机化合物层的第一保护层和第一有机化合物层处理步骤；在其上形成了图案化的第一有机化合物层的衬底的整个表面上形成包括第二发射层的第二有机化合物层的第二有机化合物层形成步骤；以及使所述脱模层与用于选择性地去除所述脱模层的脱模剂接触，从而至少将所述脱模层连同形成于所述脱模层之上的层一起去除的剥离步骤，其中，还在所述第二区中设置在所述第二保护层处理步骤中从其中去除所述第二保护层的区域，并且其中，所述第二区中从其中去除所述第二保护层的区域之间的间隔的最小值小于或等于第一区中从其中去除所述第二保护层的区域之间的间隔的最小值的100倍。
根据本发明，提供了一种能够抑制由脱模层的残余导致的图案化缺陷，并且能够以高可靠性实现密封的有机发光器件的制造方法。
也就是说，根据本发明，通过在围绕发光区的区域内按照预定间隔去除形成于所述第一保护层上的第二保护层的一部分，使脱模剂充分地渗透，以溶解第一保护层中包含的脱模层。因此，能够形成其内未形成脱模层之上的层的残余的区域以围绕发光区，并且能够执行令人满意的密封。
通过下文参考附图对示范性实施例的描述，本发明的其他特征将变得清楚。
附图说明
图1A和1B是说明通过本发明的制造方法制造的有机发光器件的示例的示意图：图1A是平面图；图1B是示出了沿图1A的1B-1B线取得的截面的图示。
图2A和2B是示出了图1A的α部分的示意图：图2A是平面图；图2B是示出了沿图2A的2B-2B线取得的截面的图示。
图3A、3B、3C、3D、3E、3F、3G、3H、3I、3J、3K、3L、3M和3N是示出了根据本发明的第一实施例的有机发光器件的制造方法的示意性截面图。
图4是示出了在图1A的β部分中形成的第二保护层的图案的示例的示意性平面图。
图5A、5B、5C、5D、5E、5F、5G、5H、5I、5J、5K、5L、5M和5N是示出了根据本发明的第二实施例的有机发光器件的制造方法的示意性截面图。
图6A和6B是示出了第二区内的第二保护层的处理区域的示例的示意性平面图：图6A是示出了图1A中的γ部分中的第二保护层的处理区域的图示；图1B是示出了图1A中的β部分中的第二保护层的处理区域的图示。
具体实施方式
现在将根据附图详细描述本发明的优选实施例。
本发明涉及一种有机发光器件的制造方法，所述有机发光器件包括处于衬底上的第一区和在所述第一区的周围提供的第二区，所述第一区是包括多个发光部分的发光区，所述发光区具有分别在对应于所述发光部分的区域内形成于其上的第一电极。
在本发明中，第一区是指用于显示图像的区域，其中，将多个发光部分布置到衬底上的平坦区域内，因而又将所述第一区称为发光区。此外，第二区是指所述衬底上的所述平坦区域内除了所述发光区以外的区域，其大体上对应于所述第一区（发光区）周围的区域。在第二区内形成驱动电路、电极接触部分、柔性印刷电路（FPC）连接部分、密封部分等。
本发明的制造方法包括下述步骤（A）到（H）：
(A)形成至少包括第一发射层的第一有机化合物层的第一有机化合物层形成步骤；
(B)在所述第一有机化合物层上形成至少包括脱模层的第一保护层的第一保护层形成步骤；
(C)在所述第一保护层上形成第二保护层的第二保护层形成步骤；
(D)去除所述第二保护层的一部分以获得图案化的第二保护层的第二保护层处理步骤；
(E)根据所述第二保护层的图案去除所述第一保护层的一部分以获得图案化的第一保护层的第一保护层处理步骤；
(F)根据所述第二保护层的图案去除所述第一有机化合物层的部分以获得图案化的第一有机化合物层的第一有机化合物层处理步骤；
(G)至少在所述第一有机化合物层上形成包括第二发射层的第二有机化合物层的第二有机化合物层形成步骤；以及
(H)用于使所述第一保护层与用于选择性地去除所述第一保护层的脱模剂接触，从而至少去除所述第一保护层和第二保护层以及形成于所述第一保护层上的第二有机化合物层的剥离步骤。
可以使步骤（E）和步骤（F）处于一个步骤当中，在该步骤中连续执行步骤（E）和步骤（F）。
在步骤（B）中形成的第一保护层至少包括脱模层，在使所述脱模层与在步骤（H）中采用的脱模剂接触时，将所述脱模层从衬底上去除。
在步骤（C）中形成的第二保护层保护在第二保护层之下形成的层（第一保护层、第一有机化合物层等），提供其的目的在于将这些层处理成期望的图案形状。因此，在对第二保护层之下形成的层进行处理时，必须根据第一有机化合物层的预期图案形状预先形成第二保护层的图案。对第二保护层图案化的方法的示例是利用光敏材料的光刻法。但是，本发明不限于此。稍后将描述具体的图案化过程。
此外，在本发明中，可以包含形成具有第一保护层的功能和第二保护层的功能的单个层的步骤以替代步骤（B）和（C）。
在步骤（G）中形成的第二有机化合物层是单个层或者是由多个层形成的叠层，其至少包括不同于所述第一发射层的第二发射层。这里，“不同于所述第一发射层的第二发射层”是指在发射层的材料、成分和厚度、发射层的膜形成方法以及膜形成条件的至少一个方面不同于所述第一发射层的发射层。
此外，在本发明中，在围绕第一区的第二区内形成这样一个区域，在该区域中去除通过在上述步骤（D）中描述的第二保护层的处理步骤获得的第二保护层。
稍后将详细描述步骤（A）到（H）。
接下来将参考附图详细描述通过本发明的制造方法制造的有机发光器件。注意，可以向图中未示出的或者本说明书中未说明的部分应用所属技术领域公知或已知的技术。此外，下文描述的实施例只是根据本发明的发光器件的制造方法的示例，本发明不限于这些实施例。
（有机发光器件）
图1A和1B是示出了通过本发明的制造方法制造的有机发光器件的示例的示意性图示。图1A是平面图，图1B是示出了沿图1A的1B-1B线取得的截面的图示。图2A和2B是示出了图1A的封闭部分（α部分）的示意图。图2A是平面图，图2B是示出了沿图2A的2B-2B线取得的截面的图示。图1A中的封闭部分α对应于图1A和1B的有机发光器件的发光区。
图1A和1B的有机发光器件1包括在衬底10上的第一区11（发光区）和设置在第一区11周围的第二区12。在这种情况下，第一区11也是如下文所述提供了多个有机发光元件的区域。此外，图1A和1B的有机发光器件1包括处于第二区12中的用于从外部接收电力供应和信号的外部连接端子14以及用于将作为有机发光元件的组成构件的第二电极连接至与外部连接端子14连接的布线（未示出）的接触部分13。注意，在图1A和1B的有机发光器件1中，提供接触部分13，从而使其被密封构件所覆盖。
例如，如图2A和2B所示，在图1A和1B的有机发光器件1的第一区11（发光区）中，以矩阵提供三种具有不同发射颜色的有机发光元件（第一有机发光元件20a、第二有机发光元件20b、第三有机发光元件20c）。图2A和2B中所示的第一有机发光元件20a是在衬底10上依次提供第一电极21a、第一有机化合物层22a和第二电极23的电子元件。第二有机发光元件20b是在衬底10上依次提供第一电极21b、第二有机化合物层22b和第二电极23的电子元件。第三有机发光元件20c是在衬底10上依次提供第一电极21c、第三有机化合物层22c和第二电极23的电子元件。此外，利用处于上部的密封构件30覆盖所述有机发光元件（20a，20b，20c）并对其密封。
在图2A和2B所示的有机发光元件（20a，20b，20c）中，在衬底10上形成对应于下电极的第一电极（21a，21b，21c），这些第一电极以元件为基础并且在平面图中以矩阵分开。注意，可以将第一电极形成为多个有机发光元件共用的电极。这使得具有公共的第一电极的多个有机发光元件同时发光，并输出通过混合由相应的发光元件发射的多种光束而获得的颜色的光。此外，将第一电极（21a，21b，21c）电连接至嵌入在衬底10内的电路层（未示出）。
在图2A和2B所示的有机发光元件（20a，20b，20c）中，相应有机发光元件的发射层（第一发射层、第二发射层、第三发射层）发射不同颜色的光。例如，通过依次形成第一发射层、第二发射层和第三发射层作为红色发射层（R发射层）、绿色发射层（G发射层）和蓝色发射层（B发射层），能够执行全色显示。
此外，在图2A和2B所示的有机发光元件（20a，20b，20c）中，对应于上电极的第二电极23是被形成为相应的有机发光元件（20a，20b，20c）共用的层的公共层。但是，本发明不限于这一实施例。例如，可以对于所述有机发光元件（20a，20b，20c）单独形成第二电极23。
水和氧气将使得构成有机化合物层（22a，22b，22c）的有机材料显著劣化。因此，为了避免水从外部侵入到发光区11内，提供密封构件30，以便覆盖有机发光元件（20a，20b，20c）。
在图1A和1B的有机发光器件1中，提供密封构件30以使之覆盖发光区11。在提供密封构件30时，为了阻断通往有机发光元件的水侵入路径，必须去除在衬底10上形成于第一区11（发光区）的周围，即处于第二区12的预定区域内的有机化合物层的至少一部分。所述预定区域具体是指图1A和1B中的区域15。提供区域15，以使其围绕发光区11，由此阻断水从外部侵入到密封构件30所覆盖的发光区11内，并且区域15具有至少在局部几乎不会使水渗透的配置。
尽管图1A和1B所示的密封构件30是由具有高抗湿性的材料形成的薄膜形状的构件，但是本发明不限于此。通过利用具有低渗水性的粘合剂替代图1A和1B所示的具有薄膜形状的密封构件30将玻璃帽等固定到衬底10，可以阻止水从外面侵入。在这种情况下，优选在区域15的外面提供用于将玻璃帽等固定到衬底10的粘合剂。在所述粘合剂与区域15重叠时，希望所述粘合剂的施用不会掩埋区域15。
（有机发光器件的制造方法）
接下来描述根据本发明的有机发光器件的制造方法。本发明的制造方法包括下述步骤（A）到（H）：
(A)形成至少包括第一发射层的第一有机化合物层的第一有机化合物层形成步骤；
(B)在所述第一有机化合物层上形成至少包括脱模层的第一保护层的第一保护层形成步骤；
(C)在所述第一保护层上形成第二保护层的第二保护层形成步骤；
(D)去除所述第二保护层的一部分以获得图案化的第二保护层的第二保护层处理步骤；
(E)根据所述第二保护层的图案去除所述第一保护层的一部分以获得图案化的第一保护层的第一保护层处理步骤；
(F)根据所述第二保护层的图案去除所述第一有机化合物层的一部分以获得图案化的第一有机化合物层的第一有机化合物层处理步骤；
(G)至少在所述第一有机化合物层上形成包括第二发射层的第二有机化合物层的第二有机化合物层形成步骤；以及
(H)用于使所述第一保护层与用于选择性地去除所述第一保护层的脱模剂接触，从而至少去除所述第一保护层和第二保护层以及形成于所述第一保护层上的第二有机化合物层的剥离步骤。
（第一实施例）
图3A到3N是示出了根据本发明的第一实施例的有机发光器件的制造方法的示意性截面图。在下文中将基于图3A到3N所示的制造过程描述每一步骤。图3A到3N所示的制造过程是用于制造图1A和1B的有机发光器件1的制造过程。
（1）包括电极的衬底
首先，描述将在图3A到3N中所示的制造过程采用的衬底。如图3A所示，衬底10具有在对应于发光部分的区域内预先提供的多个第一电极（21a，21b，21c）。
衬底10可以是透明的，也可以不是透明的。具体而言，衬底10的示例包括由玻璃、合成树脂等制成的绝缘衬底以及在正表面上形成诸如氧化硅（SiO2）膜、氮化硅（SiN）膜或氮氧化硅（SiON）膜之类的由绝缘材料制成的薄膜的导电衬底或半导体衬底。在制造底部发射类型有机发光器件的情况下，采用透明衬底作为衬底10。
此外，在衬底10内，如果需要可以适当地提供包括晶体管（TFT）的驱动电路（未示出）、平面化层（未示出）、像素分离层（未示出）等。在衬底10包括驱动电路的情况下，驱动电路中包含的TFT由例如半导体层形成，所述半导体层由多晶硅制成。但是，本发明不限于此，所述TFT可以是利用非晶硅、微晶硅等形成的构件。
提供平面化层，从而使其填充在形成包括TFT的驱动电路时形成的不平坦性。所述平面化层由绝缘材料制成。具体地，所述平面化层由诸如光敏聚酰亚胺之类的有机材料或者诸如氧化硅（SiO2）、氮化硅（SiN）或氮氧化硅（SiON）的无机材料制成。
如图3A中所示，在对应于发光区的第一区11中，提供将成为像素电极的多个第一电极（21a，21b，21c）。在制造顶部发射类型的有机发光器件的情况下，第一电极（21a，21b，21c）优选由例如光反射材料制成，光反射材料例如诸如Al、Ag、Au、Pt或Cr之类的具有高反射率的金属以及通过组合这些金属中的至少两种形成的合金。尽管可以将第一电极（21a，21b，21c）形成为由上述光反射材料制成的层，但是本发明不限于此。例如，所述第一电极（21a，21b，21c）可以由叠层构成，所述叠层具有由上述光反射材料制成的层和在所述层上提供的由诸如ITO或IZO之类的透明导电材料制成的层。在制造底部发射类型的有机发光器件的情况下，第一电极（21a，21b，21c）由透明导电材料形成。所述第一电极（21a，21b，21c）可以是将成为阳极或阴极的电极。在采用第一电极（21a，21b，21c）作为阳极的情况下，第一电极（21a，21b，21c）优选由具有大的功函数的构成材料制成，从而使得空穴容易被注入。
在形成第一电极（21a，21b，21c）时，例如通过形成导电层的步骤和处理导电层的步骤，在对应于相应的有机发光元件的发光部分的区域内形成第一电极（21a，21b，21c）。在这种情况下，形成导电层的步骤具体为采用诸如溅射方法或气相沉积方法之类的真空膜形成方法在衬底10的整个表面上形成导电层的步骤。处理导电层的步骤具体为通过诸如光刻法的已知光刻工艺对于每一发光部分将导电层图案化的步骤。
在形成所述第一电极（21a，21b，21c）之后，可以适当地提供用于以元件为基础对相应的有机发光元件（20a，20b，20c）进行分隔以确定将成为发光部分的区域的元件分离层。所述元件分离层是由绝缘材料制成的膜，并且是利用诸如光敏聚酰亚胺之类的有机材料或者诸如氮化硅(SiN）之类的无机材料形成的。在提供元件分离层的情况下，将所述元件分离层提供为至少在对应于第一电极（21a，21b，21c）的区域内具有开口。
另一方面，如图3A所示，在第二区12内提供区域15，以使其围绕第一区11。具体地，区域15是衬底10上的、在其最外层表面上具有由不透水材料制成的层的区域，所述不透水材料诸如为金属、金属氧化物或氮化物。此外，在形成不透水密封层（图2B的30）作为后面的步骤中的密封构件的情况下，区域15变成了这样的区域，即在其内密封层30和由不透水材料制成的层发生相互接触，以包围所述第一区11。在通过将诸如玻璃帽之类的密封构件接合到衬底10上来执行密封的情况下，在区域15的周围提供处于密封构件和衬底10之间的接合区域（向其施加用于密封的粘合剂的区域）。
(2)形成有机化合物层的步骤（图3A）
在图3A到3N所示的制造过程中，首先在其上形成作为下电极的第一电极（21a，21b，21c）的衬底10上形成有机化合物层（第一有机化合物层22a）（图3A）。
所述有机化合物层（第一有机化合物层22a）至少包括发射层，如有必要除了包括所述发射层之外，还包括多个功能层，例如，空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子阻挡层、电子传输层和电子注入层。此外，通过将有机化合物层（第一有机化合物层22a）的厚度设置为特定波长的光学干涉距离，那么发光元件还能够有效率地发射具有特定波长的光。在根据所述光学干涉距离确定有机化合物层的厚度的情况下，可以将所述有机化合物层的厚度设置为根据有机发光元件的种类而发生变化，因为有机发光元件发射的光束的颜色根据有机发光元件的种类而变化。有机化合物层（第一有机化合物层22a）的厚度一般为几十nm到几百nm。
作为每一有机发光元件中包含的发射层的构成材料，可以采用低分子量材料或高分子量材料。此外，在形成发射层时，可以根据材料和应用适当地选择诸如真空气相沉积方法之类的已知方法或者诸如旋涂方法或喷墨方法之类的涂覆方法。一般而言，在采用低分子量材料的情况下，采用真空气相沉积方法等，在采用高分子量材料的情况下，采用利用旋涂方法或喷墨方法的涂覆方法。
作为将被用作发射层的构成材料的低分子量材料，可以采用三芳基胺衍生物、均二苯乙烯衍生物、聚芳烃、芳香族稠合多环化合物、芳香族杂环化合物、芳香族稠合杂环化合物、金属络合物以及所述材料的单低聚物或络合低聚物。但是用于与本发明无关的部分的材料不限于这些材料。
作为将被用作发射层的构成材料的高分子量材料，可以采用聚对苯撑乙烯衍生物、聚噻吩衍生物、聚对苯撑衍生物、聚硅烷衍生物、聚乙炔（polyacethylene）衍生物、聚芴衍生物、聚乙烯咔唑衍生物以及上述低分子量材料的聚合物。然而，用于与本发明无关的部分的材料不限于这些材料。此外，这些材料并不限于被示出为本发明的构成部分的材料。
此外，在图3A中形成的第一有机化合物层22a是包括发射层和除发射层以外的功能层的叠层时，可以采用与形成发射层的方法类似的方法作为形成所述功能层的方法。此外，可以采用已知材料作为所述功能层的构成材料。可以将除了发射层以外的功能层的全部或部分形成为所有有机发光元件所共用的层。
在这一实施例中，通过利用区域掩模仅在第一区11中形成第一有机化合物层22a，并且在包括区域15的第二区12中不形成第一有机化合物层22a。注意，在本发明中，其内提供第一有机化合物层22a的区域不限于第一区11。
(3)处理第一有机化合物层的步骤
接下来，将第一有机化合物层22a处理成期望图案。在采用光刻法处理第一有机化合物层22a时，首先在第一有机化合物层22a上形成抗蚀剂层，并采用光照射所述抗蚀剂层的预定区域。之后，执行显影，以形成图案化的抗蚀剂层。沿抗蚀剂层的图案执行干蚀刻，以形成图案化的第一有机化合物层22a。
在这种情况下，在第一有机化合物层22a的构成材料是在用于形成抗蚀剂层的抗蚀剂液体所含有的溶剂中不溶解或者几乎不溶解的材料时，可以在第一有机化合物层22a上直接提供抗蚀剂层。对于可以选择含有不溶解第一有机化合物层22a的构成材料的溶剂的抗蚀剂液体的情况，这种方案同样适用。
另一方面，在第一有机化合物层22a的构成材料是溶解于抗蚀剂液体中含有的溶剂的材料的情况下，在提供抗蚀剂层之前，在第一有机化合物层22a上形成用于保护第一有机化合物层22a的构件（保护层）。在必须在第一有机化合物层22a上形成保护层的情况下，具体而言，这一步骤（处理第一有机化合物层22a的步骤）包括下述步骤：
(3-1)形成第一保护层41的步骤（图3B）；
(3-2)形成第二保护层42的步骤（图3C）；
(3-3)形成抗蚀剂层43的步骤（图3D）；
(3-4)曝光步骤（图3D）；
(3-5)显影步骤（图3E）；
(3-6)处理第二保护层42的步骤；
(3-7)处理第一保护层41的步骤；以及
(3-8)局部去除所述第一有机化合物层22a的步骤（图3F）。
步骤（3-1）到（3-7）只是具体的示例，并且可以根据第一有机化合物层22a和第一保护层41的构成材料省略部分所述步骤。例如，在第一有机化合物层22a上直接提供抗蚀剂层的情况下，可以省略步骤（3-1）、（3-2）、（3-6）和（3-7）。此外，在执行步骤（3-3）到（3-5）时，也可以在采用抗蚀剂层作为第二保护层的条件下省略步骤（3-2）和（3-6），只要对第一保护层的损害是可容许的即可，也就是说，只要不损失第一保护层的功能即可。在这种情况下，对第一保护层的损害的示例包括由步骤（3-3）中执行的热处理、步骤（3-4）中执行的曝光等导致的物理损害以及由步骤（3-3）中采用的抗蚀剂液体、步骤（3-5）中采用的显影剂等导致的化学损害。此外，图案精确度可能根据图案化过程期间的侧面蚀刻量等而发生变化，因而必须考虑上述几点确定所要执行的步骤。
在下文中描述通过步骤（3-1）到（3-7）处理第一有机化合物层22a的情况。
(3-1)形成第一保护层的步骤（图3B）
首先，在第一有机化合物层22a上形成第一保护层41。在这一步骤中形成的第一保护层41是将用于形成第一有机化合物层22a的图案的构件，并且其至少包括脱模层。例如，第一保护层41可以包括脱模层和第一有机化合物层22a之间的用于去除脱模层的残余的层。所述脱模层是选择性地溶解于预定脱模剂内的层，并且是被提供以容易地从第一有机化合物层22a去除形成在所述脱模层之上的层（例如，第二保护层（如下文所述））的层。此外，所述脱模层是由相对于几乎不溶解第一有机化合物层22a的构成材料的溶剂具有高溶解度的材料制成的层。考虑第一有机化合物层22a的构成材料中的大部分是不可溶于水的有机材料，因而所述脱模层的构成材料优选是溶于水的聚合物材料。注意，在本发明当中，脱模层的构成材料不限于可溶于水的聚合物材料，并且其可以是可溶于水或者无机盐水溶液的材料。
作为被用作脱模层的构成材料的可溶于水的聚合物材料，可以采用（例如）聚乙烯醇（PVA）、基于聚丙烯酸的聚合物、聚乙二醇（PEG）、聚环氧乙烷（PEO）、聚乙烯吡咯烷酮（PVP）以及其他公知材料。在采用这些可溶于水的材料形成脱模层的情况下，可以采用诸如涂覆方法或者印刷方法的已知方法。
此外，作为将在下文描述的在去除第一保护层41的步骤中用于去除第一保护层41的脱模剂，采用不溶解或者几乎不溶解第一有机化合物层22a的构成材料的液体。从对基于第一保护层41的脱模剂的相对溶解度的观点来看（第一保护层41的溶解度为1），第一有机化合物层22a相对于脱模剂的溶解度优选为1/10或更低，更优选为1/50或更低。
第一保护层41可以仅由上述脱模层形成，或者可以具有使其他层进一步层叠在所述脱模层上的配置。此外，第一保护层41不仅在第一区11中形成，还在包括区域15的第二区12中形成，如图3B所示。
(3-2)形成第二保护层的步骤（图3C）
接下来，在第一保护层41上形成第二保护层42。作为第二保护层42的构成材料，例如，优选采用能够保护脱模层（第一保护层41）和有机化合物层（第一有机化合物层22a）免受诸如采用抗蚀剂材料的光刻步骤之类的湿法步骤的材料。例如，可以采用诸如氧化硅（SiO2）膜、氮化硅（SiN）膜和氮氧化硅（SiON）膜之类的已知无机材料。但是，本发明不限于此。此外，第二保护层42还用于将在抗蚀剂层43中形成的图案转印到下层（第一保护层41，第一有机化合物层22a），在下文中将对抗蚀剂层予以描述。
如图3C所示，第二保护层42不仅形成于第一区11内，而且还形成于包括区域15的第二区12内。
(3-3)形成抗蚀剂层的步骤
接下来，采用抗蚀剂材料涂覆第二保护层42，以形成抗蚀剂层43。作为将在这一步骤中采用的抗蚀剂材料，可以采用已知的抗蚀剂材料（光敏材料）。此外，作为形成抗蚀剂层43的方法，可以选择诸如旋涂方法、缝涂方法、浸涂方法或者喷涂方法的已知方法。
如图3D所示，抗蚀剂层43不仅形成于第一区11内，而且还形成于包括区域15的第二区12内。
(3-4)曝光步骤（图3D）
接下来，采用光51照射抗蚀剂层43的预定区域（图3D）。将在这一步骤中采用的曝光装置的示例包括MPA和步进器。此外，当在这一步骤中采用光51照射预定区域时，采用光掩模52，所述光掩模设有处于预定区域内的遮蔽部分52a。尽管图3D所示的光掩模52包括处于提供第一有机发光元件20a的区域内以及处于第二区12中的局部区域内的遮蔽部分52a，但是在本发明中用于提供遮蔽部分52a的区域不限于此。另一方面，这一步骤中采用的光掩模52设有处于区域15中的预定区域（15a）中的开口52b。
(3-5)显影步骤（图3E）
接下来，采用显影剂选择性地去除在曝光步骤中采用光51照射的区域中的抗蚀剂层（图3E）。可以采用已知显影剂作为在这一步骤中采用的显影剂。
(3-6)处理第二保护层的步骤
接下来，采用在显影步骤之后剩余的抗蚀剂层43作为掩模，通过采用诸如CF4之类的化学反映蚀刻气体的干蚀刻对第二保护层42进行处理。作为干蚀刻方法，可以根据第二保护层42的材料采取采用氩气的物理蚀刻方法或者采用氧的灰化法等。这一干蚀刻选择性地去除设置在未被剩余抗蚀剂层43覆盖的区域内的第二保护层42。在采用干蚀刻处理第二保护层42时，有可能基本上垂直于衬底10地去除薄膜。因此，经处理（图案化）的第一有机化合物层22a的端部的倾斜角变为接近90°。因此，在采用干蚀刻方法时，能够实现精确度高于其他方法的精确度的图案化。
在这一步骤中，还对形成于第二区12中的第二保护层42进行局部处理。在这种情况下，在将成为发光区的第一区11中，基本上以像素宽度为基础对有机化合物层（第一有机化合物层22a等）图案化，因而以像素宽度为基础确保了脱模剂的渗透路径。相反，就常规而言，在发光区以外的第二区12中，与第一区11不同，不执行对有机化合物层（第一有机化合物层22a等）的精细图案化。然而，为了使脱模剂渗透到包括区域15的第二区12内，必须去除在第二区12的预定区域（图3D的15a）中提供的第二保护层42，以确保脱模剂至少渗透到区域15内的路径。
将参考附图描述对将在第二区12内形成的第二保护层42进行处理的实施例。图4是示出了将在图1A的封闭部分（β部分）中形成的第二保护层42的图案的示例的示意性平面图。图1A的β部分是包含在区域15中的区域。
作为处理至少将在第二区12中的区域15内形成的第二保护层42的实施例，如图4所示，优选提供第二保护层42的处理（去除）区域15a，使其在区域15内按照预定的间隔散布。通过以这种方式设置第二保护层42的处理区域，在稍后将予以描述的第一保护层的去除步骤中采用的脱模剂将从处理区域15a侵入第一保护层。这使得剥离设置于区域15中的第一保护层41尤其容易，因而在区域15中连续地形成不存在可能导致密封缺陷的作为第一保护层41等的构成材料的有机化合物残余的区域。因而，在提供密封膜或密封构件时，能够将密封膜形成为与不存在有机化合物残余的区域接触，并且能够施加用于将所述密封构件接合到不存在有机化合物残余的区域之外的粘合剂，由此能够防止由密封缺陷导致的图像劣化。
(3-7)处理第一保护层的步骤
接下来，将采用在第二保护层的处理步骤之后剩余的第二保护层42作为掩模，通过采用化学反应蚀刻气体的干蚀刻处理第一保护层41。这一干蚀刻去除直到上一步骤（第二保护层的处理步骤）剩余的抗蚀剂层43，并选择性地去除设置于未被剩余的第二保护层42覆盖的区域内的第一保护层41。在这一步骤中采用的干蚀刻方法的过程的示例包括采用氧的灰化方法、采用基于氟的气体的化学反应的方法以及采用氩气的物理蚀刻方法，并且可以根据第一保护层41的构成材料适当地选择所述过程。
例如，在将形成于第二区12中的第二保护层42处理成图4所示的图案的情况下，在这一步骤中还在第二区12内去除形成于所述第二保护层42的处理区域15a中的第一保护层41。于是，脱模剂从第一保护层41的处理区域15a，即脱模层的端面，渗透到第一保护层41内，由此剥离第一保护层41和形成于第一保护层41上的层。在这种情况下，实现从区域15无任何残余地剥离脱模层之上的各层所需的第二保护层42中的去除区域之间的距离受到各种因素的影响。具体而言，所述距离受到诸如脱模剂温度、脱模剂浓度、剥离时脱模剂的振动、第一保护层相对于脱模剂的溶解度以及第一保护层的厚度的因素的影响。在本发明中，第一保护层41的图案的最小间隔优选等于或小于形成于第一区11内的第一保护层41的图案的最小间隔的100倍。因而，能够在不导致第一保护层41的任何残余的情况下实现令人满意的剥离。
(3-8)局部去除第一有机化合物层的步骤（图3F）
接下来，将采用在第一保护层的处理步骤之后剩余的第一保护层41和第二保护层42作为掩模通过干蚀刻处理第一有机化合物层22a（图3F）。这一干蚀刻使第一有机化合物层22a仅留在将提供第一有机发光元件20a的区域内，并且去除其他区域内的第一有机化合物层22a。在这一步骤中执行的干蚀刻可以与在处理第一保护层的步骤中利用的干蚀刻过程相同或不同。
在去除第一保护层41的步骤中将第二保护层42连同下面的第一保护层41一起去除，在下文中将对该步骤加以描述，因而即使在第二保护层42上仍然具有抗蚀剂层43的残余时，也不存在问题。注意，如果在完成了这一步骤之后的阶段内在第一电极（21b和21c）的表面上仍然具有残余，那么所述残余对元件的特性具有很大影响。因此，在这一步骤中，执行干蚀刻，直到从第一电极（21b和21c）的表面去除了第一有机化合物层22a的残余为止。
(4)形成第二有机化合物层的步骤（图3G）
接下来，在第一区11和第二区12之上形成第二有机化合物层22b（图3G）。在这一步骤中，使在第一有机化合物层22a上提供的第一保护层41（脱模层）的端面露出，而不被第二保护层42或第二有机化合物层22b覆盖。因此，在接下来的步骤中，用于剥离和去除第一保护层41的脱模剂将容易地侵入。尽管脱模层优选露出，但是即使在脱模通过被第二有机化合物层22b局部覆盖层而未完全露出时，覆盖脱模层的端面的第二有机化合物层22b也具有小的厚度。第二有机化合物层22b的薄部分在脱模剂中略微溶解，从而形成使脱模层露出的部分，并且溶液能够从所述部分侵入。
在形成第二有机化合物层22b时，能够应用各种制造方法，包括用于形成第一有机化合物层22a的方法。在通过涂覆方法形成第二有机化合物层22b的情况下，必须满足下述要求（4-1）和（4-2）：
(4-1)将在上述涂覆方法中采用的溶剂不影响第二有机化合物层22a和第二保护层42；以及
(4-2)第二有机化合物层22b的构成材料在用于去除第一保护层41的脱模剂中不溶解或者几乎不溶解。
另一方面，在通过真空气相沉积方法形成第二有机化合物层22b的情况下，能够连续地气相沉积多个层。通过形成在用于去除第一保护层41的脱模剂中不溶解或者几乎不溶解的层作为最上层，不必考虑上述要求（4-1）和（4-2），这将增加材料的选择。
(5)去除第一保护层的步骤（图3H）
接下来，通过使脱模剂渗透到第一保护层41内而去除直到上一步骤（形成第二有机化合物层的步骤）存在于第一区11和第二区12中的第一保护层41（图3H）。具体而言，在这一步骤中，将第一保护层41浸泡在溶剂内，所述溶剂用于选择性地溶解作为脱模层的第一保护层41的构成材料，以去除第一保护层41。在第一保护层41的构成材料是例如可溶于水的聚合物材料的情况下，所采用的溶剂基本上为纯水。然而，为了增强溶剂相对于第一保护层41的溶解度，可以在需要时采用加热的纯水、含有纯水和大约10%到50%的有机溶剂（例如异丙醇）的混合溶剂。此外，可以采用超声波等促进溶剂的侵入。
在这一步骤结束时，在第一区11内形成了两种有机化合物层的图案，即，由第一有机化合物层22a和第二有机化合物层22b形成的有机化合物层的图案。
另一方面，在这一步骤结束时，在第二区12内形成了第二有机化合物层22b，其以与第二保护层42的图案相同的方式被图案化。
(6)处理第二有机化合物层的步骤
通过适当地重复与上文描述的有机化合物层的图案化有关的步骤（第一有机化合物层的处理步骤），能够执行对有机化合物层的预定图案化。例如，如图3H所示，通过执行下述步骤从而在去除第一保护层41之后对第二有机化合物层22b进行处理，能够将第二有机化合物层22b图案化。
(6-1)形成第一保护层的步骤
(6-2)形成第二保护层的步骤（图3I）
(6-3)形成抗蚀剂层的步骤（图3J）
(6-4)曝光步骤（图3J）
(6-5)显影步骤
(6-6)处理第二保护层的步骤（图3K）
(6-7)处理第一保护层的步骤
(6-8)局部去除所述第二有机化合物层的步骤（图3L）
可以通过与在步骤（3-1）到（3-8）中采用的方法相同的方法执行步骤（6-1）到（6-8）。
(7)形成第三有机化合物层的步骤
接下来，在第一区11和第二区12之上形成第三有机化合物层22c（图3M）。在这一步骤中，使在第一有机化合物层22a和第二有机化合物层22b上提供的第一保护层41（脱模层）的端面露出，而不被第二保护层42或第三有机化合物层22c覆盖。因此，用于剥离和去除第一保护层41的脱模剂将在后续步骤中容易地侵入所述端面。尽管脱模层优选露出，但是即使在脱模层被第三有机化合物层22c局部覆盖并且未完全露出时，覆盖脱模层的端面的第二有机化合物层22b也将具有小的厚度。这里，第三有机化合物层22c的薄部分在脱模剂中略微溶解，从而形成了使脱模层露出的部分，并且溶液能够从所述部分侵入。
在形成第三有机化合物层22c时，可以应用各种制造方法，包括用于形成第一有机化合物层22a和第二有机化合物层22b的方法。这里，可以按照与第二有机化合物层22b中使用的方式相同的方式采用涂覆方法、真空气相沉积方法等作为形成第三有机化合物层22c的具体方法。此外，可以考虑第三有机化合物层22c的形成方法适当选择第三有机化合物层22c的构成材料。
(8)去除第一保护层的步骤（图3N）
接下来，通过使脱模剂渗透到第一保护层41内，去除直到上一步骤（形成第三有机化合物层的步骤）仍然存在于第一区11和第二区12中的第一保护层41（图3N）。
在这一步骤结束时，在第一区11中形成了由三种有机化合物层，即第一有机化合物层22a、第二有机化合物层22b和第三有机化合物层22c形成的有机化合物层的图案。
另一方面，在这一步骤结束时，在第二区12中形成了具有图4所示的区域15a的形状的第三有机化合物层22c。在形成第二有机化合物层22b的步骤中，在对第二有机化合物层22b进行处理的步骤中去除处于上述在第二区12中形成的图案位置以外的位置处的第二有机化合物层22b（图3L）。
(9)形成电子注入层的步骤
在将三种有机化合物层（22a，22b和22c）分别图案化成上述预期形状之后，如有必要在第一区11中形成诸如电子注入层之类的功能层。
作为电子注入层，为了增强电子注入特性，采用具有低功函数的碱金属或碱土金属、其化合物或者掺有任何这些金属的有机层或金属层。但是，所述电子注入材料具有高反应性，其在空气中与水和氧发生反应，从而丧失电子注入特性。因此，在采用电子注入材料制造元件时，电压升高。因此，在本发明中的浸泡到溶液中的步骤中不优选采用电子注入材料。相应地，在本发明中，通过采用溶液去除有机层，其后继之以充分的干燥，来形成电子注入层。所述电子注入层涉及下述情况：采用碱金属或碱土金属或者其化合物作为大约0.5nm到5nm的单层薄膜；通过与有机材料的共同蒸发形成掺有碱金属或碱土金属或者其化合物的有机层。可以在不采用电子注入层的情况下直接在上电极中包含碱金属或碱土金属或者其化合物。在这种情况下，可以采用已知的方法，例如，诸如Ag的阴极材料与诸如Mg的具有低功函数的金属的共同蒸发。
(10)形成第二电极的步骤
接下来，形成作为上电极的第二电极23。作为上电极，可以采用由ITO或IZO制成的透明导电膜，或者由Ag或Al或者包括这些金属的合金制成的反射膜。一般而言，形成上电极的方法的示例包括气相沉积方法和溅射方法。
此外，在显示区域内提供阴极接触的情况下，如图1A所示，可以在去除了脱模层的区域的一部分内提供接触部分13。
(11)密封步骤
在本发明中，对密封不存在具体的限制，可以采用吸湿剂或者玻璃帽执行密封。在采用氮化硅（SiN）膜等作为密封构件30（防湿层）的情况下，将密封构件30的厚度设置为大约1μm到10μm。
在本发明中，通过上述方法制造有机发光器件。然而，除了本发明所涉及的部分以外的部分不限于上文在实施例中描述的过程，并且可以采取已知的制造方法。
（第二实施例）
图5A到5N是示出了根据本发明的第二实施例的有机发光器件的制造方法的示意性截面图。在下文中将基于图5A到5N所示的制造过程描述每一步骤。图5A到5N所示的制造过程是用于制造图1A和1B的有机发光器件1的制造过程。在下文中将主要描述第一实施例和第二实施例之间的差别。
(1)包括电极的衬底
在这一实施例中，可以采用其上形成了在第一实施例中描述的下电极（21a，21b，21c）的衬底10。
(2)形成第一有机化合物层的步骤（图5A）
可以通过在第一实施例中描述的方法形成第一有机化合物层22a。在本发明中，如这一实施例中所示，具体地，在图5A中，在不采用区域掩模的情况下在包括区域15的第二区12内以及第一区11内形成第一有机化合物层22a。
(3)处理第一有机化合物层的步骤（图5B到5F）
可以通过在第一实施例中描述的方法处理第一有机化合物层22a。在这一步骤中，通过使第一保护层41和第二保护层42层叠的方式分别将在第一区11和第二区12中提供的第一有机化合物层22a处理成预期形状。
在这一实施例中，将设置于第二区12中的第一有机化合物层22a图案化成例如图6A和6B中所示的形状。图6A示出了图1A的作为区域15的角部分的γ部分的图案，图6B示出了除了区域15的角部分以外的图1A的β部分的图案。这里，图6A和6B所示的第一有机化合物层22a的处理（去除）区域15a也是第二保护层42的处理（去除）区域，并且按照与图4所示的实施例中的方式相同的方式在区域15内提供这一区域。通过以这种方式设置处理区域，在区域15内形成不存在引起密封缺陷的有机化合物残余的区域，以使得所述区域连续包围所述第一区11。因而，在提供密封膜或密封构件时，将密封膜形成为使所述密封膜与不存在有机化合物残余的区域接触，或者通过施加将密封构件接合到不存在有机化合物残余的区域之外的粘合剂，能够提供具有令人满意的密封的有机发光器件。
(4)形成第二有机化合物层的步骤（图5G）
与第一有机化合物层22a类似，可以通过在第一实施例中描述的方法形成第二有机化合物层22b。
(5)去除第一保护层的步骤（图5H）
可以通过在第一实施例中描述的方法，具体而言，可以采用脱模剂去除第一保护层41。
(6)处理第二有机化合物层的步骤（图5I到5L）
与第一有机化合物层22a类似，可以通过第一实施例中描述的方法处理第二有机化合物层22b。在这一步骤中，通过使第一保护层41和第二保护层42层叠的方式分别将在第一区11和第二区12中提供的第二有机化合物层22b处理成预期形状。
(7)形成第三有机化合物层的步骤（图5M）
与第一有机化合物层22a和第二有机化合物层22b类似，可以通过第一实施例中描述的方法形成第三有机化合物层22c。
(8)去除第一保护层的步骤（图5N）
可以通过在第一实施例中描述的方法，具体而言，可以采用脱模剂去除第一保护层41。
(9)形成电子注入层的步骤、形成第二电极的步骤和密封步骤
在完成了如上文所述的对三种有机化合物层（22a，22b，22c）的图案化之后，形成了有机发光元件，并且形成了所有有机发光元件共用的层（电子注入层等）。在形成了第二电极23之后，提供了用于密封有机发光元件的密封层或密封构件。通过上述步骤获得了一种有机发光器件。
采用如上文所述的本发明的制造方法，甚至在除了发光区以外的区域内，溶液也能够有效地渗透到脱模层，并且将脱模层剥离，从而避免形成残余。因此，避免了由密封缺陷导致的劣化等，结果能够获得令人满意的有机发光器件。
（示例1）
基于图3A到3N所示的制造过程制造图1A和1B的有机发光器件1。
(1)包括电极的衬底
首先，在由玻璃制成的基底构件上制备其上设置有包括晶体管的电路层和覆盖所述电路层的绝缘层的玻璃衬底（衬底10）。在衬底10上，如图1A所示，在处于第二区12内并且处于区域15的内侧的区域中提供接触部分13，并且在处于第二区12内并且处于区域15的外侧的区域中提供外部连接端子14。接下来，通过下述方法在对应于发光部分的区域中形成第一电极（21a，21b，21c）。
首先，通过溅射方法在衬底10的整个表面上依次将Al合金和ITO形成为膜，从而形成由Al合金膜和ITO膜制成的导电薄膜层。接下来通过光刻法对所述导电薄膜层图案化，并以发光部分为基础对其进行划分，从而沿行和列方向形成多个第一电极（21a，21b，21c）。
接下来，使其上形成了第一电极（21a，21b，21c）的衬底10受到UV臭氧处理，以清洗相应的第一电极（21a，21b，21c）的表面。将通过上述步骤制造的衬底10用作下述步骤中的包括电极的衬底。
(2)形成第一有机化合物层的步骤（图3A）
采用在第一区11内具有开口的区域掩模通过真空气相沉积方法形成包括依次层叠的空穴传输层、第一发射层和电子传输层的第一有机化合物层22a（图3A）。
首先，在衬底10上和第一电极（21a，21b，21c）上将α-NPD形成为膜，从而形成空穴传输层。在这种情况下，将空穴传输层的厚度设置为200nm。接下来，通过蒸气将CBP（主）和Ir(piq)3（客）共同沉积在空穴传输层上，以形成第一发射层（红色发射层）。在这种情况下，将第一发射层的厚度设置为80nm。之后，在第一发射层上将基于苯并菲的材料形成为膜，从而形成具有阻挡空穴的功能的电子传输层。在这种情况下，将电子传输层的厚度设置为10nm。
(3)处理第一有机化合物层的步骤（图3B到3F）
接下来，通过下述过程处理第一有机化合物层22a。
首先，制备PVP溶液，在所述溶液中使聚乙烯基吡咯烷酮（PVP）溶解于纯水，从而使其按重量占5%。接下来，通过旋涂方法在衬底10的整个表面上（在提供了第一有机化合物层22a的一侧）施加PVP溶液，由此形成第一保护层41（图3B）。在这种情况下，第一保护层的厚度为0.5μm。
接下来，通过CVD方法在第一保护层41上形成氮化硅膜，从而形成第二保护层42（图3C）。在这种情况下，将第二保护层42的厚度设置为0.3μm。
接下来，将正的光致抗蚀剂材料（Tokyo Ohka Kogyo有限公司制造的OFPR-800）形成为膜，以形成抗蚀剂层43。之后，对于第一区11，在除了第一有机发光元件20a之外的区域中，以及对于第二区12，在第二保护层42和第一保护层41的处理区域中，通过使用具有开口的掩模利用光照射抗蚀剂层43（图3D）。接下来，通过采用显影剂（Tokyo Ohka Kogyo有限公司制造的NMD-3）使抗蚀剂层43显影（图3E）。
接下来，通过采用经显影的抗蚀剂层43作为掩模，通过采用氟碳气体的干蚀刻方法去除在不被由抗蚀剂层43制成的掩模覆盖的区域内提供的第二保护层42，对第二保护层42进行处理。在这一示例中，如图4所示，选择性地去除设置于区域15内的第二保护层42中的部分15a。
图4示出了第二区12内的第二保护层42的相应处理区域（15a）之间的最短距离L11到L16。在这一示例中，将第一区11中的第二保护层42的相应处理区域（15a）之间的最短距离设置为30μm。另一方面，将区域15的宽度设置为700μm，将第二区12中的第二保护层42的相应处理区域（15a）形成为150μm×40μm的基本矩形形状。将图4所示的L11到L16全部设置为50μm。
接下来，通过采用氟碳气体的干蚀刻方法，根据分别设置于第一区11和第二区12中的第二保护层42的相应处理区域，依次蚀刻第一保护层41和第一有机化合物层22a（图3F）。
(4)形成第二有机化合物层的步骤（图3G）
形成包括依次层叠的空穴传输层、第二发射层和电子传输层的第二有机化合物层22b（图3G）。
首先，在衬底10和第一电极（21a，21b，21c）上通过真空气相沉积方法将α-NPD形成为膜，以形成空穴传输层。在这种情况下，将空穴传输层的厚度设置为200nm。接下来，将作为发光材料的四苯基丁二烯添加到含有聚对苯撑乙烯衍生物聚合物材料（MEH-PPV）作为主要成分的二甲苯溶液当中，使其按重量达到1%，并将其施加到空穴传输层上，以形成第二发射层（蓝色发射层）。在这种情况下，将第二发射层的厚度设置为40nm。接下来，在第二发射层上通过真空气相沉积方法将基于苯并菲的材料形成为膜，从而形成具有阻挡空穴的功能的电子传输层。在这种情况下，将电子传输层的厚度设置为10nm。
(5)去除第一保护层的步骤（图3H）
接下来，将其上形成了第二有机化合物层22b的衬底浸泡到水中，从而去除第一保护层（图3H）。
(6)处理第二有机化合物层的步骤（图3I到3L）
接下来，通过与第一有机化合物层22a的处理步骤相同的处理步骤对第二有机化合物层22b进行处理（图3I到3L）。在这一步骤中，在第一区11中，去除在其内提供了第三有机发光元件20c的区域内形成的第二有机化合物层22b，并且在第二区12中，去除在对应于图3J和图4中的部分15a的区域内形成的第二有机化合物层22b。
(7)形成第三有机化合物层的步骤（图3M）
形成包括依次层叠的空穴传输层、第三发射层和电子传输层的第三有机化合物层22c（图3M）。
首先，在衬底10和第一电极（21a，21b，21c）上通过真空气相沉积方法将α-NPD形成为膜，以形成空穴传输层。在这种情况下，将空穴传输层的厚度设置为200nm。接下来，将作为发光材料的香豆素6添加到含有聚对苯撑乙烯衍生物聚合物材料（MEH-PPV）作为主要成分的二甲苯溶液当中，使其按重量达到1%，并将其施加到空穴传输层上，以形成第三发射层（绿色发射层）。在这种情况下，将第三发射层的厚度设置为50nm。接下来，在第三发射层上通过真空气相沉积方法将基于苯并菲的材料形成为膜，从而形成具有阻挡空穴的功能的电子传输层。在这种情况下，将电子传输层的厚度设置为10nm。
(8)去除第一保护层的步骤（图3N）
通过与上述步骤（5）相同的方法去除第一保护层41。
(9)形成公共层的步骤、形成第二电极的步骤和密封步骤
将其上形成了三种有机化合物层（22a，22b，22c）的衬底10放到真空环境中，并在100°C上对其加热30分钟，从而使热量充分散发。接下来，通过真空膜形成方法形成所有发光部分所共用的公共层（未示出）。注意，所述公共层是包括电子传输层和电子注入层的叠层。
首先，将红菲绕啉形成为膜，由此形成电子传输层。在这种情况下，将电子传输层的厚度设置为10nm。接下来，由蒸气共同沉积红菲绕啉和碳酸铯（Cs2CO3），从而使红菲绕啉和Cs2CO3之间的比例在体积比上为7:3，由此形成电子注入层。在这种情况下，将电子注入层的厚度设置为60nm。
接下来，通过溅射方法将Ag形成为膜，由此形成第二电极23。在这种情况下，将第二电极23的厚度设为12nm。最后，在其内形成了衬底10的发光部分的整个表面上通过CVD方法形成氮化硅膜，由此形成密封膜。在这种情况下，将密封膜的厚度设为6μm。通过这种方式获得了设有三种有机发光元件（20a，20b，20c）的有机发光器件1。
向通过上述方法获得的多个有机发光器件提供电流，并检查每一发光部分的光发射，结果获得了令人满意的光发射。
（示例2）
基于图5A到5N所示的制造过程制造图1A和1B的有机发光器件1。
(1)包括电极的衬底
通过与示例1中的方法相同的方制造其内形成了多个第一电极（21a，21b，21c）的包括电极的衬底。
(2)形成第一有机化合物层的步骤（图5A）
首先，通过旋涂方法将聚(3,4)乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐（Bayer AG制造的PEDT/PSS，Baytron P）施加到其上形成了第一电极（21a，21b，21c）的整个衬底表面，以形成涂覆膜。接下来，使所述涂覆膜干燥，以形成空穴注入层。在这种情况下，将空穴注入层的厚度设为100nm。接下来，向通过使含有聚乙烯咔唑作为主要成分的发光材料与甲苯混合而制备的甲苯溶液中添加Ir(piq)3，使其按重量达到2%，通过旋涂方法将由此获得的溶液施加到空穴注入层的整个表面上，由此形成涂覆膜。接下来，使所述涂覆膜干燥，以形成第一发射层（红色发射层）。在这种情况下，将第一发射层的厚度设为80nm。通过上文描述的过程形成由空穴注入层和第一发射层制成的第一有机化合物层22a（图5A）。
(3)处理第一有机化合物层的步骤（图5B到5F）。
接下来，混合聚乙烯基吡咯烷酮（PVP）和纯水，以制备按重量为5%的PVP水溶液。之后，通过旋涂方法向其上形成了第一有机化合物层22a的整个表面施加所述PVP水溶液，以获得涂覆膜。接下来，在100°C下对所述涂覆膜加热10分钟，以形成第一保护层41（图5B）。在这种情况下，将第一保护层41的厚度设为0.5μm。
接下来，将其上形成了第一保护层41的衬底10放到CVD膜形成装置内。之后，通过CVD在第一保护层41上将氮化硅形成为膜，以形成第二保护层42（图5C）。在这种情况下，将第二保护层42的厚度设为1μm。
接下来，将正的光致抗蚀剂材料（Tokyo Ohka Kogyo有限公司制造的OFPR-800）形成为膜，以形成抗蚀剂层43。之后，对于第一区11，在除了第一有机发光元件20a的区域中，以及对于第二区12，在第二保护层42和第一保护层41的处理区域中，通过使用具有开口的掩模利用光照射抗蚀剂层43（图3D）。接下来，采用显影剂（TokyoOhka Kogyo有限公司制造的NMD-3）使抗蚀剂层43显影（图3E）。
接下来，将包括经显影的抗蚀剂层43的衬底10放到干蚀刻装置内。接下来，采用经显影的抗蚀剂层43作为掩模，通过采用氟碳气体的干蚀刻方法去除在不被由抗蚀剂层43制成的掩模覆盖的区域内提供的第二保护层42，由此对第二保护层42进行处理。在这一示例中，如图6A和6B所示，局部去除在区域15内提供的第二保护层42。
图6A和6B示出了第二区12内的第二保护层42的相应处理区域（15a）之间的最短距离L21到L24。在这一示例中，将区域15的宽度设为800μm，将第二区12中的第二保护层42的每一处理区域形成为具有10μm的宽度的条状，并且将图6A和6B中所示的L21到L24全部设为50μm。
接下来，通过采用氧等离子体的干蚀刻方法，沿分别设置于第一区11和第二区12中的第二保护层42的相应处理区域，依次蚀刻第一保护层41和第一有机化合物层22a。在采用氧等离子体蚀刻抗蚀剂层43并且完成了对第一保护层41和第一有机化合物层22a的局部去除时，完全去除了残留在提供了第一有机发光元件20a的区域内的抗蚀剂层43（图5F）。
(4)形成第二有机化合物层的步骤（图5G）
通过真空气相沉积方法形成包括依次层叠的空穴传输层、第二发射层和空穴阻挡层的第二有机化合物层22b（图5G）。
首先，将氧化钼形成为膜，以形成空穴注入层。在这种情况下，将空穴注入层的厚度设为1nm。接下来，在空穴注入层上将α-NPD形成为膜，以形成空穴传输层。在这种情况下，将空穴传输层的厚度设为160nm。接下来，由蒸气将Alq3（主）和香豆素6（客）共同沉积在空穴传输层上，以形成第二发射层（绿色发射层）。在这种情况下，将第二发射层的厚度设为50nm。之后，在第二发射层上将基于苯并菲的材料形成为膜，以形成空穴阻挡层。在这种情况下，将空穴阻挡层的厚度设为10nm。
(5)去除第一保护层的步骤（图5H）
接下来，将其上形成了第二有机化合物层22b的衬底浸泡到纯水中，并使其受到超声波振动，以去除第一保护层41（图5H）。在这种情况下，还将形成于第一保护层41上的第二保护层42和第二有机化合物层22b连同第一保护层41一起去除。
(6)处理第二有机化合物层的步骤（图5I到5L）
接下来，通过与第一有机化合物层22a的处理步骤相同的处理步骤对第二有机化合物层22b进行处理（图5I到5L）。在这一步骤中，在第一区11中，去除在其内提供了第三有机发光元件20c的区域内形成的第二有机化合物层22b，在第二区12中，去除在对应于图6A的部分15a的区域内形成的第二有机化合物层22b。
(7)形成第三有机化合物层的步骤（图5M）
通过真空气相沉积方法形成包括依次层叠的空穴传输层、第三发射层和空穴阻挡层的第三有机化合物层22c（图5M）。在形成第三有机化合物层22c时，采用在第一区11中的其内提供了第三有机发光元件20c的区域内具有开口的区域掩模。
首先，将氧化钼形成为膜，以形成空穴注入层。在这种情况下，将空穴注入层的厚度设为1nm。接下来，在空穴注入层上将α-NPD形成为膜，以形成空穴传输层。在这种情况下，将空穴传输层的厚度设为100nm。接下来，将蒽衍生物（主）和二萘嵌苯（客）由蒸气共同沉积在所述空穴传输层上，以形成第三发射层（蓝色发射层）。在这种情况下，将第三发射层的厚度设为30nm。之后，在第三发射层上将基于苯并菲的材料形成为膜，以形成空穴阻挡层。在这种情况下，将空穴阻挡层的厚度设为10nm。
(8)去除第一保护层的步骤（图5N）
通过与上述步骤（5）的方法相同的方法去除第一保护层41。
(9)形成公共层的步骤、形成第二电极的步骤和密封步骤
将其上形成了三种有机化合物层（22a，22b，22c）的衬底10放到真空环境中，并在100°C上对其加热30分钟，从而使热量充分散发。接下来，通过真空膜形成方法形成所有发光部分所共用的公共层（未示出）。注意，所述公共层是包括电子传输层和电子注入层的叠层。
首先，将红菲绕啉形成为膜，由此形成电子传输层。在这种情况下，将电子传输层的厚度设为10nm。接下来，将红菲绕啉和碳酸铯（Cs2CO3）由蒸气共同沉积，从而使红菲绕啉和Cs2CO3之间的比例在体积比上为7:3，由此形成电子注入层。在这种情况下，将电子注入层的厚度设为60nm。
接下来，通过溅射方法将Ag形成为膜，由此形成第二电极23。在这种情况下，将第二电极23的厚度设为12nm。最后，在其内形成了衬底10的发光部分的整个表面上通过CVD方法形成氮化硅膜，由此形成密封膜。在这种情况下，将密封膜的厚度设为6μm。通过这种方式获得了设有三种有机发光元件（20a，20b，20c）的有机发光器件1。
向通过上述方法获得的多个有机发光器件提供电流，并检查每一发光部分的光发射，结果获得了令人满意的光发射。
尽管已经参考示范性实施例描述了本发明，但是应当理解，本发明不限于所公开的示范性实施例。下述权利要求的范围应遵循最宽泛的解释，从而使其包含所有这样的修改以及等同结构和功能。
（附图标记列表）
1：有机发光器件，10：衬底，11：第一区（发光区），12：第二区，13：接触部分，14：外部连接端子，15：围绕第一区的区域，15a：（第二区的第一保护层等的）处理区域，20a（20b，20c）：有机发光元件，21a（21b，21c）：第一电极，22a：第一有机化合物层，22b：第二有机化合物层，22c：第三有机化合物层，23：第二电极，30：密封构件，41：第一保护层，42：第二保护层，43：抗蚀剂层，52：光掩模。
Claims (8)
1.一种有机发光器件的制造方法，
所述有机发光器件包括：
衬底，其上设置有第一区和第二区，所述第一区是具有多个发光部分的发光区，所述第二区设置在所述第一区的周围；以及
分别在对应于所述多个发光部分的区域中形成的第一电极，
所述制造方法包括：
至少在所述第一区中形成包括第一发射层的第一有机化合物层的第一有机化合物层形成步骤；
在其上形成了第一有机化合物层的衬底的整个表面上形成包括脱模层的第一保护层的第一保护层形成步骤；
在所述第一保护层上形成第二保护层的第二保护层形成步骤；
去除所述第二保护层的一部分以获得图案化的第二保护层的第二保护层处理步骤；
根据所述第二保护层的图案去除所述第一保护层和所述第一有机化合物层的一部分以获得图案化的第一保护层和图案化的第一有机化合物层的第一保护层和第一有机化合物层处理步骤；
在其上形成了图案化的第一有机化合物层的衬底的整个表面上形成包括第二发射层的第二有机化合物层的第二有机化合物层形成步骤；以及
使所述脱模层与用于选择性地去除所述脱模层的脱模剂接触，从而至少将所述脱模层连同形成于所述脱模层之上的层一起去除的剥离步骤，
其中，还在所述第二区中设置在所述第二保护层处理步骤中从其中去除了所述第二保护层的区域，并且
其中，所述第二区中的从其中去除了所述第二保护层的区域之间的间隔的最小值小于或等于第一区内的从其中去除了所述第二保护层的区域之间的间隔的最小值的100倍。
2.根据权利要求1所述的有机发光器件的制造方法，其中，所述第二保护层处理步骤包括：形成从其中去除了所述第二保护层的区域，从而使所述区域围绕所述第一区散布。
3.根据权利要求1所述的有机发光器件的制造方法，其中，所述第二保护层处理步骤包括：形成从其中去除了所述第二保护层的区域，从而使所述区域连续围绕所述第一区。
4.根据权利要求1所述的有机发光器件的制造方法，还包括：在所述剥离步骤之后形成用于覆盖所述第一区的密封层的密封步骤，
其中，所述密封步骤包括：形成所述密封层，以使所述密封层延伸至在所述第二保护层处理步骤中从其中去除了所述第二保护层的区域。
5.根据权利要求1所述的有机发光器件的制造方法，其在所述第二保护层形成步骤和所述第二保护层处理步骤之间还包括：
在所述第二保护层上形成抗蚀剂层的抗蚀剂层形成步骤；以及
通过光刻法对抗蚀剂层图案化的图案化步骤；
其中，所述第二保护层处理步骤包括：在未被所述抗蚀剂层覆盖的区域中去除所述第二保护层。
6.根据权利要求1所述的有机发光器件的制造方法，其中，通过干蚀刻执行所述第二保护层处理步骤以及所述第一保护层和第一有机化合物层处理步骤。
7.根据权利要求1所述的有机发光器件的制造方法，其中，所述脱模层包括能够溶于水的聚合物材料。
8.根据权利要求1所述的有机发光器件的制造方法，其中，所述第二保护层包括无机材料。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012029730A JP2013168242A (ja) | 2012-02-14 | 2012-02-14 | 有機発光装置の製造方法 |
| JP2012-029730 | 2012-02-14 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103247763A true CN103247763A (zh) | 2013-08-14 |
Family
ID=48927113
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2013100499481A Pending CN103247763A (zh) | 2012-02-14 | 2013-02-08 | 有机发光器件的制造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8664017B2 (zh) |
| JP (1) | JP2013168242A (zh) |
| CN (1) | CN103247763A (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106373980A (zh) * | 2015-07-22 | 2017-02-01 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示装置和制造有机发光显示装置的方法 |
| CN108346373A (zh) * | 2018-01-19 | 2018-07-31 | 昆山国显光电有限公司 | 一种显示装置及其制作方法 |
| CN110167280A (zh) * | 2019-04-26 | 2019-08-23 | 信利光电股份有限公司 | 一种在电路衬底上制作保护膜层的方法 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2605560C2 (ru) * | 2011-01-27 | 2016-12-20 | Витрифлекс, Инк. | Неорганический многослойный пакет и относящиеся к нему способы и композиции |
| EP2579313B1 (en) | 2011-09-22 | 2021-10-27 | LG Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same |
| WO2013184219A1 (en) * | 2012-03-30 | 2013-12-12 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Systems and methods for patterning samples |
| JP6220171B2 (ja) * | 2013-07-03 | 2017-10-25 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| CN105637668B (zh) * | 2013-08-29 | 2018-06-01 | 富士胶片株式会社 | 用于将有机层微影图案化的方法 |
| JP6190709B2 (ja) * | 2013-12-04 | 2017-08-30 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| DE102013113533A1 (de) * | 2013-12-05 | 2015-06-11 | Osram Oled Gmbh | Konversionselement und Verfahren zur Herstellung eines Konversionselements |
| KR102458686B1 (ko) * | 2015-04-30 | 2022-10-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
| KR102313365B1 (ko) | 2015-08-25 | 2021-10-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| JP2017182892A (ja) * | 2016-03-28 | 2017-10-05 | セイコーエプソン株式会社 | 発光素子、発光装置、及び電子機器 |
| KR102606282B1 (ko) | 2017-06-19 | 2023-11-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| US20240057378A1 (en) * | 2020-12-29 | 2024-02-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for fabricating display device |
| CN113299542B (zh) * | 2021-05-20 | 2023-03-10 | 安徽熙泰智能科技有限公司 | 一种高分辨率硅基彩色oled微显示器件的制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1638551A (zh) * | 2003-12-30 | 2005-07-13 | Lg.菲利浦Lcd株式会社 | 双板型有机电致发光装置及其制造方法 |
| CN101051675A (zh) * | 2006-03-28 | 2007-10-10 | 佳能株式会社 | 有机发光装置及其制造方法 |
| CN100477331C (zh) * | 2002-05-09 | 2009-04-08 | 大日本印刷株式会社 | 电致发光元件的制造方法 |
| JP4578026B2 (ja) * | 2001-07-25 | 2010-11-10 | 大日本印刷株式会社 | エレクトロルミネッセント素子の製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5424560A (en) * | 1994-05-31 | 1995-06-13 | Motorola, Inc. | Integrated multicolor organic led array |
| US5587589A (en) * | 1995-03-22 | 1996-12-24 | Motorola | Two dimensional organic light emitting diode array for high density information image manifestation apparatus |
-
2012
- 2012-02-14 JP JP2012029730A patent/JP2013168242A/ja active Pending
-
2013
- 2013-02-07 US US13/761,597 patent/US8664017B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-02-08 CN CN2013100499481A patent/CN103247763A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4578026B2 (ja) * | 2001-07-25 | 2010-11-10 | 大日本印刷株式会社 | エレクトロルミネッセント素子の製造方法 |
| CN100477331C (zh) * | 2002-05-09 | 2009-04-08 | 大日本印刷株式会社 | 电致发光元件的制造方法 |
| CN1638551A (zh) * | 2003-12-30 | 2005-07-13 | Lg.菲利浦Lcd株式会社 | 双板型有机电致发光装置及其制造方法 |
| CN101051675A (zh) * | 2006-03-28 | 2007-10-10 | 佳能株式会社 | 有机发光装置及其制造方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106373980A (zh) * | 2015-07-22 | 2017-02-01 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示装置和制造有机发光显示装置的方法 |
| US11227998B2 (en) | 2015-07-22 | 2022-01-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same |
| CN106373980B (zh) * | 2015-07-22 | 2022-02-08 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示装置和制造有机发光显示装置的方法 |
| CN108346373A (zh) * | 2018-01-19 | 2018-07-31 | 昆山国显光电有限公司 | 一种显示装置及其制作方法 |
| CN110167280A (zh) * | 2019-04-26 | 2019-08-23 | 信利光电股份有限公司 | 一种在电路衬底上制作保护膜层的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US8664017B2 (en) | 2014-03-04 |
| JP2013168242A (ja) | 2013-08-29 |
| US20130210176A1 (en) | 2013-08-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103247763A (zh) | 有机发光器件的制造方法 | |
| US7508004B2 (en) | Light-emitting device, method for manufacturing light-emitting device, and electronic apparatus | |
| US8877532B2 (en) | Method of manufacturing organic electroluminescence display device | |
| US9054315B2 (en) | Method for manufacturing organic light-emitting device | |
| US7914976B2 (en) | Production method for electroluminescent element | |
| KR100643376B1 (ko) | 표시장치와 표시장치의 제조방법 | |
| KR101152140B1 (ko) | 디스플레이 장치와 디스플레이 장치의 제조방법 | |
| US20060099731A1 (en) | Method of patterning a functional material on to a substrate | |
| US20120252143A1 (en) | Method of manufacturing organic light emitting device | |
| JP2007134327A (ja) | 表示装置とその製造方法 | |
| JP2009004347A (ja) | 有機ｅｌ表示素子の製造方法及び有機ｅｌ表示素子 | |
| US20120252149A1 (en) | Method of manufacturing organic electroluminescence display device | |
| JP5854794B2 (ja) | 有機ｅｌ装置の製造方法 | |
| KR20070019377A (ko) | 디스플레이 장치와 디스플레이 장치의 제조방법 | |
| US7736921B2 (en) | Method for manufacturing electroluminescent element | |
| US20050079787A1 (en) | Method for fabricating electroluminescent element | |
| EP1735854B1 (en) | Method of patterning a functional material on to a substrate | |
| JP2010102989A (ja) | エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 | |
| JP2010080269A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 | |
| JP2013054876A (ja) | 有機発光装置の製造方法 | |
| JP2007115608A (ja) | 有機ｅｌディスプレイ並びにその製造方法および製造装置 | |
| KR20070079819A (ko) | 표시장치와 이의 제조방법 | |
| KR20070054051A (ko) | 디스플레이장치의 제조방법 | |
| JP2007234612A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20130814 |