CN115241166A - 电子装置 - Google Patents

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吴明仓
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Abstract

本揭露提供一种电子装置，所述电子装置包括可挠性衬底、多个半导体元件以及多个支撑元件。可挠性衬底具有彼此相对的第一表面以及第二表面。多个半导体元件设置于第一表面上。多个支撑元件设置于第二表面上。支撑元件包括弧形结构。

Description

电子装置
技术领域
本揭露涉及一种电子装置。
背景技术
随着现代电子产品的技术进步，市面上的电子装置已具有可折叠和/或可卷起的功能。为了达到上述功能，电子装置通常具有较薄的厚度；然而，在此电子装置于内应力或外应力的作用之下，使得此电子装置产生变形，可能造成其中电子元件损坏。
发明内容
本揭露提供一种包括电子装置，可改善应力作用后变形的情形。
根据本揭露的一实施例，电子装置包括可挠性衬底、多个半导体元件以及多个支撑元件。可挠性衬底具有彼此相对的第一表面以及第二表面。多个半导体元件设置于第一表面上。多个支撑元件设置于第二表面上。支撑元件包括弧形结构。
根据本揭露的另一实施例，电子装置包括可挠性衬底、多个半导体元件以及多个支撑元件。可挠性衬底具有彼此相对的第一表面以及第二表面。多个半导体元件与多个支撑元件设置于第一表面上。支撑元件包括弧形结构。设置于第一表面上的多个支撑元件中的至少一个位于相邻的半导体元件之间。
为让本揭露的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
附图说明
包含附图以便进一步理解本揭露，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本揭露的实施例，并与描述一起用于解释本揭露的原理。
图1为本揭露第一实施例的电子装置的局部剖面示意图；
图2为本揭露第二实施例的电子装置的局部剖面示意图；
图3为本揭露第三实施例的电子装置的局部剖面示意图；
图4为本揭露第四实施例的电子装置的局部剖面示意图；
图5A为本揭露第五实施例的电子装置的局部剖面示意图；
图5B为本揭露第六实施例的电子装置的局部剖面示意图；
图6为本揭露第七实施例的电子装置的局部剖面示意图；
图7A为本揭露第八实施例的电子装置的局部剖面示意图；
图7B为本揭露第九实施例的电子装置的局部剖面示意图；
图8为本揭露一实施例的电子装置中的支撑元件的立体示意图；
图9A至图9L为本揭露各实施例的电子装置中的支撑元件的俯视示意图；
图10为本揭露一些实施例的电子装置的俯视示意图。
具体实施方式
透过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本揭露，须注意的是，为了使读者能容易了解及附图的简洁，本揭露中的多张附图只绘出电子装置的一部分，且附图中的特定元件并非依照实际比例绘图。此外，图中各元件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本揭露的范围。
本揭露通篇说明书与后附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子装置制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件。在下文说明书与权利要求中，“包括”、“含有”、“具有”等词为开放式词语，因此其应被解释为“含有但不限定为…”之意。因此，当本揭露的描述中使用术语“包括”、“含有”和/或“具有”时，其指定了相应的特征、区域、步骤、操作和/或构件的存在，但不排除一个或多个相应的特征、区域、步骤、操作和/或构件的存在。
本文中所提到的方向用语，例如：“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，仅是参考附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明，而并非用来限制本揭露。在附图中，各附图示出的是特定实施例中所使用的方法、结构和/或材料的通常性特征。然而，这些附图不应被解释为界定或限制由这些实施例所涵盖的范围或性质。举例来说，为了清楚起见，各膜层、区域和/或结构的相对尺寸、厚度及位置可能缩小或放大。
当相应的构件(例如膜层或区域)被称为“在另一个构件上”时，它可以直接在另一个构件上，或者两者之间可存在有其他构件。另一方面，当构件被称为“直接在另一个构件上”时，则两者之间不存在任何构件。另外，当一构件被称为“在另一个构件上”时，两者在俯视方向上有上下关系，而此构件可在另一个构件的上方或下方，而此上下关系取决于装置的取向(orientation)。
术语“大约”、“等于”、“相等”或“相同”、“实质上”或“大致上”一般解释为在所给定的值或范围的20％以内，或解释为在所给定的值或范围的10％、5％、3％、2％、1％或0.5％以内。
说明书与权利要求中所使用的序数例如“第一”、“第二”等的用词用以修饰元件，其本身并不意含及代表该(或该些)元件有任何之前的序数，也不代表某一元件与另一元件的顺序、或是制造方法上的顺序，该些序数的使用仅用来使具有某命名的元件得以和另一具有相同命名的元件能作出清楚区分。权利要求与说明书中可不使用相同用词，据此，说明书中的第一构件在权利要求中可能为第二构件。
须知悉的是，以下所举实施例可以在不脱离本揭露的精神下，可将数个不同实施例中的特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。各实施例间特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。
本揭露中所叙述的电性连接或耦接，皆可以指直接连接或间接连接，于直接连接的情况下，两电路上元件的端点直接连接或以一导体线段互相连接，而于间接连接的情况下，两电路上元件的端点之间具有开关、二极管、电容、电感、其他适合的元件，或上述元件的组合，但不限于此。
在本揭露中，厚度、长度、宽度与面积的测量方式可以是采用光学显微镜测量而得，厚度则可以由电子显微镜中的剖面影像测量而得，但不以此为限。另外，任两个用来比较的数值或方向，可存在着一定的误差。若第一值等于第二值，其隐含着第一值与第二值之间可存在着约10％的误差；若第一方向垂直于第二方向，则第一方向与第二方向之间的角度可介于80度至100度之间；若第一方向平行于第二方向，则第一方向与第二方向之间的角度可介于0度至10度之间。
本揭露的电子装置可包括显示、天线、发光、感测、触控、拼接、其他适合的功能、或上述功能的组合，但不以此为限。电子装置包括可卷曲或可挠式电子装置，但不以此为限。电子装置可例如包括二极管、液晶(liquid crystal)、发光二极管(light emittingdiode，LED)、量子点(quantum dot，QD)、荧光(fluorescence)、磷光(phosphor)、其他适合的材料或上述的组合。发光二极管可例如包括有机发光二极管(organic light emittingdiode，OLED)、微型发光二极管(micro-LED、mini-LED)或量子点发光二极管(QLED、QDLED)，但不以此为限。下文将以显示装置或拼接装置做为电子装置以说明本揭露内容，但本揭露不以此为限。
图1为本揭露第一实施例的电子装置的局部剖面示意图。
请参照图1，本实施例的电子装置10a包括可挠性衬底100、多个半导体元件200以及多个支撑元件300。
可挠性衬底100的材料可例如包括聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate，PMMA)、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、聚酰亚胺(polyimide,PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)或其他适合的材料或上述材料的组合，但本揭露不以此为限。在一些实施例中，可挠性衬底100具有彼此相对的第一表面100s1以及第二表面100s2。可挠性衬底100的第一表面100s1可例如用来设置包括有电路结构(未图标)等构件的元件层AC，而可挠性衬底100的第二表面100s2可例如用来设置包括支持层和/或散热层的功能层，本揭露不以此为限。在本实施例中，多个半导体元件200设置于可挠性衬底100的第一表面100s1上，且多个支撑元件300设置于可挠性衬底100的第二表面100s2上。
多个半导体元件200例如设置于可挠性衬底100的第一表面100s1上，且例如以数组排列、交错排列(例如pentile方式)或其他方式设置于可挠性衬底100的第一表面100s1上，本揭露不以此为限。在一些实施例中，多个半导体元件200中的相邻的半导体元件之间具有彼此实质上相等的节距(pitch)P1，本揭露不以此为限。上述的节距P1可为相邻的半导体元件200的中心之间的距离；或者可例如为相邻的半导体元件200的相对应边缘之间的距离，本揭露不以此为限。在一些实施例中，多个半导体元件200可例如设置于前述的元件层AC上。元件层AC可包括电路结构(未图标)以驱动多个半导体元件200。举例而言，元件层AC可包括多条扫描线、多条数据线、绝缘层、电容、多个晶体管和/或多个电极等，但本揭露不以此为限。在一些实施例中，元件层AC可以包括多条线路而不包括晶体管。另外，在一些实施例中，多个半导体元件200可通过导电垫(未图标)与元件层AC电性连接，但本揭露不以此为限。在本实施例中，多个半导体元件200包括多个发光元件，其可发出各种合适的颜色光(例如红光、绿光、蓝光、白光等颜色光)或UV光，但本揭露不以此为限。在一些实施例中，多个半导体元件200可包括自发光材料。举例而言，多个半导体元件200可包括二极管、有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)、无机发光二极管(inorganic lightemitting diode，LED)，例如次毫米发光二极管(mini LED)或微发光二极管(micro LED)、量子点(quantum dot，QD)、量子点发光二极管(QLED、QDLED)、荧光(fluorescence)、磷光(phosphor)、其他适合的材料或上述材料的组合，但本揭露不以此为限，多个半导体元件200的尺寸可根据需求做调变。在一些实施例中，多个半导体元件200可包括非自发光材料，例如：液晶分子、电泳显示介质或是其它可适用的介质为范例，所述液晶分子为可被垂直电场转动或切换的液晶分子或者是可被横向电场转动或切换的液晶分子，但本揭露不以此为限。在一些实施例中，电子装置10a还包括有填充层F。填充层F例如设置于可挠性衬底100的第一表面100s1上且覆盖多个半导体元件200。举例而言，填充层F除了设置于多个半导体元件200的上方外，亦邻近于或围绕于多个半导体元件200设置。因此，填充层F可例如用于固定或保护多个半导体元件200。在一些实施例中，填充层F包括透明材料、非透明材料。举例而言，填充层F的材料可包括环氧树脂、压克力、其他合适材料或上述的组合。在一些实施例中，填充层F可包括单层结构或复合层结构，本揭露不以此为限。此处值得说明的是，虽然本实施例以多个半导体元件200包括多个发光元件为例子来说明，但并非代表本申请仅能适用于包括多个发光元件的电子装置10a，即，本申请的电子装置10a亦可为天线装置、感测装置或拼接装置等电子装置。
多个支撑元件300可例如选择性地设置于可挠性衬底100的第一表面100s1或第二表面100s2上；或者，多个支撑元件300可设置于可挠性衬底100的第一表面100s1以及第二表面100s2上，本揭露不以此为限。在本实施例中，多个支撑元件300设置于可挠性衬底100的第二表面100s2上；然而，本揭露不以此为限。在一些实施例中，多个支撑元件300设置于可挠性衬底100的第一表面100s1上。在一些实施例中，多个支撑元件300可设置于可挠性衬底100的第一表面100s1以及第二表面100s2上。在本实施例中，多个支撑元件300中的至少一个在可挠性衬底100的法线方向N上与多个半导体元件200中的一者至少部分地重叠，但本揭露不以此为限。在一些实施例中，多个支撑元件300中的至少一个在可挠性衬底100的法线方向N上可不与多个半导体元件200中的一者重叠。在本实施例中，多个支撑元件300包括单层结构，但本揭露不以此为限。在一些实施例中，多个支撑元件300可包括多层结构。在一些实施例中，多个支撑元件300中的相邻的支撑元件之间具有相等的节距P2。上述的节距P2可为相邻的支撑元件300的中心之间的距离；或者可为相邻的支撑元件300的相对应边缘之间的距离，本揭露不以此为限。举例而言，如图1所示出，支撑元件300a与支撑元件300b之间的节距P21、支撑元件300b与支撑元件300c之间的节距P22以及支撑元件300c与支撑元件300d之间的节距P23彼此实质上相等，但本揭露不以此为限。在一些实施例中，多个支撑元件300中的相邻的支撑元件之间可具有不相等的节距P2。在本实施例中，多个支撑元件300中的相邻的支撑元件之间的节距P2可为多个半导体元件200中的相邻的半导体元件之间的节距P1的整数倍。详细地说，相邻的支撑元件300之间的节距P2与相邻的半导体元件200之间的节距P1可具有以下的关系式：P2:P1＝n:1，其中n为正整数。举例而言，在图1所示出的实施例中，相邻的支撑元件200之间具有相等的节距P2，且节距P2可为相邻的半导体元件200之间的节距P1的1倍(n＝1)，此时的n为固定的正整数。此处值得说明的是，虽然此处是以n＝1为例子来说明，但并非代表本揭露的节距P2与节距P1之间的关系式仅能适用于n＝1的情况，即，本揭露的节距P2与节距P1之间的关系式中的n亦可为1以外的正整数。另外，本揭露的支撑元件300的尺寸并无特别限制。在一些实施例中，支撑元件300的尺寸由半导体元件200的尺寸所决定，但本揭露不以此为限。
在一些实施例中，多个支撑元件300可通过进行点胶工艺、涂布工艺或印刷工艺等适合的工艺形成于可挠性衬底100的第二表面100s2上，本揭露不以此为限。多个支撑元件300的材料可例如是有机材料或无机材料，本揭露不以此为限。举例而言，多个支撑元件300的材料可例如是胶材。然而，多个支撑元件300的材料亦可例如为光感应材料、热感应材料、其他适合的材料或上述材料的组合，本揭露不以此为限。
在一些实施例中，电子装置10a还可包括盖板CP、抗静电层等。盖板CP例如设置于填充层F上且至少部分地覆盖多个半导体元件200，其可减少外界环境对电子装置10a内部的构件的影响。抗静电层可设置于填充层F上，其可减少静电(ESD)对电子装置10a内部的构件的影响。
图2为本揭露第二实施例的电子装置的局部剖面示意图。须说明的是，图2的实施例可沿用图1的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略相同技术内容的说明。
图2的电子装置10b与前述的电子装置10a的其中之一的差异在于，相邻的支撑元件300之间可具有不相等的节距P2。详细地说，在图2所示出的电子装置10b中，相邻的支撑元件300a与支撑元件300b之间具有节距P21，且相邻的支撑元件300b与支撑元件300c之间具有节距P22，且节距P21小于节距P22。虽然本实施例示出的节距P21与节距P22彼此不相等，但节距P21与节距P22两者皆为相邻的半导体元件200之间的节距P1的n倍。详细地说，图2示出的节距P21为相邻的半导体元件200之间的节距P1的1倍(n＝1)，且图2示出的节距P22为相邻的半导体元件200之间的节距P1的2倍(n＝2)。另外，图2示出的节距P2与节距P1之间的关系式中的n亦可为1或2以外的正整数，此处不再予以赘述。
图3为本揭露第三实施例的电子装置的局部剖面示意图。须说明的是，图3的实施例可沿用图1的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略相同技术内容的说明。
图3的电子装置10c与前述的电子装置10a的其中之一的差异在于，多个支撑元件300在可挠性衬底100上的密度随着越远离电路板(未图标)的区域100R越大。在一些实施例中，可挠性衬底100可包括设置有电路板的区域100R，其中电路板位于可挠性衬底100的一侧。电路板可例如包括硬性电路板或软性电路板。举例而言，电路板可为可挠性印刷电路板(flexible printed circuit board，FPC)，本揭露不以此为限。另外，电路板可例如更包括有驱动芯片(未图标)以及连接器(未图示)，本揭露不以此为限。如图3所示出，支撑元件300a与支撑元件300b之间以及支撑元件300b与支撑元件300c之间具有节距P21，支撑元件300c与支撑元件300d之间以及支撑元件300d与支撑元件300e之间具有节距P22，且支撑元件300e与支撑元件300f之间以及支撑元件300f与支撑元件300g之间具有节距P23，其中支撑元件300g、支撑元件300f、支撑元件300e、支撑元件300d、支撑元件300c、支撑元件300b与支撑元件300a以此顺序而远离设置有电路板(未图标)的区域100R。在本实施例中，节距P21可为相邻的半导体元件200之间的节距P1的1倍(n＝1)，节距P22可为相邻的半导体元件200之间的节距P1的2倍(n＝2)，且节距P23可为相邻的半导体元件200之间的节距P1的3倍(n＝3)。基于本实施例记载的上述支撑元件300a至300g之间的排列关系，可减低电子装置10c的应力，藉此可避免本实施例的电子装置10c产生翘曲的问题。此处值得说明的是，虽然此处是以节距P2每次增加1倍(例如节距P21与节距P22之间的关系)为例子来说明，但本揭露不以此为限，即，节距P2每次可增加2倍以上或者节距P2每次可增加不同的倍率的情况也适用于本揭露的电子装置10c。在一些实施例中，上述区域100R也可设置固定可挠性衬底100机构(未图标)的区域，其中固定可挠性衬底100机构的区域可位于可挠性衬底100的一侧。在一些实施例中，上述支撑元件300a至300g也可设置于如图6，与多个半导体元件200同侧的第一表面100s1上。
图4为本揭露第四实施例的电子装置的局部剖面示意图。须说明的是，图4的实施例可沿用图1的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略相同技术内容的说明。
图4的电子装置10d与前述的电子装置10a的其中之一的差异在于，多个支撑元件300中的至少一个可在可挠性衬底100的法线方向N上不与多个半导体元件200中的一者重叠。另外，虽然在本实施例中的多个支撑元件300中的相邻的支撑元件之间可具有相等的节距P2(例如相邻的支撑元件300a与支撑元件300b之间的节距P21相等于相邻的支撑元件300b与支撑元件300c之间的节距P22)，且节距P2可为相邻的半导体元件200之间的节距P1的1倍(n＝1)，但本揭露不以此为限。在一些实施例中，多个支撑元件300中的相邻的支撑元件之间亦可具有不相等的节距P2；或者节距P2与节距P1之间的关系式中的n亦可为1以外的正整数，此处不再予以赘述。在一些实施例中，多个支撑元件300中的每一个可在可挠性衬底100的法线方向N上不与多个半导体元件200中的一者重叠。
图5A为本揭露第五实施例的电子装置的局部剖面示意图，且图5B为本揭露第六实施例的电子装置的局部剖面示意图。须说明的是，图5A以及图5B的实施例可沿用图4的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略相同技术内容的说明。
图5A的电子装置10e以及图5B的电子装置10f与前述的电子装置10d的其中之一的差异在于，多个支撑元件300包括多层结构。如图5A所述，电子装置10e中的多个支撑元件300包括第一支撑元件302以及第二支撑元件304，其中第一支撑元件302的宽度大于第二支撑元件304的宽度，且第一支撑元件302可位于第二支撑元件304与可挠性衬底100之间。电子装置10e中的第一支撑元件302与第二支撑元件304可依序设置于可挠性衬底100的第二表面100s2上，其中第二支撑元件304例如与第一支撑元件302接触而未与可挠性衬底100的第二表面100s2接触，但本揭露并不以此为限。如图5B所述，电子装置10f中的多个支撑元件300可包括第一支撑元件302以及第二支撑元件304，其中第一支撑元件302的宽度小于第二支撑元件304的宽度，且第二支撑元件304覆盖第一支撑元件302。电子装置10f中的第一支撑元件302与第二支撑元件304可依序设置于可挠性衬底100的第二表面100s2上，且由于第二支撑元件304的宽度大于第一支撑元件302的宽度而使第二支撑元件304可例如包覆第一支撑元件302，并可与可挠性衬底100的第二表面100s2接触，但本揭露并不以此为限。
另外，虽然在本实施例中的多个支撑元件300中的相邻的支撑元件之间具有相等的节距P2，且节距P2为相邻的半导体元件200之间的节距P1的1倍(n＝1)，但本揭露不以此为限。在一些实施例中，多个支撑元件300中的相邻的支撑元件之间亦可具有不相等的节距P2；或者节距P2与节距P1之间的关系式中的n亦可为1以外的正整数，此处不再予以赘述。
图6为本揭露第七实施例的电子装置的局部剖面示意图。须说明的是，图6的实施例可沿用图4的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略相同技术内容的说明。
图6的电子装置10g与前述的电子装置10d的其中之一的差异在于，电子装置10g中的多个支撑元件可设置于可挠性衬底100的第一表面100s1上，即，多个半导体元件200与多个支撑元件300’皆设置于可挠性衬底100的第一表面100s1上，且多个支撑元件300’中的至少一个位于相邻的半导体元件200之间。在一些实施例中，填充层F覆盖多个半导体元件200与多个支撑元件300’，但本揭露不以此为限。另外，虽然在本实施例中的多个支撑元件300’中的相邻的支撑元件之间具有相等的节距P2’(例如节距P21’相等于节距P22’)，且节距P2’为相邻的半导体元件200之间的节距P1的1倍(n＝1)，但本揭露不以此为限。在另一些实施例中，多个支撑元件300’中的相邻的支撑元件之间亦可具有不相等的节距P2’；或者节距P2’与节距P1之间的关系式中的n亦可为1以外的正整数，此处不再予以赘述。在一些实施例中，多个支撑元件300’中的每一个可位于相邻的半导体元件200之间。
图7A为本揭露第八实施例的电子装置的局部剖面示意图，且图7B为本揭露第九实施例的电子装置的局部剖面示意图。须说明的是，图7A以及图7B的实施例可沿用图6的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略相同技术内容的说明。
图7A的电子装置10h以及图7B的电子装置10i与前述的电子装置10g的其中之一的差异在于，电子装置10h以及电子装置10i皆还包括设置于可挠性衬底100的第二表面100s2上的多个支撑元件300。如图7A所示，电子装置10h包括有设置于可挠性衬底100的第一表面100s1上的支撑元件300’以及设置于可挠性衬底100的第二表面100s2上的支撑元件300，且支撑元件300与支撑元件300’例如彼此对应地设置。如图7B所示，电子装置10i亦包括有设置于可挠性衬底100的第二表面100s2上的支撑元件300以及设置于可挠性衬底100的第一表面100s1上的支撑元件300’，且支撑元件300与支撑元件300’例如彼此交错地设置，电子装置10i中的支撑元件300可例如与半导体元件200对应地设置。在一些实施例中，设置于第二表面100s2上的多个支撑元件300之间亦具有相等的节距P2(例如节距P21相等于节距P22)。
在一些实施例中，多个支撑元件300中的相邻的支撑元件之间以及多个支撑元件300’中的相邻的支撑元件之间皆各自具有相等的节距P2以及节距P2’，且节距P2与节距P2’皆为相邻的半导体元件200之间的节距P1的1倍(n＝1)，但本揭露不以此为限。在一些实施例中，多个支撑元件300中的相邻的支撑元件之间以及多个支撑元件300’中的相邻的支撑元件之间亦可具有不相等的节距P2以及节距P2’；或者节距P2与节距P1之间以及节距P2’与节距P1之间的关系式中的n亦可为1以外的正整数，此处不再予以赘述。
图8为本揭露一些实施例的电子装置中的支撑元件的立体示意图，且图9A至图9L为本揭露各实施例的电子装置中的支撑元件的俯视示意图。
在图8与图9A至图9L中，多个支撑元件300包括弧形结构，其中弧形结构的设计可降低电子装置中的应力。多个支撑元件300包括的弧形结构例如为如图8所示出的弧形结构，本揭露不以此为限。多个支撑元件300包括的弧形结构在可挠性衬底100的法线方向N上可例如具有点状、线状、波浪状或其组合的正投影，本揭露不以此为限。举例而言，图9A至图9D示出支撑元件300在可挠性衬底100的法线方向N上具有直线状的正投影，图9F示出支撑元件300在可挠性衬底100的法线方向N上具有波浪状的正投影，图9G示出支撑元件300在可挠性衬底100的法线方向N上具有虚线状的正投影，图9H至图9J示出支撑元件300在可挠性衬底100的法线方向N上具有直线状与虚线状的组合的正投影，图9K示出支撑元件300在可挠性衬底100的法线方向N上具有一点链线状的正投影，且图9L示出支撑元件300在可挠性衬底100的法线方向N上具有两点链线状的正投影。另外，虽然前述实施例皆示出多个支撑元件300设置于电子装置的显示区域中，但多个支撑元件300还可设置于电子装置10a的非显示区域中，即，多个支撑元件300可例如形成为在可挠性衬底100的法线方向N上横跨显示区域以及非显示区域的线状态样，但本揭露不以此为限。此外，虽然图9A至图9L示出多个支撑元件300是设置于可挠性衬底100的一个表面上，但须注意多个支撑元件300可选择性地设置于可挠性衬底100的两个表面上，如前述实施例所示出，此处不再予以赘述。
图10为本揭露一些实施例的电子装置的俯视示意图。
图10示出多个支撑元件300中的至少一个在可挠性衬底100的法线方向N上具有直线状的正投影，且多个支撑元件300中的至少一个在可挠性衬底100的法线方向N上不与多个半导体元件200中的一者重叠，但须注意本揭露不以此为限。另外，虽然在本实施例中的多个支撑元件300中的相邻的支撑元件之间具有相等的节距P2，且节距P2为相邻的半导体元件200之间的节距P1的1倍(n＝1)，但本揭露不以此为限。在一些实施例中，多个支撑元件300中的相邻的支撑元件之间亦可具有不相等的节距P2；或者节距P2与节距P1之间的关系式中的n亦可为1以外的正整数，此处不再予以赘述。在一些实施例中，
根据上述，本揭露实施例在电子装置中设置有多个支撑元件，其可降低电子装置内应力或外应力作用的影响，可减少其中电子元件的损坏。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本揭露的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本揭露进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本揭露各实施例技术方案的范围。各实施例间的特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。

Claims (10)

1.一种电子装置，其特征在于，包括：
可挠性衬底，具有彼此相对的第一表面以及第二表面；
多个半导体元件，设置于所述第一表面上；以及
多个支撑元件，设置于所述第二表面上，
其中所述支撑元件包括弧形结构。
2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述多个支撑元件中的相邻的支撑元件之间具有相等的节距。
3.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述多个支撑元件中的相邻的支撑元件之间的节距为所述多个半导体元件中相邻的半导体元件之间的节距的整数倍。
4.根据权利要求3所述的电子装置，其特征在于，所述可挠性衬底包括设置有电路板的区域，且所述多个支撑元件在所述可挠性衬底上的密度随着越远离所述电路板的区域越大。
5.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述多个支撑元件在所述可挠性衬底的法线方向上的正投影具有点状、线状或其组合的形状。
6.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述多个支撑元件包括单层结构或多层结构。
7.一种电子装置，其特征在于，包括：
可挠性衬底，具有彼此相对的第一表面以及第二表面；以及
多个半导体元件与多个支撑元件，设置于所述第一表面上；以及
其中所述支撑元件包括弧形结构，
其中设置于所述第一表面上的所述多个支撑元件中的至少一个位于相邻的半导体元件之间。
8.根据权利要求7所述的电子装置，其特征在于，所述多个支撑元件中的相邻的支撑元件之间具有相等的节距。
9.根据权利要求7所述的电子装置，其特征在于，所述多个支撑元件中的相邻的支撑元件之间的节距为所述多个半导体元件中相邻的半导体元件之间的节距的整数倍。
10.根据权利要求7所述的电子装置，其特征在于，所述可挠性衬底包括设置有电路板的区域，且所述多个支撑元件在所述可挠性衬底上的密度随着越远离所述电路板的区域越大。
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