JP4544293B2 - 表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、液晶表示装置などの表示装置に関する。

従来より、液晶表示装置などの表示装置では、電極または配線などに接して、窒化シリコン（ＳｉＮ），酸化シリコン（ＳｉＯ₂ ）などの絶縁膜が設けられている。この絶縁膜は、表示領域を超えてシール層の外側まで形成される場合が多い（例えば、特許文献１参照。）。

図１１ないし図１３は、このような絶縁膜を有する従来の表示装置の一例を表したものである。この表示装置は、例えば、第１基板２１０と第２基板２２０とを平行に配置し、外周をシール層２３０で貼り合わせたものであり、内部に液晶よりなる表示層２４０を有している。

第１基板２１０は、例えば、ガラス基板２１１に、ＴＦＴ２１２，保護膜２１３，配線２１４および周辺配線２１５，有機材料よりなる平坦化膜２１６，対向電極２１７，窒化シリコンよりなる絶縁膜２１８，画素電極２１９を順に形成したものである。保護膜２１３，平坦化膜２１６および絶縁膜２１８は、ガラス基板２１１の全面に形成され、絶縁膜２１８の上にシール層２３０が設けられている。

画素電極２１９と同層には、画素電極２１９と同じ材料よりなる画素電極同層膜２５０が設けられている。この画素電極同層膜２５０は、画素周辺の液晶の焼きつき、しみの発生を抑えるためのダミー画素としての機能を有するものであり、対向電極２１７を介して周辺配線２１５に電気的に接続されている。

第２基板２２０は、ガラス基板２２１に、カラーフィルタ２２２，周辺遮光層２２３およびオーバーコート層２２４を順に形成したものである。
特開平１１−２９５７６４号公報（図６）

しかしながら、本発明者らは、図１１ないし図１３に示した構造を実際に作製し、以下のような問題点が生じることを確認した。すなわち、この構造では、絶縁膜２１８がシール層２３０の外側まで形成されており、絶縁膜２１８の端面２１８Ａがむき出しのまま表示装置の外部に置かれていた。絶縁膜２１８を構成する窒化シリコンは水分を吸収・透過しにくいので、絶縁膜２１８と、シール層２３０または平坦化膜２１６との界面に水分が溜まりやすくなっていた。これにより、高温下において水分が気化する際の水蒸気圧により、シール層２３０またはその下の絶縁膜２１８が破壊され、もしくは表示装置内に気泡が発生してしまっていた。

この問題に対処するため、本発明者らは、図１４ないし図１６に示したように、絶縁膜２１８の端面２１８Ａをシール層２３０の内側に収めてみた。この場合、シール層２３０またはその下の絶縁膜２１８の破壊は抑えられたが、有機材料よりなる平坦化膜２１６を伝ってきた水分が、平坦化膜２１６と絶縁膜２１８との界面２１８Ｂに集中し、高温下で気化して高圧となることにより、表示装置内に水蒸気の気泡を発生させてしまっていた。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、水分あるいは水蒸気による絶縁膜の破壊、および表示装置内での気泡の発生を抑えることができる表示装置を提供することにある。

本発明による表示装置は、基板上の表示領域内に配置され、画素電極および対向電極と共に、表示層を有する表示素子と、表示領域の外側に設けられたシール層と、画素電極と対向電極との間に設けられると共に、画素電極の下面および対向電極の上面に接し、端面がシール層よりも内側にある絶縁膜と、金属元素を含み、絶縁膜の端面を覆うと共に、絶縁膜の端面につながる上面の一部および下面の一部を覆う金属含有膜とを備えたものである。

本発明の表示装置では、絶縁膜の端面がシール層よりも内側にあり、この絶縁膜の端面およびそれにつながる上面の一部および下面の一部が、金属元素を含む金属含有膜で覆われているので、この金属含有膜により、絶縁膜と他の膜との界面に水分が透過していくことが抑えられ、界面への水分の集中が緩和される。よって、加温時に界面で水蒸気圧力が発生・集中することが抑えられ、絶縁膜が破壊されたり、表示装置内に気泡が発生したりすることが抑制される。

本発明の表示装置によれば、絶縁膜の端面をシール層よりも内側にすると共に、絶縁膜の端面およびそれにつながる上面の一部および下面の一部を、金属元素を含む金属含有膜で覆うようにしたので、水分あるいは水蒸気による絶縁膜の破壊、および表示装置内での気泡の発生を抑えることができる。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。

（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表したものである。この表示装置は、液晶テレビなどの中型ないし大型の表示装置、または携帯電話機あるいはゲーム機などのモバイル用途に用いられる液晶表示装置であり、例えば、液晶表示パネル１と、バックライト部２と、画像処理部３と、フレームメモリ４と、ゲートドライバ５と、データドライバ６と、タイミング制御部７と、バックライト駆動部８とを備えている。

液晶表示パネル１は、ゲートドライバ５から供給される駆動信号によって、データドライバ６から伝達される映像信号Ｄｉに基づいて映像表示を行うものであり、マトリクス状に配置された複数の画素Ｐ１を有し、これらの画素Ｐ１ごとに駆動が行われるアクティブマトリクス方式の液晶表示パネルである。バックライト部２は、液晶表示パネル１に光を照射する光源であり、例えば、ＣＣＦＬ（Cold Cathode Fluorescent Lamp ：冷陰極蛍光ランプ）や、ＬＥＤ（Light Emitting Diode：発光ダイオード）などを含んで構成されている。画像処理部３は、外部からの映像信号Ｓ１に対して所定の画像処理を施すことにより、ＲＧＢ信号である映像信号Ｓ２を生成するものである。フレームメモリ４は、画像処理部３から供給される映像信号Ｓ２をフレーム単位で画素Ｐごとに記憶するものである。タイミング制御部７は、ゲートドライバ５、データドライバ６およびバックライト駆動部８の駆動タイミングを制御するものである。また、バックライト駆動部８は、タイミング制御部７のタイミング制御に従って、バックライト部２の点灯動作を制御するものである。

図２は、液晶表示パネル１の端部近傍の平面構成を表したものであり、図３は図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線、図４はＩＶ−ＩＶ線における断面構造をそれぞれ表したものである。液晶表示パネル１は、第１基板１０と第２基板２０とを平行に配置し、外周を紫外線硬化樹脂または熱硬化樹脂よりなるシール層３０で貼り合わせたものであり、内部に液晶よりなる表示層４０を有している。

第１基板１０は、例えば、ガラス基板１１に、ＴＦＴ１２，保護膜１３，配線１４および周辺配線１５，平坦化膜１６，対向電極１７，絶縁膜１８，画素電極１９を順に形成したものである。

ＴＦＴ１２は、例えば、モリブデン（Ｍｏ）よりなるゲート電極１２Ａと、窒化シリコンよりなるゲート絶縁膜１２Ｂと、能動層となるａ−Ｓｉ層およびソース領域／ドレイン領域となるｎ＋ａ−Ｓｉ層を含む半導体層１２Ｃとを有している。

保護膜１３は、例えば窒化シリコンにより構成され、ガラス基板１１の全面に形成されている。

配線１４および周辺配線１５は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）層とモリブデン（Ｍｏ）層とを積層した構成を有している。配線１４は、信号配線としての機能を有しており、保護膜１３に設けられたコンタクトホールを介してＴＦＴ１２の半導体層１２Ｃのソース領域／ドレイン領域に電気的に接続されている。周辺配線１５は、対向電極１７に接続されている対向電極共通電極線であり、平坦化膜１６に設けられたコンタクトホールを介して対向電極１７に電気的に接続されている。

平坦化膜１６は、液晶よりなる表示層４０を設けるためのギャップを均一にするためのものであり、保護膜１３と同様にガラス基板１１の全面に形成され、平坦化膜１６の上にシール層３０が設けられている。また、平坦化膜１６は、アクリルなどの有機材料により構成されている。そのため、この平坦化膜１６は、比較的水分を透過・吸収しやすい膜となっている。

対向電極１７および画素電極１９は、バックライト部２からの光を通過させるため透明であると共に、電極としての機能を有するため金属元素を含んで構成されている。具体的には、対向電極１７および画素電極１９は、酸化インジウムおよび酸化スズにより構成され、金属元素としてインジウムおよびスズを含んでいる。

絶縁膜１８は、対向電極１７と画素電極１９との間の電位を、表示層４０の液晶に加える電界とするためのものであり、画素電極１９と対向電極１７との間に設けられると共に、画素電極１９の下面および対向電極１７の上面に接している。絶縁膜１８は、例えば窒化シリコンにより構成され、水分を吸収・透過しにくい膜となっている。

この絶縁膜１８の端面１８Ａは、シール層３０よりも内側にあることが好ましい。このようにすれば、水分を吸収・透過しにくい窒化シリコンよりなる絶縁膜１８と、水分を吸収・透過しやすい有機材料よりなるシール層３０との界面に水分が溜まってしまうことがなく、高温下において水分が気化する際の水蒸気圧によりシール層３０またはその下の絶縁膜１８が破壊されるおそれをなくすことができるからである。

絶縁膜１８の端面１８Ａおよびそれにつながる上面の一部は、画素電極１９と同層に形成された画素電極同層膜５０で覆われている。この画素電極同層膜５０は、例えば、画素電極１９と同じ材料、すなわち酸化インジウムおよび酸化スズにより構成され、金属元素としてインジウムおよびスズを含んでいる。また、絶縁膜１８の端面１８Ａは、対向電極１７の端面１７Ａよりも内側にあり、絶縁膜１８の端面１８Ａにつながる下面の一部は、金属元素としてインジウムおよびスズを含む対向電極１７で覆われている。これにより、この表示装置では、水分あるいは水蒸気による絶縁膜１８の破壊、および表示装置内での気泡の発生を抑えることができるようになっている。

画素電極同層膜５０の、絶縁膜１８の上面を覆う部分は、絶縁膜１８の端面１８Ａから１００ｎｍ以上であることが好ましい。同じく、対向電極１７の、絶縁膜１８の下面を覆う部分は、絶縁膜１８の端面１８Ａから１００ｎｍ以上であることが好ましい。対向電極１７および画素電極同層膜５０は薄膜であるので、１００ｎｍ以上であれば確実に絶縁膜１８の端面１８Ａを覆うことができるからである。

画素電極同層膜５０は、対向電極１７を介して周辺配線１５に電気的に接続されていることが望ましい。最外周の画素が液晶中のイオン等の汚染物質のために焼きついたり、しみになることを抑えるダミー画素としての機能をもたせることができるからである。

図５は、このような第１基板１０の全体の平面構成を表したものである。第１基板１０の中央には、複数の画素Ｐ１がマトリクス状に配置された表示領域１Ａが設けられている。表示領域１Ａ外にはシール層３０が、表示領域１Ａを取り囲むように設けられている。表示領域１Ａとシール層３０との間には、周辺配線１５が設けられている。また、第１基板１０の一辺には、ゲートドライバ５またはデータドライバ６との電気的接続のための端子６０が配置されている。端子６０は、図２では図示していないが、シール層３０を貫通して、配線１４または周辺配線１５に接続されている。

第２基板２０は、ガラス基板２１に、カラーフィルタ２２，周辺遮光層２３およびオーバーコート層２４を順に形成したものである。カラーフィルタ２２は、顔料を混入した樹脂によりそれぞれ構成されており、顔料を選択することにより、目的とする赤，緑あるいは青の波長域における光透過率が高く、他の波長域における光透過率が低くなるように調整されている。周辺遮光層２３は、例えば、黒色の顔料を含んだ樹脂により構成されている。オーバーコート層２４は、カラーフィルタ２２および周辺遮光層２３が形成されたガラス基板２１の表面を平坦化するものであり、例えば、樹脂により構成されている。

この表示装置は、例えば、次のようにして製造することができる。

まず、ガラス基板１１に、上述した材料よりなるゲート電極１２Ａを形成し、例えばプラズマＣＶＤにより、上述した材料よりなるゲート絶縁膜１２Ｂおよび半導体層１２Ｃを形成し、チャネル形状となるようにエッチングにより加工して、ＴＦＴ１２を形成する。

次いで、ＴＦＴ１２の上に、上述した材料よりなる保護膜１３を形成し、この保護膜１３にコンタクトホールを設ける。続いて、上述した材料よりなる配線１４および周辺配線１５を形成し、配線１４をコンタクトホールを介してＴＦＴ１２に接続する。

そののち、配線１４および周辺配線１５の上に、上述した材料よりなる平坦化層１６を形成し、この平坦化層１６の上に、上述した材料よりなる対向電極１７を形成する。

対向電極１７を形成したのち、例えばプラズマＣＶＤにより、上述した材料よりなる絶縁膜１８を形成し、例えばエッチングにより、絶縁膜１８の端面１８Ａを、対向電極１７の端面よりも内側になるようにする。これにより、絶縁膜１８の端面１８Ａにつながる下面の一部を対向電極１７で覆う。

絶縁膜１８を形成したのち、上述した材料よりなる画素電極１９を形成する。その際、画素電極１９と同層に、画素電極１９と同じ材料よりなる画素電極同層膜５０を形成し、この画素電極同層膜５０で、絶縁膜１８の端面１８Ａとそれにつながる上面の一部を覆う。以上により、第１基板１０が形成される。

また、ガラス基板２１に、カラーフィルタ２２および周辺遮光層２３を形成し、オーバーコート層２４で覆うことにより、第２基板２０を形成する。

第１基板１０および第２基板２０を形成したのち、第１基板１０の周辺にシール層３０を形成し、第１基板１０および第２基板２０をシール層３０を間にして貼り合わせ、内部に液晶を注入して表示層４０を形成する。以上により、図１ないし図５に示した表示装置が完成する。

この表示装置では、図１に示したように、外部から供給された映像信号Ｓ１が画像処理部３により画像処理され、各画素Ｐ１用の映像信号Ｓ２が生成される。この映像信号Ｓ２は、フレームメモリ４において記憶され、映像信号Ｓ３として、データドライバ６へ供給される。このようにして供給された映像信号Ｓ３に基づいて、ゲートドライバ５およびデータドライバ６から出力される各画素Ｐ１内への駆動電圧によって、各画素Ｐ１ごとに線順次表示駆動動作がなされる。これにより、バックライト部２からの照明光が液晶表示パネル１により変調され、表示光として出力される。

ここでは、絶縁膜１８の端面１８Ａおよびそれにつながる上面の一部が画素電極同層膜５０、端面１８Ａにつながる下面の一部が対向電極１７によりそれぞれ覆われている。すなわち、これらの金属元素を含む画素電極同層膜５０および対向電極１７により、絶縁膜１８と平坦化膜１６との界面に水分が透過していくことが抑えられ、界面への水分の集中が緩和される。よって、加温時に界面で水蒸気圧力が発生・集中することが抑えられ、絶縁膜１８が破壊されたり、表示装置内に気泡が発生したりすることが抑制される。

このように本実施の形態では、絶縁膜１８の端面１８Ａおよびそれにつながる上面の一部を画素電極同層膜５０で覆うと共に、絶縁膜１８の端面１８Ａにつながる下面の一部を、対向電極１７で覆うようにしたので、水分あるいは水蒸気による絶縁膜１８の破壊、および表示装置内での気泡の発生を抑えることができる。

なお、上記実施の形態では、画素電極同層膜５０が画素電極１９と同じ材料により構成されている場合について説明したが、画素電極同層膜５０は、必ずしも画素電極１９と同じ材料により構成されている必要はなく、金属元素を含んでいれば他の材料でもよい。また、対向電極１７も、他の金属元素を含んでいてもよい。画素電極同層膜５０または対向電極１７に含まれる金属元素としては、例えば、インジウム，スズ，亜鉛，アルミニウム，モリブデン，チタン，タングステン，クロム，タンタルおよび銀からなる群のうちの少なくとも１種が挙げられる。

（第２の実施の形態）
図６は、本発明の第２の実施の形態に係る液晶表示パネル１の端部近傍の平面構成を表したものであり、図７は図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線における断面構造をそれぞれ表したものである。この液晶表示パネル１は、絶縁膜１８の端面１８Ａが周辺配線１５上にあり、絶縁膜１８の端面１８Ａにつながる下面の一部が、周辺配線１５で覆われていることを除いては、第１の実施の形態と同様の構成を有している。よって、対応する構成要素には同一の符号を付して説明する。

ガラス基板１１，ＴＦＴ１２，保護膜１３，配線１４および周辺配線１５，平坦化膜１６および画素電極１９については、第１の実施の形態と同様に形成されている。

絶縁膜１８の端面１８Ａおよびそれにつながる上面の一部は、第１の実施の形態と同様に、画素電極同層膜５０で覆われている。また、絶縁膜１８の端面１８Ａは、周辺配線１５上にあり、絶縁膜１８の端面１８Ａにつながる下面の一部は、周辺配線１５で覆われている。周辺配線１５は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）層とモリブデン（Ｍｏ）層とを積層した構成を有し、金属元素としてアルミニウムおよびモリブデンを含んでいる。これにより、この表示装置では、第１の実施の形態と同様に、水分あるいは水蒸気による絶縁膜１８の破壊、および表示装置内での気泡の発生を抑えることができるようになっている。

周辺配線１５の、絶縁膜１８の下面を覆う部分は、第１の実施の形態と同様に、絶縁膜１８の端面１８Ａから１００ｎｍ以上であることが好ましい。

なお、対向電極１７は、その端部で周辺配線１５に接続されているが、画素電極同層膜５０および画素電極１９には接続されないようになっている。

この液晶表示パネル１は、絶縁膜１８の端面１８Ａを周辺配線１５上に形成することを除いては、第１の実施の形態と同様にして製造することができる。また、本実施の形態の作用は、第１の実施の形態と同様である。

本実施の形態は、第１の実施の形態と同様の効果に加えて、特に、画素電極同層膜５０と対向電極１７との密着性が十分でない場合に有効である。

なお、上記実施の形態では、周辺配線１５が金属元素としてアルミニウムおよびモリブデンを含む場合について説明したが、周辺配線１５は他の金属元素を含んでいてもよい。また、画素電極同層膜５０も、他の金属元素を含んでいてもよい。周辺配線１５または画素電極同層膜５０に含まれる金属元素としては、例えば、インジウム，スズ，亜鉛，アルミニウム，モリブデン，チタン，タングステン，クロム，タンタルおよび銀からなる群のうちの少なくとも１種が挙げられる。

（第３の実施の形態）
図８は、本発明の第３の実施の形態に係る液晶表示パネル１の端部近傍の平面構成を表したものであり、図９は図８のＩＸ−ＩＸ線における断面構造をそれぞれ表したものである。この液晶表示パネル１は、絶縁膜１８の端面１８Ａおよびそれにつながる上面の一部が、周辺配線１５で覆われていることを除いては、第１の実施の形態と同様の構成を有している。よって、対応する構成要素には同一の符号を付して説明する。

ガラス基板１１，ＴＦＴ１２，保護膜１３，配線１４，平坦化膜１６，対向電極１７，絶縁膜１８，画素電極１９については、第１の実施の形態と同様に形成されている。

絶縁膜１８の端面１８Ａおよびそれにつながる上面の一部は、周辺配線１５で覆われている。また、絶縁膜１８の端面１８Ａは、第１の実施の形態と同様に、対向電極１７の端面１７Ａよりも内側にあり、絶縁膜１８の端面１８Ａにつながる下面の一部は、対向電極１７で覆われている。これにより、この表示装置では、第１の実施の形態と同様に、水分あるいは水蒸気による絶縁膜１８の破壊、および表示装置内での気泡の発生を抑えることができるようになっている。

周辺配線１５の、絶縁膜１８の上面を覆う部分は、第１の実施の形態と同様に、絶縁膜１８の端面１８Ａから１００ｎｍ以上であることが好ましい。

なお、周辺配線１５は、第１の実施の形態と同様に、対向電極１７に電気的に接続されていることが望ましい。

この液晶表示パネル１は、画素電極１９を形成する際に周辺配線１５を形成することを除いては、第１の実施の形態と同様にして製造することができる。また、本実施の形態の作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。更に、対向電極１７との密着性の良い金属により周辺配線１５を形成することで、本実施の形態の作用および効果を安定させることができる。

なお、上記実施の形態では、周辺配線１５が金属元素としてアルミニウムおよびモリブデンを含む場合について説明したが、周辺配線１５は他の金属元素を含んでいてもよい。また、対向電極１７も、他の金属元素を含んでいてもよい。周辺配線１５または対向電極１７に含まれる金属元素としては、例えば、インジウム，スズ，亜鉛，アルミニウム，モリブデン，チタン，タングステン，クロム，タンタルおよび銀からなる群のうちの少なくとも１種が挙げられる。

（第４の実施の形態）
図１０は、本発明の第４の実施の形態に係る液晶表示パネル１の端部近傍の断面構造を表したものである。この液晶表示パネル１は、絶縁膜１８の端面１８Ａおよびそれにつながる上面の一部が、周辺遮光層２３で覆われていることを除いては、第１の実施の形態と同様の構成を有している。よって、対応する構成要素には同一の符号を付して説明する。

ガラス基板１１，ＴＦＴ１２，保護膜１３，配線１４，平坦化膜１６，対向電極１７，絶縁膜１８，画素電極１９については、第１の実施の形態と同様に形成されている。

絶縁膜１８の端面１８Ａおよびそれにつながる上面の一部は、周辺遮光層２３で覆われている。周辺遮光層２３は、例えば酸化クロムにより構成されており、金属元素としてクロムを含んでいる。また、絶縁膜１８の端面１８Ａは、第１の実施の形態と同様に、対向電極１７の端面１７Ａよりも内側にあり、絶縁膜１８の端面１８Ａにつながる下面の一部は、対向電極１７で覆われている。これにより、この表示装置では、第１の実施の形態と同様に、水分あるいは水蒸気による絶縁膜１８の破壊、および表示装置内での気泡の発生を抑えることができるようになっている。

また、周辺遮光層２３は、周辺配線１５としての機能も有しており、製造プロセスの削減も可能となっている。

周辺遮光層２３の、絶縁膜１８の上面を覆う部分は、第１の実施の形態と同様に、絶縁膜１８の端面１８Ａから１００ｎｍ以上であることが好ましい。

この液晶表示パネル１は、画素電極１９を形成したのち、上述した材料よりなる周辺遮光層２３を形成することを除いては、第１の実施の形態と同様にして製造することができる。また、本実施の形態の作用は、第１の実施の形態と同様である。

本実施の形態では、第１の実施の形態の効果に加えて、周辺遮光層２３に周辺配線１５としての機能をもたせることができ、製造プロセスを削減することができる。

なお、上記実施の形態では、周辺遮光層２３が金属元素としてクロムを含む場合について説明したが、周辺遮光層２３は他の金属元素を含んでいてもよい。また、対向電極１７も、他の金属元素を含んでいてもよい。周辺遮光層２３または対向電極１７に含まれる金属元素としては、例えば、インジウム，スズ，亜鉛，アルミニウム，モリブデン，チタン，タングステン，クロム，タンタルおよび銀からなる群のうちの少なくとも１種が挙げられる。

以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、表示装置全体および液晶表示パネル１の構成について具体的に説明したが、他の構成でもよい。例えば、本発明は、微結晶を用いたポリシリコンＴＦＴによる駆動回路を有する液晶表示装置にも適用可能であり、同様の効果を得ることができる。

更にまた、例えば、上記実施の形態では、本発明を液晶表示装置に適用した場合について説明したが、本発明は、有機ＥＬ（Electroluminescence ）あるいは無機ＥＬなど、他の表示素子を用いる場合にも適用可能である。

本発明の第１の実施の形態に係る表示装置の全体構成を表す図である。 図１に示した液晶表示パネルの構成を表す平面図である。 図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線における構成を表す断面図である。 図２のＩＶ−ＩＶ線における構成を表す断面図である。 図３に示した第１基板の全体構成を表す平面図である。 本発明の第２の実施の形態に係る液晶表示パネルの構成を表す平面図である。 図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線における構成を表す断面図である。 本発明の第３の実施の形態に係る液晶表示パネルの構成を表す平面図である。 図８のＩＸ−ＩＸ線における構成を表す断面図である。 本発明の第４の実施の形態に係る液晶表示パネルの構成を表す断面図である。 従来の液晶表示パネルの構成を表す平面図である。 図１１のＸＩ−ＸＩ線における構成を表す断面図である。 図１１のＸＩＩ−ＸＩＩ線における構成を表す断面図である。 従来の液晶表示パネルの他の構成を表す平面図である。 図１４のＸＶ−ＸＶ線における構成を表す断面図である。 図１４のＸＶＩ−ＸＶＩ線における構成を表す断面図である。

符号の説明

１…液晶表示パネル、１０…第１基板、１１，２１…ガラス基板、１２…ＴＦＴ、１３…保護膜、１４…配線、１５…周辺配線、１６…平坦化層、１７…対向電極、１７Ａ，１８Ａ…端面、１８…絶縁膜、１９…画素電極、２０…第２基板、２２…カラーフィルタ、２３…周辺遮光層、２４…オーバーコート層、３０…シール層、４０…表示層、５０…画素電極同層膜、６０…端子

Claims (10)

1. 基板上の表示領域内に配置され、画素電極および対向電極と共に、表示層を有する表示素子と、
   前記表示領域の外側に設けられたシール層と、
   前記画素電極と前記対向電極との間に設けられると共に、前記画素電極の下面および前記対向電極の上面に接し、端面が前記シール層よりも内側にある絶縁膜と、
   金属元素を含み、前記絶縁膜の端面を覆うと共に、前記絶縁膜の端面につながる上面の一部および下面の一部を覆う金属含有膜と
   を備えた表示装置。
2. 前記絶縁膜の端面は、前記対向電極の端面よりも内側にあり、
   前記対向電極は、前記金属含有膜の、前記絶縁膜の下面の一部を覆う部分を構成している
   請求項１記載の表示装置。
3. 前記表示領域と前記シール層との間に周辺配線が設けられており、
   前記周辺配線は、前記金属含有膜の、前記絶縁膜の下面の一部を覆う部分を構成している
   請求項１記載の表示装置。
4. 前記画素電極と同層に、画素電極同層膜が設けられており、
   前記画素電極同層膜は、前記金属含有膜の、前記絶縁膜の端面および上面の一部を覆う部分を構成している
   請求項２または３記載の表示装置。
5. 前記表示領域と前記シール層との間に周辺配線が設けられており、
   前記周辺配線は、前記金属含有膜の、前記絶縁膜の端面および上面の一部を覆う部分を構成している
   請求項２記載の表示装置。
6. 前記表示領域と前記シール層との間に周辺遮光層が設けられており、
   前記周辺遮光層は、前記金属含有膜の、前記絶縁膜の端面および前記絶縁膜の上面の一部を覆う部分を構成している
   請求項２記載の表示装置。
7. 前記基板の全面に有機材料よりなる平坦化膜を有し、前記平坦化膜の上に前記シール層および前記対向電極が設けられている
   請求項２ないし６のいずれか１項に記載の表示装置。
8. 前記絶縁膜は窒化シリコンにより構成されている
   請求項７記載の表示装置。
9. 前記金属含有膜は、インジウム，スズ，亜鉛，アルミニウム，モリブデン，チタン，タングステン，クロム，タンタルおよび銀からなる群のうちの少なくとも１種を含む
   請求項１ないし８のいずれか１項に記載の表示装置。
10. 前記金属含有膜の、前記絶縁膜の上面および下面を覆う部分は、それぞれ、前記絶縁膜の端面から１００ｎｍ以上である
    請求項１ないし９のいずれか１項に記載の表示装置。

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