CN113130561A - 发光显示装置 - Google Patents

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李光善
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Abstract

一种发光显示装置，包括：下基板；在下基板上的薄膜晶体管；钝化层，其设置在薄膜晶体管上；外涂层，其设置在钝化层上；发光元件，其设置在外涂层上并且包括阳极、在阳极上的发光层以及在发光层上的阴极；堤部，其设置在外涂层上并限定发光区域；在发光元件和堤部上的粘合剂层；以及氢吸收层，其设置在粘合剂层上并且包括氢吸收填料，其中，堤部的侧端设置成比粘合剂层和氢吸收层的侧端更向内，其中，粘合剂层和氢吸收层的侧端设置成比外涂层的侧端更向内。

Description

发光显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年12月31日提交的韩国专利申请第10-2019-0179939号和于2020年6月23日提交的韩国专利申请第10-2020-0076718号的优先权权益，在此通过引用将其整体并入本文。
技术领域
本公开内容涉及一种发光显示装置，更特别地，涉及一种能够减少发光显示装置中的由于氢和氧中的至少一种引起的缺陷的发光显示装置。
背景技术
发光显示装置是自发光显示装置，并且与具有单独光源的液晶显示装置不同，由于其不需要单独的光源，因此可以制造为轻薄。另外，发光显示装置由于低电压驱动而在功耗方面具有优势，并且在颜色实现、响应速度、视角和对比度(CR)方面是优异的。因此，正在研究发光显示装置作为下一代显示装置。
这样的发光显示装置通过驱动设置在每个子像素中的发光元件来发光。此时，电连接至发光元件的一个或更多个薄膜晶体管(TFT)设置在每个子像素中，以独立地驱动每个子像素的发光元件。
发明内容
薄膜晶体管包括栅电极、源电极、漏电极和半导体层。源电极和漏电极接触半导体层，并且栅电极被设置成与半导体层交叠。当将大于预定电压的栅极电压被施加至薄膜晶体管的栅电极时，在半导体层中形成沟道，使得电流在源电极与漏电极之间流动。这样，薄膜晶体管具有开关特性，并且这种开关特性可以由各种因素来确定。例如，当半导体层的材料变形时，可以改变薄膜晶体管的迁移率，并且可以改变薄膜晶体管的开关特性。
发光显示装置包括钝化层，该钝化层用于保护发光元件免受渗透到发光元件中的水分或氧气的影响。钝化层形成在光学元件上以保护发光元件。
这样的钝化层例如使用硅烷(SiH4)和氨气(NH3)通过化学气相沉积(CVD)形成。在钝化层的膜形成过程中，通过化学气相沉积可以从硅烷和氨中产生少量氢。因此，在钝化层的膜形成过程中产生的氢可以扩散到钝化层中并且包括在钝化层中。包括在钝化层中的残留氢可以在发光元件内部移动。当残留氢扩散到薄膜晶体管的半导体层中并与之反应时，薄膜晶体管的特性可能会改变。因此，在钝化层的膜形成过程中产生的氢会降低发光显示装置的性能以及薄膜晶体管的性能。
为了解决如下问题：其中在形成发光显示装置的钝化层时产生的氢保留在发光显示装置中并且由于保留的氢扩散到薄膜晶体管中，薄膜晶体管的特性改变从而使发光显示装置的性能劣化，如上所述，本公开内容的发明人已经发明了能够吸收包括在钝化层中的氢的发光显示装置的新型结构及其制造方法。
因此，本公开内容提供了一种发光显示装置，该发光显示装置能够吸收保留在钝化层中的氢并且防止薄膜晶体管的性能劣化。
另外，本公开内容提供了一种发光显示装置，其具有能够去除钝化层中的氢而无需用于去除在钝化层的膜形成过程中产生的氢的附加设备的结构。
另外，本公开内容可以在不降低发光显示装置的耐用性或发光特性的情况下显著提高去除发光显示装置内部的氢的性能。
此外，本公开内容提供一种发光显示装置，其具有能够阻挡氧从其外部被注入到内部的结构。
此外，本公开内容可以解决由氢或氧产生的像素的白色或暗点的缺陷。
本公开内容不限于上述目的，并且本领域技术人员根据以下描述可以清楚地理解上述未提及的其他目的。
根据本公开内容的示例性方面，一种发光显示装置包括：下基板；在下基板上的薄膜晶体管；钝化层，其设置在薄膜晶体管上；外涂层，其设置在钝化层上；发光元件，其设置在外涂层上并且包括阳极、在阳极上的发光层、以及在发光层上的阴极；堤部，其设置在外涂层上并限定发光区域；在发光元件和堤部上的粘合剂层；以及氢吸收层，其设置在粘合剂层上并且包括氢吸收填料，其中，堤部的侧端设置成比粘合剂层和氢吸收层的侧端更向内，其中，粘合剂层和氢吸收层的侧端设置成比外涂层的侧端更向内。
根据本公开内容的一方面，一种发光显示装置包括：下基板；在下基板上的薄膜晶体管；钝化层，其设置在薄膜晶体管上；外涂层，其设置在钝化层上；发光元件，其设置在外涂层上并且包括阳极、在阳极上的发光层、以及在发光层上的阴极；堤部，其设置在外涂层上并限定发光区域；粘合剂层，其设置在发光元件和堤部上并且包括氢吸收填料或氧吸收填料，其中，氢吸收填料或氧吸收填料被设置成与钝化层邻近。
根据本公开内容的一方面，一种发光显示装置包括：下基板；薄膜晶体管，其设置在下基板上；钝化层，其设置在薄膜晶体管上；外涂层，其设置在钝化层上；发光元件，其设置在外涂层上并且包括阳极、设置在阳极上的发光层以及设置在发光层上的阴极；堤部，其设置在外涂层上并限定发光区域；以及粘合剂层，其设置在发光元件和堤部上并且包括氢吸收填料；其中，堤部具有设置成比粘合剂层的侧端更向内的侧端，并且其中，粘合剂层的侧端设置成比外涂层的侧端更向内。
根据本公开内容的另一方面，一种发光显示装置包括：下基板；薄膜晶体管，其设置在下基板上；钝化层，其设置在薄膜晶体管上；外涂层，其设置在钝化层上；以及发光元件，其设置在外涂层上并且包括阳极、在阳极上的发光层以及在发光层上的阴极；其中，外涂层包括氢吸收填料。
示例性方面的其他详细事项包括在具体实施方式和附图中。
根据本公开内容，可行的是通过在钝化层中配置能够吸收残留氢的氢吸收层来防止薄膜晶体管的性能降低，残留氢可能会改变薄膜晶体管的特性。
根据本公开内容，通过进一步包括用于保护发光元件的上保护层，可以防止由于水分或异物对发光元件的损坏，从而可以大大提高元件可靠性。
根据本公开内容的效果不限于以上例示的内容，并且在本说明书中包括更多种效果。
附图说明
从以下结合附图的详细描述中，将更清楚地理解本公开内容的上述和其他方面、特征和其他优点，其中：
图1是根据本公开内容的示例性方面的发光显示装置100的平面图；
图2是根据本公开内容示例性方面的发光显示装置的一个子像素SP的截面图；
图3是根据本公开内容的又一示例性方面的发光显示装置的一个子像素的截面图；
图4是根据本公开内容的又一示例性方面的发光显示装置的一个子像素的截面图；
图5是根据本公开内容的又一示例性方面的发光显示装置的一个子像素的截面图；
图6是根据本公开内容的又一示例性方面的发光显示装置的一个子像素的截面图；
图7是根据本公开内容的又一示例性方面的发光显示装置的一个子像素的截面图；
图8是根据本公开内容的又一示例性方面的发光显示装置的一个子像素的截面图；以及
图9是根据本公开内容的又一示例性方面的发光显示装置的一个子像素的截面图。
具体实施方式
通过参考下面结合附图详细描述的示例性方面，本公开内容的优点和特性以及实现这些优点和特性的方法将变得清楚。然而，本公开内容不限于本文中公开的示例性方面，而是将以各种形式实现。示例性方面仅通过示例的方式提供，使得本领域技术人员可以完全理解本公开内容的公开内容和本公开内容的范围。因此，本公开内容将仅由所附权利要求的范围限定。
用于描述本公开内容的示例性方面的附图中示出的形状、尺寸、比率、角度、数量等仅仅是示例，并且本公开内容不限于此。在整个说明书中，相似的附图标记通常表示相似的元件。此外，在本公开内容的以下描述中，可以省略对已知相关技术的详细说明，以避免不必要地模糊本公开内容的主题。本文中使用的诸如“包括”、“具有”和“由…组成”的术语通常旨在允许添加其他部件，除非这些术语与术语“仅”一起使用。对单数的任何引用可以包括复数，除非另有明确说明。
即使没有明确说明，部件也被解释为包括普通误差范围。
当使用诸如“在…上”、“在…上方”、“在…下方”和“紧靠”的术语描述两个部件之间的位置关系时，一个或更多个部件可以定位在这两个部件之间，除非这些术语与术语“紧接”或“直接”一起使用。
当元件或层设置在另一元件或层“上”时，另外的层或另外的元件可以直接在另一元件上或置于其间。
尽管术语“第一”、“第二”等用于描述各种部件，但是这些部件不受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个部件与其他部件。因此，下面提到的第一部件可以是本公开内容的技术构思中的第二部件。
在整个说明书中，相似的附图标记通常表示相似的元件。
为了便于描述，示出了附图中示出的每个部件的尺寸和厚度，并且本公开内容不限于示出的部件的尺寸和厚度。
本公开内容的各个方面的特征可以部分地或完全地彼此附着或彼此组合，并且可以以技术上的各种方式互相关联和操作，并且这些方面可以彼此独立地执行或相互关联地执行。
在下文中，将参照附图详细描述根据本公开内容的示例性方面的发光显示装置。
图1是根据本公开内容的示例性方面的发光显示装置的平面图。
图2是根据本公开内容的示例性方面的发光显示装置的一个子像素的截面图。
具体地，图2是发光显示装置100的一侧的截面图。
参照图1和图2，发光显示装置100包括下基板110、栅极绝缘层120、薄膜晶体管TFT、钝化层130、发光元件140、外涂层150、堤部160、粘合剂层170、氢吸收层180和上基板119。
作为参考，为了便于描述，图1仅示出了发光显示装置100的下基板110和上基板119。
参照图1，发光显示装置100包括多个像素PX。每个像素PX包括多个子像素SP。子像素SP可以是构成发光显示装置100的基本发光单元，并且构成一个像素PX的各个子像素SP均发出不同颜色的光。如图1所示，子像素SP可以包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素，或者可以仅包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。
另外，参照图2，根据示例性方面的发光显示装置100可以包括具有晶体管上滤色器(COT)结构的子像素SP。例如，每个子像素SP的颜色可以通过设置在薄膜晶体管TFT的上层上以与子像素SP的发光区域交叠的滤色器CF来实现。例如，当发光元件140发射白光时，在与发光元件140的发光区域对应的区域中设置红色滤色器CF，从而可以实现红色子像素SP。另外，在与发光元件140的发光区域对应的区域中设置绿色滤色器CF，从而可以实现绿色子像素SP。另外，在与发光元件140的发光区域对应的区域中设置蓝色滤色器CF，从而可以实现蓝色子像素SP。此外，可以通过不在与发光元件140的发光区域对应的区域中设置滤色器CF来实现白色子像素SP。稍后将描述滤色器CF的具体内容。
在由绝缘材料形成的下基板110上形成包括半导体层A、栅电极G、源电极S和漏电极D的薄膜晶体管TFT。例如，半导体层A形成在下基板110上，并且用于使栅电极G和半导体层A绝缘的栅极绝缘层120形成在半导体层A和下基板110上。栅电极G形成在栅极绝缘层120上，并且源电极S和漏电极D形成在半导体层A和栅极绝缘层120上。源电极S和漏电极D以与半导体层A接触的方式电连接至半导体层A，并且形成在栅极绝缘层120的一些区域上。为了便于描述，仅示出了可以包括在发光显示装置100中的各种薄膜晶体管中的驱动薄膜晶体管，但是也可以包括开关薄膜晶体管。另外，在说明书中，尽管将薄膜晶体管TFT描述为具有共面结构，但是也可以使用具有倒置的交错结构的薄膜晶体管。
半导体层A可以由氧化物半导体或非晶半导体形成。非晶半导体可以由非晶硅形成。作为另一示例，半导体层A可以由可以应用于像素内的驱动薄膜晶体管的多晶硅形成，因为多晶硅具有比非晶硅高的迁移率并且具有低能量消耗和高可靠性。然而，本公开内容不限于此。
钝化层130共形地设置在薄膜晶体管TFT的上表面上。例如，钝化层130可以沿着薄膜晶体管TFT的上表面的形状形成。另外，在一个示例中，钝化层130可以形成为覆盖薄膜晶体管TFT，并且在另一示例中，钝化层130可以设置在下基板110的其上设置薄膜晶体管TFT的前表面上。在又一示例中，参照图1，钝化层130可以被形成为与所有多个子像素SP交叠。
另外，在一个示例中，钝化层130可以形成为具有10μm或更小的厚度，例如0.5μm的厚度，但是不限于此。
如上所述，钝化层130可以设置成覆盖薄膜晶体管TFT。钝化层130可以保护薄膜晶体管TFT免受发光显示装置100外部的氧气或水分的影响。各种有机或无机膜可以用于钝化层130，并且钝化层130可以由各种结构形成，例如仅有机膜的沉积结构、仅无机膜的沉积结构、或其中有机膜和无机膜交替设置的结构。钝化层130可以由例如硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)等形成，但是不限于此。
滤色器CF可以设置在钝化层130上，以便与子像素SP的发光区域交叠。另外，由于滤色器CF被设置在子像素SP的发光区域中，所以其被设置在薄膜晶体管TFT的上层上，但是被设置成不与薄膜晶体管TFT交叠。
另外，每个滤色器CF可以包括用于实现子像素的颜色的包括红色颜料的红色滤色器CF、包括绿色颜料的绿色滤色器CF和包括蓝色颜料的蓝色滤色器SP。
此外，为了形成滤色器CF，红色滤色器CF、绿色滤色器CF和蓝色滤色器CF中的每一个都可以经历诸如涂覆过程、曝光过程、显影过程、后烘烤过程等。
在这些过程中，在后烘烤过程中，由于用于形成滤色器CF的颜料层被加热，因此包括在颜料层中的包括氢的气体被排出。
尽管进行了后烘烤过程，但是氢仍可能保留在滤色器CF中。因此，滤色器CF中包括的残留氢可以在发光显示装置100内移动，并且残留氢可以扩散到薄膜晶体管TFT的半导体层A中，从而可以改变薄膜晶体管TFT的特性。例如，半导体层A可以吸收氢。当半导体层A吸收氢时，薄膜晶体管TFT的阈值电压Vth可能偏移，从而增加了薄膜晶体管TFT的迁移率。相应地，薄膜晶体管TFT的特性可能会改变，从而降低其性能，并且可能出现诸如斑点、亮点或亮度不均匀的缺陷。因此，由于在滤色器CF的膜形成过程中产生的氢会降低发光显示装置100的性能以及薄膜晶体管TFT的性能，因此去除滤色器CF中的残留氢是有利的。
外涂层150设置在栅极绝缘层120、薄膜晶体管TFT、钝化层130和滤色器CF上。例如，外涂层150可以设置在下基板110的其上形成有栅极绝缘层120和钝化层130的前表面上。更具体地，如图2所示，外涂层150的一个侧端可以设置成比下基板110的侧端更向内。然而，本公开内容不限于此，外涂层150的侧端和下基板110的侧端可以共线设置。
另外，外涂层150可以形成为覆盖薄膜晶体管TFT和钝化层130，并且在一个示例中，可以使薄膜晶体管TFT和钝化层130的上部平坦化。在一个示例中，外涂层150可以由绝缘材料形成。
在外涂层150上形成堤部160以及包括阳极141、发光层142、阴极143的发光元件140。例如，用于向发光层142提供空穴的阳极141形成在外涂层150的上表面上，发光层142形成在阳极141上，并且用于向发光层142提供电子的阴极143形成在发光层142上。
当发光显示装置100为底部发光型时，阳极141可以包括例如由透明导电氧化物(下文中称为TCO)例如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、ZnO等形成的透明导电层。另外，在一个示例中，阴极143可以由具有低透光率的金属材料形成。
当发光显示装置100是顶部发光型时，阳极141可以包括由反射层和在反射层上的透明导电氧化物形成的透明导电层。另外，阴极143可以通过薄地形成功函数低的金属材料来形成，或者可以由透明的导电氧化物形成。当阴极143由透明导电氧化物形成时，可以在阴极143与发光层142之间设置多层，以使电子可以移动通过阴极143。例如，可以在发光层142与阴极143之间设置金属掺杂层。此外，可以另外在发光层142与金属掺杂层之间设置有机缓冲层。
堤部160可以形成为覆盖阳极141的侧部，并且可以限定每个子像素SP的发光区域。
例如，如图2所示，堤部160可以形成为接触外涂层150并覆盖阳极141的两个侧部。因此，堤部160可以阻止可以从外涂层150引入的水分和杂质的扩散。
另外，当发光显示装置100为顶部发光型时，堤部160与薄膜晶体管TFT交叠，使得薄膜晶体管TFT不暴露于外部。因此，在薄膜晶体管TFT中不会产生由于外部光引起的泄漏光电流，因此，薄膜晶体管TFT可以向发光元件140施加适当的驱动电流。
另外，堤部160可以延伸邻近外涂层150的侧端。例如，堤部160的侧端可以比子像素SP的发光区域的边界更靠近外涂层150的侧端。如图2所示，堤部160的侧端可以设置成比外涂层150的侧端更向内。
另外，发光层142和阴极143可以设置在堤部160上。更详细地，发光层142可以延伸并设置在堤部160上，并且阴极143可以设置成覆盖发光层142的上表面和侧表面以及堤部160的上表面。然而，如图2所示，发光层142不限于仅延伸至堤部160的上表面，而是也可以延伸至堤部160的侧表面。
另外，粘合剂层170可以形成为覆盖发光元件140、堤部160和外涂层150。更具体地，粘合剂层170可以设置成覆盖阴极143的上表面和侧表面、堤部160的上表面和侧表面、以及外涂层150的仅上表面。例如，粘合剂层170可以覆盖发光元件140的外表面和堤部160的外表面二者，但是可以不覆盖外涂层150的所有外表面。
换言之，粘合剂层170的侧端可以设置成比外涂层150的侧端更向内，但是可以设置成比堤部160的侧端更向外。例如，可以基于发光显示装置100的外部来顺序地设置外涂层150的侧端、粘合剂层170的侧端和堤部160的侧端。更具体地，堤部160的侧端设置成比粘合剂层170的侧端更向内，并且粘合剂层170的侧端设置成比外涂层150的侧端更向内。
另外，粘合剂层170将下基板110和面对下基板110的上基板119接合。因此，粘合剂层170可以包括粘合剂材料。例如，粘合剂层170可以由液态或膜形式的粘合剂材料形成。例如，粘合剂层170可以由树脂、环氧树脂或丙烯酸材料形成，但是不限于此。
同时，使用含有氢的气体(例如，硅烷(SiH4)和氨(NH3))通过化学气相沉积(CVD)形成钝化层130。在钝化层130的成膜过程中可以产生氢，并且所产生的氢可以扩散到钝化层130中并包括在钝化层130中。在此，氢可以包括氢原子(H)和氢分子(H2)。例如，保留在钝化层130内部的氢可以在驱动方向上扩散，并且扩散可以根据浓度梯度例如化学势来进行。因此，包括在钝化层130中的残留氢可以在发光显示装置100内部移动，并且残留氢扩散到薄膜晶体管TFT的半导体层A，从而改变薄膜晶体管TFT的特性。例如，半导体层A可以吸收氢。当半导体层A吸收氢时，薄膜晶体管TFT的阈值电压Vth偏移，从而薄膜晶体管TFT的迁移率可能增加。因此，薄膜晶体管TFT的特性可能会改变，从而降低其性能，并且可能出现诸如斑点、亮点或亮度不均匀的缺陷。因此，由于在钝化层130的膜形成过程中产生的氢会降低发光显示装置100的性能以及薄膜晶体管TFT的性能，因此去除钝化层130中的残留氢是有利的。另外，根据上基板119的材料，由于钝化层130中残留的氢，薄膜晶体管TFT的特性可能改变，从而可能出现亮点。
因此，可以将氢吸收层180设置在粘合剂层170上，以便去除包括在滤色器CF和钝化层130中的残留氢。例如，氢吸收层180的侧端和粘合剂层170的侧端可以共线设置。
因此，虽然氢吸收层180的侧端也可以设置成比外涂层150的侧端更向内，但是可以设置成比堤部160的侧端更向外。例如，可以基于发光显示装置100的外部来顺序地设置外涂层150的侧端、粘合剂层170和氢吸收层180的侧端、以及堤部160的侧端。更具体地，堤部160的侧端设置成比粘合剂层170和氢吸收层180的侧端更向内，并且粘合剂层170和氢吸收层180的侧端设置成比外涂层150的侧端更向内。例如，由于外涂层150被设置成覆盖所有薄膜晶体管TFT、栅极绝缘层120和钝化层130，因此可以防止氢经由钝化层130扩散，并且扩散的氢可以被氢吸收层180吸收。
此外，在一个示例中，氢吸收层180形成为具有5000埃
Figure BDA0002844368840000101
或更小的厚度，并且使外涂层150、堤部160和发光元件140的上表面平坦化。例如，氢吸收层180可以形成为具有50μm的最大厚度，但是不限于此。另外，氢吸收层180可以是密封材料，但不限于此。密封材料可以设置在发光元件的前表面上。
密封材料可以基于可固化树脂形成。例如，可固化树脂可以由光可固化树脂或热固性树脂形成。更具体地，可固化树脂可以是环氧树脂或聚烯烃树脂，但不限于此。
另外，还可以在外涂层150的一个侧表面、粘合剂层170和氢吸收层180的一个侧表面以及上基板119的一个侧表面上包括侧密封构件。侧密封构件邻接发光显示装置100的侧部。例如，侧密封构件可以接触外涂层150的一个侧表面、粘合剂层170和氢吸收层180的一个侧表面以及上基板119的一个侧表面。另外，侧密封构件可以使侧部中的水分渗透最小化。为此，侧密封构件可以由例如诸如丙烯酸可固化材料、聚氨酯可固化材料和硅可固化材料的可固化材料形成，但是不限于此。
上述氢吸收层180可以包括通过吸收例如氢原子(H)和氢分子(H2)的氢或水分而用作填料的氢吸收填料，以吸收滤色器CF和/或钝化层130中的残留氢。填料可以为粉末，但不限于此。例如，氢吸收填料可以是无机材料或有机材料。
作为氢吸收填料，无机材料可以包括金属、包括该金属的混合物以及包括该金属的化合物中的一种或更多种。在此，金属可以包括碱金属、碱土金属、稀土金属、钛(Ti)族金属、过渡金属和后过渡金属中的一种或更多种。此外，金属可以是直径为几纳米至几十纳米(nm)的颗粒。例如，金属可以是直径为100nm或更小的颗粒，但不限于此。
氢吸收层180的无机材料可以各种方式吸收氢。例如，氢吸收层180的无机材料可以通过化学反应吸收氢或将氢捕获在无机材料之间的间隙中以吸收氢。
氢吸收层180的无机材料与滤色器CF和钝化层130中的残留氢反应以产生氢化合物。因此，通过使氢吸收层180的无机材料与滤色器CF和钝化层130中的残留氢反应而获得的氢化合物可以包括在氢吸收层180中。例如，氢吸收层180可以包括氢化合物以及无机材料。例如，氢吸收层180中产生的氢化合物可以通过如下[反应式1]中的反应形成。
[反应式1]
Me+(X/2)H2→MeHx
反应式1是用于说明通过使氢吸收层180的无机材料与残留氢反应来产生氢化合物(MeHx)的过程的化学反应式。这里，Me是指金属。然而，不仅金属而且金属化合物或金属混合物也可以如[反应式1]中所述与氢反应而形成氢化合物。
因此，当氢吸收层180的无机材料与滤色器CF和钝化层130中的残留氢反应以产生氢化合物时，能量产生或被吸收，并且这样的能量可以称为氢吸收能。
在这方面，表1描述了当温度为298K时根据金属类型的氢吸收能。与此相关，在氢吸收能为正数的情况下，其是指金属与氢被吸收时，金属与氢在发热的同时自发反应。在氢吸收能为负数的情况下，其是指当金属与氢被吸收时，金属与氢在吸收热量的同时不自主地反应。
[表1]
Figure BDA0002844368840000111
Figure BDA0002844368840000121
例如，由于氢吸收反应以较低的氢吸收能的顺序能够更自发地发生，因此氢吸收反应以钒(V)、铜(Cu)、铁(Fe)、镍(Ni)和钯(Pd)的顺序更好地发生。
然而，在表1中，描述的是当温度为298K时的氢吸收能。因此，由于工艺温度高于300K，因此与表1中所述相比，氢吸收能可以进一步降低。
例如，包括在氢吸收层180中的无机材料可以包括如下金属中的一种或更多种：例如钍(Th)、锆(Zr)、钒(V)、钯(Pd)、钛(Ti)、镁(Mg)、镍(Ni)、锡(Sn)、铂(Pt)、铬(Cr)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)、金(Au)、钴(Co)、铁(Fe)等、或镧-镍(La-Ni)、镧-镍-铝(La-Ni-Al)、镍-镁(Ni-Mg)、铁-钛(Fe-Ti)和钛-锰(Ti-Mn)，但不限于此。
作为氢吸收填料，有机材料可以包括基于羟基二苯甲酮的化合物、基于羟基苯基苯并三唑的化合物和基于受阻胺的化合物中的一种或更多种。例如，氢吸收层180的有机材料可以是由以下化学式1表示的HALS(受阻胺光稳定剂)，但不限于此。
[化学式1]
Figure BDA0002844368840000122
有机材料可以通过化学反应与氢直接结合并吸收氢。
根据本公开内容的示例性方面的包括在发光显示装置中的半导体层A可以由氧化物半导体形成。氧化物半导体具有优异的迁移率和均匀性。例如，氧化物半导体可以具有由以下形成的半导体层：四元金属氧化物如基于铟锡镓锌氧化物(InSnGaZnO)的材料、三元金属氧化物如基于铟镓锌氧化物(InGaZnO)的材料、基于铟锡锌氧化物(InSnZnO)的材料、基于铟铝锌氧化物(InAlZnO)的材料、基于锡镓锌氧化物(SnGaZnO)的材料、基于铝镓锌氧化物(AlGaZnO)的材料、以及基于锡铝锌氧化物(SnAlZnO)的材料、或二元金属氧化物如基于铟锌氧化物(InZnO)的材料、基于锡锌氧化物(SnZnO)的材料、基于铝锌氧化物(AlZnO)的材料、基于锌镁氧化物(ZnMgO)的材料、基于锡镁氧化物(SnMgO)的材料、基于铟镁氧化物(InMgO)的材料、基于铟镓氧化物(InGaO)的材料、基于铟氧化物(InO)材料、基于锡氧化物(SnO)材料、以及基于锌氧化物(ZnO)的材料。不限制氧化物半导体中包括的各个元素的组成比。
以这种方式，当半导体层A是氧化物半导体时，由于滤色器CF和钝化层130中包括的残留氢扩散到由氧化物半导体构成的半导体层A中，因此电子浓度可能会由于由氧化物半导体构成的半导体层A的还原而增加。因此，由于增加的电子浓度，可以在由氧化物半导体形成的半导体层A中形成不期望的泄漏电流可以流过的沟道，从而可能产生亮点。相应地，根据本公开内容的示例性方面的发光显示装置去除了滤色器CF和钝化层130中包括的残留氢，从而解决了由于由氧化物半导体构成的半导体层A而引起的问题。例如，即使氢从滤色器CF和钝化层130扩散，扩散的氢也被氢吸收层180的氢吸收填料吸收，并且不影响由氧化物半导体构成的半导体层A。因此，发光显示装置100可以防止由于残留氢移动通过氢吸收层180而引起的薄膜晶体管TFT的性能降低，减少了斑点和亮点的发生，并且降低了亮度不均。
上基板119可以是例如金属、塑料膜和玻璃，但不限于此。金属可以是例如铁-镍(Fe-Ni)，但不限于此。因此，即使改变上基板119的材料，也可以减少由于残留氢导致的诸如亮点之类的缺陷，从而可以提高上基板119的材料的自由度。
氢吸收层180中的氢吸收填料可以透射入射到氢吸收层180上的光。例如，氢吸收层180可以相对于入射到氢吸收层180上的光具有50％或更高的透射率。例如，氢吸收层180可以相对于入射到氢吸收层180上的光具有70％或更高的透射率。氢吸收层180的透光特性在顶部发光型发光显示装置的确保透射率和改进发光效率方面可以是有利的。
在一些方面，氢吸收层180还可以包括吸气剂以及吸收氢的氢吸收填料。吸气剂可以是吸收水分和气体的颗粒。
此外，在一些方面，甚至在设置在薄膜晶体管TFT上的外涂层150和设置在外涂层150上的堤部160和粘合剂层170中也可以包括吸收氢的氢吸收填料。
外涂层150和堤部160还包括吸收氢的氢吸收填料，从而包括在外涂层150和堤部160中的氢吸收填料通过化学反应吸收氢，或者氢吸收填料将氢捕获在其之间的间隙中使得氢可以被吸收。
因此，可以更有效地吸收从钝化层130移动到薄膜晶体管TFT的残留氢，并且可以有效地防止由于残留氢的移动引起的薄膜晶体管TFT的性能下降。
图3是根据本公开内容的另一示例性方面的发光显示装置的一个子像素的截面图。图3的发光显示装置200在上保护层290方面与图2的发光显示装置100不同，并且其其他部件与图2的发光显示装置100基本相同。因此，省略重复的描述。
参照图3，上保护层290覆盖发光元件140以保护发光元件140。如图3所示，上保护层290共形地设置在发光元件140的阴极143的上表面上。例如，上保护层290可以沿着阴极143的上表面和侧表面的形状形成，但不限于此。上保护层290可以延伸至堤部160的上表面和侧表面。
此外，各种有机膜或无机膜可以用于上保护层290，并且上保护层290可以由各种结构例如单独的有机膜沉积结构、单独的无机膜沉积结构、或有机膜和无机膜交替设置的结构形成。上保护层290可以由例如硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)等形成，但是不限于此。
因此，在本公开内容的另一示例性方面中，通过进一步包括用于保护发光元件140的上保护层290，可以防止由于水分或异物对发光元件140的损坏。因此，可以显著改进根据本公开内容的另一示例性方面的发光显示装置200的元件可靠性。
图4是根据本公开内容的又一示例性方面的发光显示装置的一个子像素的截面图。图4的发光显示装置300与图2的发光显示装置100的不同之处在于发光元件340、堤部360和粘合剂层370而其其他部件的设置关系与图2的发光显示装置100基本上相同。因此，省略重复的描述。
如图4所示，堤部360可以在子像素SP的发光区域与外涂层150的侧端之间延伸。例如，堤部360的侧端可以设置在子像素SP的发光区域的边界与外涂层150的侧端之间。如图4所示，堤部360的侧端可以设置成比外涂层150的侧端更向内。
另外，发光层342和阴极343可以设置在堤部360上。更具体地，发光层342可以设置为在堤部360上延伸，并且阴极343可以设置成覆盖发光层342的侧表面和堤部360的上表面和侧表面。然而，如图4所示，发光层342不限于仅延伸至堤部360的上表面，而是也可以延伸至堤部360的侧表面。
另外，粘合剂层370可以形成为覆盖发光元件340、堤部360和外涂层150。更具体地，粘合剂层370可以设置成覆盖阴极343的上表面和侧表面、堤部360的上表面和侧表面、以及外涂层150的仅上表面。例如，粘合剂层370覆盖发光元件340的外表面和堤部360的外表面二者，但可以不覆盖外涂层150的所有外表面。
换言之，粘合剂层370的侧端可以设置成比外涂层150的侧端更向内，但是可以设置成比堤部360的侧端更向外。可以基于发光显示装置300的外部来顺序地设置外涂层150的侧端、粘合剂层370的侧端和堤部360的侧端。例如，由于外涂层150被设置成覆盖所有薄膜晶体管TFT、栅极绝缘层120和钝化层130，因此与栅极绝缘层120和钝化层130与粘合剂层170之间的粘附相比，可以改进外涂层150与粘合剂层170之间的粘附。
另外，在根据本公开内容的另一示例性方面的发光显示装置100中，粘合剂层370的侧端可以设置成比堤部360的侧端更靠近外涂层150的侧端。例如，粘合剂层370的侧端与外涂层150的侧端之间的距离可以短于粘合剂层370的侧端与堤部360的侧端之间的距离。
图5是根据本公开内容的又一示例性方面的发光显示装置的一个子像素的截面图。图5的发光显示装置400与图2的发光显示装置100的不同之处在于发光元件440、堤部460、粘合剂层470而其其他部件的设置关系与图2的发光显示装置100基本上相同。因此，省略重复的描述。
如图5所示，堤部460可以仅设置在与子像素SP的发光区域相邻的区域中。例如，堤部460的侧端可以设置成比外涂层150的侧端更靠近子像素SP的发光区域的边界。如图5所示，堤部460的侧端可以设置成比外涂层150的侧端更向内。
另外，发光层442和阴极443可以设置在堤部460上。更具体地，发光层442可以设置成在堤部460上延伸，并且阴极443可以设置成覆盖发光层442的上表面和侧表面、以及堤部460的仅上表面。如图5所示，发光层442不限于仅延伸至堤部460的上表面，而是也可以延伸至堤部460的侧表面。
另外，粘合剂层470可以形成为覆盖发光元件440、堤部460和外涂层150。更具体地，粘合剂层470可以设置成覆盖阴极443的上表面和侧表面、堤部460的上表面和侧表面、以及外涂层150的仅上表面。例如，粘合剂层470覆盖发光元件440的外表面和堤部460的外表面二者，但可以不覆盖外涂层150的所有外表面。
换言之，粘合剂层470的侧端可以设置成比外涂层150的侧端更向内，但是可以设置成比堤部460的侧端更向外。可以基于发光显示装置400的外部来顺序地设置外涂层150的端端、粘合剂层470的侧端和堤部460的侧端。
另外，在根据本公开内容的又一示例性方面的发光显示装置400中，粘合剂层470的侧端可以设置成比堤部460的侧端更靠近外涂层150的侧端。例如，粘合剂层470的侧端与外涂层150的侧端之间的距离可以短于粘合剂层470的侧端与堤部460的侧端之间的距离。
图6是根据本公开内容的又一示例性方面的发光显示装置的一个子像素的截面图。图6的发光显示装置500与图2的发光显示装置100的不同之处在于，粘合剂层570具有没有单独的氢吸收层的不同结构，并且其其他部件与图2的发光显示装置100基本上相同。因此，省略重复的描述。
如图6所示，粘合剂层570设置在发光元件140与上基板119之间。具体地，粘合剂层570可以形成为覆盖位于其下方的发光元件140、堤部160和外涂层150，并且可以将位于其下方的部件与位于其上的上基板119接合。在根据本公开内容的又一示例性方面的发光显示装置500中，与图2的发光显示装置100相比，在粘合剂层570上未设置单独的氢吸收层，并且上基板119直接位于粘合剂层570上。
粘合剂层570同时包括粘合剂材料和氢吸收填料。
粘合剂材料可以由液态或膜形式的粘合剂材料形成，并且可以由例如树脂、环氧树脂或丙烯酸材料形成，但不限于此。
氢吸收填料用作吸收滤色器CF和/或钝化层130中的残留氢的填料。氢吸收填料可以是无机材料或有机材料，并且因为其与图2中描述的氢吸收填料基本相同，所以省略其重复描述。
由于粘合剂层570包括氢吸收填料，所以可以去除滤色器CF和钝化层130中包括的残留氢。也就是说，粘合剂层570可以同时执行将下基板110和上基板119接合的功能以及去除发光显示装置500内部的氢的功能。
在根据本公开内容的另一示例性方面的发光显示装置500中，可以通过同时执行粘合功能和除氢功能的粘合剂层570来去除如氢吸收层那样的去除在发光显示装置500内部的氢的单独功能。因此，可以减小发光显示装置的整体厚度。
图7是根据本公开内容的又一示例性方面的发光显示装置的一个子像素的截面图。图7的发光显示装置600在粘合剂层670的构造方面与图2的发光显示装置100不同，并且其其他部件与图2的发光显示装置100基本相同。因此，省略重复的描述。
如图7所示，粘合剂层670设置在发光元件140上。粘合剂层670可以形成为覆盖位于其下方的发光元件140、堤部160和外涂层150，并且可以将其下方的部件与位于其上的上基板119接合。
粘合剂层670同时包括粘合剂材料和作为氢吸收填料的有机材料685。
具体地，粘合剂材料可以由液态或膜形式的粘合剂材料形成，并且可以由例如树脂、环氧树脂或丙烯酸材料形成，但是不限于此。
作为氢吸收填料，粘合剂层670的有机材料685可以包括基于羟基二苯甲酮基的化合物、基于羟基苯基苯并三唑基的化合物和基于受阻胺的化合物中的一种或更多种。
由于粘合剂层670包括由有机材料685形成的氢吸收填料，所以可以去除包括在滤色器CF和钝化层130中的残留氢。也就是说，粘合剂层670可以同时执行将下基板110和上基板119接合的功能以及去除发光显示装置600内部的氢的功能。
氢吸收层680设置在粘合剂层670上，以去除包括在滤色器CF和钝化层130中的残留氢。氢吸收层680包括密封材料和作为氢吸收填料的无机材料。除了图7的发光显示装置600中的氢吸收层680包括作为氢吸收填料的无机材料之外，氢吸收层680与图2中描述的氢吸收层180基本相同。因此省略重复的描述。
在根据本公开内容的另一示例性方面的发光显示装置600中，粘合剂层670包括有机材料685的氢吸收填料，并且设置在粘合剂层670上的氢吸收层680包括无机材料的氢吸收填料。
通过依次堆叠包括有机材料685的氢吸收填料的粘合剂层670和包括无机材料的氢吸收填料的氢吸收层680，可以将执行氢吸收功能的层实现为双层，使得可以更容易地去除包括在滤色器CF和钝化层130中的残留氢。
特别地，当有机材料685的氢吸收填料被包括在位于氢吸收层680下方的粘合剂层670中时，有机材料685的氢吸收填料对粘合剂组合物具有优异的分散性，从而可以将其设置在发光元件140上而没有聚集现象。当无机材料的氢吸收填料设置与薄膜晶体管TFT或钝化层130相邻时，由于无机材料之间的聚集，发光显示装置的光学特性可能劣化。另外，由于无机材料可能损坏薄膜晶体管TFT或钝化层130，所以发光显示装置的耐久性或发光特性可能劣化。
因此，如在图7的发光显示装置中，通过在钝化层上设置包括有机材料的氢吸收填料的粘合剂层，然后在粘合剂层上设置包括无机材料的氢吸收填料的氢吸收层，可以提高去除发光显示装置内部的氢的性能而不会降低发光显示装置的耐久性或发光特性。
图8是根据本公开内容的又一示例性方面的发光显示装置的一个子像素的截面图。图8的发光显示装置700在粘合剂层770的构造方面与图7的发光显示装置600不同，并且其其他部件与图7的发光显示装置600基本相同。因此，省略重复的描述。
如图8所示，粘合剂层770设置在发光元件140上。粘合剂层770可以形成为覆盖设置在其下方的发光元件140、堤部160和外涂层150，并可以将其下方的部件和位于其上的上基板119接合。
粘合剂层770包括第一粘合剂层771和设置在第一粘合剂层771上的第二粘合剂层772。
第一粘合剂层771可以形成为覆盖位于其下方的发光元件140、堤部160和外涂层150。第一粘合剂层771同时包括粘合剂材料和有机材料685的氢吸收填料。第二粘合剂层772设置在第一粘合剂层771上，并且仅由不具有氢吸收填料的粘合剂材料形成。
包括无机材料的氢吸收填料和密封材料的氢吸收层780设置在粘合剂层770上。
根据本公开内容的另一示例性方面的发光显示装置700具有其中有机材料685的氢吸收填料仅设置在粘合剂层770的下部区域中的结构。也就是说，与图7的具有其中有机材料685的氢吸收填料分散在粘合剂层670的整个区域中的结构的发光显示装置600不同，有机材料685的氢吸收填料仅设置在粘合剂层770的下部区域中，即仅设置在第一粘合剂层771中，以与薄膜晶体管和钝化层130相邻。有机材料685的氢吸收填料定位成靠近薄膜晶体管TFT，从而可以快速控制在发光面板制造过程中由水分产生的氢在薄膜晶体管TFT的表面中的扩散。
图9是根据本公开内容的又一示例性方面的发光显示装置的一个子像素的截面图。图9的发光显示装置800的其他部件与图2的发光显示装置100的部件基本相同，不同之处在于设置了氧吸收层880而不是氢吸收层180。因此，省略重复的描述。
如图9所示，在图9的发光显示装置800中，在粘合剂层170上设置了氧吸收层880。氧吸收层880去除包括在发光显示装置800中的氧。
具体地，当通过将上基板119设置在下基板110上方来制造发光显示装置800时，可以将外部氧气注入到发光显示装置中。特别地，外部氧气可以通过包括在发光显示装置内部的有机材料层中的用于防止水分渗透的防水分渗透填料进入显示装置。注入到发光显示装置中的氧气与构成发光元件的有机材料或阴极反应，因此，出现诸如白点或暗点之类的亮点，导致亮度不均匀。因此，可以通过经由氧吸收层880去除发光显示装置800内部的氧来解决白点的缺陷。
氧吸收层880可以包括密封材料和氧吸收填料887。
密封材料可以基于可固化树脂形成。例如，可固化树脂可以是透明的热固性树脂或可光固化的树脂。例如，可固化树脂可以是环氧树脂或烯烃树脂。
此时，可固化树脂可以具有极性基团或羟基团。例如，可固化树脂包括聚乙烯醇(PVA)、聚偏二氯乙烯(PVDC)、乙烯乙烯醇(EVOH)、聚丙烯腈(PAN)、聚氯三氟乙烯(PCTFE)或它们的组合。在具有极性基团的聚合物作为构成氧吸收层880的基础材料的情况下，气体渗透性低并且阻挡性趋于高，使得从外部向发光显示装置800的内部输入的氧的量可以减小。
氧吸收填料887通过物理或化学反应吸收或去除氧原子或氧分子。例如，氧吸收填料887可以是有机材料或无机材料。
有机材料的氧吸收填料887可以是碳纳米管(CNT)或石墨烯，但不限于此。
另外，有机材料的氧吸收填料887可以是抗氧化剂，例如基于受阻苯基的化合物，例如IRGAFOS XP40、IRGAFOS XP60、IRGANOX 1010、IRGANOX 1035、IRGANOX 1076、IRGANOX1135、或IRGANOX 1520L(商品名，由BASF制造)，但不限于此。
无机材料的氧吸收填料887可以是二氧化硅、沸石、二氧化钛、氧化锆和蒙脱石中的任何一种或更多种，但不限于此。
同时，无机材料的氧吸收填料887可以是表面改性的颗粒。例如，对于二氧化硅颗粒的表面可以使用各种偶联剂，例如基于乙烯、基于缩水甘油、基于甲基丙烯酸、基于氨基和基于巯基的硅烷偶联剂或基于醇盐、基于螯合和基于酰化物的钛偶联剂。
二氧化硅颗粒的表面处理方法可以通过例如搅拌法、润湿法、干燥法等进行，但不限于此。
同时，在图9的发光显示装置800中，氧吸收层880还可以包括氢吸收填料885。这时，氧吸收层880可以包括密封材料、氧吸收填料887和氢吸收填料885，吸收保留在发光显示装置800内部的氢，并吸收或阻挡从发光显示装置800的外部注入的氧。在图9中，尽管氧吸收层880被示为同时包括氧吸收填料887和氢吸收填料885，但氧吸收层880可以仅包括氧吸收填料887，而没有如上所述的氢吸收填料。
在图9的发光显示装置800中，氧吸收层880的结构可以与图2的发光显示装置100的氢吸收层180基本相同。具体地，氧吸收层880的侧端和粘合剂层170的侧端可以共线设置。因此，氧吸收层880的侧端也可以设置成比外涂层150的侧端更向内，但是也可以设置成比堤部160的侧端更向外。例如，外涂层150的侧端、粘合剂层170和氧吸收层880的侧端以及堤部160的侧端可以顺序地设置在发光显示装置800的外部。更具体地，堤部160的侧端可以设置成比粘合剂层170和氧吸收层880的侧端更向内，并且粘合剂层170和氧吸收层880的侧端可以设置成比外涂层150的侧端更向内。
同时，在图9的发光显示装置800中，示出了其中氧吸收层880设置在粘合剂层170上的结构，但不限于此。
例如，氧吸收层可以设置在粘合剂层170下方。
此外，可以将氧吸收层结合到粘合剂层中。具体地，类似于在图6所示的发光显示装置500中氢吸收填料被分散在粘合剂层170内部的结构，构成氧吸收层的氧吸收填料可以分散地设置在粘合剂层170内部。
此外，类似于在图8所示的发光显示装置500中氢吸收填料仅设置在作为粘合剂层770的下部区域的第一粘合剂层771中的结构，构成氧吸收层的氧吸收填料可以仅设置在粘合剂层的下部区域中，与晶体管和钝化层相邻。
本公开内容的示例性方面也可以被描述如下：
根据本公开内容的一方面，提供了一种发光显示装置。该发光显示装置包括：下基板；在下基板上的薄膜晶体管；钝化层，其设置在薄膜晶体管上并且包括氢；外涂层，其设置在钝化层上并使钝化层平坦化；发光元件，其设置在外涂层上并且包括阳极、在阳极上的发光层、以及在发光层上的阴极；堤部，其设置在外涂层上并限定发光区域；在发光元件和堤部上的粘合剂层；以及氢吸收层，其设置在粘合剂层上并且包括氢吸收填料，其中，堤部的侧端设置成比粘合剂层和氢吸收层的侧端更向内，其中，粘合剂层和氢吸收层的侧端设置成比外涂层的侧端更向内。
氢吸收层的侧端和粘合剂层的侧端可以共线设置。
堤部的侧端可以设置成比发光区域的边界更靠近外涂层的侧端。
堤部的侧端可以设置成比外涂层的侧端更靠近发光区域的边界。
发光层可以被设置成覆盖堤部的上表面，并且阴极可以被设置成覆盖发光层的上表面和侧表面并且覆盖堤部的上表面。
发光层可以被设置成覆盖堤部的上表面，并且阴极可以被设置成覆盖发光层的上表面和侧表面并且覆盖堤部的上表面和侧表面。
发光显示装置还可以包括覆盖发光元件的上表面的上保护层。
粘合剂层可以使发光元件和堤部平坦化。
粘合剂层可以与外涂层、发光元件和堤部接触。
氢吸收填料可以包括无机材料和有机材料中的一种或更多种，并且无机材料可以包括金属、包括金属的混合物以及包括金属的化合物中的一种或更多种，并且有机材料包括基于羟基二苯甲酮的化合物、基于羟基苯基苯并三唑的化合物以及基于受阻胺的化合物中的一种或更多种。
该金属可以包括碱金属、碱土金属、稀土金属、钛(Ti)族金属、过渡金属和后过渡金属中的一种或更多种。
该金属可以包括钍(Th)、锆(Zr)、钒(V)、钯(Pd)、钛(Ti)、镁(Mg)、镍(Ni)、锡(Sn)、铂(Pt)、铬(Cr)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)、金(Au)、钴(Co)和铁(Fe)中的一种或更多种。
混合物可以包括镧-镍(La-Ni)、镧-镍-铝(La-Ni-Al)、镍-镁(Ni-Mg)、铁-钛(Fe-Ti)以及钛-锰(Ti-Mn)中的一种或更多种。
金属可以是直径为几纳米到几十纳米的多个颗粒。
氢吸收填料可以分散在氢吸收层中。
氢吸收层可以被包括在粘合剂层中。
氢吸收层的氢吸收填料可以是包括无机材料的第一氢吸收填料，并且粘合剂层还可以包括第二氢吸收填料，第二氢吸收填料包括有机材料。
粘合剂层可以包括第一粘合剂层和在第一粘合剂层上的第二粘合剂层，并且氢吸收层的氢吸收填料可以是包括无机材料的第一氢吸收填料，并且第一粘合剂层可以由包括粘合剂材料和有机材料的第二氢吸收填料形成，并且第二粘合剂层可以由粘合剂材料形成。
薄膜晶体管可以包括半导体层，并且半导体层可以由氧化物半导体或非晶半导体形成。
阳极可以包括透明导电层、或反射层和在反射层上的透明导电层。
发光显示装置还可以包括滤色器，该滤色器设置成与发光元件交叠并且包括氢。
氢吸收层和粘合剂层中的一个或更多个还可以包括氧吸收填料。
氧吸收填料可以包括：无机材料，其包括抗氧化剂、碳纳米管(CNT)和石墨烯中的一种或更多种；或有机材料，其包括二氧化硅、沸石、二氧化钛、氧化锆和蒙脱石中的一种或更多种。
有机材料的氧吸收填料可以是使用基于乙烯、基于缩水甘油、基于甲基丙烯酸、基于氨基和基于巯基的硅烷偶联剂或基于醇盐、基于螯合和基于酰化物的钛偶联剂来表面改性的颗粒。
根据本公开内容的另一方面，提供了一种发光显示装置。该发光显示装置包括：下基板；在下基板上的薄膜晶体管；钝化层，其设置在薄膜晶体管上并且包括氢；外涂层，其设置在钝化层上并使钝化层平坦化；发光元件，其设置在外涂层上并且包括阳极、在阳极上的发光层、以及在发光层上的阴极；堤部，其设置在外涂层上并限定发光区域；以及粘合剂层，其设置在发光元件和堤部上并且包括氢吸收填料或氧吸收填料。另外，氢吸收填料或氧吸收填料被设置成与钝化层相邻。
粘合剂层可以包括设置在钝化层上的第一粘合剂层和设置在第一粘合剂层上的第二粘合剂层，并且第一粘合剂层可以由可固化树脂以及氢吸收填料和氧吸收填料中的一种或两种构成，并且第二粘合剂层可以由可固化树脂构成。
氢吸收填料可以包括基于羟基二苯甲酮的化合物、基于羟基苯基苯并三唑的化合物和基于受阻胺的化合物中的一种或更多种。
氧吸收填料可以包括：无机材料，其包括抗氧化剂、碳纳米管(CNT)和石墨烯中的一种或更多种；或有机材料，其包括二氧化硅、沸石、二氧化钛、氧化锆和蒙脱石中的一种或更多种。
第一粘合剂层的可固化树脂可以包括聚乙烯醇(PVA)、聚偏二氯乙烯(PVDC)、乙烯-乙烯醇(EVOH)、聚丙烯腈(PAN)和聚氯三氟乙烯(PCTFE)中的一种或更多种。
发光显示装置还可以包括氢吸收层，该氢吸收层设置在粘合剂层上并且包括无机材料的氢吸收填料，该无机材料包括金属、包括该金属的混合物、以及包括该金属的化合物中的一种或更多种。
尽管参考附图详细描述了本公开内容，但是本公开内容不限于此，并且在不脱离本公开内容的技术构思的情况下，可以以许多不同的形式来实施本公开内容。因此，提供本公开内容仅用于说明性目的，而无意于限制本公开内容的技术构思。本公开内容的技术构思的范围不限于此。因此，应当理解，上述示例性方面在所有方面都是示例性的，并且不限制本公开内容。本公开内容的保护范围应基于所附权利要求来解释，并且在其等同范围内的所有技术构思应被解释为落入本公开内容的范围内。
本公开内容还包括以下方案。
1.一种发光显示装置，包括：
下基板；
薄膜晶体管，其设置在所述下基板上；
钝化层，其设置在所述薄膜晶体管上；
外涂层，其设置在所述钝化层上；
发光元件，其设置在所述外涂层上并且包括阳极、设置在所述阳极上的发光层以及设置在所述发光层上的阴极；
堤部，其设置在所述外涂层上并限定发光区域；
粘合剂层，其设置在所述发光元件和所述堤部上；以及
氢吸收层，其设置在所述粘合剂层上并且包括氢吸收填料，
其中，所述堤部具有设置成比所述粘合剂层和所述氢吸收层的侧端更向内的侧端，并且
其中，所述粘合剂层和所述氢吸收层的侧端设置成比所述外涂层的侧端更向内。
2.根据方案1所述的发光显示装置，其中，所述氢吸收层的侧端和所述粘合剂层的侧端共线设置。
3.根据方案1所述的发光显示装置，其中，所述堤部的侧端设置成比所述发光区域的边界更靠近所述外涂层的侧端。
4.根据方案1所述的发光显示装置，其中，所述堤部的侧端设置成比所述外涂层的侧端更靠近所述发光区域的边界。
5.根据方案1所述的发光显示装置，其中，所述发光层覆盖所述堤部的上表面，并且
其中，所述阴极覆盖所述发光层的上表面和侧表面以及所述堤部的上表面。
6.根据方案1所述的发光显示装置，其中，所述发光层覆盖所述堤部的上表面，以及
其中，所述阴极覆盖所述发光层的上表面和侧表面，并且覆盖所述堤部的上表面和侧表面。
7.根据方案1所述的发光显示装置，还包括覆盖所述发光元件的上表面的上保护层。
8.根据方案1所述的发光显示装置，其中，所述粘合剂层使所述发光元件和所述堤部平坦化。
9.根据方案1所述的发光显示装置，其中，所述粘合剂层与所述外涂层、所述发光元件和所述堤部接触。
10.根据方案1所述的发光显示装置，其中，所述氢吸收填料包括无机材料和有机材料中的至少一种，
其中，所述无机材料包括金属、包括所述金属的混合物以及包括所述金属的化合物中的一种或多种，并且所述有机材料包括基于羟基二苯甲酮的化合物、基于羟基苯基苯并三唑的化合物和基于受阻胺的化合物中的一种或更多种。
11.根据方案10所述的发光显示装置，其中，所述金属包括碱金属、碱土金属、稀土金属、钛(Ti)族金属、过渡金属和后过渡金属中的一种或更多种。
12.根据方案10所述的发光显示装置，其中，所述金属包括钍(Th)、锆(Zr)、钒(V)、钯(Pd)、钛(Ti)、镁(Mg)、镍(Ni)、锡(Sn)、铂(Pt)、铬(Cr)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)、金(Au)、钴(Co)和铁(Fe)中的一种或更多种。
13.根据方案10所述的发光显示装置，其中，所述混合物包括镧-镍(La-Ni)、镧-镍-铝(La-Ni-Al)、镍-镁(Ni-Mg)、铁-钛(Fe-Ti)以及钛-锰(Ti-Mn)中的一种或更多种。
14.根据方案10所述的发光显示装置，其中，所述金属包括直径为几纳米到几十纳米的多个颗粒。
15.根据方案1所述的发光显示装置，其中，所述氢吸收填料分散在所述氢吸收层中。
16.根据方案10所述的发光显示装置，其中，所述氢吸收层的所述氢吸收填料是包括所述无机材料的第一氢吸收填料，并且
其中，所述粘合剂层还包括第二氢吸收填料，所述第二氢吸收填料包括所述有机材料。
17.根据方案10所述的发光显示装置，其中，所述粘合剂层包括第一粘合剂层和设置在所述第一粘合剂层上的第二粘合剂层，
其中，所述氢吸收层的所述氢吸收填料是包括所述无机材料的第一氢吸收填料，并且
其中，所述第一粘合剂层由包括粘合剂材料和所述有机材料的第二氢吸收填料形成，并且所述第二粘合剂层由粘合剂材料形成。
18.根据方案1所述的发光显示装置，其中，所述薄膜晶体管包括半导体层，并且
其中，所述半导体层包括氧化物半导体或非晶半导体。
19.根据方案1所述的发光显示装置，其中，所述阳极包括透明导电层、或反射层和设置在所述反射层上的透明导电层。
20.根据方案1所述的发光显示装置，还包括与所述发光元件交叠并且包括氢的滤色器。
21.根据方案1所述的发光显示装置，其中，所述氢吸收层和所述粘合剂层中的至少一个还包括氧吸收填料。
22.根据方案21所述的发光显示装置，其中，所述氧吸收填料包括：无机材料，所述无机材料包括抗氧化剂、碳纳米管(CNT)和石墨烯中的一种或更多种；或有机材料，所述有机材料包括二氧化硅、沸石、二氧化钛、氧化锆和蒙脱石中的一种或更多种。
23.根据方案22所述的发光显示装置，其中，所述有机材料的氧吸收填料包括使用基于乙烯、基于缩水甘油、基于甲基丙烯酸、基于氨基和基于巯基的硅烷偶联剂或基于醇盐、基于螯合和基于酰化物的钛偶联剂表面改性的颗粒。
24.一种发光显示装置，包括：
下基板；
薄膜晶体管，其设置在所述下基板上；
钝化层，其设置在所述薄膜晶体管上；
外涂层，其设置在所述钝化层上；
发光元件，其设置在所述外涂层上并且包括阳极、在所述阳极上的发光层以及在所述发光层上的阴极；
堤部，其设置在所述外涂层上并限定发光区域；以及
粘合剂层，其设置在所述发光元件和所述堤部上，并且包括氢吸收填料或氧吸收填料，
其中，所述氢吸收填料或所述氧吸收填料与所述钝化层邻近。
25.根据方案24所述的发光显示装置，其中，所述粘合剂层包括设置在所述钝化层上的第一粘合剂层和设置在所述第一粘合剂层上的第二粘合剂层，
其中，所述第一粘合剂层包括可固化树脂，以及
所述氢吸收填料和所述氧吸收填料中的一种或两种，并且
其中，所述第二粘合剂层包括可固化树脂。
26.根据方案25所述的发光显示装置，其中，所述氢吸收填料包括基于羟基二苯甲酮的化合物、基于羟基苯基苯并三唑的化合物和基于受阻胺的化合物中的一种或更多种。
27.根据方案25所述的发光显示装置，其中，所述氧吸收填料包括：无机材料，所述无机材料包括抗氧化剂、碳纳米管(CNT)和石墨烯中的一种或更多种；或者有机材料，所述有机材料包括二氧化硅、沸石、二氧化钛、氧化锆和蒙脱石中的一种或更多种。
28.根据方案25所述的发光显示装置，其中，所述第一粘合剂层的所述可固化树脂包括聚乙烯醇(PVA)、聚偏二氯乙烯(PVDC)、乙烯-乙烯醇(EVOH)、聚丙烯腈(PAN)和聚氯三氟乙烯(PCTFE)中的一种或更多种。
29.根据方案24所述的发光显示装置，还包括氢吸收层，所述氢吸收层设置在所述粘合剂层上并且包括无机材料的氢吸收填料，所述无机材料包括金属、包括所述金属的混合物和包括所述金属的化合物中的一种或更多种。
30.一种发光显示装置，包括：
下基板；
薄膜晶体管，其设置在所述下基板上；
钝化层，其设置在所述薄膜晶体管上；
外涂层，其设置在所述钝化层上；
发光元件，其设置在所述外涂层上并且包括阳极、设置在所述阳极上的发光层以及设置在所述发光层上的阴极；
堤部，其设置在所述外涂层上并限定发光区域；以及
粘合剂层，其设置在所述发光元件和所述堤部上并且包括氢吸收填料；
其中，所述堤部具有设置成比所述粘合剂层的侧端更向内的侧端，并且
其中，所述粘合剂层的侧端设置成比所述外涂层的侧端更向内。
31.一种发光显示装置，包括：
下基板；
薄膜晶体管，其设置在所述下基板上；
钝化层，其设置在所述薄膜晶体管上；
外涂层，其设置在所述钝化层上；以及
发光元件，其设置在所述外涂层上并且包括阳极、在所述阳极上的发光层以及在所述发光层上的阴极；
其中，所述外涂层包括氢吸收填料。

Claims (10)

1.一种发光显示装置，包括：
下基板；
薄膜晶体管，其设置在所述下基板上；
钝化层，其设置在所述薄膜晶体管上；
外涂层，其设置在所述钝化层上；
发光元件，其设置在所述外涂层上并且包括阳极、设置在所述阳极上的发光层以及设置在所述发光层上的阴极；
堤部，其设置在所述外涂层上并限定发光区域；
粘合剂层，其设置在所述发光元件和所述堤部上；以及
氢吸收层，其设置在所述粘合剂层上并且包括氢吸收填料，
其中，所述堤部具有设置成比所述粘合剂层和所述氢吸收层的侧端更向内的侧端，并且
其中，所述粘合剂层和所述氢吸收层的侧端设置成比所述外涂层的侧端更向内。
2.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，所述氢吸收层的侧端和所述粘合剂层的侧端共线设置。
3.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，所述堤部的侧端设置成比所述发光区域的边界更靠近所述外涂层的侧端。
4.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，所述堤部的侧端设置成比所述外涂层的侧端更靠近所述发光区域的边界。
5.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，所述发光层覆盖所述堤部的上表面，并且
其中，所述阴极覆盖所述发光层的上表面和侧表面以及所述堤部的上表面。
6.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，所述发光层覆盖所述堤部的上表面，以及
其中，所述阴极覆盖所述发光层的上表面和侧表面，并且覆盖所述堤部的上表面和侧表面。
7.根据权利要求1所述的发光显示装置，还包括覆盖所述发光元件的上表面的上保护层。
8.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，所述粘合剂层使所述发光元件和所述堤部平坦化。
9.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，所述粘合剂层与所述外涂层、所述发光元件和所述堤部接触。
10.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，所述氢吸收填料包括无机材料和有机材料中的至少一种，
其中，所述无机材料包括金属、包括所述金属的混合物以及包括所述金属的化合物中的一种或多种，并且所述有机材料包括基于羟基二苯甲酮的化合物、基于羟基苯基苯并三唑的化合物和基于受阻胺的化合物中的一种或更多种。
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