TWI552331B - 電子元件之封裝結構 - Google Patents

Description

電子元件之封裝結構

本揭露是有關於一種電子元件之封裝結構。

可撓性基板相較於一般硬質基板的應用更為廣泛，其可捲曲、方便攜帶、符合安全性、產品應用廣，但卻不耐高溫、阻水阻氧氣性差、耐化學藥品性差及熱膨脹係數大。典型之可撓性基板由於無法完全阻隔水氣及氧氣的穿透，進而加速基板內之電子元件老化，導致所製成的電子元件壽命減短，無法符合商業上的需求。

一般而言，是將電子元件設置於兩基板之間，再利用膠材將上下基板緊密接著，以減少水氣以及氧氣接觸電子元件。不過，水氣以及氧氣仍可能會穿透過膠材而傳輸至電子元件上，進而降低電子元件的壽命。

本揭露一實施例提供一種電子元件之封裝結構，其具有良好的阻水阻氣特性。

本揭露一實施例提出一種電子元件之封裝結構，包括第一基板、第二基板、電子元件以及第一阻隔結構。第一基板具有第一透光部以及環繞第一透光部的周邊部。第二基板具有第二透光部以及位於第二透光部兩側的兩個包覆部。第一透光部與第二透光部對應設置，且第一透光部與 第二透光部之間具有元件設置區。包覆部覆蓋第一基板之周邊部且包覆第一基板之相對向的兩個側表面。電子元件設置於第一基板或第二基板上且位於元件設置區中。第一阻隔結構設置於第一基板或第二基板上。第一阻隔結構對應周邊部設置且位於元件設置區之至少一邊。

本揭露一實施例另提出一種電子元件之封裝結構，包括第一基板、電子元件、阻障層、第二基板以及第一阻隔結構。第一基板具有第一透光部以及環繞第一透光部的第一周邊部，第一基板具有內表面以及外表面。電子元件設置於第一基板的內表面上。阻障層具有主體部以及位於主體部之相對兩側的兩個包覆部，其中主體部與第一透光部對應設置且主體部覆蓋第一基板的外表面。包覆部覆蓋第一基板之位於第一透光部之相對兩側的第一周邊部、覆蓋位於第一基板之第一周邊部上的電子元件、包覆第一基板之相對向的兩個側表面且包覆電子元件之相對向的兩個側表面。第二基板與第一基板對向設置，電子元件設置於第一基板與第二基板之間。第二基板具有第二透光部以及環繞第二透光部的第二周邊部，第二透光部對應第一透光部設置且第二周邊部對應第一周邊部設置。第一阻隔結構設置於第二基板的第二周邊部上。

基於上述，本揭露一實施例之電子元件之封裝結構包括設置於電子元件的元件設置區的阻隔結構，此阻隔結構可阻擋水氣以及氧氣進入電子元件。此外，本揭露之電子元件之封裝結構更進一步透過第二基板的包覆部包覆第一 基板的周邊部，並藉此延長水氣以及氧氣進入電子元件的路徑。據此，可延長位於元件設置區中的電子元件的壽命。

為讓本揭露能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1A為本揭露第一實施例之電子元件之封裝結構的剖面示意圖。圖1B為圖1A之電子元件之封裝結構封裝前的分解示意圖。圖1C為圖1B之電子元件之封裝結構封裝後的立體側視圖。請同時參照圖1A、圖1B以及圖1C，電子元件之封裝結構100a包括第一基板110、第二基板120、電子元件130、膠材140以及第一阻隔結構150。須說明的是，圖1A例如是沿圖1C之剖線A-A’的剖面示意圖，圖1B與圖1C為了清楚繪示各構件的設置關係，因而省略繪示部分構件。

第一基板110具有第一透光部112以及周邊部114，其中周邊部114環繞第一透光部112。第一基板110具有內表面110a以及外表面110b。此外，第一基板110具有相對向的兩個側表面110s。第一基板110的第一透光部112可以讓光線穿透。

第二基板120具有第二透光部122以及兩個包覆部124。第二基板120例如是透明基板，其中第二基板120的第二透光部122可以讓光線穿透。包覆部124分別位於第二透光部122的相對兩側。第一基板110與第二基板120 相對向設置，且第一基板110被第二基板120包覆，其中第一基板110的內表面110a面向第二基板120的第二透光部122。第一基板110的外表面110b遠離第一基板110的第二透光部122，且部分外表面110b被包覆部124暴露出。

具體而言，第一基板110的第一透光部112與第二基板120的第二透光部122對應設置，並且在第一透光部112與第二透光部122之間具有元件設置區115。此外，第二基板120的包覆部124例如是將第二基板120部分捲曲或是彎摺以包覆住第一基板110的周邊部114所形成的包覆結構，因此包覆部124在對應第一基板110之側表面110s之處具有彎曲的形狀。如此一來，包覆部124包覆位於第一透光部112之相對兩側的周邊部114，且包覆部124包覆位於第一基板110之相對兩側的側表面110s。

第一基板110可為可撓性基板或是硬質基板。第二基板120例如是可撓性基板。上述可撓性基板的材質可為聚乙烯對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚間苯二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate,PEN)、聚醚石風(Polyethersulfone,PES)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate,PMMA)、聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)、聚亞醯胺(PI)或金屬箔(metal foil)。硬質基板的材質例如是玻璃或是其他合適的硬質基板材質。另外，第一基板110或第二基板120上可更包括設置觸控元件，例如是表面電容式觸控元件、數位矩陣式觸控元件(例如投射式電容觸控元件)或類比矩陣式觸控 元件。在本實施例中，第一基板110與第二基板120皆是以可撓性基板為例。

在本實施例中，電子元件130設置於第二基板120上且位於元件設置區115中。當然，本揭露不限於此。只要電子元件130位於元件設置區115中即為本揭露所欲保護的範圍。換言之，在其他實施例中，電子元件130也可以設置於第一基板110上。在本實施例中，電子元件130設置於第一透光部112與第二透光部122之間，因此電子元件之封裝結構100a可以是雙面發光型的電子裝置。若要將電子元件之封裝結構100a設計成單面發光型的電子裝置，那麼可以採用在第一基板110之第一透光部112或是第二基板120之第二透光部122上設置反射層，即可使得電子元件130所產生的光從第一基板110以及第二基板120其中之一發射出。

電子元件130例如為主動式環境敏感顯示元件或被動式環境敏感顯示元件。主動式環境敏感顯示元件例如是主動型矩陣有機發光二極體(Active Matrix Organic Light Emitting Diode,AMOLED)或者是主動型矩陣電泳顯示元件(Active Matrix Electro Phoretic Display Device,AMEPD)，或者是主動型矩陣液晶顯示元件(Active Matrix Liquid Crystal Display Device,AMLCD)，或者是主動型矩陣藍相液晶顯示元件(Active Matrix Blue Phase Liquid Crystal Display Device)；被動式環境敏感電子元件顯示元件例如是被動驅動式有機電激發光元件陣列(Passive Matrix OLED,PM-OLED)或者是超扭轉向列型液晶顯示元件(Super Twisted Nematic Liquid Crystal Display Device,STN-LCD)。

膠材140為可選擇設置的材料，在此實施例中，將膠材140設置於第一基板110與第二基板120之間。就製作上而言，膠材140例如是先塗佈於已設置好各構件的第二基板120上，且膠材140緊密覆蓋於各構件(如電子元件以及後述的阻隔結構)之間。接著，再將已塗佈膠材140的第二基板120彎曲並且包覆第一基板110之位於第一透光部112之相對兩側的周邊部114。當然，本揭露不限於此。在其他實施例中，也可以先將膠材140塗佈於第一基板110之要包覆的預定區域上，再將第二基板120彎摺以包覆住第一基板110之預定區域。膠材140的材質例如是壓克力樹脂(acrylic)、環氧樹脂(expoxy)或矽膠，而膠材140的型態例如為感壓式膠材、填充式膠材、加熱固化膠材或紫外光照射固化膠材。

第一阻隔結構150設置於第二基板120上，在具有膠材的實施例中，第一阻隔結構150位於膠材140中。第一阻隔結構150對應第一基板110的周邊部114設置且環繞元件設置區115設置。第一阻隔結構150的材質例如是有機材料、無機材料或有機無機混合材料單層結構，第一阻隔結構150亦可為由有機材料、無機材料或有機無機混合材料堆疊而成之多層結構。在本實施例中，第一阻隔結構150由第二基板120往第一基板110的內表面110a突出。 第一阻隔結構150可有效阻擋水氣與氧氣直接傳輸至電子元件130，以延長水氣與氧氣傳輸至電子元件130的路徑。此外，由於第一阻隔結構150例如是環繞整個元件設置區115設置，因此可有效增加電子元件之封裝結構100a於所有側邊的阻隔水氣以及氧氣的能力。據此，電子元件之封裝結構100a可具有良好的阻隔水氣與氧氣的能力；但在其他實施例中，第一阻隔結構也可以是只環繞元件設置區115的至少一邊(例如三邊)設置。第一阻隔結構150與第一基板110的內表面110a之間具有間隙d1。間隙d1的大小為0 μm至100 μm。當間隙d1越小，表示水氣與氧氣越不容易藉由穿過間隙d1而越過第一阻隔結構150。

本實施例之第一阻隔結構150是以具有連續不斷之阻隔圖案的阻隔結構為例說明。在其他實施例中，第一阻隔結構150可以由連續排列的多個阻隔結構所組成，且這些阻隔結構環繞元件設置區115設置，如圖2A以及圖2B所示。此外，本實施例是以設置兩個第一阻隔結構150為例說明。在其他實施例中，電子元件之封裝結構也可以設置一個第一阻隔結構150，如圖2A至圖2C所示，或是兩個以上的第一阻隔結構150，如圖2D至圖2F所示。本揭露不限定第一阻隔結構150的數量。

此外，在本實施例中第一阻隔結構150的圖案大致上構成框型圖案(frame pattern)，然而，本揭露不限於此。在其他實施例中，第一阻隔結構150的圖案可以為曲線圖案(curve pattern)，如圖2G所示，或是為格狀圖案(waffle pattern)，如圖2H所示。

此外，本揭露之電子元件之封裝結構100a可以在未被包覆部124包覆之側形成與電子元件130電性連接的多個導線132。電子元件130可選擇性地透過延伸至第二透光部122外的導線132電性連接至軟性電路板200(Flexible Printed Circuit,FPC)。並且，軟性電路板200可進一步連接至印刷電路板300。

就此實施例之結構上而言，請參照圖1A，由於第二基板120除了覆蓋第一基板110的內表面110a外，第二基板120更以由邊端部分捲曲或彎摺而成的包覆部124包覆第一基板110的周邊部114，並且以膠材140填充於第一基板110與第二基板120之間，據此，環境中的水氣或是氧氣由包覆部124之邊側進入膠材140且往電子元件130傳輸的路徑將進一步被延長。如此一來，電子元件之封裝結構100a可具有較佳的阻隔水氣與氧氣的能力，因而進一步有效延長電子元件130的壽命。

本揭露並不限定第一阻隔結構150的位置與形態，雖然此處所提及的第一阻隔結構150是設置於第二基板120上，且第一阻隔結構150的最小截面積的形狀為梯形，但已知其他能達到阻隔水氣與氧氣之能力的結構設計，仍屬於本揭露可採用的技術方案，不脫離本揭露所欲保護的範圍。以下將利用多個不同之實施例來分別說明電子元件之封裝結構100b至100p之設計。當然，下列實施例之電子元件之封裝結構100b至100p也可以選擇性地使用導線與 軟性電路板以及印刷電路板連接(未繪示)，本揭露不以此為限。

圖3為本揭露之另一實施例之一種電子元件之封裝結構的剖面示意圖。請參照圖3，圖3之電子元件之封裝結構100b與圖1A之電子元件之封裝結構100a相似，其不同之處在於：圖3之電子元件之封裝結構100b之電子元件130是設置於第一基板120上。

圖4為本揭露之另一實施例之一種電子元件之封裝結構的剖面示意圖。請參照圖4，圖4之電子元件之封裝結構100c與圖1A之電子元件之封裝結構100a相似，其不同之處在於：圖4之電子元件之封裝結構100c更包括第二阻隔結構160。第二阻隔結構160設置於第二基板120上且對應第一基板110的周邊部114設置。第二阻隔結構160由第二基板120往第一基板110的外表面110b突出，且第二阻隔結構160與第一基板110之間具有間隙d2，間隙d2的大小例如為0 μm至100 μm。第二阻隔結構160的功能與第一阻隔結構150相似，據此，電子元件之封裝結構100c可具有較佳的阻隔水氣與氧氣的能力，因而進一步有效延長電子元件130的壽命。

圖5為本揭露之另一實施例之一種電子元件之封裝結構的剖面示意圖。請參照圖5，圖5之電子元件之封裝結構100d與圖4之電子元件之封裝結構100c相似，其不同之處在於：圖5之電子元件之封裝結構100d之電子元件130是設置於第一基板120上。

圖6為本揭露之另一實施例之一種電子元件之封裝結構的剖面示意圖。請參照圖6，圖6之電子元件之封裝結構100e與圖1A之電子元件之封裝結構100a相似，其不同之處在於：圖6之電子元件之封裝結構100e的第一阻隔結構150設置於第二基板120上，且第一阻隔結構150由第二基板120往第一基板110的外表面110b突出。

圖7為本揭露之另一實施例之一種電子元件之封裝結構的剖面示意圖。請參照圖7，圖7之電子元件之封裝結構100f與圖6之電子元件之封裝結構100e相似，其不同之處在於：圖7之電子元件之封裝結構100f之電子元件130是設置於第一基板120上。

圖8為本揭露之另一實施例之一種電子元件之封裝結構的剖面示意圖。請參照圖8，圖8之電子元件之封裝結構100g與圖6之電子元件之封裝結構100e相似，其不同之處在於：圖8之電子元件之封裝結構100g更包括第二阻隔結構160。第二阻隔結構160設置於第一基板110的內表面110a上且對應第一基板110的周邊部114設置。第二阻隔結構160由第一基板110的內表面110a往第二基板120突出。第二阻隔結構160的功能與第一阻隔結構150相似，據此，電子元件之封裝結構100g可具有較佳的阻隔水氣與氧氣的能力，因而進一步有效延長電子元件130的壽命。

圖9為本揭露之另一實施例之一種電子元件之封裝結構的剖面示意圖。請參照圖9，圖9之電子元件之封裝結 構100h與圖8之電子元件之封裝結構100g相似，其不同之處在於：圖9之電子元件之封裝結構100h之電子元件130是設置於第一基板120上。

圖10為本揭露之另一實施例之一種電子元件之封裝結構的剖面示意圖。請參照圖10，圖10之電子元件之封裝結構100i與圖8之電子元件之封裝結構100g相似，其不同之處在於：圖10之電子元件之封裝結構100i更包括延伸部170。除了圖8實施例之電子元件之封裝結構100g外，在其他如圖1A、圖4及圖6實施例之封裝結構100a、100c及100e亦可進一步包括延伸部170。延伸部170與相鄰的兩個包覆部124連接在一起，且延伸部170覆蓋第一基板110的外表面110b。具體而言，電子元件之封裝結構100i之第二基板120更包括由包覆部124延伸出的延伸部170，當第二基板120包覆第一基板110後，延伸部170以及膠材140會進一步覆蓋原本由包覆部124所暴露出的第一基板110的外表面110b。如此一來，位於延伸部170與第一基板110之膠材140實質上被延伸部170覆蓋，因此水氣與氧氣將更不容易進入電子元件之封裝結構100i中。據此，電子元件之封裝結構100i可具有較佳的阻隔水氣與氧氣的能力，因而進一步有效延長電子元件130的壽命。此外，透過延伸部170以及延伸設置的膠材140將可使第二基板120的包覆部124能夠更緊密地貼附至第一基板110的外表面110b上。

圖11為本揭露之另一實施例之一種電子元件之封裝 結構的剖面示意圖。請參照圖11，圖11之電子元件之封裝結構100j與圖10之電子元件之封裝結構100i相似，其不同之處在於：圖11之電子元件之封裝結構100j之電子元件130是設置於第一基板120上。亦即圖3、圖5、圖7及圖9之實施例之封裝結構100b、100d、100f及100h亦可進一步包括延伸部170。

圖12為本揭露之另一實施例之一種電子元件之封裝結構的剖面示意圖。請參照圖12，圖12之電子元件之封裝結構100k與圖10之電子元件之封裝結構100i相似，其不同之處在於：圖12之電子元件之封裝結構100k之第二阻隔結構160設置於第二基板120上且對應第一基板110的第一透光部112設置。第二阻隔結構160由第二基板120往第一基板110的外表面110b突出。須說明的是，前述的電子元件之封裝結構100a至100j皆為雙面發光型的電子裝置，然而，本揭露不限於此。在本實施例中，電子元件之封裝結構100k可於其未發光之側，如第一透光部112上設置反射層(未繪示)以形成單面發光型的電子裝置，且電子元件130的光線由第二基板120的第二透光部122出射。

圖13為本揭露之另一實施例之一種電子元件之封裝結構的剖面示意圖。請參照圖13，圖13之電子元件之封裝結構1001與圖12之電子元件之封裝結構100k相似，其不同之處在於：圖13之電子元件之封裝結構100l之電子元件130是設置於第一基板120上。

圖14為本揭露之另一實施例之一種電子元件之封裝結構的剖面示意圖。請參照圖14，圖14之電子元件之封裝結構100m與圖1之電子元件之封裝結構100a相似，其不同之處在於：圖14之電子元件之封裝結構100m更包括第一延伸部180以及第二延伸部190。除了圖1實施例之電子元件之封裝結構100a外，在其他如圖4、圖6及圖8實施例之封裝結構100c、100e及100g亦可進一步包括第一延伸部180以及第二延伸部190。第一延伸部180由其中一個包覆部124a延伸而出，且第一延伸部180覆蓋第一基板110之外表面110b。第二延伸部190由另一個包覆部124b延伸而出，且第二延伸部190覆蓋第一延伸部180。

就製作上而言，例如是先將未彎摺的包覆部124a彎摺以使第一延伸部180覆蓋第一基板110之外表面110b。接著，再將未彎摺的包覆部124b彎摺以使第二延伸部190覆蓋第一延伸部180，以形成圖14所示的結構。

就結構上而言，跟第二延伸部190連接的包覆部124b與跟第一延伸部180連接的包覆部124a的形狀不同。包覆部124a包覆第一基板110的周邊部114以及第一基板110的其中一個側表面110s。包覆部124b包覆第一基板110的周邊部以及第一基板110的另一個側表面110s，此外，包覆部124b更包覆第一延伸部180的側表面180s。透過實質上重疊設置的第一延伸部170、第二延伸部180以及延伸設置的膠材140，第二基板120可有效地緊密貼附至第一基板110上。

在本實施例中，第一阻隔結構150對應周邊區114設置且設置於第一基板110的內表面110a上。此外，電子元件之封裝結構100m更包括第二阻隔結構160。第二阻隔結構160對應第一基板110的周邊部114設置且設置於第二基板120上。具體而言，第二阻隔結構160設置於第二基板120的第一延伸部180上並且連續地設置於第二延伸部190上，其中位於第一延伸部180上的第二阻隔結構160往第一基板110之外表面110b突出，且位於第二延伸部190上的第二阻隔結構160往第一延伸部180突出。

圖15為本揭露之另一實施例之一種電子元件之封裝結構的剖面示意圖。請參照圖15，圖15之電子元件之封裝結構100n與圖14之電子元件之封裝結構100m相似，其不同之處在於：圖15之電子元件之封裝結構100n之電子元件130是設置於第一基板120上。亦即圖3、圖5、圖7及圖9之實施例之封裝結構100b、100d、100f及100h亦可進一步包括第一延伸部180以及第二延伸部190。

圖16為本揭露之另一實施例之一種電子元件之封裝結構的剖面示意圖。請參照圖16，圖16之電子元件之封裝結構100o與圖14之電子元件之封裝結構100m相似，其不同之處在於：圖16之電子元件之封裝結構100o之第二阻隔結構160對應第一基板110的第一透光部112設置且設置於第二基板120上。換言之，電子元件之封裝結構100o例如是單面發光型的電子裝置，且電子元件130的光線由第二基板120的第二透光部122出射。

圖17為本揭露之另一實施例之一種電子元件之封裝結構的剖面示意圖。請參照圖17，圖17之電子元件之封裝結構100p與圖16之電子元件之封裝結構100o相似，其不同之處在於：圖17之電子元件之封裝結構100p之電子元件130是設置於第一基板120上。

圖18為本揭露之另一實施例之一種電子元件之封裝結構的剖面示意圖。請參照圖18，本實施例之電子元件之封裝結構100q包括第一基板110、電子元件130、阻障層200、第二基板210以及第一阻隔結構150。在本實施例中與前述實施例相同的構件將標示相同的標號，其技術內容可參考前述實施例。

第一基板110具有第一透光部112以及環繞第一透光部112的第一周邊部114。第一基板110具有內表面110a以及外表面110b。電子元件130設置於第一基板110的內表面110a上。

阻障層200具有主體部202以及位於主體部202之相對兩側的兩個包覆部204，其中主體部202與第一透光部112對應設置且主體部202覆蓋第一基板110的外表面110b。包覆部204覆蓋第一基板110之位於第一透光部112之相對兩側的第一周邊部114、覆蓋位於第一基板110之第一周邊部114上的電子元件130、包覆第一基板110之相對向的兩個側表面110s且包覆電子元件130之相對向的兩個側表面130s。

承上述，阻障層200的材料可以是有機材料、金屬材 料或無機材料，其中有機材料例如是有機小分子(small molecular)材料、有機寡聚合物(Oligomers)、寡聚合物與無機材料的混合物或有機小分子與無機材料的混合物。上述之有機小分子化合物的分子量約介於10 g/mol至5,000 g/mol之間，如Alq3(Tris-(8-hydroxyquinoline)aluminum)、alpha-NPB(N,N’-Dis(naphthalene-1-yl)-N,N’-diphenyl-benzidine)、CuPc(Phthalocyanine copper complex)。有機寡聚物的分子量約介於500 g/mol至9,000 g/mol之間，如Phenylene Vinylene Oligomers、Fluorene Oligomers。有機-無機共蒸鍍材料的分子量約介於3 g/mol至500 g/mol之間。

金屬材料例如是Al、Ag、Au、Be、Cr、Cu、Co、Fe、Ge、Ir、In、Mo、Mn、Mg、Ni、Nb、Pb、Pd、Pt、Ru、Rh、Sn、Si、Sb、Se、Ti、Ta、Te、V、W、Zr、Zn、Mg/Ag、Al/Ag、Al/Si、Al/Si/Cu、Au/Ge、Au/Be、Au/Ge/Ni、Ni/Cr、Pb/Sn、In/Sn。

無機材料例如是ITO、IZO、AZO、WO₃、MoO₃、SiOx、SiNx、SiOxNy、Al₂O₃、AlN、BaTiO₃、CeO₂、Cr₂O₃、CuO、Dy₂O₃、Er₂O₃、Eu₂O₃、Ga₂O₃、GeO₂、HfO₂、Ho₂O₃、In₂O₃、ITO、PbTiO₃、MgO、MnO₂、Nd₂O₃、NiO、Nb₂O₅、Pr₂O₃、Sm₂O₃、SiO₂、SiO、Ta₂O₅、ThO₂、SnO₂、TiO₃、Y₂O₃、ZnO、ZrO₂、CdTe、ZnTe、CdSe、CdS、ZnS、MoS₂。

阻障層200的包覆部204例如是將阻障層200部分捲曲以包覆住第一基板100的第一周邊部114以及電子元件 130的部分所形成的包覆結構，因此包覆部204在對應第一基板110之側表面110s以及電子元件130之側表面130s之處具有彎曲的形狀。阻障層200可以有效地減少水氣以及氧氣直接接觸電子元件130的機率。

第二基板210與第一基板110對向設置，電子元件130設置於第一基板110與第二基板210之間。第二基板210具有第二透光部212以及環繞第二透光部212的第二周邊部214，第二透光部212對應第一透光部112設置且第二周邊部214對應第一周邊部114設置。

膠材140為選擇設置的材料，在此實施例中，將膠材140設置於第一基板110與第二基板210之間以黏合兩者，並且將電子元件130封裝於第一基板110與第二基板210之間。以另一方面來看，由於第二基板210覆蓋在膠材之上，因此可以減少水氣以及氧氣從膠材進入電子元件130中。此外，本實施例之第二基板210例如是具有觸控功能的觸控面板，其例如是設置於電子元件130之顯示面的一側上。如此一來，第二基板210就可以同時發揮觸控的功能以及阻隔水氣以及氧氣的功能。

第一阻隔結構設置於第二基板的第二周邊部上且位於膠材140中。第一阻隔結構150對應第一基板110的第一周邊部114設置且環繞電子元件130設置。因此可有效增加電子元件之封裝結構100q於所有側邊的阻隔水氣以及氧氣的能力。據此，電子元件之封裝結構100q可具有良好的阻隔水氣與氧氣的能力。具體而言，第一阻隔結構150 與阻障層200之間具有間隙d1。間隙d1的大小為0 μm至100 μm。當間隙d1越小，表示水氣與氧氣越不容易藉由穿過間隙d1而越過第一阻隔結構150。

實驗：高溫高濕測試

實驗例1至實驗例3以及對照例的電子元件之封裝結構如圖3所示，其中第一基板的材質為聚亞醯胺，第二基板的材質為金屬箔，電子元件為主動型矩陣有機發光二極體，第一阻隔結構的材質為金屬箔。實驗例1至實驗例3以及對照例的電子元件之封裝結構中第一基板與第二基板使用厚度約20 μm之膠材接著，其中實驗例1的電子元件之封裝結構的阻隔結構與第一基板的間隙大小約為11 μm，實驗例2的電子元件之封裝結構的阻隔結構與第一基板的間隙大小約為3 μm。

使實驗例1、實驗例2以及對照例的電子元件之封裝結構進行高溫高濕測試。也就是，將待測試的電子元件封裝結構放置在溫度為60℃且相對溼度為90%RH的環境下儲存一段時間(即測試時間)後，將其取出後啟動電子元件並測量正常點亮畫素之比率，測試時間為0小時至1000小時(hr)。實驗例1、實驗例2以及對照例的電子元件之封裝結構所使用的阻隔結構的數目以及高度的條件如表一所示。電子元件之點亮畫素比率的測試結果如表二所示。

綜上所述，本揭露之電子元件之封裝結構包括連續地環繞元件設置區的阻隔結構，而電子元件設置於元件設置區中，由於阻隔結構可有效地阻擋水氣以及氧氣傳輸，因此可以有效地延長電子元件的壽命。此外，本揭露之電子元件之封裝結構進一步透過膠材以及第二基板的包覆部包覆第一基板的周邊部，因此水氣以及氧氣進入位於元件設置區中的電子元件的傳輸路徑將進一步被延長。如此一來，將可以有效地延長電子元件的壽命。

雖然本揭露已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本揭露，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本揭露之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本揭露之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100a、100b、100c、100d、100e、100f、100g、100h、100i、100j、100k、100l、100m、100n、100o、100p、100q‧‧‧電子元件之封裝結構

110‧‧‧第一基板

110a‧‧‧內表面

110b‧‧‧外表面

110s‧‧‧側表面

112‧‧‧第一透光部

114‧‧‧周邊部

115‧‧‧元件設置區

120‧‧‧第二基板

122‧‧‧第二透光部

124、124a、124b‧‧‧包覆部

130‧‧‧電子元件

130s‧‧‧側表面

140‧‧‧膠材

150‧‧‧第一阻隔結構

160‧‧‧第二阻隔結構

170‧‧‧延伸部

180‧‧‧第一延伸部

180s‧‧‧側表面

190‧‧‧第二延伸部

200‧‧‧阻障層

202‧‧‧主體部

204‧‧‧包覆部

210‧‧‧第二基板

212‧‧‧第二透光部

214‧‧‧第二周邊部

d1、d2‧‧‧間隙

圖1A為本揭露第一實施例之電子元件之封裝結構的剖面示意圖。

圖1B為圖1A之電子元件之封裝結構封裝前的分解示意圖。

圖1C為圖1B之電子元件之封裝結構封裝後的立體側視圖。

圖2A至圖2H為本揭露之其他實施例之第一阻隔結構的上視示意圖。

圖3為本揭露之另一實施例之一種電子元件之封裝結構的剖面示意圖。

圖4為本揭露之另一實施例之一種電子元件之封裝結構的剖面示意圖。

圖5為本揭露之另一實施例之一種電子元件之封裝結構的剖面示意圖。

圖6為本揭露之另一實施例之一種電子元件之封裝結構的剖面示意圖。

圖7為本揭露之另一實施例之一種電子元件之封裝結構的剖面示意圖。

圖8為本揭露之另一實施例之一種電子元件之封裝結構的剖面示意圖。

圖9為本揭露之另一實施例之一種電子元件之封裝結構的剖面示意圖。

圖10為本揭露之另一實施例之一種電子元件之封裝結構的剖面示意圖。

圖11為本揭露之另一實施例之一種電子元件之封裝結構的剖面示意圖。

圖12為本揭露之另一實施例之一種電子元件之封裝結構的剖面示意圖。

圖13為本揭露之另一實施例之一種電子元件之封裝結構的剖面示意圖。

圖14為本揭露之另一實施例之一種電子元件之封裝結構的剖面示意圖。

圖15為本揭露之另一實施例之一種電子元件之封裝結構的剖面示意圖。

圖16為本揭露之另一實施例之一種電子元件之封裝結構的剖面示意圖。

圖17為本揭露之另一實施例之一種電子元件之封裝結構的剖面示意圖。

圖18為本揭露之另一實施例之一種電子元件之封裝結構的剖面示意圖。

100a‧‧‧電子元件之封裝結構

110‧‧‧第一基板

110a‧‧‧內表面

110b‧‧‧外表面

110s‧‧‧側表面

112‧‧‧第一透光部

114‧‧‧周邊部

115‧‧‧元件設置區

120‧‧‧第二基板

122‧‧‧第二透光部

124‧‧‧包覆部

130‧‧‧電子元件

140‧‧‧膠材

150‧‧‧第一阻隔結構

d1‧‧‧間隙

Claims (23)

1. 一種電子元件之封裝結構，包括：一第一基板，具有一第一透光部以及環繞該第一透光部的一周邊部，該第一基板具有相對向的一內表面以及一外表面；一第二基板，具有一第二透光部以及位於該第二透光部之相對兩側的兩個包覆部，其中該第一透光部與該第二透光部對應設置，且該第一透光部與該第二透光部之間具有一元件設置區，該些包覆部覆蓋該第一基板之位於第一透光部之相對兩側的該周邊部且包覆該第一基板之相對向的兩個側表面，該第二基板更包括一延伸部，該延伸部與該些包覆部連接在一起並且覆蓋該第一基板之該外表面；一電子元件，設置於該第一基板或該第二基板上，且位於該元件設置區中；以及一第一阻隔結構，設置於該第一基板與該第二基板之間，其中該第一阻隔結構對應該周邊部設置且位於該元件設置區之至少一邊。
2. 如申請專利範圍第1項所述之電子元件之封裝結構，更包括一膠材，設置於該第一基板與該第二基板之間，且該第一阻隔結構位於該膠材中。
3. 如申請專利範圍第1項所述之電子元件之封裝結構，其中該電子元件設置於該第二基板上且面向該第一基板之該內表面。
4. 如申請專利範圍第3項所述之電子元件之封裝結 構，其中該第一阻隔結構設置於該第二基板上且往該第一基板之該內表面突出。
5. 如申請專利範圍第4項所述之電子元件之封裝結構，更包括一第二阻隔結構，對應該周邊部設置，其中該第二阻隔結構設置於該第二基板上且往該第一基板之該外表面突出。
6. 如申請專利範圍第3項所述之電子元件之封裝結構，其中該第一阻隔結構設置於該第二基板上且往該第一基板之該外表面突出。
7. 如申請專利範圍第6項所述之電子元件之封裝結構，更包括一第二阻隔結構，對應該周邊部設置，其中該第二阻隔結構設置於該第一基板之該內表面上。
8. 如申請專利範圍第1項所述之電子元件之封裝結構，更包括一第二阻隔結構，對應該第一透光部設置，其中該第一阻隔結構設置於該第一基板之該內表面上，該第二阻隔結構設置於該第二基板上且往該第一基板之該外表面突出。
9. 如申請專利範圍第1項所述之電子元件之封裝結構，其中該電子元件設置於該第一基板之該內表面上。
10. 如申請專利範圍第9項所述之電子元件之封裝結構，其中該第一阻隔結構設置於該第二基板上且往該第一基板之該內表面突出。
11. 如申請專利範圍第10項所述之電子元件之封裝結構，更包括一第二阻隔結構，對應該周邊部設置，其中 該第二阻隔結構設置於該第二基板上且往該第一基板之該外表面突出。
12. 如申請專利範圍第9項所述之電子元件之封裝結構，其中該第一阻隔結構設置於該第二基板上且往該第一基板之該外表面突出。
13. 如申請專利範圍第12項所述之電子元件之封裝結構，更包括一第二阻隔結構，對應該周邊部設置，其中該第二阻隔結構設置於該第一基板之該內表面上。
14. 如申請專利範圍第1項所述之電子元件之封裝結構，其中該第一阻隔結構與對向的該第一基板或該第二基板之間具有一間隙，且該間隙的大小為0μm至100μm。
15. 如申請專利範圍第1項所述之電子元件之封裝結構，該第一阻隔結構環繞該元件設置區設置。
16. 如申請專利範圍第1項所述之電子元件之封裝結構，其中該第一阻隔結構包括一連續不斷的圖案。
17. 如申請專利範圍第1項所述之電子元件之封裝結構，其中該第一阻隔結構包括連續排列的多個圖案。
18. 如申請專利範圍第1項所述之電子元件之封裝結構，其中該第一阻隔結構的圖案為框型圖案、格狀圖案或曲線圖案。
19. 一種電子元件之封裝結構，包括：一第一基板，具有一第一透光部以及環繞該第一透光部的一周邊部，該第一基板具有相對向的一內表面以及一外表面； 一第二基板，具有一第二透光部以及位於該第二透光部之相對兩側的兩個包覆部，其中該第一透光部與該第二透光部對應設置，且該第一透光部與該第二透光部之間具有一元件設置區，該些包覆部覆蓋該第一基板之位於第一透光部之相對兩側的該周邊部且包覆該第一基板之相對向的兩個側表面，該第二基板更包括由該些包覆部延伸出的一第一延伸部以及一第二延伸部，該第一延伸部覆蓋該第一基板之該外表面，且該第二延伸部覆蓋該第一延伸部；一電子元件，設置於該第一基板或該第二基板上，且位於該元件設置區中；以及一第一阻隔結構，設置於該第一基板與該第二基板之間，其中該第一阻隔結構對應該周邊部設置且位於該元件設置區之至少一邊。
20. 如申請專利範圍第19項所述之電子元件之封裝結構，更包括一第二阻隔結構，對應該周邊部設置，其中該第一阻隔結構設置於該第一基板之該內表面上，位於該第一延伸部上的該第二阻隔結構往該第一基板之該外表面突出，位於該第二延伸部上的該第二阻隔結構往該第一延伸部突出。
21. 如申請專利範圍第19項所述之電子元件之封裝結構，更包括一第二阻隔結構，對應該第一透光部設置，其中該第一阻隔結構設置於該第一基板之該內表面上，位於該第一延伸部上的部分該第二阻隔結構往該第一基板之該外表面突出，位於該第二延伸部上的該第二阻隔結構往 該第一延伸部突出。
22. 一種電子元件之封裝結構，包括：一第一基板，具有一第一透光部以及環繞該第一透光部的一第一周邊部，該第一基板具有一內表面以及一外表面；一電子元件，設置於該第一基板的該內表面上；一阻障層，具有一主體部以及位於該主體部之相對兩側的兩個包覆部，其中該主體部與該第一透光部對應設置且該主體部覆蓋該第一基板的該外表面，該些包覆部覆蓋該第一基板之位於第一透光部之相對兩側的該第一周邊部、覆蓋位於該第一基板之該第一周邊部上的該電子元件、包覆該第一基板之相對向的兩個側表面且包覆該電子元件之相對向的兩個側表面；一第二基板，與該第一基板對向設置，該電子元件設置於該第一基板與該第二基板之間，該第二基板具有一第二透光部以及環繞該第二透光部的一第二周邊部，該第二透光部對應該第一透光部設置且該第二周邊部對應該第一周邊部設置；以及一第一阻隔結構，設置於該第二基板的該第二周邊部上。
23. 如申請專利範圍第22項所述之電子元件之封裝結構，更包括一膠材，設置於該第一基板與該第二基板之間，且該第一阻隔結構位於該膠材中。