CN112753281B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的显示装置(2)中，第一氢吸附膜(29)与边缘罩接触并设置于边缘罩(23)的上层，在相邻的发光元件中，第一氢吸附膜(29)与晶体管(Tr)重叠，且隔着边缘罩(23)与相邻的发光元件的第一电极(22)重叠，并以横跨相邻的发光元件的方式设置。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及显示装置。
背景技术
在显示装置中，当从利用CVD法形成的层等的氢易脱离的层脱离了的氢进入TFT层中的晶体管等时，在晶体管中产生Vth偏移等特性偏移。由此，引起以灰度显示的异常为首的各种显示不良。为了防止这样的问题，开发了设置氢吸附膜的技术。
专利文献1中记载了一种有机半导体器件，其是至少依次层叠基板、第一电极、有机功能体、第二电极而成的有机半导体器件，其特征在于，在第二电极上设置有吸附氢或氢离子，且不释放已吸附的氢或氢离子的氢吸附层。
专利文献2中记载了一种显示装置，其具备形成沟道的氧化物半导体层、具有绝缘性或导电性的第一层、以及含有氢吸附剂并且设置在氧化物半导体层与第一层之间的第二层。
专利文献3中记载了一种有机电致发光元件，其特征在于，包含第一基板、第一基板上的薄膜晶体管、薄膜晶体管上的平坦化层、平坦化层上的有机发光二极管、有机发光二极管上的钝化层、钝化层上的第二基板、以及第一基板与第二基板之间的氢吸附物质，氢吸附物质为了防止构成薄膜晶体管的物质的氧化，而使氢解离。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：W2009/004690号公报
专利文献2：日本国公开专利公报“特开2015-36797号”
专利文献3：日本国公开专利公报“特开2015-79755号”
发明内容
本发明所要解决的技术问题
然而，在现有的显示装置中，无法在不损害光透射性的情况下适当地吸附氢。
解决问题的方案
为了解决上述问题，本发明的显示装置包括：显示区域，其具备设置有多个晶体管的TFT层、设置有多个发光元件的发光元件层和密封层；以及所述显示区域的周围的边框区域，所述发光元件包含：第一电极、以露出所述第一电极的方式设置开口并覆盖所述第一电极的端部的边缘罩、功能层和第二电极，第一氢吸附膜与所述边缘罩接触并设置于所述边缘罩的上层，在相邻的发光元件中，所述第一氢吸附膜与所述晶体管重叠，且隔着所述边缘罩与所述相邻的发光元件的所述第一电极重叠，并以横跨所述相邻的发光元件的方式设置。
发明效果
根据本发明的一个方式，可以在不损害光透射性的情况下适当地吸附氢。
附图说明
图1是本发明的第一实施方式所涉及的显示装置的示意性剖视图。
图2是本发明的第一实施方式所涉及的显示装置的示意性俯视图。
图3是示出本发明的第一实施方式所涉及的显示装置的子像素电路的一个例子的图。
图4是本发明的第一实施方式所涉及的显示装置的显示区域的放大俯视图。
图5是用于说明本发明的第一实施方式所涉及的显示装置的制造方法的流程图。
图6是本发明的第二实施方式所涉及的显示装置的显示区域的放大俯视图。
图7是本发明的第三实施方式所涉及的显示装置的显示区域的放大俯视图。
具体实施方式
以下，“同层”意味着在同一工序中由相同材料形成的层。此外，“下层”指的是在比较对象层更前面的工序中形成的层，“上层”指的是在比较对象层更后面的工序中形成的层。此外，在本说明书中，显示装置的由下层向上层的方向称为向上。
〔第一实施方式〕
图2是本发明的第一实施方式所涉及的显示装置2的俯视图。图1是本发明的第一实施方式所涉及的显示装置2的示意性剖视图。图1的(a)为图2中的AA线向视剖视图，图1的(b)为图2中的BB线向视剖视图。图3是示出本发明的第一实施方式所涉及的显示装置2的子像素电路的一个例子的图。图4是本发明的第一实施方式所涉及的显示装置2的显示区域DA的放大俯视图。即，图4是图2的显示区域DA的放大图。另外，在图2中省略第二电极25和密封层6的图示。另外，在图1的(b)中，朝向纸面将左侧图示为显示区域DA侧。
如图2所示，本实施方式所涉及的显示装置2具有显示区域DA和与显示区域DA的周围相邻的边框区域NA。参照图1的(a)和(b)详细说明本实施方式所涉及的显示装置2。
如图1的(a)和(b)所示，本实施方式所涉及的显示装置2从下层起依次包括支承基板10、树脂层12、阻挡层3、TFT层4、发光元件层5、密封层6。显示装置2也可以在密封层6的更上层具备具有光学补偿功能、触摸传感器功能以及保护功能等的功能膜等。
支承基板10也可以是例如玻璃基板。例如，支承基板10也可以是在制造显示装置2时从大尺寸的母玻璃基板中单片化而成的玻璃基板。作为树脂层12的材料可以例举例聚酰亚胺。
阻挡层3是用于防止在使用显示装置2时水和氧气等渗透到TFT层4和发光元件层5的层。阻挡层3可以由例如通过CVD法形成的氧化硅膜、氮化硅膜或氧氮化硅膜、或这些层的层叠膜来构成。
TFT层4从下层起依次包含：半导体层15和15d、多个薄膜晶体管(transistor)Tr、第一无机层16(栅极绝缘膜)、栅极电极GE、第二无机层18、第三无机层20、源极布线SH(金属布线层)和平坦化膜21(层间绝缘膜)。半导体层15和15d与源极布线SH在半导体电极15e上相互电连接。薄膜晶体管Tr被构成为包含半导体层15和15d、第一无机层16和栅极电极GE。
在此，包含半导体层15和15d的被第一氢吸附膜29和第二氢吸附膜30保护的晶体管Tr(例如驱动晶体管Tra)使用氧化物半导体(例如In-Ga-Zn-O系的半导体)等形成。在图1中，半导体层15和15d作为沟道的TFT被表示为顶栅结构，但是也可以是底栅结构(例如，TFT的沟道是氧化物半导体的情况)。栅极电极GE或源极布线SH也可以包含例如铝(Al)、钨(W)、钼(Mo)、钽(Ta)、铬(Cr)、钛(Ti)和铜(Cu)中的至少一种。即，栅极电极GE或源极布线SH由上述金属的单层膜或层叠膜构成。另外，未被第一氢吸附膜29和第二氢吸附膜30保护的写入晶体管Trb等，例如可以使用In-Ga-Zn-O系的半导体形成，也可以使用低温多晶硅(LTPS)形成。
第一无机层16、第二无机层18和第三无机层20可以由例如通过CVD法形成的氧化硅(SiOx)膜、氮化硅(SiNx)膜或它们的层叠膜构成。
平坦化膜21可以由例如聚酰亚胺和丙烯酸等可涂布的感光性有机材料构成。在本实施方式中，如图1的(b)所示，在边框区域NA中，平坦化膜21具有开口，在该平坦化膜21的开口上，以包围显示区域DA的方式形成有槽21t。如图2所示，槽21t也可以沿着显示装置2中的除了与端子部40对置的边之外的三条边，以包围显示区域DA的方式形成。另外，也可以在与端子部40对置的边上，在两端附近等一部分上形成有槽21t。
发光元件层5(例如有机发光二极管层)包括：比平坦化膜21更上层的第一电极22(例如阳极)、覆盖第一电极22的边缘罩23、功能层24、第二电极(例如阴极)25、与第一电极22和边缘罩23重叠的第一氢吸附膜29、以及与第二电极25和边缘罩23重叠的第二氢吸附膜30。由此，第一氢吸附膜29和第二氢吸附膜30能够适当地吸附从密封层6中所包含的第一无机密封膜26和第二无机密封膜28脱离的氢。
发光元件层5在每个子像素SP(像素)中设有多个发光元件(例如OLED：有机发光二极管)和用于驱动每个子像素的子像素电路，多个发光元件包括：岛状的第一电极22、以露出第一电极22的方式设置开口且覆盖第一电极22的端部的边缘罩23、岛状的功能层24以及第二电极25。另外，在TFT层4中，在每个该子像素电路中形成晶体管Tr，通过控制晶体管Tr来控制子像素电路。另外，在边框区域NA中，在TFT层4形成GDM电路，在边框区域NA形成用于驱动栅极驱动器的驱动晶体管Tra。
以下，使用图3详细说明子像素电路。如图3所示，在子像素电路中形成有驱动晶体管Tra、写入晶体管Trb以及初始化晶体管Trc等的晶体管Tr和电容器C。并且，驱动晶体管Tra的控制端子与写入晶体管Trb的一个导通端子以及电容器C的一个电极连接。驱动晶体管Tra的漏极与高电源电压ELVDD(m)连接。源极电极与电容器C的另一个电极、第一电极22及初始化晶体管Trc的一个导通端子连接。写入晶体管Trb的控制端子与栅极布线G(n)连接，另一个导通端子与源极布线S(m)连接。初始化晶体管Trc的控制端子与栅极布线G(n-1)连接，另一个导通端子与初始化布线Vini(n)连接。
此外，上述子像素电路仅为一个例子，在本实施方式中不限定于此。
第一电极22在俯视时设置在与平坦化膜21和作为该平坦化膜21的开口的接触孔21c重叠的位置。第一电极22经由接触孔21c与源极布线SH电连接。因此，TFT层4中的信号经由源极布线SH供给至第一电极22。第一电极22的厚度也可以是例如100nm。
第一电极22在多个子像素SP的每一个形成为岛状，由例如ITO(Indium TinOxide，氧化铟锡)和含Ag合金的层叠构成，并具有光反射性。第二电极25作为多个子像素SP的共用层形成为整面状，可以由ITO(Indium Tin Oxide)以及IZO(Indium Zinc Oxide)等透光性导电材料构成。如图1的(b)所示，在边框区域NA的槽21t中形成有与第一电极22同层且由相同材料构成的导电膜22A，导电膜22A经由第二氢吸附膜30与第二电极25电连接。在此，在第一电极22与第二电极25直接电连接的情况下，短路而使发光元件不发光。对此，如上所述，通过隔着第二氢吸附膜30而不短路的情况下，能够将与第一电极22同层且相同材料的导电膜22A与第二电极25的ELVSS的端子连接。
边缘罩23是有机绝缘膜，形成在覆盖第一电极22的边缘22c的位置，并在多个子像素SP的每一个中具备开口23c，且露出第一电极22的一部分。
如图1的(a)所示，本实施方式中的显示装置2在显示区域DA中具备第一光电间隔物PS1。另外，如图1的(b)所示，显示装置2在边框区域NA具备第二光电间隔物PS2，在本实施方式中，第一光电间隔物PS1以及第二光电间隔物PS2形成在平坦化膜21的更上层。而且，第一光电间隔物PS1和第二光电间隔物PS2与边缘罩23形成在同层，且由与边缘罩23相同的材料构成。因此，边缘罩23、第一光电间隔物PS1、第二光电间隔物PS2能够通过相同工序制造。
如图1的(b)所示，第二光电间隔物PS2形成在与导电膜22A重叠的位置。
功能层24例如构成为从下层侧依次层叠空穴传输层、发光层和电子传输层。在本实施方式中，功能层24的至少一层利用蒸镀法形成。另外，在本实施方式中，功能层24的各层可以形成为岛状，也可以作为多个子像素SP的共用层形成为整面状。
当发光元件层5是OLED层时，空穴和电子通过第一电极22和第二电极25之间的驱动电流在功能层24内复合，由此产生的激子下降到基态，并发出光。由于第二电极25具有透光性，第一电极22具有光反射性，因此从功能层24发出的光朝向上方，成为顶部发射。
第一氢吸附膜29在边缘罩23的上层与边缘罩23接触地设置。另外，第一氢吸附膜29在相邻的发光元件中，与晶体管Tr(例如，驱动晶体管Tra)重叠，且隔着边缘罩23与相邻的发光元件的第一电极22重叠，并以横跨相邻的发光元件的方式设置。如图4所示，第一氢吸附膜29以至少横跨相邻的颜色相同的发光元件的方式形成。由此，第一氢吸附膜29由氢吸附金属构成，即使为不透明的情况下，也能够不阻碍从边缘罩23的开口23c透射的光，防止显示装置2的光透射性受损。
另外，第一氢吸附膜29以在边缘罩23的开口23c与第一电极22的边缘22c之间具有开口29c的方式形成。即，如图1(a)及图4所示，第一氢吸附膜29具有开口29c，该开口29c小于第一电极22的边缘22c且大于边缘罩23的开口23c(即，各子像素(发光元件)中的发光区域)。即，第一氢吸附膜29以不与规定各子像素(发光元件)的发光区域的边缘罩23的开口23c重叠的方式形成。由此，第一氢吸附膜29由氢吸附金属构成，即使为不透明的情况下，也能够不阻碍从边缘罩23的开口23c透射的光，更适当地防止显示装置2的光透射性受损。另外，通过将第一氢吸附膜29的开口29c形成为大于边缘罩23的开口23c，能够可靠地防止短路。
另外，如图1的(a)所示，第一氢吸附膜29形成在显示区域DA内的第一光电间隔物PS1上。此外，在图4中，边缘罩23的开口23c中的发光元件的颜色从左起依次例如分别为红色、绿色以及蓝色等不同的颜色。如图4所示，第一氢吸附膜29具有比边缘罩23的开口23c大的开口29c，并以横跨(横渡)至少相邻的颜色相同的发光元件的方式形成。因此，能够防止至少与相邻的颜色相同的发光元件短路。
在边框区域NA中，第二氢吸附膜30以包围显示区域DA并重叠于第二电极25的方式形成，且与第二电极25电连接。由此，能够将第二氢吸附膜30适当地与第二电极25连接，而不与显示区域DA内的第一氢吸附膜29电连接。
这样，第一氢吸附膜29形成在比包含驱动晶体管Tra的TFT层4更上层的发光元件层5内。另外，第一氢吸附膜29以横跨(横渡)发光元件的方式形成于非发光部分(非发光区域)。因此，第一氢吸附膜29能够适当地吸附已从利用CVD法形成的密封层6的第一无机密封膜26和第二无机密封膜28脱离(释放)的氢，而不阻碍从发光元件透射的光。即，能够在不损害显示装置2的透光性的情况下适当地吸附氢。由此，能够抑制氢流入TFT层4中的驱动晶体管Tra等，并能够防止驱动晶体管Tra中的Vth偏移等特性偏移的发生。
另外，如图1的(b)所示，第二氢吸附膜30与边框区域NA的周边的第二光电间隔物PS2重叠地形成。另外，在图1的(b)所示的边框区域NA中，以与第二氢吸附膜30重叠的方式形成有用于控制副电路的晶体管Tr的控制电路(GDM)。由此，能够适当地抑制从密封层6的第一无机密封膜26和第二无机密封膜28释放的氢流入控制电路(GDM)。
另外，如图1的(b)所示，通过在未形成有功能层24的部位(例如，驱动晶体管Tra的上层的槽21t中的发光控制线上)整面状地形成第二氢吸附膜30，并与第二电极25连接，也能够降低第二电极25的电阻。
第一氢吸附膜29和第二氢吸附膜30例如可例举出包含氢吸附金属的膜，优选由氢吸附金属构成。第一氢吸附膜29和第二氢吸附膜30由氢吸附金属构成，从而例如与含有气体等除氢吸附金属以外的物质的物质以及氢吸附合金等相比，第一氢吸附膜29和第二氢吸附膜30能够更适当地吸附氢。作为氢吸附金属，例如能够列举容易与氢反应而生成氢化物的、氢吸附能力优异的Ti、Zr、Pd和Mg等。第一氢吸附膜29和第二氢吸附膜30分别优选为这些氢吸附金属之中的任一种。第一氢吸附膜29和第二氢吸附膜30为这些氢吸附金属中的任一个，因此能够更适当地吸附氢。
第一氢吸附膜29和第二氢吸附膜30的各层的厚度也可以为例如100nm以上且200nm以下。根据本实施方式所涉及的显示装置2，第一氢吸附膜29和第二氢吸附膜30由氢吸附金属等不透明材料构成，即使不是薄膜，也能够在不阻碍显示装置2的透光性的情况下适当地吸附氢。
在此，在第一氢吸附膜29和第二氢吸附膜30不透明的情况下，第一氢吸附膜29和第二氢吸附膜30也作为遮光膜发挥功能。由于第一氢吸附膜29和第二氢吸附膜30作为不透明的遮光膜发挥功能，因此能够例如防止光从显示装置2的外部入射到由位于比第一氢吸附膜29和第二氢吸附膜30中的至少一个的更下层的有机材料形成的边缘罩23等。由此，能够防止边缘罩23等有机层因该光中的紫外线而劣化。另外，由于第一氢吸附膜29和第二氢吸附膜30作为不透明的遮光膜发挥功能，因此能够防止光从显示装置2的外部入射到驱动晶体管Tra等。由此，能够防止由入射的光引起驱动晶体管Tra的光电动势的产生。
另外，通过在驱动晶体管Tra的上层形成第一氢吸附膜29以及第二氢吸附膜30，能够防止氢进入驱动晶体管Tra等。由此，能够适当地防止驱动晶体管Tra中的特性偏移等不良影响。
另外，如图1的(a)和(b)所示，以与第一光电间隔物PS1和第二光电间隔物PS2分别重叠的方式形成有第一氢吸附膜29和第二氢吸附膜30，由此在蒸镀功能层24时由蒸镀掩模(未图示)抵接，由此能够防止从第一光电间隔物PS1和第二光电间隔物PS2产生异物。
此外，在显示区域DA中，第一氢吸附膜29不与TFT层4中的布线电连接。另外，第一氢吸附膜29与第二氢吸附膜30之间未电连接。
密封层6包括比第二电极25更上层的第一无机密封膜26、比第一无机密封膜26更上层的有机密封膜27、比有机密封膜27更上层的第二无机密封膜28。密封层6防止水及氧向发光元件层5的浸透。第一无机密封层26和第二无机密封层28可以由例如通过CVD法形成的氧化硅膜、氮化硅膜或氮氧化硅膜、或它们的层叠膜构成。有机密封膜27可以由例如聚酰亚胺和丙烯酸等能够涂布的感光性有机材料构成。端子部40形成于边框区域NA的一端部。在端子部40安装有未图示的驱动器等，该驱动器经由引绕布线44供给用于驱动显示区域DA中的各发光元件的信号。
接着，参照图5的流程图，详细说明本发明的第一实施方式所涉及的显示装置2的制造方法。图5是用于说明本发明的第一实施方式所涉及的显示装置2的制造方法的流程图。
首先，在透光性的支承基板(例如母玻璃基板)10上形成树脂层12(步骤S1)。接着，在树脂层12的上层形成阻挡层3(步骤S2)。
接着，在阻挡层3的上层形成TFT层4(步骤S3)。在步骤S3中，首先，在阻挡层3的上层从下层起依次形成半导体层15、第一无机层16、栅极电极GE、第二无机层18、第三无机层20以及源极布线SH。此时，也可以一并形成端子部40以及与该端子部40连接的引绕布线44。在这些各层的形成中，能够采用以往公知的成膜方法。在此，例如，通过在与密封层6不同的成膜温度下形成In-Ga-Zn-O系的半导体层15，能够使氢难以从该半导体层15脱离。
接着，形成平坦化膜21。此时，也可以在使用光刻法由感光性树脂形成平坦化膜21的同时，形成接触孔21c、槽21t和第二堤Wb中的平坦化膜21。
接着，形成顶部发射型的发光元件层(例如，OLED元件层)5(步骤S4)。首先，在包含接触孔21c的位置形成第一电极22。
接着，将边缘罩23与第一光电间隔物PS1及第二光电间隔物PS2一同形成。接着，将第一氢吸附膜29和第二氢吸附膜30以分别重叠于第一光电间隔物PS1和第二光电间隔物PS2的方式形成。第一氢吸附膜29和第二氢吸附膜30可以通过例如在使用溅射法或光刻技术成膜后，进行图案化，从而适当地形成为整面状。
接着，形成功能层24。在本实施方式中，通过蒸镀法形成功能层24的各层。接着，通过形成第二电极25，形成多个子像素SP，完成发光元件层5的形成。
在此，在本实施方式中，比槽21t靠近显示区域DA侧、即朝向图1的(b)的纸面的左侧的第二光电间隔物PS2也可以是在功能层24的形成中由蒸镀掩模(未图示)抵接的光电间隔物。另外，在本实施方式中，比槽21t更靠近边框区域NA侧、即朝向图1的(b)的纸面的右侧的第二光电间隔物PS2也可以是在第二电极25的形成中由蒸镀掩模抵接的光电间隔物。
接着，形成密封层6(步骤S5)。接着，将包括支承基板10、树脂层12、阻挡层3、TFT层4、发光元件层5和密封膜6的层叠体切割以获得多个单片(步骤S6)。接着，将电子电路基板(例如IC芯片)安装于端子部40，并设为显示装置2(步骤S7)。
此外，在本实施方式中，说明了具有硬质支撑基板10的显示装置2的制造方法。然而，通过追加一部分工序，能够制造柔性显示装置2。例如，在继步骤S5之后，隔着支承基板10向树脂层12的下表面照射激光而使支承基板10与树脂层12之间的结合力降低，将支承基板10从树脂层12剥离。接着，在树脂层12的下表面粘贴下表面膜。然后，通过过渡到步骤S6，可获得柔性显示装置2。
〔第二实施方式〕
接着，使用图6说明本发明的第二实施方式所涉及的显示装置2。图6是本发明的第二实施方式所涉及的显示装置2的显示区域DA的放大俯视图。与第一实施方式所涉及的显示装置2相比，本实施方式所涉及的显示装置2仅在形成第一氢吸附膜29的位置不同。
如图6所示，在显示装置2的显示区域DA中，第一氢吸附膜29形成在两个相邻的颜色相同的发光元件(子像素)之间。具体而言，如图6所示，第一氢吸附膜29以与第一电极22的边缘22c重叠并且与边缘罩23的开口23c不重叠的方式形成。由此，第一氢吸附膜29由氢吸附金属构成，即使为不透明的情况下，也能够不阻碍从边缘罩23的开口23c透射的光，防止显示装置2的光透射性受损。
此外，在图6中，第一氢吸附膜29以横跨相邻的不同颜色的发光元件的方式形成。由此，能够可靠地防止短路。在图6中，在第一氢吸附膜29的下层形成有两个相同颜色的子像素的TFT层4。由此，能够防止氢流入至设置在两个子像素各自的TFT层4中的驱动晶体管Tra。
另外，如图6所示，第一氢吸附膜29也可以在两个相邻的颜色相同的发光元件中分别形成为岛状。由此，能够更适当地防止短路。
〔第三实施方式〕
接着，使用图7说明本发明的第三实施方式所涉及的显示装置2。图7是本发明的第三实施方式所涉及的显示装置2的显示区域DA的放大俯视图。与第一实施方式相比，本实施方式所涉及的显示装置2仅在进一步形成有第一氢吸附膜29这一方面不同。
如图7所示，在本实施方式所涉及的显示装置2中，第一氢吸附膜29在显示区域DA的不同颜色的发光元件中分别形成为直线状。具体而言，如图7所示，第一氢吸附膜29以与第一电极22的边缘22c重叠并且与边缘罩23的开口23c不重叠的方式形成为直线状。如此，通过将第一氢吸附膜29在不同颜色的发光元件中分别形成为直线状，能够防止短路，同时能够适当地吸附在不同颜色的发光元件之间的密封层6的第一无机密封膜26和第二无机密封膜28中产生的氢。
另外，上述各实施方式所涉及的显示装置2也可以作为电流控制的显示元件而具备OLED(Organic Light Emitting Diode：有机发光二极管)。在这种情况下，上述实施方式所涉及的显示装置2也可以是有机EL(Electro Luminescence：电致发光)显示器。
或者，上述各实施方式所涉及的显示装置2也可以包括无机发光二极管作为电流控制的显示元件。在这种情况下，上述实施方式所涉及的显示装置2也可以是QLED显示器，该QLED显示器包括无机EL显示器等的EL显示器QLED(Quantum dot Light EmittingDiode：量子点发光二极管)。
另外，作为控制电压的显示元件具有液晶显示元件等。
〔总结〕
本发明的方面1所涉及的显示装置包括：显示区域，其具备设置有多个晶体管的TFT层、设置有多个发光元件的发光元件层和密封层；以及所述显示区域的周围的边框区域，所述发光元件包含：第一电极、以露出所述第一电极的方式设置开口并覆盖所述第一电极的端部的边缘罩、功能层和第二电极，第一氢吸附膜与所述边缘罩接触并设置于所述边缘罩的上层，在相邻的发光元件中，所述第一氢吸附膜与所述晶体管重叠，且隔着所述边缘罩与所述相邻的发光元件的所述第一电极重叠，并以横跨所述相邻的发光元件的方式设置。
本发明的方面2所涉及的显示装置也可以是在方面1中，所述第一氢吸附膜以至少横跨相邻的颜色相同的发光元件的方式形成。
本发明的方面3所涉及的显示装置也可以是在方面1或2中，所述第一氢吸附膜形成为具有所述边缘罩的开口并且在所述第一电极的边缘之间具有开口。
本发明的方面4所涉及的显示装置也可以是在方面1至3的任一个中，所述第一氢吸附膜以横跨相邻的不同颜色的所述发光元件的方式形成。
本发明的方面5所涉及的显示装置也可以是在方面3中，所述第一氢吸附膜的开口形成为大于所述边缘罩的开口。
本发明的方面6所涉及的显示装置也可以是在方面1至5的任一个中，所述第一氢吸附膜在不同颜色的所述发光元件中分别形成为直线状。
本发明的方面7所涉及的显示装置也可以是在方面1至5的任一个中，所述第一氢吸附膜在两个相邻的颜色相同的所述发光元件中分别形成为岛状。
本发明的方面8所涉及的显示装置也可以是在方面1至7的任一个中，在所述边框区域中，第二氢吸附膜以包围所述显示区域并重叠于所述第二电极的方式形成，且与所述第二电极电连接。
本发明的方面9所涉及的显示装置也可以是在方面8中，在所述边框区域中，以包围所述显示区域的方式在平坦化膜中形成有槽，在所述槽中，形成有与所述第一电极为同一层并且由同一材料形成的导电膜，所述导电膜隔着所述第二氢吸附膜与所述第二电极电连接。
本发明的方面10所涉及的显示装置也可以是在方面8或9中，在所述边框区域中，以重叠于所述第二氢吸附膜的方式形成有控制电路。
本发明的方面11所涉及的显示装置也可以是在方面8至11的任一个中，所述第一氢吸附膜与所述第二氢吸附膜之间未电连接。
本发明的方面12所涉及的显示装置也可以是在方面1至11的任一个中，在所述显示区域中，形成有与所述边缘罩为同一层并且由同一材料形成的第一光电间隔物，在所述第一光电间隔物上形成有所述第一氢吸附膜。
本发明的方面13所涉及的显示装置也可以是在方面8至11的任一个中，在所述边框区域中，形成有与所述边缘罩为同一层并且由同一材料形成的第二光电间隔物，在所述第二光电间隔物上形成有所述第二氢吸附膜。
本发明的方面14所涉及的显示装置也可以是在上述方面1至13的任一个中，所述第一氢吸附膜由氢吸附金属构成。
本发明的方面15所涉及的显示装置也可以是在方面8至11的任一个中，所述第二氢吸附膜由氢吸附金属构成
本发明的方面16所涉及的显示装置也可以是在方面14或15中，所述氢吸附金属为Ti、Zr、Pd或Mg。
本发明的方面17所涉及的显示装置也可以是在方面1至16的任一个中，所述第一氢吸附膜的厚度为100nm以上且200nm以下。
本发明的方面18所涉及的显示装置也可以是在方面8至11的任一个中，所述第二氢吸附膜的厚度为100nm以上且200nm以下。
本发明的方面19所涉及的显示装置也可以是在方面1至18的任一个中，所述TFT层中的晶体管使用氧化物半导体来形成。
本发明的方面20所涉及的显示装置也可以是在方面1至19的任一个中，所述TFT层中的晶体管为驱动晶体管。
本发明不限于上述各实施方式，能在权利要求所示的范围中进行各种变更，将在不同的实施方式中分别公开的技术手段适当组合而得到的实施方式也包含于本发明的技术范围。而且，能通过将各实施方式分别公开的技术手段组合而形成新的技术特征。
附图标记说明
2 显示装置
4 TFT层
5 发光元件层
6 密封层
21 平坦化膜
21t 槽
22 第一电极
22A 导电膜
23 边缘罩
23c、29c 开口
24 功能层
25 第二电极
29 第一氢吸附膜
30 第二氢吸附膜
DTM 控制电路
DA 显示区域
NA 边框区域
PS1 第一光电间隔物
PS2 第二光电间隔物
Tr 晶体管
Tra 驱动晶体管

Claims (18)

1.一种显示装置，其特征在于，包括：
显示区域，其具备设置有多个晶体管的TFT层、设置在所述TFT层上且设置有多个发光元件的发光元件层和设置在所述发光元件层上的密封层；以及
边框区域，其位于所述显示区域的周围，
所述发光元件包含：与所述晶体管连接的第一电极、设置有露出所述第一电极的一部分的开口并覆盖所述第一电极的端部的边缘罩、与所露出的所述第一电极和边缘罩的一部分接触的功能层和与所述功能层接触的第二电极，
横跨相邻的所述发光元件且在所述边缘罩与所述第二电极之间设置有与所述边缘罩接触的第一氢吸附膜，
所述第一氢吸附膜与所述晶体管以及所述相邻的发光元件各自的所述第一电极的端部重叠。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述第一氢吸附膜形成为具有所述边缘罩的开口并且在所述第一电极的边缘之间具有开口。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
所述第一氢吸附膜的开口形成为大于所述边缘罩的开口。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述第一氢吸附膜以至少横跨相邻的颜色相同的发光元件的方式形成。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，
所述第一氢吸附膜在两个相邻的颜色相同的所述发光元件中分别形成为岛状。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述第一氢吸附膜以横跨相邻的不同颜色的所述发光元件的方式形成。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，
所述第一氢吸附膜在不同颜色的所述发光元件中分别形成为直线状。
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
在所述边框区域中设置有与所述第一氢吸附膜同层且由相同材料构成的第二氢吸附膜以及所述第二电极所述第二电极与所述第二氢吸附膜电连接。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，
在所述TFT层的所述边框区域上形成有平坦化膜，
所述平坦化膜形成有包围所述显示区域的槽，
在所述槽中，在所述平坦化膜上形成有与所述第一电极同层且同一材料的导电膜，所述导电膜隔着所述第二氢吸附膜与所述第二电极电连接。
10.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，
在所述边框区域中，以重叠于所述第二氢吸附膜的方式形成有控制电路。
11.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，
所述第一氢吸附膜与所述第二氢吸附膜之间未电连接。
12.根据权利要求1至7中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
在所述显示区域中，形成有与所述边缘罩为同一层并且由同一材料形成的第一光电间隔物，在所述第一光电间隔物上形成有所述第一氢吸附膜。
13.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，
在所述边框区域中，形成有与所述边缘罩为同一层并且由同一材料形成的第二光电间隔物，在所述第二光电间隔物上形成有所述第二氢吸附膜。
14.根据权利要求1至7中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述第一氢吸附膜由氢吸附金属构成，所述氢吸附金属为Ti、Zr、Pd或Mg。
15.根据权利要求1至7中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述第一氢吸附膜的厚度为100nm以上且200nm以下。
16.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，
所述第二氢吸附膜的厚度为100nm以上且200nm以下。
17.根据权利要求1至7中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述TFT层中的晶体管使用氧化物半导体来形成。
18.根据权利要求1至7中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述TFT层中的晶体管为驱动晶体管。
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