CN105321982A - 有机发光二极管显示器及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种有机发光二极管(OLED)显示器及其制造方法，所述OLED显示器包含：其上形成有机发光元件的基板；位于基板上的有机发光元件；位于所述有机发光元件上并且基本上由氢化氮化硅(SiN_x:H)制成的第一无机层；位于所述第一无机层的一部分上的有机层；和位于所述有机层上并且完全覆盖所述有机层的第二无机层。所述第二无机层的边缘与所述第一无机层接触。所述第一无机层中含有的氧原子与硅原子数量之比为0.12～0.19，所述第一无机层中含有的氮原子与硅原子数量之比为0.9～1.5。所述第一无机层和第二无机层具有基本上相同的组成。

Description

有机发光二极管显示器及其制造方法

相关申请的交叉引用

本申请要求2014年7月29日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请10-2014-0096556号的优先权，在此通过引用并入其公开内容。

技术领域

本公开涉及有机发光二极管(OLED)显示器及其制造方法。更具体而言，本公开涉及能够减少上无机层和下无机层之间的界面中的气泡(泡沫)的OLED显示器及其制造方法。

背景技术

与液晶显示器(LCD)不同，有机发光二极管(OLED)显示器能够靠其自身产生光，因而不需要另外的光源。因此，OLED显示器可以造得比LCD更轻更薄。而且，OLED显示器具有以下优点：以低电压驱动从而消耗更少能量，能够再现鲜艳的颜色，具有快速响应时间、宽视角和极大的对比度(CR)。由于这些原因，目前将OLED显示器作为下一代显示装置进行开发。

OLED显示器采用由有机材料制成的发光层，因而对水分、氧气等非常敏感。因此，为了抑制氧气和水分渗透到有机发光层中，使用了各种技术来密封或者封装有机发光元件。

对于有机发光层中产生的光向顶部方向发射的顶发射OLED显示器，密封元件需要具有一定程度的透明度。因此，通常使用玻璃作为密封元件，这是因为其容易获得并且具有高透明度。不过，作为近年来流行的柔性OLED显示器，已尝试用无机层替换具有低柔性的玻璃作为密封元件。

虽然较薄的单一无机层具有高透明度和柔性，但如果无机层被反复弯曲，就可能发生破裂或者其他缺陷。由于水分可能通过无机层中产生的破裂而渗入，所以单一无机层不能有效地抑制水分渗入有机发光层。

为了克服这一缺点，提出了其中将无机层和有机层相互交替层叠来密封有机发光元件的薄膜封装技术。按照该薄膜封装技术，在无机层上形成用于补偿因弯曲、应力、异物等引起的破裂和用于调节步差的有机层，然后在该有机层上形成另一无机层。由于有机层不能有效地抑制水分渗透，上无机层的边缘与下无机层接触以使上无机层完全覆盖该有机层，从而抑制水分渗入有机层。

作为薄膜封装技术中无机层的材料，常用氮化硅(SiN)。不过，为了改善顶发射OLED显示器的性能特征，需要开发可供用于薄膜封装技术的具有更好的阻隔性和高透明度的无机层。

发明内容

本公开的发明人注意到，使用在氮化硅中包含氢的氢化氮化硅(SiN_x:H)形成用于薄膜封装的无机层，可以改善OLED显示器(尤其是顶发射OLED显示器)的性能特征。本公开的发明人认识到，氢化氮化硅与其他材料相比具有更好的阻隔性和更高的透明度。不过，用氢化氮化硅(SiN_x:H)制造上无机层和下无机层会导致在上无机层与下无机层之间的界面(粘合面)产生的不希望的气泡(或其他气穴)。这样的气泡使上无机层与下无机层之间的粘合变弱，导致所谓的起泡。结果，水分和氧可以容易地渗入OLED显示器。

本公开的发明人研究了减少由氢化氮化硅(SiN_x:H)制成的上下无机层之间的界面处产生的这种气泡的技术。结果，他们发现，在特定范围内适当地调节上下无机层含有的成分的各种比率，可以减少上下无机层之间的界面处产生的气泡。

鉴于上述情况，本公开的一个目的是提供能够减少上无机层与下无机层之间的界面处的气泡的OLED显示器及其制造方法。

本公开的另一目的是提供上无机层与下无机层之间具有良好的粘合强度的OLED显示器及其制造方法。

本公开的再一目的是提供包含具有高可靠性和透明度的密封元件的OLED显示器及其制造方法。

应注意，本公开的目的并不限于上述目的，本领域技术人员会从以下说明中明白本公开的其他目的。

根据本公开的一个方面，提供了一种有机发光二极管(OLED)显示器，其包含：位于基板上的有机发光元件；位于所述有机发光元件上并且基本上由氢化氮化硅(SiN_x:H)制成的第一无机层；位于所述第一无机层的一部分上的有机层；和位于所述有机层上并且完全覆盖所述有机层的第二无机层。所述第二无机层的边缘与所述第一无机层接触。所述第一无机层中含有的氧原子与硅原子数量之比为0.12～0.19，并且所述第一无机层中含有的氮原子与硅原子数量之比为0.9～1.5。所述第一无机层和所述第二无机层具有基本上相同的组成。该OLED显示器可以抑制在第一无机层与第二无机层之间的界面处产生气泡，减少水分和氧渗入有机发光元件。

所述第一无机层和所述第二无机层各自可以具有5,000埃(埃＝0.1nm)～15,000埃的厚度。

所述第一无机层和所述第二无机层各自可以具有90％～99.9％的透明度。

所述第一无机层和所述第二无机层在氢氟酸(HF)和水以1:6的比率混合的氢氟酸溶液中各自可以具有400nm/min～700nm/min的刻蚀速率。

所述第一无机层和所述第二无机层各自含有的硅-氢键与氮-氢键之比(Si-H/N-H)可以为0.6～0.75。

所述第二无机层的边缘与所述第一无机层的边缘之间的粘合长度可以为至少50μm。

所述有机层的厚度可以为5μm～30μm。

所述有机层可以由丙烯酸类树脂或者环氧类树脂制成。

所述基板可以为柔性基板。

所述OLED显示器可以为顶发射OLED显示器。

根据本公开的另一方面，提供了一种制造有机发光二极管(OLED)显示器的方法，所述方法包括：在基板上形成有机发光元件；在所述有机发光元件上形成基本上由氢化氮化硅(SiN_x:H)制成的第一无机层；在所述第一无机层的一部分上形成有机层；和在所述有机层上形成第二无机层，使其完全覆盖所述有机层。所述第二无机层的边缘接触所述第一无机层。所述第一无机层中含有的氧原子与硅原子数量之比为0.12～0.19，并且所述第一无机层中含有的氮原子与硅原子数量之比为0.9～1.5。所述第一无机层和所述第二无机层具有基本上相同的组成。根据所述制造OLED显示器的方法，可以提供具有高可靠性和透明度的密封元件。

所述第一无机层和所述第二无机层各自可以在70℃～110℃的温度形成。

所述第一无机层和所述第二无机层各自可以通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)形成。

所述第一无机层和所述第二无机层各自可以在10^-1Torr～10^-5Torr的压力形成。

形成所述第一无机层的步骤和形成所述第二有机层的步骤各自可以包括：将硅烷(SiH₄)气体和氨(NH₃)气体供给到所述有机发光元件上；和将所述硅烷(SiH₄)气体和所述氨(NH₃)气体转化为等离子体。

供给所述硅烷(SiH₄)气体和所述氨(NH₃)气体的步骤可以包括供给氮(N₂)气体。

通过调节供给到所述有机发光元件上的所述氨(NH₃)气体与所述硅烷(SiH₄)气体的比率，可以各自调整所述第一无机层中含有的氧与硅之比和所述第一无机层中含有的氮与硅之比。

所述第一无机层和所述第二无机层各自含有的氧(O₂)可以来源于环境空气。

本公开的各种示例性实施方式的具体情况包含在详细说明和附图中。

根据本公开，可以通过限制上无机层和下无机层中含有的氧原子与硅原子数量之比和氮原子与硅原子数量之比来减少上无机层与下无机层之间的界面中的气泡。

根据本公开，可以抑制水分和氧渗过上无机层与下无机层之间的界面，同时实现上无机层和下无机层的高透明度和柔性。

应注意，本公开的效果不限于上述效果，本领域技术人员会从以下说明中明白本公开的其他效果。

附图说明

根据结合附图的以下详细说明，会更清楚地理解本公开的上述和其他的方面、特征和其他优点，其中：

图1是根据本公开的示例性实施方式的顶发射OLED显示器的示意性截面图；

图2是图1所示的OLED显示器的部分A’的放大截面图；

图3是阐述根据本公开的示例性实施方式的制造OLED显示器的方法的流程图；

图4是比较根据本公开的示例性实施方式的第一和第二无机层的组成和根据比较例的第一和第二无机层的组成的表格；

图5A是根据本公开的示例性实施方式的第一无机层与第二无机层之间的界面的照片；

图5B是根据比较例的第一无机层与第二无机层之间的界面的照片。

具体实施方式

根据参照附图的下述的示例性实施方式的描述，本公开的优点和特征及其实现方法将变得清楚。不过，本公开不限于本文披露的示例性实施方式，还可以以各种不同方式实施。提供示例性实施方式是为了向本领域技术人员充分披露本公开和彻底揭示本公开的范围。应注意，本公开的范围仅由权利要求书所限定。

用于描述本公开示例性实施方式的附图中所示的形状、尺寸、比例、角度和数量等仅是示例，本公开不限于此。另外，在以下描述中，省略了对已知现有技术的详细描述，以避免对本公开主题不必要的干扰。本文所用的术语“包含”、“包括”、“具有”和“由…组成”通常意指允许加入其他组分，除非所示术语与词语“仅”联用。提到单数的任何情况可包括复数情况，除非另外明确指出。

在利用诸如“在…之上”、“在…以上”、“在…以下”和“相邻”等术语描述两个部分之间的位置关系时，一个或多个部分可以位于所述的两个部分之间，除非所示术语与“紧”或“直接”联用。

本文所用的短语“位于要素B上的要素A”指的是要素A可以直接设置在要素B上和/或要素A可以隔着另一要素C间接设置在要素B上。

说明书和权利要求书中的术语第一、第二和第三等用于在相似的要素之间进行区分，不一定是描述先后或者时间顺序。这些术语仅用于区分一个要素与另一个要素。因此，在本公开的技术构思中，本文所用的第一要素可能是第二要素。

在整个说明书中，相同的附图标记指代相同的要素。

附图不成比例，附图中各种要素的相对尺寸是示意性表示的，不一定成比例。

本公开的各种示例性实施方式的特征可以部分或者完全组合。本领域技术人员会清楚认识到，技术上可以有各种相互作用和操作。各种示例性实施方式可以单独或者组合实施。

下文中，将参照附图来详细说明本公开的示例性实施方式。

图1是根据本公开的示例性实施方式的顶发射OLED显示器的示意性截面图。图2是图1所示的OLED显示器的部分A’的放大截面图。

参见图1和2，OLED显示器100包含基板110、有机发光元件120、第一无机层130、有机层140、第二无机层150、粘合层160和阻隔层170。

基板110是用于支撑和保护OLED显示器100的各种元件的元件。基板110可以为能够弯曲的柔性基板，可以由例如聚酰亚胺类材料制成。

如图1所示，有机发光元件120设置在基板110上。有机发光元件120可以包含如阳极、有机发光层、阴极等元件。

如图1所示，第一无机层130形成在有机发光元件120上。第一无机层130完全覆盖有机发光元件120。第一无机层130具有阻隔性使其能够保护有机发光元件120免受渗入OLED显示器100的水分或者氧影响。

第一无机层130基本上由氢化氮化硅(SiN_x:H)制成。第一无机层130除了氢化氮化硅(SiN_x:H)以外还可以含有杂质，如氧(O₂)。在数值上，如果一个元件的氢化氮化硅(SiN_x:H)的比例为90重量％以上，则该元件可以视为基本上由氢化氮化硅(SiN_x:H)制成。

所述第一无机层130中含有的氧与硅之比可以限制为0.12～0.19，更特别为0.14～0.16。如果所述第一无机层130中含有的氧与硅之比小于0.12，则第一无机层130变得泛黄，导致光学透明度劣化。如果所述第一无机层130中含有的氧与硅之比大于0.19，则在第一无机层130和第二无机层150之间的界面处产生气泡(或者其他类型的气穴)。

所述第一无机层130中含有的氮与硅之比可以限制为0.9～1.5，更特别为1.1～1.3。如果所述第一无机层130中含有的氮与硅之比小于0.9，则第一无机层130变得泛黄，导致光学透明度劣化。如果所述第一无机层130中含有的氮与硅之比大于1.5，则第一无机层130变得多孔，这使得水分和氧可能更容易通过第一无机层130处的孔洞渗入有机发光元件120。

本文中，氧与硅之比和氮与硅之比以原子数而非重量或者体积来定义。第一无机层130含有的硅、氧和氮的原子数可以使用例如X射线光电子能谱(XPS)来测量。

另外，氧与硅之比和氮与硅之比基于第一无机层130的本体来分析，而不是基于暴露至环境空气的第一无机层130的表面来分析。这是因为基于暴露至环境空气的第一无机层130的表面所分析的数据中的氧和氮原子数量不太可靠。假定第一无机层130的厚度为10,000埃，第一无机层130的表面可以定义为从暴露至环境空气的表面起厚度为300埃的部分，第一无机层130的本体可以定义为其剩余部分。

也就是说，第一无机层130基本上由氢化氮化硅(SiN_x:H)制成，并且氧与硅之比为0.12～0.19，氮与硅之比为0.9～1.5。因此，第一无机层130可以具有高透明度，例如，相对于可见波长范围为90％～99.9％。本文使用的一个元件的透明度定义为穿过该元件的光量与入射在该元件上的光量之比。第一无机层130的高透明度允许有机发光元件130产生的光发射到OLED显示器100外部。

第一无机层130不是多孔的，而是致密构成的，因此其可以具有低刻蚀速率。具体而言，在氢氟酸(HF)和水以1:6的比率混合的氢氟酸溶液中，第一无机层130的刻蚀速率可以为400nm/min～700nm/min，更特别为500nm/min～600nm/min。第一无机层130的较低的刻蚀速率可能意味着第一无机层130具有更高的可靠性，即，其可以有效地抑制水分和氧经第一无机层130渗入有机发光层120。

第一无机层130含有的硅-氢键与氮-氢键之比(Si-H/N-H)可以为0.6～0.75，更特别为0.69～0.74。因为第一无机层130具有较高的硅-氢键与氮-氢键之比(Si-H/N-H)，可以降低在第一无机层130与第二无机层150之间的界面处产生气泡的可能性。硅-氢键与氮-氢键之比(Si-H/N-H)也是通过键的数量来定义。

第一无机层130的厚度可以为5,000埃～15,000埃，更特别为10,000埃。

第一无机层130可以在70℃～110℃的温度形成，更特别为80℃～100℃。如果第一无机层130在高温下形成，由有机材料构成的有机发光层可能由于高温而受损。

第一无机层130可以通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)来形成。因此等离子体增强化学气相沉积(PECVD)可以在低温进行，可以避免有机发光层暴露至高温。

第一无机层130可以在低压下的真空环境中形成，例如10^-1Torr～10^-5Torr，更特别为10^-2Torr～10^-4Torr。

如图1和2所示，有机层140形成在第一无机层130的一部分上。具体而言，有机层140位于第一无机层130的中心部分上作为单层，而不是位于第一无机层130的边缘上。有机层140可以调节第一无机层130的不均匀性或者阶梯，可以补偿异物等造成的破裂。

有机层140可以由丙烯酸类树脂或者环氧类树脂制成。但本公开不限于有机层140的材料。为了有效地补偿异物等造成的破裂，有机层140的粘度可以为500厘泊(cp)～30,000cp，更特别为2,000cp～4,000cp。

有机层140可以还包含用于减小有机层140的表面张力以改善均匀性的润湿剂(或者用于相同目的的其他材料)、用于改善有机层140的表面均匀性的流平剂和用于除去有机层140中的泡沫的消泡剂作为添加剂。

有机层140的厚度可以为5μm～30μm，更特别为20μm。

为了避免由有机材料制成的有机发光层因高温而受损，有机层140可以在110℃以下的温度形成。

如图1和2所示，第二无机层150形成在有机层140上使其完全覆盖有机层140。与第一无机层130类似，第二无机层150具有阻隔性使其可以保护有机发光元件120免受渗入OLED显示器100的水分或者氧影响。

第二无机层150可以具有与第一无机层130基本上相同的组成。本文使用的短语第二无机层150具有与第一无机层130基本上相同的组成不仅指第二无机层150和第一无机层130具有完全相同的组成，而且还指在工艺误差容限内第二无机层150和第一无机层130具有相同的组成。例如，如果第二无机层150具有第一无机层130的组成±10％偏差的组成，则第二无机层150可以视为与第一无机层130具有基本上相同的组成。

由于第二无机层150具有与第一无机层130基本上相同的组成，第二无机层150和第一无机层130具有基本上相同的化学和物理特性。具体而言，第二无机层150可以基本上由氢化氮化硅(SiN_x:H)制成，在氢氟酸(HF)和水以1:6的比率混合的氢氟酸溶液中可以具有400nm/min～700nm/min的刻蚀速率。另外，第二无机层150中含有的氧与硅之比限制为0.12～0.19。第二无机层150中含有的氮与硅之比限制为0.9～1.5。第二无机层150中含有的硅-氢键与氮-氢键之比(Si-H/N-H)可以为0.6～0.75。

与第一无机层130类似，第二无机层150的厚度可以为5,000埃～15,000埃，可以在70℃～110℃的温度形成，可以通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)形成，可以在低压下的真空环境中形成，例如10^-1Torr～10^-5Torr。

如图1和2所示，第二无机层150的边缘与第一无机层130接触。具体而言，在有机层140上形成第二无机层150使其完全覆盖有机层140时，没有覆盖有机层140的第二无机层150的边缘与第一无机层130接触。第二无机层150的边缘以粘合强度接触并附着至第一无机层130。

第一无机层130与第二无机层150之间不合适的粘合强度可能严重影响第一无机层130和第二无机层150抑制水分和氧渗透的性能。如果第一无机层130与第二无机层150之间的粘合强度变弱，第一无机层130与第二无机层150之间可能发生所谓的起泡，导致水分和氧容易渗入第一无机层130与第二无机层150之间。

如果第一无机层130和第二无机层150基本上由氢化氮化硅(SiN_x:H)制成并且第二无机层150的边缘与第一无机层130接触，则在第一无机层130与第二无机层150之间的界面处可能容易产生气泡(或者其他类型的气穴)。在第一无机层130与第二无机层150之间的界面处产生的气泡使粘合强度变弱。因此，必须抑制这种气泡。

根据本公开，将第一无机层130和第二无机层150各自含有的氧与硅之比适当地调节至0.12～0.19和将第一无机层130和第二无机层150各自含有的氮与硅之比适当地调节至0.9～1.5，可以抑制第一无机层130与第二无机层150之间的界面处的气泡，同时实现第一无机层130和第二无机层150的良好透明度。因此，可以有效地抑制水分和氧渗过第一无机层130和第二无机层150，从而可以减少OLED显示器100的缺陷。另外，可以容易地实施透明、柔性的OLED显示器。

第一无机层130和第二无机层150的粘合长度L1(即发生粘合的区域)可以为至少50μm。当粘合长度L1为50μm以上时，有机层140可以更安全地被第一无机层130和第二无机层150密封，使得水分不能直接渗入有机层140。

如图1和2所示，粘合层160形成在第二无机层150上。粘合层160用于将阻隔层170连接至第二无机层150。粘合层160可以由透明的柔性材料制成，例如，选自烯烃类材料、丙烯酸类材料和硅类材料的绝缘材料。

如图1所示，阻隔层170形成在粘合层160上。阻隔层170抑制水分和氧渗入有机发光元件120。阻隔层170可以由共聚酯热塑性弹性体(COP)、环烯烃共聚物(COC)、聚碳酸酯(PC)等制成，使其可以通过简单的压制工艺经由粘合层160连接至第二无机层150，而不用进行如化学气相沉积(CVD)工艺和原子层沉积(ALD)工艺等真空工艺。柔性OLED显示器采用阻隔层170的有利之处在于，可以使用更少数量的用于薄膜封装的无机层实现良好的阻隔性。

在基板110上可以进一步形成用于控制有机发光元件120的电压(或电流)的薄膜晶体管。

图3是阐述根据本公开的示例性实施方式的制造OLED显示器的方法的流程图。

参见图3，在基板上形成有机发光元件(S310)。

在形成有机发光元件之前，可以在基板上形成薄膜晶体管。

然后，参见图3，在有机发光元件上形成基本上由氢化氮化硅(SiN_x:H)制成的第一无机层(S320)。

所述第一无机层130中含有的氧与硅之比限制为0.12～0.19。所述第一无机层130中含有的氮与硅之比限制为0.9～1.5。

第一无机层可以通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在低温下形成。具体而言，第一无机层可以通过在腔室中将硅烷(SiH₄)气体和氨(NH₃)气体供给到有机发光元件上并施加电能将硅烷(SiH₄)气体和氨(NH₃)气体转化为等离子体来形成。在如此进行时，氮(N₂)气体可以用作将硅烷(SiH₄)气体和氨(NH₃)气体输送到腔室中的载气。另外，第一无机层可以在70℃～130℃的温度形成。施加的电能可以为2,000W～2,500W。压力可以为0.5Torr～1Torr。

如果通过在特定压力下(例如，10-3Torr的压力)调节氨(NH₃)气体与硅烷(SiH₄)气体之比而使用硅烷(SiH₄)气体和氨(NH₃)气体形成第一无机层，则所述第一无机层中含有的氧与硅之比可以限制为0.12～0.19，并且所述第一无机层中含有的氮与硅之比可以限制为0.9～1.5。此时，在基本上由氢化氮化硅(SiN_x:H)制成的第一无机层中，硅(Si)可能来源于硅烷(SiH₄)，氮(N)可能来源于氨(NH₃)，氧(O₂)可能来源于环境空气。

然后，参见图3，在第一无机层的一部分上形成有机层(S330)。

有机层可以使用喷墨涂布、狭缝涂布法或者丝网印刷法来形成。另外，形成有机层的温度可以控制在低于110℃。

然后，参见图3，在有机层上形成第二无机层使其完全覆盖有机层(S340)。

如此进行时，第二无机层的一部分完全覆盖有机层，而未覆盖有机层140的第二无机层150的边缘与第一无机层130接触。

第二无机层具有与第一无机层基本上相同的组成。因此，第二无机层可以使用与上述的用于形成第一无机层相同方法来形成。

图4是比较根据本公开的示例性实施方式的第一无机层和第二无机层的组成和根据比较例的第一无机层和第二无机层的组成的表格。

根据本公开的示例性实施方式的第一和第二无机层和根据比较例的第一和第二无机层均是基本上由氢化氮化硅(SiN_x:H)制成，并使用硅烷(SiH₄)气体和氨(NH₃)气体作为源气体在10^-3Torr的压力下通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)制造。

图4所示的氧与硅之比和氮与硅之比使用XPS测量。刻蚀速率在氢氟酸(HF)和水以1:6混合的氢氟酸溶液中测得。硅-氢键与氮-氢键之比(Si-H/N-H)使用傅利叶变换红外光谱仪(FT-IR)测得。

参见图4，根据本公开的示例性实施方式的第一和第二无机层的氧与硅之比为0.15，氮与硅之比为1.20。相比之下，根据比较例的第一和第二无机层的氧与硅之比为0.10，氮与硅之比(N/Si)为0.80。

另外，参见图4，根据本公开的示例性实施方式的第一和第二无机层的刻蚀速率为532nm/min，而根据比较例的第一和第二无机层的刻蚀速率为957nm/min。由比较结果可以看出根据本公开的示例性实施方式的第一和第二无机层与根据比较例的那些相比具有更密实的组成。因此，可以看出示例性实施方式可以更有效地抑制水分和氧渗入有机发光元件。

另外，参见图4，根据本公开的示例性实施方式的第一和第二无机层的硅-氢键与氮-氢键之比(Si-H/N-H)为0.72。相比之下，根据比较例的第一和第二无机层的硅-氢键与氮-氢键之比(Si-H/N-H)为0.57，低于前者。

图5A是根据本公开的示例性实施方式的第一无机层与第二无机层之间的界面的显微照片。图5B是根据比较例的第一无机层与第二无机层之间的界面的显微照片。

如图5A和5B所示，在根据本公开的示例性实施方式的第一和第二无机层之间的界面处存在极少数量的较小尺寸的气泡，而在根据比较例的第一和第二无机层之间的界面处存在不希望的大量的较大尺寸的气泡。由比较结果可以看出根据本公开的示例性实施方式的第一和第二无机层比根据比较例的那些更牢靠地彼此相连。因此，前者可以更有效地抑制水分和氧渗入有机发光元件。

至此，参照附图对本公开的示例性实施方式进行了详细说明。不过，本公开不限于示例性实施方式，可以对其进行修改和变动而不脱离本公开的技术构思。因此，本文所述的示例性实施方式是仅仅说明性的，并非意在限制本公开的范围。本公开的技术构思不受示例性实施方式的限制。因此，应理解，上述实施方式在所有方面并非限制而是进行说明。本公开寻求的保护范围由所附权利要求所限定，其全部等同物应被解释为在本公开的范围之内。

Claims (18)

1.一种有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器包含：

位于基板上的有机发光元件；

第一无机层，所述第一无机层位于所述有机发光元件上并且基本上由氢化氮化硅(SiN_x:H)制成；

位于所述第一无机层的一部分上的有机层；和

位于所述有机层上并且完全覆盖所述有机层的第二无机层，其中：

所述第二无机层的边缘接触所述第一无机层；

所述第一无机层中含有的氧原子与硅原子数量之比为0.12～0.19，并且所述第一无机层中含有的氮原子与硅原子数量之比为0.9～1.5；并且

所述第一无机层和所述第二无机层具有基本上相同的组成。

2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第一无机层和所述第二无机层各自具有5,000埃～15,000埃的厚度。

3.如权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第一无机层和所述第二无机层各自具有90％～99.9％的透明度。

4.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第一无机层和所述第二无机层在氢氟酸(HF)和水以1:6的比率混合的氢氟酸溶液中各自具有400nm/min～700nm/min的刻蚀速率。

5.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第一无机层和所述第二无机层各自含有的硅-氢键与氮-氢键之比(Si-H/N-H)为0.6～0.75。

6.如权利要求14所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第一无机层和所述第二无机层各自在70℃～110℃的温度形成。

7.如权利要求14所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第一无机层和所述第二无机层各自通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)形成。

8.如权利要求14所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第一无机层和所述第二无机层各自在10^-1Torr～10^-5Torr的压力形成。

9.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第二无机层的边缘与所述第一无机层的边缘之间的粘合长度为至少50μm。

10.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述有机层的厚度为5μm～30μm。

11.如权利要求10所述的有机发光二极管显示器，其中，所述有机层由丙烯酸类树脂或者环氧类树脂制成。

12.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述基板为柔性基板。

13.如权利要求3所述的有机发光二极管显示器，其中，所述有机发光二极管显示器为顶发射有机发光二极管显示器。

14.一种制造有机发光二极管显示器的方法，所述方法包括：

在基板上形成有机发光元件；

在所述有机发光元件上形成基本上由氢化氮化硅(SiN_x:H)制成的第一无机层；

在所述第一无机层的一部分上形成有机层；和

在所述有机层上形成第二无机层，使第二无机层完全覆盖所述有机层，其中：

所述第二无机层的边缘与所述第一无机层接触；

所述第一无机层中含有的氧原子与硅原子数量之比为0.12～0.19，并且所述第一无机层中含有的氮原子与硅原子数量之比为0.9～1.5；并且

所述第一无机层和所述第二无机层具有基本上相同的组成。

15.如权利要求14所述的方法，其中，形成所述第一无机层的步骤和形成所述第二有机层的步骤各自包括：将硅烷(SiH₄)气体和氨(NH₃)气体供给到所述有机发光元件上；和将所述硅烷(SiH₄)气体和所述氨(NH₃)气体转化为等离子体。

16.如权利要求15所述的方法，其中，供给所述硅烷(SiH₄)气体和所述氨(NH₃)气体的步骤包括供给氮(N₂)气体。

17.如权利要求15所述的方法，其中，所述第一无机层中含有的氧原子与硅原子数量之比和所述第一无机层中含有的氮原子与硅原子数量之比各自通过调节供给到所述有机发光元件上的所述氨(NH₃)气体与所述硅烷(SiH₄)气体的比率来实现。

18.如权利要求14所述的方法，其中，所述第一无机层和所述第二无机层各自含有的氧(O₂)来源于环境空气。