KR20190010746A - 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
발광부 (200) 는 기판 (100) 의 제 1 면 (도 1 에 나타내는 예에서는 상측의 면) 에 형성되어 있다. 봉지 부재 (300) 는 발광부 (200) 를 봉지하고 있다. 그리고 기판 (100) 은, 제 1 수지층 (110), 제 1 무기층 (120), 및 제 2 수지층 (130) 을 갖고 있다. 제 1 수지층 (110) 은 제 1 수지 재료로 형성되어 있다. 제 2 수지층 (130) 은, 제 1 수지 재료에 의해 형성되어 있고, 제 1 수지층 (110) 보다 기판 (100) 의 제 1 면측에 위치하고 있다. 제 1 무기층 (120) 은, 제 1 수지층 (110) 과 제 2 수지층 (130) 사이에 위치하고 있다.
Description
본 발명은, 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
최근에는, 유기 EL 소자의 개발이 진행되고 있다. 유기 EL 소자를 형성하기 위한 기판으로서 수지 필름을 사용하는 것이 검토되고 있다. 예를 들어 특허문헌 1 에는, 수지 필름 기판의 양면에, 폴리머막인 수지막 및 무기막을 교대로 적층시키고, 그 후, 수지 필름 기판에 발광 소자를 형성하는 것이 기재되어 있다. 특허문헌 1 에 있어서, 수지 필름 기판은 폴리에틸렌테레프탈레이트 등에 의해 형성되어 있고, 수지막은 자외선 경화형 모노머 등에 의해 형성되어 있고, 무기막은 SiO2, Al2O3, ZnO, 및 ITO 등에 의해 형성되어 있다.
또 특허문헌 2 에는, 유리 기판이나 수지 필름 등의 지지체 상에 바니시를 도포하고, 이 바니시를 건조 및 경화시키고, 그 후 지지체를 제거함으로써, 폴리이미드 성형체를 형성하는 것이 기재되어 있다.
본 발명자는, 지지 기판 상에 수지 기판을 형성하고, 추가로 그 수지 기판에 발광부를 형성한 후에, 지지 기판을 제거하는 것을 검토하였다. 이와 같은 구조에 있어서, 수지 기판은 다층 구조로 하는 것이 바람직하지만, 이 다층 구조에 기인하여, 수지 기판을 지지 기판으로부터 박리한 후에, 수지 기판에 열응력이 발생하는 경우가 있다. 수지 기판에 열응력이 발생한 경우, 발광 장치에 휨이 발생한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제로는, 지지 기판 상에 수지 기판 및 발광부를 형성하고, 그 후에 지지 기판을 수지 기판으로부터 제거한 경우에 있어서도, 발광 장치에 휨이 발생하지 않도록 하는 것을 일례로서 들 수 있다.
청구항 1 에 기재된 발명은, 가요성 기판과,
상기 기판의 제 1 면에 형성된 발광부와,
상기 발광부를 봉지하는 봉지부를 구비하고,
상기 기판은,
제 1 수지 재료를 갖는 제 1 수지층과,
상기 제 1 수지 재료를 갖고, 상기 제 1 수지층보다 상기 제 1 면측에 위치하는 제 2 수지층과,
상기 제 1 수지층과 상기 제 2 수지층 사이에 위치하는 제 1 무기층을 구비하는 발광 장치이다.
청구항 8 에 기재된 발명은, 지지 기판 상에 기판을 형성하는 공정과,
상기 기판에 발광부를 형성하는 공정과,
상기 기판에 상기 발광부를 봉지하는 봉지부를 형성하는 공정을 구비하고,
상기 기판을 형성하는 공정은,
상기 지지 기판 상에 제 1 수지 재료를 사용하여 제 1 수지층을 형성하는 공정과,
상기 제 1 수지층 상에 제 1 무기층을 형성하는 공정과,
상기 제 1 무기층 상에 상기 제 1 수지 재료를 사용하여 제 2 수지층을 형성하는 공정을 갖는 발광 장치의 제조 방법이다.
상기 서술한 목적, 및 그 밖의 목적, 특징 및 이점은, 이하에 서술하는 바람직한 실시형태, 및 그것에 부수되는 이하의 도면에 의해 더욱 명확해진다.
도 1 은 실시형태에 관련된 발광 장치의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 2 는 도 1 에 나타낸 발광 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도이다.
도 3 은 도 1 에 나타낸 발광 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도이다.
도 4 는 실시예 1 에 관련된 발광 장치의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 5 는 실시예 2 에 관련된 발광 장치의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 6 은 실시예 3 에 관련된 발광 장치의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 7 은 실시예 4 에 관련된 발광 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 1 은 실시형태에 관련된 발광 장치의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 2 는 도 1 에 나타낸 발광 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도이다.
도 3 은 도 1 에 나타낸 발광 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도이다.
도 4 는 실시예 1 에 관련된 발광 장치의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 5 는 실시예 2 에 관련된 발광 장치의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 6 은 실시예 3 에 관련된 발광 장치의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 7 은 실시예 4 에 관련된 발광 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대해, 도면을 사용하여 설명한다. 또한, 모든 도면에 있어서, 동일한 구성 요소에는 동일한 부호를 붙이고, 적절히 설명을 생략한다.
도 1 은, 실시형태에 관련된 발광 장치 (10) 의 구성을 나타내는 단면도이다. 실시형태에 관련된 발광 장치 (10) 는, 가요성 기판 (100), 발광부 (200), 및 봉지 부재 (300) (봉지부) 를 갖고 있다. 발광부 (200) 는 기판 (100) 의 제 1 면 (도 1 에 나타내는 예에서는 상측의 면) 에 형성되어 있다. 봉지 부재 (300) 는 발광부 (200) 를 봉지하고 있다. 그리고 기판 (100) 은, 제 1 수지층 (110), 제 1 무기층 (120), 및 제 2 수지층 (130) 을 갖고 있다. 제 1 수지층 (110) 은 제 1 수지 재료로 형성되어 있다. 제 2 수지층 (130) 은, 제 1 수지 재료에 의해 형성되어 있고, 제 1 수지층 (110) 보다 기판 (100) 의 제 1 면측에 위치하고 있다. 제 1 무기층 (120) 은, 제 1 수지층 (110) 과 제 2 수지층 (130) 사이에 위치하고 있다. 기판 (100) 의 두께는, 예를 들어 20 ㎛ 이상 300 ㎛ 이하이다. 이하, 상세하게 설명한다.
제 1 수지층 (110) 및 제 2 수지층 (130) 은, 예를 들어, 제 1 수지 재료를 지지 기판 (400) (도 2, 3 을 사용하여 후술) 에 도포함으로써 형성되어 있다. 제 1 수지 재료는, 이미드 결합을 갖고 있는 수지, 예를 들어 폴리이미드 수지인 것이 바람직하다. 제 1 수지층 (110) 은, 제 2 수지층 (130) 보다 얇은 것이 바람직하다. 제 1 수지층 (110) 의 막두께는, 예를 들어 5 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하이고, 제 2 수지층 (130) 의 막두께는, 예를 들어 10 ㎛ 이상 200 ㎛ 이하이다. 또한, 제 2 수지층 (130) 은 제 1 수지층 (110) 과는 상이한 수지 재료에 의해 형성되어 있어도 된다.
또한, 기판 (100) 중 제 1 면과는 반대측의 면 (제 2 면 : 도 1 에 있어서는 하측의 면) 은, 제 1 수지층 (110) 에 의해 형성되어 있다. 이 제 2 면의 표면 조도 (Ra) 는, 제 1 수지층 (110) 중 제 2 면과는 반대측의 면 (본 도면에 나타내는 예에서는 제 1 무기층 (120) 에 접하고 있는 면) 의 표면 조도 (Ra) 보다 작다. 이것은, 상세를 후술하는 바와 같이, 지지 기판 (400) 을 사용하여 제 1 수지층 (110) 을 형성하고 있기 때문이다.
제 1 무기층 (120) 은, 예를 들어 산화 실리콘막, 질화 실리콘막, 또는 산질화 실리콘막이고, 기판 (100) 의 두께 방향으로 수분이나 산소가 투과하는 것을 억제하는 막 (방습막 및/또는 배리어막) 으로도 기능한다. 제 1 무기층 (120) 의 막두께는, 예를 들어 20 ㎚ 이상 2 ㎛ 이하이다. 또, 기판 (100) 의 두께에 대한 제 1 무기층 (120) 의 막두께의 비율은, 예를 들어 0.01 ％ 이상 10 ％ 이하이다. 제 1 무기층 (120) 은, 예를 들어 스퍼터링법, CVD 법, 또는 ALD 법 등의 기상 성장법을 사용하여 형성되어 있다. 제 1 무기층 (120) 은, 제 1 수지 재료보다 영률이 높은 재료에 의해 형성되어 있다. 이 때문에, 제 1 무기층 (120) 의 영률은, 제 1 수지층 (110) 의 영률 및 제 2 수지층 (130) 의 영률보다 크다.
또, 본 도면에 나타내는 예에서는, 기판 (100) 은 제 3 수지층 (140) 을 갖고 있다. 제 3 수지층 (140) 은, 제 2 수지층 (130) 보다 기판 (100) 의 제 1 면측에 형성되어 있고, 기판 (100) 의 제 1 면을 평탄화하기 위해서 형성되어 있다. 제 3 수지층 (140) 은, 예를 들어 광경화성의 아크릴계 수지에 의해 형성되어 있다. 제 3 수지층 (140) 을 구성하는 재료 (제 2 수지 재료) 의 선팽창 계수는, 제 1 수지 재료의 선팽창 계수와는 상이하다. 제 3 수지층 (140) 을 구성하는 재료 (제 2 수지 재료) 의 선팽창 계수는, 제 1 수지 재료의 선팽창 계수보다 큰 경우도 있고, 작은 경우도 있다.
또, 본 도면에 나타내는 예에서는, 기판 (100) 은, 제 2 수지층 (130) 과 제 3 수지층 (140) 사이에 제 2 무기층 (122) 을 갖고 있다. 제 2 무기층 (122) 은, 제 1 무기층 (120) 과 동일한 구성을 갖고 있다. 이 경우, 제 2 수지층 (130) 의 제 1 면측 및 제 2 면측에 무기층이 존재하기 때문에, 기판 (100) 에 휨이 발생하는 것을 억지할 수 있다. 또한, 제 2 무기층 (122) 은 생략되어도 된다.
또한, 발광 장치 (10) 가 보텀 이미션형의 발광 장치인 경우, 기판 (100) 을 구성하는 각 층은, 발광부 (200) 가 발광하는 광에 대해 투광성을 갖고 있다.
그리고, 기판 (100) 의 제 1 면에는, 발광부 (200) 가 형성되어 있다. 발광부 (200) 는 유기 EL 소자 등의 발광 소자를 갖고 있다. 발광 소자가 유기 EL 소자인 경우, 이 발광 소자는, 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 유기층을 끼운 구성을 갖고 있다.
제 1 전극 및 제 2 전극 중 적어도 일방은 투광성 전극으로 되어 있다. 또, 나머지의 전극은, 예를 들어 Al 이나 Ag 등의 금속에 의해 형성되어 있다. 투광성 전극의 재료는, 예를 들어, ITO (Indium Tin Oxide) 나 IZO (Indium Zinc Oxide) 등의 무기 재료, 또는 폴리티오펜 유도체 등의 도전성 고분자, 또는 은 혹은 탄소로 이루어지는 나노 와이어를 이용한 망목상 전극이다. 발광 소자가 보텀 이미션형인 경우, 기판 (100) 측의 전극은 투광성 전극으로 되어 있고, 기판 (100) 과는 반대측의 전극은, Al 및 Ag 등 광을 반사하는 전극으로 되어 있다. 또, 발광 소자가 탑 이미션형인 경우, 기판 (100) 과는 반대측의 전극은 투광성 전극으로 되어 있고, 기판 (100) 측의 전극은, Al 및 Ag 등 광을 반사하는 전극으로 되어 있다. 또한, 발광 소자는, 양방의 전극 (제 1 전극, 제 2 전극) 을 투광성 전극으로 하여, 투광형의 발광 장치로 해도 된다 (듀얼 이미션형).
유기층은, 정공 수송층, 발광층, 및 전자 수송층을 이 순서로 적층한 구성을 갖고 있다. 제 1 전극이 양극인 경우에는, 정공 수송층이 제 1 전극 상에 형성된다. 또, 제 1 전극이 음극인 경우에는, 전자 수송층이 제 1 전극 상에 형성된다. 또한, 정공 수송층과 발광층 사이에 정공 주입층이 형성되어 있어도 되고, 전자 수송층과 발광층 사이에 전자 주입층이 형성되어 있어도 된다. 유기층의 각 층은, 도포법에 의해 형성되어도 증착법에 의해 형성되어도 되고, 일부를 도포법, 나머지를 증착법으로 형성해도 된다. 또한, 유기층은 증착 재료를 사용하여 증착법으로 형성해도 되고, 또, 도포 재료를 사용하여, 잉크젯법, 인쇄법, 스프레이법으로 형성해도 된다.
또한, 발광 장치 (10) 가 조명 장치인 경우, 발광부 (200) 는, 발광 소자를 하나만 갖고 있어도 되고, 복수의 발광 소자를 갖고 있어도 된다. 후자의 경우, 발광부 (200) 는, 서로 상이한 색 (예를 들어 적색, 녹색, 및 청색) 을 발광하는 복수 종류의 발광 소자를 갖고 있어도 된다. 이 경우, 복수 종류의 발광 소자의 단자는, 서로 독립적으로 형성되어 있다. 또, 발광부 (200) 가 표시 장치인 경우, 발광부 (200) 에는 복수의 발광 소자가 매트릭스상으로 배치되어 있다.
발광부 (200) 는, 봉지 부재 (300) 에 의해 봉지되어 있다. 본 도면에 나타내는 예에 있어서, 발광부 (200) 는 금속박 또는 금속판 (예를 들어 Al 박 또는 Al 판) 이며, 접착층 (310) 을 사용하여 기판 (100) 의 제 1 면에 고정되어 있다.
도 2 및 도 3 은, 도 1 에 나타낸 발광 장치 (10) 의 제조 방법을 나타내는 단면도이다. 먼저, 도 2 의 각 도면에 나타내는 바와 같이, 지지 기판 (400) 을 사용하여 기판 (100) 을 형성한다. 지지 기판 (400) 은, 예를 들어 유리 기판이며, 표면 조도 (Ra) 는 작다. 이 경우, 유리 기판인 지지 기판 (400) 의 표면 조도 (Ra) 는, 제 1 수지층 (110) 의 제 2 표면측에 있어서의 표면 조도 (Ra) 보다 작아도 된다.
구체적으로는, 도 2(a) 에 나타내는 바와 같이, 지지 기판 (400) 상에 제 1 수지 재료를 도포함으로써, 제 1 수지층 (110) 을 형성한다. 제 1 수지층 (110) 은, 예를 들어 다이코터를 사용하여 형성되지만, 스핀 코팅법이나 스크린 인쇄법을 사용하여 형성되어도 된다. 상기한 바와 같이, 지지 기판 (400) 의 표면 조도 (Ra) 는 작기 때문에, 제 1 수지층 (110) 의 제 2 면 (지지 기판 (400) 측의 면) 의 표면 조도 (Ra) 도 작아진다.
이어서, 도 2(b) 에 나타내는 바와 같이, 제 1 수지층 (110) 상에, 기상 성장법을 사용하여 제 1 무기층 (120) 을 형성한다. 이어서, 제 1 무기층 (120) 상에 제 2 수지층 (130) 을 형성한다. 제 2 수지층 (130) 의 형성 방법은, 제 1 수지층 (110) 의 형성 방법과 동일하다. 또한, 제 2 수지층 (130) 상에, 제 2 무기층 (122) 을 형성한다. 제 2 무기층 (122) 의 형성 방법은 제 1 무기층 (120) 의 형성 방법과 동일하다. 또한, 이 제 2 무기층 (122) 상에 제 3 수지층 (140) 을 형성한다. 제 3 수지층 (140) 의 형성 방법도, 제 1 수지층 (110) 의 형성 방법과 동일하다. 이와 같이 하여 기판 (100) 이 형성된다. 또한, 제 2 무기층 (122) 이 생략되는 경우, 제 2 수지층 (130) 상에 제 3 수지층 (140) 이 형성된다.
이와 같이, 제 1 무기층 (120), 제 2 수지층 (130), 제 2 무기층 (122), 및 제 3 수지층 (140) 을 겹침으로써, 제 1 무기층 (120) 이 갖는 결함 (보이드라고도 한다) 을 제 2 수지층 (130) 이 메운다. 단, 이 결함을 메운 제 2 수지층 (130) 의 일부를 통하여 수분, 산소 등이 침입하는 경우가 있다. 이에 대하여 본 도면에 나타내는 예에서는, 제 2 수지층 (130) 상에 제 2 무기층 (122) 을 형성하고 있기 때문에, 이와 같은 수분이나 산소 등의 침입을 방지할 수 있다. 또, 제 2 무기층 (122) 상에 제 3 수지층 (140) 을 형성함으로써, 후술하는 하부 전극을 보다 평탄하게 형성할 수 있다. 이 경우, 리크 등의 발생을 억지할 수 있다.
이어서, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 기판 (100) 을 지지 기판 (400) 상에 위치시킨 상태에서, 기판 (100) 상에 발광부 (200) 의 제 1 전극, 유기층, 및 제 2 전극을, 이 순서로 형성한다. 이어서, 접착층 (310) 을 사용하여, 기판 (100) 에 봉지 부재 (300) 를 고정시킨다. 그 후, 기판 (100), 발광부 (200), 및 봉지 부재 (300) 를 지지 기판 (400) 으로부터 떼어낸다.
상기한 발광 장치 (10) 의 형성 공정에 있어서, 기판 (100) 은 가열된다. 이 때문에, 기판 (100) 에는 열응력이 발생한다. 이 열응력은 전술한 제 1 수지층 (110), 제 2 수지층 (130), 제 3 수지층 (140) 외에, 제 1 무기층 (120), 제 2 무기층 (122) 에서 기인된다. 예를 들어, 제 1 수지층 (110), 제 2 수지층 (130) 에 발생하는 열변형의 크기는, 제 1 무기층 (120), 제 2 무기층 (122) 에 발생하는 열변형의 크기보다 크다.
또한, 복수의 발광 장치 (10) 를 하나의 지지 기판 (400) 을 사용하여 형성하고, 그 후, 복수의 발광 장치 (10) 를 서로 분리해도 된다. 이 분리 공정은, 기판 (100), 발광부 (200), 및 봉지 부재 (300) 를 지지 기판 (400) 으로부터 떼어내기 전에 실시되어도 되고, 떼어낸 후에 실시되어도 된다. 후자의 경우, 지지 기판 (400) 을 재이용해도 된다.
이상, 본 실시형태에 의하면, 기판 (100) 은, 제 1 수지층 (110) 과 제 2 수지층 (130) 사이에 제 1 무기층 (120) 을 갖고 있다. 제 1 무기층 (120) 을 구성하는 재료의 영률은 제 1 수지층 (110) 및 제 2 수지층 (130) 을 구성하는 재료의 영률보다 높다. 이 때문에, 기판 (100) 을 지지 기판 (400) 으로부터 떼어내도, 기판 (100) 이 열응력에 의해 휘는 것을 억제할 수 있다. 또, 제 1 수지층 (110) 과 제 2 수지층 (130) 은 동일한 수지 재료 (제 1 수지 재료) 에 의해 형성되어 있기 때문에, 이들이 서로 상이한 수지 재료로 형성되어 있는 경우와 비교하여, 기판 (100) 이 휘는 것을 억제할 수 있다. 또한, 제 2 무기층 (122) 이 형성되면, 기판 (100) 의 양면에 영률이 높은 무기층이 배치되게 되고, 추가로 기판의 휨을 억제할 수 있다.
특히 본 실시형태에서는, 기판 (100) 은 제 3 수지층 (140) 을 갖고 있다. 제 3 수지층 (140) 은 제 1 수지층 (110) 및 제 2 수지층 (130) 과 상이한 재료에 의해 형성되어 있기 때문에, 기판 (100) 에는 특히 열응력이 발생하기 쉽다. 이에 대하여, 상기한 바와 같이 기판 (100) 은 제 1 무기층 (120) 을 갖고 있기 때문에, 기판 (100) 이 열응력에 의해 휘는 것을 억제할 수 있다.
또, 지지 기판 (400) 과 제 1 무기층 (120) 사이에는 제 1 수지층 (110) 이 형성되어 있다. 이 때문에, 지지 기판 (400) 과 제 1 무기층 (120) 이 접하고 있는 경우와 비교하여, 지지 기판 (400) 으로부터 기판 (100) 을 벗기기 쉽다.
실시예
(실시예 1)
도 4 는, 실시예 1 에 관련된 발광 장치 (10) 의 구성을 나타내는 단면도이다. 본 실시예에 관련된 발광 장치 (10) 는, 기판 (100) 의 구성을 제외하고 실시형태에 관련된 발광 장치 (10) 와 동일한 구성이다.
본 실시예에 있어서 기판 (100) 은, 제 3 수지층 (140) 상에 제 3 무기층 (124) 을 갖고 있다. 이 때문에 본 실시예에서는, 기판 (100) 의 제 1 면은 제 3 무기층 (124) 에 의해 구성되어 있다. 제 3 무기층 (124) 은, 제 1 무기층 (120) 과 동일한 재료에 의해 형성되어 있고, 제 1 무기층 (120) 과 동일한 방법을 사용하여 형성되어 있다.
본 실시예에 의해서도, 기판 (100) 은 제 1 무기층 (120) 을 갖고 있기 때문에, 기판 (100) 이 열응력에 의해 휘는 것을 억제할 수 있다. 또, 제 3 무기층 (124) 을 갖고 있기 때문에, 기판 (100) 이 열응력에 의해 휘는 것을 더욱 억제할 수 있고, 또한, 기판 (100) 의 두께 방향으로 수분 등이 투과하는 것을 더욱 억제할 수 있다.
(실시예 2)
도 5 는, 실시예 2 에 관련된 발광 장치 (10) 의 구성을 나타내는 단면도이다. 본 실시예에 관련된 발광 장치 (10) 는, 봉지 부재 (300) 대신에 봉지막 (302) (봉지부) 을 갖고 있는 점을 제외하고, 실시형태 또는 실시예 1 에 관련된 발광 장치 (10) 와 동일한 구성이다. 도 5 는, 실시예 1 과 동일한 경우를 나타내고 있다.
봉지막 (302) 은, 예를 들어 산화 알루미늄막이며, 예를 들어 ALD (Atomic Layer Deposition) 법을 사용하여 형성되어 있다. 또한, 봉지막 (302) 의 재료에는, 예를 들어 산화 티탄, 산화 실리콘, 산질화 실리콘, 혹은 그들의 적층체를 사용할 수도 있다. 봉지막 (302) 의 막두께는, 예를 들어 10 ㎚ 이상 2 ㎛ 이하이다. 봉지막 (302) 은, 발광부 (200), 및 기판 (100) 중 적어도 발광부 (200) 의 주위에 위치하는 부분을 피복하고 있다. 또한, 봉지막 (302) 은, ALD 법 이외의 성막법, 예를 들어 CVD 법을 사용하여 형성되어도 된다. 봉지막 (302) 은, 발광부 (200) 가 형성된 후, 기판 (100) 으로부터 지지 기판 (400) 이 떼어내지기 전에 형성된다. 봉지막 (302) 이 형성된 기판 (100) 은, 봉지막 (302) 이 형성되어 있지 않은 기판 (100) 에 대해 영률이 크다.
본 실시예에 의해서도, 기판 (100) 은 제 1 무기층 (120), 봉지막 (302) 을 갖고 있기 때문에, 기판 (100) 이 열응력에 의해 휘는 것을 억제할 수 있다.
(실시예 3)
도 6 은, 실시예 3 에 관련된 발광 장치 (10) 의 구성을 나타내는 단면도이다. 본 실시예에 관련된 발광 장치 (10) 는, 제 1 수지층 (110) 에 복수의 입자 (112) 가 도입되어 있는 점을 제외하고, 실시형태 또는 실시예 1, 2 중 어느 것과 동일한 구성이다. 본 도면은, 실시예 1 과 동일한 경우를 나타내고 있다.
입자 (112) 는, 광을 산란하여 기판 (100) 으로부터의 광 취출 효율을 높이기 위해서, 제 1 수지층 (110) 에 도입되어 있다. 입자 (112) 는, 예를 들어 산화 티탄, 산화 지르코늄, 산화 이트륨, 산화 알루미늄, 또는 산화 규소 등의 무기 산화물에 의해 형성되어 있고, 그 평균 입경은 예를 들어 20 ㎚ 이상 2 ㎛ 이하이다. 입자 (112) 를 구성하는 재료의 굴절률은 높은 것이 바람직하다. 제 1 수지층 (110) 에 있어서의 입자 (112) 의 함유량을 조절함으로써, 제 1 수지층 (110) 에 있어서의 Haze 값을 90 ％ 정도로 할 수 있다. 입자 (112) 는, 제 1 수지층 (110) 및 제 2 수지층 (130) 이 되는 도포 재료에 미리 혼합되어 있다.
또한, 제 1 수지층 (110) 과 제 1 무기층 (120) 사이에, 평탄화용 수지층을 형성해도 된다. 이 수지층은, 예를 들어 제 3 수지층 (140) 과 동일한 재료를 사용하여 형성된다.
본 실시예에 의해서도, 기판 (100) 은 제 1 무기층 (120) 을 갖고 있기 때문에, 기판 (100) 이 열응력에 의해 휘는 것을 억제할 수 있다. 또, 제 1 수지층 (110) 에는 복수의 입자 (112) 가 도입되어 있기 때문에, 제 1 수지층 (110) 에 광 취출 필름을 첩부하지 않아도, 발광 장치 (10) 의 광 취출 효율을 높일 수 있다. 또, 제 1 수지층 (110) 이 복수의 입자 (112) 를 구비하므로, 영률이 비교적 커진다. 이 때문에, 기판 (100) 의 영률은, 복수의 입자 (112) 를 구비하지 않은 경우와 비교하여 크다.
또, 일부의 입자 (112) 는 지지 기판 (400) 과 접하기 때문에, 제 1 수지층 (110) 과 지지 기판 (400) 의 밀착력이 약해진다. 따라서, 기판 (100) 을 지지 기판 (400) 으로부터 떼어내기 쉬워진다. 또, 입자 (112) 를 도입함으로써 제 1 수지층 (110) 의 열팽창 계수는 작아진다. 따라서, 기판 (100) 에 휨은 발생하기 어려워진다.
(실시예 4)
도 7 은, 실시예 4 에 관련된 발광 장치 (10) 의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이며, 실시형태에 있어서의 도 3 에 대응하고 있다. 본 실시예에 관련된 발광 장치 (10) 의 제조 방법은, 지지 기판 (400) 중 기판 (100) 을 형성하는 면에 미세한 요철이 형성되어 있는 점을 제외하고, 실시형태 또는 실시예 1 ∼ 3 중 어느 것에 관련된 발광 장치 (10) 의 제조 방법과 동일한 구성이다. 그리고, 기판 (100) 의 제 1 수지층 (110) 의 제 2 면 (광 취출면) 에는 미세한 요철이 형성된다. 이 요철의 고저차는, 예를 들어 50 ㎚ 이상 5 ㎛ 이하이며, 또 서로 이웃하는 볼록부의 간격은, 예를 들어 100 ㎚ 이상 200 ㎛ 이하이다.
본 실시예에 의해서도, 기판 (100) 은 제 1 무기층 (120) 을 갖고 있기 때문에, 기판 (100) 이 열응력에 의해 휘는 것을 억제할 수 있다. 또, 기판 (100) 의 제 1 수지층 (110) 의 제 2 면 (광 취출면) 에는 미세한 요철이 형성되어 있으므로, 제 1 수지층 (110) 에 광 취출 필름을 첩부하지 않아도, 발광 장치 (10) 의 광 취출 효율을 높일 수 있다.
이상, 도면을 참조하여 실시형태 및 실시예에 대해 서술했지만, 이들은 본 발명의 예시이며, 상기 이외의 다양한 구성을 채용할 수도 있다.
Claims (9)
- 기판과,
상기 기판의 제 1 면에 형성된 발광부와,
상기 발광부를 봉지하는 봉지부를 구비하고,
상기 발광부는, 제 1 전극, 제 2 전극, 및 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 위치하는 유기층을 갖고,
상기 기판은,
제 1 수지층과,
상기 제 1 수지층보다 상기 제 1 면측에 위치하는 제 2 수지층과,
상기 제 1 수지층과 상기 제 2 수지층 사이에 위치하는 제 1 무기층과,
상기 제 2 수지층의 상기 제 1 면측에 위치하는 제 2 무기층을 구비하고,
상기 봉지부는, 산화 실리콘 및 산질화 실리콘의 적층체로, 상기 기판의 발광부의 주위에 위치하는 부분을 피복하고 있는, 발광 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 무기층은, 상기 제 1 무기층과는 분리되어 있는, 발광 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 적층체의 막두께는 10 ㎚ 이상 2 ㎛ 이하인, 발광 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 봉지부의 일부는 상기 기판에 접하고 있는, 발광 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 무기층을 구성하는 재료의 영률은, 상기 제 1 수지층 및 상기 제 2 수지층을 구성하는 재료의 영률보다 높은, 발광 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 무기층을 구성하는 재료는, 산화 실리콘, 질화 실리콘 또는 산질화 실리콘인, 발광 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 수지층 및 상기 제 2 수지층을 구성하는 재료는 폴리이미드를 포함하는, 발광 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 수지층은, 도포막인, 발광 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 무기층의 막두께는, 상기 기판의 두께에 대해 10 ％ 이하인, 발광 장치.
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