CN113985667B - 阵列基板及其制备方法、液晶显示面板 - Google Patents
阵列基板及其制备方法、液晶显示面板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113985667B CN113985667B CN202111189227.1A CN202111189227A CN113985667B CN 113985667 B CN113985667 B CN 113985667B CN 202111189227 A CN202111189227 A CN 202111189227A CN 113985667 B CN113985667 B CN 113985667B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- layer
- insulating layer
- interface protection
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 124
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 19
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 89
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 89
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 71
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 67
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 60
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 60
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 23
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 11
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 38
- 230000035515 penetration Effects 0.000 abstract description 24
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 294
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 41
- 239000010408 film Substances 0.000 description 38
- 230000008569 process Effects 0.000 description 31
- -1 hydrogen radicals Chemical class 0.000 description 22
- QYKABQMBXCBINA-UHFFFAOYSA-N 4-(oxan-2-yloxy)benzaldehyde Chemical compound C1=CC(C=O)=CC=C1OC1OCCCC1 QYKABQMBXCBINA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 18
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 15
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 11
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 10
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 10
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 10
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 9
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 6
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 229910052990 silicon hydride Inorganic materials 0.000 description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134372—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for fringe field switching [FFS] where the common electrode is not patterned
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133345—Insulating layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
- H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/127—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
- G02F2201/121—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode common or background
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/50—Protective arrangements
- G02F2201/501—Blocking layers, e.g. against migration of ions
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Geometry (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
本申请公开了一种阵列基板及其制备方法、液晶显示面板，所述阵列基板包括基底、透明氧化物电极、界面保护层以及第一绝缘层；所述透明氧化物电极设置在所述基底的一侧；所述界面保护层设置在所述透明氧化物电极背离所述基底的一侧；所述第一绝缘层设置在所述界面保护层上。本申请提高了阵列基板中透明电极与绝缘层接触界面的平整度，从而提高了透明电极的穿透率。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法、液晶显示面板。
背景技术
在边缘场开关型(Fringe-Field Switching，FFS)液晶显示面板中，阵列基板中通常使用透明电极如ITO电极作为公共电极或像素电极。当采用化学气相沉积工艺在透明电极上沉积绝缘层如氮化硅膜层时，腔室内的含氢气体会与透明电极的界面接触并发生化学反应，导致最终形成的氮化硅膜层表面产生微观上的鼓包现象，降低了绝缘层与透明电极接触界面的平整度，进而降低了透明电极的穿透率。
发明内容
本申请实施例提供一种阵列基板及其制备方法、液晶显示面板，以提高阵列基板中透明电极与绝缘层接触界面的平整度，提高透明电极的穿透率。
本申请实施例提供一种阵列基板，其包括：
基底；
透明氧化物电极，设置在所述基底的一侧；
界面保护层，设置在所述透明氧化物电极背离所述基底的一侧；以及
第一绝缘层，设置在所述界面保护层背离所述透明氧化物电极的一侧。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述界面保护层中的氢含量小于所述第一绝缘层中的氢含量。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述界面保护层的材料包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化锡、氧化铝、氧化钛或氧化钇中的至少一种。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述透明氧化物电极的材料包括含铟氧化物，所述第一绝缘层的材料包括氮化硅。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述界面保护层的厚度小于所述第一绝缘层的厚度。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述界面保护层的厚度为50埃-500埃。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述透明氧化物电极为公共电极。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述阵列基板还包括：
栅极，所述栅极包括层叠设置的第一子栅极和第二子栅极，所述第一子栅极与所述公共电极同层且间隔设置，所述第二子栅极设置在所述第一子栅电极与所述界面保护层之间；
有源层，设置在所述第一绝缘层背离所述界面保护层的一侧；
源极和漏极，设置在所述有源层背离所述第一绝缘层的一侧；
钝化层，设置在所述漏极背离所述有源层的一侧，所述钝化层中开设有过孔，所述过孔裸露出所述漏极；以及
像素电极，设置在所述钝化层背离所述漏极的一侧，所述像素电极通过所述过孔与所述漏极连接。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述界面保护层、所述公共电极以及所述栅极采用一道光罩制成。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述阵列基板还包括：
栅极，设置在所述基底上；
栅极绝缘层，设置在所述栅极背离所述基底的一侧；
有源层，设置在所述栅极绝缘层背离所述栅极的一侧；
源极和漏极，设置在所述有源层背离所述栅极绝缘层的一侧；
第二绝缘层，设置在所述源极和所述漏极背离所述有源层的一侧，所述公共电极位于所述第二绝缘层背离所述基底的一侧；以及
像素电极，设置在所述第一绝缘层背离所述界面保护层的一侧，所述阵列基板中开设有过孔，所述过孔依次贯穿所述第一绝缘层、所述界面保护层以及所述第二绝缘层，并裸露出所述漏极，所述像素电极通过所述过孔与所述漏极连接。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述阵列基板还包括：
栅极，设置在所述基底上；
栅极绝缘层，设置在所述栅极背离所述基底的一侧，所述透明氧化物电极为像素电极，所述像素电极位于所述栅极绝缘层背离所述基底的一侧；
有源层，设置在所述栅极绝缘层背离所述栅极的一侧；
源极和漏极，设置在所述有源层和所述界面保护层之间，所述漏极自所述有源层的端部向背离所述源极的一侧延伸，并与所述像素电极连接；以及
公共电极，设置在所述第一绝缘层背离所述界面保护层的一侧；
其中，所述界面保护层覆盖所述像素电极以及所述有源层位于所述源极和所述漏极之间的部分。
本申请实施例提供一种液晶显示面板，所述液晶显示面板包括彩膜基板、液晶和如前述任一实施例所述的阵列基板，所述液晶位于所述彩膜基板与所述阵列基板之间。
本申请实施例还提供一种阵列基板的制备方法，其包括以下步骤：
提供一基底；
在所述基底的一侧形成透明氧化物电极；
在所述透明氧化物电极背离所述基底的一侧形成界面保护层；
在所述界面保护层背离所述透明氧化物电极的一侧形成第一绝缘层。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述在所述透明氧化物电极背离所述基底的一侧形成界面保护层的步骤，包括：
在处于具有第一体积流量的含氢气体的气氛中沉积界面保护材料，以形成界面保护层；
所述在所述界面保护层上形成第一绝缘层的步骤，包括：
在处于具有第二体积流量的含氢气体的气氛中沉积氮化硅，以形成第一绝缘层；
其中，所述第一体积流量小于所述第二体积流量。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述含氢气体包括四氢化硅，所述界面保护材料包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅；
在所述在处于具有第一体积流量的含氢气体的气氛中沉积界面保护材料的步骤中，所述四氢化硅的体积流量处于50mL/min至2000mL/min的范围内；
在所述在处于具有第二体积流量的含氢气体的气氛中沉积氮化硅的步骤中，所述四氢化硅的体积流量大于2000mL/min。
相较于现有技术中的阵列基板，本申请提供的阵列基板通过在透明氧化物电极和第一绝缘层之间设置界面保护层，由于界面保护层对透明氧化物电极具有保护作用，使得在形成第一绝缘层的工艺过程中，能够防止腔室内的含氢气体与透明氧化物电极直接接触而发生反应，进而避免第一绝缘层表面产生鼓包现象，能够提高第一绝缘层与透明氧化物电极接触界面的平整度，从而提高透明氧化物电极的穿透率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请第一实施例提供的阵列基板的结构示意图。
图2是本申请第二实施例提供的阵列基板的结构示意图。
图3是本申请第三实施例提供的阵列基板的结构示意图。
图4是本申请第四实施例提供的阵列基板的结构示意图。
图5是本申请实施例提供的阵列基板的制备方法的流程示意图。
图6是本申请实施例提供的液晶显示面板的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
本申请实施例提供一种阵列基板及其制备方法、液晶显示面板。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
本申请提供一种阵列基板，其包括基底、透明氧化物电极、界面保护层以及第一绝缘层；透明氧化物电极设置在基底的一侧；界面保护层设置在透明氧化物电极背离基底的一侧；第一绝缘层设置在界面保护层背离透明氧化物电极的一侧。
由此，本申请提供的阵列基板通过在透明氧化物电极和第一绝缘层之间设置界面保护层，由于界面保护层对透明氧化物电极具有保护作用，使得在形成第一绝缘层的工艺过程中，能够防止腔室内的含氢气体与透明氧化物电极直接接触而发生反应，进而避免第一绝缘层表面产生鼓包现象，能够提高第一绝缘层与透明氧化物电极接触界面的平整度，从而提高透明氧化物电极的穿透率。
请参照图1，本申请第一实施例提供一种阵列基板100。阵列基板100包括基底10、透明氧化物电极11、界面保护层12以及第一绝缘层13。透明氧化物电极11设置在基底10的一侧。界面保护层12设置在透明氧化物电极11背离基底10的一侧。第一绝缘层13设置在界面保护层12背离透明氧化物电极11的一侧。
基底10可以为硬质基板，如可以为玻璃基板；或者，基底10还可以为柔性基板，如可以为聚酰亚胺基板，本申请对基底10的材质不作具体限定。
透明氧化物电极11的材料可以包括含铟氧化物。在本实施例中，透明氧化物电极11的材料为含铟氧化物。在一些实施例中，透明氧化物电极11的材料还可以包括其他材料，在此不再赘述。
具体的，所述含铟氧化物可以为ITO或IZO。在本实施例中，所述含铟氧化物为ITO。需要说明的是，在一些实施例中，所述含铟氧化物还可以为其他存在析出风险的透明氧化物，在此不再赘述。
在本实施例中，第一绝缘层13的材料包括氮化硅，可以采用化学气相沉积工艺形成第一绝缘层13。
本申请的发明人在大量实验探究中发现，当采用化学气相沉积工艺在ITO电极上形成氮化硅膜层时，由于沉积工艺在封闭腔室内进行，为了保证氮化硅膜层的介电性能及阻隔水氧的性能，通常需要在较高体积流量的含氢气体如四氢化硅、氨气中沉积氮化硅，以形成致密的氮化硅膜层。然而，在上述高体积流量的含氢气体所处的气氛中，腔室内存在的游离电子会和含氢气体碰撞而产生大量的氢自由基，由于氢自由基具有较强的还原性，因此，在ITO电极的界面，氢自由基会与ITO电极表面的In3+接触而发生化学反应，使得In3+被还原为In，使得ITO电极表面有部分In析出。一方面，In的析出会使得光透过ITO电极时易发生散射及反射现象，进而降低ITO电极本身的穿透率；另一方面，In的析出导致在ITO电极表面形成的氮化硅膜层发生鼓包现象，氮化硅膜层和ITO电极的接触界面变得不平整，同样会降低ITO电极的穿透率。
因此，本实施例通过在透明氧化物电极11和第一绝缘层13之间设置一层界面保护层12，在形成第一绝缘层13的过程中，由于沉积工艺是直接在界面保护层12上进行的，因此，腔室内的含氢气体并不会与透明氧化物电极11直接接触，进而可以避免氢自由基与透明氧化物电极11表面的In3+发生化学反应，以避免透明氧化物电极11表面析出In，从而能够提高第一绝缘层13和透明氧化物电极11接触界面的平整度，以提高透明氧化物电极11的穿透率。
在本实施例中，可以采用化学气相沉积工艺形成界面保护层12。界面保护层12中的氢含量小于第一绝缘层13中的氢含量。当采用化学气相沉积工艺形成界面保护层12时，若腔室内所用气体包括含氢气体，最终形成的界面保护层12中也会含有少量氢。本实施例通过使界面保护层12中的氢含量小于第一绝缘层13中的氢含量，可以降低透明氧化物电极11表面的In3+被界面保护层12表面的氢还原的几率，从而能够进一步降低透明氧化物电极11表面In的析出几率。
具体的，界面保护层12的材料可以包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化锡、氧化铝、氧化钛或氧化钇中的至少一种。
可选的，界面保护层12的材料包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。当选用上述三种材料时，能够在现有设备的基础上形成界面保护层12，无需额外增加仪器设备及生产工序，有利于节省工艺制造成本。
在本实施例中，界面保护层12的材料可以为氮化硅。由于氮化硅的成膜工艺简单，因此，选用氮化硅为界面保护层12的材料能够节省工艺制造成本。由于界面保护层12中的氢含量小于第一绝缘层13中的氢含量。因此，在本实施例中，相较于第一绝缘层13的制备工艺，界面保护层12的制备工艺的区别之处在于：在沉积过程中，通过降低腔室内的含氢气体的体积流量来形成具有较低氢含量的界面保护层12。具体的，以腔室内的含氢气体包括四氢化硅为例，在第一绝缘层13的制备过程中，腔室内四氢化硅的体积流量大于2000mL/min；在界面保护层12的制备过程中，腔室内四氢化硅的体积流量处于50mL/min至2000mL/min的范围内。其中，在50mL/min至2000mL/min的低体积流量范围内，腔室内产生的氢自由基会优先与SiNx结合形成SiNx:H，剩下的氢自由基浓度不足以使In3+从ITO晶格析出并集聚产生出宏观可见的可以降低膜层穿透率的金属In颗粒，因此，在上述体积流量范围内形成界面保护层12，透明氧化物电极11的穿透率并不会受到影响。需要说明的是，含氢气体的具体体积流量需要结合沉积设备进行调整，本申请对此不作限制。
在一些实施例中，界面保护层12的材料可以包括氧化锡、氧化铝、氧化钛或氧化钇等金属氧化物。在降低透明氧化物电极11表面In的析出几率的同时，一方面，由于上述金属氧化物具有良好的稳定性，能够隔绝外界离子，避免因外界离子侵入而影响界面保护层12的膜层性能；另一方面，上述金属氧化物的能带较宽，一般的低电压无法击穿，即具有高介电性，能够有效避免通电时界面保护层12与附近的导电膜层击穿而导通。
进一步的，界面保护层12的厚度小于第一绝缘层13的厚度。上述设置能够避免因界面保护层12的厚度过大而出现应力集中现象，从而能够提高阵列基板100的性能。具体的，界面保护层12的厚度可以为50埃-500埃，如可以为50埃、100埃、150埃、200埃、250埃、300埃、350埃、400埃、450埃或500埃。需要说明的是，界面保护层12的具体厚度可以根据实际情况进行设定，本申请对此不作限定。
结合图1，在本实施例中，透明氧化物电极11为公共电极。第一绝缘层13为栅极绝缘层。阵列基板100还包括栅极14、有源层15、源极16a、漏极16b、钝化层17以及像素电极18。
栅极14包括层叠设置的第一子栅极141和第二子栅极142。第一子栅极141与公共电极11同层且间隔设置。第一子栅极141和公共电极11采用同一道光罩制备得到。第二子栅极142设置在第一子栅极141与界面保护层12之间。第二子栅极142的材料可以为铜、铝、钼和钛中的一种或多种。
有源层15设置在第一绝缘层13背离界面保护层12的一侧。有源层15的材料可以为氧化物半导体材料，如可以为铟镓锌氧化物。
源极16a和漏极16b设置在有源层15背离第一绝缘层13的一侧。源极16a和漏极16b的材料可以为铜、铝、钼和钛中的一种或多种。
钝化层17设置在漏极16b背离有源层15的一侧。钝化层17中开设有过孔171。过孔171裸露出漏极16b。其中，钝化层17的材料可以为氮化硅。
像素电极18设置在钝化层17背离漏极16b的一侧。像素电极18通过过孔171与漏极16b连接。其中，像素电极18的材料可以为ITO。
请参照图2，本申请第二实施例提供一种阵列基板100。本申请第二实施例提供的阵列基板100与第一实施例的不同之处在于：界面保护层12、公共电极11以及栅极14采用一道光罩制成。
其中，界面保护层12包括第一保护部121和第二保护部122。第一保护部121和第二保护部122间隔设置。第一保护部121覆盖公共电极11。第二保护部122覆盖栅极14。具体的，第一保护部121的侧面与公共电极11的侧面齐平。第二保护部122的侧面与第二子栅极142的侧面齐平。
请参照图3，本申请第三实施例提供一种阵列基板200。阵列基板200包括依次设置的基底20、透明氧化物电极21、界面保护层22以及第一绝缘层23。
基底20可以为硬质基板，如可以为玻璃基板；或者，基底20还可以为柔性基板，如可以为聚酰亚胺基板，本申请对基底20的材质不作具体限定。
透明氧化物电极21的材料可以包括含铟氧化物。在本实施例中，透明氧化物电极21的材料为含铟氧化物。在一些实施例中，透明氧化物电极21的材料还可以包括其他材料，在此不再赘述。
具体的，所述含铟氧化物可以为ITO或IZO。在本实施例中，所述含铟氧化物为ITO。需要说明的是，在一些实施例中，所述含铟氧化物还可以为其他存在析出风险的透明氧化物，在此不再赘述。
在本实施例中，第一绝缘层23的材料包括氮化硅，可以采用化学气相沉积工艺形成第一绝缘层23。
本申请的发明人在大量实验探究中发现，当采用化学气相沉积工艺在ITO电极上形成氮化硅膜层时，由于沉积工艺在封闭腔室内进行，为了保证氮化硅膜层的介电性能及阻隔水氧的性能，通常需要在较高体积流量的含氢气体如四氢化硅、氨气中沉积氮化硅，以形成致密的氮化硅膜层。然而，在上述高体积流量的含氢气体所处的气氛中，腔室内存在的游离电子会和含氢气体碰撞而产生大量的氢自由基，由于氢自由基具有较强的还原性，因此，在ITO电极的界面，氢自由基会与ITO电极表面的In3+接触而发生化学反应，使得In3+被还原为In，使得ITO电极表面有部分In析出。一方面，In的析出会使得光透过ITO电极时易发生散射及反射现象，进而降低ITO电极本身的穿透率；另一方面，In的析出导致在ITO电极表面形成的氮化硅膜层发生鼓包现象，氮化硅膜层和ITO电极的接触界面变得不平整，同样会降低ITO电极的穿透率。
因此，本实施例通过在透明氧化物电极21和第一绝缘层23之间设置一层界面保护层22，在形成第一绝缘层23的过程中，由于沉积工艺是直接在界面保护层22上进行的，因此，腔室内的含氢气体并不会与透明氧化物电极21直接接触，进而可以避免氢自由基与透明氧化物电极21表面的In3+发生化学反应，以避免透明氧化物电极21表面析出In，从而能够提高第一绝缘层23和透明氧化物电极21接触界面的平整度，以提高透明氧化物电极21的穿透率。
在本实施例中，可以采用化学气相沉积工艺形成界面保护层22。界面保护层22中的氢含量小于第一绝缘层23中的氢含量。当采用化学气相沉积工艺形成界面保护层22时，若腔室内所用气体包括含氢气体，最终形成的界面保护层22中也会含有少量氢。本实施例通过使界面保护层22中的氢含量小于第一绝缘层23中的氢含量，可以降低透明氧化物电极21表面的In3+被界面保护层22表面的氢还原的几率，从而能够进一步降低透明氧化物电极21表面In的析出几率。
具体的，界面保护层22的材料可以包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化锡、氧化铝、氧化钛或氧化钇中的至少一种。
可选的，界面保护层22的材料包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。当选用上述三种材料时，能够在现有设备的基础上形成界面保护层22，无需额外增加仪器设备及生产工序，有利于节省工艺制造成本。
在本实施例中，界面保护层22的材料可以为氮化硅。由于氮化硅的成膜工艺简单，因此，选用氮化硅为界面保护层22的材料能够节省工艺制造成本。由于界面保护层22中的氢含量小于第一绝缘层23中的氢含量。因此，在本实施例中，相较于第一绝缘层23的制备工艺，界面保护层22的制备工艺的区别之处在于：在沉积过程中，通过降低腔室内的含氢气体的体积流量来形成具有较低氢含量的界面保护层22。具体的，以腔室内的含氢气体包括四氢化硅和氨气为例，在第一绝缘层23的制备过程中，腔室内四氢化硅的体积流量大于2000mL/min；在界面保护层22的制备过程中，腔室内四氢化硅的体积流量处于50mL/min至2000mL/min的范围内。其中，在50mL/min至2000mL/min的低体积流量范围内，腔室内产生的氢自由基会优先与SiNx结合形成SiNx:H，剩下的氢自由基浓度不足以使In3+从ITO晶格析出并集聚产生出宏观可见的可以降低膜层穿透率的金属In颗粒，因此，在上述体积流量范围内形成界面保护层22，透明氧化物电极21的穿透率并不会受到影响。需要说明的是，含氢气体的具体体积流量需要结合沉积设备进行调整，本申请对此不作限制。
在一些实施例中，界面保护层22的材料可以包括氧化锡、氧化铝、氧化钛或氧化钇等金属氧化物。在降低透明氧化物电极21表面In的析出几率的同时，一方面，由于上述金属氧化物具有良好的稳定性，能够隔绝外界离子，避免因外界离子侵入而影响界面保护层22的膜层性能；另一方面，上述金属氧化物的能带较宽，一般的低电压无法击穿，即具有高介电性，能够有效避免通电时界面保护层22与附近的导电膜层击穿而导通。
进一步的，界面保护层22的厚度小于第一绝缘层23的厚度。上述设置能够避免因界面保护层22的厚度过大而出现应力集中现象，从而能够提高阵列基板200的性能。具体的，界面保护层22的厚度可以为50埃-500埃，如可以为50埃、100埃、150埃、200埃、250埃、300埃、350埃、400埃、450埃或500埃。需要说明的是，界面保护层22的具体厚度可以根据实际情况进行设定，本申请对此不作限定。
结合图3，在本实施例中，透明氧化物电极21为公共电极。第一绝缘层23为钝化层。阵列基板200还包括栅极24、栅极绝缘层25、有源层26、源极27a、漏极27b、第二绝缘层28以及像素电极29。
栅极24设置在基底20上。栅极24的材料可以为铜、铝、钼和钛中的一种或多种。
栅极绝缘层25设置在栅极24背离基底20的一侧。栅极绝缘层25的材料可以为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅中的一种或多种。
有源层26设置在栅极绝缘层25背离栅极24的一侧。有源层26的材料可以为氧化物半导体材料，如可以为铟镓锌氧化物。
源极27a和漏极27b设置在有源层26背离栅极绝缘层25的一侧。源极27a和漏极27b的材料可以为铜、铝、钼和钛中的一种或多种。
第二绝缘层28设置在源极27a和漏极27b背离有源层26的一侧。公共电极21位于第二绝缘层28背离基底20的一侧。其中，第二绝缘层28的材料可以为感光性有机树脂。
像素电极29设置在第一绝缘层23背离界面保护层22的一侧。阵列基板200中开设有过孔20A。过孔20A依次贯穿第一绝缘层23、界面保护层22以及第二绝缘层28，并裸露出漏极27b。像素电极29通过过孔20A与漏极27b连接。其中，像素电极29的材料可以为ITO。
请参照图4，本申请第四实施例提供一种阵列基板300。阵列基板300包括依次设置的基底30、透明氧化物电极31、界面保护层32以及第一绝缘层33。
基底30可以为硬质基板，如可以为玻璃基板；或者，基底30还可以为柔性基板，如可以为聚酰亚胺基板，本申请对基底30的材质不作具体限定。
透明氧化物电极31的材料可以包括含铟氧化物。在本实施例中，透明氧化物电极31的材料为含铟氧化物。在一些实施例中，透明氧化物电极31的材料还可以包括其他材料，在此不再赘述。
具体的，所述含铟氧化物可以为ITO或IZO。在本实施例中，所述含铟氧化物为ITO。需要说明的是，在一些实施例中，所述含铟氧化物还可以为其他存在析出风险的透明氧化物，在此不再赘述。
在本实施例中，第一绝缘层33的材料包括氮化硅，可以采用化学气相沉积工艺形成第一绝缘层33。
本申请的发明人在大量实验探究中发现，当采用化学气相沉积工艺在ITO电极上形成氮化硅膜层时，由于沉积工艺在封闭腔室内进行，为了保证氮化硅膜层的介电性能及阻隔水氧的性能，通常需要在较高体积流量的含氢气体如四氢化硅、氨气中沉积氮化硅，以形成致密的氮化硅膜层。然而，在上述高体积流量的含氢气体所处的气氛中，腔室内存在的游离电子会和含氢气体碰撞而产生大量的氢自由基，由于氢自由基具有较强的还原性，因此，在ITO电极的界面，氢自由基会与ITO电极表面的In3+接触而发生化学反应，使得In3+被还原为In，使得ITO电极表面有部分In析出。一方面，In的析出会使得光透过ITO电极时易发生散射及反射现象，进而降低ITO电极本身的穿透率；另一方面，In的析出导致在ITO电极表面形成的氮化硅膜层发生鼓包现象，氮化硅膜层和ITO电极的接触界面变得不平整，同样会降低ITO电极的穿透率。
因此，本实施例通过在透明氧化物电极31和第一绝缘层33之间设置一层界面保护层32，在形成第一绝缘层33的过程中，由于沉积工艺是直接在界面保护层32上进行的，因此，腔室内的含氢气体并不会与透明氧化物电极31直接接触，进而可以避免氢自由基与透明氧化物电极31表面的In3+发生化学反应，以避免透明氧化物电极31表面析出In，从而能够提高第一绝缘层33和透明氧化物电极31接触界面的平整度，以提高透明氧化物电极31的穿透率。
在本实施例中，可以采用化学气相沉积工艺形成界面保护层32。界面保护层32中的氢含量小于第一绝缘层33中的氢含量。当采用化学气相沉积工艺形成界面保护层32时，若腔室内所用气体包括含氢气体，最终形成的界面保护层32中也会含有少量氢。本实施例通过使界面保护层32中的氢含量小于第一绝缘层33中的氢含量，可以降低透明氧化物电极31表面的In3+被界面保护层32表面的氢还原的几率，从而能够进一步降低透明氧化物电极31表面In的析出几率。
具体的，界面保护层32的材料可以包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化锡、氧化铝、氧化钛或氧化钇中的至少一种。
可选的，界面保护层32的材料包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。当选用上述三种材料时，能够在现有设备的基础上形成界面保护层32，无需额外增加仪器设备及生产工序，有利于节省工艺制造成本。
在本实施例中，界面保护层32的材料可以为氮化硅。由于氮化硅的成膜工艺简单，因此，选用氮化硅为界面保护层32的材料能够节省工艺制造成本。由于界面保护层32中的氢含量小于第一绝缘层33中的氢含量。因此，在本实施例中，相较于第一绝缘层33的制备工艺，界面保护层32的制备工艺的区别之处在于：在沉积过程中，通过降低腔室内的含氢气体的体积流量来形成具有较低氢含量的界面保护层32。具体的，以腔室内的含氢气体包括四氢化硅和氨气为例，在第一绝缘层33的制备过程中，腔室内四氢化硅的体积流量大于2000mL/min；在界面保护层32的制备过程中，腔室内四氢化硅的体积流量处于50mL/min至2000mL/min的范围内。其中，在50mL/min至2000mL/min的低体积流量范围内，腔室内产生的氢自由基会优先与SiNx结合形成SiNx:H，剩下的氢自由基浓度不足以使In3+从ITO晶格析出并集聚产生出宏观可见的可以降低膜层穿透率的金属In颗粒，因此，在上述体积流量范围内形成界面保护层32，透明氧化物电极31的穿透率并不会受到影响。需要说明的是，含氢气体的具体体积流量需要结合沉积设备进行调整，本申请对此不作限制。
在一些实施例中，界面保护层32的材料可以包括氧化锡、氧化铝、氧化钛或氧化钇等金属氧化物。在降低透明氧化物电极31表面In的析出几率的同时，一方面，由于上述金属氧化物具有良好的稳定性，能够隔绝外界离子，避免因外界离子侵入而影响界面保护层32的膜层性能；另一方面，上述金属氧化物的能带较宽，一般的低电压无法击穿，即具有高介电性，能够有效避免通电时界面保护层32与附近的导电膜层击穿而导通。
进一步的，界面保护层32的厚度小于第一绝缘层33的厚度。上述设置能够避免因界面保护层32的厚度过大而出现应力集中现象，从而能够提高阵列基板300的性能。具体的，界面保护层32的厚度可以为50埃-500埃，如可以为50埃、100埃、150埃、200埃、250埃、300埃、350埃、400埃、450埃或500埃。需要说明的是，界面保护层32的具体厚度可以根据实际情况进行设定，本申请对此不作限定。
结合图4，在本实施例中，透明氧化物电极31为像素电极。第一绝缘层33为钝化层。阵列基板300还包括栅极34、栅极绝缘层35、有源层36、源极37a、漏极37b以及公共电极38。
栅极34设置在基底30上。栅极34的材料可以为铜、铝、钼和钛中的一种或多种。
栅极绝缘层35设置在栅极34背离基底30的一侧。像素电极31位于栅极绝缘层35背离基底30的一侧。栅极绝缘层35的材料可以为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅中的一种或多种。
有源层36设置在栅极绝缘层35背离栅极34的一侧。有源层36的材料可以为氧化物半导体材料，如可以为铟镓锌氧化物。
在本实施例中，界面保护层32覆盖像素电极31以及有源层36位于源极37a和漏极37b之间的部分。由于界面保护层32中的氢含量小于第一绝缘层33中的氢含量，因此，本实施例中的界面保护层32在提高像素电极31的穿透率的同时，避免了第一绝缘层33与有源层36直接接触，进而降低了氢向有源层36扩散的几率，从而能够提高薄膜晶体管的电学性能。
源极37a和漏极37b设置在有源层36和界面保护层32之间。漏极37b自有源层36的端部向背离源极37a的一侧延伸，并与像素电极31连接。源极37a和漏极37b的材料可以为铜、铝、钼和钛中的一种或多种。
公共电极38设置在第一绝缘层33背离界面保护层32的一侧。其中，公共电极38的材料可以为ITO。
请参照图5，本申请实施例还提供一种阵列基板的制备方法，其包括以下步骤：
B1：提供一基底；
B2：在基底的一侧形成透明氧化物电极；
B3：在透明氧化物电极背离基底的一侧形成界面保护层；
B4：在界面保护层背离透明氧化物电极的一侧形成第一绝缘层。
本实施例提供的阵列基板的制备方法在形成透明氧化物电极之后，先在透明氧化物电极背离基底的一侧形成一层界面保护层，然后再在界面保护层背离透明氧化物电极的一侧形成第一绝缘层，使得在形成第一绝缘层的工艺过程中，能够防止腔室内的含氢气体与透明氧化物电极直接接触而发生反应，进而可以避免第一绝缘层表面产生鼓包现象，能够提高第一绝缘层与透明氧化物电极接触界面的平整度，从而提高透明氧化物电极的穿透率。
具体的，在步骤B1中，基底可以为硬质基板，如可以为玻璃基板；或者，基底还可以为柔性基板，如可以为聚酰亚胺基板，本申请对基底的材质不作具体限定。
在步骤B2中，透明氧化物电极可以为像素电极或公共电极。透明氧化物电极的材料包括含铟氧化物。具体的，含铟氧化物可以为ITO或IZO。在本实施例中，含铟氧化物为ITO。需要说明的是，透明氧化物电极的制备工艺可以参照现有技术，在此不再赘述。
步骤B3包括：
B31：在处于具有第一体积流量的含氢气体的气氛中沉积界面保护材料，以形成界面保护层。
其中，界面保护材料可以为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化锡、氧化铝、氧化钛或氧化钇中的至少一种。在本实施例中，可以采用化学气相沉积工艺沉积界面保护材料，以形成界面保护层。
可选的，界面保护材料为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。当选用上述三种材料时，能够在现有设备的基础上形成界面保护层，无需额外增加仪器设备及生产工序，有利于节省工艺制造成本。在本实施例中，界面保护材料为氮化硅。由于氮化硅的成膜工艺简单，因此，选用氮化硅为界面保护材料能够进一步节省工艺制造成本。
具体的，在氮化硅的沉积过程中，腔室内包括含氢气体，如四氢化硅和氨气。其中，四氢化硅的体积流量处于50mL/min至2000mL/min的范围内。在上述范围内沉积氮化硅时，腔室内存在的游离电子和四氢化硅碰撞时产生的氢自由基会优先与SiNx结合形成SiNx:H，剩下的氢自由基浓度不足以使In3+从ITO晶格析出并集聚产生出宏观可见的可以降低膜层穿透率的金属In颗粒，因此，在上述体积流量范围内形成界面保护层，透明氧化物电极的穿透率并不会受到影响。
在一些具体实施方式中，四氢化硅的体积流量可以为50mL/min、100mL/min、200mL/min、500mL/min、800mL/min、1000mL/min、1500mL/min或2000mL/min。需要说明的是，四氢化硅的具体体积流量需要结合沉积设备进行调整，本申请对此不作限制。另外，在氮化硅的沉积过程中，腔室内还可以包括其他气体如氮气等，在此不再赘述。
步骤B4包括：
B41：在处于具有第二体积流量的含氢气体的气氛中沉积氮化硅，以形成第一绝缘层。其中，所述第二体积流量大于所述第一体积流量。
其中，采用化学气相沉积工艺沉积氮化硅，以形成第一绝缘层。在氮化硅的沉积过程中，腔室内包括含氢气体，如四氢化硅和氨气。其中，四氢化硅的体积流量大于2000mL/min。在上述范围内沉积氮化硅时，一方面，由于该沉积工艺在界面保护层上进行，因此，腔室内产生的氢自由基无法与透明氧化物电极表面的In3+直接接触，可以避免氢自由基与透明氧化物电极表面的发生化学反应，以避免透明氧化物电极表面析出In，从而能够提高第一绝缘层和透明氧化物电极接触界面的平整度，以提高透明氧化物电极的穿透率；另一方面，在上述范围内形成的第一绝缘层具有良好的介电性能及水氧阻隔性能，不会影响第一绝缘层本身的特性。
在一些具体实施方式中，四氢化硅的体积流量可以为2000mL/min、2200mL/min、2500mL/min、2800mL/min、3000mL/min、3200mL/min、3500mL/min或4000mL/min。需要说明的是，四氢化硅的具体体积流量需要结合沉积设备进行调整，本申请对此不作限制。另外，在氮化硅的沉积过程中，腔室内还可以包括其他气体如氮气等，在此不再赘述。
在本实施例中，通过步骤B3和步骤B4的制备工艺，所得第一绝缘层中的氢含量大于界面保护层中的氢含量。
需要说明的是，本实施例中的阵列基板还可以包括栅极、有源层、源极、漏极、像素电极/公共电极等膜层以及形成上述膜层的步骤，相关膜层结构可以参照前述任一实施例所述的阵列基板的结构，相关膜层的形成工艺均为现有技术，在此不再赘述。
请参照图6，本申请实施例还提供一种液晶显示面板1000，所述液晶显示面板包括相对设置的阵列基板400和彩膜基板500，以及设置在阵列基板400和彩膜基板500之间的液晶600。
其中，所述阵列基板400可以为前述任一实施例所述的阵列基板，所述阵列基板的具体结构可以参照前述任一实施例的描述，在此不再赘述。所述彩膜基板500和所述液晶600的具体结构均可以参照现有技术，在此不再赘述。
以上对本申请实施例所提供的一种阵列基板及其制备方法、液晶显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (5)
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
基底；
透明氧化物电极，设置在所述基底的一侧，所述透明氧化物电极为公共电极；
界面保护层，设置在所述透明氧化物电极背离所述基底的一侧；以及
第一绝缘层，设置在所述界面保护层背离所述透明氧化物电极的一侧；
栅极，所述栅极包括层叠设置的第一子栅极和第二子栅极，所述第一子栅极与所述公共电极同层且间隔设置，所述第二子栅极设置在所述第一子栅电极与所述界面保护层之间；
有源层，设置在所述第一绝缘层背离所述界面保护层的一侧；
源极和漏极，设置在所述有源层背离所述第一绝缘层的一侧；
钝化层，设置在所述漏极背离所述有源层的一侧，所述钝化层中开设有过孔，所述过孔裸露出所述漏极；以及
像素电极，设置在所述钝化层背离所述漏极的一侧，所述像素电极通过所述过孔与所述漏极连接；
其中，所述界面保护层包括间隔设置的第一保护部和第二保护部，所述第一保护部覆盖所述公共电极，所述第二保护部覆盖所述第二子栅极，所述第一绝缘层覆盖所述第一保护部和所述第二保护部远离所述基底的表面，并与所述基底未被所述第一子栅极和所述公共电极覆盖的部分接触；所述界面保护层的材料为氧化锡、氧化铝、氧化钛或氧化钇，所述第一绝缘层的材料包括氮化硅，所述第一保护部中的氢含量和所述第二保护部中的氢含量均小于所述第一绝缘层中的氢含量，所述界面保护层、所述公共电极、所述第一子栅极以及所述第二子栅极采用同一道光罩制成。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述透明氧化物电极的材料包括含铟氧化物。
3.根据权利要求1至2任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述界面保护层的厚度小于所述第一绝缘层的厚度。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述界面保护层的厚度为50埃-500埃。
5.一种液晶显示面板，其特征在于，所述液晶显示面板包括彩膜基板、液晶和如权利要求1至4任一项所述的阵列基板，所述液晶位于所述彩膜基板与所述阵列基板之间。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111189227.1A CN113985667B (zh) | 2021-10-12 | 2021-10-12 | 阵列基板及其制备方法、液晶显示面板 |
| PCT/CN2021/125462 WO2023060640A1 (zh) | 2021-10-12 | 2021-10-22 | 阵列基板及其制备方法、液晶显示面板 |
| US17/614,593 US20240036422A1 (en) | 2021-10-12 | 2021-10-22 | Array substrate and manufacturing method thereof and liquid crystal panel |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111189227.1A CN113985667B (zh) | 2021-10-12 | 2021-10-12 | 阵列基板及其制备方法、液晶显示面板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113985667A CN113985667A (zh) | 2022-01-28 |
| CN113985667B true CN113985667B (zh) | 2023-08-01 |
Family
ID=79738284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111189227.1A Active CN113985667B (zh) | 2021-10-12 | 2021-10-12 | 阵列基板及其制备方法、液晶显示面板 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20240036422A1 (zh) |
| CN (1) | CN113985667B (zh) |
| WO (1) | WO2023060640A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114497087B (zh) * | 2022-02-22 | 2023-10-03 | 广州华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001311954A (ja) * | 2000-04-28 | 2001-11-09 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置とその製造方法 |
| CN1719320A (zh) * | 2004-07-06 | 2006-01-11 | 株式会社神户制钢所 | 显示器及生产显示器的方法 |
| CN101009248A (zh) * | 2006-01-24 | 2007-08-01 | 财团法人工业技术研究院 | 薄膜晶体管阵列的制造方法及其结构 |
| CN102270644A (zh) * | 2010-06-04 | 2011-12-07 | 三星电子株式会社 | 薄膜晶体管显示面板及其制造方法 |
| CN102723359A (zh) * | 2012-06-13 | 2012-10-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置 |
| CN104934449A (zh) * | 2015-07-16 | 2015-09-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法以及显示装置 |
| JP2016103605A (ja) * | 2014-11-28 | 2016-06-02 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 薄膜トランジスタおよびその製造方法、ならびに表示装置および電子機器 |
| CN111799281A (zh) * | 2020-08-12 | 2020-10-20 | 成都中电熊猫显示科技有限公司 | 金属氧化物阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100891042B1 (ko) * | 2002-08-01 | 2009-03-31 | 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치의 제조방법 |
| KR101772511B1 (ko) * | 2010-06-22 | 2017-08-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판 및 이의 제조 방법 |
| JP5687911B2 (ja) * | 2011-01-25 | 2015-03-25 | 三菱電機株式会社 | 薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法、並びに液晶表示装置 |
| KR20120113430A (ko) * | 2011-04-05 | 2012-10-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 |
| JP5417383B2 (ja) * | 2011-06-13 | 2014-02-12 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| CN102703900B (zh) * | 2011-08-03 | 2014-04-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种沉积薄膜的方法、面板和显示器 |
| KR101988926B1 (ko) * | 2013-01-10 | 2019-06-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판 및 이의 제조 방법 |
| CN103236441B (zh) * | 2013-04-22 | 2015-11-25 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 开关管及其制备方法、显示面板 |
| CN107209429B (zh) * | 2015-02-12 | 2022-10-14 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置 |
| CN104867944B (zh) * | 2015-05-08 | 2018-07-10 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 阵列基板结构及其制作方法 |
| CN104950493B (zh) * | 2015-07-10 | 2018-03-23 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种基板和显示装置 |
| CN105068335A (zh) * | 2015-08-12 | 2015-11-18 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种ffs阵列基板的制造方法 |
| CN105629598B (zh) * | 2016-03-11 | 2018-12-11 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Ffs模式的阵列基板及制作方法 |
| KR102606508B1 (ko) * | 2017-12-04 | 2023-11-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 |
| CN108598093B (zh) * | 2018-05-24 | 2021-01-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板的制造方法、阵列基板和显示面板 |
| CN111403425B (zh) * | 2020-03-31 | 2023-04-14 | 成都京东方显示科技有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示面板 |
| CN112397573B (zh) * | 2020-11-17 | 2023-06-27 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示面板 |
-
2021
- 2021-10-12 CN CN202111189227.1A patent/CN113985667B/zh active Active
- 2021-10-22 US US17/614,593 patent/US20240036422A1/en active Pending
- 2021-10-22 WO PCT/CN2021/125462 patent/WO2023060640A1/zh active Application Filing
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001311954A (ja) * | 2000-04-28 | 2001-11-09 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置とその製造方法 |
| CN1719320A (zh) * | 2004-07-06 | 2006-01-11 | 株式会社神户制钢所 | 显示器及生产显示器的方法 |
| CN101009248A (zh) * | 2006-01-24 | 2007-08-01 | 财团法人工业技术研究院 | 薄膜晶体管阵列的制造方法及其结构 |
| CN102270644A (zh) * | 2010-06-04 | 2011-12-07 | 三星电子株式会社 | 薄膜晶体管显示面板及其制造方法 |
| CN102723359A (zh) * | 2012-06-13 | 2012-10-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置 |
| JP2016103605A (ja) * | 2014-11-28 | 2016-06-02 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 薄膜トランジスタおよびその製造方法、ならびに表示装置および電子機器 |
| CN104934449A (zh) * | 2015-07-16 | 2015-09-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法以及显示装置 |
| CN111799281A (zh) * | 2020-08-12 | 2020-10-20 | 成都中电熊猫显示科技有限公司 | 金属氧化物阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2023060640A1 (zh) | 2023-04-20 |
| CN113985667A (zh) | 2022-01-28 |
| US20240036422A1 (en) | 2024-02-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109300917B (zh) | 一种阵列基板及其制备方法、显示面板 | |
| US10283644B2 (en) | Thin film transistor having stable threshold voltage and less parasitic capacitance, and display device using the same | |
| US20230095169A1 (en) | Thin film transistor substrate, manufacturing method thereof, and display panel | |
| US9337346B2 (en) | Array substrate and method of fabricating the same | |
| CN111446295A (zh) | 薄膜晶体管、阵列基板及显示面板 | |
| CN108646487B (zh) | Ffs型阵列基板的制作方法及ffs型阵列基板 | |
| CN109638078A (zh) | Tft的制备方法、tft、oled背板和显示装置 | |
| CN113985667B (zh) | 阵列基板及其制备方法、液晶显示面板 | |
| CN111900195B (zh) | 显示基板及其制备方法和显示装置 | |
| CN113345837A (zh) | 一种显示面板的制作方法及显示面板 | |
| CN113299559A (zh) | 薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管 | |
| US20210336018A1 (en) | Thin film transistor substrate and method of fabricating same | |
| CN107452748B (zh) | 元件基板以及显示装置 | |
| KR20150026322A (ko) | 표시 기판 및 표시 기판의 제조 방법 | |
| KR20140104792A (ko) | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
| WO2022148260A1 (zh) | 薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示面板 | |
| US20220254933A1 (en) | Active device substrate and fabrication method of active device substrate | |
| WO2023240718A1 (zh) | 显示面板及其制备方法、显示装置 | |
| CN109192668A (zh) | 薄膜晶体管及其制造方法、显示面板 | |
| US20240136360A1 (en) | Array substrate, manufacturing method thereof, and display panel | |
| CN112002706B (zh) | 显示面板及其制作方法 | |
| CN114530413B (zh) | 阵列基板及其制作方法 | |
| US20240072068A1 (en) | Array substrate, manufacturing method thereof, and display panel | |
| EP4345910A1 (en) | Metal oxide thin-film transistor and manufacturing method therefor, display panel and display apparatus | |
| KR20230164645A (ko) | 디스플레이 패널 및 디스플레이 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |