JPH06231881A - 有機薄膜発光素子 - Google Patents
有機薄膜発光素子Info
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- JPH06231881A JPH06231881A JP5019120A JP1912093A JPH06231881A JP H06231881 A JPH06231881 A JP H06231881A JP 5019120 A JP5019120 A JP 5019120A JP 1912093 A JP1912093 A JP 1912093A JP H06231881 A JPH06231881 A JP H06231881A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】信頼性に優れる有機薄膜発光素子を得る。
【構成】背面電極６上に有機保護層７を設ける。有機保
護層６は背面電極６が接する発光層４または電子注入層
５と同一の有機化合物を用いる。
護層６は背面電極６が接する発光層４または電子注入層
５と同一の有機化合物を用いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は各種表示装置の発光源
として用いる有機薄膜発光素子に係り、特に素子の保護
層に関する。
として用いる有機薄膜発光素子に係り、特に素子の保護
層に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のブラウン管に代わるフラットディ
スプレイの需要の急増に伴い、各種表示素子の開発及び
実用化が精力的に進められている。エレクトロルミネッ
センス素子（以下ＥＬ素子とする）もこうしたニ−ズに
即するものであり、特に全固体の自発発光素子として、
他のディスプレイにはない高解像度及び高視認性により
注目を集めている。現在、実用化されているものは、発
光層にＺｎＳ／Ｍｎ系を用いた無機材料からなるＥＬ素
子である。しかるに、この種の無機ＥＬ素子は発光に必
要な駆動電圧が１００Ｖ以上と高いため駆動方法が複雑
となり製造コストが高いといった問題点がある。また、
青色発光の効率が低いため、フルカラ−化が困難であ
る。これに対して、有機材料を用いた薄膜発光素子は、
発光に必要な駆動電圧が大幅に低減でき、かつ各種発光
材料の適用によりフルカラ−化の可能性を充分に持つこ
とから、近年研究が活発化している。
スプレイの需要の急増に伴い、各種表示素子の開発及び
実用化が精力的に進められている。エレクトロルミネッ
センス素子（以下ＥＬ素子とする）もこうしたニ−ズに
即するものであり、特に全固体の自発発光素子として、
他のディスプレイにはない高解像度及び高視認性により
注目を集めている。現在、実用化されているものは、発
光層にＺｎＳ／Ｍｎ系を用いた無機材料からなるＥＬ素
子である。しかるに、この種の無機ＥＬ素子は発光に必
要な駆動電圧が１００Ｖ以上と高いため駆動方法が複雑
となり製造コストが高いといった問題点がある。また、
青色発光の効率が低いため、フルカラ−化が困難であ
る。これに対して、有機材料を用いた薄膜発光素子は、
発光に必要な駆動電圧が大幅に低減でき、かつ各種発光
材料の適用によりフルカラ−化の可能性を充分に持つこ
とから、近年研究が活発化している。
【０００３】特に、電極／正孔注入層／発光層／電極か
らなる積層型において、発光物質にトリス（８−ヒドロ
キシキノリン）アルミニウムを、正孔注入物質に１，
１′−ビス（４−Ｎ，Ｎ′−ジトリアミノフェニル）シ
クロヘキサンを用いることにより、１０Ｖ以下の印加電
圧で１０００ｃｄ／ｍ2 以上の輝度が得られたという報
告がなされて以来開発に拍車がかけられた（Appl.Phys.
Lett. 51,913,(1987))。
らなる積層型において、発光物質にトリス（８−ヒドロ
キシキノリン）アルミニウムを、正孔注入物質に１，
１′−ビス（４−Ｎ，Ｎ′−ジトリアミノフェニル）シ
クロヘキサンを用いることにより、１０Ｖ以下の印加電
圧で１０００ｃｄ／ｍ2 以上の輝度が得られたという報
告がなされて以来開発に拍車がかけられた（Appl.Phys.
Lett. 51,913,(1987))。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この様に、有機材料を
用いた薄膜発光素子は低電圧駆動やフルカラ−化の可能
性等を強く示唆しているものの、性能面で解決しなけれ
ばならない課題が多く残されている。特に長時間駆動に
伴う非発光欠陥の発生は解決を要する。図５は従来の有
機薄膜発光素子を示す断面図である。
用いた薄膜発光素子は低電圧駆動やフルカラ−化の可能
性等を強く示唆しているものの、性能面で解決しなけれ
ばならない課題が多く残されている。特に長時間駆動に
伴う非発光欠陥の発生は解決を要する。図５は従来の有
機薄膜発光素子を示す断面図である。
【０００５】図６は従来の異なる有機薄膜発光素子を示
す断面図である。図７は従来のさらに異なる有機薄膜発
光素子を示す断面図である。図８は従来のさらに異なる
有機薄膜発光素子を示す断面図である。１は絶縁性透明
基板、２は透光性電極、３は正孔注入層、４は発光層、
５は電子注入層、６は背面電極、８は直流電源である。
す断面図である。図７は従来のさらに異なる有機薄膜発
光素子を示す断面図である。図８は従来のさらに異なる
有機薄膜発光素子を示す断面図である。１は絶縁性透明
基板、２は透光性電極、３は正孔注入層、４は発光層、
５は電子注入層、６は背面電極、８は直流電源である。
【０００６】上記非発光欠陥の発生は鋭意研究の結果、
素子の背面電極の接合性が発光特性に大きく影響してい
ることを見い出した。従来の素子においては背面電極の
密着性が悪いために連続駆動時に背面電極が剥離する。
また背面電極は周囲の環境にさらされているために酸化
等の劣化を防止することができなかった。この発明は上
述の点に鑑みてなされその目的は、背面電極の剥離およ
び酸化を防止することにより信頼性に優れる有機薄膜発
光素子を提供することにある。
素子の背面電極の接合性が発光特性に大きく影響してい
ることを見い出した。従来の素子においては背面電極の
密着性が悪いために連続駆動時に背面電極が剥離する。
また背面電極は周囲の環境にさらされているために酸化
等の劣化を防止することができなかった。この発明は上
述の点に鑑みてなされその目的は、背面電極の剥離およ
び酸化を防止することにより信頼性に優れる有機薄膜発
光素子を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述の目的はこの発明に
よれば、透光性電極と背面電極とからなる一対の電極
と、この電極の内側には注入された電子と正孔を再結合
させて所定の波長の発光を行う発光層を少なくとも備
え、背面電極の外側には積層された有機保護層を有し、
この有機保護層は背面電極の内側に接する層と同一の有
機物質からなる有機薄膜発光素子とすることにより達成
される。
よれば、透光性電極と背面電極とからなる一対の電極
と、この電極の内側には注入された電子と正孔を再結合
させて所定の波長の発光を行う発光層を少なくとも備
え、背面電極の外側には積層された有機保護層を有し、
この有機保護層は背面電極の内側に接する層と同一の有
機物質からなる有機薄膜発光素子とすることにより達成
される。
【０００８】
【作用】有機保護層は有機能動層と同一の有機物質で形
成されるため、接合界面での結晶化や剥離が防止でき
る。さらに背面電極は環境から完全に遮断されるために
酸素や水分による劣化が防止される。
成されるため、接合界面での結晶化や剥離が防止でき
る。さらに背面電極は環境から完全に遮断されるために
酸素や水分による劣化が防止される。
【０００９】
【実施例】図１はこの発明の実施例に係る有機薄膜発光
素子を示す断面図である。図２はこの発明の異なる実施
例に係る有機薄膜発光素子を示す断面図である。図３は
この発明のさらに異なる実施例に係る有機薄膜発光素子
を示す断面図である。
素子を示す断面図である。図２はこの発明の異なる実施
例に係る有機薄膜発光素子を示す断面図である。図３は
この発明のさらに異なる実施例に係る有機薄膜発光素子
を示す断面図である。
【００１０】図４はこの発明のさらに異なる実施例に係
る有機薄膜発光素子を示す断面図である。１は絶縁性透
明基板、２は透光性電極、３は正孔注入層、４は発光
層、５は電子注入層、６は背面電極、７は有機保護層、
８は直流電源である。絶縁性透明基板１は素子の支持体
でガラス，樹脂等を用いる。
る有機薄膜発光素子を示す断面図である。１は絶縁性透
明基板、２は透光性電極、３は正孔注入層、４は発光
層、５は電子注入層、６は背面電極、７は有機保護層、
８は直流電源である。絶縁性透明基板１は素子の支持体
でガラス，樹脂等を用いる。
【００１１】透光性電極２は金，ニッケル等の半透膜や
インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ），酸化スズ（Ｓｎ
Ｏ2 ）あるいはポリピロール等の透明導電膜からなり抵
抗加熱蒸着、電子ビ−ム蒸着、スパッタ法あるいは電解
重合法，化学重合法により形成する。該透光性電極２
は、透明性を持たせるために、５０〜３００ｎｍの厚さ
にすることが望ましい。
インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ），酸化スズ（Ｓｎ
Ｏ2 ）あるいはポリピロール等の透明導電膜からなり抵
抗加熱蒸着、電子ビ−ム蒸着、スパッタ法あるいは電解
重合法，化学重合法により形成する。該透光性電極２
は、透明性を持たせるために、５０〜３００ｎｍの厚さ
にすることが望ましい。
【００１２】正孔注入層３は正孔を効率良く輸送し、且
つ注入することが必要で発光した光の発光極大領域にお
いてできるだけ透明であることが望ましい。成膜方法と
してスピンコ−ト、キャスティング、ＬＢ法、抵抗加熱
蒸着、電子ビ−ム蒸着，分子線エピタキシ等があるが膜
の均一性から抵抗加熱蒸着が一般的である。膜厚は１０
ないし２００ｎｍであり、好適には２０ないし８０ｎｍ
である。正孔注入物質としてはヒドラゾン化合物，ピラ
ゾリン化合物，スチルベン化合物，アミン系化合物など
が用いられる。
つ注入することが必要で発光した光の発光極大領域にお
いてできるだけ透明であることが望ましい。成膜方法と
してスピンコ−ト、キャスティング、ＬＢ法、抵抗加熱
蒸着、電子ビ−ム蒸着，分子線エピタキシ等があるが膜
の均一性から抵抗加熱蒸着が一般的である。膜厚は１０
ないし２００ｎｍであり、好適には２０ないし８０ｎｍ
である。正孔注入物質としてはヒドラゾン化合物，ピラ
ゾリン化合物，スチルベン化合物，アミン系化合物など
が用いられる。
【００１３】正孔注入物質の一例が化学式Ｉ−１ないし
化学式Ｉ−７に示される。
化学式Ｉ−７に示される。
【００１４】
【化１】
【００１５】発光層４は正孔注入層または透光性電極か
ら注入された正孔と、背面電極または電子注入層より注
入された電子の再結合により効率良く発光を行う。成膜
方法はスピンコ−ト、キャスティング、ＬＢ法、抵抗加
熱蒸着、電子ビ−ム蒸着，分子線エピタキシ等があるが
抵抗加熱蒸着が一般的である。膜厚は１０ないし２００
ｎｍであるが好適には２０ないし８０ｎｍである。
ら注入された正孔と、背面電極または電子注入層より注
入された電子の再結合により効率良く発光を行う。成膜
方法はスピンコ−ト、キャスティング、ＬＢ法、抵抗加
熱蒸着、電子ビ−ム蒸着，分子線エピタキシ等があるが
抵抗加熱蒸着が一般的である。膜厚は１０ないし２００
ｎｍであるが好適には２０ないし８０ｎｍである。
【００１６】発光物質の一例が化学式II−１ないし化学
式II−５に示される。
式II−５に示される。
【００１７】
【化２】
【００１８】電子注入層５は電子を効率良く発光層に注
入することが望ましい。成膜方法はスピンコ−ト、キャ
スティング、ＬＢ法、抵抗加熱蒸着、電子ビ−ム蒸着，
分子線エピタキシ等があるが抵抗加熱蒸着または分子線
エピタキシが一般的である。膜厚は１０ないし２００ｎ
ｍであるが好適には２０ないし８０ｎｍである。電子注
入物質としてはオキサジアゾール誘導体，ペリレン誘導
体などが用いられる。
入することが望ましい。成膜方法はスピンコ−ト、キャ
スティング、ＬＢ法、抵抗加熱蒸着、電子ビ−ム蒸着，
分子線エピタキシ等があるが抵抗加熱蒸着または分子線
エピタキシが一般的である。膜厚は１０ないし２００ｎ
ｍであるが好適には２０ないし８０ｎｍである。電子注
入物質としてはオキサジアゾール誘導体，ペリレン誘導
体などが用いられる。
【００１９】電子注入物質の一例が化学式III −１ない
し化学式III −３に示される。
し化学式III −３に示される。
【００２０】
【化３】
【００２１】背面電極６は電子を効率良く有機層に注入
することが必要である。成膜方法としては抵抗加熱蒸
着，電子ビーム蒸着，スパッタ法が用いられる。背面電
極６用材料としては、仕事関数の小さいＭｇ，Ａｇ，Ｉ
ｎ，Ｃａ，Ａｌ等およびこれらの合金，積層体等が用い
られる。２０ないし５００ｎｍの厚さに成膜される。有
機保護層７は背面電極の接する発光層または電子注入層
と同一の有機物質を１０ないし１０００ｎｍの厚さに積
層する。成膜方法は発光層等と同一である。 実施例１ 膜厚約１００ｎｍのＩＴＯを設けた５０ｍｍ角で厚さ
１．１ｍｍのガラスを基板とし、該基板を抵抗加熱蒸着
装置内に載置し、前記図１に示すように正孔注入層３、
発光層４、背面電極６、有機保護層７と順次成膜した。
正孔注入層３には化学式Ｉ−１に示される有機化合物を
用い、ボート温度３００℃にて成膜速度０．２ｎｍ／ｓ
として６０ｎｍ厚さに形成した。続けて発光層４として
前記化学式II−１に示される有機化合物を用いボ−ト温
度約２００℃にて加熱し、成膜速度を約０．２ｎｍ／ｓ
として６０ｎｍ厚さに形成した。この後、背面電極６と
してＭｇ／Ｉｎ（１０：１の重量比率）を１００ｎｍ厚
さに形成した。最後に有機保護層７を前記化学式II−１
に示される有機化合物を用いて１００ｎｍ厚さに形成し
た。以上の成膜は、真空槽内圧を１〜５×１０-5Ｐａに
維持して連続形成した。
することが必要である。成膜方法としては抵抗加熱蒸
着，電子ビーム蒸着，スパッタ法が用いられる。背面電
極６用材料としては、仕事関数の小さいＭｇ，Ａｇ，Ｉ
ｎ，Ｃａ，Ａｌ等およびこれらの合金，積層体等が用い
られる。２０ないし５００ｎｍの厚さに成膜される。有
機保護層７は背面電極の接する発光層または電子注入層
と同一の有機物質を１０ないし１０００ｎｍの厚さに積
層する。成膜方法は発光層等と同一である。 実施例１ 膜厚約１００ｎｍのＩＴＯを設けた５０ｍｍ角で厚さ
１．１ｍｍのガラスを基板とし、該基板を抵抗加熱蒸着
装置内に載置し、前記図１に示すように正孔注入層３、
発光層４、背面電極６、有機保護層７と順次成膜した。
正孔注入層３には化学式Ｉ−１に示される有機化合物を
用い、ボート温度３００℃にて成膜速度０．２ｎｍ／ｓ
として６０ｎｍ厚さに形成した。続けて発光層４として
前記化学式II−１に示される有機化合物を用いボ−ト温
度約２００℃にて加熱し、成膜速度を約０．２ｎｍ／ｓ
として６０ｎｍ厚さに形成した。この後、背面電極６と
してＭｇ／Ｉｎ（１０：１の重量比率）を１００ｎｍ厚
さに形成した。最後に有機保護層７を前記化学式II−１
に示される有機化合物を用いて１００ｎｍ厚さに形成し
た。以上の成膜は、真空槽内圧を１〜５×１０-5Ｐａに
維持して連続形成した。
【００２２】以上のようにして作成した有機薄膜発光素
子に初期輝度が２００ｃｄ／ｍ2 になるよう直流定電圧
を印加して乾燥雰囲気中で連続駆動したところ１０００
ｈ以上の間、非発光欠陥は発生しないことがわかった。 実施例２ 膜厚約１００ｎｍのＩＴＯを設けた５０ｍｍ角で厚さ
１．１ｍｍのガラスを基板とし、該基板を抵抗加熱蒸着
装置内に載置し、図２に示すように発光層４、背面電極
６、有機保護層７と順次成膜した。真空槽内圧は１〜５
×１０-5Ｐａに維持して連続形成した。発光層４には前
記化学式II−１に示される有機化合物を用いボ−ト温度
約２００℃にて加熱し、成膜速度を約０．２ｎｍ／ｓと
して６０ｎｍ厚さに形成した。この後、背面電極６とし
て Ｍｇ／Ｓｃ合金（９：１の重量比率）を電子ビーム
蒸着法により１００ｎｍ厚さに形成した。最後に有機保
護層７を前記化学式II−１に示される有機化合物を用い
て１００ｎｍ厚さに形成した。
子に初期輝度が２００ｃｄ／ｍ2 になるよう直流定電圧
を印加して乾燥雰囲気中で連続駆動したところ１０００
ｈ以上の間、非発光欠陥は発生しないことがわかった。 実施例２ 膜厚約１００ｎｍのＩＴＯを設けた５０ｍｍ角で厚さ
１．１ｍｍのガラスを基板とし、該基板を抵抗加熱蒸着
装置内に載置し、図２に示すように発光層４、背面電極
６、有機保護層７と順次成膜した。真空槽内圧は１〜５
×１０-5Ｐａに維持して連続形成した。発光層４には前
記化学式II−１に示される有機化合物を用いボ−ト温度
約２００℃にて加熱し、成膜速度を約０．２ｎｍ／ｓと
して６０ｎｍ厚さに形成した。この後、背面電極６とし
て Ｍｇ／Ｓｃ合金（９：１の重量比率）を電子ビーム
蒸着法により１００ｎｍ厚さに形成した。最後に有機保
護層７を前記化学式II−１に示される有機化合物を用い
て１００ｎｍ厚さに形成した。
【００２３】以上のようにして作成した有機薄膜発光素
子に初期輝度が２００ｃｄ／ｍ2 になるよう直流定電圧
を印加して乾燥雰囲気中で連続駆動したところ１０００
ｈ以上の間、非発光欠陥は発生しないことがわかった。 実施例３ 膜厚約１００ｎｍのＩＴＯを設けた５０ｍｍ角で厚さ
１．１ｍｍのガラスを基板とし、該基板を抵抗加熱蒸着
装置内に載置し、前記図３に示すように発光層４、電子
注入層５、背面電極６、有機保護層７と順次成膜した。
発光層４として前記化学式II−１に示される有機化合物
を用いボ−ト温度約２００℃にて加熱し、成膜速度を約
０．２ｎｍ／ｓとして６０ｎｍ厚さに形成した。電子注
入層５には化学式III −１に示される有機化合物を用
い、ボート温度３００℃にて成膜速度０．２ｎｍ／ｓと
して６０ｎｍ厚さに形成した。続けて背面電極６として
Ｍｇ／Ｓｃ合金（９：１の重量比率）を電子ビーム法
で１００ｎｍ厚さに形成した。最後に有機保護層７を前
記化学式III −１に示される有機化合物を用いて１００
ｎｍ厚さに形成した。以上の成膜は、真空槽内圧を１〜
５×１０-5Ｐａに維持して連続形成した。
子に初期輝度が２００ｃｄ／ｍ2 になるよう直流定電圧
を印加して乾燥雰囲気中で連続駆動したところ１０００
ｈ以上の間、非発光欠陥は発生しないことがわかった。 実施例３ 膜厚約１００ｎｍのＩＴＯを設けた５０ｍｍ角で厚さ
１．１ｍｍのガラスを基板とし、該基板を抵抗加熱蒸着
装置内に載置し、前記図３に示すように発光層４、電子
注入層５、背面電極６、有機保護層７と順次成膜した。
発光層４として前記化学式II−１に示される有機化合物
を用いボ−ト温度約２００℃にて加熱し、成膜速度を約
０．２ｎｍ／ｓとして６０ｎｍ厚さに形成した。電子注
入層５には化学式III −１に示される有機化合物を用
い、ボート温度３００℃にて成膜速度０．２ｎｍ／ｓと
して６０ｎｍ厚さに形成した。続けて背面電極６として
Ｍｇ／Ｓｃ合金（９：１の重量比率）を電子ビーム法
で１００ｎｍ厚さに形成した。最後に有機保護層７を前
記化学式III −１に示される有機化合物を用いて１００
ｎｍ厚さに形成した。以上の成膜は、真空槽内圧を１〜
５×１０-5Ｐａに維持して連続形成した。
【００２４】以上のようにして作成した有機薄膜発光素
子に初期輝度が２００ｃｄ／ｍ2 になるよう直流定電圧
を印加して乾燥雰囲気中で連続駆動したところ１０００
ｈ以上の間、非発光欠陥は発生しないことがわかった。 実施例４ 膜厚約１００ｎｍのＩＴＯを設けた５０ｍｍ角で厚さ
１．１ｍｍのガラスを基板とし、該基板を抵抗加熱蒸着
装置内に載置し、前記図４に示すように正孔注入層３、
発光層４、電子注入層５、背面電極６、有機保護層７と
順次成膜した。正孔注入層３として前記化学式Ｉ−１で
示される有機化合物を用いて６０ｎｍ厚さに形成した。
発光層４として前記化学式II−１に示される有機化合物
を用いボ−ト温度約２００℃にて加熱し、成膜速度を約
０．２ｎｍ／ｓとして６０ｎｍ厚さに形成した。電子注
入層５には化学式III −１に示される有機化合物を用
い、ボート温度３００℃にて成膜速度０．２ｎｍ／ｓと
して６０ｎｍ厚さに形成した。続けて背面電極６として
Ｍｇ／Ｓｃ合金（９：１の重量比率）を電子ビーム法
で１００ｎｍ厚さに形成した。最後に有機保護層７を前
記化学式III −１に示される有機化合物を用いて１００
ｎｍ厚さに形成した。以上の成膜は、真空槽内圧を１〜
５×１０-5Ｐａに維持して連続形成した。
子に初期輝度が２００ｃｄ／ｍ2 になるよう直流定電圧
を印加して乾燥雰囲気中で連続駆動したところ１０００
ｈ以上の間、非発光欠陥は発生しないことがわかった。 実施例４ 膜厚約１００ｎｍのＩＴＯを設けた５０ｍｍ角で厚さ
１．１ｍｍのガラスを基板とし、該基板を抵抗加熱蒸着
装置内に載置し、前記図４に示すように正孔注入層３、
発光層４、電子注入層５、背面電極６、有機保護層７と
順次成膜した。正孔注入層３として前記化学式Ｉ−１で
示される有機化合物を用いて６０ｎｍ厚さに形成した。
発光層４として前記化学式II−１に示される有機化合物
を用いボ−ト温度約２００℃にて加熱し、成膜速度を約
０．２ｎｍ／ｓとして６０ｎｍ厚さに形成した。電子注
入層５には化学式III −１に示される有機化合物を用
い、ボート温度３００℃にて成膜速度０．２ｎｍ／ｓと
して６０ｎｍ厚さに形成した。続けて背面電極６として
Ｍｇ／Ｓｃ合金（９：１の重量比率）を電子ビーム法
で１００ｎｍ厚さに形成した。最後に有機保護層７を前
記化学式III −１に示される有機化合物を用いて１００
ｎｍ厚さに形成した。以上の成膜は、真空槽内圧を１〜
５×１０-5Ｐａに維持して連続形成した。
【００２５】以上のようにして作成した有機薄膜発光素
子に初期輝度が２００ｃｄ／ｍ2 になるよう直流定電圧
を印加して乾燥雰囲気中で連続駆動したところ１０００
ｈ以上の間、非発光欠陥は発生しないことがわかった。
子に初期輝度が２００ｃｄ／ｍ2 になるよう直流定電圧
を印加して乾燥雰囲気中で連続駆動したところ１０００
ｈ以上の間、非発光欠陥は発生しないことがわかった。
【００２６】
【発明の効果】この発明によれば透光性電極と背面電極
とからなる一対の電極と、この電極の内側には注入され
た電子と正孔を再結合させて所定の波長の発光を行う発
光層を少なくとも備え、背面電極の外側には積層された
有機保護層を有し、この有機保護層は背面電極の内側に
接する層と同一の有機物質からなる有機薄膜発光素子と
するので、背面電極の剥離や酸化が防止され、信頼性に
優れる有機薄膜発光素子が得られる。
とからなる一対の電極と、この電極の内側には注入され
た電子と正孔を再結合させて所定の波長の発光を行う発
光層を少なくとも備え、背面電極の外側には積層された
有機保護層を有し、この有機保護層は背面電極の内側に
接する層と同一の有機物質からなる有機薄膜発光素子と
するので、背面電極の剥離や酸化が防止され、信頼性に
優れる有機薄膜発光素子が得られる。
【図１】この発明の実施例に係る有機薄膜発光素子を示
す断面図
す断面図
【図２】この発明の異なる実施例に係る有機薄膜発光素
子を示す断面図
子を示す断面図
【図３】この発明のさらに異なる実施例に係る有機薄膜
発光素子を示す断面図
発光素子を示す断面図
【図４】この発明のさらに異なる実施例に係る有機薄膜
発光素子を示す断面図
発光素子を示す断面図
【図５】従来の有機薄膜発光素子を示す断面図
【図６】従来の異なる有機薄膜発光素子を示す断面図
【図７】従来のさらに異なる有機薄膜発光素子を示す断
面図
面図
【図８】従来のさらに異なる有機薄膜発光素子を示す断
面図
面図
１ 絶縁性透明基板 ２ 透光性電極 ３ 正孔注入層 ４ 発光層 ５ 電子注入層 ６ 背面電極 ７ 有機保護層 ８ 直流電源
Claims (3)
- 【請求項１】透光性電極と背面電極とからなる一対の電
極と、この電極の内側には注入された電子と正孔を再結
合させて所定の波長の発光を行う発光層を少なくとも備
え、背面電極の外側には積層された有機保護層を有し、
この有機保護層は背面電極の内側に接する層と同一の有
機物質からなることを特徴とする有機薄膜発光素子。 - 【請求項２】請求項１記載の素子において、背面電極の
内側に接する層が発光層であることを特徴とする有機薄
膜発光素子。 - 【請求項３】請求項１記載の素子において、背面電極の
内側に接する層が電子注入層であることを特徴とする有
機薄膜発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5019120A JPH06231881A (ja) | 1993-02-08 | 1993-02-08 | 有機薄膜発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5019120A JPH06231881A (ja) | 1993-02-08 | 1993-02-08 | 有機薄膜発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06231881A true JPH06231881A (ja) | 1994-08-19 |
Family
ID=11990614
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5019120A Pending JPH06231881A (ja) | 1993-02-08 | 1993-02-08 | 有機薄膜発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06231881A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6423428B1 (en) | 1996-07-29 | 2002-07-23 | Cambridge Display Technology Limited | Conjugated copolymers for use in luminescent devices |
| US6525339B2 (en) | 1999-12-16 | 2003-02-25 | Nec Corporation | Organic electroluminescent element |
| US6605823B1 (en) | 1996-07-29 | 2003-08-12 | Cambridge Display Technology Ltd. | Electroluminescent devices with electrode protection |
| WO2008018137A1 (fr) * | 2006-08-10 | 2008-02-14 | Pioneer Corporation | Dispositif optique et procédé de fabrication de dispositif optique |
| JP2010102983A (ja) * | 2008-10-24 | 2010-05-06 | Kyocera Corp | 有機ｅｌ素子 |
| JP2011034682A (ja) * | 2009-07-29 | 2011-02-17 | Tdk Corp | 有機ｅｌ表示装置 |
| WO2013118462A1 (ja) * | 2012-02-06 | 2013-08-15 | パナソニック株式会社 | Ｅｌ表示装置およびその製造方法 |
| WO2015111130A1 (ja) * | 2014-01-21 | 2015-07-30 | パイオニアＯｌｅｄライティングデバイス株式会社 | 発光装置 |
-
1993
- 1993-02-08 JP JP5019120A patent/JPH06231881A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8039041B2 (en) | 1996-07-29 | 2011-10-18 | Cambridge Display Technology, Ltd. | Electroluminescent devices with electrode protection |
| US6605823B1 (en) | 1996-07-29 | 2003-08-12 | Cambridge Display Technology Ltd. | Electroluminescent devices with electrode protection |
| US7151341B2 (en) | 1996-07-29 | 2006-12-19 | Cambridge Display Technology Ltd. | Electroluminescent devices with electrode protection |
| US6423428B1 (en) | 1996-07-29 | 2002-07-23 | Cambridge Display Technology Limited | Conjugated copolymers for use in luminescent devices |
| US6525339B2 (en) | 1999-12-16 | 2003-02-25 | Nec Corporation | Organic electroluminescent element |
| JP4652451B2 (ja) * | 2006-08-10 | 2011-03-16 | パイオニア株式会社 | 光デバイス、および光デバイスの製造方法 |
| JPWO2008018137A1 (ja) * | 2006-08-10 | 2009-12-24 | パイオニア株式会社 | 光デバイス、および光デバイスの製造方法 |
| WO2008018137A1 (fr) * | 2006-08-10 | 2008-02-14 | Pioneer Corporation | Dispositif optique et procédé de fabrication de dispositif optique |
| JP2010102983A (ja) * | 2008-10-24 | 2010-05-06 | Kyocera Corp | 有機ｅｌ素子 |
| JP2011034682A (ja) * | 2009-07-29 | 2011-02-17 | Tdk Corp | 有機ｅｌ表示装置 |
| WO2013118462A1 (ja) * | 2012-02-06 | 2013-08-15 | パナソニック株式会社 | Ｅｌ表示装置およびその製造方法 |
| US9111891B2 (en) | 2012-02-06 | 2015-08-18 | Joled Inc. | EL display apparatus and manufacturing method thereof |
| WO2015111130A1 (ja) * | 2014-01-21 | 2015-07-30 | パイオニアＯｌｅｄライティングデバイス株式会社 | 発光装置 |
| JPWO2015111130A1 (ja) * | 2014-01-21 | 2017-03-23 | パイオニアＯｌｅｄライティングデバイス株式会社 | 発光装置 |
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