CN116543650A - 拼接装置 - Google Patents

Abstract

本揭露提供一种拼接装置，包括第一拼接单元以及第二拼接单元。第一拼接单元包括第一基板、第一发光单元以及第二发光单元。第二拼接单元包括第二基板、第三发光单元以及第四发光单元。P是第一发光单元与第二发光单元的节距、第三发光单元与第四发光单元的节距。LA1是从第二发光单元的中心到第一参考面的水平距离。LB3是从第二拼接单元的发光面与第二参考面之间的交界到第一参考面的水平距离。LB1x和LB1y分别是从交界到第三发光单元的中心的距离的水平和垂直分量。LA2是从第一拼接单元的发光面到第一基板的底面的垂直距离。LB2是从第一基板的底面到交界的垂直距离。拼接装置满足：

Description

拼接装置

技术领域

本揭露涉及一种电子装置，尤其涉及一种拼接装置。

背景技术

拼接显示器不仅可应用于大型视屏墙，还可应用于一些具有特殊角度的电子装置，以播放广告内容或演示虚拟立体视频，借此吸引路人的注意力。诸如商场、车站、商圈、博物馆等一些公共空间都可发现此类应用。在现有的拼接装置中，在特定视角下，容易观察到在转角处的拼接缝(一条黑线)，造成显示图像的不连续。

发明内容

本揭露提供一种拼接装置，其有助于改善显示图像的不连续问题。

根据本揭露的实施例，拼接装置具有拼接处。拼接装置包括第一拼接单元以及第二拼接单元。第一拼接单元包括第一基板、第一发光单元以及第二发光单元。第一发光单元以及第二发光单元设置在第一基板上，且第二发光单元位于第一发光单元与拼接处之间，其中第一发光单元与第二发光单元的节距为P。第二拼接单元在拼接处相邻于第一拼接单元且包括第二基板、第三发光单元以及第四发光单元。第三发光单元以及第四发光单元设置在第二基板上，其中第三发光单元位于拼接处与第四发光单元之间，且第三发光单元与第四发光单元的节距也为P。拼接装置满足以下公式：

其中，LA1是从第二发光单元的中心到第一参考面的水平距离，第一参考面垂直于第一拼接单元的发光面且通过第一基板的邻近拼接处的上缘；LB3是从第二拼接单元的发光面与第二参考面之间的交界到第一参考面的水平距离，第二参考面垂直于第二拼接单元的发光面且通过第二基板的邻近拼接处的上缘；LB1x是从交界到第三发光单元的中心的距离的水平分量；LA2是从第一拼接单元的发光面到第一基板的底面的垂直距离；LB2是从第一基板的底面到交界的垂直距离；LB1y是从交界到第三发光单元的中心的距离的垂直分量。

为让本揭露的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1至图10分别是根据本揭露的多个实施例的拼接装置的局部剖面示意图。

具体实施方式

现将详细地参考本发明的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。

本揭露通篇说明书与所附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子装置制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件。在下文说明书与权利要求中，“含有”与“包含”等词为开放式词语，因此其应被解释为“含有但不限定为…”之意。

本文中所提到的方向用语，例如：“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，仅是参考附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明，而并非用来限制本揭露。在附图中，各附图绘示的是特定实施例中所使用的方法、结构和/或材料的通常性特征。然而，这些附图不应被解释为界定或限制由这些实施例所涵盖的范围或性质。举例来说，为了清楚起见，各膜层、区域和/或结构的相对尺寸、厚度及位置可能缩小或放大。

本揭露中所叙述的一结构(或层别、元件、基材)位于另一结构(或层别、元件、基材)之上/上方，可以指二结构相邻且直接连接，或是可以指二结构相邻而非直接连接。非直接连接是指二结构之间具有至少一中介结构(或中介层别、中介元件、中介基材、中介间隔)，一结构的下侧表面相邻或直接连接于中介结构的上侧表面，另一结构的上侧表面相邻或直接连接于中介结构的下侧表面。而中介结构可以是单层或多层的实体结构或非实体结构所组成，并无限制。在本揭露中，当某结构设置在其它结构“上”时，有可能是指某结构“直接”在其它结构上，或指某结构“间接”在其它结构上，即某结构和其它结构间还夹设有至少一结构。

术语“大约”、“等于”、“相等”或“相同”、“实质上”或“大致上”一般解释为在所给定的值或范围的20％以内，或解释为在所给定的值或范围的10％、5％、3％、2％、1％或0.5％以内。此外，用语“范围为第一数值至第二数值”、“范围介于第一数值至第二数值之间”表示所述范围包含第一数值、第二数值以及它们之间的其它数值。

说明书与权利要求中所使用的序数例如“第一”、“第二”等的用词用以修饰元件，其本身并不意含及代表该(或该些)元件有任何之前的序数，也不代表某一元件与另一元件的顺序、或是制造方法上的顺序，该些序数的使用仅用来使具有某命名的元件得以和另一具有相同命名的元件能作出清楚区分。权利要求与说明书中可不使用相同用词，据此，说明书中的第一构件在权利要求中可能为第二构件。

本揭露中所叙述的电性连接或耦接，皆可以指直接连接或间接连接，于直接连接的情况下，两电路上元件的端点直接连接或以一导体线段互相连接，而于间接连接的情况下，两电路上元件的端点之间具有开关、二极管、电容、电感、电阻、其他适合的元件、或上述元件的组合，但不限于此。

在本揭露中，长度、宽度、厚度、高度或面积、或元件之间的距离或间距的测量方式可以是采用光学显微镜(optical microscopy，OM)、扫描式电子显微镜(scanningelectron microscope，SEM)、薄膜厚度轮廓测量仪(α-step)、椭圆测厚仪、或其它合适的方式测量而得，详细而言，根据一些实施例，可使用扫描式电子显微镜取得包括欲测量的元件的剖面结构图像，并测量各元件的长度、宽度、厚度、高度或面积、或元件之间的距离或间距，但不以此为限。

另外，任两个用来比较的数值或方向，可存在着一定的误差。此外，用语“给定范围为第一数值至第二数值”、“给定范围落在第一数值至第二数值的范围内”或“给定范围介于第一数值至第二数值之间”表示所述给定范围包括第一数值、第二数值以及它们之间的其它数值。若第一方向垂直于第二方向，则第一方向与第二方向之间的角度可介于80度至100度之间；若第一方向平行于第二方向，则第一方向与第二方向之间的角度可介于0度至10度之间。

除非另外定义，在此使用的全部用语(包含技术及科学用语)具有与本揭露所属技术领域的技术人员通常理解的相同涵义。能理解的是，这些用语例如在通常使用的字典中定义用语，应被解读成具有与相关技术及本揭露的背景或上下文一致的意思，而不应以一理想化或过度正式的方式解读，除非在本揭露实施例有特别定义。

在本揭露中，电子装置可包括显示装置、背光装置、天线装置、感测装置或拼接装置，但不以此为限。电子装置可为可弯折或可挠式电子装置。显示装置可为非自发光型显示装置或自发光型显示装置。电子装置可例如包括液晶(liquid crystal)、发光二极管、荧光(fluorescence)、磷光(phosphor)、量子点(quantum dot，QD)、其它合适的显示介质或前述的组合。天线装置可为液晶型态的天线装置或非液晶型态的天线装置，感测装置可为感测电容、光线、热能或超声波的感测装置，但不以此为限。在本揭露中，电子装置可包括电子元件，电子元件可包括无源元件与有源元件，例如电容、电阻、电感、二极管、晶体管等。二极管可包括发光二极管或光电二极管。发光二极管可例如包括有机发光二极管(organic lightemitting diode，OLED)、次毫米发光二极管(mini LED)、微发光二极管(micro LED)或量子点发光二极管(quantum dot LED)，但不以此为限。拼接装置可例如是显示器拼接装置或天线拼接装置，但不以此为限。需注意的是，电子装置可为前述的任意排列组合，但不以此为限。此外，电子装置的外型可为矩形、圆形、多边形、具有弯曲边缘的形状或其他适合的形状。电子装置可以具有驱动系统、控制系统、光源系统、…等周边系统以支持显示装置、天线装置、穿戴式装置(例如包括增强现实或虚拟现实)、车载装置(例如包括汽车挡风玻璃)或拼接装置。

图1至图10分别是根据本揭露的多个实施例的拼接装置的局部剖面示意图。须说明的是，图1至图10所提供的技术方案可相互替换、组合或混合使用，以在未违反本揭露精神的情况下构成另一实施例。

请参照图1，拼接装置1具有拼接处X。拼接处X为拼接装置1中的多个拼接单元拼接在一起的区域/位置。以图1为例，拼接装置1可包括第一拼接单元10以及第二拼接单元12，拼接处X为第二拼接单元12紧邻第一拼接单元10的区域/位置。

第一拼接单元10可包括第一基板100、第一发光单元102以及第二发光单元104，但不以此为限。举例来说，第一拼接单元10还可包括电路层106以及驱动电路(未示出)，但不以此为限。

第一基板100用以承载第一发光单元102、第二发光单元104、电路层106以及驱动电路(未示出)。第一基板100可为硬质基板或可挠基板。第一基板100可包括玻璃、石英、陶瓷、蓝宝石、印刷电路板(printed circuit board，PCB)、塑料、其他合适的材料或前述材料的组合，但不以此为限。塑料可包括聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚酰亚胺(polyimide，PI)、聚丙烯(polypropylene，PP)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、其他合适的可挠材料或前述材料的组合，但不以此为限。此外，第一基板100的透光率不加以限制，也就是说，第一基板100可为透光基板、半透光基板或不透光基板。

第一发光单元102设置在第一基板100上。第一发光单元102例如包括红色发光二极管R、绿色发光二极管G、蓝色发光二极管B以及封装层PK，但不以此为限。根据不同的需求，第一发光单元102可进一步包括其他元件或膜层，于此不多加限制。

红色发光二极管R、绿色发光二极管G以及蓝色发光二极管B例如沿水平方向DP排列在第一基板100上。红色发光二极管R、绿色发光二极管G以及蓝色发光二极管B中的每一个可包括发光二极管、次毫米发光二极管、微发光二极管或量子点发光二极管。封装层PK覆盖红色发光二极管R、绿色发光二极管G以及蓝色发光二极管B。封装层PK的材料可包括透明材料、阻水氧材料、其他合适的材料或上述组合，但不以此为限。举例来说，封装层PK的材料可包括环氧树脂(epoxy)、丙烯酸类树脂(acylic-based resin)、硅胶(silicone)、聚酰亚胺聚合物(polyimide polymer)或上述组合，但不以此为限。

第二发光单元104设置在第一基板100上，且第二发光单元104位于第一发光单元102与拼接处X之间。换句话说，第二发光单元104比第一发光单元102更靠近拼接装置1的拼接处X。第二发光单元104可具有与第一发光单元102相同或相似的结构，于此不再重述。

第一发光单元102与第二发光单元104的节距(pitch)为P。节距P可以是从第一发光单元102的中心(如绿色发光二极管G的顶部的中心C1)到第二发光单元104的中心(如绿色发光二极管G的顶部的中心C2)的最短距离。替代地，节距P可以是从第一发光单元102的边缘(如左侧边缘或右侧边缘)到第二发光单元104的对应边缘(如左侧边缘或右侧边缘)的最短距离。

根据不同的需求，第一拼接单元10还可包括其他发光单元。换句话说，第一拼接单元10中的发光单元的数量可大于2，且多个发光单元可在第一基板100上排列成阵列。

电路层106设置在第一基板100上且位于第一发光单元102与第一基板100之间以及第二发光单元104与第一基板100之间。电路层106可包括图案化的导电图案，且第一发光单元102与第二发光单元104可通过电路层106而与驱动电路(未示出)电性连接。电路层106的材料可包括透明导电材料或非透明导电材料。透明导电材料可包括金属氧化物、石墨烯、纳米碳管、其他合适的透明导电材料或上述的组合，但不以此为限。非透明导电材料可包括金属、合金或上述的组合，但不以此为限。

驱动电路(未示出)设置在第一基板100上。在一些实施例中，驱动电路可设置在第一基板100的出光侧(例如第一发光单元102以及第二发光单元104的所在侧)。在另一些实施例中，驱动电路可设置在第一基板100的背侧(例如出光侧的相对侧)，且电路层106可通过贯穿第一基板100的导电贯孔(未示出)、软性印刷电路板(Flexible Printed Circuit，FPC；未示出)、设置在第一基板100的侧壁上的导电层(未示出)或其他形式的连接件(未示出)而与驱动电路电性连接。

第二拼接单元12在拼接处X相邻于第一拼接单元10且包括第二基板120、第三发光单元122以及第四发光单元124，但不以此为限。举例来说，第二拼接单元12还可包括电路层126以及驱动电路(未示出)，但也不以此为限。

第二基板120用以承载第三发光单元122、第四发光单元124、电路层126以及驱动电路(未示出)。第二基板120可为硬质基板或可挠基板。第二基板120可包括玻璃、石英、陶瓷、蓝宝石、印刷电路板(printed circuit board，PCB)、塑料、其他合适的材料或前述材料的组合，但不以此为限。。塑料可包括聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚酰亚胺(polyimide，PI)、聚丙烯(polypropylene，PP)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、其他合适的可挠材料或前述材料的组合，但不以此为限。此外，第二基板120的透光率不加以限制，也就是说，第二基板120可为透光基板、半透光基板或不透光基板。

第三发光单元122设置在第二基板120上。第三发光单元122可具有与第一发光单元102相同或相似的结构，于此不再重述。

第四发光单元124设置在第二基板120上，其中第三发光单元122位于拼接处X与第四发光单元124之间。换句话说，第三发光单元122比第四发光单元124更靠近拼接装置1的拼接处X。第四发光单元124可具有与第一发光单元102相同或相似的结构，于此不再重述。

第一拼接单元10以及第二拼接单元12可具有相同的节距。换句话说，第三发光单元122与第四发光单元124的节距也可为P。节距P可以是从第三发光单元122的中心(如绿色发光二极管G的顶部的中心C3)到第四发光单元124的中心(如绿色发光二极管G的顶部的中心C4)的最短距离。替代地，节距P可以是从第三发光单元122的边缘(如左侧边缘或右侧边缘)到第四发光单元124的对应边缘(如左侧边缘或右侧边缘)的最短距离。

根据不同的需求，第二拼接单元12还可包括其他发光单元。换句话说，第二拼接单元12中的发光单元的数量可大于2，且多个发光单元可在第二基板120上排列成阵列。

电路层126设置在第二基板120上且位于第三发光单元122与第二基板120之间以及第四发光单元124与第二基板120之间。电路层126可包括图案化的导电图案，且第三发光单元122与第四发光单元124可通过电路层126而与驱动电路(未示出)电性连接。电路层126的材料可相同或类似于电路层106的材料，于此不再重述。

驱动电路(未示出)设置在第二基板120上。在一些实施例中，驱动电路可设置在第二基板120的出光侧(例如第三发光单元122以及第四发光单元124的所在侧)。在另一些实施例中，驱动电路可设置在第二基板120的背侧(例如出光侧的相对侧)，且电路层126可通过贯穿第二基板120的导电贯孔(未示出)、软性印刷电路板(Flexible Printed Circuit，FPC；未示出)、设置在第二基板120的侧壁上的导电层(未示出)或其他形式的连接件(未示出)而与驱动电路电性连接。

通过缩减第一拼接单元10中最靠近拼接处X的发光单元(如第二发光单元104)与第二拼接单元12中最靠近拼接处X的发光单元(如第三发光单元122)之间的距离DT，例如使距离DT相同或接近节距P，可降低在转角处的拼接缝的可视性，进而有助于改善显示图像的不连续问题。根据模拟分析，距离DT小于或等于节距P的1.5倍时，可降低在转角处的拼接缝的可视性，进而有助于改善显示图像的不连续问题。通过勾股定理(Pythagoreantheorem)，可得出以下公式：

上述公式中的各参数定义如下：

LA1是从第二发光单元104的中心(如绿色发光二极管G的顶部的中心C2)到第一参考面RF1的水平距离，即，中心C2到第一参考面RF1在水平方向DP上的距离；

第一参考面RF1垂直于第一拼接单元10的发光面E1且通过第一基板100的邻近拼接处X的上缘UB1；

第一拼接单元10的发光面E1切齐于第一拼接单元10中多个发光二极管(如红色发光二极管R、绿色发光二极管G、蓝色发光二极管B)的顶面，以图1为例，发光面E1例如切齐于多个发光二极管的多个顶面；

LB3是从第二拼接单元12的发光面E2与第二参考面RF2之间的交界BL到第一参考面RF1的水平距离，即，交界BL到第一参考面RF1在水平方向DP上的距离；

第二参考面RF2垂直于第二拼接单元12的发光面E2且通过第二基板120的邻近拼接处X的上缘UB2；

第二拼接单元12的发光面E2切齐于第二拼接单元12中多个发光二极管(如红色发光二极管R、绿色发光二极管G、蓝色发光二极管B)的顶面，以图1为例，发光面E2例如切齐于多个发光二极管的多个顶面；

第二拼接单元12的发光面E2与第一拼接单元10的发光面E1之间的夹角θ为第二拼接单元12与第一拼接单元10的拼接角，在一些实施例中，夹角θ在90度至135度之间，即90度≦夹角θ≦135；

LB1x是从交界BL到第三发光单元122的中心(如绿色发光二极管G的顶部的中心C3)的距离LB1的水平分量，即，水平分量LB1x是交界BL到中心C3的距离LB1在水平方向DP上的正投影；

LA2是从第一拼接单元10的发光面E1到第一基板100的底面SB1的垂直距离，即，发光面E1到底面SB1在垂直方向DV上的距离；

LB2是从第一基板100的底面SB1到交界BL的垂直距离，即，底面SB1到交界BL在垂直方向DV上的距离；

LB1y是从交界BL到第三发光单元122的中心C3的距离LB1的垂直分量，即，垂直分量LB1y是交界BL到中心C3的距离LB1在垂直方向DV上的正投影。

下表列出上述参数的一些具体范围，但应理解，任何能够满足上述公式的参数范围皆概括在本揭露的保护范畴内。

在上表中，除了水平距离LB3和垂直距离LB2具有正负值之外，其余参数皆为正值。水平距离LB3的正负值以第一参考面RF1作为分界。当交界BL位于第一参考面RF1的右边时(即从垂直方向DV观之，交界BL与第一拼接单元10不重叠时)，水平距离LB3为正值。反之，当交界BL位于第一参考面RF1的左边时(即从垂直方向DV观之，交界BL与第一拼接单元10重叠时)，水平距离LB3为负值。垂直距离LB2的正负值以第一基板100的底面SB1作为分界。当交界BL位于底面SB1的下方时(即从水平方向DP观之，交界BL与第一基板100不重叠时)，垂直距离LB2为正值。反之，当交界BL位于底面SB1的上方时(即从水平方向DP观之，交界BL与第一基板100重叠时)，垂直距离LB2为负值。

应理解，拼接装置1可根据不同的需求而进一步包括其他元件或膜层。举例来说，拼接装置1可进一步包括用以固定拼接单元的桁架、机构支撑架、黏着层或其他固定结构，但不以此为限。以下实施例皆可同此改变，于下便不再重述。

尽管图1示意性示出第二拼接单元12与第一拼接单元10的拼接角(发光面E2与发光面E1之间的夹角θ)大于或等于90度，且第二拼接单元12比第一拼接单元10更厚，但应理解，拼接装置1中的各类参数(包括夹角θ、拼接单元的厚度、拼接单元中的基板的形状设计或发光单元的结构设计等)可根据需求改变。

请参照图2，拼接装置1A与图1的拼接装置1的主要差异说明如后。在拼接装置1A中，第二拼接单元12与第一拼接单元10的拼接角(发光面E2与发光面E1之间的夹角θ)等于90度。此外，交界BL在水平方向DP上靠近第一参考面RF1且位于第一参考面RF1的左边，使得水平距离LB3(参见图1)由正值变为负值。在此设计下，可进一步缩减第二发光单元104与第三发光单元122之间的距离DT，而有助于进一步改善显示图像的不连续问题。

尽管未示出，图2中的第二拼接单元12可进一步往左移，借此进一步缩减第二发光单元104与第三发光单元122之间的距离DT。

请参照图3，拼接装置1B与图1的拼接装置1的主要差异说明如后。在拼接装置1B中，第二拼接单元12与第一拼接单元10的拼接角(发光面E2与发光面E1之间的夹角θ)等于90度，且水平分量LB1x变为0。

请参照图4，拼接装置1C与图3的拼接装置1B的主要差异说明如后。在拼接装置1C中，第二拼接单元12往左移，以通过缩减水平距离LB3来缩减第二发光单元104与第三发光单元122之间的距离DT。此外，第二拼接单元12与第一拼接单元10例如具有相同厚度。

尽管未示出，图4中的第二拼接单元12可进一步往左移或右移。此外，第二拼接单元12与第一拼接单元10的拼接角(发光面E2与发光面E1之间的夹角θ)可大于或等于90度且小于或等于135度。

请参照图5，拼接装置1D与图3的拼接装置1B的主要差异说明如后。在拼接装置1D中，第一基板100以及第二基板120在邻近拼接处X采用倒角设计，以缩减垂直距离LB2，例如使垂直距离LB2由正值变为负值，借此进一步缩减第二发光单元104与第三发光单元122之间的距离DT。

尽管未示出，图5中的第二拼接单元12可进一步往左下方移动、右上方移动或右移。此外，第二拼接单元12与第一拼接单元10的拼接角(发光面E2与发光面E1之间的夹角θ)可大于或等于90度且小于或等于135度。

请参照图6，拼接装置1E与图5的拼接装置1D的主要差异说明如后。在拼接装置1E中，第二拼接单元12进一步往左下方移动，使水平距离LB3由正值变为负值，而垂直距离LB2由负值变为正值。

尽管未示出，图6中的第二拼接单元12可进一步往左下方移动或右上方移动。此外，第二拼接单元12与第一拼接单元10的拼接角(发光面E2与发光面E1之间的夹角θ)可大于或等于90度且小于或等于135度。

请参照图7，拼接装置1F与图6的拼接装置1E的主要差异说明如后。在拼接装置1F中，第二拼接单元12进一步往右上方移动，使水平距离LB3由负值变为趋近于0，而垂直距离LB2由正值变为负值。此外，第二拼接单元12与第一拼接单元10例如具有相同厚度。

尽管未示出，图7中的第二拼接单元12可进一步往左下方移动或右上方移动。此外，第二拼接单元12与第一拼接单元10的拼接角(发光面E2与发光面E1之间的夹角θ)可大于或等于90度且小于或等于135度。

请参照图8，拼接装置1G与图7的拼接装置1F的主要差异说明如后。在拼接装置1G中，第二拼接单元12比第一拼接单元10更薄。

尽管未示出，图8中的第二拼接单元12可进一步往左下方移动或右上方移动。此外，第二拼接单元12与第一拼接单元10的拼接角(发光面E2与发光面E1之间的夹角θ)可大于或等于90度且小于或等于135度。

请参照图9，拼接装置1H与图8的拼接装置1G的主要差异说明如后。在拼接装置1H中，第一拼接单元10中的多个发光单元(如第一发光单元102以及第二发光单元104)共用一个封装层PK，且第二拼接单元12中的多个发光单元(如第三发光单元122以及第四发光单元124)共用一个封装层PK。尽管未示出，本揭露的其他实施例也可采用多个发光单元共用一个封装层PK的设计，于下便不再重述。

请参照图10，拼接装置1I与图9的拼接装置1H的主要差异说明如后。在拼接装置1I中，多个发光单元(如第一发光单元102、第二发光单元104、第三发光单元122以及第四发光单元124)中的每一个还包括覆盖红色发光二极管R、绿色发光二极管G以及蓝色发光二极管B的微透镜ML(图10仅示意性标示出第一发光单元102中的微透镜ML)，且第一拼接单元10中的封装层PK覆盖第一发光单元102以及第二发光单元104的微透镜ML，而第二拼接单元12中的封装层PK覆盖第三发光单元122以及第四发光单元124的微透镜ML。尽管未示出，本揭露的其他实施例也可采用微透镜ML的设计，于下便不再重述。

综上所述，在本揭露的实施例中，通过上述公式的设计，可降低在转角处的拼接缝的可视性，进而有助于改善显示图像的不连续问题。

以上各实施例仅用以说明本揭露的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本揭露进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本揭露各实施例技术方案的范围。

虽然本揭露的实施例及其优点已揭示如上，但应该了解的是，任何所属技术领域中技术人员，在不脱离本揭露的精神和范围内，当可作更动、替代与润饰，且各实施例间的特征可任意互相混合替换而成其他新实施例。此外，本揭露的保护范围并未局限于说明书内所述特定实施例中的工艺、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，任何所属技术领域中技术人员可从本揭露揭示内容中理解现行或未来所发展出的工艺、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，只要可以在此处所述实施例中实施大抵相同功能或获得大抵相同结果皆可根据本揭露使用。因此，本揭露的保护范围包括上述工艺、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤。另外，每一权利要求构成个别的实施例，且本揭露的保护范围也包括各个权利要求及实施例的组合。本揭露的保护范围当视随附的权利要求所界定的为准。

Claims (10)

1.一种拼接装置，具有拼接处，其特征在于，所述拼接装置包括：

第一拼接单元，包括：

第一基板；

第一发光单元，设置在所述第一基板上；以及

第二发光单元，设置在所述第一基板上且位于所述第一发光单元与所述拼接处之间，其中所述第一发光单元与所述第二发光单元的节距为P；以及

第二拼接单元，在所述拼接处相邻于所述第一拼接单元且包括：

第二基板；

第三发光单元，设置在所述第二基板上；以及

第四发光单元，设置在所述第二基板上，其中所述第三发光单元位于所述拼接处与所述第四发光单元之间，且所述第三发光单元与所述第四发光单元的节距也为P，

其中所述拼接装置满足以下公式：

其中，LA1是从所述第二发光单元的中心到第一参考面的水平距离，所述第一参考面垂直于所述第一拼接单元的发光面且通过所述第一基板的邻近所述拼接处的上缘，LB3是从所述第二拼接单元的发光面与第二参考面之间的交界到所述第一参考面的水平距离，所述第二参考面垂直于所述第二拼接单元的所述发光面且通过所述第二基板的邻近所述拼接处的上缘，LB1x是从所述交界到所述第三发光单元的中心的距离的水平分量，LA2是从所述第一拼接单元的所述发光面到所述第一基板的底面的垂直距离，LB2是从所述第一基板的所述底面到所述交界的垂直距离，LB1y是从所述交界到所述第三发光单元的所述中心的距离的垂直分量。

2.根据权利要求1所述的拼接装置，其特征在于，所述第一拼接单元的所述发光面与所述第二拼接单元的所述发光面之间的夹角在90度至135度之间。

3.根据权利要求1所述的拼接装置，其特征在于，P在0.2mm至1.27mm之间。

4.根据权利要求1所述的拼接装置，其特征在于，LA1在0.03mm至0.64mm之间。

5.根据权利要求1所述的拼接装置，其特征在于，LB3在-0.64mm到0.64之间。

6.根据权利要求1所述的拼接装置，其特征在于，LB1x在0mm到0.45之间。

7.根据权利要求1所述的拼接装置，其特征在于，LA2在0.3mm到1.7之间。

8.根据权利要求1所述的拼接装置，其特征在于，LB2在-1.7mm到1.27之间。

9.根据权利要求1所述的拼接装置，其特征在于，LB1y在0.01mm到0.64之间。

10.根据权利要求1所述的拼接装置，其特征在于，所述第一基板以及所述第二基板在邻近所述拼接处采用倒角设计。