JP5185598B2 - 有機el表示装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
(1)Si−O-Si 伸縮振動吸収ピークが1000 cm-1 より低エネルギー側に存在すること。
(2)約870 cm-1近傍に存在するSi−N伸縮振動吸収ピークの吸収強度が前記Si−O-Si伸縮振動吸収ピークの吸収強度の0.75倍以上であること。
(3) 2000〜4000 cm-1 領域での吸収ピークの強度が前記Si−N伸縮振動吸収ピークの吸収強度の5%以下であること。
(1) 酸化マグネシウム膜の赤外吸収スペクトルの3400〜3500cm-1領域、及び、3600cm-1近傍で見られるO−H振動吸収ピークの吸光度log(1/透過率)を前記酸化マグネシウム膜の膜厚で除した値が0.08μm-1以下であること。
(2)酸化マグネシウム膜の赤外吸収スペクトルの3700cm-1近傍で見られるMg-OH振動吸収ピークの吸光度log(1/透過率)を前記酸化マグネシウム膜の膜厚で除した値が0.08μm-1以下であること。さらに、膜組成(O/Mg比) も吸水状態によって変化するため、0.95〜1.1のO/Mg比の範囲で形成するのが望ましい。
Claims (13)
- 回路を形成した第1の基板上に第1の電極、発光層を含む有機層、第2の電極が順次積層してなる有機EL素子を、SiNxOy膜を有する保護層により被覆した有機EL表示装置であって、
前記SiNxOy膜は前記第2の電極に接し、前記保護層は、封止ガラスに接触して封止ガラスを保持し、
前記SiNxOy膜は、活性化反応蒸着法によって形成され、Si-O-Si 伸縮振動吸収ピークが1000 cm-1 より低エネルギー側に存在し、約870 cm-1近傍に存在するSi-N伸縮振動吸収ピークの吸収強度が前記Si-O-Si伸縮振動吸収ピークの吸収強度の0.75倍以上であり、且つ、2000〜4000cm-1 領域での吸収ピークの強度が前記Si-N伸縮振動吸収ピークの吸収強度の5%以下である赤外吸収特性を有するSiNxOy膜であることを特徴とする有機EL表示装置。 - 前記SiNxOy膜が、Ar、Ne、Heの少なくとも1つを含むこと、を特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置。
- 前記保護層は前記SiNxOy膜に積層された酸化マグネシウム膜を有することを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置。
- 前記保護層は前記SiNxOy膜に酸化マグネシウム膜が積層され、さらに前記SiNxOy膜が積層されていることを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置。
- 前記酸化マグネシウム膜が、Ar、Ne、Heの少なくとも1つを含むこと、を特徴とする請求項3に記載の有機EL表示装置。
- 回路を形成した第1の基板上に第1の電極、発光層を含む有機層、第2の電極が順次積層してなる有機EL素子を、SiNxOy膜を有する保護層により被覆した有機EL表示装置において、
前記SiNxOy膜は前記第2の電極に接し、前記保護層は封止ガラスに接触して封止ガラスを保持し、
前記SiNxOy膜は、活性化反応蒸着法によって形成され、Si-O-Si伸縮振動吸収ピークが1000 cm -1 より低エネルギー側に存在し、約870 cm -1 近傍に存在するSi-N伸縮振動吸収ピークの吸収強度が前記Si-O-Si伸縮振動吸収ピークの吸収強度の0.75倍以上であり、且つ、2000〜4000cm -1 量域での吸収ピークの強度が前気Si-N伸縮振動吸収ピークの吸収強度の5%以下である赤外吸収特性を有するSiNxOy膜であり、
前記保護層の上に樹脂シートが積層されており、前記樹脂シートは第2の基板によって積層されていることを特徴とする有機EL表示装置。 - 前記樹脂シートは吸水性の性質を有することを特徴とする請求項6に記載の有機EL表示装置。
- 回路を形成した第1の基板上に第1の電極、発光層を含む有機層、第2の電極が順次積層してなる有機EL素子を、SiNxOy膜を有する保護層により被覆した有機EL表示装置において、
前記SiNxOy膜は前記第2の電極に接し、前記保護層は封止ガラスに接触して封止ガラスを保持し、
前記SiNxOy膜は、活性化反応蒸着法によって形成され、Si-O-Si伸縮振動吸収ピークが1000 cm -1 より低エネルギー側に存在し、約870 cm -1 近傍に存在するSi-N伸縮振動吸収ピークの吸収強度が前記Si-O-Si伸縮振動吸収ピークの吸収強度の0.75倍以上であり、且つ、2000〜4000 cm -1 領域での吸収ピークの強度が前記Si-N伸縮振動吸収ピークの吸収強度の5%以下である赤外吸収特性を有するSiNxOy膜であり、
前記保護層の上に樹脂シートが積層されており、前記樹脂シートは空間を挟んで第2の基板によって覆われており、前記空間には不活性ガスが充填されていることを特長とする有機EL表示装置。 - 前記不活性気体は窒素であることを特徴とする請求項8に記載の有機EL表示装置。
- 前記第1の基板と前記第2の基板の間に乾燥剤を存在せしめたことを特徴とする請求項8に記載の有機EL表示装置。
- 前記第2の基板が可視光に対して透明であることを特徴とする請求項8に記載の有機ELパネル。
- 前記第2の基板が可視光に対して透明であることを特徴とする請求項8に記載の有機ELパネル。
- 回路を形成した第1の基板上に第1の電極、発光層を含む有機層、第2の電極が順次積層してなる有機EL素子を、SiNxOy膜とマグネシウム酸化物膜を有する保護層により被覆した有機EL表示装置の製造方法であって、
前記前記酸化マグネシウム膜は、酸素化合物気体からなる雰囲気中でイオンビームあるいは電子ビームをマグネシウム酸化物からなる材料に照射することによって前記酸化マグネシウム膜を形成することを特徴とする有機EL表示装置の製造方法。
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