CN105098099A - 有机发光二极管封装方法和封装结构及具有该结构的器件 - Google Patents

有机发光二极管封装方法和封装结构及具有该结构的器件 Download PDF

Info

Publication number
CN105098099A
CN105098099A CN201510333965.7A CN201510333965A CN105098099A CN 105098099 A CN105098099 A CN 105098099A CN 201510333965 A CN201510333965 A CN 201510333965A CN 105098099 A CN105098099 A CN 105098099A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
emitting diode
organic light
transparency carrier
edge
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201510333965.7A
Other languages
English (en)
Inventor
罗程远
王俊然
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201510333965.7A priority Critical patent/CN105098099A/zh
Priority to US15/121,889 priority patent/US9960384B2/en
Priority to PCT/CN2015/091922 priority patent/WO2016201831A1/zh
Publication of CN105098099A publication Critical patent/CN105098099A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/846—Passivation; Containers; Encapsulations comprising getter material or desiccants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023—Direction of light emission
    • H10K2102/3026—Top emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明公开了一种有机发光二极管的封装方法，包括：设置第一基板，所述第一基板由金属箔制成；在第一基板上设置有机发光二极管；设置钝化层，用于覆盖所述有机发光二极管；在整个所述第一基板上涂覆封装胶，所述封装胶覆盖所述钝化层；至少在所述封装胶的覆盖所述钝化层的部分上设置第二透明基板；和固化封装胶，形成所述有机发光二极管封装。本发明还公开了一种有机发光二极管的封装结构和具有所述封装结构的有机发光二极管器件。

Description

有机发光二极管封装方法和封装结构及具有该结构的器件
技术领域
本发明涉及电子元器件领域，尤其涉及一种有机发光二极管封装方法和封装结构以及具有所述封装结构的有机发光二极管器件。
背景技术
有机发光二极管(OLED)是近年来逐渐受到关注的显示照明器件，它的能够实现柔性显示的特点尤其受到人们的青睐。但是，由于OLED器件在水汽和氧气的作用下，会因腐蚀而被损坏，因此目前OLED器件需要封装结构的保护。另一方面，要实现OLED的柔性化，就要求使用柔性基板代替传统的玻璃基板。目前采用的柔性基板主要包括：超薄玻璃、金属箔、塑料薄膜等。其中，因为塑料薄膜具有易处理和表面平整的特性，因此在目前的研究阶段被较多地使用。但是塑料薄膜对水和氧的阻隔性较低，因此作为柔性基板使用时必须在电路下面增加阻隔层来阻隔水和氧，以保证器件抗水和氧的能力。金属箔具有较强的阻隔作用，但是不具有透光性，使用时有一定的限制。超薄玻璃具有理想的透光性和高阻隔性，但是比较难以处理。
如图1所示，示出传统的OLED封装结构的示意图，其中在塑料薄膜制成的第一基板1上设置OLED2，在OLED2上设置钝化层3，用于覆盖OLED2，并且在整个第一基板1上涂覆封装胶4，封装胶4覆盖钝化层3；进一步地，在封装胶4上设置第二透明基板5。在该结构中，OLED器件采用底发射结构，通过塑料薄膜制成的第一基板1出光，然而顶发射结构由于其高开口率以及对于微腔效应的利用，而更加受到关注，被期待用于OLED器件中。此外，虽然在该结构中采用封装胶对OLED进行保护，然而，水和氧仍然会通过封装胶渗入OLED封装结构内部，从而对OLED造成损害。
由此，期望实现一种柔性OLED，其中能够对基板的使用和结构进行优化，从而提供更好的封装效果，制造使用寿命更长的OLED器件。
发明内容
为了解决或至少部分缓解以上所述的技术问题，本发明提供了一种有机发光二极管(OLED)封装方法和封装结构以及具有所述封装结构的有机发光二极管器件，其能够实现更好的封装效果、形成更大的发光区域、增强对水和氧的阻隔性，从而延长有机发光二极管器件的使用寿命。
根据本发明第一方面，提供了一种有机发光二极管的封装方法，包括：设置第一基板，所述第一基板由金属箔制成；在第一基板上设置有机发光二极管；设置钝化层，用于覆盖所述有机发光二极管；在整个所述第一基板上涂覆封装胶，所述封装胶覆盖所述钝化层；至少在所述封装胶的覆盖所述钝化层的部分上设置第二透明基板；和固化封装胶，形成所述有机发光二极管的封装。
根据本发明第二方面，还提供了一种有机发光二极管封装结构，包括：金属箔制成的第一基板；设置在所述第一基板上的有机发光二极管；覆盖所述有机发光二极管的钝化层；设置在整个所述第一基板上的封装胶，所述封装胶覆盖所述钝化层；和第二透明基板，所述第二透明基板至少设置在所述封装胶的覆盖所述钝化层的部分上。
根据本发明第三方面，还提供了一种有机发光二极管器件，包括如上所述的有机发光二极管封装结构。
附图说明
图1是传统的有机发光二极管器件的封装结构的示意图；
图2是根据本发明一实施例的有机发光二极管封装结构的示意图；
图3是根据本发明另一实施例的有机发光二极管封装结构的示意图；
图4是根据本发明还一实施例的有机发光二极管封装结构的示图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
另外，在下面的详细描述中，为便于解释，阐述了许多具体的细节以提供对所披露实施例的全面理解。然而明显地，一个或多个实施例在没有这些具体细节的情况下也可以被实施。在其他情况下，公知的结构和装置以图示的方式体现以简化附图。
如图2所示，根据本发明一实施例的有机发光二极管封装结构10包括：金属箔制成的第一基板11；设置在第一基板11上的有机发光二极管(OLED)12；覆盖有机发光二极管的钝化层13；设置在整个第一基板11上的封装胶14，封装胶14覆盖钝化层13；和第二透明基板15，第二透明基板15至少设置在封装胶14的覆盖钝化层13的部分上。
在该实施例中，第一基板11由金属箔制成，第二基板15为透明基板，由此形成顶发射结构，并且使用金属箔代替通常使用的塑料薄膜，使得制造得到的柔性OLED封装结构对水和氧的阻隔性更强，从而不要增加额外的阻隔层。第二基板15可以由玻璃、石英、塑料等制成。
在一实施例中，金属箔为具有低的热膨胀系数的不锈钢箔、Invar合金或Kovar合金等。使用热膨胀系数较低的金属箔，可以防止在器件制造过程中加热引起的形变，从而避免在冷却后与其他结构剥离。在一优选实施例中，第一基板11的厚度为50μm-100μm。
如图3所示，在本发明另一实施例中，第二透明基板15的主表面的面积小于第一基板11的主表面的面积，换言之，第二透明基板15比第一基板11小。并且，第一基板11的至少一个边缘连同设置在其上的封装胶14被折叠包覆第二透明基板15的相应的边缘。通过这样的包覆结构，与如图1所示的传统的OLED封装结构相比，延长了水和氧的入侵路径，从而增强了封装效果。应该指出的是，在本文中“基板的主表面”是指基板的长度和宽度所限定的平面。
在一实施例中，如图3所示，第一基板11的被折叠的边缘位于第二透明基板15上且在第二透明基板15的不用作发光区域的区域范围内，封装胶14设置在第一基板11的被折叠的至少一个边缘与第二透明基板15之间。通过这样的结构，一方面，第一基板11的折叠边缘包覆第二透明基板15的边缘，延长了水和氧入侵路径；另一方面，不覆盖第二透明基板15的用作发光区域的部分，由此不会影响出光线路，能够实现顶发射。在一优选实施例中，第一基板11的被折叠的边缘距离第二透明基板15的相应的被包覆的边缘的距离为0mm-1mm。
应该指出的是，第一基板11的至少一个边缘不被折叠，使得OLED封装结构的内部电路能够连接至外部。优选地，第一基板11的相对的两个边缘被折叠、包覆第二透明基板15的相应的两个相对边缘。
在一实施例中，还可以设置平坦层16，如图2和3所示，平坦层16设置在有机发光二极管OLED12与第一基板11之间，用于增加第一基板11的平坦性。平坦层16可以是厚度为0.1μm-1μm的SiNx、SiCN或SiO2薄膜，通过化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)等方式形成，或者可以是厚度为0.5μm-1μm的塑料薄膜，通过热帖或粘结剂帖覆在第一基板11上。平坦层16的面积大于第二透明基板15的用作发光区域的部分的面积，并且小于第二透明基板15的覆盖面积。
如图4所示，在本发明的还一实施例中，可以设置干燥剂或吸水剂17，其可以设置在第二透明基板15的相应的被包覆的边缘处。干燥剂或吸水剂17可以是Ca、Ba、Mg、CaO、BaO中的至少一种。
在一实施例中，封装胶14可以是紫外固化型树脂胶或热固化树脂胶，包括：环氧树脂、丙烯酸环氧丙酯、甲基丙烯酸环氧丙酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸正丁酯、甲基聚丙烯酸6，7-环氧庚酯、甲基丙烯酸-2-羟基乙酯等单体的均聚物或共聚物、三聚氰胺甲醛树脂、不饱和聚酯树脂、有机硅树脂、呋喃树脂等。在一实施例中，钝化层13可以通过化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、原子力沉积(ALD)等方式由SiNx、SiCN、SiO2、SiNO、Al2O3中的一种制成。
在本发明的还一方面中，提供一种有机发光二极管器件，包括如上任一实施例所述的有机发光二极管封装结构。
以下将进一步结合附图2-4，详细描述制造根据本发明上述实施例的有机发光二极管封装结构的封装方法。
根据本发明实施例的OLED的封装方法包括：设置由金属箔制成的第一基板11；在第一基板11上设置有机发光二极管OLED12；设置钝化层13，用于覆盖有机发光二极管OLED12；在整个第一基板11上涂覆封装胶14，封装胶14覆盖钝化层13；在封装胶14的覆盖钝化层13的部分上设置第二透明基板15；和固化封装胶14，形成有机发光二极管的封装。如上所述，这样制造得到的柔性OLED封装结构对水和氧的阻隔性更强，从而不要增加额外的阻隔层。
在一实施例中，第二透明基板15的主表面的面积小于第一基板11的主表面的面积，所述封装方法还包括：在固化封装胶14之前，折叠第一基板11的至少一个边缘以及设置在其上的封装胶14，使其包覆第二透明基板15的相应的边缘，如图3所示。
进一步地，折叠第一基板11的至少一个边缘和设置在其上的封装胶14，使其包覆第二透明基板15的相应的边缘的所述步骤包括：折叠第一基板11的至少一个边缘和设置在其上的封装胶至第二透明基板15上且在第二透明基板15的不用作发光区域的区域范围内，封装胶14设置在第一基板11的被折叠的至少一个边缘与第二透明基板15之间。在一实施例中，第一基板11的被折叠的至少一个边缘距离第二透明基板15的相应的被包覆的边缘的距离为0mm-1mm。
在一实施例中，所述封装方法还包括：在有机发光二极管12与第一基板11之间设置平坦层17。可以通过化学气相沉积、物理气相沉积等方式形成厚度为0.1μm-1μm的由SiNx、SiCN或SiO2薄膜形成的平坦层17，或者可以通过热帖或粘结剂帖覆等方式形成厚度为0.5μm-1μm的由塑料薄膜形成的平坦层17。
以下给出两个根据本发明实施例的OLED封装方法的具体示例。
示例1
设置50μm厚的Invar合金作为第一基板，在其上通过CVD的方式形成0.5μm厚的SiNx薄膜作为平坦层，在平坦层上制作OLED，使用CVD的方式形成1μm厚的SiNx薄膜作为钝化层，其中钝化层覆盖OLED。在第一基板的表面涂布封装胶，覆盖第一基板的全部区域，至少在封装胶的覆盖钝化层的部分上设置塑料薄膜作为第二基板，第二基板的面积小于第一基板的面积。折叠第一基板的边缘从而包覆第二基板，并且露出发光区域，保留第一基板的一个边缘不进行折叠，由此使电路部分能够延伸出至外部。最后，固化封装胶，完成OLED的封装结构。
示例2
设置100μm厚的Kovar合金作为第一基板，在其上加热并均匀帖覆0.5μm厚的塑料薄膜作为平坦层，在平坦层上制作OLED结构，使用原子力沉积(ALD)的方式形成0.5μm厚的Al2O3薄膜作为钝化层，其中钝化层覆盖OLED。在第一基板的表面涂布封装胶，覆盖第一基板的全部区域，至少在封装胶的覆盖钝化层的部分上设置塑料薄膜作为第二基板，第二基板的面积小于第一基板的面积。折叠第一基板的边缘从而包覆第二基板，并且露出发光区域，保留第一基板的一个边缘不进行折叠，由此使得电路部分能够延伸出至外部。最后，固化封装胶，完成OLED的封装结构。
显然，本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (26)

1.一种有机发光二极管的封装方法，包括：
设置第一基板，所述第一基板由金属箔制成；
在第一基板上设置有机发光二极管；
设置钝化层，用于覆盖所述有机发光二极管；
在整个所述第一基板上涂覆封装胶，所述封装胶覆盖所述钝化层；
至少在所述封装胶的覆盖所述钝化层的部分上设置第二透明基板；和
固化封装胶，形成所述有机发光二极管的封装。
2.根据权利要求1所述的封装方法，其中，所述第二透明基板的主表面的面积小于所述第一基板的主表面的面积，所述封装方法还包括：在固化封装胶之前，折叠所述第一基板的至少一个边缘以及设置在其上的封装胶，使其包覆所述第二透明基板的相应的边缘。
3.根据权利要求1或2所述的封装方法，其中，所述金属箔为具有低的热膨胀系数的不锈钢箔、Invar合金或Kovar合金。
4.根据权利要求3所述的封装方法，其中，所述第一基板的厚度为50μm-100μm。
5.根据权利要求2所述的封装方法，其中，折叠所述第一基板的至少一个边缘和设置在其上的封装胶，使其包覆所述第二透明基板的相应的边缘的所述步骤包括：折叠所述第一基板的至少一个边缘和设置在其上的封装胶至所述第二透明基板上且在所述第二透明基板的不用作发光区域的区域范围内，封装胶设置在所述第一基板的被折叠的至少一个边缘与所述第二透明基板之间。
6.根据权利要求5所述的封装方法，其中，所述第一基板的被折叠的至少一个边缘距离所述第二透明基板的相应的被包覆的边缘的距离为0mm-1mm。
7.根据权利要求1或2所述的封装方法，还包括：在所述有机发光二极管与所述第一基板之间设置平坦层。
8.根据权利要求7所述的封装方法，其中所述平坦层是厚度为0.1μm-1μm的SiNx、SiCN或SiO2薄膜，或者是厚度为0.5μm-1μm的塑料薄膜。
9.根据权利要求1或2所述的封装方法，还包括：在所述第二透明基板的相应的被包覆的边缘处设置干燥剂或吸水剂。
10.根据权利要求2所述的封装方法，其中，折叠所述第一基板的至少一个边缘以及设置在其上的封装胶，使其包覆所述第二透明基板的相应的边缘的所述步骤包括：折叠所述第一基板的两个相对的边缘以及设置在其上的封装胶，使其包覆所述第二透明基板的相应的两个边缘。
11.一种有机发光二极管封装结构，包括：
金属箔制成的第一基板；
设置在所述第一基板上的有机发光二极管；
覆盖所述有机发光二极管的钝化层；
设置在整个所述第一基板上的封装胶，所述封装胶覆盖所述钝化层；和
第二透明基板，所述第二透明基板至少设置在所述封装胶的覆盖所述钝化层的部分上。
12.根据权利要求11所述的有机发光二极管封装结构，其中，所述第二透明基板的主表面的面积小于所述第一基板的主表面的面积，并且所述第一基板的至少一个边缘连同设置在其上的封装胶被折叠包覆所述第二透明基板的相应的边缘。
13.根据权利要求11或12所述的有机发光二极管封装结构，其中，所述金属箔为具有低的热膨胀系数的不锈钢箔、Invar合金或Kovar合金。
14.根据权利要求11或12所述的有机发光二极管封装结构，其中，所述第一基板的厚度为50μm-100μm。
15.根据权利要求12所述的有机发光二极管封装结构，其中，所述第一基板的被折叠的边缘位于所述第二透明基板上且在所述第二透明基板的不用作发光区域的区域范围内，封装胶设置在所述第一基板的被折叠的至少一个边缘与所述第二透明基板之间。
16.根据权利要求15所述的有机发光二极管封装结构，其中，所述第一基板的被折叠的边缘距离所述第二透明基板的相应的被包覆的边缘的距离为0mm-1mm。
17.根据权利要求11或12所述的有机发光二极管封装结构，其中，平坦层设置在所述有机发光二极管与所述第一基板之间。
18.根据权利要求17所述的有机发光二极管封装结构，其中，所述平坦层是厚度为0.1μm-1μm的SiNx、SiCN或SiO2薄膜，或者是厚度为0.5μm-1μm的塑料薄膜。
19.根据权利要求18所述的有机发光二极管封装结构，其中，所述平坦层的面积大于所述第二透明基板的用作发光区域的部分的面积，并且小于所述第二透明基板的覆盖面积。
20.根据权利要求11或12所述的有机发光二极管封装结构，其中，干燥剂或吸水剂设置在所述第二透明基板的相应的被包覆的边缘处。
21.根据权利要求22所述的有机发光二极管封装结构，其中，所述干燥剂或吸水剂是Ca、Ba、Mg、CaO、BaO中的至少一种。
22.根据权利要求11或12所述的有机发光二极管封装结构，其中，所述封装胶是紫外固化型树脂胶或热固化树脂胶。
23.根据权利要求11或12所述的有机发光二极管封装结构，其中，所述第一基板的至少一个边缘包括所述第一基板的相对的两个边缘。
24.根据权利要求11或12所述的有机发光二极管封装结构，其中，所述钝化层由SiNx、SiCN、SiO2、SiNO、A12O3中的一种制成。
25.根据权利要求11或12所述的有机发光二极管封装结构，其中，所述有机发光二极管封装结构用于顶发光。
26.一种有机发光二极管器件，包括如权利要求11-25中任一项所述的有机发光二极管封装结构。
CN201510333965.7A 2015-06-16 2015-06-16 有机发光二极管封装方法和封装结构及具有该结构的器件 Pending CN105098099A (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510333965.7A CN105098099A (zh) 2015-06-16 2015-06-16 有机发光二极管封装方法和封装结构及具有该结构的器件
US15/121,889 US9960384B2 (en) 2015-06-16 2015-10-14 Organic light emitting diode packaging method and packaging structure and device having the same
PCT/CN2015/091922 WO2016201831A1 (zh) 2015-06-16 2015-10-14 有机发光二极管封装方法和封装结构及具有该结构的器件

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510333965.7A CN105098099A (zh) 2015-06-16 2015-06-16 有机发光二极管封装方法和封装结构及具有该结构的器件

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN105098099A true CN105098099A (zh) 2015-11-25

Family

ID=54578090

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510333965.7A Pending CN105098099A (zh) 2015-06-16 2015-06-16 有机发光二极管封装方法和封装结构及具有该结构的器件

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9960384B2 (zh)
CN (1) CN105098099A (zh)
WO (1) WO2016201831A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106058074A (zh) * 2016-07-29 2016-10-26 京东方科技集团股份有限公司 封装件及封装方法、固化装置、封装系统、显示装置
CN110808341A (zh) * 2019-11-18 2020-02-18 京东方科技集团股份有限公司 显示面板封装结构、显示面板和显示装置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104795424B (zh) * 2015-03-26 2017-11-10 京东方科技集团股份有限公司 柔性衬底基板和显示基板及其制作方法、显示装置
CN112396964A (zh) * 2020-11-17 2021-02-23 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板和显示装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101218692A (zh) * 2005-06-10 2008-07-09 通用电气公司 气密性密封封装体及其制造方法
CN103337595A (zh) * 2013-07-04 2013-10-02 上海和辉光电有限公司 柔性封装衬底及其制造方法和使用该衬底的oled封装方法
TW201428955A (zh) * 2013-01-11 2014-07-16 Ind Tech Res Inst 電子元件之封裝結構
CN104538557A (zh) * 2014-12-23 2015-04-22 深圳市华星光电技术有限公司 柔性oled显示器件及其制造方法
CN104576689A (zh) * 2013-10-16 2015-04-29 乐金显示有限公司 有机发光器件及其制造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000123968A (ja) * 1998-10-19 2000-04-28 Toyota Motor Corp 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
FR2938375A1 (fr) 2009-03-16 2010-05-14 Commissariat Energie Atomique Film multicouches souple, transparent, autoporte et a effet de barriere, son procede de fabrication et dispositif optoelectronique l'incorporant
CN103794625B (zh) 2012-10-30 2017-04-12 乐金显示有限公司 有机发光二极管显示装置及其制造方法
KR102139676B1 (ko) * 2014-05-27 2020-07-30 엘지디스플레이 주식회사 유기발광소자

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101218692A (zh) * 2005-06-10 2008-07-09 通用电气公司 气密性密封封装体及其制造方法
TW201428955A (zh) * 2013-01-11 2014-07-16 Ind Tech Res Inst 電子元件之封裝結構
CN103337595A (zh) * 2013-07-04 2013-10-02 上海和辉光电有限公司 柔性封装衬底及其制造方法和使用该衬底的oled封装方法
CN104576689A (zh) * 2013-10-16 2015-04-29 乐金显示有限公司 有机发光器件及其制造方法
CN104538557A (zh) * 2014-12-23 2015-04-22 深圳市华星光电技术有限公司 柔性oled显示器件及其制造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106058074A (zh) * 2016-07-29 2016-10-26 京东方科技集团股份有限公司 封装件及封装方法、固化装置、封装系统、显示装置
CN110808341A (zh) * 2019-11-18 2020-02-18 京东方科技集团股份有限公司 显示面板封装结构、显示面板和显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20170155083A1 (en) 2017-06-01
US9960384B2 (en) 2018-05-01
WO2016201831A1 (zh) 2016-12-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6835950B2 (en) Organic electronic devices with pressure sensitive adhesive layer
US6737753B2 (en) Barrier stack
US6576351B2 (en) Barrier region for optoelectronic devices
US7683534B2 (en) Methods and structures for reducing lateral diffusion through cooperative barrier layers
TWI466243B (zh) 環境敏感電子元件之封裝體及其封裝方法
CN105098099A (zh) 有机发光二极管封装方法和封装结构及具有该结构的器件
US20150349288A1 (en) Light emitting display panel and manufacturing method thereof
US9172057B2 (en) Encapsulation structure for an opto-electronic component
JP2011527499A (ja) エレクトロルミネセント・ディスプレイ装置、照明装置または表示装置、並びに、その製造プロセス
CN104091890A (zh) 一种有机发光器件、有机发光显示装置
JP2014013774A (ja) 有機光電子装置及び前記装置をカプセル化する方法
JP5513917B2 (ja) 発光装置
CN103718324B (zh) 用于光电子器件的封装结构和用于封装光电子器件的方法
KR102560959B1 (ko) 서브 마이크론 게터 입자를 포함하는 배리어 필름 라미네이트 및 이러한 라미네이트를 포함하는 전자 장치
CN204088387U (zh) 具有水氧阻隔能力的柔性oled器件
KR20190010746A (ko) 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법
KR20110025892A (ko) 유기 전자 소자 제조 방법 및 유기 전자 소자
US20160248038A1 (en) Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component
CN106784376A (zh) 一种薄膜封装结构、包含其的oled屏体及其封装方法
CN100474988C (zh) 双面有机电致发光组件的封装结构及封装方法
US10326105B2 (en) Packaging assembly and manufacturing method thereof
CN112086549A (zh) 发光二极管封装结构
CN105470280A (zh) 有机发光显示装置及其制造方法
CN111048558A (zh) 显示装置及采用该显示装置的封装方法
TWI712119B (zh) 凹槽封裝結構

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20151125