JP2016103605A - 薄膜トランジスタおよびその製造方法、ならびに表示装置および電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】優れた動作信頼性を有するTFTを提供する。【解決手段】このTFTは、ゲート電極と、このゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜の上に設けられた酸化物半導体層と、酸化物半導体層と各々接続されると共に互いに離間して隣り合うように設けられたソース電極およびドレイン電極と、これらソース電極およびドレイン電極を覆うと共にソース電極とドレイン電極との隙間に充填され、かつ、シリコン化合物を含む材料からなる第1の保護膜と、この第1の保護膜を覆うと共に金属化合物を含む材料からなる第2の保護膜と、この第2の保護膜上の、ソース電極とドレイン電極との隙間と重複する領域を覆う金属層とを有する。【選択図】図1
Description
本開示は、酸化物半導体を含む薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)およびその製造方法、ならびにこの薄膜トランジスタを備えた表示装置および電子機器に関する。
近年、薄膜トランジスタや発光デバイス、透明導電膜等の電子デバイスへの応用を目的として、酸化亜鉛や酸化インジウムガリウム亜鉛等の酸化物半導体の研究開発が活発化している。この酸化物半導体を、TFTの活性層(チャネル)に用いた場合、非晶質(アモルファス)シリコンを用いたTFTと比較して、電子移動度が大きく、優れた電気特性を示すことがわかっている。また、室温付近の低温でも高い移動度が期待できる等の利点もあり、積極的な開発が進められている。このような酸化物半導体層を用いたTFTとしては、ボトムゲート型およびトップゲート型の構造が報告されている(例えば、特許文献1〜3参照)。
しかしながら、酸化物半導体を含む薄膜トランジスタは、水などの外乱物質や電場の影響により、動作特性が変化することがある。
本開示はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、優れた動作信頼性を有する薄膜トランジスタおよびその製造方法、ならびにこの薄膜トランジスタを備えた表示装置および電子機器を提供することにある。
本開示の一実施形態としての薄膜トランジスタは、ゲート電極と、このゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜の上に設けられた酸化物半導体層と、この酸化物半導体層と各々接続されると共に、互いに離間して隣り合うように設けられたソース電極およびドレイン電極と、これらソース電極およびドレイン電極を覆うと共にソース電極とドレイン電極との隙間に充填され、かつ、ケイ素化合物を含む材料からなる第1の保護膜と、この第1の保護膜と共に金属化合物を含む材料からなる第2の保護膜と、この第2の保護膜上の、ソース電極とドレイン電極との隙間と重複する領域を覆う金属層とを有する。
また、本開示の一実施形態としての表示装置は、上記の薄膜トランジスタと、その薄膜トランジスタにより駆動される表示素子とを備えたものである。さらに、本開示の一実施形態としての電子機器は、上記表示装置を備えたものである。
本開示の一実施形態としての薄膜トランジスタの製造方法は、以下の<1>〜<7>の各操作を含むものである。
<1>基板上にゲート電極を形成すること。
<2>ゲート電極を覆うゲート絶縁膜を形成すること。
<3>ゲート絶縁膜の上に酸化物半導体層を形成すること。
<4>酸化物半導体層と各々接続されると共に、互いに離間して隣り合うようにソース電極およびドレイン電極を形成すること。
<5>ソース電極およびドレイン電極を覆うと共にソース電極とドレイン電極との隙間に充填され、かつ、ケイ素化合物を含む材料を用いて第1の保護膜を形成すること。
<6>第1の保護膜を覆うように、金属化合物を含む材料を用いて第2の保護膜を形成すること。
<7>第2の保護膜上の、ソース電極とドレイン電極との隙間と重複する領域を覆うように金属層を形成すること。
<1>基板上にゲート電極を形成すること。
<2>ゲート電極を覆うゲート絶縁膜を形成すること。
<3>ゲート絶縁膜の上に酸化物半導体層を形成すること。
<4>酸化物半導体層と各々接続されると共に、互いに離間して隣り合うようにソース電極およびドレイン電極を形成すること。
<5>ソース電極およびドレイン電極を覆うと共にソース電極とドレイン電極との隙間に充填され、かつ、ケイ素化合物を含む材料を用いて第1の保護膜を形成すること。
<6>第1の保護膜を覆うように、金属化合物を含む材料を用いて第2の保護膜を形成すること。
<7>第2の保護膜上の、ソース電極とドレイン電極との隙間と重複する領域を覆うように金属層を形成すること。
本開示の一実施形態としての薄膜トランジスタおよびその製造方法、ならびに表示装置および電子機器では、ソース電極とドレイン電極との隙間の領域を、ケイ素化合物を含む第1の保護膜と、金属層とにより覆うようにした。このため、酸化物半導体層への水分や樹脂、水素などの不要な成分の進入が抑止される。さらに、第1の保護膜の存在により、酸化物半導体層のチャネル領域と第2の保護膜との接触が回避される。例えば酸化アルミニウムにより第2の保護膜を構成し、その第2の保護膜が酸化物半導体層のチャネル領域と接している場合、酸素が酸化物半導体層のチャネル領域へ拡散するおそれがある。しかし、酸化物半導体層のチャネル領域と第2の保護膜との間に第1の保護膜が挿入されることにより、上述の酸素の拡散が防止され、動作信頼性が確保される。
本開示の一実施形態としての薄膜トランジスタおよびその製造方法、ならびに表示装置および電子機器によれば、優れた動作信頼性が実現できる。なお、本開示の効果はこれに限定されるものではなく、以下の記載のいずれの効果であってもよい。
以下、本開示の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
1.第1の実施の形態(ボトムゲート構造を有する薄膜トランジスタ)
2.第1の実施の形態の変形例(チャネル保護膜を省略した例)
3.第2の実施の形態(トップゲート構造を有する薄膜トランジスタ)
4.第3の実施の形態(上記薄膜トランジスタを備えた表示装置)
5.適用例(上記表示装置を備えたモジュール、電子機器)
1.第1の実施の形態(ボトムゲート構造を有する薄膜トランジスタ)
2.第1の実施の形態の変形例(チャネル保護膜を省略した例)
3.第2の実施の形態(トップゲート構造を有する薄膜トランジスタ)
4.第3の実施の形態(上記薄膜トランジスタを備えた表示装置)
5.適用例(上記表示装置を備えたモジュール、電子機器)
<1.第1の実施の形態>
[表示装置1の構成]
図1を参照して、本開示における第1の実施の形態としての薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)1の構成について説明する。TFT1は、例えばアクティブマトリクス型の有機EL表示装置や液晶表示装置の駆動素子として用いられるものである。
[表示装置1の構成]
図1を参照して、本開示における第1の実施の形態としての薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)1の構成について説明する。TFT1は、例えばアクティブマトリクス型の有機EL表示装置や液晶表示装置の駆動素子として用いられるものである。
TFT1は、例えば、いわゆるボトムゲート構造(逆スタガー構造)を有する。TFT1は、例えばガラス等よりなる基板11上の選択的な領域に形成されたゲート電極と、このゲート電極12および基板11を全面的に覆うゲート絶縁膜13とを有している。ゲート絶縁膜13上の一部の領域には、ゲート絶縁膜13を挟んでゲート電極12と対向するように、酸化物半導体層14が配置されている。酸化物半導体層14の上には、この酸化物半導体層14に電気的に接続されたソース電極17Sおよびドレイン電極17Dが設けられている。酸化物半導体層14のうち、ソース電極17Sとドレイン電極17Dとの隙間に対応する部分はチャネル14Cと呼ばれ、このチャネル14Cの直上にはチャネル保護膜16が形成されている。ソース電極17Sおよびドレイン電極17Dは、面内方向においてチャネル保護膜16を挟んで互いに離間して隣り合うように設けられている。なお、ソース電極17Sの上面17SSおよびドレイン電極17Dの上面17DSの高さ位置は、チャネル保護膜16の上面16Sの高さ位置よりも高い。すなわち、ゲート電極上面17SSおよび上面17DSと基板11との距離は、上面16Sと基板11との距離よりも大きい。したがって、ソース電極17Sとドレイン電極17Dとの隙間には凹部17Uが形成されている。ここで高さ位置とは、TFT1を構成する各構成要素の積層方向(図1のZ軸方向)における位置をいう。
ソース電極17Sおよびドレイン電極17Dの上には、第1の保護膜18(以下、保護膜18)と第2の保護膜19(以下、保護膜19)とがこの順に、全面に亘って形成されている。ここで、保護膜18は、ソース電極17Sおよびドレイン電極17Dを覆うと共に、ソース電極17Sとドレイン電極17Dとの隙間である凹部17Uにも充填されている。保護膜19は、保護膜18上の、チャネル14Cと重複する領域を少なくとも覆うように配設されている。但し、ソース電極17Sと重複する領域、ドレイン電極17Dと重複する領域、および凹部17Uと重複する領域の全てを一体に覆うように形成されていることが望ましい。
TFT1は、さらに、保護膜19上の、ソース電極17Sとドレイン電極17Dとの隙間と重複する領域を覆う金属層20を備えている。
ゲート電極12は、TFT1に印加されるゲート電圧(Vg)によって酸化物半導体層14中のキャリア密度を制御すると共に、電位を供給する配線としての機能を有するものである。このゲート電極12は、例えばチタン(Ti),タングステン(W),モリブデン(Mo),アルミニウム,銀(Ag)もしくは銅(Cu)の単体、またはこれらを1種以上含む合金からなる。ゲート電極12は、単層構造であってもよいし多層構造であってもよい。多層構造は、同種の材料からなる層が複数積層されたものであってもよいし、一部もしくは全部の層が異種材料からなるものであってもよい。より具体的には、例えばアルミニウムとネオジウム(Nd)との合金(AlNd合金)などのアルミニウム合金が挙げられる。また、ゲート電極12は、ITO(酸化インジウム錫)、AZO(アルミニウムドープ酸化亜鉛)およびGZO(ガリウムドープ酸化亜鉛)などの透明導電膜から構成されていてもよい。
ゲート絶縁膜13は、例えばシリコン酸化膜(SiO2)、シリコン窒化膜(SiN)およびシリコン窒化酸化膜(SiON)のうちの1種よりなる単層膜、または2種以上よりなる積層膜である。あるいは、ゲート絶縁膜13は酸化アルミニウム(Al2 O3 )や窒化アルミニウム(AlN)などにより構成されていてもよい。
酸化物半導体層14は、ゲート電圧の印加によりチャネル14Cを形成するものであり、例えばインジウム(In),ガリウム(Ga)および亜鉛(Zn)のうちの少なくとも1種を含む酸化物半導体よりなる。このような酸化物半導体としては、例えば、酸化インジウムガリウム亜鉛(IGZO,InGaZnO)が挙げられる。また、酸化物半導体層14は、ジルコニウム(Zr)や錫(Sn)を含む酸化物半導体により構成されていてもよい。
チャネル保護膜16は、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜およびシリコン窒化酸化膜のうちの1種よりなる単層膜、または2種以上よりなる積層膜である。チャネル保護膜16は、例えばソース電極17Sおよびドレイン電極17Dの形成時において、酸化物半導体層14におけるチャネル14Cの損傷を防止する機能を有している。
ソース電極17Sおよびドレイン電極17Dは、酸化物半導体層14のチャネル14Cに対応する領域において分離されている。ソース電極17Sおよびドレイン電極17Dの構成材料としては、例えばゲート電極12の構成材料と同等のものが挙げられる。ソース電極17Sおよびドレイン電極17Dは、例えばモリブデン(Mo)を含む一以上の金属膜と、アルミニウム(Al)を含む一以上の他の金属膜とが積層された多層構造を有していてもよい。具体的には、モリブデン膜とアルミニウム膜とモリブデン膜との3層構造が挙げられる。なお、酸化物半導体層14と接する下層のモリブデン膜の代わりに、ITOや酸化チタンなどの、酸素を含む金属化合物からなる膜を用いてもよい。酸化物半導体は酸素を引き抜きやすい金属と接触すると、酸素が引き抜かれて欠陥を形成する。一般的に、金属がIGZOなどの酸化物と接触した場合、酸化物中の酸素によってその金属自身も酸化する。すなわちIGZOなどの酸化物からみると、それ自身が還元されることになり、その酸化物としての特性が不安定になる。よって、導電膜として酸化金属を用いた場合、IGZOなどの酸化物との界面における酸素濃度の勾配の低減効果によりIGZOなどの酸化物からの酸素拡散が抑制される。よって、IGZOなどの酸化物の特性が安定化することが期待できる。
保護膜18は、シリコン(Si)化合物を含む材料によって構成されたものであり、パッシベーション膜とも呼ばれる。シリコン化合物とは、例えばシリコン酸化物、シリコン窒化物またはシリコン酸窒化物である。保護膜18の厚みは、例えば50nm〜2000nmである。
保護膜18は、ソース電極17Sおよびドレイン電極17Dを、その周囲から電気的に絶縁するように機能する。また、保護膜18は、その上層となる保護膜19が酸化物からなる場合、保護膜19から拡散してチャネル14Cへ向かう酸素等の外乱物質を遮断するように機能する。
ここで保護膜18の膜質はチャネル保護膜16の膜質よりも良好なものであるとよい。ここでいう良好とは、形成過程での雰囲気あるいは使用時の大気に含まれる水素が酸化物半導体を還元するのを抑止することができるという意である。あるいは、酸化物半導体や透明導電性金属酸化物配線中の酸素が熱処理などで脱離するのを抑止することができるという意である。また、保護膜18の上面はできるだけ平坦であることが望ましい。その上に形成される保護膜19の厚さのばらつきや保護膜19の段切れを低減し、より均質かつ緻密なものとするためである。したがって、保護膜18は、例えばCVD(Chemical Vapor Deposition ;化学気相成長)法などの気相成長法により形成されたものであるとよい。保護膜18は、酸化物半導体層14の上にソース電極17Sおよびドレイン電極17Dが設けられてなる、比較的凹凸の大きな面の上に形成される。気相成長法により形成されたケイ素化合物膜であれば、そのような凹凸に追従でき、その上面は優れた平坦性を有するものとなるからである。なお、成膜温度の高温化や成膜時に用いるガス種の最適化などの手法により、保護膜18の密度を高め、その膜質を向上させることができる。
保護膜18を覆う保護膜19は、金属化合物を含む材料からなる。この金属化合物は、例えばアルミニウム(Al)およびチタン(Ti)のうちの少なくとも一方を含む金属酸化物、金属窒化物または金属酸窒化物である。具体的には、酸化アルミニウム(Al2 O3 )や酸化チタン、窒化アルミニウム(AlN)および窒化チタン(TiN)などである。保護膜19の厚みは、例えば10nm〜300nmである。保護膜19は、酸化物半導体層14への水分や水素などの混入を抑制する。
保護膜19は、保護膜18と同様、ソース電極17Sおよびドレイン電極17Dを、その周囲から電気的に絶縁するように機能する。また、金属層20を形成する際、その下層の構造に与えるダメージを緩和するように機能する。また、保護膜19は、例えばAl2 O3 などの酸化物からなる場合、その製造プロセスにおいて、酸素原子を保護膜18へ供給する機能を有している。具体的には、保護膜19の成膜時において、保護膜19を構成する過剰な酸素原子が例えばSiOなどのシリコン酸化物からなる保護膜18へ供給される。すなわち、保護膜18の表面近傍における酸素が欠損した部分へ、酸素の補填がなされる。このような酸素原子の供給は、保護膜18の特性の回復や劣化防止に寄与し、その結果TFT特性の回復やTFT特性の劣化防止が期待される。
保護膜18と保護膜19とは強く密着している。例えば保護膜18がシリコン酸化物からなり、保護膜19がアルミニウム酸化物からなる場合、両者の密着性が特に高く、保護膜18の膨張率と保護膜19の保護膜との差も小さい。よって、保護膜18と保護膜19とは剥離しにくく、長期信頼性に優れる。
金属層20は、例えばアルミニウムなどの非磁性金属からなる。金属層20は、ソース電極17Sおよびドレイン電極17Dと同様に、例えばモリブデン(Mo)を含む一以上の金属膜と、アルミニウム(Al)を含む一以上の他の金属膜とが積層された多層構造を有していてもよい。具体的には、モリブデン膜とアルミニウム膜とモリブデン膜との3層構造が挙げられる。この金属層20は、チャネル14Cへの外乱物質(例えば水、水素あるいは樹脂など)の浸透を抑制するシールドとして機能する。したがって、金属層20は、その一部がソース電極17Sの一部およびドレイン電極17Dの一部と厚さ方向においてそれぞれ重なり合う領域に設けられているとよい。
[TFT1の製造方法]
次に、図2A〜図2Hを参照して、TFT1の製造方法について説明する。図2A〜図2Hは、それぞれ、TFT1の製造工程の一部を断面図で表したものである。
次に、図2A〜図2Hを参照して、TFT1の製造方法について説明する。図2A〜図2Hは、それぞれ、TFT1の製造工程の一部を断面図で表したものである。
まず、図2Aに示したように、基板11上の選択的な領域にゲート電極12を形成する。具体的には、基板11上の全面に、上述した材料、例えばモリブデンを例えばスパッタリング法により堆積させた後、例えばフォトリソグラフィ法によりパターニングすることによりゲート電極12を得る。
続いて、基板11およびゲート電極12を全面的に覆うように、例えばCVD法やスパッタリング法により、ゲート絶縁膜13を成膜する。例えばシリコン窒化膜をプラズマCVD法により形成する場合、原料ガスとしてはシラン(SiH4 ),アンモニア(NH3 )および窒素(N2 )などを含む混合ガスを用いる。あるいは、ゲート絶縁膜13としてシリコン酸化膜をプラズマCVD法により形成する場合、原料ガスとしてシランおよび一酸化二窒素(N2 O)を含む混合ガスを用いることができる。また、反応性プラズマスパッタリング法によりゲート絶縁膜13を成膜する場合、ターゲットとして材料としてシリコンを用い、スパッタリングの放電雰囲気として酸素や水蒸気、窒素などを用いてもよい。
続いて、図2Bに示したように、のちに酸化物半導体層14となる酸化物半導体膜14Zを、例えばスパッタリング法により成膜する。具体的には、酸化物半導体膜14ZをIGZOにより構成する場合には、IGZOのセラミックをターゲットとして用いた反応性スパッタリングを行う。この際、例えばDCスパッタ装置において、チャンバー内を所定の真空度(例えば1×10−4Pa以下)となるまで排気させる。そののち、チャンバー内に上記のターゲットおよび基板11を配置すると共に、例えばアルゴン(Ar)と酸素(O2 )の混合ガスをチャンバー内に導入してプラズマ放電させる。これにより、ゲート絶縁膜13上に、IGZOよりなる酸化物半導体膜14Zが堆積する。また、酸化亜鉛(ZnO)を用いて酸化物半導体膜14Zを形成する場合には、酸化亜鉛のセラミックをターゲットとしたRFスパッタリング法を適用してもよい。さらに、亜鉛(Zn)からなる金属ターゲットを用い、アルゴンおよび酸素を含む混合ガス雰囲気中でDCスパッタリング法を適用して、酸化亜鉛からなる酸化物半導体膜14Zを形成してもよい。酸化物半導体膜14Z中のキャリア濃度は、例えば成膜時におけるチャンバー内のアルゴンと酸素との流量比を変化させることで制御することができる。
次に、図2Cに示したように、酸化物半導体膜14Zを所望の形状にパターニングすることにより、酸化物半導体層14を得る。具体的には、酸化物半導体膜14Zの一部を、フォトリソグラフィ工程とエッチング工程とにより選択的に除去する。エッチング工程では、酸化物半導体膜14Zが酸およびアルカリに可溶であるため、ウェットエッチング法が一般的に用いられる。但し、ドライエッチング法も可能である。
なお、インジウムや錫の比率が他の構成元素より高い結晶性の材料により酸化物半導体膜14Zを形成する場合は、成膜後の段階で結晶化アニールを施すとよい。これにより、エッチング溶媒に対する耐性をつけることができるからである。また、酸化物半導体膜14Zの膜厚は、成膜後のアニールによる酸素供給の効率を考慮すると、5〜100nm程度であることが望ましい。
続いて、図2Dに示したように、酸化物半導体層14上の、ゲート電極12と重複する領域にチャネル保護膜16を形成する。具体的には、酸化物半導体層14上に、例えばCVD法やスパッタリング法を用いて上述した材料よりなるチャネル保護膜16を成膜し、例えばフォトリソグラフィ法を用いたドライエッチングにより所望の形状にパターニングする。その際、酸化物半導体層14の両隣に露出しているゲート絶縁膜13上に、例えばチャネル保護膜16と同種の材料からなる絶縁膜15を同時に形成してもよい。また、チャネル保護膜16の成膜は、下地である酸化物半導体層14へのダメージを考慮して、250℃以下の低温で行うことが望ましい。
次いで、図2Eに示したように、酸化物半導体層14、チャネル保護膜16および絶縁膜15を覆うように、例えばスパッタリング法により金属膜17Zを成膜する。具体的には、モリブデン膜とアルミニウム膜とモリブデン膜とを順次積層することにより、3層構造の金属膜17Zを得る。そののち、例えばリン酸、硝酸および酢酸を含む混合液を用いたウェットエッチング法により上記の金属膜17Zをパターニングすることで、図2Fに示したようにソース電極17Sおよびドレイン電極17Dを得る。このとき、チャネル14Cの直上にソース電極17Sとドレイン電極17Dとの隙間、すなわち凹部17Uが形成される。
続いて図2Gに示したように、ソース電極17Sおよびドレイン電極17Dを覆うと共に凹部17Uを充填するように、例えばCVD法などの真空蒸着法により保護膜18を形成する。なお、成膜温度の高温化や成膜時に用いるガス種の最適化などの手法により、保護膜18の密度を高め、その膜質を向上させるようにしてもよい。
さらに、保護膜18を覆うように、上述の金属化合物を含む材料を用い、例えばスパッタリング法などにより保護膜19を形成する。
続いて図2Hに示したように、保護膜19を全面的に覆うように、例えばアルミニウムなどの非磁性金属を用い、スパッタリング法などにより金属膜20Zを形成する。そののち、例えばウェットエッチング法により金属膜20Zを所定形状にパターニングすることにより、保護膜19上の、凹部17Uと重複する領域を覆う金属層20を得る(図1)。以上により、TFT1が完成する。
[TFT1の作用および効果]
上述のように、本実施の形態のTFT1では、チャネル14Cの上にチャネル保護膜16、保護膜18、保護膜19および金属層20が順に積層された構造を有するようにした。このため、TFT1によれば、チャネル14Cを十分に保護することができ、高い動作信頼性と優れた長期信頼性とを獲得することができる。
上述のように、本実施の形態のTFT1では、チャネル14Cの上にチャネル保護膜16、保護膜18、保護膜19および金属層20が順に積層された構造を有するようにした。このため、TFT1によれば、チャネル14Cを十分に保護することができ、高い動作信頼性と優れた長期信頼性とを獲得することができる。
ところで、酸化物半導体層を含むTFTは、一般に、プロセス中の雰囲気や使用環境の雰囲気による酸化還元反応により動作特性が変動しやすい。これまで種々の対策が提案されてきたが、いずれも十分とは言い難い。
そこで本実施の形態のTFT1では、14Cの上方に金属層20を設置すると共に、金属層20とソース電極17Sおよびドレイン電極17Dとの間に絶縁性の保護膜18および保護膜19を設置する構造を採用している。このような構造のTFT1では、チャネル14C、ソース電極17Sおよびドレイン電極17Dが保護膜18および保護膜19により十分に封止される。このため、チャネル14Cに対する外気の影響を十分に遮蔽することが可能となる。よって、例えば高温高湿環境下であっても、長期に亘って高い動作信頼性を維持することができる。すなわち、印加するゲート電圧と、得られるドレイン電流との関係が安定し、極めて高い動作再現性が確保される。
また、TFT1では、金属層20と保護膜18との間に酸化アルミニウムなどからなる保護膜19を設けるようにしたので、金属層20を形成する際、保護膜18やチャネル14Cなどの下部構造へのダメージを防ぐことができる。保護膜19は、金属膜20Zをスパッタリング法により形成する際、エッチングストッパとして機能したり、金属膜20Zをウェットエッチング法などによりパターニングする際、エッチングストッパとして機能したりするからである。一方で、保護膜18は、保護膜19を構成する材料(酸化アルミニウムなど)から拡散する酸素がチャネル14Cへ進入するのを遮断することができる。
また、保護膜18を構成する酸化シリコンなどのシリコン化合物は、保護膜18が形成される面の凹凸(例えば200nm程度の高低差)に追従でき、その上面が比較的平坦となる。このため、凹凸面への均質な形成が困難な酸化アルミニウムからなる保護膜19は、平坦な保護膜18の上に形成されることとなり、緻密な連続膜となりやすい。
また、保護膜18の存在により、TFT1の動作時におけるチャネル14C近傍での電場の勾配が安定化する。このため、TFT1は、しきい値電圧がシフトしにくく、高い動作信頼性を得ることができる。
さらに、保護膜18を酸化シリコン膜とし、保護膜19を酸化アルミニウム膜とした場合、極めて優れた長期信頼性と動作信頼性との両立が期待できる。保護膜18と保護膜19との密着性が高く、両者の膨張率差も小さいので、極めて高い封止性能が得られるからである。
<2.変形例>
[TFT1Aの構成]
図3は、上記第1の実施の形態の変形例としてのTFT1Aの要部断面構成を表したものである。このTFT1Aでは、チャネル14Cの直上にチャネル保護膜を配置しなかったことを除き、他は第1の実施の形態のTFT1と同様の構成である。
[TFT1Aの構成]
図3は、上記第1の実施の形態の変形例としてのTFT1Aの要部断面構成を表したものである。このTFT1Aでは、チャネル14Cの直上にチャネル保護膜を配置しなかったことを除き、他は第1の実施の形態のTFT1と同様の構成である。
[TFT1Aの作用・効果]
TFT1Aでは、ソース電極17Sおよびドレイン電極17Dを形成する際のエッチング条件を調整するなどしてチャネル14Cへのダメージを抑えることで、チャネル保護膜以外の点において上記TFT1と同様の作用効果が期待できる。
TFT1Aでは、ソース電極17Sおよびドレイン電極17Dを形成する際のエッチング条件を調整するなどしてチャネル14Cへのダメージを抑えることで、チャネル保護膜以外の点において上記TFT1と同様の作用効果が期待できる。
<3.第2の実施の形態>
[TFT2の構成]
図4は、本発明の第2の実施の形態に係るTFT2の断面構造を表すものである。TFT2は、上記第1の実施の形態のTFT1と同様、例えばアクティブマトリクス型の有機EL表示装置等の駆動素子として用いられるものである。また、TFT2は、上記TFT1と同様、ゲート絶縁膜23を間にしてゲート電極22と酸化物半導体層24とが対向配置され、この酸化物半導体層24と電気的に接続するようにソース電極27Sおよびドレイン電極27Dが設けられたものである。さらに、TFT2は、上述のような積層膜形成工程を経て成膜された保護膜28,29を有している。
[TFT2の構成]
図4は、本発明の第2の実施の形態に係るTFT2の断面構造を表すものである。TFT2は、上記第1の実施の形態のTFT1と同様、例えばアクティブマトリクス型の有機EL表示装置等の駆動素子として用いられるものである。また、TFT2は、上記TFT1と同様、ゲート絶縁膜23を間にしてゲート電極22と酸化物半導体層24とが対向配置され、この酸化物半導体層24と電気的に接続するようにソース電極27Sおよびドレイン電極27Dが設けられたものである。さらに、TFT2は、上述のような積層膜形成工程を経て成膜された保護膜28,29を有している。
但し、本実施の形態のTFT2は、いわゆるトップゲート構造(スタガー構造)を有しており、例えばガラス等よりなる基板21上に選択的に設けられたゲート電極22と、このゲート電極22および基板21を全面的に覆うゲート絶縁膜23とを有している。ゲート絶縁膜23上には、ソース電極27Sおよびドレイン電極27Dが、ゲート電極22の直上の領域を挟んで互いに離間して隣り合うように設けられている。
ソース電極27Sとドレイン電極27Dとの隙間である凹部27Uには、ゲート絶縁膜23の表面と、ソース電極27Sの端面と、ドレイン電極27Dの端面とを連続して覆うように酸化物半導体層24が配置されている。酸化物半導体層24のうちゲート絶縁膜23と接する部分、すなわちゲート電極22の直上に位置する部分はチャネル24Cと呼ばれる。チャネル24C、ソース電極27Sおよびドレイン電極27Dを覆うように、第1の保護膜(保護膜)28と第2の保護膜(保護膜)29とがこの順に、全面に亘って形成されている。TFT2は、さらに、保護膜29上の、チャネル24Cと重複する領域を覆う金属層30を備えている。
TFT2における基板21、ゲート電極22、ゲート絶縁膜23、酸化物半導体層24、チャネル24C、ソース電極27S、ドレイン電極27D、保護膜28、保護膜29および金属層30は、それぞれ、TFT1における基板11、ゲート電極12、ゲート絶縁膜13、酸化物半導体層14、チャネル14C、ソース電極17S、ドレイン電極17D、保護膜18、保護膜19および金属層20と対応するものである。
[TFT2の製造方法]
図5A〜図5Fは、TFT2の製造方法を説明するためのものである。TFT2は、例えば次のようにして製造することができる。
図5A〜図5Fは、TFT2の製造方法を説明するためのものである。TFT2は、例えば次のようにして製造することができる。
まず、図5Aに示したように、基板21上の選択的な領域にゲート電極22を形成する。具体的には、基板21上の全面に、上述した材料、例えばモリブデンを例えばスパッタリング法により堆積させた後、例えばフォトリソグラフィ法によりパターニングすることによりゲート電極22を得る。
続いて、基板21およびゲート電極22を全面的に覆うように、例えばCVD法やスパッタリング法により、ゲート絶縁膜23を成膜する。
そののち図5Bに示したように、ゲート絶縁膜23上に、ソース電極27Sおよびドレイン電極27Dを、ゲート電極22の直上の領域を挟んで互いに離間して隣り合うように形成する。これにより、凹部27Uが現れる。
続いて図5Cに示したように、のちに酸化物半導体層24となる酸化物半導体膜24Zを、上述の酸化物半導体膜14Zと同様に例えばスパッタリング法により成膜する。ここでは、凹部27Uと、ソース電極27Sの上面および側面と、ドレイン電極27Dの上面および」側面とを覆うように酸化物半導体膜24Zを成膜する。
次に、図5Dに示したように、酸化物半導体膜24Zを所望の形状にパターニングすることにより、酸化物半導体層24を得る。具体的には、酸化物半導体層14を形成する場合と同様に、酸化物半導体膜24Zの一部をフォトリソグラフィ工程とエッチング工程とにより選択的に除去する。
次いで、図5Eに示したように、酸化物半導体層24、ソース電極27Sおよびドレイン電極27Dを全面的に覆うように、例えば上述の保護膜18と同様にして保護膜28を形成する。さらに、保護膜28を覆うように、上述の保護膜19と同様にして保護膜29を形成する。
続いて図5Fに示したように、保護膜29を全面的に覆うように、上述の金属膜20Zと同様にして金属膜30Zを形成する。最後に、例えばウェットエッチング法により金属膜30Zを所定形状にパターニングすることにより、保護膜29上の、凹部27Uと重複する領域を覆う金属層30を得る(図4)。以上により、TFT2が完成する。
[TFT2の作用および効果]
上述のように、本実施の形態のTFT2においても、チャネル24Cの上に保護膜28、保護膜29および金属層30が順に積層された構造を有するようにしたので、TFT1と同様の作用効果が得られる。すなわち、TFT2によれば、チャネル24Cを十分に保護することができ、高い動作信頼性と優れた長期信頼性とを獲得することができる。
上述のように、本実施の形態のTFT2においても、チャネル24Cの上に保護膜28、保護膜29および金属層30が順に積層された構造を有するようにしたので、TFT1と同様の作用効果が得られる。すなわち、TFT2によれば、チャネル24Cを十分に保護することができ、高い動作信頼性と優れた長期信頼性とを獲得することができる。
<4.第3の実施の形態>
[表示装置の構成、画素回路構成]
次に、上記TFT1,1A,2を使用した表示装置の全体構成および画素回路構成について説明する。図6は、有機ELディスプレイとして用いられる表示装置の周辺回路を含む全体構成を表すものである。図6に示したように、この表示装置では、基板(基板11,21)上に、有機EL素子を含む複数の画素PXLCがマトリクス状に配置されてなる表示領域50が形成されている。この表示領域50の周辺には、信号線駆動回路としての水平セレクタ(HSEL)51と、走査線駆動回路としてのライトスキャナ(WSCN)52と、電源線駆動回路としての電源スキャナ(DSCN)53とが設けられている。
[表示装置の構成、画素回路構成]
次に、上記TFT1,1A,2を使用した表示装置の全体構成および画素回路構成について説明する。図6は、有機ELディスプレイとして用いられる表示装置の周辺回路を含む全体構成を表すものである。図6に示したように、この表示装置では、基板(基板11,21)上に、有機EL素子を含む複数の画素PXLCがマトリクス状に配置されてなる表示領域50が形成されている。この表示領域50の周辺には、信号線駆動回路としての水平セレクタ(HSEL)51と、走査線駆動回路としてのライトスキャナ(WSCN)52と、電源線駆動回路としての電源スキャナ(DSCN)53とが設けられている。
表示領域50において、列方向には複数(整数n個)の信号線DTL1〜DTLnが配置され、行方向には、複数(整数m個)の走査線WSL1〜WSLmおよび電源線DSL1〜DSLmがそれぞれ配置されている。また、各信号線DTLと各走査線WSLとの交差点に、各画素PXLC(R、G、Bに対応する画素のいずれか1つ)が設けられている。各信号線DTLは水平セレクタ51に接続され、この水平セレクタ51から各信号線DTLへ映像信号が供給されるようになっている。各走査線WSLはライトスキャナ52に接続され、このライトスキャナ52から各走査線WSLへ走査信号(選択パルス)が供給されるようになっている。各電源線DSLは電源スキャナ53に接続され、この電源スキャナ53から各電源線DSLへ電源信号(制御パルス)が供給されるようになっている。
図7は、画素PXLCにおける具体的な回路構成例を表したものである。各画素PXLCは、有機EL素子5Dを含む画素回路50aを有している。この画素回路50aは、サンプリング用トランジスタ5Aおよび駆動用トランジスタ5Bと、保持容量素子5Cと、有機EL素子5Dとを有するアクティブ型の駆動回路である。これらのうち、トランジスタ5A(またはトランジスタ5B)が、上記実施の形態等のTFT1〜3に相当し、保持容量素子5Cが、上記第3の実施の形態で説明した保持容量素子Csに相当する。
サンプリング用トランジスタ5Aは、そのゲートが対応する走査線WSLに接続され、そのソースおよびドレインのうちの一方が対応する信号線DTLに接続され、他方が駆動用トランジスタ5Bのゲートに接続されている。駆動用トランジスタ5Bは、そのドレインが対応する電源線DSLに接続され、ソースが有機EL素子5Dのアノードに接続されている。また、この有機EL素子5Dのカソードは、接地配線5Hに接続されている。なお、この接地配線5Hは、全ての画素PXLCに対して共通に配線されている。保持容量素子5Cは、駆動用トランジスタ5Bのソースとゲートとの間に配置されている。
サンプリング用トランジスタ5Aは、走査線WSLから供給される走査信号(選択パルス)に応じて導通することにより、信号線DTLから供給される映像信号の信号電位をサンプリングし、保持容量素子5Cに保持するものである。駆動用トランジスタ5Bは、所定の第1電位(図示せず)に設定された電源線DSLから電流の供給を受け、保持容量素子5Cに保持された信号電位に応じて、駆動電流を有機EL素子5Dへ供給するものである。有機EL素子5Dは、この駆動用トランジスタ5Bから供給された駆動電流により、映像信号の信号電位に応じた輝度で発光するようになっている。
このような回路構成では、走査線WSLから供給される走査信号(選択パルス)に応じてサンプリング用トランジスタ5Aが導通することにより、信号線DTLから供給された映像信号の信号電位がサンプリングされ、保持容量素子5Cに保持される。また、上記第1電位に設定された電源線DSLから駆動用トランジスタ5Bへ電流が供給され、保持容量素子5Cに保持された信号電位に応じて、駆動電流が有機EL素子5D(赤色、緑色および青色の各有機EL素子)へ供給される。そして、各有機EL素子5Dは、供給された駆動電流により、映像信号の信号電位に応じた輝度で発光する。これにより、表示装置において、映像信号に基づく映像表示がなされる。
画素PXLCの画素回路50aにおける駆動用トランジスタ5Bには、有機EL素子5Dを発光させるために常に電流が流れ続ける。このため、膜質が悪い保護膜に隣接する金属層に過大なプラスの電圧ストレスを印加すると、駆動用トランジスタ5Bにおけるチャネルの特性劣化が発生することが確認されている。そこで本開示の表示装置では、駆動用トランジスタ5Bにおける金属層(20,30)の電位をゼロボルト電位であるソース電位、あるいはカソード電位に固定する。その一方で、それ以外のスイッチング用トランジスタ(サンプリング用トランジスタ5A)については、電流オフの状態を安定化させるために金属層(20,30)の電位をゲート電極(12,22)の電位に合わせこむようにする。また、スイッチングトランジスタとして用いるサンプリング用トランジスタ5Aは、閾値電圧がマイナスシフトする傾向を有するので、リーク電流の増加が懸念される。そこで、本開示の表示装置では、閾値電圧の制御にあたり、金属層(20,30)の電位をゲート電極(12,22)と短絡させることで、バックチャネル側のキャリア密度を制御できる構造であることが望まれる(図7)。
<5.適用例>
以下、上記のような表示装置の電子機器への適用例について説明する。電子機器としては、例えばテレビジョン装置,デジタルカメラ,ノート型パーソナルコンピュータ、スマートフォン等の携帯端末装置あるいはビデオカメラ等が挙げられる。すなわち、上記表示装置は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
以下、上記のような表示装置の電子機器への適用例について説明する。電子機器としては、例えばテレビジョン装置,デジタルカメラ,ノート型パーソナルコンピュータ、スマートフォン等の携帯端末装置あるいはビデオカメラ等が挙げられる。すなわち、上記表示装置は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
[モジュール]
上記表示装置は、例えば図8に示したようなモジュールとして、後述の適用例1〜5などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基板10(あるいは基板11,21)の一辺に、封止用基板60から露出した領域61を設け、この露出した領域61に、水平セレクタ51、ライトスキャナ52および電源スキャナ53の配線を延長して外部接続端子(図示せず)を形成したものである。この外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板(FPC;Flexible Printed Circuit)62が設けられていてもよい。
上記表示装置は、例えば図8に示したようなモジュールとして、後述の適用例1〜5などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基板10(あるいは基板11,21)の一辺に、封止用基板60から露出した領域61を設け、この露出した領域61に、水平セレクタ51、ライトスキャナ52および電源スキャナ53の配線を延長して外部接続端子(図示せず)を形成したものである。この外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板(FPC;Flexible Printed Circuit)62が設けられていてもよい。
[適用例]
図9は、上記実施の形態の表示装置が適用されるスマートフォンの外観を表したものである。このスマートフォンは、例えば、表示部230および非表示部240を有しており、この表示部230が上記実施の形態の表示装置により構成されている。
図9は、上記実施の形態の表示装置が適用されるスマートフォンの外観を表したものである。このスマートフォンは、例えば、表示部230および非表示部240を有しており、この表示部230が上記実施の形態の表示装置により構成されている。
以上、実施の形態を挙げて本開示を説明したが、本開示は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚みなどは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよい。
また、本開示のTFTの各構成要素は、単層構造に限定されず、多層構造であってもよい。その場合、同種材料からなる層を複数積層したものであってもよいし、異種材料からなる層を複数積層したものであってもよい。
さらに、上記実施の形態等では、アクティブマトリクス型の表示装置の場合について説明したが、本技術はパッシブマトリクス型の表示装置への適用も可能である。また、アクティブマトリクス駆動のための信号線駆動回路の構成は、上記実施の形態で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを追加してもよい。その場合、信号線駆動回路の変更に応じて、水平セレクタ(HSEL)51やライトスキャナ(WSCN)52、電源スキャナ(DSCN)53のほかに、他の駆動回路を追加してもよい。
なお、本明細書中に記載された効果はあくまで例示であってその記載に限定されるものではなく、他の効果があってもよい。また、本技術は以下のような構成を取り得るものである。
(1)
ゲート電極と、
前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の上に設けられた酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と各々接続されると共に、互いに離間して隣り合うように設けられたソース電極およびドレイン電極と、
前記ソース電極および前記ドレイン電極を覆うと共に前記ソース電極と前記ドレイン電極との隙間に充填され、かつ、シリコン(Si)化合物を含む材料からなる第1の保護膜と、
前記第1の保護膜を覆うと共に金属化合物を含む材料からなる第2の保護膜と、
前記第2の保護膜上の、前記ソース電極と前記ドレイン電極との隙間と重複する領域を覆う金属層と
を有する薄膜トランジスタ。
(2)
前記シリコン化合物を含む材料は、シリコン酸化物、シリコン窒化物またはシリコン酸窒化物であり、
前記金属化合物は、アルミニウム(Al)およびチタン(Ti)のうちの少なくとも一方を含む酸化物、窒化物または酸窒化物である
上記(1)記載の薄膜トランジスタ。
(3)
前記酸化物半導体層は、亜鉛(Zn),インジウム(In),ガリウム(Ga),ジルコニウム(Zr)および錫(Sn)のうちの少なくとも1つの元素を含む酸化物を有する
上記(1)または(2)に記載の薄膜トランジスタ。
(4)
前記第2の保護膜は、前記ソース電極と重複する領域、前記ドレイン電極と重複する領域、および前記ソース電極と前記ドレイン電極との隙間と重複する領域の全てを一体に覆うように形成されている
上記(1)から(3)のいずれか1つに記載の薄膜トランジスタ。
(5)
前記第1の保護膜は気相成長法により形成されたものであり、
前記第2の保護膜はスパッタ成膜法により形成されたものである
上記(1)から(4)のいずれか1つに記載の薄膜トランジスタ。
(6)
前記酸化物半導体層上の、前記ソース電極と前記ドレイン電極との隙間に対応する領域を覆う第3の保護層をさらに有する
上記(1)から(5)のいずれか1つに記載の薄膜トランジスタ。
(7)
前記ソース電極および前記ドレイン電極は、
モリブデン(Mo)を含む一以上の第1の金属膜と、アルミニウム(Al)を含む一以上の第2の金属膜とが積層された多層構造を有する
上記(1)から(6)のいずれか1つに記載の薄膜トランジスタ。
(8)
前記金属層は、
モリブデン(Mo)を含む一以上の第1の金属膜と、アルミニウム(Al)を含む一以上の第2の金属膜とが積層された多層構造を有する
上記(1)から(7)のいずれか1つに記載の薄膜トランジスタ。
(9)
薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタにより駆動される表示素子と
を備え、
前記薄膜トランジスタは、
ゲート電極と、
前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の上に設けられた酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と各々接続されると共に、互いに離間して隣り合うように設けられたソース電極およびドレイン電極と、
前記ソース電極および前記ドレイン電極を覆うと共に前記ソース電極と前記ドレイン電極との隙間に充填され、かつ、シリコン(Si)化合物を含む材料からなる第1の保護膜と、
前記第1の保護膜を覆うと共に金属化合物を含む材料からなる第2の保護膜と、
前記第2の保護膜上の、前記ソース電極と前記ドレイン電極との隙間と重複する領域を覆う金属層と
を有する表示装置。
(10)
薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタにより駆動される表示素子とを有する表示装置を備え、
前記薄膜トランジスタは、
ゲート電極と、
前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の上に設けられた酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と各々接続されると共に、互いに離間して隣り合うように設けられたソース電極およびドレイン電極と、
前記ソース電極および前記ドレイン電極を覆うと共に前記ソース電極と前記ドレイン電極との隙間に充填され、かつ、シリコン化合物を含む材料からなる第1の保護膜と、
前記第1の保護膜を覆うと共に金属化合物を含む材料からなる第2の保護膜と、
前記第2の保護膜上の、前記ソース電極と前記ドレイン電極との隙間と重複する領域を覆う金属層と
を有する電子機器。
(11)
基板上にゲート電極を形成することと、
前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜を形成することと、
前記ゲート絶縁膜の上に酸化物半導体層を形成することと、
前記酸化物半導体層と各々接続されると共に、互いに離間して隣り合うようにソース電極およびドレイン電極を形成することと、
前記ソース電極および前記ドレイン電極を覆うと共に前記ソース電極と前記ドレイン電極との隙間に充填され、かつ、シリコン化合物を含む材料を用いて第1の保護膜を形成することと、
前記第1の保護膜を覆うように、金属化合物を含む材料を用いて第2の保護膜を形成することと、
前記第2の保護膜上の、前記ソース電極と前記ドレイン電極との隙間と重複する領域を覆うように金属層を形成することと
を含む薄膜トランジスタの製造方法。
(1)
ゲート電極と、
前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の上に設けられた酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と各々接続されると共に、互いに離間して隣り合うように設けられたソース電極およびドレイン電極と、
前記ソース電極および前記ドレイン電極を覆うと共に前記ソース電極と前記ドレイン電極との隙間に充填され、かつ、シリコン(Si)化合物を含む材料からなる第1の保護膜と、
前記第1の保護膜を覆うと共に金属化合物を含む材料からなる第2の保護膜と、
前記第2の保護膜上の、前記ソース電極と前記ドレイン電極との隙間と重複する領域を覆う金属層と
を有する薄膜トランジスタ。
(2)
前記シリコン化合物を含む材料は、シリコン酸化物、シリコン窒化物またはシリコン酸窒化物であり、
前記金属化合物は、アルミニウム(Al)およびチタン(Ti)のうちの少なくとも一方を含む酸化物、窒化物または酸窒化物である
上記(1)記載の薄膜トランジスタ。
(3)
前記酸化物半導体層は、亜鉛(Zn),インジウム(In),ガリウム(Ga),ジルコニウム(Zr)および錫(Sn)のうちの少なくとも1つの元素を含む酸化物を有する
上記(1)または(2)に記載の薄膜トランジスタ。
(4)
前記第2の保護膜は、前記ソース電極と重複する領域、前記ドレイン電極と重複する領域、および前記ソース電極と前記ドレイン電極との隙間と重複する領域の全てを一体に覆うように形成されている
上記(1)から(3)のいずれか1つに記載の薄膜トランジスタ。
(5)
前記第1の保護膜は気相成長法により形成されたものであり、
前記第2の保護膜はスパッタ成膜法により形成されたものである
上記(1)から(4)のいずれか1つに記載の薄膜トランジスタ。
(6)
前記酸化物半導体層上の、前記ソース電極と前記ドレイン電極との隙間に対応する領域を覆う第3の保護層をさらに有する
上記(1)から(5)のいずれか1つに記載の薄膜トランジスタ。
(7)
前記ソース電極および前記ドレイン電極は、
モリブデン(Mo)を含む一以上の第1の金属膜と、アルミニウム(Al)を含む一以上の第2の金属膜とが積層された多層構造を有する
上記(1)から(6)のいずれか1つに記載の薄膜トランジスタ。
(8)
前記金属層は、
モリブデン(Mo)を含む一以上の第1の金属膜と、アルミニウム(Al)を含む一以上の第2の金属膜とが積層された多層構造を有する
上記(1)から(7)のいずれか1つに記載の薄膜トランジスタ。
(9)
薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタにより駆動される表示素子と
を備え、
前記薄膜トランジスタは、
ゲート電極と、
前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の上に設けられた酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と各々接続されると共に、互いに離間して隣り合うように設けられたソース電極およびドレイン電極と、
前記ソース電極および前記ドレイン電極を覆うと共に前記ソース電極と前記ドレイン電極との隙間に充填され、かつ、シリコン(Si)化合物を含む材料からなる第1の保護膜と、
前記第1の保護膜を覆うと共に金属化合物を含む材料からなる第2の保護膜と、
前記第2の保護膜上の、前記ソース電極と前記ドレイン電極との隙間と重複する領域を覆う金属層と
を有する表示装置。
(10)
薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタにより駆動される表示素子とを有する表示装置を備え、
前記薄膜トランジスタは、
ゲート電極と、
前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の上に設けられた酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と各々接続されると共に、互いに離間して隣り合うように設けられたソース電極およびドレイン電極と、
前記ソース電極および前記ドレイン電極を覆うと共に前記ソース電極と前記ドレイン電極との隙間に充填され、かつ、シリコン化合物を含む材料からなる第1の保護膜と、
前記第1の保護膜を覆うと共に金属化合物を含む材料からなる第2の保護膜と、
前記第2の保護膜上の、前記ソース電極と前記ドレイン電極との隙間と重複する領域を覆う金属層と
を有する電子機器。
(11)
基板上にゲート電極を形成することと、
前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜を形成することと、
前記ゲート絶縁膜の上に酸化物半導体層を形成することと、
前記酸化物半導体層と各々接続されると共に、互いに離間して隣り合うようにソース電極およびドレイン電極を形成することと、
前記ソース電極および前記ドレイン電極を覆うと共に前記ソース電極と前記ドレイン電極との隙間に充填され、かつ、シリコン化合物を含む材料を用いて第1の保護膜を形成することと、
前記第1の保護膜を覆うように、金属化合物を含む材料を用いて第2の保護膜を形成することと、
前記第2の保護膜上の、前記ソース電極と前記ドレイン電極との隙間と重複する領域を覆うように金属層を形成することと
を含む薄膜トランジスタの製造方法。
1,1A,2…TFT、11,21…基板、12,22…ゲート電極、13,23…ゲート絶縁膜、14,24…酸化物半導体層、16…チャネル保護膜、17S,27S…ソース電極、17D,27D…ドレイン電極、18,28…第1の保護膜、19,29…第2の保護膜、20,30…金属層、50…表示領域。
Claims (11)
- ゲート電極と、
前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の上に設けられた酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と各々接続されると共に、互いに離間して隣り合うように設けられたソース電極およびドレイン電極と、
前記ソース電極および前記ドレイン電極を覆うと共に前記ソース電極と前記ドレイン電極との隙間に充填され、かつ、シリコン(Si)化合物を含む材料からなる第1の保護膜と、
前記第1の保護膜を覆うと共に金属化合物を含む材料からなる第2の保護膜と、
前記第2の保護膜上の、前記ソース電極と前記ドレイン電極との隙間と重複する領域を覆う金属層と
を有する薄膜トランジスタ。 - 前記シリコン化合物を含む材料は、シリコン酸化物、シリコン窒化物またはシリコン酸窒化物であり、
前記金属化合物は、アルミニウム(Al)およびチタン(Ti)のうちの少なくとも一方を含む酸化物、窒化物または酸窒化物である
請求項1記載の薄膜トランジスタ。 - 前記酸化物半導体層は、亜鉛(Zn),インジウム(In),ガリウム(Ga),ジルコニウム(Zr)および錫(Sn)のうちの少なくとも1つの元素を含む酸化物を有する
請求項1記載の薄膜トランジスタ。 - 前記第2の保護膜は、前記ソース電極と重複する領域、前記ドレイン電極と重複する領域、および前記ソース電極と前記ドレイン電極との隙間と重複する領域の全てを一体に覆うように形成されている
請求項1記載の薄膜トランジスタ。 - 前記第1の保護膜は気相成長法により形成されたものであり、
前記第2の保護膜はスパッタ成膜法により形成されたものである
請求項1記載の薄膜トランジスタ。 - 前記酸化物半導体層上の、前記ソース電極と前記ドレイン電極との隙間に対応する領域を覆う第3の保護層をさらに有する
請求項1記載の薄膜トランジスタ。 - 前記ソース電極および前記ドレイン電極は、
モリブデン(Mo)を含む一以上の第1の金属膜と、アルミニウム(Al)を含む一以上の第2の金属膜とが積層された多層構造を有する
請求項1記載の薄膜トランジスタ。 - 前記金属層は、
モリブデン(Mo)を含む一以上の第1の金属膜と、アルミニウム(Al)を含む一以上の第2の金属膜とが積層された多層構造を有する
請求項1記載の薄膜トランジスタ。 - 薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタにより駆動される表示素子と
を備え、
前記薄膜トランジスタは、
ゲート電極と、
前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の上に設けられた酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と各々接続されると共に、互いに離間して隣り合うように設けられたソース電極およびドレイン電極と、
前記ソース電極および前記ドレイン電極を覆うと共に前記ソース電極と前記ドレイン電極との隙間に充填され、かつ、シリコン(Si)化合物を含む材料からなる第1の保護膜と、
前記第1の保護膜を覆うと共に金属化合物を含む材料からなる第2の保護膜と、
前記第2の保護膜上の、前記ソース電極と前記ドレイン電極との隙間と重複する領域を覆う金属層と
を有する表示装置。 - 薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタにより駆動される表示素子とを有する表示装置を備え、
前記薄膜トランジスタは、
ゲート電極と、
前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の上に設けられた酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と各々接続されると共に、互いに離間して隣り合うように設けられたソース電極およびドレイン電極と、
前記ソース電極および前記ドレイン電極を覆うと共に前記ソース電極と前記ドレイン電極との隙間に充填され、かつ、シリコン化合物を含む材料からなる第1の保護膜と、
前記第1の保護膜を覆うと共に金属化合物を含む材料からなる第2の保護膜と、
前記第2の保護膜上の、前記ソース電極と前記ドレイン電極との隙間と重複する領域を覆う金属層と
を有する電子機器。 - 基板上にゲート電極を形成することと、
前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜を形成することと、
前記ゲート絶縁膜の上に酸化物半導体層を形成することと、
前記酸化物半導体層と各々接続されると共に、互いに離間して隣り合うようにソース電極およびドレイン電極を形成することと、
前記ソース電極および前記ドレイン電極を覆うと共に前記ソース電極と前記ドレイン電極との隙間に充填され、かつ、シリコン化合物を含む材料を用いて第1の保護膜を形成することと、
前記第1の保護膜を覆うように、金属化合物を含む材料を用いて第2の保護膜を形成することと、
前記第2の保護膜上の、前記ソース電極と前記ドレイン電極との隙間と重複する領域を覆うように金属層を形成することと
を含む薄膜トランジスタの製造方法。
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