CN104576689A - 有机发光器件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种有机发光器件及其制造方法，所述有机发光器件包括：第一基板；薄膜晶体管(TFT)，其在所述第一基板上；平整层，其在所述TFT上；有机发光二极管(OLED)，其在所述平整层上；钝化层，其在所述OLED上；第二基板，其在所述钝化层上；以及氢捕获材料，其在所述第一基板和所述第二基板之间，以防止形成TFT的材料氧化。

Description

有机发光器件及其制造方法
本申请要求于2013年10月16日提交的韩国专利申请No.10-2013-0123631的优先权，该申请出于所有目的以引用方式并入，好像在本文中完全阐述一样。
技术领域
本公开涉及有机发光器件及其制造方法。
背景技术
有机发光器件利用布置在电极之间的有机化合物在电流流过电极之间时发光的电致发光现象来发光。另外，有机发光显示装置是通过控制流向有机化合物的电流量以调节发光量来显示图像的装置。
有机发光显示装置的优点在于，可以使有机发光显示装置重量轻且薄，同时使用电极之间的薄有机化合物来发光。
在有机发光器件被氧化物薄膜晶体管(TFT)驱动的情况下，当氧化物特性由于各种因素而变化时，晶体管的电行为的变化会造成阈值电压偏移。如果阈值电压偏移的程度在驱动有机发光面板的电路的补偿范围之外，则阈值电压偏移会导致屏幕上可能为可视的亮斑或亮度偏差。
因此，阈值电压偏移会是造成有机发光显示装置劣化的重要因素，并且可限制氧化物薄膜晶体管在驱动显示装置中的使用。
发明内容
因此，本公开致力于一种包括有机发光显示装置的阵列基板，其基本上消除了由于相关技术的限制和缺点导致的一个或更多个问题。
本公开的目的是提供一种能够有效提高驱动TFT的可靠性和显示性能的包括氢捕获材料的有机发光器件。
本公开另外的特征和优点将在随后的描述中阐述，部分地将从描述中清楚，或者可通过实践本公开而获知。将通过书面描述及其权利要求书以及附图中特别指出的结构来实现和获得本公开的这些和其它优点。
为了实现这些和其它优点并且根据本公开的目的，如实施和广义描述的，一种有机发光器件包括：第一基板；薄膜晶体管(TFT)，其在所述第一基板上；平整层，其在所述TFT上；有机发光二极管(OLED)，其在所述平整层上；钝化层，其在所述OLED上；第二基板，其在所述钝化层上；氢捕获材料，其在所述第一基板和所述第二基板之间。
在另一个方面，一种制造有机发光器件的方法包括以下步骤：制备第一基板；在所述第一基板上形成薄膜晶体管(TFT)；在所述TFT上形成平整层；在所述平整层上形成有机发光二极管(OLED)；在所述OLED上形成钝化层；在所述钝化层上设置第二基板；在所述第一基板和所述第二基板之间形成氢捕获材料。
要理解，以上的总体描述和以下的详细描述都是示例性和说明性的并且旨在提供对要求保护的本公开的进一步说明。
附图说明
图1是示出可应用示例性实施方式的有机发光显示装置的系统构造的示图；
图2是示意性示出根据第一示例性实施方式的有机发光器件的截面图；
图3是示出根据第二示例性实施方式的有机发光器件的截面图；
图4的(A)是示出构成第二基板的单个金属箔的体心立方晶格构造的透视图；
图4的(B)是示出构成第二基板的单个金属箔的面心立方晶格构造的透视图；
图5的(A)是示出构成第二基板的金属箔合金的体心立方晶格构造的透视图；
图5的(B)是示出构成第二基板的单个金属箔合金的面心立方晶格构造的透视图；
图6是示出在具有晶格构造的金属箔或金属箔合金中捕获在器件加工期间产生的残余氢的机制的示图；
图7A是示出残余氢在整个氧化物薄膜晶体管中扩散以使氧化物薄膜晶体管的阈值电压偏移的通用有机发光器件的截面图；
图7B是示出根据图3的第二示例性实施方式的残余氢扩散到第二基板中的有机发光器件的截面图；
图8是示出根据第二示例性实施方式的制造有机发光器件的工序的流程图；
图9A至图9D是按制造有机发光器件的工序的顺序示出根据第三示例性实施方式的有机发光器件的截面图；
图10是示出根据第三示例性实施方式的有机发光器件的截面图；
图11A至图11D是按制造有机发光器件的工序的顺序示出根据第三示例性实施方式的有机发光器件的截面图；
图12是示意性示出根据第四示例性实施方式的有机发光器件的截面图；
图13是示出当包括第二基板的图3的有机发光器件由金属箔合金制成时第二基板中的氢含量的变化的曲线图，该金属箔合金是基于金属箔的氢捕获金属并且包括氢分解金属(例如，Ni)。
具体实施方式
下文中，将参照附图描述本发明的几个实施方式。在下面的描述中，将用相同的参考标号指明相同的元件，尽管它们是在不同附图中示出的。另外，在下面对本公开的描述中，当对并入本文中的已知功能和构造的描述使得本发明的主题相当不清楚时，将省略该描述。
另外，在本文中，当描述本公开的组件时，可使用诸如第一、第二、A、B、(a)、(b)等的术语。这些术语只是用于将一个结构元件与其它结构元件区分开，对应结构元件的性质、次序、顺序等不受术语限制。应该注意，如果在说明书中描述一个组件“连接”、“结合”或“联结”到另一个组件，则在第一组件和第二组件之间可“连接”、“结合”和“联结”第三组件，尽管第一组件可直接连接、结合或联结到第二组件。同样，当描述某个元件形成在另一个元件“上方”或“下方”时，应该理解，所述某个元件可直接地或者借助另一个元件上方或下方的又一个元件间接地形成。
图1是示出可应用示例性实施方式的有机发光显示装置的系统构造的示图。
参照图1，有机发光显示装置100可包括定时控制器110、数据驱动单元120、选通驱动单元130、显示面板140和图形控制器150。
参照图1，像素P被限定于第一基板上的在一个方向上延伸的数据线DL1、DL2、…、DLn与在垂直方向上延伸的选通线GL1、GL2、…、GLn交叉的各区域。
显示面板140上的各像素P可以包括具有作为第一电极的阳极、作为第二电极的阴极和有机发光层的至少一个有机发光器件。像素P中的各有机发光器件可包括红色有机发光层、绿色有机发光层、蓝色有机发光层和白色有机发光层之中的至少一个有机发光层，或者包括白色有机发光层。
各像素P具有选通线GLy、数据线DLx、用于供应高压的高压线VDDx(未示出)。另外，在各像素P中，开关晶体管被插入在选通线GLy和数据线DLx之间，驱动晶体管形成在开关晶体管的源极(或漏极)、有机发光二极管和高压线VDD之间，所述有机发光二极管包括阳极、阴极和有机发光层。
驱动晶体管是氧化物薄膜晶体管，可包括由铟镓锌氧化物(IGZO)、锌锡氧化物(ZTO)、锌铟氧化物(ZIO)、栅极、源极/漏极等组成的氧化物层。
钝化层可形成在有机发光二极管上，保护有机发光二极管免于受湿气和氧气影响。另外，粘合剂层可形成在钝化层上。第二基板可形成在粘合剂层上。
第二基板可由金属箔或金属箔合金制成并且包括氢捕获金属。另外，根据有机发光器件的发光方向，第一基板可由金属箔或金属箔合金制成并且包括氢捕获金属。
另外，由包括氢捕获金属的金属箔或金属箔合制成的氢捕获层可形成在第一基板或第二基板中的至少一个的内表面上，或可形成在这两个基板上。
下文中，将参照附图详细描述上述有机发光显示装置上的构成像素的有机发光器件。
图2是示意性示出根据第一示例性实施方式的有机发光器件的截面图。
参照图2，根据这个实施方式的有机发光器件200包括：氧化物薄膜晶体管220，其布置在其内限定像素区的第一基板210上；有机发光二极管230，其形成在氧化物薄膜晶体管220上；钝化层240，其形成在有机发光二极管230上；粘合剂层250，其形成在钝化层240上；第二基板260，其形成在粘合剂层250上。
有机发光器件200的发光被分为顶部发射和底部发射，在顶部发射中，以氧化物薄膜晶体管220为基准，光向着第二基板260发射，在底部发射中，以氧化物薄膜晶体管220为基准，光向着第一基板210发射。
在根据一个方面的有机发光器件200中，在底部发射的情况下，第一基板210和第一电极(为像素电极)应该由透明材料(包括半透明材料)制成，而在顶部发射的情况下，钝化层240、粘合剂层250和第二基板260应该由透明材料(包括半透明材料)制成。
尽管根据实施方式的有机发光器件200将被描述为底部发射的示例，但本发明不限于此并且可以是顶部发射。
氧化物薄膜晶体管220相较于多晶硅晶体管需要高驱动电压，但因为工序的数量少，所以具有低制造成本的优点。另外，氧化物薄膜晶体管220具有优异的截止电流特性并且可通过等于或低于大约60Hz的低频率来驱动。
根据下面实施方式的氧化物薄膜晶体管220将被描述为其中栅极形成在源极/漏极的下部上的底栅型的示例。然而，本发明不限于此，可以是其中栅极形成在源极/漏极的上部上的顶栅型。
有机发光二极管230可形成在氧化物半导体晶体管220上。有机发光二极管230可包括两个电极和有机层。在这种情况下，有机层包括有机发光层，还包括用于平稳形成激子的空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层等。
接下来，膜型钝化层240形成在有机发光二极管230上，并且可以按包含在其形成过程期间产生的氢的无机膜的形式制成。
混合封装结构可以是以下形式：粘合剂层250形成在钝化层240上并且第二基板260形成在粘合剂层250上。
因为上述氧化物薄膜晶体管220包括氧化物，所以会由于氧化物性质的变化而导致阈值电压偏移。因此，为了防止由于有机发光器件200中的残余氢而导致阈值电压偏移，第一基板210和第二基板260中的至少一个可由金属箔或金属箔合金形成并且包括氢捕获金属。又如，第一基板210和第二基板260中的至少一个可包括由包括氢捕获金属的金属箔或金属箔合金形成的氢捕获层。图10至图12示出其上涂敷有分开的氢捕获层的有机发光器件的结构，将参照对应附图详细描述有机发光器件的结构。
金属箔是指具有便于形成箔的延展性和韧性的金属。金属箔可以由相对富饶的金属制成，但不限于此，由于根据一个实施方式的有机发光器件200是通过使用相对富饶的金属制成的，因此优点在于降低了有机发光显示装置的制造成本。
金属箔合金可通过将上述金属箔与另一种金属材料形成合金来形成，可包括能够通过面心立方晶格结构或体心立方晶格结构的晶格间隙捕获残余氢的氢捕获金属。
另外，氢捕获金属可以是能够将残余氢的状态从分子分离成原子的氢分解金属，但不限于此。换句话讲，氢捕获金属是具有高性能的、能够将氢分子分离成氢原子以便形成填隙式固溶体或金属氢化物的金属。
金属箔或金属箔合金可以是具有捕获在形成有机发光器件200的过程中产生的残余氢的晶格间隙的面心立方晶格结构或体心立方晶格结构。具有面心立方晶格结构或体心立方晶格结构的金属箔或金属箔合金可连同在形成有机发光器件200的过程中产生的残余氢一起形成填隙式固溶体或金属氢化物。
第二基板260可具有与第一基板210相同的热膨胀系数，以防止器件200在高温下执行工序时发生弯曲。
下文中，将参照图3至图9D描述具有由金属箔或金属箔合金形成的第二基板260的有机发光器件及其制造方法。
图3是示出根据第二示例性实施方式的有机发光器件的截面图。
参照图3，根据第二实施方式的有机发光器件300包括：氧化物薄膜晶体管320，其布置在其内限定像素区的第一基板310上；有机发光二极管330，其形成在氧化物薄膜晶体管320上；钝化层340，其形成在有机发光二极管330上；粘合剂层350，其形成在钝化层340上；第二基板360，其形成在粘合剂层350上。
氧化物薄膜晶体管320形成在第一基板310上。氧化物薄膜晶体管320包括：栅极321；栅绝缘层323，其形成在栅极321上，以覆盖第一基板310；有源层325，其在栅绝缘层323上由氧化物形成；源极/漏极327，其形成在有源层325上并且连接到第一电极331；蚀刻阻止件326，其形成在有源层325上的源极和漏极327之间。
第一基板310可以是包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)和聚酰亚胺的塑料基板或者玻璃基板。另外，第一基板310还可包括用于隔离形成在其上的掺杂元素的渗透的缓冲层。缓冲层可由例如硅氮化物或硅氧化物的单层或多层形成。
形成在第一基板310上的栅极321可由Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和Cu中的至少一种金属或其合金的单层或多层形成。
绝缘膜323可形成在上面形成有栅极321的第一基板310。栅绝缘膜323可由诸如SiOx、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZrO2、BST和PZT的无机绝缘材料、包括苯并环丁烯(BCB)和丙烯酸类树脂的有机绝缘材料、或它们的组合形成。
有源层325可在栅绝缘膜323上由氧化物形成。有源层325可以是氧化物，例如，铟镓锌氧化物(IGZO)、锌锡氧化物(ZTO)和锌铟氧化物(ZIO)中的至少一种基于锌的氧化物的氧化物，但不限于此。
有源层325上的电连接到第一电极331的源极/漏极327可由Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和Cu中的至少一种金属或其合金的单层或多层形成。尤其是，源极/漏极327可由诸如铬(Cr)或钽(Ta)的高熔点金属形成，但不限于此。
蚀刻阻止件326可形成在有源层325上的源极/漏极327之间，防止当通过光刻对氧化物薄膜晶体管320执行构图工序时有源层325被蚀刻溶液蚀刻。然而，根据蚀刻溶液，可省略蚀刻阻止件326。
平整层329可形成在源极/漏极327上，以覆盖源极/漏极327和栅绝缘膜323。平整层329可由例如硅氮氧化物(SiON)、硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)和铝氧化物(AlOx)中的至少一种形成为具有疏水性质、足够的机械强度、水蒸气不渗透性、无故障膜形成的含氢无机膜。
有机发光二极管330可形成在平整层329上，可包括第一电极331、堤333、有机层335和第二电极337。
第一电极331可通过平整层329中形成的孔328电连接到源极/漏极327。
第一电极331可由逸出功相对大并且起阳极电极(正极)作用的透明导电材料形成。例如，诸如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)的金属氧化物、诸如ZnO:Al或SnO2:Sb的金属和氧化物的混合物、诸如聚(3-甲基-噻吩)、聚[3,4-(亚乙基-1,2-二氧)噻吩(PEDT)、聚吡咯、聚苯胺等可被用作透明导电材料。另外，第一电极331可以是碳纳米管、石墨、银纳米丝等。
在顶部发射的情况下，由反射效率优异的金属材料(例如，铝(Al)或银(Ag))制成的反射板可进一步形成为在第一电极331的上部和下部上的辅助电极，以提高反射效率。
堤333可形成在其内形成开口的第一电极331的边缘部分上，使得将第一电极331露出。堤333可由诸如硅氮化物(SiNx)和硅氧化物(SiOx)的无机绝缘材料、诸如苯并环丁烯或丙烯酸树脂的有机绝缘材料、或它们的组合形成，但不限于此。
有机层335可形成在露出的第一电极331上，在有机层335上可顺序地层叠空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EL)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)等，使得空穴和电子平稳地传输，以形成激子。
作为阴极的第二电极337可形成在有机层335上。在底部发射的情况下，例如，第二电极337可由具有合金的单层或多层的金属形成，在所述合金中，例如银(Ag)的第一金属和例如镁的第二金属以所需比例混合。
钝化层340可形成在有机发光二极管330上，以覆盖第二电极337的整个上表面。
钝化层340可由例如硅氮氧化物(SiON)、硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)和铝氧化物(AlOx)中的至少一种形成为具有疏水性质、足够的机械强度、水蒸气不渗透性、无故障膜形成的含氢无机膜。
膜型钝化层340延缓湿气或氧气的渗透，以防止对湿气或氧气敏感的有机层335吸收湿气。
钝化层340还用作保护层，还可包括具有Ba、Ca、Cu、Fe、Hf、La、Mg、Nb、Ni、Pd、Pt、Se、Sr、Ta、Ti、V和Zr中的至少一种金属的小部分(bit)并且防止器件中的残余氢扩散到氧化物薄膜晶体管320中。
钝化层340可由具有大约0.5μm至大约1.0μm的厚度的单层或多层形成，不限于此。
平整层329或钝化层340可在化学汽相沉积、物理汽相沉积、等离子体汽相沉积等的工序中形成。特别地，当平整层329或钝化层340在化学汽相沉积工序中形成时，氢没有被抽离而是保留在有机发光器件300中。随后，将描述在面板中产生残余氢的问题。
另外，粘合剂层350可形成在钝化层340上，可由具有优异透光性的透明粘合剂材料形成，例如由粘合剂膜或光学透明粘合剂(OCA)形成。粘合剂层可以按金属封盖、玻璃料密封、薄膜沉积或其它合适工序的方式形成。
粘合剂层350可具有粘附在第二基板360的面上的面密封结构，但不限于此。粘合剂层350保护有机发光二极管330免于受诸如湿气的外部污染物的影响，还将第二基板360平坦化，从而封装有机发光二极管330。
另外，粘合剂层350用作保护层，还可包括具有Ba、Ca、Cu、Fe、Hf、La、Mg、Nb、Pd、Pt、Se、Sr、Ta、Ti、V和Zr中的至少一种金属的小部分并且防止器件中的残余氢扩散到氧化物薄膜晶体管320中。
第二基板360可形成在粘合剂层350上。第二基板360可由具有便于形成箔的延展性和韧性的金属箔形成。尤其，金属箔可包括相对可用的元素，例如，如上所述的Fe、Cu、Al等，其优点是竞争性材料和制造成本。
另外，第二基板360可通过将金属箔与另一种金属材料形成合金来形成，可包括能够通过面心立方晶格结构或体心立方晶格结构的晶格间隙捕获残余氢的氢捕获金属。氢捕获金属可以是Ba、Ca、Cu、Fe、Hf、La、Mg、Nb、Ni、Pd、Pt、Se、Sr、Ta、Ti、V和Zr中的至少一种。特别地，第二基板360可以是基于上述金属箔的包括一种或多种氢捕获金属的金属箔合金。
氢捕获金属可以是能够通过物理和化学吸附分离和捕获残余氢分子的氢分解金属。氢分解金属可以是在氢分解反应中用作催化剂的金属催化剂。
由包括氢捕获金属的金属箔或基于金属箔的金属箔合金形成的第二基板360可具有与第一基板310的热膨胀系数相同的热膨胀系数。如果基板310和360二者具有不同的热膨胀系数，则在高温条件下执行工序时器件会弯曲。如果有机发光器件300弯曲，则可能无法进行光调制，导致图像失真。
因此，在第二基板360由金属箔合金形成的情况下，金属箔合金的组分比必须被设计成使得第二基板360具有与第一基板310的热膨胀系数相同的热膨胀系数。例如，如果第一基板310是玻璃基板并且具有2.5ppm/℃～5.5ppm/℃的热膨胀系数，则第二基板360可以是铁和镍的金属箔合金，其中，添加在铁中的镍的组分比是大约33％～42％。
由于金属箔或金属箔合金具有体心立方晶格结构或面心立方晶格结构并且残余氢扩张或者被吸附在金属晶格之间，因此可以防止残余氢向着氧化物薄膜晶体管320扩张。
图4的(A)是示出构成第二基板的单个金属箔的体心立方晶格结构的透视图，图4的(B)是示出构成第二基板的单个金属箔的面心立方晶格结构的透视图。另外，图5的(A)是示出构成第二基板的金属箔合金的体心立方晶格构造的透视图，图5的(B)是示出构成第二基板的金属箔合金的面心立方晶格构造的透视图。
参照图4的(A)，构成第二基板360的金属箔的体心立方晶格结构是其中八个原子420a分别布置在立方晶格410a的八个角并且一个原子420a存在于晶格410a的中心的单位晶体晶格。单位晶格中的原子数量是2。体心立方晶格结构的金属箔可以是Li、Na、Cr、α-Fe、Mo、W、K等。
参照图5的(A)，在构成第二基板360的金属箔合金的体心立方晶格结构的情况下，第一金属520a位于晶格510a的四个角和中心，第二金属521a位于晶格的剩下的四个角。这里，第一金属可以是具有体心立方晶格结构的金属箔，第二金属可以是氢捕获金属。然而，第一金属和第二金属不限于此。另外，第一金属520a和第二金属521a的相对位置可根据其组分比或形成条件而变化。
另外，构成具有体心立方晶格结构的第二基板360的金属箔或金属箔合金的填充因子可以是例如大约68％。
参照图4的(B)，在构成第二基板360的金属箔的面心立方晶格结构中，原子420b布置在晶格410b的每个角和各面的中心，单位晶格中的原子数量是4。面心立方晶格结构的金属箔可以是Pt、Pb、Ni、γ-Fe、Cu、Al、Au、Ag等。
参照图5的(B)，在构成第二基板360的金属箔合金的面心立方晶格结构中，第一金属520a布置在晶格510b的中心和四个角以及四个面的中心，第二金属521b布置在四个角和两个面。这里，第一金属可以是具有面心立方晶格结构的金属箔，第二金属可以是氢捕获金属。然而，第一金属和第二金属不限于此。另外，第一金属520a和第二金属521a的相对位置可根据形成金属的组分比或条件而变化。
此外，具有面心立方晶格结构的单个金属箔或金属箔合金的填充因子是例如大约74％。
因此，当第二基板360由具有体心立方晶格结构的金属箔或金属箔合金形成时，形成大约32％的孔。如果第二基板360由具有面心立方晶格结构的金属箔或金属箔合金形成时，形成大约26％的孔。因此，在沉积钝化层340或平整层329的过程中产生的残余氢可在第二基板360中扩散，并且在金属箔中固化，以形成固溶体或金属氢化物，从而将残余氢储存在有机发光器件300中。
图6是示出在具有晶格构造的金属箔或金属箔合金中捕获在器件加工期间产生的残余氢的机制的示图。
参照图3至图6，残余氢630将氧化物薄膜晶体管320的有源层325上的氧化物还原，以改变器件的特性。
也就是说，气体以各种形式分解并且当气体处于等离子体状态时保持在器件中。例如，在使用硅烷(SiH4)和氨(NH3)气的等离子体的诸如等离子体增强型化学汽相沉积(PECVD)的沉积工序中，在相对低的温度下可容易地以单原子或离子状态在固体内移动的可扩散氢和键合另一个原子的不可扩散氢可以产生分子。
在通用的有机发光器件300的情况下，当存在残余氢时，它可自由地在固体内移动。尤其，在使用典型的玻璃基板的情况下，残余氢630可被限制在两个玻璃基板之间。如果出现这种情况，则一些氢可接近和劣化氧化物薄膜晶体管320的有源层325。
尤其，如果通过等离子体增强型化学汽相沉积(PECVD)将硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiON)等形成为平整层329或钝化层340，则产生大量的氢和杂质。在有机发光器件300的情况下，由于为了对有机发光二极管330的热损伤降至最低将加工温度限制在100℃以内，因此残余氢630的量增大。
参照化学式(1)，当通过在等离子体化学汽相沉积的工序中使用SiH4和NH3的混合气体沉积硅氮化物以形成钝化层340时，产生大约15-40％的残余氢(H2)630。
SiH4+2NH3→SiN2+5H2······(1)
图7A是示出残余氢扩散到氧化物薄膜晶体管中从而使氧化物薄膜晶体管的阈值电压偏移的通用有机发光器件的截面图。图7B是示出根据图3的第二实施方式的有机发光器件的截面图，其中，残余氢扩散到第二基板中。
参照图7A，第二基板360是玻璃基板，沉积工序中产生的残余氢630包括分子态的不可扩散氢710和分离成原子态的可扩散氢720。在钝化层340和粘合剂层350的沉积过程中产生的并且保持在器件内的可扩散氢720在第一基板310或第二基板360(尤其，第二基板360)中没有被捕获。因此，可扩散氢720可在第一基板310和第二基板360之间自由地扩散。因此，可扩散氢720中的一些在氧化物薄膜晶体管320内扩散，以将构成氧化物薄膜晶体管320的有源层325的氧化物还原。
有源层325的还原造成氧化物薄膜晶体管320的电行为变化，从而导致阈值电压偏移。如果阈值电压偏移的程度偏离了有机发光面板的电路的补偿范围，则阈值电压偏移会导致屏幕上可视的亮斑或亮度偏差。
参照图7B，在由金属箔或金属箔合金形成第二基板360的根据第二实施方式的有机发光器件300中，当在诸如平整层329或钝化层340的层叠结构中存在的可扩散氢720通过粘合剂层350扩散并且接近第二基板360的表面时，可扩散氢720在第二基板360内被捕获，以形成填隙式固溶体或金属氢化物。由此，可以防止氧化物薄膜晶体管320被还原。
例如，残余氢630在作为金属箔的成分之一的铁(Fe)内的扩散速率在正常温度下是例如1×10-4cm2/秒并且比氢在碳或氮内的扩散速率(例如，1×10-16cm2/秒)快。氢的扩散速率在聚合物材料中更快，这是因为由于聚合物的结构导致存在更自由的量。可注意到，氢在聚合物材料内的扩散速率比氢在一般聚合物材料内的扩散速率(1×10-4cm2/秒)快。因此，由于残余氢630在第二基板360内的扩散速率比残余氢630在由聚合物材料形成的粘合剂层350内相对快，因此残余氢630可扩散到构成第二基板360的金属箔或金属箔合金(图6中示出)的晶格的间隙620中。
参照化学式(2)，构成第二基板360的金属箔或金属箔合金610可与扩散并且接近第二基板360的表面的氢分子或氢原子发生化学反应，以形成金属氢化物。
2Me+xH2→2MeHx······(2)
(Me：金属箔或金属箔合金)
例如，在金属箔合金中包括的氢捕获金属(例如，Ba、Ca、Cu、Fe、Hf、La、Mg、Nb、Ni、Pd、Pt、Se、Sr、Ta、Ti、V和Zr之中的Ca、Nb、Pd、Se、Sr、Ta、Ti(尤其，β-Ti)和V与残余氢一起形成金属氢化物)。
不可扩散氢710可通过物理和化学吸附在由金属箔或金属箔合金制成的第二基板360中形成填隙式固溶体。例如，在诸如Fe-Ti、La-Ti、Mg-Ni等金属箔合金的情况下，尽管氢是不可扩散氢而是氢分子，但当氢在范德华引力(参见图6(B)和化学式(3))的作用下被物理吸附到金属箔或金属箔合金610的表面上时，通过将氢分离成氢原子(参见以下的图6(C)和化学式(4))的过程氢被化学吸附并且扩散到体心立方晶格结构或面心立方晶格结构的间隙620中，以成为填隙式固溶体(参见图6(D))。
2Me+H2→2MeHads······(3)
MeHads→MeHabs······(4)
根据上述原理，有机发光器件300内的残余氢630被有效地捕获和储存在由金属箔或金属箔合金形成的第二基板360中，从而防止由于残余氢630导致的氧化物薄膜晶体管320的功能劣化。
简言之，在第二基板360由金属箔或金属箔合金形成的情况下，有机发光器件300中的残余氢630被有效地扩散和捕获，以防止上述氧化物薄膜晶体管320的氧化物被还原。由此，可以防止劣等的有机发光器件300并且可以用低成本和高效率制作有机发光器件300。另外，由于受限于氧化物薄膜晶体管320的不稳定性可降低，应用可增加。
截至目前，已经描述了根据第二实施方式的有机发光器件300。下文中，将描述根据这个实施方式的制造有机发光器件的工序。
图8是示出根据第二示例性实施方式的制造有机发光器件的工序的流程图。
参照图3和图8，根据第二实施方式的制造有机发光器件的工序800包括：在步骤S810中，制备其内限定像素区的第一基板310；在步骤S820中，在第一基板310上形成氧化物薄膜晶体管320；在步骤S830中，对应于第一基板310的像素区在氧化物薄膜晶体管上形成有机发光二极管330；在步骤S840中，在有机发光二极管330上形成钝化层340；在步骤S850中，在钝化层340上形成粘合剂层350；在步骤S860中，形成由包括氢捕获金属的金属箔或金属箔合金制成的第二基板360。
首先，在步骤S810中，制备其内限定像素区的第一基板310。在步骤S810中，制备第一基板310的步骤可包括用等离子体处理清洁第一基板310的表面，以改善第一基板310的表面。
然后，在步骤S820中，在第一基板310上形成氧化物薄膜晶体管320。在步骤S820中，在其内限定像素的第一基板310上可形成包括氧化物的氧化物薄膜晶体管320。
在步骤S820中，可以按光刻方式形成栅极321，在基板310上沉积栅绝缘膜323以覆盖栅极321。然后，在栅绝缘膜323上沉积有源层325。可在有源层325上形成蚀刻阻止件326以防止金属氧化物受影响，但可根据蚀刻溶液省略蚀刻阻止件326。如果蚀刻溶液不损害金属氧化物，则蚀刻阻止件将不是必要的。
继续地，以光刻方式形成具有双台阶的源极/漏极327，在栅绝缘膜323上形成平整层329以覆盖源极/漏极327和有源层325的被露出的部分。然后，将平整层329构图，以形成将源极/漏极327露出的孔328。
平整层329可以是诸如硅氮氧化物(SiON)、硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)和铝氧化物(AlOx)的含氢无机膜。可通过化学汽相沉积、物理汽相沉积、等离子体汽相沉积等的工序来形成平整层329。
在这个实施方式中，尽管已经描述了具有底栅的氧化物薄膜晶体管320，但可以按顶栅方式制造氧化物薄膜晶体管320。
接下来，在步骤S830中，在氧化物薄膜晶体管320上形成有机发光二极管330。有机发光二极管包括：第一电极331，其通过孔328电接触氧化物薄膜晶体管320的源极/漏极327；有机层335，其包括形成在第一电极上的有机发光层；第二电极337，其形成在有机层335上。为了平稳地形成激子，有机层335可包括空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层等。
在步骤S830中，为了限定发光区，在非发光区中，在第一电极上形成由无机绝缘材料、有机材料或其组合制成的堤333。
可用化学汽相沉积、物理汽相沉积、溶液工序等工序形成有机层335。例如，可以使用精细金属掩模(FFM)或使用激光诱导热成像(LITI)沉积RGB发光材料的方式，形成有机发光层。另外，在整个表面上沉积白色发光材料之后，可在下一个工序中使用滤色器。
进而，通过热蒸发、离子束沉积或其它合适工序，在有机层335上形成第二电极337。
接下来，在步骤S840中，在有机发光二极管330上形成钝化层340。在步骤S840中，可用化学汽相沉积、物理汽相沉积、等离子体化学汽相沉积等工序形成钝化层340。钝化层340可由包含该工序中产生的氢的含氢无机膜形成。
接下来，在步骤S850中，在钝化层340上形成粘合剂层350。粘合剂层350可由具有优异透光性的透明粘合剂材料形成。
在步骤S860中，在粘合剂层350上形成第二基板360。
在这个步骤S860中，第二基板360可由金属箔或金属箔合金制成并且包括氢捕获金属。第二基板360可在其内表面上包括由包括氢捕获金属的金属箔或基于金属箔的金属箔合金形成的氢捕获层。
在形成粘合剂层的步骤S850和形成第二基板的步骤S860中，粘合剂层和第二基板可具有面封装结构。
图9A至图9D是按制造有机发光器件的工序的顺序示出根据第二实施方式的有机发光器件的截面图。
首先，参照图9A，在制备和清洁第一基板310之后，形成氧化物薄膜晶体管320。在清洁第一基板310的过程中，可执行等离子体处理以改善表面。
可选择具有优异机械强度或尺寸稳定性的材料作为用于形成第一基板310的材料。根据一个实施方式的有机发光器件300是底部发射型，第一基板310可以是包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)和聚酰亚胺的塑料基板或玻璃基板。
第一基板310还可包括缓冲层，该缓冲层用于隔离可形成在其上的掺杂元素的渗透。缓冲层可由例如硅氮化物或硅氧化物的单层或多层形成。
在第一基板310上形成氧化物薄膜晶体管320。
在底部发射型的氧化物薄膜晶体管320中，在由绝缘材料形成的第一基板310上，形成由诸如铝、铜等具有小的电阻和张应力的导电金属制成的栅极321。
栅极321可由Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和Cu中的至少一种金属或其合金的单层或多层形成。
栅绝缘膜323可由诸如SiOx、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZrO2、BST和PZT的无机绝缘材料、包括苯并环丁烯(BCB)和丙烯酸类树脂的有机绝缘材料、或它们的组合形成。在栅绝缘膜323上形成由诸如IGZO、锌锡氧化物(ZTO)、锌铟氧化物(ZIO)等基于锌的氧化物的氧化物制成的有源层325，使得栅极321布置在有源层325的中心。
在有源层325上通过Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和Cu中的至少一种金属或其合金的单层或多层形成源极/漏极327。尤其，源极/漏极327可由诸如铬(Cr)或钽(Ta)的高熔点金属形成，但不限于此。
在形成氧化物薄膜晶体管320的过程中，在用化学汽相沉积或诸如溅射的物理汽相沉积来沉积诸如铝、铜等的导电金属之后，可通过光刻将导电金属构图，以形成栅极321。
然后，用化学汽相沉积来沉积硅氧化物或硅氮化物以覆盖栅极，从而形成栅绝缘膜323。
顺序地沉积没有掺杂杂质的铟镓锌氧化物(IGZO)、锌锡氧化物(ZTO)、或锌铟氧化物(ZIO)等，从而形成有源层325。
继续地，通过用包括化学汽相沉积的沉积工序和光刻方式来沉积诸如铬、钽等金属，可形成具有双台阶的源极/漏极327。
接下来，在栅绝缘膜323上沉积含氢无机膜(例如，硅氧化物或硅氮化物)，以覆盖有源层35和源极/漏极327被露出的部分，从而形成平整层329。在这种情况下，由于源极/漏极327具有双台阶，因此可以降低平整层329的阶梯覆盖率。
然后，将平整层329构图，以形成将漏极327露出的孔328。
参照图9B，形成包括第一电极、有机层和第二电极的有机发光二极管330。
首先，在平整层329上形成第一电极331。在各像素区中形成第一电极331，第一电极331通过孔38电连接到漏极327并且可使用透明材料进行构图。在涂敷光刻胶之后，通过光刻工序将光刻胶构图，在该光刻工序中，通过预烘培、曝光、显影、后烘焙和蚀刻的工序去除掉光刻胶。第一电极331可以是产生空穴的阳极。
然后，在第一电极331的边缘部分形成堤333，堤333具有将第一电极331的一部分露出的开口。堤333具有上面布置有各种布线和晶体管的不平滑表面，并且用于防止当在堤333的具有不平坦地形成的台阶的表面上形成有机膜时有机材料劣化。也就是说，堤333形成在非发光区中，以将其中形成氧化物薄膜晶体管320和各种布线的区域与在平坦基板上仅层叠薄膜的发光区区分开。
在第一电极331和露出的堤333上形成有机层335。更特别地，顺序地层叠空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。空穴和电子在发光层上复合，以形成激子，激子从激发态降至基态，以发光，从而显示图像。
可通过化学汽相沉积、物理汽相沉积、溶液工序等形成有机层335。例如，以使用精细金属掩模(FMM)沉积RGB发光材料或执行诸如激光诱导热成像(LITI)的溶液工序或涂敷的方式，可形成有机发光层。LITI是在供体膜上选择性发射激光束并且通过辐射的热选择性转印薄膜的工序。在使用白色发光器件的情况下，在第一电极331上形成面表面，并沉积滤色器。
可在有机层335上形成第二基板337。第二基板337可以是阴极，并可由具有相对小逸出功值的导电材料制成。例如，第二电极337可由具有合金的单层或多层的金属形成，在所述合金中，例如银(Ag)的第一金属和例如镁的第二金属以所需比例混合。
在这种情况下，为了使由于热或等离子体而导致的有机层335受损降至最低，可通过低温沉积形成第二电极337，但不限于此。
参照图9C，可在有机发光二极管330上形成钝化层340。
钝化层340起主要保护有机发光二极管330免于受湿气和杂质影响的作用。可通过化学汽相沉积、物理汽相沉积、等离子体化学汽相沉积等，由硅氮氧化物(SiON)、硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)或铝氧化物(AlOx)形成钝化层340。在这个工序中，产生残余氢630。
钝化层340是由例如硅氮氧化物(SiON)、硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)或铝氧化物(AlOx)形成的含氢无机膜，包含在沉积工序中产生的氢，并且由单层形成，以具有大约0.5μm至大约1.0μm的厚度，但不限于此，并且可由多层形成。
如以上参照化学式(1)描述的，可通过在等离子体化学汽相沉积工序中使用SiH4和NH3的混合气体，沉积硅氮化物，以形成钝化层340。
参照图9D，在形成钝化层340之后，组合粘合剂层350和第二基板360，使得完成根据另一个实施方式的有机发光器件300。
可以按面封装方式执行根据一个实施方式的封装。也就是说，可在钝化层340上形成膜型粘合剂层350，最终形成由金属箔或金属箔合金制成的第二基板360。
根据本发明的实施方式，以粘合剂方式使用其中沉积钝化层340并且形成第二基板360的混合封装，但粘合剂方式不限于此。因此，粘合剂方式可以是：金属引线或玻璃引线，其中由金属箔或金属箔合金制成的第二基板360覆盖器件并且被密封剂粘附；玻璃料密封方式，其中将包括玻璃粉末的玻璃料固化以用第二基板360封装所述第一基板210；或者，使用薄膜沉积的封装方式。
为了在粘合剂层350上形成第二基板360，制备第一基板和第二基板360并且例如通过使用紫外线辐射进行UV清洁来去除第二基板360上的杂质。第二基板360可由包括能够将可扩散氢720和不可扩散氢710保存在器件中的氢捕获金属的金属箔或金属箔合金形成。
在清洁步骤之后，从粘合剂层350中去除残余气体，粘附粘合剂层350和第二基板360，然后可完成混合型有机发光器件300。
截止目前，已经参照图3至图9D描述了其中第二基板260由金属箔或金属箔合金制成的有机发光器件及其制造方法。下文中，将参照图10至图11D描述在第二基板260的内表面上包括由金属箔或金属箔合金制成的氢捕获层的有机发光器件及其制造方法。
图10是示出根据第三示例性实施方式的有机发光器件的截面图。
参照图10，根据第三实施方式的有机发光器件1000包括：氧化物薄膜晶体管1020，其布置在其内限定像素区的第一基板1010上；有机发光二极管1030，其形成在氧化物薄膜晶体管1020上并且对应于第一基板1010的像素区；钝化层1040，其形成在有机发光二极管1030上；粘合剂层1050，其形成在钝化层1040上；第二基板1060，其形成在粘合剂层1050上。
由于根据第三实施方式的有机发光器件1000具有与根据第二实施方式的有机发光器件300的包括第一基板310、栅极321、栅绝缘层323、有源层325、蚀刻阻止件326和源极/漏极327的氧化物薄膜晶体管320、包括第一电极323、堤333、有机层335和第二电极337的有机发光二极管330、钝化层340、以及粘合剂层350基本上相同的包括第一基板1010、栅极1021、栅绝缘层1023、有源层1025、蚀刻阻止件1026和源极/漏极1027的氧化物薄膜晶体管1020、包括第一电极1023、堤1033、有机层1035、第二电极1037的有机发光二极管1030、钝化层1040和粘合剂层1050，因此将省略对有机发光器件1000的详细描述。在这种情况下，平整层1029可与参照图3描述的根据第二实施方式的有机发光器件300的平整层329基本上相同。
由金属箔或金属箔合金制成的氢捕获层1070形成在第二基板1060的内表面上。
结果，第二基板1060可以是玻璃基板、由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯和聚酰亚胺制成的塑料基板、用于通用有机发光器件的通用金属基板、用于参照图3描述的根据第二实施方式的有机发光器件300的由金属箔或金属箔合金制成的金属基板。
与参照图3描述的由金属箔或金属箔合金制成的第二基板360类似，氢捕获层1070捕获和储存在沉积平整层1029和钝化层1050的过程中从器件产生的残余氢，从而防止氧化物薄膜晶体管1020的有源层1025被还原。图11A至图11D是按制造有机发光器件的工序的顺序示出根据第三示例性实施方式的有机发光器件的截面图。
根据第三实施方式的制造有机发光器件的工序可包括：提供其内限定像素区的第一基板1010；在第一基板1010上形成氧化物薄膜晶体管1020；在氧化物薄膜晶体管1020上对应于第一基板1010的像素区形成有机发光二极管1030；在有机发光二极管1030上形成钝化层1040，在第二基板1060的表面上形成由包括氢捕获金属的金属箔或金属箔合金制成的氢捕获层1070；在氢捕获层1070上形成粘合剂层1050；将粘合剂层1050一体地粘附于钝化层1040。
参照图11A，顺序地形成第一基板1010、氧化物薄膜晶体管1020、有机发光二极管1030和钝化层1040。
参照图11B和图11C，接着，形成粘合剂层1050、氢捕获层1070和第二基板1060。换句话讲，在第二基板1060的表面上形成氢捕获层1070，在氢捕获层1070上形成粘合剂层1050。
另外，可通过层叠、化学汽相沉积、物理汽相沉积等在第二基板1060的表面上形成氢捕获层1070，但形成氢捕获层的方法不限于此。
参照图11D，通过将粘合剂层1050形成到钝化层1040的步骤，完成有机发光器件1000。粘合剂层1050可用面封装方式用膜型粘合剂形成，但形成粘合剂层1050的方式不限于此。
根据另一个方面的有机发光器件1000的封装结构可以是其中形成有钝化层1040和第二基板1060的混合结构，但不限于此。
除了涂敷氢捕获层1070的方法之外，金属箔或金属箔合金的一些小部分可分布在钝化层1040或粘合剂层1050上，从而去除残余氢630。
此外，已经描述了根据又一方面的制造有机发光器件的方法，该方法包括：在第二基板1060的表面上形成由包括氢捕获金属的金属箔或金属箔合金制成的氢捕获层1070；在氢捕获层1070上形成粘合剂层1050，将粘合剂层1050粘附于钝化层1040，但本发明不限于此。例如，根据这个方面的制造有机发光器件的方法可包括：在钝化层1040上形成粘合剂层1050；在粘合剂层1050上形成第二基板，第二基板在其内表面上包括由金属箔或基于金属箔的包括氢捕获层的金属箔合金制成的氢捕获层。
截至目前，已经参照图10至图11D描述了在第二基板1060的内表面包括由金属箔或金属箔合金制成的氢捕获层的有机发光器件及其制造方法。下文中，将参照图12描述包括由金属箔或金属箔合金制成的第一基板和在第一基板的内表面上由金属箔或金属箔合金制成的氢捕获层的有机发光器件及其制造方法。
图12是示意性示出根据第四实施方式的有机发光器件的截面图。
参照图12，根据第四实施方式的有机发光器件1200包括：氧化物薄膜晶体管1230，其布置在其内限定像素区的第一基板1210上；有机发光二极管1240，其形成在氧化物薄膜晶体管1230上；钝化层1250，其形成在有机发光二极管1240上；粘合剂层1260，其形成在钝化层1250上；第二基板1270，其形成在粘合剂层1260上。
第一基板1210在其内表面上具有氢捕获层1220，氢捕获层1220由包括氢捕获金属的金属箔或基于金属箔的金属箔合金制成。氢捕获层1220形成在第一基板1210上，以实现顶部发射型的有机发光器件1200。
第一基板1210可以是玻璃基板、由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺制成的塑料基板等。另选地，与参照图3描述的第二实施方式类似，第一基板1210可由用于有机发光器件1200的金属箔或金属箔合金制成。可通过层叠、化学汽相沉积、物理汽相沉积等涂敷氢捕获层1220，但涂敷方式不限于此。
在顶部发射型有机发光器件1200的情况下，虽然未示出，但第一基板1210可由包括氢捕获金属的金属箔或金属箔合金形成。在这种情况下，可不形成氢捕获层1220。
图13是示出包括第二基板的图3的有机发光器件由金属箔合金制成时第二基板中的氢含量的变化的曲线图，该金属箔合金是基于金属箔的氢捕获金属(例如，Fe)并且包括氢分解金属(例如，Ni)。
参照图3和图13，制造图3中示出的有机发光器件300，有机发光器件300包括由基于金属箔(例如，Fe)的包括作为氢捕获金属的氢分解金属(例如，Ni)的金属箔合金制成。
在将第二基板360粘附于有机发光器件300(#1)之前，氢(CH)在第二基板360中的含量是2.8ppm。然而，在粘合剂层350由热固性粘合剂形成并且通过在100℃的温度下进行固化工序三小时来固化(#2)之后，氢(CH)在第二基板360中的含量增至5.1ppm。在85℃的温度下执行加速度测试一千小时(#3)之后，氢(CH)在第二基板360中的含量进一步增至高达5.8ppm。
氢(CH)在第二基板360中的含量增大指示有机发光器件300中的残余氢630在第二基板360中被捕获，并且形成填隙式固溶体或金属氢化物。
在另一个方面，制造图3中示出的有机发光器件，不同的是，使用通用玻璃基板作为第二基板360。钝化层340具有大约0.5μm的厚度，当过去了85小时至850小时时，在有机发光器件的一些地方观察到白色亮斑。因为残余氢将氧化物薄膜晶体管320的有源层325的氧化物还原，所以在氧化物薄膜晶体管320中产生作为缺陷出现的亮斑。
如上所述，在制造图3中示出的有机发光器件300并且有机发光器件300包括基于金属箔(例如，Fe)的作为氢捕获金属的第二基板360并且包括氢分解金属(例如，Ni)的情况下，钝化层340具有大约0.5μm的厚度，当过去了85小时至1000小时时，尽管过去了一千小时，但在有机发光器件中没有观察到亮斑。类似地，在制造图10中示出的有机发光器件1000并且在有机发光器件1000中在作为第二基板的玻璃基板上形成由作为基于金属箔(例如，Fe)的氢捕获金属并且包括氢分解金属(例如，Ni)的金属箔合金制成的氢捕获层，或者制造图12中示出的有机发光器件1200并且在有机发光器件1200中在作为第一基板的玻璃基板上形成由作为基于金属箔(例如，Fe)的氢捕获金属并且包括氢分解金属(例如，Ni)的金属箔合金制成的氢捕获层的情况下，尽管过去了一定时间，在有机发光器件中也没有观察到亮斑。
如此出于以下原因：因为形成在第二基板或第一基板上的氢捕获层捕获和储存可扩散氢和不可扩散氢，所以防止了氧化物薄膜晶体管出现缺陷。
根据如上所述的本发明的实施方式，在第一基板或第二基板由包括氢捕获金属的金属箔或金属箔合金形成、或者在第一基板或第二基板的内表面上涂敷氢捕获层的情况下，氢捕获层有效地捕获有机发光器件中产生的残余氢，从而防止残余氢扩散到发光层或氧化物薄膜晶体管中。另外，可以防止氧化物薄膜晶体管的电行为的变化并且防止出现阈值电压偏移，从而提高有机发光显示器的可靠性和质量。
尽管截至目前已经参照附图描述了各种实施方式，但本发明不限于这些实施方式。
另外，由于除非具体做相反描述，否则诸如“包括”、“包含”和“具有”的术语意味着会存在一个或多个对应组件，因此应当理解可包括一个或多个其它组件。除非做相反定义，否则所有技术术语、科学术语或其它术语与本领域的普通技术人员理解的含义一致。字典定义的通常使用的术语等应当被理解为，它的含义等同于相关描述的背景下的含义，而不应该被以理想或过于正式的含义来理解，除非在本说明书中清楚定义。
虽然已经出于例示目的描述了本发明的实施方式，但本领域的技术人员应该理解，在不脱离本发明的范围和精神的情况下，各种修改形式、添加形式和替代形式是可能的。因此，本发明中公开的实施方式旨在示出本发明的技术构思的范围，本发明的范围不受实施方式限制。本发明的范围应该是基于随附权利要求书来理解的，使得包括在权利要求书等同范围内的所有技术构思属于本发明。

Claims (28)

1.一种有机发光器件，该有机发光器件包括：
第一基板；
薄膜晶体管TFT，其在所述第一基板上；
平整层，其在所述TFT上；
有机发光二极管OLED，其在所述平整层上；
钝化层，其在所述OLED上；
第二基板，其在所述钝化层上；以及
氢捕获材料，其在所述第一基板和所述第二基板之间，
其中，所述氢捕获材料分离氢，以防止形成所述TFT的材料氧化。
2.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，所述第一基板包括所述氢捕获材料。
3.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，所述第二基板包括所述氢捕获材料。
4.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，所述第一基板和所述第二基板都包括所述氢捕获材料。
5.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，所述TFT包括从由铟镓锌氧化物IGZO、锌锡氧化物ZTO、锌铟氧化物ZIO组成的组中选择的氧化物层。
6.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，所述氢捕获材料包括包含氢捕获金属的金属箔或金属箔合金。
7.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，所述第一基板和所述第二基板中的至少一个包括从由Li、Na、Cr、α-Fe、Mo、W和K组成的组中选择的材料。
8.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，所述第一基板和所述第二基板中的至少一个包括从由Pt、Pb、Ni、γ-Fe、Cu、Al、Au和Ag组成的组中选择的材料。
9.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，所述第一基板和所述第二基板包括包含氢捕获金属的金属箔或金属箔合金。
10.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，所述氢捕获材料能够将氢分子分离成氢原子。
11.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，所述氢捕获材料能够将氢分子分离成氢原子以形成填隙式固溶体或金属氢化物。
12.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，所述氢捕获材料包括形成在所述第一基板和所述第二基板中的一个的内表面上的金属箔或金属箔合金。
13.根据权利要求1所述的有机发光器件，所述有机发光器件还包括在所述钝化层上的粘合剂层，
其中，所述粘合剂层包括从由Ba、Ca、Cu、Fe、Hf、La、Mg、Nb、Ni、Pd、Pt、Se、Sr、Ta、Ti、V和Zr组成的组中选择的元素。
14.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，所述氢捕获材料包括从由Ba、Ca、Cu、Fe、Hf、La、Mg、Nb、Ni、Pd、Pt、Se、Sr、Ta、Ti、V和Zr组成的组中选择的元素。
15.一种制造有机发光器件的方法，该方法包括以下步骤：
制备第一基板；
在所述第一基板上形成薄膜晶体管TFT；
在所述TFT上形成平整层；
在所述平整层上形成有机发光二极管OLED；
在所述OLED上形成钝化层；
在所述钝化层上设置第二基板；以及
在所述第一基板和所述第二基板之间形成氢捕获材料，
其中，所述氢捕获材料分离氢，以防止形成所述TFT的材料氧化。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述氢捕获材料形成在所述第一基板上。
17.根据权利要求15所述的方法，其中，所述氢捕获材料形成在所述第二基板上。
18.根据权利要求15所述的方法，其中，所述氢捕获材料形成在所述第一基板和所述第二基板二者上。
19.根据权利要求15所述的方法，其中，所述TFT包括从由铟镓锌氧化物IGZO、锌锡氧化物ZTO、锌铟氧化物ZIO组成的组中选择的氧化物层。
20.根据权利要求15所述的方法，其中，所述氢捕获材料包括包含氢捕获金属的金属箔或金属箔合金。
21.根据权利要求15所述的方法，其中，所述第一基板和所述第二基板中的至少一个包括从由Li、Na、Cr、α-Fe、Mo、W和K组成的组中选择的材料。
22.根据权利要求15所述的方法，其中，所述第一基板和所述第二基板中的至少一个包括从由Pt、Pb、Ni、γ-Fe、Cu、Al、Au和Ag组成的组中选择的材料。
23.根据权利要求15所述的方法，其中，所述第一基板和所述第二基板包括包含氢捕获金属的金属箔或金属箔合金。
24.根据权利要求15所述的方法，其中，所述氢捕获材料能够将氢分子分离成氢原子。
25.根据权利要求15所述的方法，其中，所述氢捕获材料能够将氢分子分离成氢原子以形成填隙式固溶体或金属氢化物。
26.根据权利要求15所述的方法，其中，所述氢捕获材料包括形成在所述第一基板和所述第二基板中的一个的内表面上的金属箔或金属箔合金。
27.根据权利要求15所述的方法，所述方法还包括在所述钝化层上形成粘合剂层，
其中，所述粘合剂层包括从由Ba、Ca、Cu、Fe、Hf、La、Mg、Nb、Ni、Pd、Pt、Se、Sr、Ta、Ti、V和Zr组成的组中选择的元素。
28.根据权利要求17所述的方法，其中，所述氢捕获材料包括从由Ba、Ca、Cu、Fe、Hf、La、Mg、Nb、Ni、Pd、Pt、Se、Sr、Ta、Ti、V和Zr组成的组中选择的元素。
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