CN108172598B - 使用有机发光二极管的照明设备 - Google Patents

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Abstract

根据本公开的一种使用有机发光二极管的照明设备，该照明设备被配置为使得通过在阴极上形成抗刮擦层以完全覆盖阴极而使基板平整。具有这种配置的本公开即使在为了脉冲老化而卷绕或展开基板时也能够利用抗刮擦层来均匀地保持按压压力，从而防止由于刮擦或颗粒而导致的损坏。

Description

使用有机发光二极管的照明设备
技术领域
本公开涉及显示装置，更具体地，涉及一种照明设备，且更具体地，涉及一种使用有机发光二极管的照明设备。
背景技术
当前，荧光灯或白炽灯主要用作照明设备。在这些照明设备中，白炽灯具有良好的显色指数(CRI)，但是具有较低的能量效率。荧光灯效率高，但是显色指数差。此外，荧光灯含有汞，从而引发环境问题。
CRI是表示显色性的指数。CRI是指示在将物体被特定光源照射的情况与物体被参考光源照射的情况进行比较时，色调相对于由光源照射的物体的颜色的相似程度的指数。太阳光的CRI是100。
为了解决常规照明设备的问题，近来，已提出将发光二极管(LED)作为照明设备。LED由无机发光材料制成。LED在蓝色波长带中呈现出最高的发光效率，并且具有朝向红色波长带和绿色波长带逐渐降低的发光效率。因此，当通过将红色发光二极管、绿色发光二极管和蓝色发光二极管进行组合来发射白光时，发光效率明显降低。
作为替代，目前开发出使用有机发光二极管(OLED)的照明设备。使用有机发光二极管的普通照明设备以如下方式被制造：在玻璃基板上形成由ITO制成的阳极，在阳极上形成有机发光层和阴极，以及将钝化层和层压膜附接于其上。
其中，沉积有机发光层和电极的工序在高真空环境下执行，因此需要与要沉积的薄膜的数目一样多的用于保持高真空的沉积腔室。
此外，必须执行脉冲老化(以下称为p老化)以防止设置有有机发光层和电极的有机发光二极管的缺陷。这是通过向有机发光二极管施加老化电压以使电极氧化来防止这种缺陷。这种p老化在大气压(即，空气环境)下进行以使电极氧化。此时，执行基板的卷绕和展开以将基板移动到p老化腔室。在该工艺期间，可能对有机发光二极管的暴露表面造成损坏，例如，被刮擦等。这是因为具有小厚度的阴极不足以保护有机发光层，并且当基板与导向辊接触时或当基板被卷绕时，在基板上形成划痕的风险很高。例如，如果在卷绕基板或者通过沿垂直方向施加压力来附接金属膜时在金属膜下方存在颗粒，则会由于所施加的压力而导致对与颗粒接触的有机发光二极管造成损坏。
发明内容
因此，为了消除这些问题和其它缺点，详细描述的一个方面在于提供一种使用有机发光二极管的照明设备，其能够防止在脉冲老化(p老化)之后由于刮擦(scratch)和颗粒造成的损坏。
将在本公开的以下配置和权利要求中描述本公开的其它方面和特征。
为了实现这些和其它优点并根据本说明书的目的，如本文实施并广泛描述地，提供了一种使用有机发光二极管的照明设备，该照明设备包括：基板，该基板被划分成发光部以及第一接触部和第二接触部；有机发光层和第二电极，该有机发光层和该第二电极位于其上具有第一钝化层的所述基板的所述发光部上；以及第二钝化层，该第二钝化层被构造为覆盖所述有机发光层和所述第二电极并且使所述基板的表面平整。
在本文所公开的一个方面中，提供了一种使用有机发光二极管的照明设备，该照明设备包括：基板，该基板具有发光部以及第一接触部和第二接触部；辅助电极，该辅助电极位于所述基板上的所述发光部处并且用作附加接触电极；第一电极，该第一电极位于包括所述辅助电极的所述基板上；钝化层，该钝化层位于包括所述第一电极的所述基板上；有机发光层、第二电极和抗刮擦层，该有机发光层、该第二电极和该抗刮擦层位于包括所述钝化层的所述基板的整个表面上；以及封装层，该封装层围绕所述抗刮擦层并且被设置在所述钝化层上。
在本文所公开的一个方面中，该照明设备还可包括：第一电极，该第一电极位于所述基板上；第一钝化层，该第一钝化层位于所述第一电极上；以及金属膜，该金属膜位于所述基板的所述发光部上以覆盖所述第二钝化层。
在本文所公开的一个方面中，所述第一接触部和所述第二接触部可按照所述第一接触部位于所述发光部的左侧和右侧中的至少一侧并且所述第二接触部位于中心处的方式而位于所述发光部的外侧。
在本文所公开的一个方面中，该照明设备还可包括：第一接触电极，该第一接触电极位于所述第一接触部上并且通过由所述第一电极延伸到所述第一接触部来构成。
在本文所公开的一个方面中，该照明设备还可包括：第二接触电极，该第二接触电极位于所述发光部和所述第二接触部上并且在与所述第一电极相同的层内由与所述第一电极相同的导电材料制成。
在本文所公开的一个方面中，所述第一钝化层可包括用于使所述发光部的所述第二接触电极通过其暴露的接触孔。
在本文所公开的一个方面中，所述第二电极可通过所述接触孔电连接到所述第二接触电极。
所述第二钝化层可被构成为至少达到所述第二电极的高度，以便填充所述第二电极的外围以用于使所述第二电极平整。
所述第二钝化层可由光压克力的有机材料或透气性无机材料制成。
该照明设备还可包括：第三钝化层，该第三钝化层由无机材料制成以覆盖所述第二钝化层。
包括所述第一接触电极的所述第一电极可整体上具有在其上部和下部中的至少一个的中心部处具有凹部的矩形形状，并且所述第二接触电极可被设置在所述凹部内。
如上所述，根据本文所公开的一个方面的使用有机发光二极管的照明设备甚至在为了脉冲老化而卷绕或展开基板时也能够利用抗刮擦层均匀地保持按压压力，从而防止由于刮擦或颗粒导致的损坏。因此，可提高产量，降低制造成本并确保可靠性。
根据下文给出的详细描述，本申请的进一步适用范围将变得更加明显。然而，应该理解的是，由于对于本领域技术人员而言，本公开的精神和范围内的各种改变和修改将从详细描述中变得显而易见，所以仅通过图示给出指示本公开的优选方面的详细描述和具体示例。
附图说明
附图被包括以提供对本公开的进一步理解，并且被并入本说明书中且构成本说明书的一部分，附图例示了示例性方面并且与本说明书一起用于解释本公开的原理。
在附图中：
图1是例示根据本公开的一个方面的使用有机发光二极管的照明设备的截面图；
图2是示意性地例示根据本公开的该方面的使用有机发光二极管的照明设备的平面图；
图3是例示使用有机发光二极管的照明设备的沿着图2的线I-I'截取的截面的示意图；
图4A、图4B、图4C、图4D、图4E、图4F和图4G是依次例示图2所示的使用有机发光二极管的照明设备的制造方法的平面图；
图5是图4B所示的发光部的一部分的放大图；
图6A、图6B、图6C、图6D、图6E、图6F和图6G是依次例示图3所示的使用有机发光二极管的照明设备的制造方法的截面图；
图7、图8和图9是例示根据本公开的一个方面的使用有机发光二极管的照明设备的卷对卷装置的一部分的截面图；
图10是示意性地例示根据本公开的另一方面的使用有机发光二极管的照明设备的平面图；以及
图11是示意性地例示根据图10所示的另一方面的使用有机发光二极管的照明设备的沿着图10的线II-II'截取的截面的视图。
具体实施方式
现在将参照附图详细描述根据本公开的使用有机发光二极管(OLED)的照明设备的方面，使得本公开所属领域的技术人员可以很容易地实践。
参照稍后将详细说明的附图和示例性方面，本公开的优点和特征以及实现它们的方法将被显而易见地理解。然而，本发明构思的示例性方面可按照许多不同的形式来实施，并且不应被解释为受限于在此阐述的方面；相反，提供这些方面使得本公开将是彻底和完整的，并且将示例方面的概念充分地传达给本领域普通技术人员。在整个说明书中，相同/相似的附图标记指代相同/相似的组件。在附图中，为了清楚起见，夸大了层和区域的厚度。
将理解的是，当元件被称为“在”另一元件“上”时，该元件可位于另一元件上，或者也可存在中间元件。相反，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。
为便于描述，本文可使用诸如“在…下面”、“在…下方”、“下部的”、“在…上方”和“上部的”等的空间相对术语来描述附图中所示的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。将理解的是，空间相对术语意在包含除了在图中描述的方位以外的装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果图中的装置被翻转，则描述为在其它元件或特征“下方”或“下面”的元件将“在”所述其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在…下方”可涵盖上方和下方两个方位。
本文所使用的术语仅出于描述特定方面的目的，而不意图成为示例性方面的限制。如本文所使用的，除非上下文另外清楚地指示，否则单数形式也意图包括复数形式。将进一步理解的是，如本文所使用的术语“包括”和/或“包含”指定存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或添加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组合。
图1是例示根据本公开的一个方面的使用有机发光二极管的照明设备的截面图。
图2是示意性例示根据本公开的一个方面的使用有机发光二极管的照明设备的平面图。
图3是例示使用有机发光二极管的照明设备的沿着图2的线I-I'截取的截面的示意图。
如图1至图3所示，根据本公开的一方面的使用有机发光二极管的照明设备100可包括执行面发光的有机发光二极管部101和对有机发光二极管部101进行封装的封装部102。
此时，照明设备100还可包括设置在有机发光二极管部101下方以增加雾度的外部光提取层145。
外部光提取层145可通过将诸如TiO2的散射颗粒分散在树脂中来形成，并且使用粘合层(未示出)被附接到基板110的下部。
有机发光二极管部101可被配置为设置在基板110上的有机发光二极管，在这种情况下，还可在基板110与有机发光二极管之间设置内部光提取层140。
还可在内部光提取层140上设置平整层(未示出)。
在这种情况下，基板110可包括实际向外部发射光的发光部EA以及通过接触电极(焊盘电极)127和128电连接到外部以将信号施加到发光部EA的接触部CA1和CA2。
接触部CA1和CA2不被金属膜170的封装构件覆盖，因此可通过接触电极127和128电连接到外部。因此，金属膜170可被附接到基板110的除了接触部CA1和CA2之外的发光部EA的整个表面上。
此时，接触部CA1和CA2位于发光部EA的外侧。图2例示了第二接触部CA2位于第一接触部CA1之间，但是本公开不限于此。
另外，图2例示了接触部CA1和CA2在发光部EA的外侧均位于发光部EA的上侧和下侧。然而，本公开不限于此。因此，本公开的接触部CA1和CA2可仅位于发光部EA的上侧和下侧中的一侧的外侧。
第一电极116和第二电极126可设置在基板110上，并且有机发光层130被插置在第一电极116与第二电极126之间，从而实现有机发光二极管。在具有这种结构的照明设备100中，当信号被施加到有机发光二极管的第一电极116和第二电极126时，有机发光层130发射光以通过发光部EA输出。
有机发光层130可以是输出白光的发光层。例如，有机发光层130还可包括蓝色发光层、红色发光层、绿色发光层，或者可具有包括蓝色发光层和黄绿色发光层的串联结构。然而，本公开的有机发光层130不限于上述结构，并且可采用各种结构。
根据本公开的有机发光层130还可包括用于分别将电子和空穴注入到发光层中的电子注入层和空穴注入层、用于将所注入的电子和空穴传输到发光层的电子传输层和空穴传输层、以及用于产生诸如电子和空穴的电荷的电荷产生层。
此时，由于第一钝化层115a、有机发光层130和第二电极126没有被形成在发光部EA外侧的接触部CA1和CA2上，因此可以使接触电极127和128暴露于外部。此时，形成作为抗刮擦层(anti-scratching layer)的第二钝化层115b和作为封装层的第三钝化层115c以覆盖发光部EA的有机发光层130和第二电极126，从而可防止湿气被引入到发光部EA的有机发光层130中。
通常，当构成有机发光材料的聚合物与湿气结合时，发光性质明显劣化，从而降低了有机发光层130的发光效率。具体地，当有机发光层130的一部分暴露于照明设备100的外部时，湿气沿着有机发光层130被传播到照明设备100中，以降低照明设备100的发光效率。因此，在本公开中，第二钝化层115b和第三钝化层115c覆盖发光部EA的有机发光层130和第二电极126，以防止湿气被引入到照明设备100的实际发射光的发光部EA的有机发光层130中。另外，由于第二钝化层115b使辅助电极111的突出部分平整，因此即使当为了脉冲老化(p老化)而卷绕或展开基板110时，也可使施加到基板110的压力被均匀地保持，从而防止由于刮擦和颗粒导致的损坏。因此，可以提高产量，从而降低制造成本并确保可靠性。
此时，第二钝化层115b可由有机材料或透气性无机材料制成。第二钝化层115b可通过诸如闪蒸的沉积或涂覆工艺而被形成为具有约5μm至10μm的厚度。
第三钝化层115c可由无机材料制成。
此时，包括第一接触电极127的第一电极116和第二接触电极128被设置在由透明材料制成的基板110上。诸如玻璃的刚性材料可被用作基板110。然而，基板110可由诸如塑料的具有柔性的材料制成，这可以允许制造可弯曲或可卷曲的照明设备100。此外，在本公开中，通过使用具有柔性的塑料材料来制造基板110，可实现使用辊的工艺，这可以致使照明设备100快速制造。
包括第一接触电极127的第一电极116和第二接触电极128形成在发光部EA以及第一接触部CA1和第二接触部CA2上，并且可由具有良好导电性和高功函数的透明导电材料制成。例如，在本公开中，包括第一接触电极127的第一电极116和第二接触电极128可由诸如铟锡氧化物(ITO)的基于锡氧化物的导电材料或者铟锌氧化物(IZO)的基于锌氧化物的导电材料制成。也可使用透明导电聚合物。
第一电极116延伸到发光部EA外侧的第一接触部CA1以成为第一接触电极127，并且与第一电极116电绝缘的第二接触电极128可以设置在发光部EA和第二接触部CA2的一部分上。换句话说，第二接触电极128可在与第一电极116电绝缘的状态下被设置在与第一电极116相同的层中。
例如，图2例示了包括第一接触电极127的第一电极116整体上被形成为具有凹进的上中心部和凹进的下中心部的矩形形状，并且第二接触电极128设置在每个凹部处。然而，本公开不限于此。
辅助电极111可设置在基板110的发光部EA和第一接触部CA1上，以电连接到第一电极116和第一接触电极127。第一电极116由透明导电材料制成，以便使所发射的光良好透射，但是会导致比不透明金属高得多的电阻。因此，当制造大型照明设备100时，由于透明导电材料的高电阻而导致施加到宽的发光区域的电流被不均匀地分布，并且不均匀的电流分布阻止了大型照明设备100发出均匀亮度的光。
辅助电极111在整个发光部EA中以薄矩阵、网格、六边形、八边形、圆形等的形式布置。这使电流被均匀地施加到整个发光部EA的第一电极116，从而使得照明设备100能够发出均匀亮度的光。
图3例示了辅助电极111设置在包括第一接触电极127的第一电极116的下部。然而，本公开不限于此，并且辅助电极111可另选地设置在包括第一接触电极127的第一电极116的上部上。设置在第一接触部CA1上的辅助电极111被用作通过第一接触电极127朝向第一电极116传送电流的路径。然而，辅助电极111也可用作与外部接触以将外部电流施加到第一电极116的接触电极。
辅助电极111可由诸如Al、Au、Cu、Ti、W、Mo的具有良好导电性的金属或其合金制成。辅助电极111可具有包括上辅助电极111a和下辅助电极111b的双层结构。然而，本公开不限于此，并且辅助电极111可被配置为单层。
第一钝化层115a可被层压在基板110的发光部EA上。图2例示了第一钝化层115a被示出为具有预定宽度的矩形框的形状，但是本公开不限于此。
设置在发光部EA中的第一钝化层115a用于覆盖辅助电极111和在辅助电极111上的第一电极116。在实际发射光的光发射区域中，不设置第一钝化层115a。具体地，发光部EA的第一钝化层115a被形成为围绕辅助电极111以减小由辅助电极111引起的阶梯部(或阶梯覆盖)。因此，可使后续要形成的各种层稳定地形成而不断开。
第一钝化层115a可由诸如SiOx或SiNx的无机材料制成。然而，第一钝化层115a可由诸如光压克力(photoacryl)的有机材料制成，或者可通过无机材料和有机材料的多个层形成。
有机发光层130和第二电极126可设置在设置有第一电极116和第一钝化层115a的基板110上。此时，位于发光部EA中的第二接触电极128上的第一钝化层115a可具有被去除以形成用于使第二接触电极128的一部分暴露的接触孔114的预定区域。因此，第二电极126可通过接触孔114电连接到下方第二接触电极128。
作为白色有机发光层的有机发光层130可包括红色发光层、蓝色发光层和绿色发光层，或者具有包括蓝色发光层和黄绿色发光层的串联结构。有机发光层130可包括用于将电子和空穴分别注入到发光层中的电子注入层和空穴注入层、用于将所注入的电子和空穴传输到发光层的电子传输层和空穴传输层、以及用于产生诸如电子和空穴的电荷的电荷产生层。
第二电极126可由诸如Al、Mo、Cu或Ag的金属或诸如MoTi的合金制成。
发光部EA的第一电极116、有机发光层130和第二电极126构成有机发光二极管。在这种情况下，第一电极116是有机发光二极管的阳极，而第二电极126是阴极。当电流被施加到第一电极116和第二电极126时，电子从第二电极126被注入到有机发光层130中，并且空穴从第一电极116被注入到有机发光层130中。此后，在有机发光层130中产生激子。当激子衰变时，产生与发光层的最低未占分子轨道(LUMO)与最高占据分子轨道(HOMO)之间的能量差对应的光，并且该光向下(朝向图中的基板110)发射。
此时，由于第一钝化层115a设置在发光部EA的辅助电极111上，所以辅助电极111上的有机发光层130不与第一电极116直接接触，因此在辅助电极111上不形成有机发光二极管。也就是说，发光部EA内的有机发光二极管例如仅形成在通过被形成为矩阵构造的辅助电极111划分的发光区域内。
第二钝化层115b和第三钝化层115c可设置在基板110的其上形成有第二电极126的整个表面上。
如上所述，根据本公开的该方面的第二钝化层115b被形成为覆盖发光部EA的有机发光层130和第二电极126。因此，第二钝化层115b可防止湿气引入到发光部EA的有机发光层130中，并且同时用作用于防止由于刮擦或颗粒而造成的损坏的抗刮擦层。
也就是说，在本公开中，除了粘合剂118和金属膜170的封装构件之外，第二钝化层115b和第三钝化层115c被形成为覆盖发光部EA的有机发光层130和第二电极126，从而防止湿气引入到照明设备100的实际发射光的发光部EA的有机发光层130中。
第二钝化层115b被形成为具有约5μm至10μm的厚度并且使辅助电极111的突出部分平整。因此，即使当为了p老化而卷绕或展开基板110时，也可使施加到基板110的压力(如图3中的箭头所示)被均匀地保持，从而防止由于刮擦或颗粒而造成的损坏。也就是说，基板110的表面在形成第二电极126之后很容易被刮擦或颗粒损坏。另外，对于作为后续工艺的p老化而言，需要在腔室之间移动。因此，执行基板110的卷绕、移动和展开。此时，按压压力集中在辅助电极111的突出部分上，不仅第二电极126的表面而且有机发光层130都会被刮擦或颗粒损坏，这会造成缺陷。因此，为了防止第二电极126和有机发光层130由于刮擦或颗粒而被损坏，并且也防止在从第二电极126的上部施加压力时损坏下层，在第二电极126的上部上形成具有足够厚度的第二钝化层115b。被形成为具有约5μm至10μm的厚度的第二钝化层115b可使辅助电极111的突出部分平整并且同时掩埋颗粒，同时防止刮擦向下深入到第二电极126。因此，第二钝化层115b填充第二电极126的外围，并且被形成为至少达到第二电极126的高度。
此时，第二钝化层115b可由诸如光压克力的有机材料或透气性无机材料制成。此外，第三钝化层115c可由诸如SiOx或SiNx的无机材料制成。然而，本公开不限于此。
可在第三钝化层115c上附加设置预定密封剂。该密封剂可以是环氧化合物、丙烯酸酯化合物、丙烯酯化合物等。
如上所述，从第一电极116延伸的第一接触电极127在基板110的第一接触部CA1上暴露于外部。通过接触孔114电连接到第二电极126的第二接触电极128在基板110的第二接触部CA2上暴露于外部。因此，第一接触电极127和第二接触电极128电连接到外部电源，以将电流分别施加到第一电极116和第二电极126。
将诸如压敏粘合剂(PSA)的粘合剂118涂覆在第三钝化层115c上，并且将金属膜170设置在第三钝化层115c上方。因此，金属膜170被附接到第三钝化层115c，从而对照明设备100进行封装。
此时，粘合剂118和金属膜170的封装构件充分地覆盖第二钝化层115b和第三钝化层115c。
粘合剂118可以是光固化粘合剂或热固性粘合剂。
如上所述，在本公开中，可使用由柔性塑料膜制成的基板110，并且同时即使在卷绕或展开基板110时，也能够防止由于刮擦或颗粒导致的对有机发光层130的损坏。这可以便于使用辊制造照明设备，这可以实现照明设备100的快速制造并且降低制造成本。
在下文中，将参照附图详细描述根据本公开的一个方面的使用有机发光二极管的照明设备的制造方法。
图4A至图4G是依次例示图2所示的根据本公开的该方面的使用有机发光二极管的照明设备的制造方法的平面图。
图5是图4B所示的发光部的一部分的放大图。
图6A至图6G是依次例示图3所示的根据本公开的该方面的使用有机发光二极管的照明设备的制造方法的截面图。
图7至图9是例示用于制造根据本公开的该方面的使用有机发光二极管的照明设备的卷对卷(roll-to-roll)设备的一部分的截面图。在这种情况下，图7例示了用于有机发光层的有机发光材料的沉积、用于第二电极的金属沉积以及用于第二钝化层的有机材料的沉积的卷对卷设备。图8例示了用于p老化处理的卷对卷设备，以及图9例示了用于第三钝化层的无机材料的沉积的卷对卷设备。
此时，虽然所例示的制造方法涉及在卷对卷设备中执行的工艺，但是本公开不限于此，并且甚至可类似地应用于使用诸如玻璃的基板的一般制造设备。
首先，如图4A和图6A所示，在被划分成发光部和接触部的基板110上沉积诸如Al、Au、Cu、Ti、W、Mo的金属或其合金，然后进行蚀刻，从而在发光部和第一接触部上形成被配置为单层或多层的辅助电极111。
在这种情况下，图4A和图6A例示了辅助电极111被形成为包括上部辅助电极111a和下部辅助电极111b的双层结构的示例。然而，如上所述，本公开不限于此。
此时，辅助电极111可在整个发光部EA上以薄矩阵形状(如图5所示)、网格形状、六边形形状、八边形形状或圆形形状被布置。
此后，在基板110的整个表面上沉积诸如ITO或IZO的透明导电材料，并对其进行蚀刻以在发光部以及第一接触部和第二接触部上形成包括第一接触电极127的第一电极116和第二接触电极128。
在这种情况下，第一电极116可延伸到发光部外侧的第一接触部以构成第一接触电极127，并且可在发光部和第二接触部的一部分上形成与第一电极116电绝缘的第二接触电极128。也就是说，第二接触电极128被形成在与第一电极116相同的层内，且与第一电极116电绝缘。
例如，图4A例示了包括第一接触电极127的第一电极116整体上被形成为具有凹进的上中心部和凹进的下中心部的矩形形状，并且第二接触电极128形成在每个凹部中。然而，本公开不限于此。
在这种情况下，图4A和图6A例示了辅助电极111形成在包括第一接触电极127的第一电极116的下部。然而，本公开不限于此。辅助电极111可另选地形成在包括第一接触电极127的第一电极116的上部上。设置在第一接触部上的辅助电极111可被用作用于将电流传送到第一电极116的路径，而且还用作与外部接触以将外部电流施加到第一电极116的接触电极。
此后，如图4B和图6B所示，在基板110的发光部的一部分上层压诸如SiNx或SiOx的无机材料或者诸如光压克力的有机材料。然后对无机材料或有机材料进行蚀刻以在发光部的辅助电极111的上部和侧部上形成第一钝化层115a，同时形成用于使第二接触电极128的一部分暴露的接触孔114。
此时，第一钝化层115a被形成为覆盖辅助电极111和在辅助电极111上的第一电极116，而不形成在实际发射光的光发射区域上(然而，参照图5，第一钝化层115a实际上可在光发射区域内被形成为矩阵形状以覆盖以矩阵形状排布的辅助电极111)。具体地，第一钝化层115a被形成为围绕辅助电极111以减少由辅助电极111引起的阶梯部(或阶梯覆盖)，使得后续要形成的各种层可被稳定地形成而不断开。
图4B例示了第一钝化层115a被示出为具有预定宽度的矩形框的形状，但是本公开不限于此。另外，图4B例示了第一电极116上的第一钝化层115a与第二接触电极128上的第一钝化层115a分离(隔离)的示例。然而，本公开不限于此。
参照图4C至图4E和图6C至图6E，在基板110的发光部内分别形成由有机发光材料制成的有机发光层130、由金属制成的第二电极126以及由有机绝缘材料制成的第二钝化层115b。
首先，参照图4C和图6C，在基板110的发光部内形成由有机发光材料制成的有机发光层130。
在这种情况下，作为白光有机发光层的有机发光层130可包括红色发光层、蓝色发光层和绿色发光层，或者可具有包括蓝色发光层和黄绿色发光层的串联结构。另外，有机发光层130可包括用于将电子和空穴分别注入到发光层中的电子注入层和空穴注入层、用于将所注入的电子和空穴传输到发光层的电子传输层和空穴传输层、以及用于产生诸如电子和空穴的电荷的电荷产生层。
接下来，参照图4D和图6D，以覆盖有机发光层130的方式在基板110的发光部内形成由金属制成的第二电极126。
此时，第二电极126可通过接触孔114电连接到下方的第二接触电极128。
第二电极126可由诸如Al、Mo、Cu或Ag的金属或诸如MoTi的合金形成。
发光部的第一电极116、有机发光层130和第二电极126构成有机发光二极管。
在这种情况下，由于第一钝化层115a设置在发光部的辅助电极111上，因此辅助电极111上的有机发光层130不与第一电极116直接接触，因此有机发光二极管不形成在辅助电极111上。也就是说，发光部内的有机发光二极管仅形成在由被形成为例如矩阵形状(如图5所示)的辅助电极111划分的光发射区域中。
接下来，参照图4E和图6E，以覆盖有机发光层130和第二电极126的方式在基板110的发光部内形成由有机材料制成的第二钝化层115b。
也就是说，如上所述，第二钝化层115b被形成为覆盖发光部的有机发光层130和第二电极126。因此，第二钝化层115b可防止湿气引入到发光部EA的有机发光层130中，并且同时用作用于防止由于刮擦或颗粒而造成的损坏的抗刮擦层。
第二钝化层115b可被形成为具有约5μm至10μm的厚度，以便使辅助电极111的突出部分平整。
此时，第二钝化层115b可由诸如光压克力的有机材料或透气性无机材料制成。
有机发光层130、第二电极126和第二钝化层115b可通过使用卷对卷设备以线上方式形成，并且在图7中示出了一个相关示例。
参照图7，用于制造柔性照明设备的卷对卷设备包括用于供应由塑料膜制成的基板110的膜供应辊152、用于回收基板110的膜回收辊154以及用于引导基板110的多个导向辊153和156。
此外，虽然没有详细例示，但是该卷对卷设备包括用于供应开口掩模(或金属掩模)的掩模供应辊、用于回收开口掩模的掩模回收辊以及用于沉积有机材料或金属的沉积装置180、182。
利用这种配置，用作照明设备的基板的基板110被从膜供应辊152传送到沉积装置180、182，并且同时开口掩模被从掩模供应辊传送到沉积装置180、182。因此，在开口掩模被布置在基板110的整个表面上的状态下，通过沉积装置180、182将有机材料或金属沉积在基板110的部分区域上。
此时，可在沉积有机材料或金属之前执行预定清洗工艺、烘焙工艺和脱气工艺。这些清洗工艺、烘焙工艺和脱气工艺可通过另一卷对卷设备执行。
此后，完全预处理过的基板110被传送到卷对卷设备以进行沉积。此时，可通过预定等离子体装置181对基板110的表面执行等离子体处理。
将完全沉积后的开口掩模与基板110分离。基板110由膜回收辊154回收，并且开口掩模由掩模回收辊回收。
当使用具有该结构的卷对卷设备时，可通过膜供应辊152连续地供应膜110，这使工艺被连续执行，从而能够快速制造照明设备。
接下来，参照图8，执行p老化以防止由有机发光层和电极构成的有缺陷的有机发光二极管。在这种情况下，用于p老化的另一卷对卷设备可包括用于供应基板110的膜供应辊152'、用于回收基板110的膜回收辊154'以及用于引导基板110的多个导向辊156'。
这是用于通过以向有机发光二极管施加老化电压的方式使电极氧化来防止缺陷。这种p老化在大气压(即，空气环境)下进行以使电极氧化。因此，基板110被卷绕和展开以移动到p老化腔室。此时，由于有机发光二极管的表面被根据本公开的第二钝化层覆盖和保护，因此即使在卷绕或展开基板110的同时也可防止由于刮擦或颗粒而引起的缺陷。因此，提高了产量，这导致降低制造成本并且提高了可靠性。
接下来，参照图4F和图6F，以覆盖第二钝化层115b的方式在基板110的发光部内形成第三钝化层115c。
第三钝化层115c可通过另一卷对卷设备来形成。参照图9，用于形成第三钝化层115c的另一卷对卷设备可包括用于供应基板110的膜供应辊152”、用于回收基板110的膜回收辊154”以及用于引导基板110的导向辊157。卷对卷设备还可包括用于将无机材料喷射在基板110的表面上以形成第三钝化层115c的沉积装置183。
第三钝化层115c可由诸如SiOx或SiNx的无机材料制成。然而，本公开不限于此。
可在第三钝化层115c上附加设置预定密封剂。该密封剂可以是环氧化合物、丙烯酸酯化合物、丙烯酯化合物等。
接下来，参照图4G和图6G，在基板110的发光部上涂敷由光固化粘合剂材料或热固性粘合剂材料制成的粘合剂118。然后，在粘合剂118上设置金属膜170，并且使粘合剂118固化以使金属膜170附接，从而完成照明设备的制造。
此时，第一接触部和第二接触部可以不被金属膜170的封装构件遮蔽，以便通过第一接触电极127和第二接触电极128电连接到外部。
在这种情况下，如上所述，本公开的方面示出了第二钝化层115b填充第二电极126的外围的示例，但是本公开不限于此。第二钝化层115b被形成为至少达到第二电极126的高度。在下文中，将基于本公开的另一方面详细描述第二钝化层115b被形成为达到第二电极126的高度的情况。
图10是示意性地例示根据本公开的另一方面的使用有机发光二极管的照明设备的平面图。
图11是示意性地例示根据本公开的另一方面的使用有机发光二极管的照明设备的沿着图10的线II-II'截取的示意性截面图。
在这种情况下，除了第二钝化层被形成为达到第二电极的高度之外，图10和图11所示的根据本公开的另一方面的使用有机发光二极管的照明设备与根据前述方面的照明设备基本上相同。
也就是说，根据本公开的另一方面的使用有机发光二极管的照明设备可包括执行面发光的有机发光二极管部和用于对有机发光二极管部进行封装的封装部。
在这种情况下，有机发光二极管部被实现为设置在基板上的有机发光二极管。如图10和图11所示，基板210可包括用于向外部实际发射光的发光部EA以及通过接触电极227和228电连接到外部以将信号施加到发光部EA的接触部CA1和CA2。
接触部CA1和CA2不被金属膜270的封装构件覆盖，因此可通过接触电极227和228电连接到外部。因此，金属膜270可附接到基板210的除了接触部CA1和CA2之外的发光部EA的整个表面。
此时，接触部CA1和CA2可位于发光部EA的外侧。图10例示了第二接触部CA2位于第一接触部CA1之间的示例，但是本公开不限于此。
另外，图10例示了接触部CA1和CA2均位于发光部EA外侧的发光部EA的上侧和下侧，但是本公开不限于此。因此，本公开的接触部CA1和CA2可仅位于发光部EA的上侧和下侧中的一侧的外侧。
第一电极216和第二电极226设置在基板210上，有机发光层230设置在第一电极216与第二电极226之间，从而形成有机发光二极管。
此时，第一钝化层215a、有机发光层230和第二电极226不形成在发光部EA外侧的接触部CA1和CA2上，因此接触电极227和228可暴露于外部。在这种情况下，作为抗刮擦层的第二钝化层215b和作为封装层的第三钝化层215c被形成为覆盖发光部EA的有机发光层230和第二电极226，从而防止湿气引入到发光部EA的有机发光层230中。
由于第二钝化层215b使辅助电极211的突出部分平整，因此即使当为了p老化而卷绕或展开基板210时，也可以使施加到基板210的压力被均匀地保持，从而防止由于刮擦或颗粒而导致的损坏。因此，提高了产量，这导致降低了制造成本并且同时确保了可靠性。
此时，第二钝化层215b可由有机材料或透气性无机材料制成，并且可通过诸如闪速沉积等的沉积或涂覆工艺而具有约5μm至10μm的厚度。
此外，根据本公开的另一方面的第二钝化层215b被形成为达到下方的第二电极226的高度。在这种情况下，第二钝化层215b可用作抗刮擦层，并且同时使照明设备200的整体厚度最小化。这可使制造成本降低并允许柔性弯曲。
第三钝化层215c可由无机材料制成。
此时，包括第一接触电极227的第一电极216和第二接触电极228设置在由透明材料制成的基板210上。诸如玻璃的刚性材料可被用作基板210。然而，基板210可由诸如塑料的具有柔性的材料制成，该材料可允许制造可弯曲或可卷曲的照明设备200。此外，在本公开中，通过使用具有柔性的塑料材料形成基板210，可实现使用辊的处理，这可使得允许快速制造照明设备200。
包括第一接触电极227的第一电极216和第二接触电极228形成在发光部EA以及第一接触部CA1和第二接触部CA2上，并且可由具有高导电性和高功函数的透明导电材料制成。
第一电极216可延伸到发光部EA外侧的第一接触部CA1以成为第一接触电极227，并且与第一电极216电绝缘的第二接触电极228可设置在发光部EA和第二接触部CA2的一部分上。换句话说，第二接触电极228可被设置在与第一电极216相同的层内，并且与第一电极216电绝缘。
例如，图10例示了包括第一接触电极227的第一电极216整体上被形成为具有凹进的上中心部和凹进的下中心部的矩形形状，并且第二接触电极228设置在每个凹部中。然而，本公开不限于此。
辅助电极211可设置在基板210的发光部EA和第一接触部CA1上，以电连接到第一电极216和第一接触电极227。
辅助电极211在整个发光部EA中被布置成薄矩阵、网格、六边形、八边形、圆形等的形式。这使得电流被均匀地施加到整个发光部EA的第一电极116，从而使得照明设备200能够发出均匀亮度的光。
图11例示了辅助电极211设置在包括第一接触电极227的第一电极216的下部。然而，本公开不限于此，并且辅助电极211可另选地设置在包括第一接触电极227的第一电极216的上部上。设置在第一接触部CA1上的辅助电极211可被用作用于通过第一接触电极227向第一电极216传送电流的路径。然而，辅助电极211也可用作与外部接触以将外部电流施加到第一电极216的接触电极。
辅助电极211可由诸如Al、Au、Cu、Ti、W、Mo的具有良好导电性的金属或其合金制成。辅助电极211可具有包括上部辅助电极211a和下部辅助电极211b的双层结构。然而，本公开不限于此，并且辅助电极211可被配置为单层。
第一钝化层215a可被层压在基板210的发光部EA上。图10例示了第一钝化层215a被示出为具有预定宽度的矩形框的形状，但是本公开不限于此。
设置在发光部EA上的第一钝化层215a被配置为覆盖辅助电极211和在辅助电极211上的第一电极216，但是不设置在实际发射光的发光区域上。具体地，发光部EA的第一钝化层215a可被形成为围绕辅助电极211以减少由辅助电极211引起的阶梯部。因此，可使后续要形成的各种层稳定地形成而不会断开。
第一钝化层215a可由诸如SiOx或SiNx的无机材料制成。然而，第一钝化层215a可另选地由诸如光压克力的有机材料制成，或者通过无机材料和有机材料的多个层形成。
有机发光层230和第二电极226可设置在其上设置有第一电极216和第一钝化层215a的基板210上。此时，位于发光部EA中的第二接触电极228上的第一钝化层215a可具有被去除以形成用于使第二接触电极228暴露的接触孔214的预定区域。因此，第二电极226可通过接触孔214电连接到下方的第二接触电极228。
如上所述，作为白色有机发光层的有机发光层230可被设置有红色发光层、蓝色发光层和绿色发光层，或者可被配置为包括蓝色发光层和黄绿色发光层的串联结构。有机发光层230可包括用于将电子和空穴分别注入到发光层中的电子注入层和空穴注入层、用于将所注入的电子和空穴传输到发光层的电子传输层和空穴传输层、以及用于产生诸如电子和空穴的电荷的电荷产生层。
第二电极226可由诸如Al、Mo、Cu和Ag的金属或诸如MoTi的合金制成。
具有第二电极226的基板210可被设置有第二钝化层215b和第三钝化层215c。
此时，如上所述，根据另一方面的第二钝化层215b被形成为覆盖发光部EA的有机发光层230和第二电极226，并且可被形成为达到第二电极226的高度。
第二钝化层215b可由诸如光压克力的有机材料或透气性无机材料制成。此外，第三钝化层215c可由诸如SiOx或SiNx的无机材料制成。然而，本公开不限于此。
还可在第三钝化层215c上设置预定密封剂。该密封剂可由环氧化合物、丙烯酸酯化合物、丙烯酯化合物等制成。
如上所述，从第一电极216延伸的第一接触电极227在第一接触部CA1的基板210上暴露于外部。通过接触孔214电连接到第二电极226的第二接触电极228在第二接触部CA2的基板210上暴露于外部。因此，第一接触电极227和第二接触电极228电连接到外部电源，以将电流分别施加到第一电极216和第二电极226。
将诸如压敏粘合剂(PSA)的粘合剂218涂覆在第三钝化层215c上，并且将金属膜270设置在粘合剂218上。然后使金属膜270附接到第三钝化层215c，从而对照明设备200进行封装。
此时，粘合剂218和金属膜270的封装构件被形成为充分地覆盖第二钝化层215b和第三钝化层215c。
虽然以上已描述了许多细节，但是应当认为它们仅是对优选方面的说明，而不限制本公开的范围。因此，本公开不应被解释为受限于所描述的方面，而是应由所附权利要求和权利要求的等同物来确定。

Claims (17)

1.一种使用有机发光二极管的照明设备，该照明设备包括：
基板，该基板具有发光部以及第一接触部和第二接触部；
第一电极，该第一电极位于所述基板上，其中，所述第一电极延伸至所述第一接触部以成为第一接触电极；
第一钝化层，该第一钝化层位于所述第一电极上；
有机发光层和第二电极，所述有机发光层和所述第二电极位于所述发光部处并且覆盖所述第一钝化层；
第二钝化层，该第二钝化层覆盖所述有机发光层和所述第二电极两者并且使所述发光部的所述基板平整；
金属膜，该金属膜位于所述发光部处并且覆盖所述第二钝化层；以及
第二接触电极，该第二接触电极位于所述发光部和所述第二接触部两者处，
其中，包括所述第一接触电极的所述第一电极具有在所述第一电极的上部和下部中的至少一个的中央部处具有凹部的矩形形状，并且所述第二接触电极被设置在所述凹部内。
2.根据权利要求1所述的照明设备，其中，所述第一接触部和所述第二接触部按照所述第一接触部位于所述发光部的左侧和右侧中的至少一侧的方式而位于所述发光部外侧。
3.根据权利要求2所述的照明设备，其中，所述第二接触电极由与所述第一电极相同的导电材料制成。
4.根据权利要求3所述的照明设备，其中，所述第一钝化层具有用于暴露出所述第二接触电极的在所述发光部处的一部分的接触孔。
5.根据权利要求4所述的照明设备，其中，所述第二电极通过所述接触孔电连接至所述第二接触电极。
6.根据权利要求1所述的照明设备，其中，所述第二钝化层被形成为具有至少达到所述第二电极的高度的高度，以便填充所述第二电极的外围以用于使所述第二电极平整。
7.根据权利要求1所述的照明设备，其中，所述第二钝化层由光压克力的有机材料或透气性无机材料制成。
8.根据权利要求1所述的照明设备，该照明设备还包括：第三钝化层，该第三钝化层由无机材料制成且覆盖所述第二钝化层。
9.一种使用有机发光二极管的照明设备，该照明设备包括：
基板，该基板具有发光部以及第一接触部和第二接触部；
辅助电极，该辅助电极位于所述基板上的所述发光部处并且用作附加接触电极；
第一电极，该第一电极位于包括所述辅助电极的所述基板上；
钝化层，该钝化层位于包括所述第一电极的所述基板上；
有机发光层、第二电极和抗刮擦层，所述有机发光层、所述第二电极和所述抗刮擦层位于包括所述钝化层的所述基板的在所述发光部中的整个表面上；
封装层，该封装层围绕所述抗刮擦层并且被设置在所述钝化层上；以及
第二接触电极，该第二接触电极位于所述发光部和所述第二接触部两者处并且由与所述第一电极相同的导电材料制成。
10.根据权利要求9所述的照明设备，其中，所述第一接触部和所述第二接触部位于所述发光部外侧。
11.根据权利要求9所述的照明设备，其中，所述第一电极延伸至所述第一接触部以成为第一接触电极。
12.根据权利要求9所述的照明设备，其中，所述钝化层具有用于暴露出所述第二接触电极的在所述发光部处的一部分的接触孔。
13.根据权利要求12所述的照明设备，其中，所述第二电极通过所述接触孔电连接至所述第二接触电极。
14.根据权利要求9所述的照明设备，其中，所述抗刮擦层被形成为具有至少达到所述第二电极的高度的高度，以便使所述第二电极的表面平整。
15.根据权利要求9所述的照明设备，其中，所述抗刮擦层由光压克力的有机材料或透气性无机材料制成。
16.根据权利要求9所述的照明设备，该照明设备还包括：金属膜，该金属膜位于所述抗刮擦层上方。
17.根据权利要求16所述的照明设备，该照明设备还包括：粘附层，该粘附层将所述金属膜附接至所述抗刮擦层。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107068886B (zh) * 2017-05-12 2019-01-25 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件及其制作方法、发光装置
KR102516699B1 (ko) * 2017-11-29 2023-03-30 엘지디스플레이 주식회사 조명 장치용 oled 패널 및 그 제조 방법
KR102589995B1 (ko) * 2018-08-27 2023-10-13 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자를 이용한 조명 장치
KR102631169B1 (ko) * 2018-12-31 2024-01-29 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 조명장치
KR102544067B1 (ko) * 2018-12-31 2023-06-16 엘지디스플레이 주식회사 유기 조명 장치

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016008994A1 (de) * 2014-07-17 2016-01-21 Osram Oled Gmbh Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements
CN108123063A (zh) * 2016-11-30 2018-06-05 乐金显示有限公司 使用有机发光二极管的发光设备及其制造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69528515T2 (de) * 1994-07-26 2003-04-24 Koninkl Philips Electronics Nv Herstellungsmethode eines oberflächen-montierbaren bauteils und dieser selbst
US6815723B2 (en) * 2001-12-28 2004-11-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, method of manufacturing the same, and manufacturing apparatus therefor
JP5362948B2 (ja) 2006-06-27 2013-12-11 パナソニック株式会社 有機エレクトロルミネッセンス発光装置及び有機エレクトロルミネッセンス照明装置
KR100811473B1 (ko) 2006-10-17 2008-03-07 엘지전자 주식회사 전계발광패널 및 그를 포함하는 광원장치
JP5541872B2 (ja) * 2009-02-26 2014-07-09 パナソニック株式会社 面状発光装置および照明器具
JP5319420B2 (ja) 2009-06-25 2013-10-16 パナソニック株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US8766269B2 (en) * 2009-07-02 2014-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, lighting device, and electronic device
KR101808730B1 (ko) * 2010-10-22 2017-12-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US20150255748A1 (en) * 2014-03-10 2015-09-10 Samsung Sdi Co., Ltd. Low permeation gas ultra-barrier with wet passivation layer
DE102015103124B4 (de) * 2015-03-04 2017-05-11 Osram Oled Gmbh Beidseitig emittierende organische Anzeigevorrichtungen und Verfahren zum Herstellen beidseitig emittierender organischer Anzeigevorrichtungen
KR102407994B1 (ko) * 2015-03-23 2022-06-14 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 이의 제조 방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016008994A1 (de) * 2014-07-17 2016-01-21 Osram Oled Gmbh Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements
CN108123063A (zh) * 2016-11-30 2018-06-05 乐金显示有限公司 使用有机发光二极管的发光设备及其制造方法

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