CN101218692A - 气密性密封封装体及其制造方法 - Google Patents
气密性密封封装体及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101218692A CN101218692A CNA2006800204943A CN200680020494A CN101218692A CN 101218692 A CN101218692 A CN 101218692A CN A2006800204943 A CNA2006800204943 A CN A2006800204943A CN 200680020494 A CN200680020494 A CN 200680020494A CN 101218692 A CN101218692 A CN 101218692A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- hermetically sealed
- sealed package
- organic electronic
- electronic device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims abstract description 87
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 38
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 173
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 48
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 43
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 34
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 25
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 25
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 6
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 5
- 238000012856 packing Methods 0.000 claims description 5
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 5
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 5
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 229910001152 Bi alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000013086 organic photovoltaic Methods 0.000 claims description 2
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 claims 4
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 abstract description 7
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 abstract 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 48
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 48
- 235000012054 meals Nutrition 0.000 description 48
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 17
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 17
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 14
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 12
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 12
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 11
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 10
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 9
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 9
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 6
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 6
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- -1 pottery Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 5
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 4
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 4
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 4
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 4
- OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L calcium sulfate Chemical compound [Ca+2].[O-]S([O-])(=O)=O OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 4
- 229920005644 polyethylene terephthalate glycol copolymer Polymers 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 3
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000013066 combination product Substances 0.000 description 3
- 229940127555 combination product Drugs 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- HIXDQWDOVZUNNA-UHFFFAOYSA-N 2-(3,4-dimethoxyphenyl)-5-hydroxy-7-methoxychromen-4-one Chemical compound C=1C(OC)=CC(O)=C(C(C=2)=O)C=1OC=2C1=CC=C(OC)C(OC)=C1 HIXDQWDOVZUNNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005864 Sulphur Substances 0.000 description 2
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001646 UPILEX Polymers 0.000 description 2
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 description 2
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 2
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 2
- 150000001345 alkine derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 239000005030 aluminium foil Substances 0.000 description 2
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 2
- 239000003230 hygroscopic agent Substances 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N octamethylcyclotetrasiloxane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005702 oxyalkylene group Chemical group 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920000636 poly(norbornene) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 2
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 2
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 2
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 2
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 2
- 239000011573 trace mineral Substances 0.000 description 2
- 235000013619 trace mineral Nutrition 0.000 description 2
- 229910000925 Cd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000978 Pb alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 1
- RQMIWLMVTCKXAQ-UHFFFAOYSA-N [AlH3].[C] Chemical compound [AlH3].[C] RQMIWLMVTCKXAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Inorganic materials [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSSYLTMKCUORDA-UHFFFAOYSA-N barium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Ba+2] CSSYLTMKCUORDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- 238000005524 ceramic coating Methods 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000004100 electronic packaging Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- 238000007704 wet chemistry method Methods 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
- H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8423—Metallic sealing arrangements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
披露容纳有机电子器件的气密性密封封装体。提供大量密封机构气密性密封该封装体,以保护有机电子器件,使其免受环境因素的侵害。在有机电子器件(14)附近使用金属合金密封材料层(18)。或者,还可实施结合打底层(22,24)的金属合金密封材料层(18)。此外,可设置顶板(20)和边缘包封体以完全包围有机电子器件。
Description
关于联邦政府资助的研究&开发的声明
本发明依据国家标准技术研究所授权的合同号70NANB3H3030并通过政府支持完成。政府享有本发明中的一定权力。
背景技术
本发明总体涉及气密性密封电子封装体。更具体而言,本发明涉及采用有机器件并具有低温气密密封性的电子封装体及其制造方法。
有机器件是硅半导体器件的低成本、高性能替代器件,且用于各种应用当中,如有机发光二极管(OLED)、有机光传感器、有机晶体管、有机太阳能电池和有机激光器。
然而,这些有机器件需要受到保护,不受环境因素如水分或氧的影响,以防止器件劣化。这种器件大多数由结合了多个材料层的多层结构体制成,每一材料层具有不同功能。保护这些器件的一种常用方式包括为多层结构体提供封装。通常,封装有机器件的工序包括将有机器件夹在基板和封装层之间以使器件周围存在连续的周边密封。通常,使用具有阻挡涂层的玻璃、金属或塑料薄片夹持器件。利用通常基于环氧树脂的粘合剂将这些薄片接合在一起。粘合虽然片材提供了优良的气密特性,但是粘合剂并不是这样。
过去,在基板和封装层之间采用了较薄的粘合剂层,以限制不利因素如水和/或氧扩散到封装体中。虽然通过采用较薄的粘合剂层降低了扩散速度,但是,粘合剂对于环境因素仍具有相当大的可渗透性粘合。可以理解,粘合剂在粘合其和片材的结合处粘合具有的界面空隙越少使得制造期间粘合剂向封装体内扩散的速度越慢,从而导致器件周围密封材料护围的覆盖不充分。此外,可在密封材料表面上采用吸湿剂或除气剂或者可将吸湿剂或除气剂结合到封装体中,以防止任何水分侵入封装体。然而,这些材料昂贵且防止环境因素渗透到密封材料中的能力有限。
因此,需要采用密封材料的电子封装体,与常规器件相比,所述密封材料减少环境因素通过器件边缘渗透。
发明内容
根据本发明的一个方面,提供了气密性密封封装体。该气密性密封封装体包括第一基板和设置在该第一基板上的有机电子器件。此外,该气密性密封封装体包括设置在第一基板上的第一打底层。该第一打底层沿有机电子器件的周边设置。该气密性密封封装体还包括设置在第一打底层上并沿有机电子器件周边设置的金属合金密封材料层以及设置在金属密封材料层上的第二打底层。此外,该封装体包括设置在第二打底层上并且设置在该有机电子器件上方与其邻近的第二基板。
根据本发明的第二方面,提供了气密性密封封装体。该封装体包括第一基板、设置在基板上表面上的有机电子器件和设置在有机电子器件上方的绝缘粘合剂层。而且,气密性密封封装体包括与绝缘粘合剂层连接并设置在有机电子器件附近的顶板。该顶板包括用于包封封装体边缘的外围部分,以使顶板的外围部分连接到与有机电子器件相对的基板的下表面。此外,该封装体包括设置在基板下表面上的金属合金密封材料层,以使顶板的外围部分气密性密封到基板的下表面。
根据本发明的再一方面,提供了气密性密封封装体。该气密性密封封装体包括具有内侧和外侧的第一基板、设置在第一基板内侧上的有机电子器件和设置在有机电子器件上方的绝缘层。该气密性密封封装体还包括具有内侧和外侧的第二基板,其中第二基板连接到绝缘粘合剂以使第二基板的内侧设置成与有机电子器件接近。此外,该气密封封装体还包括边缘包封体和金属合金密封材料层,该边缘包封体连接到第一和第二基板各自的外侧,并构成为气密性密封封装体的外围边缘,该金属合金密封材料层连接到第一和第二基板各自的外侧和边缘包封体,以使边缘包封体气密性密封到第一和第二基板各自的外侧。
根据本发明的另一方面,提供制造气密封电子封装体的方法。该方法包括下述步骤:在基板上设置多个有机电子器件,提供与基板的尺寸近似相同的金属箔。此外,该方法还包括以多种图形图形化包括金属合金密封材料的金属箔,其中,当使金属箔与基板连接和将金属箔连接到基板时,多种图形中每一种图形的尺寸都定为完全包围有机电子器件。
当参考附图阅读以下详细描述时,将更好地理解本发明的这些和其他特征、方面和优点,附图中,相同的标记始终表示相同的部分,其中:
图1是根据本发明的一种实施方案采用金属合金密封材料层的示意性气密性密封封装体的截面图;
图2是根据本发明的一种实施方案制造有机电子封装器件的气密性密封封装体的方法的透视图;
图3是根据本发明的另一种实施方案采用顶板的示意性气密性密封封装体的截面图;
图4是采用打底层的图3的气密性密封封装体的替换性实施方案的截面图;
图5是根据本发明的另一种实施方案采用顶板的示意性气密性密封封装体的截面图;
图6是采用打底层的图5的气密性密封封装体的替换性实施方案的截面图;
图7是根据本发明的一种实施方案采用边缘包封体的示意性气密性密封封装体的截面图;
图8是根据本发明的一种实施方案采用打底层的示意性气密性密封封装体的截面图;
图9是根据本发明的另一实施方案采用边缘包封体的示意性气密性密封封装体的截面图;
图10是采用打底层的图9的边缘包封体的另一种替换性实施方案的截面图;
图11是可结合本发明实施的示意性复合基板的截面图;和
图12是可结合本发明实施方案的另一种示意性复合基板的截面图。
具体实施方式
有机电子器件以多种技术封装,以避免环境因素如水分和氧的不利影响。目前,采用玻璃、金属或塑料薄片夹持有机电子器件。通常,这些薄片通过使用粘着剂如环氧基树脂来连接。虽然片材提供了良好的气密特性,但是粘合剂通常对水分和氧是可渗透的。因此,希望开发一种材料,可用其连接薄片同时对容纳有机电子器件的封装体提供气密性。
参考图1,示出了气密性密封封装体10的示意性实施方案的截面图。在目前预期的结构中,将气密性密封封装体10图示为包括第一基板12,该第一基板构成为安放有机电子器件14。在一些实施方案中,第一基板12可包括柔性基板。如本申请所用,术语“柔性”通常表示能够弯曲成曲率半径小于约100cm的形状。在其他实施方案中,第一基板12可包括复合结构。第一基板12可包括单层或者具有多个不同材料的邻接层的结构。根据本发明的方面,第一基板12可包括的材料例如塑料、金属箔或玻璃,但不限于此。第一基板12通常较薄,其厚度在从约0.25毫米到约50.0毫米范围内,并优选在从约0.5毫米到约10.0毫米的范围内。根据本发明的方面,第一基板12还可包括基本透明的膜。如本申请所用,“基本透明”指的是允许可见光(即,具有在约400nm至约700nm的范围内的波长)的总透射率为至少约50%、优选为至少约80%的材料。
在一些实施方案中,第一基板12可包括适合卷装进出处理(roll-to-rollprocessing)的柔性基板。有利的是,实现柔性基板的膜卷能够采用高容量、低成本的卷装进出处理和并且能够制造气密性密封封装体10。膜卷例如可具有1英尺的宽度,在其上可制造大量部件(例如有机电子器件)。通过使用可卷曲基板,可改善器件的可制造性。
而且,第一基板12可具有在从约1到约2.5范围内,优选在从约1到约2范围内变化的折射系数。第一基板12通常可包括柔性适当的聚合物材料。此外,第一基板12可包括聚碳酸酯、聚芳酯、聚醚酰亚胺、聚醚砜、聚酰亚胺如Kapton H或Kapton E(由Dupont制造)或Upilex(由UBEIndustries,Ltd.制造)、聚降冰片烯如环烯(COC)、液晶聚合物(LCP)如聚醚醚酮(PEEK)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)和聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)。
此外,气密性密封封装体10可包括设置在第一基板12上的有机电子器件14。在一些实施方案中,有机电子器件14可包括电致发光器件(如有机发光器件(OLED))、有机光伏电池、有机光检测器、有机电色显示器件(organic electrochromic device)、有机传感器或者其组合中的一种。在这些实施方案中,有机电子器件14可包括设置在两个导体或电极之间的多个有机半导体层。尽管图1中未示出,但是有机电子器件的电极电连接至外电源,该外电源用于起动有机电子器件14中的光产生反应。根据本发明的方面,可使用卷装进出处理在第一基板12上制造有机电子器件14。
在一些实施方案中,可将阻挡涂层16设置在第一基板12和有机电子器件14之间以防止水分和氧通过第一基板12扩散。在一些实施方案中,阻挡涂层16设置在或另外形成在第一基板12的表面上,以使阻挡涂层16完全覆盖第一基板12。如本领域技术人员将理解的,阻挡涂层16可包括反应物的任何适当的反应产物或复合产物。在一些实施方案中,阻挡涂层16的厚度可在从约10nm到约10,000nm范围内并优选在从约10nm到约1,000nm的范围内。如所理解的,希望选择阻碍光透过第一基板12的阻挡涂层16厚度,使透光率下降小于约20%,优选小于约5%的阻挡涂层16。还希望选择不明显降低第一基板12的柔性且其性能不随弯曲而明显劣化的阻挡涂层材料和厚度。
在一些实施方案中,阻挡涂层16可通过任何合适的沉积技术设置,如物理气相沉积、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、射频等离子体增强化学气相沉积(RFPECVD)、膨胀热等离子体化学气相沉积(ETPCVD)、反应溅射、电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECRPECVD)、感应耦合等离子体增强化学气相沉积(ICPECVD)、溅射沉积、蒸镀、原子层沉积(ALD)或其组合。
在一些实施方案中,阻挡涂层16可包括例如但不限于有机材料、无机材料、陶瓷、金属或其组合。通常,这些材料是反应等离子体的反应产物或复合产物,并沉积到第一基板12的表面上。在一些实施方案中,有机材料可包括碳、氢、氧,且根据反应物的类型可包括任选的其他微量元素如硫、氮、硅等。在涂层中产生有机成分的合适反应物是最多含15个碳原子的直链或支链烷烃、烯烃、炔烃、醇、醛、醚、氧化烯、芳香族化合物等。无机和陶瓷涂覆材料通常包括IIA、IIIA、IVA、VA、VIA、VIIA、IB和IIB族元素的氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、氧氮化物、氧碳化物或其组合或者IIIB、IVB和VB族金属以及稀土金属。例如,可通过由硅烷(SiH4)和诸如甲烷或二甲苯等有机材料产生的等离子体的复合将碳化硅沉积到基板上。碳氧化硅可由硅烷、甲烷和氧或硅烷和环氧丙烷产生的等离子体沉积。碳氧化硅还可由诸如四乙氧基硅烷(TEOS)、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、六甲基二硅氮烷(HMDSN)或八甲基环四硅氧烷(D4)的有机硅前体产生的等离子体沉积。氮化硅可由硅烷和氨产生的等离子体沉积。碳氮氧化铝可由酒石酸铝(aluminum titrate)和氨的混合物产生的等离子体沉积。可选择其它的反应物组合如金属氧化物、金属氮化物、金属氧氮化物、氧化硅、氮化硅、氧氮化硅,以获得所需的涂覆组合物。
在其他实施方案中,阻挡涂层16可包括有机/无机混合材料或多层有机/无机材料。有机材料可包括丙烯酸酯、环氧树脂、环氧胺、二甲苯、硅氧烷、有机硅等。本领域技术人员能够理解对具体反应物的选择。在不要求第一基板12透明的应用中,大多数金属也可用于阻挡涂层16。可以理解,第一基板12可包括结合第一阻挡层16以提供密封基板的组合物。
此外,如上所述,气密性密封封装体10包括第二基板20,该第二基板20可通过金属合金密封材料层18连接到第一基板12。在一些实施方案中,第二基板20可设置成使其外围部分被图形化,以包封封装体10的边缘。在这些实施方案中,第二基板20的外围部分可连接到与阻挡涂层16相对的第一基板12一侧上。换句话说,第二基板20的外围部分可构成为连接到与阻挡涂层16相对的第一基板12一侧上,从而气密地密封封装体10。在这些实施方案中,第二基板还可称作“顶板”。进一步参考图3-6,对这些示意性实施方案进行示例和描述。在替换性实施方案中,被布置成气密性密封气密性密封封装体外围边缘的密封材料可沿着第一和第二基板12和20之间的有机电子器件14的周边设置。参考图7-10示出并说明这些示意性实施方案。
根据本发明的方面,第二基板20可包括具有低渗透性的薄层材料。根据本发明的方面,第二基板根据应用可以是透明的或不透明的。在一些实施方案中,第二基板20可包括反射材料,如金属箔,以反射有机电子器件14发出的光。在一些实施方案中,第二基板20可包括铝箔、不锈钢箔、铜箔、锡、Kovar、Invar等。在反射光较不重要的应用中第二基板20可包括薄的玻璃、蓝宝石、云母或涂覆有阻挡层的低渗透性塑料。通常,第二基板20用于反射远离第一基板12发出的辐射,并使这种辐射指向第一基板12,以使沿该方向发出的辐射总量增加。有利的是,第二基板20可包括防止诸如氧和水分等活性环境因素扩散到有机电子器件14中的材料。第二基板20足够薄,以便不降低整个器件的柔性。此外,如以下参考图11和12所述,第二基板可包括多个不同金属层或金属化合物层,以进一步减少氧和水蒸汽向有机电子器件14中扩散。在一种实施方案中,与有机电子器件14直接相邻的第二基板20的内侧是反射性的,而外部层包括非反射性材料或化合物如金属氧化物、氮化物、碳化物、氮氧化物或碳氧化物,它们可降低氧和水向有机电子器件14中扩散的速度。
根据本发明的方面,为提供气密性,将金属合金密封材料层18设置在有机电子器件14附近。以下,金属合金密封材料层可替换地称作金属合金密封层。在图1所示的示例性实施方案中,金属合金密封层18沿有机电子器件14的整个周边设置,以使有机电子器件14完全被金属合金密封层18包围。通常,金属合金密封层18包括粘合剂材料,使其可用于将第一基板12或阻挡涂层16连接到第二基板20,从而完全密封有机电子器件14。金属合金密封层18通常可包括具有低渗透性并提供粘合性的任何材料。以下将参考图2在此进一步描述设置金属合金密封层18的技术。如以下详细描述的,在一些实施方案中,金属合金密封层18直接连接到气密性密封封装体10的第一或第二基板。而在其他实施方案中,可将一个或多个打底层例如第一打底层22和/或第二打底层24或者二者设置在金属合金密封层18和第一和/或第二基板12和20之间。如以下进一步描述的,打底层22和24可用于促进金属合金密封层18与基板12和20之间的粘合。
在一些实施方案中,可通过将封装体10加热到金属合金密封材料的熔点以上,将金属合金密封材料涂敷到封装体10上。加热时金属合金密封材料18熔化并流动,从而形成连续层,该连续层固化时形成水和氧不能渗透的密封层。因此,希望采用熔点低于约150℃的金属合金密封材料18,以使得在加热金属合金以形成熔融物时不改变有机电子器件14各层的特性。同时,还希望使得金属合金密封材料的熔点高于有机电子器件的工作温度,以使得在有机电子器件14的工作条件下密封层不会丧失气密性。因此,在一些实施方案中,金属合金密封材料可包括铋、锡、铅、铟、镉或其组合的合金。
在一些实施方案中,金属合金密封材料18可包括下述金属合金:具有从约0至约50%体积百分比范围内的铋,或者从约5%至约50%体积百分比范围内的锡,或者从约0到约50%体积百分比范围内的铅,或者从约0到约55%体积百分比范围内的铟,或者从约0到约15%体积百分比范围内的镉。在示意性实施方案中,金属合金密封材料可包括从约42%到约46%体积百分比范围内的铋,从约6%到约10%体积百分比范围内的锡,从约20%到约24%体积百分比范围内的铅,从约17%到约21%体积百分比范围内的铟,和从约3%到7%体积百分比范围内的镉。在另一种示意性实施方案中,金属合金密封材料18可包括从约47%到约51%体积百分比范围内的铋,从约10%到约12%体积百分比范围内的锡,从约16%到约20%体积百分比范围内的铅,从约19%到约23%体积百分比范围内的铟。在另一种示意性实施方案中,金属合金密封材料18可包括从约48%到约52%体积百分比范围内的铋,从约10%到约12%体积百分比范围内的锡,从约23%到约27%体积百分比范围内的铅,从约10%到约14%体积百分比范围内的镉。在另一种示意性实施方案中,金属合金密封材料18可包括从约53%到约57%体积百分比范围内的铋,从约40%到约44%体积百分比范围内的锡。在另一种示意性实施方案中,金属合金密封材料18可包括从约46%到约50%体积百分比范围内的锡,从约50%到约54%体积百分比范围内的铟。
此外,在一些实施方案中,如图1所示,诸如第一打底层22和第二打底层24的打底层可设置在金属合金密封层18的任一侧上,如图1中所示。如本领域技术人员可理解的,打底层润湿第一基板12(或阻挡涂层16)和/或第二基板20的表面,从而有利于金属合金密封层18和第一和/或第二基板12和20之间的粘合。在示意性实施方案中,第一或第二打底层22和24或两者可包括锡。此外,在一些实施方案中,打底层22和24电沉积在第一和/或第二基板12和20的表面上。在其它实施方案中,可采用例如但不限于蒸镀和溅射的沉积技术沉积打底层。在一些实施方案中,打底层22和24具有在从约10nm到约10,000nm的范围内变化的厚度。
图2示出了制造多个例如参考图1所述的封装体10的气密性密封封装体的示意性方法。可以理解,第一基板12由聚合物膜卷提供。在示意性实施方案中,如图2所示,该卷可定为可相邻制造两个封装体10的尺寸。第一基板12涂覆有阻挡涂层16,并且有机电子器件14设置于其上。在一些实施方案中,第二基板20也可由卷提供。在所示实施方案中,金属合金密封材料18沉积到第二基板20的表面上,从而,第二基板20连接到第一基板12时形成包围有机电子器件14整个外围部分的密封层。在一些实施方案中,金属合金密封材料18可通过任何其他适当装置丝网印刷、喷墨印刷、层叠或设置于第二基板20的表面上。卷装进出制造完成时,可使气密性密封封装体10从卷上脱离。可以理解,可采用其他制造技术来构造气密性密封封装体10。
参考图3,示出了图1所示气密性密封封装体的替换性实施方案的截面图26。与图1中所示实施方案相同,气密性密封封装体26包括第一基板12、阻挡涂层16和有机电子器件14。此外,在所示实施方案中,气密性密封封装体26还包括第二基板28。如上所述,在所示实施方案中,第二基板包括顶板28。在所示实施方案中,顶板28包括边缘30,边缘的尺寸定为使其可包封第一基板12的边缘并连接到第一基板12的外侧(即,第一基板12与具有阻挡涂层16的一侧相对的那侧)以形成外围部分31。在所示实施方案中,使用金属合金密封层32将顶板28的边缘30粘合粘接到第一基板12的外侧。金属合金密封层32包括与金属合金密封层18相同的材料。可以理解,为了有效地保护有机电子器件14不受水分和氧的影响,金属合金密封层32有利地包括具有低渗透性的材料。此外,气密性密封封装体26可包括设置在有机电子器件14和第二基板28之间的绝缘粘合剂34以使器件14与第二基板28绝缘。如图3中所示,还采用金属合金密封层32密封绝缘粘合剂34的外围部分。
图4示出了采用顶板28和打底层38、40的气密性密封封装体36的另一种替换性实施方案。与图1和3中所示实施方案相同,气密性密封封装体36包括第一基板12、阻挡涂层16和有机电子器件14。在所示实施方案中,使用金属合金密封层32将顶板28的边缘30粘合粘结到第一基板12的外侧。此外,将绝缘粘合剂34设置在有机电子器件14和顶板28之间。在一些实施方案中,在气密性密封封装体36中可采用一个或多个打底层以增强金属合金密封层32与顶板28的外围部分31和/或第一基板12的外侧的粘合性。在当前考虑的实施方案中,打底层38可设置在金属合金密封层32和第一基板12的外侧之间,且打底层40可设置在金属合金密封层32和第一基板12的外围部分31之间。可以理解,打底层32和40可在材料组成方面有所不同。在一些实施方案中,打底层38和40可包括锡。
图5示出了采用顶板44的气密性密封封装体42的另一种示意性实施方案。与图1、3和4中所示实施方案相同,气密性密封封装体42包括第一基板12、阻挡涂层16和有机电子器件14。在所示实施方案中,封装体42包括顶板44,该顶板44具有边缘46和外围部分48。在一些实施方案中,为了进一步提供气密性,在以顶板44作为第二基板的气密性密封封装体42中采用干燥剂或除气材料。在这些实施方案中,干燥剂或除气材料可设置于通过包封顶板44边缘而形成的穴中。可以理解,干燥剂可包括对于水或氧具有高度亲和性的材料,并被实施为干燥介质。可以理解,有利地,干燥剂或除气剂50吸收水分或氧,从而进一步保护有机电子器件14。在一些实施方案中,干燥剂或除气剂50例如可包括氧化钙、硅胶、Hisil、Zeolite,硫酸钙(DRIERITE)、氧化钡或其他活泼金属。可以理解,干燥剂或除气剂50也可略去不用。
在当前考虑的实施方案中,沿有机电子器件14周边采用金属合金密封层52使顶板44连接到第一基板12。此外,使用金属合金密封层52将顶板44的外围部分48粘接到第一基板12的外侧。金属合金密封层52可包括与金属合金密封层18相同的材料。
图6示出了采用顶板的气密性密封封装体54的另一种示意性实施方案。与图1、3、4和5中所示实施方案相同,气密性密封封装体54包括第一基板12、阻挡涂层16和有机电子器件14。在所示实施方案中,封装体54包括具有边缘46和外围部分48的顶板44。在一些实施方案中,为了进一步提供气密性,可在气密性密封封装体54中采用干燥剂或除气材料。如同图5,在这些实施方案中,干燥剂或除气材料50可设置在通过包封顶板44的边缘46而形成的穴中。在当前考虑的实施方案中,沿有机电子器件44周边采用金属合金密封层52使顶板44连接到第一基板12。此外,使用金属合金密封层52将顶板44的外围部分48粘接到第一基板12的外侧。此外,在所示实施方案中,可邻近金属合金密封层52和第二表面使用一个或多个打底层如打底层56。金属合金密封层52包括与金属合金密封层18相同的材料。
现在参考图7,示出了另一种气密性密封封装体58的截面图。与图1和3-6中所示实施方案相同,气密性密封封装体58包括第一基板12、阻挡涂层16和有机电子器件14。此外,封装体58包括第二基板60。在当前考虑的实施方案中,第二基板60可为与顶板28相似的反射性基板,或者是与第一基板12类似的柔性基板。尽管未示出,但是阻挡涂层如阻挡涂层16可设置于第二基板60较接近有机电子器件14的表面上。此外,粘合剂62可设置在第一和第二基板12和60之间并接近两个基板的边缘,以将两个基板连接到一起。
接下来,可通过使边缘包封体64密封所形成的结构的边缘,改善封装体58的气密性。在所示实施方案中,边缘包封体64包括侧面部分66和外围部分68。此外,如图7所示,边缘包封体64通过金属合金密封层70连接到基板12和60。在所示实施方案中,金属合金密封层70设置在与边缘包封体64的外围部分68接近的第一和第二基板12和60上,以使金属合金密封层70气密性密封封装体58。在一些实施方案中,边缘包封体64可包括铝箔、不锈钢箔、铜箔、锡、Kovar、Invar等,并可以是绝缘的或导电的。有利的是,由于消除了第二基板如顶板的气密性涂层中的裂缝,因此边缘包封体64可提供更牢固的气密性密封封装体。与参考图5和6所述的示意性实施方案相同,可在沿封装体58边缘包封边缘包封体64而产生的穴中设置干燥剂或除气材料72。
图8示出了图7的气密性密封封装体的替换性实施方案。在所示实施方案中,气密性密封封装体74包括第一基板12、阻挡涂层16、第二基板60和有机电子器件14。在当前考虑的实施方案中,气密性密封封装体74包括如参考图7所述的金属合金密封层70。此外,为了增强金属合金密封层的粘合性,并进而改善封装体74的气密性,可将诸如打底层76和78的一个或多个打底层设置在金属合金密封层70和在其上设置金属合金密封层70的表面之间。例如,可将打底层76设置在金属合金密封层70和边缘包封体64的外围部分68之间。此外,打底层78可设置在金属合金密封层70和第一基板12或第二基板60或者两者的侧面部分之间。可以理解,打底层76和78的材料组成可以相同或不同。
如同图7和8,图9示出了根据本发明方面的采用边缘包封体64的气密性密封封装体80的另一种示意性实施方案。在所示实施方案中,气密性密封封装体80包括第一基板12、阻挡涂层16、第二基板60和有机电子器件14。在当前考虑的实施方案中,气密性密封封装体80包括层82形式的金属合金密封层,该金属合金密封层设置在边缘包封体64的外围部分68之间,并沿第一和第二基板12和60的周边设置。金属合金密封层82包括与图1的金属合金密封层18相同的组成。
图10示出了图9的替换性示意性实施方案。在所示实施方案中,气密性密封封装体84包括金属合金密封层82,该金属合金密封层82具有一个或多个打底层,如设置在金属合金密封层82任一侧上的打底层86和88,以使打底层设置在金属合金密封层82和第二表面之间。在所示实施方案中,第二表面指的是第一或第二基板12或60的表面。如以上参考图1所讨论的,打底层的应用有利于金属合金密封层与其它表面的粘合。在所示实施方案中,打底层86设置在金属合金密封层82和第一或第二基板12和60之间。类似地,打底层88设置在金属合金密封层和边缘包封体64的外围部分68之间。
图1-10描述了其上制造有有机电子器件并构造为提供改进的气密性的第一基板12。如以下将进一步描述的,第一基板12可包括复合结构。
图11示出了具有复合结构的柔性复合基板90。在所示实施方案中,柔性基板90包括基本透明的柔性膜92。在一种实施方案中,透明柔性膜的厚度可在从约0.25毫米到约50.0毫米的范围内变化。在另一种实施方案中,透明柔性膜92的厚度可在从约0.5毫米到约10.0毫米范围内变化。在一些实施方案中,透明柔性膜92的折射系数可在从约1.05到约2.5范围内。在一些实施方案中,透明柔性膜92的折射系数可在从约1.1到约1.6范围内。此外,透明柔性膜92通常包括任何柔性适当的聚合物材料。例如,膜92包括聚碳酸酯、聚芳酯、聚醚酰亚胺、聚醚砜、聚酰亚胺如Kapton H或Kapton E(由Dupont制造)或者Upilex(由UBEIndustries,Ltd.制造)、聚降冰片烯如环烯(COC)、液晶聚合物(LCP)如聚醚醚酮(PEEK)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)和聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)。
为了提供气密性,膜92涂敷有透明阻挡涂层94,以防止水分和氧通过膜92扩散至有机电子器件(未示出)。与阻挡涂层16相同,阻挡涂层94可设置在或形成在膜92的表面上。在一些实施方案中,阻挡涂层94可设置为厚度在从约10nm到约10,000nm、优选从约10nm到约1,000nm的范围内。通常希望选择不阻碍光透过膜92的涂层厚度,如透光率下降小于约20%,并优选小于约5%的阻挡涂层94。可通过任何合适的沉积技术如等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设置涂层。
与图1所述的阻挡涂层16相同,阻挡涂层94例如可包括有机、无机或者陶瓷材料。该材料是反应等离子体的反应产物或复合产物,并沉积到膜92的表面上。有机涂层材料包括碳、氢、氧,并且根据反应物的类型任选包括其它微量元素如硫、氮、硅等。在涂层中产生有机成分的合适反应物是最多含15个碳原子的直链或支链烷烃、烯烃、炔烃、醇、醛、醚、氧化烯、芳香族化合物等。无机和陶瓷涂覆材料通常都包括IIA、IIIA、IVA、VA、VIA、VIIA、IB和IIB族元素的氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、氧氮化物、氧碳化物或其组合和IIIB、IVB和VB族金属以及稀土金属。例如,通过由硅烷(SiH4)和诸如甲烷或二甲苯的有机材料复合产生的等离子体将碳化硅沉积到基板上。碳氧化硅可由硅烷、甲烷和氧或硅烷和环氧丙烷产生的等离子体沉积。碳氧化硅还可由诸如四乙氧基硅烷(TEOS)、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、六甲基二硅氮烷(HMDSN)或者八甲基环四硅氧烷(D4)的有机硅前体产生的等离子体沉积。氮化硅可由硅烷和氨产生的等离子体沉积。碳氮氧化铝(aluminium oxycarbonitride)由酒石酸铝(aluminum tartarate)和氨的混合物产生的等离子体沉积。可选择其它反应物组合如金属氧化物、金属氮化物、金属氮氧化物、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅,以获得所需的涂覆组合物。
此外,阻挡涂层94可包括有机/无机混合材料或多层有机/无机材料。无机材料可选自A-F元素,有机材料可包括丙烯酸酯、环氧树脂、环氧胺、二甲苯、硅氧烷、有机硅等。具体反应物的选择是本领域技术人员能够理解的。
基板90还可包括抗化学腐蚀且热膨胀系数(“CTE”)低的涂层或保护层96。可使用保护层96以有利地防止在制造基板90或有机封装体期间通常使用的化学试剂化学侵蚀下部材料。此外,由于其CTE低,保护层96还允许在高温下处理基板90。保护层96可包括丙烯酸酯、环氧树脂、环氧胺、二甲苯、硅氧烷、有机硅等,其可填充有无机填料如二氧化硅颗粒,并可通过辊涂、狭缝式涂敷、刮涂、旋涂和其他公知的湿法化学涂敷技术沉积。替换性地,保护层96可包括无机和陶瓷涂层材料,通常包括IIA、IIIA、IVA、VA、VIA、VIIA、IB和IIB族元素的氧化物、氮化物、碳化物、硼化物或其组合或IIIB、IVB和VB族的金属以及稀土金属,该保护层96可通过如下沉积技术沉积:等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、射频等离子体增强化学气相沉积(RFPECVD)、膨胀热等离子体化学气相沉积(ETPCVD)、反应溅射、电子回旋共振等离子增强化学气相沉积(ECRPECVD)、感应耦合等离子体增强化学气相沉积(ICPECVD)、溅射沉积、蒸镀、原子层沉积(ALD)或其组合。
复合基板90的外部表面还可包括保护层98。保护层98通常包括耐磨并具有低热膨胀系数的层/涂层。使用层98可防止在操作时划损基板90。此外,由于CTE低,保护层98还允许在高温下处理基板98。保护层98还可包括上面关于层96描述的多种材料中的任一种并可通过关于其描述的沉积技术中的任一种来沉积。
图12示出了根据前述密封技术实现的柔性复合基板100的替换性实施方案。图12的复合基板100与图11所示基板相似。基板100和基板90之间的差别在于使用两层膜102和104,而不是一层膜92(如图11)。在所示实施方案中,两层膜102和104中的每一个都具有设置或沉积于该膜上的阻挡涂层(未示出)。此外,可通过采用粘合剂层110连接两层阻挡涂层106和108粘合。
虽然在此仅示出并描述了本发明的某些特征,但是本领域技术人员可作出很多改进和变化。因此,应理解,只要这种修改和变化确实落入本发明的精神之内,则所附权利要求将覆盖所有这些修改和变化。
Claims (24)
1.一种气密性密封封装体,包括:
第一基板,其构成为安放有机电子器件;
有机电子器件,其设置在所述第一基板上;
第一打底层,其设置在所述第一基板上,其中所述第一打底层沿有机电子器件的周边设置;
金属合金密封材料层,其设置在所述第一打底层上并沿有机电子器件的周边设置;
第二打底层,其设置在所述金属密封材料层上;和
第二基板,其设置在所述第二打底层上并设置在有机电子器件的上方并与其接近。
2.如权利要求1的气密性密封封装体,其中所述第一基板包括柔性基板。
3.如权利要求1的气密性密封封装体,其中所述第一基板包括复合结构。
4.如权利要求1的气密性密封封装体,其中所述第一基板包括聚合物材料。
5.如权利要求1的气密性密封封装体,其中所述第一基板包括塑料、金属箔或玻璃。
6.如权利要求1的气密性密封封装体,包括设置在所述第一基板和所述有机电子器件之间的阻挡涂层。
7.如权利要求1的气密性密封封装体,其中所述有机电子器件包括有机电致发光器件或有机光伏器件。
8.如权利要求1的气密性密封封装体,其中所述金属合金密封材料的熔点高于有机电子器件的工作温度。
9.如权利要求1的气密性密封封装体,其中所述金属合金密封材料层包括铋或锡或铅或铟或镉或其组合的合金。
10.如权利要求9的气密性密封封装体,其中铋的体积百分比在从约0到约50%的范围内,或者锡的体积百分比在从约5%到约50%的范围内,或者铅的体积百分比在从约0到约50%的范围内,或者铟的体积百分比在从约0到约55%的范围内,或者镉的体积百分比在从约0到约15%的范围内。
11.如权利要求1的气密性密封封装体,其中所述第二基板包括顶板。
12.一种气密性密封封装体,包括:
第一基板,其构成为容纳有机电子器件;
有机电子器件,其设置在所述基板的上表面上;
绝缘粘合剂层,其设置在所述有机电子器件的上方;
顶板,其连接到绝缘粘合剂层并设置成接近所述有机电子器件,其中所述顶板包括用于包封封装体边缘的外围部分,,以使所述顶板的外围部分连接到与有机电子器件相对的基板的下表面上;和
金属合金密封材料层,其设置在基板的下表面上,以使顶板的外围部分气密地密封至基板的下表面。
13.如权利要求12的气密性密封封装体,还包括干燥剂材料,所述干燥剂材料设置在用顶板包封封装体边缘而形成的穴中。
14.如权利要求12的气密性密封封装体,还包括打底层,所述打底层设置在所述金属合金密封材料层和所述基板的下表面之间以及所述金属合金密封材料层和所述顶板的外围部分之间。
15.如权利要求14的气密性密封封装体,其中所述打底层包括锡。
16.一种气密性密封封装体,包括:
第一基板,其具有内侧和外侧;
有机电子器件,其设置在所述第一基板的内侧上;
绝缘层,其设置在所述有机电子器件的上方;
第二基板,其具有内侧和外侧,其中所述第二基板连接到绝缘粘合剂,以使所述第二基板的内侧设置成接近有机电子器件;
边缘包封体,其连接到所述第一和第二基板各自的外侧并构成为气密性密封封装体的外部边缘;和
金属合金密封材料层,其连接到所述第一和第二基板各自的外侧,并连接到所述边缘包封体,以使所述边缘包封体气密性密封到所述第一和第二基板各自的外侧。
17.如权利要求16的气密性密封封装体,其中所述第一基板和所述第二基板都包括复合结构。
18.如权利要求16的气密性密封封装体,其中所述边缘包封体包括金属箔。
19.如权利要求16的气密性密封封装体,还包括打底层,所述打底层设置在所述边缘包封体与所述第一和第二基板各自的外侧之间。
20.如权利要求16的气密性密封封装体,还包括干燥剂材料,所述干燥剂材料设置在用所述边缘包封体包封封装体边缘而形成的穴中。
21.一种制造气密性密封电子封装体的方法,包括:
在基板上设置多个有机电子器件;
提供尺寸与所述基板基本相同的金属箔;
以包括金属合金密封材料的多种图形图形化金属箔,
其中,当所述金属箔和所述基板连接时,多种图形中的每一个都被定为完全包围有机电子器件的尺寸;和
将金属箔连接到基板。
22.如权利要求21的方法,包括加热所述金属合金密封材料以形成所述金属合金密封材料的熔体。
23.如权利要求21的方法,还包括:
将第一打底层设置在所述基板和所述多个图形中的每一个之间;和
将第二打底层设置成围绕所述多个有机电子器件中每一个的周边。
24.如权利要求23的方法,其中所述第一和第二打底层中的至少一个包括锡。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/150,401 | 2005-06-10 | ||
US11/150,401 US20060278965A1 (en) | 2005-06-10 | 2005-06-10 | Hermetically sealed package and methods of making the same |
PCT/US2006/012781 WO2006135474A1 (en) | 2005-06-10 | 2006-04-05 | Hermetically sealed package and methods of making the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101218692A true CN101218692A (zh) | 2008-07-09 |
CN101218692B CN101218692B (zh) | 2010-12-22 |
Family
ID=36889201
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2006800204943A Expired - Fee Related CN101218692B (zh) | 2005-06-10 | 2006-04-05 | 气密性密封封装体及其制造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20060278965A1 (zh) |
EP (1) | EP1894263B1 (zh) |
JP (1) | JP5143728B2 (zh) |
KR (1) | KR101269607B1 (zh) |
CN (1) | CN101218692B (zh) |
WO (1) | WO2006135474A1 (zh) |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101937974A (zh) * | 2010-07-06 | 2011-01-05 | 电子科技大学 | 一种柔性有机电致发光器件的封装结构及其封装方法 |
CN102332536A (zh) * | 2011-09-29 | 2012-01-25 | 电子科技大学 | 一种有机电致发光器件的封装结构和封装方法 |
CN102804398A (zh) * | 2009-06-10 | 2012-11-28 | 旭硝子株式会社 | 太阳能电池模块的制造方法 |
CN102971882A (zh) * | 2010-03-05 | 2013-03-13 | 应用科学研究Tno荷兰组织 | 光电设备及制造其的方法 |
CN103274610A (zh) * | 2013-04-27 | 2013-09-04 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 平板玻璃密封构造及其制造方法 |
CN103337595A (zh) * | 2013-07-04 | 2013-10-02 | 上海和辉光电有限公司 | 柔性封装衬底及其制造方法和使用该衬底的oled封装方法 |
CN103560209A (zh) * | 2013-10-12 | 2014-02-05 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 有机发光二极管装置以及其制造方法 |
CN103968954A (zh) * | 2013-02-05 | 2014-08-06 | 通用电气公司 | 传感器装置以及密封传感器装置的方法 |
CN104993063A (zh) * | 2015-07-17 | 2015-10-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种封装件及其制作方法、oled装置 |
CN105098099A (zh) * | 2015-06-16 | 2015-11-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管封装方法和封装结构及具有该结构的器件 |
CN105633296A (zh) * | 2014-11-07 | 2016-06-01 | 昆山国显光电有限公司 | 一种用于oled显示器的玻璃料密封装置及其制备方法 |
CN106323343A (zh) * | 2015-06-30 | 2017-01-11 | 发那科株式会社 | 旋转编码器 |
CN106935724A (zh) * | 2015-12-29 | 2017-07-07 | 昆山国显光电有限公司 | Oled显示面板的封装结构及封装方法 |
CN107535026A (zh) * | 2015-04-15 | 2018-01-02 | 夏普株式会社 | 有机el显示装置 |
CN108496409A (zh) * | 2016-01-26 | 2018-09-04 | 住友化学株式会社 | 有机el元件 |
CN110085767A (zh) * | 2013-12-18 | 2019-08-02 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种疏水有机薄膜封装的有机发光显示装置 |
US10647091B2 (en) | 2013-04-27 | 2020-05-12 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Planar glass sealing structure and manufacturing method thereof |
Families Citing this family (56)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8405193B2 (en) * | 2004-04-02 | 2013-03-26 | General Electric Company | Organic electronic packages having hermetically sealed edges and methods of manufacturing such packages |
KR100673765B1 (ko) | 2006-01-20 | 2007-01-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법 |
KR100688790B1 (ko) | 2006-01-27 | 2007-03-02 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조 방법 |
WO2008005547A2 (en) * | 2006-07-05 | 2008-01-10 | Microstrain, Inc. | Rfid tag packaging system |
JP5080838B2 (ja) * | 2007-03-29 | 2012-11-21 | 富士フイルム株式会社 | 電子デバイスおよびその製造方法 |
KR101296650B1 (ko) * | 2007-05-31 | 2013-08-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법 |
ITMI20071903A1 (it) * | 2007-10-04 | 2009-04-05 | Getters Spa | Metodo per la produzione di pannelli solari mediante l'impiego di un tristrato polimerico comprendente un sistema getter composito |
ITMI20071902A1 (it) * | 2007-10-04 | 2009-04-05 | Getters Spa | Getter composito per la produzione di pannelli solari |
DE102008019900A1 (de) * | 2008-01-30 | 2009-08-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines organischen elektronischen Bauelements und organisches elektronisches Bauelement |
TWI438953B (zh) | 2008-01-30 | 2014-05-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 電子組件之製造方法及電子組件 |
KR20090089010A (ko) * | 2008-02-18 | 2009-08-21 | 삼성전자주식회사 | 유기발광 표시장치 및 이의 제조방법 |
JP5780407B2 (ja) * | 2008-03-12 | 2015-09-16 | アクタール リミテッド | 薄層構造(thin−layeredstructure) |
JP2009245893A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Toshiba Corp | 発光装置封止構造及びその製造方法 |
KR20090111151A (ko) * | 2008-04-21 | 2009-10-26 | 삼성전자주식회사 | 유기발광 표시장치 및 이의 제조 방법 |
US20090284158A1 (en) * | 2008-05-16 | 2009-11-19 | General Electric Company | Organic light emitting device based lighting for low cost, flexible large area signage |
US8362517B2 (en) * | 2008-06-11 | 2013-01-29 | Plextronics, Inc. | Encapsulation for organic optoelectronic devices |
US20090308454A1 (en) * | 2008-06-12 | 2009-12-17 | General Electric Company, A New York Corporation | Insulating coating, methods of manufacture thereof and articles comprising the same |
US8022623B2 (en) * | 2008-08-15 | 2011-09-20 | General Electric Company | Ultra-thin multi-substrate color tunable OLED device |
US8102119B2 (en) * | 2008-12-17 | 2012-01-24 | General Electric Comapny | Encapsulated optoelectronic device and method for making the same |
DK2400950T3 (da) | 2009-02-26 | 2019-07-29 | Glaxo Group Ltd | Farmaceutiske formuleringer omfattende 4-{(1 r)-2-[(6-{2-[(2,6-dichlorbenzyl)oxy]ethoxy}hexyl)amino]-1-hydroxyethyl}-2-(hydroxymethyl)phenol |
JP5612658B2 (ja) * | 2009-03-23 | 2014-10-22 | ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー | 光電子デバイス |
KR101046390B1 (ko) * | 2009-06-29 | 2011-07-05 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 패키지 및 이의 제조 방법 |
KR101074801B1 (ko) | 2009-09-09 | 2011-10-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 발광 표시 장치 |
KR101621300B1 (ko) * | 2009-09-16 | 2016-05-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광소자의 제조방법 |
KR101108157B1 (ko) | 2009-11-19 | 2012-01-31 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 |
GB0921075D0 (en) | 2009-12-01 | 2010-01-13 | Glaxo Group Ltd | Novel combination of the therapeutic agents |
KR101107162B1 (ko) * | 2009-12-02 | 2012-01-25 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
US8253329B2 (en) * | 2010-01-21 | 2012-08-28 | General Electric Company | Enhanced edge seal design for organic light emitting diode (OLED) encapsulation |
US8154183B2 (en) * | 2010-03-04 | 2012-04-10 | General Electric Company | Mitigating shorting risks in encapsulated organic light emitting devices (OLEDs) |
US8563113B2 (en) * | 2010-04-20 | 2013-10-22 | Corning Incorporated | Multi-laminate hermetic barriers and related structures and methods of hermetic sealing |
US9935289B2 (en) * | 2010-09-10 | 2018-04-03 | Industrial Technology Research Institute Institute | Environmental sensitive element package and encapsulation method thereof |
TWI466243B (zh) * | 2010-09-10 | 2014-12-21 | Ind Tech Res Inst | 環境敏感電子元件之封裝體及其封裝方法 |
KR101574686B1 (ko) * | 2011-06-08 | 2015-12-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광장치와 이의 제조방법 |
JP2012255478A (ja) * | 2011-06-08 | 2012-12-27 | Denso Corp | シール装置およびシール方法 |
JP5935120B2 (ja) * | 2012-06-22 | 2016-06-15 | 株式会社日立製作所 | 密封容器、電子装置及び太陽電池モジュール |
KR101962851B1 (ko) | 2012-07-19 | 2019-03-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
US8912018B2 (en) * | 2012-12-17 | 2014-12-16 | Universal Display Corporation | Manufacturing flexible organic electronic devices |
US9847512B2 (en) | 2012-12-22 | 2017-12-19 | Industrial Technology Research Institute | Electronic device package structure and manufacturing method thereof |
TWI552331B (zh) * | 2013-01-11 | 2016-10-01 | 財團法人工業技術研究院 | 電子元件之封裝結構 |
WO2014115825A1 (ja) * | 2013-01-25 | 2014-07-31 | 富士フイルム株式会社 | 有機電子デバイス |
US9125380B2 (en) | 2013-05-22 | 2015-09-08 | Richard Deutsch | Systems and methods for monitoring and controlling animal behavior |
KR102076838B1 (ko) * | 2013-06-26 | 2020-02-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 유기 발광 다이오드 표시장치 |
DE102013106855B4 (de) * | 2013-07-01 | 2017-10-12 | Osram Oled Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement unter Verwendung einer flüssigen ersten Legierung |
US9728739B2 (en) | 2013-09-30 | 2017-08-08 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light-emitting device and manufacturing method therefor |
US9359161B2 (en) * | 2013-12-20 | 2016-06-07 | Industrial Technology Research Institute | Interleaving element for a roll of glass substrate |
US20150226053A1 (en) * | 2014-02-12 | 2015-08-13 | Baker Hughes Incorporated | Reactive multilayer foil usage in wired pipe systems |
US9513380B2 (en) | 2014-07-25 | 2016-12-06 | General Electric Company | X-ray detectors supported on a substrate having a surrounding metal barrier |
US10712454B2 (en) | 2014-07-25 | 2020-07-14 | General Electric Company | X-ray detectors supported on a substrate having a metal barrier |
KR102439040B1 (ko) * | 2014-12-01 | 2022-09-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 이를 포함하는 롤러블 유기 발광 디스플레이 시스템 |
GB2533185B (en) | 2014-12-10 | 2017-01-04 | Eight19 Ltd | A flexible, thin film electronic device |
US9847509B2 (en) | 2015-01-22 | 2017-12-19 | Industrial Technology Research Institute | Package of flexible environmental sensitive electronic device and sealing member |
JP6505507B2 (ja) * | 2015-06-01 | 2019-04-24 | ソーラーフロンティア株式会社 | 太陽電池モジュール |
CN108029194A (zh) * | 2015-09-15 | 2018-05-11 | 飞利浦照明控股有限公司 | 在密封的充气led灯中延迟氧耗尽的阻挡层 |
CN207068882U (zh) * | 2017-07-06 | 2018-03-02 | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 | 具有双层玻璃的路面发电组件 |
CN107731876B (zh) * | 2017-10-19 | 2020-12-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制作方法、显示装置 |
TWI754829B (zh) * | 2019-07-17 | 2022-02-11 | 瑩耀科技股份有限公司 | 有機發光二極體封裝結構及其製造方法 |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05242966A (ja) * | 1992-02-26 | 1993-09-21 | Nec Kansai Ltd | 電界発光灯及びその製造方法 |
JP3456257B2 (ja) * | 1994-05-27 | 2003-10-14 | 株式会社デンソー | 電子素子用パッケージ |
EP0842592B1 (en) * | 1996-05-28 | 2001-10-10 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Organic electroluminescent device |
US5874804A (en) * | 1997-03-03 | 1999-02-23 | Motorola, Inc. | Organic electroluminescent device hermetic encapsulation package and method of fabrication |
GB2335884A (en) * | 1998-04-02 | 1999-10-06 | Cambridge Display Tech Ltd | Flexible substrates for electronic or optoelectronic devices |
CA2337085A1 (en) * | 1998-08-03 | 2000-02-17 | Uniax Corporation | Encapsulation of polymer-based solid state devices with inorganic materials |
JP2002175877A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-06-21 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、電子機器 |
US6537688B2 (en) * | 2000-12-01 | 2003-03-25 | Universal Display Corporation | Adhesive sealed organic optoelectronic structures |
US6576351B2 (en) * | 2001-02-16 | 2003-06-10 | Universal Display Corporation | Barrier region for optoelectronic devices |
US6822391B2 (en) * | 2001-02-21 | 2004-11-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, electronic equipment, and method of manufacturing thereof |
US6992439B2 (en) * | 2001-02-22 | 2006-01-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device with sealing structure for protecting organic light emitting element |
US6706316B2 (en) * | 2001-05-08 | 2004-03-16 | Eastman Kodak Company | Ultrasonically sealing the cover plate to provide a hermetic enclosure for OLED displays |
US6878973B2 (en) * | 2001-08-23 | 2005-04-12 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Reduction of contamination of light emitting devices |
US6737753B2 (en) * | 2001-09-28 | 2004-05-18 | Osram Opto Semiconductor Gmbh | Barrier stack |
US6825054B2 (en) * | 2001-11-21 | 2004-11-30 | Paul Valentine | Light emitting ceramic device and method for fabricating the same |
TWI271833B (en) * | 2001-12-10 | 2007-01-21 | Delta Optoelectronics Inc | Packaging structure of display device and method thereof |
US6743524B2 (en) * | 2002-05-23 | 2004-06-01 | General Electric Company | Barrier layer for an article and method of making said barrier layer by expanding thermal plasma |
US7649674B2 (en) * | 2002-06-10 | 2010-01-19 | E Ink Corporation | Electro-optic display with edge seal |
US7372069B2 (en) * | 2003-01-14 | 2008-05-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Interface for UV-curable adhesives |
US7018713B2 (en) * | 2003-04-02 | 2006-03-28 | 3M Innovative Properties Company | Flexible high-temperature ultrabarrier |
US7202602B2 (en) * | 2003-04-08 | 2007-04-10 | Organic Lighting Technologies Llc | Metal seal packaging for organic light emitting diode device |
US20050093134A1 (en) * | 2003-10-30 | 2005-05-05 | Terry Tarn | Device packages with low stress assembly process |
US7282749B2 (en) * | 2003-12-26 | 2007-10-16 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Organic electroluminescent device and method of fabricating the same |
TWI228942B (en) * | 2004-03-30 | 2005-03-01 | Au Optronics Corp | Active matrix organic electroluminescent device and fabrication method thereof |
US8405193B2 (en) * | 2004-04-02 | 2013-03-26 | General Electric Company | Organic electronic packages having hermetically sealed edges and methods of manufacturing such packages |
US7316756B2 (en) * | 2004-07-27 | 2008-01-08 | Eastman Kodak Company | Desiccant for top-emitting OLED |
US7078726B2 (en) * | 2004-09-09 | 2006-07-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Sealing of electronic device using absorbing layer for glue line |
US7541671B2 (en) * | 2005-03-31 | 2009-06-02 | General Electric Company | Organic electronic devices having external barrier layer |
US9123663B2 (en) * | 2008-06-10 | 2015-09-01 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor device and method of forming shielding layer grounded through metal pillars formed in peripheral region of the semiconductor |
-
2005
- 2005-06-10 US US11/150,401 patent/US20060278965A1/en not_active Abandoned
-
2006
- 2006-04-05 EP EP06758276A patent/EP1894263B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-04-05 CN CN2006800204943A patent/CN101218692B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-04-05 KR KR1020077028819A patent/KR101269607B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-04-05 WO PCT/US2006/012781 patent/WO2006135474A1/en active Application Filing
- 2006-04-05 JP JP2008515690A patent/JP5143728B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-04-03 US US12/062,364 patent/US7816676B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102804398A (zh) * | 2009-06-10 | 2012-11-28 | 旭硝子株式会社 | 太阳能电池模块的制造方法 |
CN102971882A (zh) * | 2010-03-05 | 2013-03-13 | 应用科学研究Tno荷兰组织 | 光电设备及制造其的方法 |
CN102971882B (zh) * | 2010-03-05 | 2016-08-31 | 荷兰应用自然科学研究组织Tno | 光电设备及制造其的方法 |
CN101937974A (zh) * | 2010-07-06 | 2011-01-05 | 电子科技大学 | 一种柔性有机电致发光器件的封装结构及其封装方法 |
CN102332536A (zh) * | 2011-09-29 | 2012-01-25 | 电子科技大学 | 一种有机电致发光器件的封装结构和封装方法 |
CN103968954A (zh) * | 2013-02-05 | 2014-08-06 | 通用电气公司 | 传感器装置以及密封传感器装置的方法 |
CN103274610A (zh) * | 2013-04-27 | 2013-09-04 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 平板玻璃密封构造及其制造方法 |
US10647091B2 (en) | 2013-04-27 | 2020-05-12 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Planar glass sealing structure and manufacturing method thereof |
CN103274610B (zh) * | 2013-04-27 | 2016-03-30 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 平板玻璃密封构造及其制造方法 |
CN103337595B (zh) * | 2013-07-04 | 2016-04-06 | 上海和辉光电有限公司 | 柔性封装衬底及其制造方法和使用该衬底的oled封装方法 |
CN103337595A (zh) * | 2013-07-04 | 2013-10-02 | 上海和辉光电有限公司 | 柔性封装衬底及其制造方法和使用该衬底的oled封装方法 |
US9159952B2 (en) | 2013-07-04 | 2015-10-13 | Everdisplay Optronics (Shanghai) Limited | Flexible packaging substrate and fabricating method thereof and packaging method for OLED using the same |
CN103560209A (zh) * | 2013-10-12 | 2014-02-05 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 有机发光二极管装置以及其制造方法 |
CN110085767A (zh) * | 2013-12-18 | 2019-08-02 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种疏水有机薄膜封装的有机发光显示装置 |
CN105633296A (zh) * | 2014-11-07 | 2016-06-01 | 昆山国显光电有限公司 | 一种用于oled显示器的玻璃料密封装置及其制备方法 |
CN107535026B (zh) * | 2015-04-15 | 2019-07-26 | 夏普株式会社 | 有机el显示装置 |
CN107535026A (zh) * | 2015-04-15 | 2018-01-02 | 夏普株式会社 | 有机el显示装置 |
CN105098099A (zh) * | 2015-06-16 | 2015-11-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管封装方法和封装结构及具有该结构的器件 |
US9960384B2 (en) | 2015-06-16 | 2018-05-01 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Organic light emitting diode packaging method and packaging structure and device having the same |
CN106323343A (zh) * | 2015-06-30 | 2017-01-11 | 发那科株式会社 | 旋转编码器 |
CN104993063A (zh) * | 2015-07-17 | 2015-10-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种封装件及其制作方法、oled装置 |
US10096793B2 (en) | 2015-07-17 | 2018-10-09 | Boe Technology Group Co., Ltd | Package for device to be packaged, manufacturing method thereof, and OLED apparatus comprising the package |
CN106935724A (zh) * | 2015-12-29 | 2017-07-07 | 昆山国显光电有限公司 | Oled显示面板的封装结构及封装方法 |
CN106935724B (zh) * | 2015-12-29 | 2018-12-07 | 昆山国显光电有限公司 | Oled显示面板的封装结构及封装方法 |
CN108496409A (zh) * | 2016-01-26 | 2018-09-04 | 住友化学株式会社 | 有机el元件 |
US10991905B2 (en) | 2016-01-26 | 2021-04-27 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Organic electroluminescent element |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5143728B2 (ja) | 2013-02-13 |
JP2008546211A (ja) | 2008-12-18 |
KR101269607B1 (ko) | 2013-06-05 |
EP1894263B1 (en) | 2011-06-22 |
CN101218692B (zh) | 2010-12-22 |
US20060278965A1 (en) | 2006-12-14 |
KR20080021650A (ko) | 2008-03-07 |
WO2006135474A1 (en) | 2006-12-21 |
US7816676B2 (en) | 2010-10-19 |
EP1894263A1 (en) | 2008-03-05 |
US20080185701A1 (en) | 2008-08-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101218692B (zh) | 气密性密封封装体及其制造方法 | |
JP5198058B2 (ja) | 縁部が気密封止された有機電子パッケージ及びその製造方法 | |
CN101156258B (zh) | 具有外阻挡层的有机电子装置 | |
EP2374173B1 (en) | Method for encapsulating environmentally sensitive devices | |
WO2016101395A1 (zh) | 柔性oled显示器件及其制造方法 | |
CN100520538C (zh) | 封装的显示装置 | |
CN105321982A (zh) | 有机发光二极管显示器及其制造方法 | |
JP2005235743A (ja) | 拡散障壁を有する複合材物品及び該物品を組み込んだ素子 | |
US10629850B2 (en) | Flexible OLED display panel and encapsulation method thereof | |
CN111584741B (zh) | 显示基板、显示装置及其封装方法 | |
CN105679788A (zh) | 一种柔性屏体邦定方法 | |
US20240023409A1 (en) | Display panel and method of manufacturing the same | |
KR102351069B1 (ko) | 투습 방지 보호막 및 이의 제조 방법 | |
KR20160063909A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20101222 Termination date: 20170405 |