TW202243144A - 電子裝置 - Google Patents

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吳明倉
李嘉昕
范家傑
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群創光電股份有限公司
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Abstract

本揭露提供一種電子裝置，所述電子裝置包括可撓性基底、多個半導體元件以及多個支撐元件。可撓性基底具有彼此相對的第一表面以及第二表面。多個半導體元件設置於第一表面上。多個支撐元件設置於第二表面上。支撐元件包括弧形結構。

Description

電子裝置
本揭露是有關於一種電子裝置。
隨著現代電子產品的技術進步，市面上的電子裝置已具有可折疊及/或可卷起的功能。為了達到上述功能，電子裝置通常具有較薄的厚度；然而，在此電子裝置於內應力或外應力的作用之下，使得此電子裝置產生變形，可能造成其中電子元件損壞。
本揭露提供一種包括電子裝置，可改善應力作用後變形的情形。
根據本揭露的一實施例，電子裝置包括可撓性基底、多個半導體元件以及多個支撐元件。可撓性基底具有彼此相對的第一表面以及第二表面。多個半導體元件設置於第一表面上。多個支撐元件設置於第二表面上。支撐元件包括弧形結構。
根據本揭露的另一實施例，電子裝置包括可撓性基底、多個半導體元件以及多個支撐元件。可撓性基底具有彼此相對的第一表面以及第二表面。多個半導體元件與多個支撐元件設置於第一表面上。支撐元件包括弧形結構。設置於第一表面上的多個支撐元件中的至少一個位於相鄰的半導體元件之間。
為讓本揭露的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合附圖作詳細說明如下。
透過參考以下的詳細描述並同時結合附圖可以理解本揭露，須注意的是，為了使讀者能容易瞭解及圖式的簡潔，本揭露中的多張圖式只繪出電子裝置的一部分，且圖式中的特定元件並非依照實際比例繪圖。此外，圖中各元件的數量及尺寸僅作為示意，並非用來限制本揭露的範圍。
本揭露通篇說明書與後附的申請專利範圍中會使用某些詞彙來指稱特定元件。本領域技術人員應理解，電子裝置製造商可能會以不同的名稱來指稱相同的元件。本文並不意在區分那些功能相同但名稱不同的元件。在下文說明書與申請專利範圍中，「包括」、「含有」、「具有」等詞為開放式詞語，因此其應被解釋為「含有但不限定為…」之意。因此，當本揭露的描述中使用術語「包括」、「含有」及/或「具有」時，其指定了相應的特徵、區域、步驟、操作及/或構件的存在，但不排除一個或多個相應的特徵、區域、步驟、操作及/或構件的存在。
本文中所提到的方向用語，例如：「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」等，僅是參考附圖的方向。因此，使用的方向用語是用來說明，而並非用來限制本揭露。在附圖中，各圖式繪示的是特定實施例中所使用的方法、結構及/或材料的通常性特徵。然而，這些圖式不應被解釋為界定或限制由這些實施例所涵蓋的範圍或性質。舉例來說，為了清楚起見，各膜層、區域及/或結構的相對尺寸、厚度及位置可能縮小或放大。
當相應的構件（例如膜層或區域）被稱為「在另一個構件上」時，它可以直接在另一個構件上，或者兩者之間可存在有其他構件。另一方面，當構件被稱為「直接在另一個構件上」時，則兩者之間不存在任何構件。另外，當一構件被稱為「在另一個構件上」時，兩者在俯視方向上有上下關係，而此構件可在另一個構件的上方或下方，而此上下關係取決於裝置的取向（orientation）。
術語「大約」、「等於」、「相等」或「相同」、「實質上」或「大致上」一般解釋為在所給定的值或範圍的20%以內，或解釋為在所給定的值或範圍的10%、5%、3%、2%、1%或0.5%以內。
說明書與申請專利範圍中所使用的序數例如「第一」、「第二」等之用詞用以修飾元件，其本身並不意含及代表該（或該些）元件有任何之前的序數，也不代表某一元件與另一元件的順序、或是製造方法上的順序，該些序數的使用僅用來使具有某命名的元件得以和另一具有相同命名的元件能作出清楚區分。申請專利範圍與說明書中可不使用相同用詞，據此，說明書中的第一構件在申請專利範圍中可能為第二構件。
須知悉的是，以下所舉實施例可以在不脫離本揭露的精神下，可將數個不同實施例中的特徵進行替換、重組、混合以完成其他實施例。各實施例間特徵只要不違背發明精神或相衝突，均可任意混合搭配使用。
本揭露中所敘述之電性連接或耦接，皆可以指直接連接或間接連接，於直接連接的情況下，兩電路上元件的端點直接連接或以一導體線段互相連接，而於間接連接的情況下，兩電路上元件的端點之間具有開關、二極體、電容、電感、其他適合的元件，或上述元件的組合，但不限於此。
在本揭露中，厚度、長度、寬度與面積的量測方式可以是採用光學顯微鏡量測而得，厚度則可以由電子顯微鏡中的剖面影像量測而得，但不以此為限。另外，任兩個用來比較的數值或方向，可存在著一定的誤差。若第一值等於第二值，其隱含著第一值與第二值之間可存在著約10%的誤差；若第一方向垂直於第二方向，則第一方向與第二方向之間的角度可介於80度至100度之間；若第一方向平行於第二方向，則第一方向與第二方向之間的角度可介於0度至10度之間。
本揭露的電子裝置可包括顯示、天線、發光、感測、觸控、拼接、其他適合的功能、或上述功能的組合，但不以此為限。電子裝置包括可捲曲或可撓式電子裝置，但不以此為限。電子裝置可例如包括二極體、液晶（liquid crystal）、發光二極體（light emitting diode，LED）、量子點（quantum dot，QD）、螢光（fluorescence）、磷光（phosphor）、其他適合之材料或上述之組合。發光二極體可例如包括有機發光二極體（organic light emitting diode，OLED）、微型發光二極體（micro-LED、mini-LED）或量子點發光二極體（QLED、QDLED），但不以此為限。下文將以顯示裝置或拼接裝置做為電子裝置以說明本揭露內容，但本揭露不以此為限。
圖1為本揭露第一實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。
請參照圖1，本實施例的電子裝置10a包括可撓性基底100、多個半導體元件200以及多個支撐元件300。
可撓性基底100的材料可例如包括聚甲基丙烯酸甲酯（polymethyl methacrylate，PMMA）、聚碳酸酯（polycarbonate, PC）、聚醯亞胺（polyimide, PI）、聚對苯二甲酸乙二酯（polyethylene terephthalate，PET）或其他適合的材料或上述材料的組合，但本揭露不以此為限。在一些實施例中，可撓性基底100具有彼此相對的第一表面100s1以及第二表面100s2。可撓性基底100的第一表面100s1可例如用來設置包括有電路結構（未圖示）等構件的元件層AC，而可撓性基底100的第二表面100s2可例如用來設置包括支持層及/或散熱層的功能層，本揭露不以此為限。在本實施例中，多個半導體元件200設置於可撓性基底100的第一表面100s1上，且多個支撐元件300設置於可撓性基底100的第二表面100s2上。
多個半導體元件200例如設置於可撓性基底100的第一表面100s1上，且例如以陣列排列、交錯排列（例如pentile方式）或其他方式設置於可撓性基底100的第一表面100s1上，本揭露不以此為限。在一些實施例中，多個半導體元件200中的相鄰的半導體元件之間具有彼此實質上相等的節距（pitch）P1，本揭露不以此為限。上述的節距P1可為相鄰的半導體元件200的中心之間的距離；或者可例如為相鄰的半導體元件200的相對應邊緣之間的距離，本揭露不以此為限。在一些實施例中，多個半導體元件200可例如設置於前述的元件層AC上。元件層AC可包括電路結構（未圖示）以驅動多個半導體元件200。舉例而言，元件層AC可包括多條掃描線、多條資料線、絕緣層、電容、多個電晶體和/或多個電極等，但本揭露不以此為限。在一些實施例中，元件層AC可以包括多條線路而不包括電晶體。另外，在一些實施例中，多個半導體元件200可通過導電墊（未圖示）與元件層AC電性連接，但本揭露不以此為限。在本實施例中，多個半導體元件200包括多個發光元件，其可發出各種合適的顏色光（例如紅光、綠光、藍光、白光等顏色光）或UV光，但本揭露不以此為限。在一些實施例中，多個半導體元件200可包括自發光材料。舉例而言，多個半導體元件200可包括二極體、有機發光二極體（organic light emitting diode，OLED）、無機發光二極體（inorganic light emitting diode，LED），例如次毫米發光二極體（mini LED）或微發光二極體(micro LED）、量子點（quantum dot，QD）、量子點發光二極體（QLED、QDLED）、螢光（fluorescence）、磷光（phosphor）、其他適合之材料或上述材料的組合，但本揭露不以此為限，多個半導體元件200的尺寸可根據需求做調變。在一些實施例中，多個半導體元件200可包括非自發光材料，例如：液晶分子、電泳顯示介質或是其它可適用的介質為範例，所述液晶分子為可被垂直電場轉動或切換的液晶分子或者是可被橫向電場轉動或切換的液晶分子，但本揭露不以此為限。在一些實施例中，電子裝置10a還包括有填充層F。填充層F例如設置於可撓性基底100的第一表面100s1上且覆蓋多個半導體元件200。舉例而言，填充層F除了設置於多個半導體元件200的上方外，亦鄰近於或圍繞於多個半導體元件200設置。因此，填充層F可例如用於固定或保護多個半導體元件200。在一些實施例中，填充層F包括透明材料、非透明材料。舉例而言，填充層F的材料可包括環氧樹脂、壓克力、其他合適材料或上述的組合。在一些實施例中，填充層F可包括單層結構或複合層結構，本揭露不以此為限。此處值得說明的是，雖然本實施例以多個半導體元件200包括多個發光元件為例子來說明，但並非代表本申請僅能適用於包括多個發光元件的電子裝置10a，即，本申請的電子裝置10a亦可為天線裝置、感測裝置或拼接裝置等電子裝置。
多個支撐元件300可例如選擇性地設置於可撓性基底100的第一表面100s1或第二表面100s2上；或者，多個支撐元件300可設置於可撓性基底100的第一表面100s1以及第二表面100s2上，本揭露不以此為限。在本實施例中，多個支撐元件300設置於可撓性基底100的第二表面100s2上；然而，本揭露不以此為限。在一些實施例中，多個支撐元件300設置於可撓性基底100的第一表面100s1上。在一些實施例中，多個支撐元件300可設置於可撓性基底100的第一表面100s1以及第二表面100s2上。在本實施例中，多個支撐元件300中的至少一個在可撓性基底100的法線方向N上與多個半導體元件200中的一者至少部分地重疊，但本揭露不以此為限。在一些實施例中，多個支撐元件300中的至少一個在可撓性基底100的法線方向N上可不與多個半導體元件200中的一者重疊。在本實施例中，多個支撐元件300包括單層結構，但本揭露不以此為限。在一些實施例中，多個支撐元件300可包括多層結構。在一些實施例中，多個支撐元件300中的相鄰的支撐元件之間具有相等的節距P2。上述的節距P2可為相鄰的支撐元件300的中心之間的距離；或者可為相鄰的支撐元件300的相對應邊緣之間的距離，本揭露不以此為限。舉例而言，如圖1所示出，支撐元件300a與支撐元件300b之間的節距P21、支撐元件300b與支撐元件300c之間的節距P22以及支撐元件300c與支撐元件300d之間的節距P23彼此實質上相等，但本揭露不以此為限。在一些實施例中，多個支撐元件300中的相鄰的支撐元件之間可具有不相等的節距P2。在本實施例中，多個支撐元件300中的相鄰的支撐元件之間的節距P2可為多個半導體元件200中的相鄰的半導體元件之間的節距P1的整數倍。詳細地說，相鄰的支撐元件300之間的節距P2與相鄰的半導體元件200之間的節距P1可具有以下的關係式：P2: P1 = n:1，其中n為正整數。舉例而言，在圖1所示出的實施例中，相鄰的支撐元件200之間具有相等的節距P2，且節距P2可為相鄰的半導體元件200之間的節距P1的1倍（n=1），此時的n為固定的正整數。此處值得說明的是，雖然此處是以n=1為例子來說明，但並非代表本揭露的節距P2與節距P1之間的關係式僅能適用於n=1的情況，即，本揭露的節距P2與節距P1之間的關係式中的n亦可為1以外的正整數。另外，本揭露的支撐元件300的尺寸並無特別限制。在一些實施例中，支撐元件300的尺寸由半導體元件200的尺寸所決定，但本揭露不以此為限。
在一些實施例中，多個支撐元件300可通過進行點膠製程、塗布製程或印刷製程等適合的製程形成於可撓性基底100的第二表面100s2上，本揭露不以此為限。多個支撐元件300的材料可例如是有機材料或無機材料，本揭露不以此為限。舉例而言，多個支撐元件300的材料可例如是膠材。然而，多個支撐元件300的材料亦可例如為光感應材料、熱感應材料、其他適合的材料或上述材料的組合，本揭露不以此為限。
在一些實施例中，電子裝置10a還可包括蓋板CP、抗靜電層等。蓋板CP例如設置於填充層F上且至少部分地覆蓋多個半導體元件200，其可減少外界環境對電子裝置10a內部的構件的影響。抗靜電層可設置於填充層F上，其可減少靜電（ESD）對電子裝置10a內部的構件的影響。
圖2為本揭露第二實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。須說明的是，圖2的實施例可沿用圖1的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略相同技術內容的說明。
圖2的電子裝置10b與前述的電子裝置10a的其中之一的差異在於，相鄰的支撐元件300之間可具有不相等的節距P2。詳細地說，在圖2所示出的電子裝置10b中，相鄰的支撐元件300a與支撐元件300b之間具有節距P21，且相鄰的支撐元件300b與支撐元件300c之間具有節距P22，且節距P21小於節距P22。雖然本實施例示出的節距P21與節距P22彼此不相等，但節距P21與節距P22兩者皆為相鄰的半導體元件200之間的節距P1的n倍。詳細地說，圖2示出的節距P21為相鄰的半導體元件200之間的節距P1的1倍（n=1），且圖2示出的節距P22為相鄰的半導體元件200之間的節距P1的2倍（n=2）。另外，圖2示出的節距P2與節距P1之間的關係式中的n亦可為1或2以外的正整數，此處不再予以贅述。
圖3為本揭露第三實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。須說明的是，圖3的實施例可沿用圖1的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略相同技術內容的說明。
圖3的電子裝置10c與前述的電子裝置10a的其中之一的差異在於，多個支撐元件300在可撓性基底100上的密度隨著越遠離電路板（未圖示）的區域100R越大。在一些實施例中，可撓性基底100可包括設置有電路板的區域100R，其中電路板位於可撓性基底100的一側。電路板可例如包括硬性電路板或軟性電路板。舉例而言，電路板可為可撓性印刷電路板（flexible printed circuit board，FPC），本揭露不以此為限。另外，電路板可例如更包括有驅動晶片（未圖示）以及連接器（未圖示），本揭露不以此為限。如圖3所示出，支撐元件300a與支撐元件300b之間以及支撐元件300b與支撐元件300c之間具有節距P21，支撐元件300c與支撐元件300d之間以及支撐元件300d與支撐元件300e之間具有節距P22，且支撐元件300e與支撐元件300f之間以及支撐元件300f與支撐元件300g之間具有節距P23，其中支撐元件300g、支撐元件300f、支撐元件300e、支撐元件300d、支撐元件300c、支撐元件300b與支撐元件300a以此順序而遠離設置有電路板（未圖示）的區域100R。在本實施例中，節距P21可為相鄰的半導體元件200之間的節距P1的1倍（n=1），節距P22可為相鄰的半導體元件200之間的節距P1的2倍（n=2），且節距P23可為相鄰的半導體元件200之間的節距P1的3倍（n=3）。基於本實施例記載的上述支撐元件300a 至300g之間的排列關係，可減低電子裝置10c的應力，藉此可避免本實施例的電子裝置10c產生翹曲的問題。此處值得說明的是，雖然此處是以節距P2每次增加1倍（例如節距P21與節距P22之間的關係）為例子來說明，但本揭露不以此為限，即，節距P2每次可增加2倍以上或者節距P2每次可增加不同的倍率的情況也適用於本揭露的電子裝置10c。在一些實施例中，上述區域100R也可設置固定可撓性基底100機構（未圖示）的區域，其中固定可撓性基底100機構的區域可位於可撓性基底100的一側。在一些實施例中，上述支撐元件300a 至300g也可設置於如圖6，與多個半導體元件200同側的第一表面100s1上。
圖4為本揭露第四實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。須說明的是，圖4的實施例可沿用圖1的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略相同技術內容的說明。
圖4的電子裝置10d與前述的電子裝置10a的其中之一的差異在於，多個支撐元件300中的至少一個可在可撓性基底100的法線方向N上不與多個半導體元件200中的一者重疊。另外，雖然在本實施例中的多個支撐元件300中的相鄰的支撐元件之間可具有相等的節距P2（例如相鄰的支撐元件300a與支撐元件300b之間的節距P21相等於相鄰的支撐元件300b與支撐元件300c之間的節距P22），且節距P2可為相鄰的半導體元件200之間的節距P1的1倍（n=1），但本揭露不以此為限。在一些實施例中，多個支撐元件300中的相鄰的支撐元件之間亦可具有不相等的節距P2；或者節距P2與節距P1之間的關係式中的n亦可為1以外的正整數，此處不再予以贅述。在一些實施例中，多個支撐元件300中的每一個可在可撓性基底100的法線方向N上不與多個半導體元件200中的一者重疊。
圖5A為本揭露第五實施例的電子裝置的局部剖面示意圖，且圖5B為本揭露第六實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。須說明的是，圖5A以及圖5B的實施例可沿用圖4的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略相同技術內容的說明。
圖5A的電子裝置10e以及圖5B的電子裝置10f與前述的電子裝置10d的其中之一的差異在於，多個支撐元件300包括多層結構。如圖5A所述，電子裝置10e中的多個支撐元件300包括第一支撐元件302以及第二支撐元件304，其中第一支撐元件302的寬度大於第二支撐元件304的寬度，且第一支撐元件302可位於第二支撐元件304與可撓性基底100之間。電子裝置10e中的第一支撐元件302與第二支撐元件304可依序設置於可撓性基底100的第二表面100s2上，其中第二支撐元件304例如與第一支撐元件302接觸而未與可撓性基底100的第二表面100s2接觸，但本揭露並不以此為限。如圖5B所述，電子裝置10f中的多個支撐元件300可包括第一支撐元件302以及第二支撐元件304，其中第一支撐元件302的寬度小於第二支撐元件304的寬度，且第二支撐元件304覆蓋第一支撐元件302。電子裝置10f中的第一支撐元件302與第二支撐元件304可依序設置於可撓性基底100的第二表面100s2上，且由於第二支撐元件304的寬度大於第一支撐元件302的寬度而使第二支撐元件304可例如包覆第一支撐元件302，並可與可撓性基底100的第二表面100s2接觸，但本揭露並不以此為限。
另外，雖然在本實施例中的多個支撐元件300中的相鄰的支撐元件之間具有相等的節距P2，且節距P2為相鄰的半導體元件200之間的節距P1的1倍（n=1），但本揭露不以此為限。在一些實施例中，多個支撐元件300中的相鄰的支撐元件之間亦可具有不相等的節距P2；或者節距P2與節距P1之間的關係式中的n亦可為1以外的正整數，此處不再予以贅述。
圖6為本揭露第七實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。須說明的是，圖6的實施例可沿用圖4的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略相同技術內容的說明。
圖6的電子裝置10g與前述的電子裝置10d的其中之一的差異在於，電子裝置10g中的多個支撐元件可設置於可撓性基底100的第一表面100s1上，即，多個半導體元件200與多個支撐元件300’皆設置於可撓性基底100的第一表面100s1上，且多個支撐元件300’中的至少一個位於相鄰的半導體元件200之間。在一些實施例中，填充層F覆蓋多個半導體元件200與多個支撐元件300’，但本揭露不以此為限。另外，雖然在本實施例中的多個支撐元件300’中的相鄰的支撐元件之間具有相等的節距P2’（例如節距P21’相等於節距P22’），且節距P2’為相鄰的半導體元件200之間的節距P1的1倍（n=1），但本揭露不以此為限。在另一些實施例中，多個支撐元件300’中的相鄰的支撐元件之間亦可具有不相等的節距P2’；或者節距P2’與節距P1之間的關係式中的n亦可為1以外的正整數，此處不再予以贅述。在一些實施例中，多個支撐元件300’中的每一個可位於相鄰的半導體元件200之間。
圖7A為本揭露第八實施例的電子裝置的局部剖面示意圖，且圖7B為本揭露第九實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。須說明的是，圖7A以及圖7B的實施例可沿用圖6的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略相同技術內容的說明。
圖7A的電子裝置10h以及圖7B的電子裝置10i與前述的電子裝置10g的其中之一的差異在於，電子裝置10h以及電子裝置10i皆還包括設置於可撓性基底100的第二表面100s2上的多個支撐元件300。如圖7A所示，電子裝置10h包括有設置於可撓性基底100的第一表面100s1上的支撐元件300’以及設置於可撓性基底100的第二表面100s2上的支撐元件300，且支撐元件300與支撐元件300’例如彼此對應地設置。如圖7B所示，電子裝置10i亦包括有設置於可撓性基底100的第二表面100s2上的支撐元件300以及設置於可撓性基底100的第一表面100s1上的支撐元件300’，且支撐元件300與支撐元件300’例如彼此交錯地設置，電子裝置10i中的支撐元件300可例如與半導體元件200對應地設置。在一些實施例中，設置於第二表面100s2上的多個支撐元件300之間亦具有相等的節距P2（例如節距P21相等於節距P22）。
在一些實施例中，多個支撐元件300中的相鄰的支撐元件之間以及多個支撐元件300’中的相鄰的支撐元件之間皆各自具有相等的節距P2以及節距P2’，且節距P2與節距P2’ 皆為相鄰的半導體元件200之間的節距P1的1倍（n=1），但本揭露不以此為限。在一些實施例中，多個支撐元件300中的相鄰的支撐元件之間以及多個支撐元件300’中的相鄰的支撐元件之間亦可具有不相等的節距P2以及節距P2’；或者節距P2與節距P1之間以及節距P2’與節距P1之間的關係式中的n亦可為1以外的正整數，此處不再予以贅述。
圖8為本揭露一些實施例的電子裝置中的支撐元件的立體示意圖，且圖9A至圖9L為本揭露各實施例的電子裝置中的支撐元件的俯視示意圖。
在圖8與圖9A至圖9L中，多個支撐元件300包括弧形結構，其中弧形結構的設計可降低電子裝置中的應力。多個支撐元件300包括的弧形結構例如為如圖8所示出的弧形結構，本揭露不以此為限。多個支撐元件300包括的弧形結構在可撓性基底100的法線方向N上可例如具有點狀、線狀、波浪狀或其組合的正投影，本揭露不以此為限。舉例而言，圖9A至圖9D示出支撐元件300在可撓性基底100的法線方向N上具有直線狀的正投影，圖9F示出支撐元件300在可撓性基底100的法線方向N上具有波浪狀的正投影，圖9G示出支撐元件300在可撓性基底100的法線方向N上具有虛線狀的正投影，圖9H至圖9J示出支撐元件300在可撓性基底100的法線方向N上具有直線狀與虛線狀的組合的正投影，圖9K示出支撐元件300在可撓性基底100的法線方向N上具有一點鏈線狀的正投影，且圖9L示出支撐元件300在可撓性基底100的法線方向N上具有兩點鏈線狀的正投影。另外，雖然前述實施例皆示出多個支撐元件300設置於電子裝置的顯示區域中，但多個支撐元件300還可設置於電子裝置10a的非顯示區域中，即，多個支撐元件300可例如形成為在可撓性基底100的法線方向N上橫跨顯示區域以及非顯示區域的線狀態樣，但本揭露不以此為限。此外，雖然圖9A至圖9L示出多個支撐元件300是設置於可撓性基底100的一個表面上，但須注意多個支撐元件300可選擇性地設置於可撓性基底100的兩個表面上，如前述實施例所示出，此處不再予以贅述。
圖10為本揭露一些實施例的電子裝置的俯視示意圖。
圖10示出多個支撐元件300中的至少一個在可撓性基底100的法線方向N上具有直線狀的正投影，且多個支撐元件300中的至少一個在可撓性基底100的法線方向N上不與多個半導體元件200中的一者重疊，但須注意本揭露不以此為限。另外，雖然在本實施例中的多個支撐元件300中的相鄰的支撐元件之間具有相等的節距P2，且節距P2為相鄰的半導體元件200之間的節距P1的1倍（n=1），但本揭露不以此為限。在一些實施例中，多個支撐元件300中的相鄰的支撐元件之間亦可具有不相等的節距P2；或者節距P2與節距P1之間的關係式中的n亦可為1以外的正整數，此處不再予以贅述。
根據上述，本揭露實施例在電子裝置中設置有多個支撐元件，其可降低電子裝置內應力或外應力作用的影響，可減少其中電子元件的損壞。
最後應說明的是：以上各實施例僅用以說明本揭露的技術方案，而非對其限制；儘管參照前述各實施例對本揭露進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解：其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分或者全部技術特徵進行等同替換；而這些修改或者替換，並不使相應技術方案的本質脫離本揭露各實施例技術方案的範圍。各實施例間的特徵只要不違背發明精神或相衝突，均可任意混合搭配使用。
10a、10b、10c、10d、10e、10f、10g、10h、10i:電子裝置 100:可撓性基底 100R:區域 100s1:第一表面 100s2:第二表面 200:半導體元件 300、300’、300a、300b、300c、300d、300e、300f、300g:支撐元件 302:第一支撐元件 304:第二支撐元件 AC:元件層 CP:蓋板 F:填充層 N:法線方向 P1、P2、P2’、P21、P21’、P22、P22’、P23:節距
圖1為本揭露第一實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。 圖2為本揭露第二實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。 圖3為本揭露第三實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。 圖4為本揭露第四實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。 圖5A為本揭露第五實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。 圖5B為本揭露第六實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。 圖6為本揭露第七實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。 圖7A為本揭露第八實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。 圖7B為本揭露第九實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。 圖8為本揭露一實施例的電子裝置中的支撐元件的立體示意圖。 圖9A至圖9L為本揭露各實施例的電子裝置中的支撐元件的俯視示意圖。 圖10為本揭露一些實施例的電子裝置的俯視示意圖。
10a:電子裝置
100:可撓性基底
100s1:第一表面
100s2:第二表面
200:半導體元件
300、300a、300b、300c、300d:支撐元件
AC:元件層
CP:蓋板
F:填充層
N:法線方向
P1、P2、P21、P22、P23:節距

Claims (10)

  1. 一種電子裝置，包括： 可撓性基底，具有彼此相對的第一表面以及第二表面； 多個半導體元件，設置於所述第一表面上；以及 多個支撐元件，設置於所述第二表面上， 其中所述支撐元件包括弧形結構。
  2. 如請求項1所述的電子裝置，其中所述多個支撐元件中的相鄰的支撐元件之間具有相等的節距。
  3. 如請求項1所述的電子裝置，其中所述多個支撐元件中的相鄰的支撐元件之間的節距為所述多個半導體元件中相鄰的半導體元件之間的節距的整數倍。
  4. 如請求項3所述的電子裝置，其中所述可撓性基底包括設置有電路板的區域，且所述多個支撐元件在所述可撓性基底上的密度隨著越遠離所述電路板的區域越大。
  5. 如請求項1所述的電子裝置，其中所述多個支撐元件在所述可撓性基底的法線方向上的正投影具有點狀、線狀或其組合的形狀。
  6. 如請求項1所述的電子裝置，其中所述多個支撐元件包括單層結構或多層結構。
  7. 一種電子裝置，包括： 可撓性基底，具有彼此相對的第一表面以及第二表面；以及 多個半導體元件與多個支撐元件，設置於所述第一表面上， 其中所述支撐元件包括弧形結構， 其中設置於所述第一表面上的所述多個支撐元件中的至少一個位於相鄰的半導體元件之間。
  8. 如請求項7所述的電子裝置，其中所述多個支撐元件中的相鄰的支撐元件之間具有相等的節距。
  9. 如請求項7所述的電子裝置，其中所述多個支撐元件中的相鄰的支撐元件之間的節距為所述多個半導體元件中相鄰的半導體元件之間的節距的整數倍。
  10. 如請求項7所述的電子裝置，其中所述可撓性基底包括設置有電路板的區域，且所述多個支撐元件在所述可撓性基底上的密度隨著越遠離所述電路板的區域越大。
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