TWI721667B - 有機發光顯示裝置 - Google Patents

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李殷亨
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Abstract

本發明揭露一種使用紫外線(UV)阻擋膜的有機發光顯示裝置，該UV阻擋膜解決了設置在顯示裝置中的有機膜在諸如UV可靠度測試或長時間的戶外使用的環境中的釋氣問題，並且解決了由釋氣導致之有機發光二極體中的有機堆疊體的劣化問題。

Description

有機發光顯示裝置
本發明涉及一種顯示裝置，更具體地，涉及一種防止在顯示裝置中的有機膜在諸如UV可靠度測試或長時間的戶外使用的環境中的釋氣、並防止由釋氣導致之有機發光二極體中的有機堆疊體的劣化的有機發光顯示裝置。
隨著最近進入資訊時代，在視覺上顯示電子資訊信號的顯示器領域已經迅速發展，並且為了滿足這種發展，具有諸如薄型、輕量和低功耗的優異性能的各種平面顯示裝置正在開發中，並且正在迅速取代傳統的陰極射線管(CRTs)。
平面顯示裝置的示例有：液晶顯示器(LCD)、電漿顯示面板(PDP)、場發射顯示器(FED)、有機發光二極體(OLED)、量子點顯示裝置等。
其中，不需要獨立的光源並且實現緊密度和清晰彩色顯示的自發光顯示裝置，例如有機發光顯示裝置，被認為是具競爭力的應用。
在產品發佈之前，透過各種測試來驗證顯示裝置的可靠度。在這些測試中，考慮到顯示裝置通常使用於戶外環境中，例如在極熱的環境和極冷的環境中，近來需要進行UV可靠度測試。
對於配置為發光的有機發光層的特性而言，有機發光顯示裝置容易受潮，並且由於UV光而減少發光區域，因此未正常發光，從而縮短了有機發光顯示裝置的壽命。
因此，本發明涉及一種有機發光顯示裝置，基本上消除了由於現有技術的限制和缺點造成的一個以上的問題。
本發明的目的是提供一種有機發光顯示裝置，具有設置在其中的UV阻擋層，並且因此，即使在諸如UV可靠度測試或長時間的戶外使用的環境中也是穩定的。
本發明的額外優點、目的和特徵將在以下說明書中闡述，並且對於本發明所屬技術領域中具有通常知識者來說，在檢視以下內容後將變得顯而易見，或者可以從本發明的實踐中習得。透過在說明書及其請求項以及附圖中具體指出的結構，可以實現和獲得本發明的目的和其他優點。
為了實現這些目的和其他優點，並根據本發明的目的，如在本文中具體化和廣泛描述地，一種有機發光顯示裝置包括：複數個薄膜電晶體，設置在一基板上；一平坦化膜，被配置以覆蓋該等薄膜電晶體；一第一電極，連接到該等薄膜電晶體中的每一個的一暴露部分；一堤部，被配置以暴露該第一電極的一部分，以界定一發光部分；一間隔件，設置在該堤部上；一紫外線(UV)阻擋層，設置在除了與該發光部分對應的該第一電極的一上表面以外的該堤部和該間隔件的表面上；以及一有機發光層，被配置以與該發光部分和該發光部分周圍的該UV阻擋層重疊。
該UV阻擋層可以反射或吸收約10nm至400nm的波長的光。
該UV阻擋層可以在該間隔件的一上表面上開口。
該UV阻擋層可以在與該間隔件的該上表面連接的該間隔件的一側表面的一部分上和該間隔件的該上表面上開口。
該有機發光顯示裝置可以進一步包括一輔助紫外線(UV)阻擋層，設置該平坦化膜的一上表面上。
該輔助UV阻擋層可以設置在不設置有該第一電極的區域中。
該UV阻擋層可以包含無機阻擋膜。
該無機阻擋膜可以包含選自由ZnOx、TiOx、SixNy和TaxOy所組成的群組中的至少一種。
該UV阻擋層可以包含一對以上配置為交替堆疊的無機阻擋膜和有機阻擋膜。
該無機阻擋膜可以包含選自由ZnOx、TiOx、SixNy和TaxOy所組成的群組中的至少一種；以及該有機阻擋膜可以包含選自由聚四氟乙烯(PTFE)、 聚偏二氟乙烯(PVDF)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、環烯烴聚合物(COP)和聚碳酸酯(PC)所組成的群組中的一種。
該UV阻擋層可以具有700Å至2000Å的厚度。
該輔助UV阻擋層可以包含無機阻擋膜。
該輔助UV阻擋層的該無機阻擋膜可以包含選自由ZnOx、TiOx、SixNy和TaxOy所組成的群組中的至少一種。
一種有機發光顯示裝置，包括：在一基板上的至少一個薄膜電晶體(TFT)；一電極，電性連接到該至少一個TFT；一堤部，暴露該電極的一部分以界定一發光部分；在該堤部上的一介電層，對一紫外線範圍內的光進行反射和吸收中的至少一種；以及一有機發光層，與該發光部分和該發光部分周圍的該介電層重疊。
應當理解，本發明的前述一般性描述和以下詳細描述都是示例性和說明性的，並且旨在提供對請求保護的本發明的進一步解釋。
20:堤部
20a:氣體
21:間隔件
21a:氣體
30:有機發光層
30a:側劣化部分
40:氣體
100:基板
101:保護性基材
102:黏合劑層
103:第一基材
104:緩衝層
105:下部遮光金屬
106:半導體緩衝層
107:半導體層、第一半導體層
107a:半導體層、第二半導體層
107c:通道區域
107d:汲極區域
107s:源極區域
108:閘極絕緣膜
109:連接佈線、第一連接佈線
110:閘極電極
111:第一層間絕緣膜
112:第一儲存電極
113:第二層間絕緣膜
114:源極電極
115:汲極電極
116:第二儲存電極
117:平坦化膜
118:第一電極
120:堤部
121:間隔件
122:UV阻擋層
128:輔助UV阻擋層
130:有機發光層
138:輔助UV阻擋層
231:間隔件
232:UV阻擋層
241:間隔件
242:UV阻擋層(膜)
242a:第一UV阻擋膜(第一UV阻擋層)
242b:第二UV阻擋膜(第二UV阻擋層)
250:金屬遮罩
252:UV阻擋層
252a、252c、252e:第一UV阻擋膜
252b、252d、252f:第二UV阻擋膜
Cst:儲存電容器
TFT:薄膜電晶體
附圖被包含以提供對本發明的進一步理解，其被併入並構成本發明的一部分，說明本發明的實施例，並且與說明書一起用於解釋本發明的原理。在圖式中：
圖1是根據本發明第一實施例之有機發光顯示裝置的剖面圖；
圖2是根據本發明第二實施例之有機發光顯示裝置的剖面圖；
圖3是根據本發明第三實施例之有機發光顯示裝置的剖面圖；
圖4是根據一比較例之有機發光顯示裝置的剖面圖；
圖5是說明基於平坦化膜的UV光照射根據是否發生白化(bleaching)的化學反應的示意圖；
圖6是說明用作堤部和間隔件的主要成分的聚醯胺酸的化學式的示意圖；
圖7是說明在UV可靠度測試之後減少的發光部分的平面圖；
圖8是根據本發明第四實施例之UV阻擋層的剖面圖；
圖9是根據本發明第五實施例之UV阻擋層的剖面圖；
圖10是根據本發明第六實施例之UV阻擋層的剖面圖；
圖11A至圖11C是表示根據存在或不存在UV阻擋層在紅色、綠色和藍色發光層中的效率變化的圖表；
圖12是表示根據各種成分在發光區域中的釋氣的散佈圖矩陣的圖表；
圖13是表示各種材料中的UV光波長帶中的光的透射率的曲線圖；
圖14是表示根據TiO2的厚度之光波長的透射率變化的曲線圖；以及
圖15是表示根據UV阻擋層的厚度之太陽光譜重疊區域的曲線圖。
以下將詳細參考本發明的較佳實施例，其示例在附圖中示出。然而，本發明可以以許多替代形式來實施，並且不應該被解釋為限於本文所闡述的實施例，並且提供本發明的實施例僅是為了完全揭露本發明，並且將本發明的範圍完全告知本發明所屬技術領域中具有通常知識者。因此，應當理解，本發明並不旨在限制為所揭露的特定形式，而是相反地，本發明旨在涵蓋由請求項所界定的本發明的精神和範圍內的所有修改、均等物和替代方案。
在圖式中揭露的描述本發明的實施例的形狀、尺寸、比率、角度、數量等僅是示例性的，並且不限制本發明。在以下對實施例和圖式的描述中，即使相同或相似的元件在不同的圖式中示出，它們也由相同的元件符號表示。在以下對本發明的實施例的描述中，當可能使本發明的主題不清楚時，將省略對本文所包含的已知功能和配置的詳細描述。在以下對實施例的描述中，除非使用術語「僅」，否則術語「包含」、「具有」、「由...組成」等將被解釋為指示存在一個以上的說明書中所述的其他特徵、數字、步驟、操作、元件或部件，或其組合，並且不排除特徵、數字、步驟、操作、元件、部件或其組合的存在或添加它們的可能性。應當理解，除非另有說明，否則單數表現形式包含複數表現形式。
在解釋包含在本發明的各個實施例中的元件時，將解釋為即使沒有明確的陳述，這些元件也包含誤差範圍。
在以下對實施例的描述中，應當理解，當表達位置關係時，例如，當一個元件在另一元件「上」、「上方」、「下方」、「旁邊」等時，除非使用術語「剛好」或「直接」，否則這兩個元件可以彼此直接接觸，或者可以在兩個元件之間插入一個以上的其他元件。
在以下對實施例的描述中，應當理解，當表達時間關係時，例如，除非使用術語「剛好」或「直接」，否則表達事件序列的術語，諸如「之後」、「隨後」、「接著」或「之前」，可以涵蓋事件之間的連續關係或事件之間的不連續關係。
在以下對實施例的描述中，應當理解，當術語「第一」、「第二」等用於描述各種元件時，這些術語僅用於區分相同或相似的元件。因此，除非另有說明，否則在本發明的技術範圍內，由術語「第一」修飾的元件可以與由術語「第二」修飾的元件相同。
本發明的各個實施例的特徵可以部分或全部地彼此連接或組合，並且可以在技術上不同地彼此驅動和連鎖，並且各個實施例可以獨立地實現或彼此結合在一起實現。
圖1是根據本發明第一實施例之有機發光顯示裝置的剖面圖。
如圖1示例地所示，根據本發明第一實施例的有機發光顯示裝置包括：薄膜電晶體TFT，設置在基板100上；平坦化膜117，覆蓋除了每個薄膜電晶體中的一部分以外的薄膜電晶體TFT；第一電極118，連接到薄膜電晶體TFT被暴露的部分；堤部120，被配置以暴露第一電極118的一部分以界定發光部分；間隔件(spacer)121，設置在堤部120上；UV阻擋層122，設置在除了與該發光部分對應的第一電極118的上表面以外的堤部120和間隔件121的表面上；以及有機發光層130，與該發光部分和圍繞該發光部分的UV阻擋層122重疊。根據本發明的所有實施例，有機發光顯示裝置的所有組件都可操作地耦接和配置。
基板100可以是玻璃基板、塑膠基板或金屬基板。近來，為了實現有機發光顯示裝置的可撓性，較佳的是塑膠基板。該塑膠基板可以由聚醯亞胺(PI)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚醚碸(PES)、聚芳酯(PAR)、聚碸(PSF)、環烯烴共聚物(COC)等形成。
圖1示例地示出了基板100，其包含由具有可撓性的聚醯亞胺形成的第一基材103，然而，由諸如聚醯亞胺的塑膠形成的膜在陣列製程(array process)期間通常處於捲起或損壞的危險中，因此，在玻璃基板上形成犧牲層， 並在犧牲層上沉積由塑膠形成的膜，以完成陣列製程，然後去除玻璃基板，從而確保了顯示裝置的薄型性和製程便利性。
進一步地，基板100包含第一基材103作為其上形成有陣列的主要基材，並且可以透過黏合劑層102將保護性基材101進一步黏合至第一基材103的下表面，以防止從外部刮擦或直接損壞第一基材103的下表面。保護性基材101可以是塑膠膜，並且可以根據需要染色。
在下文中，將說明形成在基板100上的薄膜電晶體陣列。基板100包含在其上佈置為矩陣的複數個像素，並且每個像素包含薄膜電晶體TFT和儲存電容器Cst。所示的剖面圖是薄膜電晶體TFT和儲存電容器Cst的縱向剖面圖，每個像素可以根據需要進一步包含其他薄膜電晶體TFT和儲存電容器Cst，並且，本發明中的薄膜電晶體陣列包含：諸如薄膜電晶體、儲存電容器等的元件、以及與這些元件形成在相同的層中的佈線。
在第一基材103的上表面上形成陣列之前，設置藉由堆疊複數個無機絕緣層而形成的複數個緩衝層104，並且，緩衝層104防止來自第一基材103的雜質被引入陣列中並負責保護陣列。緩衝層104可以包含氧化物(SiOx)膜、氮化物(SiNx)膜和氮氧化物(SiNxOy)膜。
在緩衝層104上的指定區域處設置下部遮光金屬105。
之後，在下部遮光金屬105上設置半導體緩衝層106。半導體緩衝層106可以是與上述緩衝層104相同種類的有機絕緣膜。
半導體緩衝層106用於確保形成在其上的半導體層107和107a的平坦度，並防止雜質從設置在其下方的層轉移到半導體層107和107a。根據需要，半導體緩衝層106防止氫被引入到半導體層107和107a中，從而穩定了包含半導體層107和107a的薄膜電晶體的驅動特性，而沒有改變其特性。
半導體層107和107a形成在半導體緩衝層106上的指定區域處。儘管上述剖面圖示出了第一半導體層107和第二半導體層107a彼此分離，但是在平面圖中第一半導體層107和第二半導體層107a可以具有連接部分。
第一半導體層107可以用作薄膜電晶體TFT的半導體層，並且包含：未摻雜的通道區域107c；以及摻雜有雜質並佈置在通道區域107c的兩側的源極區域107s和汲極區域107d。第二半導體層107a被界定為與源極區域107s和汲極區域107d相同的摻雜區域。第一半導體層107和第二半導體層107a的摻 雜製程透過以下方式執行：對第一半導體層107和第二半導體層107a的形狀進行圖案化加工；以及對選擇性地屏蔽通道區域107c而暴露的區域以雜質進行摻雜。第一半導體層107和第二半導體層107a可以由例如選自由非晶矽、結晶矽和氧化物半導體所組成的群組中的至少一種形成，或者可以透過堆疊由它們形成的兩個以上的層來形成。
覆蓋半導體層107和107a的閘極絕緣膜108形成在半導體緩衝層106上。
藉由選擇性地去除閘極絕緣膜108和半導體緩衝層106，來形成暴露下部遮光金屬105的一部分的連接孔，並且，藉由在包含該連接孔的閘極絕緣膜108上沉積金屬然後選擇性地去除所沉積的金屬，來形成閘極電極110和第一連接佈線109，其中，閘極電極110與第一半導體層107的通道區域107c重疊，第一連接佈線109與閘極電極110間隔開並且穩定下部遮光金屬105的電信號。
第一層間絕緣膜111設置在閘極絕緣膜108上，該閘極絕緣膜108設置有閘極電極110和形成在其上的第一連接佈線109。
與第一連接佈線109重疊的第一儲存電極112設置在第一層間絕緣膜111上。
第二層間絕緣膜113設置在包含第一儲存電極112的第一層間絕緣膜111上。此處，第一層間絕緣膜111和第二層間絕緣膜113可以是無機絕緣膜，例如氧化物膜、氮化物膜、氮氧化物膜等。
藉由選擇性地去除第二層間絕緣膜113、第一層間絕緣膜111和閘極絕緣膜108，來形成連接孔以暴露第一半導體層107的兩側(即，源極區域107s和汲極區域107d)。
藉由在包含該等連接孔的第二層間絕緣膜113上沉積金屬並選擇性地去除所沉積的金屬，來形成源極電極114和汲極電極115以及第二儲存電極116，其中，源極電極114和汲極電極115經由該等連接孔連接到第一半導體層107的源極區域107s和汲極區域107d，第二儲存電極116位於與源極電極114和汲極電極115相同的層中。
此處，位於形成儲存電容器Cst的區域的第二儲存電極116與位於另一區域的源極電極114或汲極電極115電性連接，或者連接到與源極電極 114或汲極電極115形成在相同層中的資料線或獨立佈線，從而接收電信號，並且，第一儲存電極112連接到與閘極電極110形成在相同層中的獨立佈線，從而接收電信號，由此，在第一儲存電極112、第二儲存電極116、以及第一儲存電極112與第二儲存電極116之間的第二層間絕緣膜113三者之間的重疊區域處形成儲存電容器Cst。
上述薄膜電晶體TFT和儲存電容器Cst的配置可以根據需要改變，並且如果需要，可以省略第一儲存電極112，並且，設置在其下方的連接佈線109可以代替第一儲存電極112的功能。
為了在形成連接到薄膜電晶體TFT的有機發光二極體時改善平坦表面上的光效率，進一步設置有覆蓋薄膜電晶體TFT和儲存電容器Cst的平坦化膜117。平坦化膜117是包含光活化性化合物(PAC)的有機膜，並且具有足以平坦地覆蓋下部元件的1μm至5μm的厚度。該光活化性化合物(PAC)可以包含例如重氮萘醌(DNQ)磺酸鹽，並且由於在光固化後在其中發生交聯，因此DNQ磺酸鹽可以具有優異的膜品質(即，高密度)和良好的平坦度。
平坦化膜117設置有連接孔，以暴露薄膜電晶體(TFT)，即暴露汲極電極115，並且，有機發光二極體(OLED)的第一電極118經由該連接孔連接到汲極電極115。
由堤部120開口的區域界定為發光部分，因此，堤部120稱為發光部分界定膜。
在堤部120上設置有間隔件121，以由於精細金屬遮罩因其荷重而下垂，防止堤部120與設置有精細開口的精細金屬遮罩之間的接觸所導致之堤部120的塌陷，其中該堤部120用於在每個像素中形成有機發光層130，並且防止堤部120與精細金屬遮罩之間的直接接觸。在這種情況下，間隔件121可以具有比堤部120窄的寬度，並且間隔件121可以設置在堤部120的某些區域中。可以透過使用相同材料的單一製程同時界定堤部120和間隔件121。
堤部120和間隔件121由聚醯胺或聚醯亞胺形成。在各種實施例中，間隔件121可以具有除了矩形以外的各種剖面形狀。例如，間隔件可以具有諸如半圓形、三角形、菱形、側向蝕刻(undercut)形狀、T形剖面等的剖面形狀。
上述平坦化膜117包含光活化性化合物，並且堤部120和間隔件121包含聚醯胺酸(polyamic acid)。平坦化膜117、堤部120和間隔件121共同包含一種羧基(-COOH)作為各個膜的化合物的端基(end group)，並且具體地，當用UV光照射時，作為該等化合物的端基的羧基(-COOH)與UV光反應，並以二氧化碳(CO2)的形式釋放，從而能在顯示裝置中發生釋氣(outgassing)。
為了防止這種釋氣，根據本發明的有機發光顯示裝置包括UV阻擋層122，設置在堤部120和間隔件121的表面上以阻擋UV光。在本發明的實施例中，堤部120和間隔件121可以直接接觸。
UV阻擋層122可以反射或吸收約10nm至400nm的UV光波長帶中的光。也就是說，當UV光入射在UV阻擋層122上時，UV阻擋層122可以反射或吸收UV光。即使UV阻擋層122透射一部分的UV光，UV光的透射量也被限制為小於40%，因此，可以防止由堤部120和間隔件121或在設置在其下方的該等層與UV光反應所導致的釋氣。UV阻擋層122可以是一介電層。該介電層可以是無機層。在本發明的實施例中，UV阻擋層122可以是主要阻擋層、主要吸收層、或者兩者皆是。而且，可以對UV阻擋層122的相對表面進行紋理化或處理，以增強或減緩光吸收或光反射。例如，UV阻擋層122的表面可以具有小的刻痕或突起，以允許光吸收或光反射。在其他實施例中，UV阻擋層122的光入射表面可以具有光反射，但是UV阻擋層122的相對表面可以具有光透射。在這種情況下，可以在第一電極118的發光部分上形成UV阻擋層122。
UV阻擋層122可以具有固定的厚度，以充分且有效地吸收或反射UV光，並且具體地，具有700Å至2000Å的厚度。此外，UV阻擋層122可以包含具有優異的UV阻擋性能的無機膜(或無機阻擋膜)，例如，選自由ZnOx、TiOx、SixNy和TaxOy所組成的群組中的至少一種。UV阻擋層122具有700Å以上的厚度的原因是，如果UV阻擋層122的厚度小於700Å，則UV阻擋層122對UV光的阻擋在特定波長下是不連續的，或者UV阻擋層122將會透射某些部分的UV光。進一步地，UV阻擋層122具有2000Å以下的厚度的原因是，如果UV阻擋層122的厚度超過2000Å，則能導致可見光波長帶中的光損失。
UV阻擋層122可以包含一個無機阻擋膜，該無機阻擋膜包含選自由上述材料所組成的群組中的至少一種，並且具有指定厚度以上的厚度，以有效地反射和吸收UV光；或者可以包含堆疊的複數個無機阻擋膜，該等無機阻擋膜包含選自由上述材料所組成的群組中的至少一種，以有效地阻擋在UV光波長帶中的光。
此外，UV阻擋層122不設置在未與堤部120重疊的第一電極118上，因此，可以減少該區域中的光損失。
有機發光二極體(OLED)由第一電極118、有機發光層130和第二電極(圖未顯示)形成。將第二電極一體地設置，以覆蓋基板100上的所有像素的整體，並且，第二電極不僅均勻地形成在有機發光層130的上表面上，而且還均勻地形成在UV阻擋層122的上表面上。第二電極是半透射或透明電極，因此透射來自有機發光層130的光。
儘管將有機發光層130圖示為單層膜，但是可以在有機發光層130下方進一步設置電洞傳輸層和電洞注入層，並且可以在有機發光層130上進一步設置電子傳輸層和電子注入層。此外，有機發光層130可以佈置為包含複數個有機發光層的堆疊結構，其中，該等有機發光層之間設置有電荷產生層。
在根據本發明的有機發光顯示裝置中，在形成間隔件121之後，可以透過物理氣相沉積(PVD)、化學氣相沉積(CVD)和原子層沉積(ALD)中的一種方法，在特定的開口中形成UV阻擋層122，或者可以僅在非UV阻擋部分處設置光阻劑膜，即，僅在第一電極118不與堤部120重疊的上表面上設置光阻劑膜，透過上述沉積方法中的一種將UV阻擋層122沉積在有機發光顯示裝置的整個表面上，然後從設置有光阻劑膜的部分將其剝離，以在除了第一電極118不與堤部120重疊的上表面以外的其他區域中保留UV阻擋層122。
UV阻擋層122應具有光學上的UV光阻擋性能，因此其緊密度(compactness)很重要，可以使用脈衝型沉積方法來防止內部針孔(pin hole)的形成，並且當使用這種方法時，電漿功率(plasma power)的強度被一致地調整。
UV阻擋層122可以在已完成有機發光顯示裝置的製造之後，限制在有機發光顯示裝置的UV可靠度測試中所施加的嚴格測試條件的UV光的影響，或者可以在使用有機發光顯示裝置時限制由於暴露於大量日照的陽光下所 導致之UV光的影響。此外，根據本發明的有機發光顯示裝置防止了堤部120和間隔件121或設置在其下方的其他層上的平坦化膜117由於UV光而變性，或由於與UV光的反應所導致之各個膜的釋氣的效應，因此具有改善的可靠度。
圖2是根據本發明第二實施例之有機發光顯示裝置的剖面圖。
如圖2示例地所示，根據本發明第二實施例的有機發光顯示裝置，除了根據第一實施例的有機發光顯示裝置的結構以外，進一步包括在平坦化膜117的上表面上的輔助UV阻擋層128。輔助UV阻擋層128可以包含與上述UV阻擋層122的材料相同系列的材料，即，具有優異的UV阻擋性能的無機阻擋膜，例如，選自由ZnOx、TiOx、SixNy和TaxOy所組成的群組中的至少一種。在其中第一電極118包含反射電極並且第二電極是半透射或透射電極的頂部發光類型的情況下，如果輔助UV阻擋層128具有約700Å以上的厚度以具有UV阻擋性能，則輔助UV阻擋層128的厚度上限不需被限制。其原因是，光沒有透射到第一電極118下方的層，因此不用考慮由輔助UV阻擋層128透射可見光。
輔助UV阻擋層128位於第一電極118下方的平坦化膜117的上表面上。在這種情況下，輔助UV阻擋層128可以防止經由第一電極118的上表面入射的一部分UV光與設置在輔助UV阻擋層128下方的平坦化膜117中的成分發生反應，並且，位於平坦化膜117上且位於堤部120和間隔件121下方的輔助UV阻擋層128可以加倍地阻擋UV光，因此，與上述第一實施例相比，可以更穩定地阻擋UV光。
圖3是根據本發明第三實施例之有機發光顯示裝置的剖面圖。
如圖3示例地所示，第三實施例是上述本發明第二實施例的修改態樣，並且根據本發明第三實施例的有機發光顯示裝置可以進一步包括輔助UV阻擋層138，僅在第一電極118不位於其中的區域中。由於第一電極118包含如上所述的反射電極，輔助UV阻擋層138設置在形成在外側未設置有第一電極118的區域中，因此，彼此共面(coplanar)的輔助UV阻擋層138和第一電極118防止來自頂部的UV光穿過輔助UV阻擋層138和第一電極118，從而阻擋了UV光。
圖4是根據一比較例之有機發光顯示裝置的剖面圖。
與上述根據本發明的有機發光顯示裝置相比，圖4所示之根據該比較例的有機發光顯示裝置不包含UV阻擋層和輔助UV阻擋層，從頂部入射的 UV光在垂直方向上入射在間隔件21、堤部20和平坦化膜117上，因此，在平坦化膜117、堤部20和間隔件21中產生氣體40、20a和21a。氣體21a和20a移動通過間隔件21和堤部20的側部、產生有機發光層30的側劣化部分30a，因此可能減少發光區域。
在下文中，將描述平坦化膜、堤部和間隔件的成分的化學式以及在UV可靠度測試中成分的變化，並且將描述在UV可靠度測試中在這些膜中產生釋氣的原因。
圖5是說明基於平坦化膜的UV光照射根據是否發生白化(bleaching)的化學反應的示意圖。
如圖5示例地所示，平坦化膜包含光活化性化合物(PAC)，即，重氮萘醌(DNQ)磺酸鹽。
也就是說，藉由將重氮萘醌(DNQ)磺酸鹽的膜形成在其上設置有薄膜電晶體的基板上並進行光固化來形成平坦化膜。
在光固化過程中，將氮去除，並將化學式1的茚並羧酸磺酸鹽(indene carboxylic acid sulfonate)的端基(即羧基(-COOH))脫氫，茚並羧酸磺酸鹽具有羰基(-CO)，一個分子中的羰基(-CO)與一相鄰分子結合，因此形成交聯。
該平坦化膜正常地形成交聯的區域在聚合物中具有密集連接(dense connection)，但是，在該平坦化膜不進行反應以固化的區域中，根據在UV可靠度測試中的強UV光照射，從作為化學式1的茚並羧酸磺酸鹽的端基的羧基(-COOH)產生二氧化碳，即，發生釋氣，因此，可能導致周圍層、特別是有機發光二極體中的有機發光層、的劣化，並且損壞聚合物中的茚並羧酸磺酸鹽中的某些交聯鍵，從而連續地產生釋氣。平坦化膜由於釋氣而變性，並且由於平坦化膜的變性，使有機發光層從其邊緣產生劣化，即，有機發光層的邊緣變黑。因此，當產生二氧化碳而釋氣時，平坦化膜劣化而變性，並且，包含二氧化碳或諸如水、氧及/或氫的其他氣體對發光部分和有機發光層產生負面影響。
[化學式1]
Figure 108142641-A0202-12-0013-1
圖6是說明用作堤部和間隔件的主要成分的聚醯胺酸的化學式的示意圖。
如圖6示例地所示，堤部和間隔件由藉由透過固化使聚醯胺酸聚合所獲得的聚醯胺形成。
聚醯胺酸具有羧基(-COOH)對稱地設置的構造，並且聚醯胺中的羧基(-COOH)可以在UV可靠度測試中由於強UV光而脫氫，因此以二氧化碳的形式釋放。
以與平坦化膜相同的方式，透過UV光照射產生的二氧化碳移動到相鄰的層，因此可能導致有機發光層的劣化。
圖7是說明在UV可靠度測試之後減少的發光部分的平面圖。
如圖4和圖5示例地所示，由於在UV可靠度測試之後由從平坦化膜或堤部和間隔件釋放的二氧化碳所導致的釋氣的影響，如圖7示例地所示，界定為堤部的開口的發光區域由於在發光部分的邊緣處產生側劣化部分30a而減少，從而縮短了有機發光顯示裝置的壽命。
此外，設置在有機發光層上的電子注入層包含鹼離子，例如鋰，以促進從第二電極注入電子，並且，該層中所提供之移動的二氧化碳和氫與鋰反應並形成金屬化合物，例如LiHCO3，因此可以加速上述發光區域的減少。
在下文中，將描述其他類型的上述UV阻擋層。
圖8是根據本發明第四實施例之UV阻擋層的剖面圖。
上述實施例示出的UV阻擋層包含選自由ZnOx、TiOx、SixNy和TaxOy所組成的群組中的至少一種形成的無機阻擋膜。
然而，當沉積有機發光層時，間隔件231的上表面可能與精細的金屬遮罩250接觸，因此，如果在間隔件231的表面上設置具有硬度的無機阻擋 膜，則在無機阻擋膜中可能會產生破裂。此外，破裂的無機阻擋膜可能在沉積有機發光層之後仍然保留在有機發光顯示裝置中，因此被認為是缺陷。
因此，根據本發明第四實施例的UV阻擋層232被設置以具有開口，該開口對應於間隔件231的上表面和與該上表面連接的側表面的一部分，並且，當沉積有機發光層時，具有可撓性的間隔件231的上表面接觸精細的金屬遮罩250，因此防止了對作為無機阻擋膜的UV阻擋層232的損壞。間隔件231僅形成在(圖1中的)堤部120的一部分寬度上，並配置為使得其上部的寬度小於其下部的寬度，且UV阻擋層232的開口具有不足以實際降低UV阻擋功能之小的寬度。根據需要，可以僅從間隔件231的上表面去除UV阻擋層232。
圖9是根據本發明第五實施例之UV阻擋層的剖面圖。
如圖9示例地所示，根據本發明第五實施例的UV阻擋層(膜)242在堤部120(參照圖1)和間隔件241上具有雙層結構，該雙層結構包含由無機膜成分形成的第一UV阻擋膜242a和由具有彈性的有機膜成分形成的第二UV阻擋膜242b。第二UV阻擋層(242b)在第一UV阻擋層(242a)上。
在這種情況下，即使由具有良好彈性的有機膜成分形成的第二UV阻擋膜242b接觸精細的金屬遮罩250以形成有機發光層，也可以防止對第二UV阻擋膜242b的損壞。
此處，第一UV阻擋膜242a可以是包含選自由ZnOx、TiOx、SixNy和TaxOy所組成的群組中的至少一種的無機阻擋膜，並且，第二UV阻擋膜242b可以包含選自由聚四氟乙烯(PTFE)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、環烯烴聚合物(COP)和聚碳酸酯(PC)所組成的群組中的一種。
在這種情況下，UV阻擋層242可以具有固定的厚度，並且具體地具有700Å至2000Å的厚度。藉由設置這種UV阻擋層242，可以防止除了UV光以外之可見光從外部光中損失。
圖10是根據本發明第六實施例之UV阻擋層的剖面圖。
如圖10示例地所示，本發明第六實施例是上述第五實施例的修改態樣，根據本發明第六實施例的UV阻擋層252包含：由無機膜形成的第一UV阻擋膜252a、252c和252e；以及由有機膜形成的第二UV阻擋膜252b、252d和252f，該等第一UV阻擋膜252a、252c和252e及第二UV阻擋膜252b、252d 和252f交替地堆疊成複數對。同樣地，在另一實施例中，在UV阻擋層中，至少一個第二UV阻擋膜在該複數個第一UV阻擋膜上。最上面的UV阻擋膜是有機阻擋膜，並且即使與精細的金屬遮罩250接觸，也可以防止對UV阻擋層252的損壞。
圖11A至圖11C是表示根據存在或不存在UV阻擋層在紅色、綠色和藍色發光層中的效率變化的圖表。
圖11A是表示根據存在或不存在UV阻擋層，評估在UV可靠度測試中紅光效率隨時間變化的圖表，並且，如果未設置UV阻擋層，則在240小時後，紅光效率將達到初始階段效率的約10%。相反地，如果設置有本發明的UV阻擋層，則即使經過240小時，紅光效率也可以保持在初始階段效率的100%以上。
圖11B是表示根據存在或不存在UV阻擋層，評估在UV可靠度測試中綠光效率隨時間變化的圖表，並且，如果未設置UV阻擋層，則在240小時後，綠光效率將達到初始階段效率的約10%。相反地，如果設置有本發明的UV阻擋層，則即使經過240小時，綠光效率也可以保持在初始階段效率的100%以上。
圖11C是表示根據存在或不存在UV阻擋層，評估在UV可靠度測試中藍光效率隨時間變化的圖表，並且，如果未設置UV阻擋層，則在240小時後，藍光效率將達到初始階段效率的約10%。相反地，如果設置有本發明的UV阻擋層，則即使經過240小時，藍光效率也可以保持在初始階段效率的100%以上。
此外，如圖11A至圖11C示例性地所示，如果設置有UV阻擋層，則直到約220小時為止，紅、綠和藍光的效率趨於增加。可以確認的是，即使設置有UV阻擋層，在UV可靠度測試所需的條件下也不會降低效率，這意味著產品中的有機發光層幾乎不會因UV照射而變性。
圖12是表示根據各種成分在發光區域中的釋氣的散佈圖矩陣的圖表。
圖12的圖表是表示根據各種成分的發光區域的變化，並且可以確認的是，由於二氧化碳的增加，發光區域顯著減少。尤其是，這意味著，如 果比起水分的量，發光區域中二氧化碳的量減少更加嚴重，則在UV可靠度測試中，產品中的二氧化碳的釋氣可能導致有機發光顯示裝置中的嚴重變性。
根據本發明的有機發光顯示裝置可以包括UV阻擋層，以防止這種問題。
圖13是表示各種材料中的UV光波長帶中的光的透射率的曲線圖。
圖13的曲線圖表示在分別使用Si3N4、TiO2、ZrO2、Ta2O5和ZnO製造之具有2000Å的厚度的產品中，各個波長的光的透射率。TiO2對350nm以下的波長的UV光具有最高的阻擋性能；Ta2O5對約250nm以下的波長的UV光有效，而Si3N4對200nm以下的波長的UV光有效。由於ZrO2和ZnO對於200nm至400nm的波長範圍內的光具有60%以上的透射率，如果單獨使用這些材料，則很難期望它們具有UV阻擋性能，並且，當使用這些材料以設置UV阻擋層時，可以沉積由具有較高UV阻擋性能的材料形成的複數個層，以增加UV阻擋效果。
圖14是表示根據TiO2的厚度的光波長的透射率變化的曲線圖。
如圖14示例地所示，當由TiO2形成的薄膜具有100Å的厚度時，TiO2膜對於約350nm以下的波長的光具有40%以下的透射率。可以確認的是，隨著TiO2膜的厚度逐漸增加，對於約350nm以下的波長的光的透射率降低。可以確認的是，當TiO2膜的厚度為約500Å時，TiO2膜對於約350nm以下的波長的光具有約5%的透射率，而當TiO2膜的厚度為約700Å以上時，TiO2膜對於約350nm以下的波長的光具有較低的透射率。也就是說，當TiO2膜的厚度為約700Å以上時，TiO2膜幾乎不透射約350nm以下的波長的光，這意味著當TiO2膜形成為具有700Å以上的厚度時，TiO2膜可以穩定地阻擋UV光。
圖15是表示根據UV阻擋層的厚度之太陽光譜重疊區域的曲線圖。
如圖15示例地所示，如果UV阻擋層具有700Å以上的厚度，則UV阻擋層與太陽光譜重疊的區域為17%以下。這意味著，當UV阻擋層的厚度為700Å以上時，UV阻擋層可以充分防止UV光波長帶中的光的影響和透射，並且防止設置在UV阻擋層和內部元件下方的層由於與UV光反應而變性。
在下文中，將簡單描述太陽照射光譜(solar irradiation spectrum)。這是為了比較由不同製造商和實驗室製造的光電裝置的效率而定義的標準之一。1985年的威爾利標準外星太陽輻照度光譜(Wehrli Standard Extraterrestrial Solar Irradiance Spectrum)被用作標準太陽光譜。此處，在該光譜中，測量並定義了波長從199.50nm以1nm逐漸增加到10075nm的太陽能(單位：Wm-2nm-1)。在圖15中，與視為100%之所測量的太陽能電池相比，示出了與太陽光譜的重疊。在本發明的顯示裝置中，與太陽光譜(即，圖15所示的太陽光譜)的重疊表示在UV光波長帶中(即，在200nm至450nm的波長下)的重疊，以判斷UV光波長帶的影響。
考慮到圖14所示的TiO2的透射率，當TiO2實現為UV阻擋層時，透射能量是將UV阻擋層的厚度的標準太陽光譜的能量乘以根據厚度的透射率所獲得的值。
在這種情況下，即使TiO2膜具有100Å的厚度，與未設置TiO2膜(與太陽光譜具有100%的重疊區域)的情況相比，TiO2膜與太陽光譜也具有50%的重疊區域，因此具有UV光阻擋效果，但是，隨著TiO2膜的厚度增加到約700Å，重疊區域相對於太陽光譜的區域逐漸減少。如果本發明的有機發光顯示裝置包含由TiO2形成且厚度為100Å的UV阻擋層，則當由於製程偏差引起的UV阻擋層的厚度偏差為約10%時，UV阻擋層的各個區域中的太陽光譜重疊區域的值具有不規則的偏差，因此，整個UV阻擋層不能獲得均勻的UV阻擋性能。因此，在本發明的有機發光顯示裝置中，UV阻擋層具有700Å以上的厚度，從而，即使由於製程偏差而在UV阻擋層的區域之間存在厚度差，當UV阻擋層的厚度為700Å以上時，與不包含UV阻擋層的結構相比，無論其厚度如何，有機發光顯示裝置都具有17%以下的太陽光譜重疊區域，因此具有高UV阻擋效果，而不會由於製程偏差而引起UV阻擋性能差異。
本發明的有機發光顯示裝置包含在堤部和間隔件的表面上的UV阻擋層，堤部和間隔件對UV光具有高反應性，因此，當UV光從頂部入射在有機發光顯示裝置上時，UV阻擋層可以反射或吸收UV光，從而，當UV光直接入射在有機材料上時，防止了UV光穿透到有機材料中而導致釋氣。
此外，UV阻擋層阻擋了UV光的透射，因此防止了設置在UV阻擋層下方並能造成釋氣的層的釋氣，從而防止有機堆疊體的發光區域的減少。 因此，維持了有機發光二極體的穩定性，並且因此改善了有機發光顯示裝置的壽命。
根據需要，在堤部和間隔件下方形成另一個UV阻擋層，從而防止了即使在形成堤部和間隔件之前或之後仍會經由未設置有UV阻擋層的某些區域入射的UV光對薄膜電晶體陣列中的元件特性的影響。
從以上描述顯而易見的是，根據本發明的有機發光顯示裝置具有以下效果。
首先，當UV光入射在有機發光顯示裝置上時，設置在有機發光顯示裝置中的UV阻擋層反射或吸收UV光，因此，當UV光直接入射在有機材料上時，防止了UV光穿透到有機材料中而導致釋氣。
第二，UV阻擋層阻擋了UV光的透射，因此防止了設置在UV阻擋層下方並造成釋氣的層的釋氣，從而防止有機堆疊體的發光區域的減少。因此，維持了有機發光二極體的穩定性，並因此改善了有機發光顯示裝置的壽命。
在本發明的各種實施例中，UV阻擋層可以是介電層。在本發明的實施例中，UV阻擋層可以是主要阻擋層、主要吸收層、或者兩者皆是。而且，可以對UV阻擋層的相對的表面進行紋理化或處理，以增強或減緩光吸收或光反射。例如，UV阻擋層的表面可以具有小的刻痕或突起，以允許光吸收或光反射。在其他實施例中，UV阻擋層的光入射表面可以具有光反射，但是UV阻擋層的相對表面可以具有光透射。在這種情況下，可以在第一電極的發光部分上形成UV阻擋層。
對於本發明所屬技術領域中具有通常知識者將顯而易見的是，在不脫離本發明的精神或範圍的情況下，可以對本發明進行各種修改和變化。因此，其旨在覆蓋本發明的修改和變型，只要它們落入所附請求項及其均等物的範圍內即可。
本發明主張於2018年12月31日提交的韓國專利申請第10-2018-0173646號的優先權權益，其揭露內容透過引用合併於此。
100:基板
101:保護性基材
102:黏合劑層
103:第一基材
104:緩衝層
105:下部遮光金屬
106:半導體緩衝層
107:半導體層、第一半導體層
107a:半導體層、第二半導體層
107c:通道區域
107d:汲極區域
107s:源極區域
108:閘極絕緣膜
109:連接佈線、第一連接佈線
110:閘極電極
111:第一層間絕緣膜
112:第一儲存電極
113:第二層間絕緣膜
114:源極電極
115:汲極電極
116:第二儲存電極
117:平坦化膜
118:第一電極
120:堤部
121:間隔件
122:UV阻擋層
130:有機發光層
Cst:儲存電容器
TFT:薄膜電晶體

Claims (20)

  1. 一種有機發光顯示裝置，包括：複數個薄膜電晶體，在一基板上；一平坦化膜，覆蓋該等薄膜電晶體；一電極，連接到該等薄膜電晶體中的每一個的一暴露部分；一堤部，暴露該電極的一部分以界定一發光部分；一間隔件，在該堤部上；一紫外線(UV)阻擋層，在除了與該發光部分對應的該電極的一上表面以外的該堤部和該間隔件的表面上；以及一有機發光層，在該發光部分中的該電極的該上表面和該發光部分周圍的該紫外線阻擋層二者上方。
  2. 如請求項1之有機發光顯示裝置，其中，該UV阻擋層具有700Å至2000Å的厚度。
  3. 一種有機發光顯示裝置，包括：至少一個薄膜電晶體，在一基板上；一電極，電性連接到該至少一個薄膜電晶體；一堤部，暴露該電極的一部分以界定一發光部分；一介電層，在該堤部的一上表面和一側表面上，並且對一紫外線範圍內的光進行反射和吸收中的至少一種；以及一有機發光層，在該發光部分中的該電極和該發光部分周圍的該介電層的至少一側表面二者上。
  4. 如請求項3之有機發光顯示裝置，其中，該有機發光層不形成在該堤部的該上表面上方。
  5. 如請求項3之有機發光顯示裝置，進一步包括：一平坦化膜，覆蓋該至少一個薄膜電晶體；以及一間隔件，在該堤部的該上表面的一部分上；其中，該介電層進一步位於該間隔件上。
  6. 如請求項3之有機發光顯示裝置，其中，該紫外線範圍為10nm至400nm的波長。
  7. 如請求項3之有機發光顯示裝置，其中，該介電層是一無機膜。
  8. 如請求項7之有機發光顯示裝置，其中，該介電層包含選自由ZnOx、TiOx、SixNy和TaxOy所組成的群組中的至少一種。
  9. 如請求項3之有機發光顯示裝置，其中，該介電層包含一對以上交替堆疊的無機膜和有機膜。
  10. 如請求項9之有機發光顯示裝置，其中，該無機膜包含選自由ZnOx、TiOx、SixNy和TaxOy所組成的群組中的至少一種；以及該有機膜包含選自由聚四氟乙烯(PTFE)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、環烯烴聚合物(COP)和聚碳酸酯(PC)所組成的群組中的一種。
  11. 如請求項5之有機發光顯示裝置，其中，該介電層在該間隔件的一上表面上開口。
  12. 如請求項11之有機發光顯示裝置，其中，該介電層暴露與該間隔件的該上表面連接的該間隔件的一側表面的一部分和該間隔件的該上表面。
  13. 如請求項5之有機發光顯示裝置，還包括一輔助介電層，在該平坦化膜的一上表面上對該紫外線範圍內的光進行反射和吸收中的至少一種。
  14. 如請求項5之有機發光顯示裝置，進一步包括一輔助紫外線阻擋層，設置在不設置有該電極的區域中。
  15. 如請求項5之有機發光顯示裝置，其中，該間隔件和該堤部由相同的材料形成。
  16. 如請求項15之有機發光顯示裝置，其中，該間隔件和該堤部由聚醯胺或聚醯亞胺形成。
  17. 如請求項5之有機發光顯示裝置，其中，該平坦化膜是包含光活化性化合物(PAC)的一有機膜。
  18. 如請求項3之有機發光顯示裝置，其中，該介電層包含：複數個第一紫外線阻擋膜；以及至少一個第二紫外線阻擋膜，在該等第一紫外線阻擋膜上。
  19. 如請求項18之有機發光顯示裝置，其中，該複數個第一紫外線阻擋膜由無機膜形成，而該至少一個第二紫外線阻擋膜由有機膜形成。
  20. 如請求項18或19之有機發光顯示裝置，其中，當該介電層包含複數個子層時，最外部的子層具有可撓性。
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