JPH11295764A

JPH11295764A - 液晶表示装置

Info

Publication number: JPH11295764A
Application number: JP11011982A
Authority: JP
Inventors: Keiichiro Ashizawa; 啓一郎芦沢; Masayuki Hikiba; 正行引場; Masuyuki Ota; 益幸太田
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1998-01-23
Filing date: 1999-01-20
Publication date: 1999-10-29

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】画素領域内に形成した蓄積容量部の段差に起因
する配向不良を抑制して高コントラストで表示ムラの無
い表示を得る。【解決手段】複数の走査信号線ＧＬおよび映像信号線Ｄ
Ｌと、スイッチング素子ＴＦＴと、画素電極ＰＸと、対
向電極ＣＴとを備えたアクティブマトリクス基板と、ブ
ラックマトリクスＢＭと、カラーフィルタ層を形成した
カラーフィルタ基板ととを有し、対向電極に信号を供給
する対向電圧信号線と画素電極、及び両者の間の積層さ
れる絶縁膜とで形成される蓄積容量部Ｃｓｔｇがブラッ
クマトリクスＢＭの開口領域内に位置し、蓄積容量部を
構成する対向電圧信号線と画素電極の一方が、蓄積容量
部の平面形状の輪郭の大部分を形成するごとく構成し
た。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に係
り、特に一対の絶縁基板をスペーサを介して一定の間隙
で対向させ、当該間隙に液晶組成物を保持すると共に画
素領域内に保持容量部を形成した液晶表示装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】ノート型コンピユータやコンピユータモ
ニター用の高精細かつカラー表示が可能な液晶表示装置
が広く普及している。

【０００３】この液晶表示装置は、基本的には少なくと
も一方が透明なガラス板等からなる二枚の絶縁基板（以
下、単に基板とも言う）の間に液晶組成物（液晶分子）
の層を挟持して所謂液晶パネルを構成し、この液晶パネ
ルの絶縁基板に形成した画素形成用の各種電極に選択的
に電圧を印加して所定画素部分の液晶分子の配向方向を
変化させて画素形成を行う形式（単純マトリクス）、上
記各種電極と画素選択用のアクティブ素子を形成してこ
のアクティブ素子を選択することにより所定画素の液晶
分子の配向方向を変化させて画素形成を行う形式（アク
ティブマトリクス）とに大きく分類される。

【０００４】一般に、アクティブマトリクス型液晶表示
装置は、一方の基板に形成した電極と他方の基板に形成
した電極との間に液晶層の配向方向を変えるための電界
を印加する、所謂縦電界方式を採用している。

【０００５】一方、液晶層に印加する電界の方向を基板
面とほぼ平行な方向とする、所謂横電界方式（面内スイ
ッチング（ＩＰＳ）方式とも言う）の液晶表示装置が実
用化されている。この横電界方式の液晶表示装置を開示
したものしては、二枚の基板の一方に電界形成用の櫛歯
電極を用いて非常に広い視野角を得るようにしたものが
知られている。

【０００６】横電界方式の液晶表示装置は、複数の走査
信号線および映像信号線と、前記走査信号線および映像
信号線の交点近傍に形成したスイッチング素子と、前記
スイッチング素子を介して駆動電圧が印加される画素電
極と、前記画素電極と同一平面に形成された対向電極と
を備えてアクティブマトリクス基板と、樹脂組成物で形
成したブラックマトリクスと、前記ブラックマトリクス
の開口領域に形成される各画素に対してそれぞれ配置し
たカラーフィルタ層を形成したカラーフィルタ基板と、
前記アクティブマトリクス基板とカラーフィルタ基板の
間に液晶組成物を挟持して液晶パネルとし、この液晶パ
ネルの背面にバックライトを設置して上下のケースで一
体化して液晶表示装置を構成している。

【０００７】そして、前記画素電極と対向電極との間に
前記各基板面と略平行に形成される前記電界成分により
前記液晶組成物の光透過率を変化させて画像表示を行う
ようにしている。

【０００８】このような横電界方式の液晶表示装置は、
縦電界方式とは異なり、その表示面に対して大きな角度
視野から観察しても鮮明な映像（画像）を認識でき、所
謂角度視野に優れたものである。

【０００９】なお、このような構成の液晶表示装置を開
示したものとしては、例えば特開平６−１６０８７８号
公報（及びその対応米国特許５，５９８，２８５号及び
５，７３７，０５１号公報）を挙げることができる。

【００１０】図１は従来から知られている横電界方式の
液晶表示装置の一画素とブラックマトリクスＢＭの遮光
領域およびその周辺を示す平面図である。

【００１１】同図に示すように、各画素は走査信号線
（ゲート信号線又は水平信号線）ＧＬと、対向電圧信号
線（対向信号配線）ＣＬと、隣接する２本の映像信号配
線（ドレイン信号線又は垂直信号線）ＤＬとの交差領域
内（４本の信号線で囲まれた領域内）に配置されてい
る。

【００１２】各画素は薄膜トランジスタＴＦＴ、蓄積容
量（蓄保持量）部Ｃｓｔｇ、画素電極ＰＸ及び対向電極
ＣＴを含む。走査信号線ＧＬ、対向電圧信号線ＣＬは、
同図では左右方向に延在し、上下方向に複数本配置され
ている。映像信号線ＤＬは上下方向に延在し、左右方向
に複数本配置されている。画素電極ＰＸは薄膜トランジ
スタＴＦＴと接続され、対向電極ＣＴは対向電圧信号線
ＣＬと一体になっている。

【００１３】画素電極ＰＸと対向電極ＣＴは互いに対向
し、各画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間の電界により
液晶組成物の層（以下、単に液晶あるいは液晶層とも言
う）ＬＣの配向状態を制御し、透過光あるいは反射光を
変調して表示を制御する。画素電極ＰＸと対向電極ＣＴ
は櫛歯状に構成され、それぞれ同図の上下方向に長細い
電極となっている。

【００１４】１画素内の対向電極ＣＴの本数Ｏ（櫛歯の
本数）は、画素電極ＰＸの本数Ｐ（櫛歯の本数）とＯ＝
Ｐ＋１の関係を必ず持つように構成する（同図では、Ｏ
＝２、Ｐ＝１）。これは、対向電極ＣＴと画素電極ＰＸ
を交互に配置し、かつ、対向電極ＣＴを映像信号線ＤＬ
に必ず隣接させるためである。

【００１５】これにより、対向電極ＣＴと画素電極ＰＸ
の間の電界が、映像信号線ＤＬから発生する電界から影
響を受けないように、対向電極ＣＴで映像信号線ＤＬか
らの電気力線をシールドすることができる。

【００１６】対向電極ＣＴは、対向電圧信号線ＣＬによ
り常に外部から電位を供給されているため、電位は安定
している。そのため、映像信号線ＤＬに隣接しても、電
位の変動が殆どない。又、これにより、画素電極ＰＸの
映像信号線ＤＬからの幾何学的な位置が遠くなるので、
画素電極ＰＸと映像信号線ＤＬの間の寄生容量が大幅に
減少し、画素電極電位Ｖｓの映像信号電圧による変動も
制御できる。

【００１７】これらにより、上下方向に発生するクロス
トーク（縦スミアと呼ばれる画質不良）を抑制すること
ができる。

【００１８】具体例として、画素電極ＰＸと対向電極Ｃ
Ｔの電極幅Ｗｐ，Ｗｃはそれぞれ６μｍとし、後述の液
晶層の最大設定厚みを超える４．５μｍよりも十分大き
く設定する。製造上の加工ばらつきを考慮すると２０％
以上のマージンを持った方が好ましいので、望ましくは
５．４μｍよりも十分大きくしたほうが良い。

【００１９】これにより、液晶層に印加される基板面に
平行な電界成分が基板面に垂直な方向の電界成分よりも
大きくなり、液晶を駆動する電圧の上昇を抑制すること
ができる。又、各電極の電極幅Ｗｐ，Ｗｃの最大値は、
画素電極ＰＸと対向電極ＣＴの間の間隔Ｌよりも小さい
事が好ましい。

【００２０】これは、電極の間隔が小さすぎると電気力
線の湾曲が激しくなり、基板面に平行な電界成分よりも
基板面に垂直な電界成分の方が大きい領域が増大するた
め、基板面に平行な電界成分を効率良く液晶層に印加で
きないからである。従って、画素電極ＰＸと対向電極Ｃ
Ｔの間の間隔Ｌはマージンを２０％とると７．２μｍよ
り大きいことが必要である。例えば、対角約１４．５ｃ
ｍ（５．７インチ）で６４０×４８０ドットの解像度で
構成する場合、画素ピッチは約６０μｍ、画素を２分割
することにより、間隔Ｌ＞７．２μｍを実現できる。

【００２１】又、映像信号線ＤＬの電極幅は断線を防止
するために、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴに比較して若
干広い８μｍとし、映像信号線ＤＬと対向電極ＣＴとの
間隔は短絡を防止するために約１μｍの間隔を開けると
共に、ゲート絶縁膜の上側に映像信号線DLを下側に対向
電極ＣＴを形成して、異層になるように配置する。

【００２２】一方、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴの間の
電極間隔は、用いる液晶材料によって変える。これは、
液晶材料によって最大透過率を達成する電界強度が異な
るため、電極間隔を液晶材料に応じて設定し、用いる映
像信号駆動回路（信号側ドライバ）の耐圧で設定される
信号電圧の最大振幅の範囲で、最大透過率が得られるよ
うにするためである。後述の液晶材料を用いると電極間
隔は、約１５μｍとなる。

【００２３】本構成例では、平面的に見て、ブラックマ
トリクスＢＭがゲート配線ＧＬ上、対向信号配線ＣＬ、
薄膜トランジスタＴＦＴ上、ドレイン配線ＤＬ上、ドレ
イン配線ＤＬと対向電極ＣＴ間に形成している。そし
て、上記蓄積容量部Ｃｓｔｇは、ブラックマトリクスＢ
Ｍの開口の外側（画素領域外）において、画素電極ＰＸ
と対向電圧信号線ＣＬおよび両電極間に形成される絶縁
膜で構成されている。

【００２４】

【発明が解決しようとする課題】液晶表示装置は、上記
した各電極および電極配線、保護膜や絶縁膜を形成した
後に配向膜を塗布し、これをラビングと称する処理で液
晶配向制御能を付与している。

【００２５】上記従来の横電界方式の液晶表示装置で
は、その蓄積容量部Ｃｓｔｇが画素領域外で形成されて
いるため、画素領域内に大きな段差がなく、画素領域内
の配向膜に一様な液晶配向制御能を付与することができ
る。

【００２６】しかし、画素領域内に蓄積容量部Ｃｓｔｇ
を形成して画面全体の開口率を向上させることも考えら
れる。この場合、蓄積容量部Ｃｓｔｇによる画素領域内
の段差が大きくなり、ラビング処理時にこの段差で配向
不良が生じ、所謂ドメインが発生して表示ムラを招く。

【００２７】特に、上記蓄積容量部Ｃｓｔｇを構成する
多層膜構造に配向膜の配向方向（ラビング方向）に対し
て直交あるいは略直交して段差がある場合に上記の配向
不良の発生が顕著となり、蓄積容量部Ｃｓｔｇ近傍にお
いて液晶が正常に動作しなくなり、上記ドメインが生じ
てコントラストが低下し、表示ムラが発生して画質が著
しく低下するという問題があった。

【００２８】本発明の目的は、上記従来技術の諸問題を
解消して、画素領域内に形成した蓄積容量部Ｃｓｔｇの
段差が存在することに起因する配向不良を低減し、コン
トラストの低下や表示ムラ等の表示不良を無くして良好
な表示品質を得ることができる液晶表示装置を提供する
ことにある。

【００２９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、画素領域（実際にはブラックマトリクス
開口領域）内に形成される多層膜構造の段差、特に蓄積
容量部を構成する電極等の多層膜の段差の端部断面形状
を緩やかにしたものであり、下記（１）〜（３）に記載
した点に特徴を有する。

【００３０】（１）複数の走査信号線および映像信号線
と、前記走査信号線および映像信号線の交点近傍に形成
したスイッチング素子と、前記スイッチング素子を介し
て駆動電圧が印加される画素電極と、前記画素電極と同
一平面に形成された対向電極とを備えたアクティブマト
リクス基板と、樹脂組成物で形成したブラックマトリク
スと、前記ブラックマトリクスの開口領域に形成される
各画素に対してそれぞれ配置したカラーフィルタ層を形
成したカラーフィルタ基板と、前記アクティブマトリク
ス基板とカラーフィルタ基板の間に挟持した液晶組成物
とを有し、前記対向電極に信号を供給する対向電圧信号
線と前記画素電極、および前記対向電圧信号線と前記画
素電極と間に積層される絶縁膜とで形成される蓄積容量
部が前記ブラックマトリクスの開口領域内に位置し、前
記画素電極と対向電極との間に前記各基板面と略平行に
形成される前記電界成分により前記液晶組成物の光透過
率を変化させて画像表示を行う液晶表示装置であって、
前記蓄積容量部を構成する対向電圧信号線と画素電極の
一方が、当該保持容量部の平面形状の輪郭の大部分を形
成していることを特徴とする。

【００３１】この構成により、配向膜の膜面に対する蓄
積容量部の段差の角度が緩やかになり、当該蓄積容量部
近傍でのラビング不良が抑制され、コントラストの低下
や表示ムラ等の表示不良を著しく低減させた良好な表示
品質の液晶表示装置が得られる。

【００３２】（２）（１）における前記保持容量部を構
成する対向電圧信号線と画素電極のうちの上層側の平面
形状の輪郭の大分を下層側の平面形状の輪郭より後退さ
せた。

【００３３】（３）（１）における前記保持容量部を構
成する対向電圧信号線と画素電極のうちの下層側の平面
形状の輪郭の大分を上層側の平面形状の輪郭より後退さ
せた。

【００３４】上記（２）（３）の構成により、配向膜の
膜面に対する蓄積容量部を構成する電極膜の段差の角度
が緩やかになり、当該蓄積容量部近傍でのラビング不良
が抑制され、コントラストの低下や表示ムラ等の表示不
良を著しく低減させた良好な表示品質の液晶表示装置が
得られる。

【００３５】これらの特徴は、上記画素電極と対向電圧
信号線とに適用されるのみならず、画素領域内で互いに
異なる方向に延伸し且つ交差する２種類の導電層に対し
ても、これらの少なくとも一方が上記交差部から他方の
延伸方向に沿って延びるように形成された場合、適用す
ることができる。上記画素領域とは液晶表示基板上にお
いて上記液晶層により変調された光を透過させる領域と
して規定される。

【００３６】なお、本発明は、電極膜、絶縁膜あるいは
保護膜等の多層膜が画素領域内に形成される場合、当該
多層膜が蓄積容量部であることに限らない。

【００３７】上記発明を着想する過程で見出した本発明
の第２の目的は、上記液晶層に印加される電圧の降下に
よる液晶表示装置の表示不良を防ぐことにある。この問
題は、次の２種類の導電層を有する液晶表示装置におい
て生じる。これら２種類の導電層の各々は、液晶層に面
する基板主面上部において互いに異なる方向に延伸し且
つ接合する２つの部分を有する。そして、これら導電層
の間には電位差が生じ得る。即ち、これら２種類の導電
層に印加される電気信号は互いに異なる機能を有し、具
体的には、２種類の導電層は液晶表示装置又はその画素
アレイの周辺にある異なる回路に電気的に夫々接続され
る。一般に、これら２種類の導電層は絶縁膜により電気
的に絶縁される。

【００３８】この目的を達成するために、本発明は上記
導電層の少なくとも一方の上記２つの部分を鈍角又は曲
線で接合させる。

【００３９】具体的に、この発明は、液晶層とこれを挟
む基板の一方との間に画素電極、対向電極とこれに信号
を供給する対向電圧信号線とを設けた液晶表示装置にお
いて次の２種類の構成的な特徴を与える。

【００４０】構成的な特徴の一つは、上記液晶表示装置
の光透過領域において上記対向電圧信号線と上記画素電
極とをこれらの縁が鈍角をなすように交差させる。

【００４１】構成的な特徴のもう一つは、上記液晶表示
装置の光透過領域において、上記対向電圧信号線を上記
対向電極とこれらの縁が鈍角又は曲線をなすように接合
させ、且つ上記対向電圧信号線と上記画素電極を交差さ
せる。

【００４２】これら発明の構成において、上記画素電
極、上記対向電極、上記対向電圧信号線、及び上記電極
並びに信号線が形成される基板は絶縁膜で覆われ、望ま
しくは上記画素電極上に形成される絶縁膜を上記対向電
極上及び上記対向電圧信号線上に形成される絶縁膜と異
なるものとする。

【００４３】この発明の詳細な構成は、追って説明す
る。

【００４４】

【発明の実施の形態】［１．液晶表示装置の詳細］はじ
めに、本発明が適用される液晶表示装置の具体的な詳細
について図２〜図１２を参照して説明する。

【００４５】《マトリクス部（画素部）の断面構造》図
２は横電界方式の液晶表示装置を構成する液晶パネルの
画像表示領域における１画素の電極近傍の断面図と基板
周辺部の断面図、図３は薄膜トランジスタＴＦＴの断面
図である。

【００４６】図２に示すように、横電界方式の液晶パネ
ルでは液晶ＬＣを基準にして下部基板（透明ガラス基
板）ＳＵＢ１側には薄膜トランジスタＴＦＴ、蓄積容量
Ｃｓｔｇ（図示せず）及び電極群（対向電極ＣＴ、画素
電極ＰＸ、映像信号線ＤＬ、その他）が形成され、上部
基板（透明ガラス基板）ＳＵＢ２側にはカラーフィルタ
ＦＩＬ、遮光用のブラックマトリクスＢＭのパターンが
形成されている。尚、同一出願人による、特開平８−８
０６４６３号に提案されたように、遮光用ブラックマト
リクスＢＭのパターンを下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側
に形成することも可能である。

【００４７】又、透明ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の
それぞれの内側（液晶ＬＣ側）の表面には、液晶の初期
配向を制御する配向膜ＯＲＩ１１とＯＲＩ１２が設けら
れており、透明ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２のそれぞ
れの外側の表面には、偏光軸が直交して配置（クロスニ
コル配置）された偏光板ＰＯＬ１、ＰＯＬ２が設けられ
ている。

【００４８】次に、下側透明ガラス基板ＳＵＢ１側（Ｔ
ＦＴ基板）の構成を詳しく説明する。

【００４９】（ＴＦＴ基板）《薄膜トランジスタ》薄膜トランジスタＴＦＴは、ゲー
ト電極ＧＴに正のバイアスを印加すると、ソース−ドレ
イン間のチャネル抵抗が小さくなり、バイアスを零にす
ると、チャネル抵抗は大きくなるように動作する。

【００５０】薄膜トランジスタＴＦＴは、図３に示すよ
うに、ゲート電極ＧＴ、ゲート絶縁膜ＧＩ、ｉ型（真
性：ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ、導電型決定不純物が人為的に
ドープされていない）非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）から
なるｉ型半導体層ＡＳ、一対のソース電極ＳＤ１、ドレ
イン電極ＳＤ２を有する。

【００５１】尚、ソース、ドレインは本来その間のバイ
アス極性によって決まるもので、この液晶表示装置の回
路ではその極性は動作中反転するので、ソース、ドレイ
ンは動作中入れ替わると理解されたい。しかし、以下の
説明では、便宜上一方をソース、他方をドレインと固定
して表現する。

【００５２】《ゲート電極ＧＴ》ゲート電極ＧＴは走査
信号線ＧＬと連続して形成されており、走査信号線ＧＬ
の一部の領域がゲート電極ＧＴとなるように構成されて
いる。このゲート電極ＧＴは薄膜トランジスタＴＦＴの
能動領域を超える部分であり、ｉ型半導体層ＡＳを完全
に覆うよう（下方から見て）それより大きめに形成され
ている。

【００５３】これにより、ゲート電極ＧＴはそれ自身の
役割の他に、ｉ型半導体層ＡＳに外光やバックライト光
が当たらないように工夫されている。本例では、ゲート
電極ＧＴは単層の導電膜ｇ１で形成されている。この導
電膜ｇ１としては、例えばスパッタで形成されたアルミ
ニウム（Ａｌ）膜が用いられ、その上にはＡｌの陽極酸
化膜ＡＯＦが設けられている。

【００５４】《走査信号線ＧＬ》走査信号線ＧＬはゲー
ト電極ＧＴの導電膜ｇ１と同一製造工程で形成され、か
つ、一体に構成されている。この走査信号線ＧＬによ
り、外部回路からゲート電圧Ｖｇをゲート電極ＧＴに供
給する。

【００５５】又、走査信号線ＧＬ上にもＡｌの陽極酸化
膜ＡＯＦが設けられている。尚、映像信号線ＤＬと交差
する部分は映像信号線ＤＬとの短絡の確率を小さくする
ため細くし、又、短絡してもレーザトリミングで切り離
すことができるように二股にしている。

【００５６】《対向電極ＣＴ》対向電極ＣＴはゲート電
極ＧＴ及び走査信号線ＧＬと同層の導電膜ｇ１で構成さ
れている。又、対向電極ＣＴ上にもＡｌの陽極酸化膜Ａ
ＯＦが設けられている。対向電極ＣＴは、陽極酸化膜Ａ
ＯＦで完全に覆われていることから、映像信号線と限り
なく近づけても、それらが短絡してしまうことがなくな
る。

【００５７】又、それらを交差させて構成させることも
できる。対向電極ＣＴには対向電圧Ｖｃｏｍが印加され
るように構成されている。本実施例では、対向電圧Ｖｃ
ｏｍは映像信号線ＤＬに印加される最小レベルの駆動電
圧Ｖｄｍｉｎと最大レベルの駆動電圧Ｖｄｍａｘとの中
間直流電位から、薄膜トランジスタ素子ＴＦＴをオフ状
態にするときに発生するフィードスルー電圧ΔＶｓ分だ
け低い電位に設定されるが、映像信号駆動回路で使用さ
れる集積回路の電源電圧を約半分に低減したい場合は、
交流電圧を印加すれば良い。

【００５８】《対向電圧信号線ＣＬ》対向電圧信号線Ｃ
Ｌ（図１参照）はゲート電極ＧＴ、走査信号線ＧＬ及び
対向電極ＣＴの導電膜ｇ１と同一製造工程で形成され、
かつ、対向電極ＣＴと一体に構成されている。

【００５９】この対向電圧信号線ＣＬにより、外部回路
から対向電圧Ｖｃｏｍを対向電極ＣＴに供給する。又、
対向電圧信号線ＣＬ上にもＡｌの陽極酸化膜ＡＯＦが設
けられている。尚、映像信号線ＤＬと交差する部分は、
走査信号線ＧＬと同様に映像信号線ＤＬとの短絡の確率
を小さくするため細くし、又、短絡しても、レーザトリ
ミングで切り離すことができるように二股にすることも
できる。

【００６０】《絶縁膜ＧＩ》絶縁膜ＧＩは、薄膜トラン
ジスタＴＦＴにおいて、ゲート電極ＧＴと共に半導体層
ＡＳに電界を与えるためのゲート絶縁膜として使用され
る。絶縁膜ＧＩはゲート電極ＧＴ及び走査信号線ＧＬの
上層に形成されている。

【００６１】絶縁膜ＧＩとしては例えばプラズマＣＶＤ
で形成された窒化シリコン膜が選ばれ、１２０〜２７０
ｎｍの厚さに（本実施例では、２４０ｎｍ）形成され
る。

【００６２】このゲート絶縁膜ＧＩは、マトリクス部Ａ
Ｒの全体を囲むように形成され、周辺部は外部接続端子
ＤＴＭ、ＧＴＭを露出するよう除去されている。また、
絶縁膜ＧＩは走査信号線ＧＬ及び対向電圧信号線ＣＬと
映像信号線ＤＬの電気的絶縁にも寄与している。

【００６３】《ｉ型半導体層ＡＳ》ｉ型半導体層ＡＳ
は、非晶質シリコンで、２０〜２２０ｎｍの厚さ（本実
施例では、２００ｎｍ程度の膜厚）で形成される。層ｄ
０はオーミックコンタクト用のリン（Ｐ）をドープした
Ｎ（＋）型非晶質シリコン半導体層であり、下側にｉ型
半導体層ＡＳが存在し、上側に導電膜ｄ１（ｄ２）が存
在するところのみに残されている。

【００６４】ｉ型半導体層ＡＳは走査信号線ＧＬ及び対
向信号線ＣＬと映像信号線ＤＬとの交差部の両者間にも
設けられている。この交差部のｉ型半導体層ＡＳは交差
部における走査信号線ＧＬ及び対向信号線ＣＬと映像信
号線ＤＬとの短絡を低減する。

【００６５】《ソース電極ＳＤＩ、ドレイン電極ＳＤ
２》ソース電極ＳＤＩ、ドレイン電極ＳＤ２のそれぞれ
は、Ｎ（＋）型半導体層ｄ０に接触する導電膜ｄ１とそ
の上に形成された導電膜ｄ２とから構成されている。

【００６６】導電膜ｄ１はスパッタで形成したクロム
（Ｃｒ）膜を用い、５０〜１００ｎｍの厚さに（本実施
例では、６０ｎｍ程度）で形成される。Ｃｒ膜は膜厚を
厚く形成するとストレスが大きくなるので、２００ｎｍ
程度の膜厚を越えない範囲で形成する。Ｃｒ膜はＮ
（＋）型半導体層ｄ０との接着性を良好にし、導電膜ｄ
２のＡｌがＮ（＋）型半導体層ｄ０に拡散することを防
止する、所謂バリア層の目的で使用される。

【００６７】導電膜ｄ１として、Ｃｒ膜の他に高融点金
属（Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ）膜、高融点金属シリサイド
（ＭｏＳｉ2 、ＴｉＳｉ2 、ＴａＳｉ2 、ＷＳｉ2 ）膜
を用いても良い。

【００６８】導電膜ｄ２はＡｌのスパッタリングで３０
０〜５００ｎｍの厚さに（４００ｎｍ程度）形成され
る。Ａｌ膜はＣｒ膜に比べてストレスが小さく、厚い膜
厚に形成することが可能で、ソース電極ＳＤ１、ドレイ
ン電極ＳＤ２および映像信号線ＤＬの抵抗値を低減した
り、ゲート電極ＧＴやｉ型半導体層ＡＳに起因する段差
乗り越えを確実にする（ステップカバレージを良くす
る）働きがある。

【００６９】導電膜ｄ１、導電膜ｄ２を同じマスクパタ
ーンでパターニングした後、同じマスクを用いて、或い
は導電膜ｄ１、導電膜ｄ２をマスクとして、Ｎ（＋）型
半導体層ｄ０が除去される。つまり、ｉ型半導体層ＡＳ
上に残っているＮ（＋）型半導体層ｄ０は導電膜ｄ１、
導電膜ｄ２以外の部分がセルフアラインで除去される。
このとき、Ｎ（＋）型半導体層ｄ０はその厚さ分は全て
除去されるようエッチングされるので、ｉ型半導体層Ａ
Ｓも若干その表面部分がエッチングされるが、その程度
はエッチング時間で制御すればよい。

【００７０】《映像信号線ＤＬ》映像信号線ＤＬはソー
ス電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２と同層の第２導電膜
ｄ２、第３導電膜ｄ３で構成されている。又、映像信号
線ＤＬはドレイン電極ＳＤ２と一体に形成されている。

【００７１】《画素電極ＰＸ》画素電極ＰＸはソース電
極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２と同層の第２導電膜ｄ
２、第３導電膜ｄ３で構成されている。又、画素電極Ｐ
Ｘはソース電極ＳＤ１と一体に形成されている。

【００７２】《蓄積容量Ｃｓｔｇ》画素電極ＰＸは、そ
の一端で対向電圧信号線ＣＬと重なるように形成されて
いる。この重ね合せにより、画素電極ＰＸを一方の電極
とし、対向電圧信号線ＣＬを他方の電極とする蓄積容量
（静電容量素子）Ｃｓｔｇを構成する。この蓄積容量Ｃ
ｓｔｇの誘電体膜は、製造方法に関し後述する薄膜トラ
ンジスタＴＦＴのゲート絶縁膜として使用される絶縁膜
ＧＩ及び陽極酸化膜ＡＯＦで構成されている。

【００７３】（カラーフィルタ基板）次に、図２、図６
により上側透明ガラス基板ＳＵＢ２側（カラーフィルタ
基板）の構成を詳しく説明する。

【００７４】《遮光膜：ブラックマトリクスＢＭ》上部
透明ガラス基板ＳＵＢ２側には、不要な間隙部（画素電
極ＰＸと対向電極ＣＴの間以外の隙間）からの透過光が
表示面側に出射して、コントラスト比等を低下させない
ように遮光膜ＢＭ（所謂、ブラックマトリクス）を形成
している。

【００７５】遮光膜ＢＭは、外部光又はバックライト光
がｉ型半導体層ＡＳに入射しないようにする役割も果た
している。即ち、薄膜トランジスタＴＦＴのｉ型半導体
層ＡＳは上下にある遮光膜ＢＭ及び大きめのゲート電極
ＧＴによってサンドイッチにされ、外部の自然光やバッ
クライト光が当たらなくなる。

【００７６】図１に示すブラックマトリクスＢＭの閉じ
た角形の輪郭線は、その内側が遮光膜ＢＭが形成されな
い開口を示している。このようなブラックマトリクスの
表示は、本明細書における他の電極構造の平面図におい
ても適用される。また、この輪郭線のパターンは１例で
ある。

【００７７】横電界方式の液晶表示装置では、可能な限
り高抵抗なブラックマトリクスが適していることから、
一般に樹脂組成物を用いる。この抵抗規格については、
特開平９−４３５８９号に記載がある。即ち、液晶組成
物ＬＣの比抵抗値が１０のＮ乗を10N と記述すると10N
Ω・ｃｍ以上、かつ、ブラックマトリクスＢＭの比抵抗
値が１０のＭ乗を10M と記述すると10M Ω・ｃｍ以上と
し、かつ、Ｎ≧９、Ｍ≧６を満足する関係とする。或い
は、Ｎ≧１３、Ｍ≧７を満足する関係とすることが望ま
しい。

【００７８】又、液晶表示装置の表面反射を低減する目
的からも、ブラックマトリクスの形成材料に樹脂組成物
を用いることが望ましい。

【００７９】さらに、Ｃｒ等の金属膜をブラックマトリ
クスに用いる場合と比較して、金属膜のエッチング工程
が不要なため、カラーフィルタ基板の製造工程を簡略化
できる。金属膜を使用する場合の製造工程は、１）金属
膜成膜、２）レジスト塗布、３）露光、４）現像、５）
金属膜エッチング、６）レジスト剥離、である。

【００８０】一方、樹脂を使用する場合の製造工程は、
１）樹脂塗布、２）露光、３）現像、であり、著しく工
程を短縮できる。

【００８１】しかし、樹脂組成物は金属膜と比較して遮
光性が低い。樹脂の膜厚を厚くすると遮光性は向上する
が、ブラックマトリクスの膜厚ばらつきは増加する。こ
れは、例えば±１０％の膜厚ばらつきがある場合、ブラ
ックマトリクスの膜厚が１．０μｍ時は±０．１μｍ、
２μｍ時は±０．２μｍになるためである。

【００８２】又、ブラックマトリクスの膜厚を厚くする
と、カラーフィルタ基板の膜厚ばらつきが増加し、液晶
表示基板のギャップ精度を向上することが困難になる。
以上の理由により、樹脂の膜厚は、２μｍ以下にするこ
とが望ましい。

【００８３】膜厚１μｍでＯＤ値を約４．０以上にする
ためには、例えばカーボンの含有量を増加して黒色化す
る場合、ブラックマトリクスＢＭの比抵抗値は約１０6
Ω・ｃｍ以下となり、現状では使用できない。尚、ＯＤ
値は、吸光係数に膜厚を掛けた値と定義できる。

【００８４】このため、本実施例では、この遮光膜ＢＭ
の材料として、黒色の無機顔料をレジスト材に混入した
樹脂組成物を用い、１．３±０．１μｍ程度の厚さで形
成している。無機顔料の例としては、パラジウムや無電
解メッキしたＮｉなどがある。更に、ブラックマトリク
スＢＭの比抵抗値は約１０9 Ω・ｃｍとし、ＯＤ値約
２．０とした。

【００８５】この樹脂組成物ブラックマトリクスＢＭを
使用した場合の光透過量の計算結果を下記に示す。

【００８６】ＯＤ値＝ｌｏｇ（１００／Ｙ）Ｙ＝∫Ａ（λ）・Ｂ（λ）・Ｃ（λ）ｄλ／∫Ａ（λ）
・Ｃ（λ）ｄλ ここで、Ａは視感度、Ｂは透過率、Ｃは光源スペクト
ル、λは入射光の波長を示す。

【００８７】ＯＤ値２．０の膜で遮光した場合は、上記
数１から、Ｙ＝１％を得て、入射光強度４０００ｃｄ／
ｍ2 を仮定すると、約４０ｃｄ／ｍ2 の光が透過してく
ることになる。この光強度は、十分に人間が視認できる
明るさである。

【００８８】遮光膜ＢＭは周辺部にも額縁状に形成さ
れ、そのパターンはドット状に複数の開口を設けた図９
に示すマトリクス部のパターンと連続して形成されてい
る。

【００８９】《カラーフィルタＦＩＬ》カラーフィルタ
ＦＩＬは画素に対向する位置に赤、緑、青の繰り返しで
ストライプ状に形成される。カラーフィルタＦＩＬは遮
光膜ＢＭのエッジ部分と重なるように形成されている。

【００９０】本発明では、この重なる部分の平面レイア
ウトを規定するものである。詳細は後述する。

【００９１】カラーフィルタＦＩＬは例えば次のように
形成することができる。まず、上部透明ガラス基板ＳＵ
Ｂ２の表面にアクリル系樹脂等の染色基材を形成し、フ
ォトリソグラフィ技術で赤色フィルタ形成領域以外の染
色基材を除去する。この後、染色基材を赤色染料で染
め、固着処理を施して赤色フィルタＲを形成する。次
に、同様な工程を施すことによって、緑色フィルタＧ、
青色フィルタＢを順次形成する。

【００９２】《オーバーコート膜ＯＣ》オーバーコート
膜ＯＣはカラーフィルタＦＩＬの染料の液晶ＬＣへの漏
洩を防止、及びカラーフィルタＦＩＬ、遮光膜ＢＭによ
る段差の平坦化のために設けられている。オーバーコー
ト膜ＯＣは例えばアクリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明
樹脂材料で形成される。

【００９３】（液晶層及び偏光板）次に、液晶層、配向
膜、偏光板等について説明する。

【００９４】《液晶層》液晶材料ＬＣとしては、誘電率
異方性△εが正でその値が１３．２、屈折率異方性△ｎ
が０．０８１（５８９ｎｍ、２０°Ｃ）のネマチック液
晶と、誘電率異方性△εが負でその値が−７．３、屈折
率異方性△ｎが０．０５３（５８９ｎｍ、２０°Ｃ）の
ネマチック液晶を用いた。

【００９５】液晶層の厚み（ギャップ）は、誘電率異方
性△εが正の場合２．８μｍ超４．５μｍ未満とした。
これは、リターデションΔｎ・ｄは０．２５μｍ超０．
３２μｍ未満の時、可視光の範囲内で波長依存性が殆ど
ない誘電率特性が得られ、誘電率異方性△εが正を有す
る液晶の大部分が複屈折率異方性△ｎが０．０７超０．
０９未満であるためである。

【００９６】一方、誘電率異方性△εが負の場合は、液
晶層の厚み（ギャップ）は、４．２μｍ超８．０μｍ未
満とした。これは誘電率異方性△εが正の液晶と同様
に、リターデションΔｎ・ｄを０．２５μｍ超０．３２
μｍ未満に抑えるためで、誘電率異方性△εが負を有す
る液晶の大部分が複屈折異方性△ｎが０．０４超０．０
６未満であるためである。

【００９７】又、後述の配向膜と偏光板の組み合わせに
より、液晶分子がラビング方向から電界方向に４５°回
転したとき最大透過率を得ることができる。尚、液晶層
の厚み（ギャップ）はポリマビーズで制御している。

【００９８】又、液晶材料ＬＣは、ネマチック液晶であ
れば、特に限定したものではない。

【００９９】誘電率異方性△εは、その値が大きいほう
が、駆動電圧が低減でき、屈折率異方性△ｎは小さいほ
うが液晶層の厚み（ギャップ）を厚くでき、液晶の封入
時間が短縮され、かつギャップばらつきを少なくするこ
とができる。

【０１００】《配向膜》配向膜ＯＲＩとしてはポリイミ
ドを用いる。ラビング方向ＲＤＲは上下基板で互いに平
行にし、かつ、印加電界方向ＥＤＲとのなす角度φＬＣ
は７５°とする。図４にその関係を示す。

【０１０１】尚、ラビング方向ＲＤＲと印加電界方向Ｅ
ＤＲとのなす角度は、液晶材料の誘電率異方性△εが正
であれば、４５°以上９０°未満、誘電率異方性△εが
負であれば、０°を超え４５°以下であれば良い。

【０１０２】《偏光板》偏光板ＰＯＬとしては、日東電
工社製Ｇ１２２０ＤＵ（商品名）を用い、図４に示した
ように、下側の偏光板ＰＯＬ１の偏光透過軸ＭＡＸ１を
ラビング方向ＲＤＲと一致させ、上側の偏光板ＰＯＬ２
の偏光透過軸ＭＡＸ２をそれに直交させる。

【０１０３】これにより、本発明の画素に印加される電
圧（画素電極ＰＸと対向電極ＣＴの間の電圧）を増加さ
せるに伴い、透過率が上昇するノーマリークローズ特性
を得ることができる。

【０１０４】更に、本発明で開示される横電界方式と称
される液晶表示装置では、上側の基板ＳＵＢ２側の表面
の外部から静電気等の高い電位が加わった場合に、表示
の異常が発生する。このため、上側の偏光板ＰＯＬ２の
更に上側或いは表面にシート抵抗が１×１０8 Ω／□以
下の透明導電膜の層を形成すること、或いは偏光板と前
記透明基板の間にシート抵抗１×１０8 Ω／□以下のＩ
ＴＯ等の透明導電膜の層を形成すること、或いは偏光板
の粘着層にＩＴＯ、ＳｎＯ2 、Ｉｎ2 Ｏ3 等の導電性粒
子を混ぜ、シート抵抗を１×１０8 Ω／□以下とするこ
とが必要になる。この対策については、公知ではないが
同一出願人による特願平７−２６４４４３号において、
シールド機能向上につき詳しい記載がある。

【０１０５】《マトリクス周辺の構成》図５は上下のガ
ラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２を含む表示パネルＰＮＬの
マトリクス（ＡＲ）周辺の要部平面図である。又、図６
は左側に走査回路が接続された外部接続端子ＧＴＭ付近
の断面図、図７は図６のテープキャリアパッケージの断
面図である。

【０１０６】図５に示した表示パネルの製造では、小さ
いサイズであればスループット向上のため１枚のガラス
基板では複数個分のデバイスを同時に加工してから分割
し、大きいサイズであれば製造設備の共用のため、どの
品種でも標準化された大きさのガラス基板を加工してか
ら各品種に合ったサイズに小さくし、いずれの場合も一
通りの工程を経てからガラスを切断する。

【０１０７】図５、図６は後者の例を示すもので、図
５、図６の両図とも上下基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の切断
後を表わしており、ＬＮは両基板の切断前の縁を示す。
いずれの場合も、完成状態では外部接続端子群Ｔｇ、Ｔ
ｄ及び端子ＣＴＭが存在する（図で上辺と左辺の）部分
はそれらを露出するように上側基板ＳＵＢ２の大きさが
下側基板ＳＵＢ１よりも内側に制限されている。

【０１０８】端子群Ｔｇ、Ｔｄは、それぞれ後述する走
査回路接続用端子ＧＴＭ、映像信号回路接続用端子ＤＴ
Ｍとそれらの引出し配線部を集積回路チップＣＨＩが搭
載されたテープキャリアパッケージＴＣＰ（図６、図７
参照）の単位に複数本まとめて名付けたものである。

【０１０９】各群のマトリクス部から外部接続端子部に
至るまでの引出し配線は、両端に近づくにつれ傾斜して
いる。これは、パッケージＴＣＰの配列ピッチ及び各パ
ッケージＴＣＰにおける接続端子ピッチに表示パネルＰ
ＮＬの端子ＤＴＭ、ＧＴＭに合わせるためである。

【０１１０】又、対向電極端子ＣＴＭは、対向電極ＣＴ
に対向電圧を外部から与えるための端子である。マトリ
クス部の対向電圧信号線ＣＬは、走査回路用端子ＧＴＭ
の反対側（図では右側）に引出し、各対向電圧信号線を
共通バスラインＣＢで一纏めにして、対向電極端子ＣＴ
Ｍに接続している。

【０１１１】透明ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の間に
は、その縁に沿って、液晶封入口ＩＮＪを除き、液晶Ｌ
Ｃを封止するようにシールパターンＳＬが形成される。
シール材は例えばエポキシ樹脂から成る。

【０１１２】配向膜ＯＲＩ１、ＯＲＩ２の層は、シール
パターンＳＬの内側に形成される。

【０１１３】偏光板ＰＯＬ１、ＰＯＬ２はそれぞれ下部
透明ガラス基板ＳＵＢ１、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２
の外側の表面に構成されている。

【０１１４】液晶ＬＣは液晶分子の向きを設定する下部
配向膜ＯＲＩ１と上部配向膜ＯＲＩ２との間でシールパ
ターンＳＬで仕切られた領域に封入されている。下部配
向膜ＯＲＩ１は下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側の保護膜
ＰＳＶ１の上部に形成される。

【０１１５】この液晶表示装置は、下部透明ガラス基板
ＳＵＢ１側、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２側で別個に種
々の層を積み重ね、シールパターンＳＬを基板ＳＵＢ２
側に形成し、下部透明ガラス基板ＳＵＢ１と上部透明ガ
ラス基板ＳＵＢ２とを重ね合わせ、シールパターンＳＬ
の開口部ＩＮＪから液晶ＬＣを注入し、注入口ＩＮＪを
エポキシ樹脂などで封止し、上下基板を切断することに
よって組み立てられる。

【０１１６】《ＴＣＰの接続構造》前記したように、図
７は走査信号駆動回路Ｖや映像信号駆動回路Ｈを構成す
る集積回路チップＣＨＩがフレキシブル配線基板に搭載
されたテープキャリアパッケージの断面構造を示すし、
図６はそれを液晶表示パネルの、本例では走査信号回路
用端子ＧＴＭに接続した状対を示す要部断面図である。

【０１１７】同図において、ＴＴＢは集積回路ＣＨＩの
入力端子・配線部であり、ＴＴＭは集積回路ＣＨＩの出
力端子・配線部であって、例えばＣｕから成り、それぞ
れの内側の先端部（通称インナーリード）には集積回路
ＣＨＩのボンディングパッドＰＡＤが所謂フェースダウ
ンボンディング法により接続される。

【０１１８】端子ＴＴＢ、ＴＴＭの外側の先端部（通称
アウターリード）はそれぞれ半導体集積回路チップＣＨ
Ｉの入力及び出力に対応し、半田付け等によりＣＲＴ／
ＴＦＴ変換回路・電源回路ＳＵＰに、異方性導電膜ＡＣ
Ｆによって液晶表示パネルＰＮＬに接続される。

【０１１９】パッケージＴＣＰは、その先端部がパネル
ＰＮＬ側の接続端子ＧＴＭを露出した保護膜ＰＳＶ１を
覆うようにパネルにＰＮＬに接続されている。従って、
外側接続端子ＧＴＭ（ＤＴＭ）は保護膜ＰＳＶ１かパッ
ケージＴＣＰの少なくとも一方で覆われるので電触に対
して強くなる。

【０１２０】ＢＦ１はポリイミド等からなるベースフィ
ルムであり、ＳＲＳは半田付けの際、半田が余計な所へ
付かないようにマスクするためのソルダレジスト膜であ
る。

【０１２１】シールパターンＳＬの外側の上下ガラス基
板の隙間は、洗浄後にエポキシ樹脂ＥＰＸ等により保護
され、パッケージＴＣＰと上側基板ＳＵＢ２の間には更
にシリコン樹脂ＳＩＬが充填されて保護が多重化されて
いる。

【０１２２】《表示装置全体等価回路》図８は本発明に
よる液晶表示装置の周辺等価回路の概要説明図であっ
て、液晶表示基板は画像表示部がマトリクス状に配置さ
れた複数の画素の集合により構成され、各画素は前記液
晶表示基板の背部に配置されたバックライトからの透過
光を独自に変調制御できるように構成されている。

【０１２３】液晶表示基板の構成要素の１つであるアク
ティブ・マトリクス基板ＳＵＢ１上には、有効画素領域
ＡＲにｘ方向（行方向）に延在し、ｙ方向（列方向）に
並設されたゲート信号線ＧＬと対向電圧信号線ＣＬとそ
れぞれ絶縁されてｙ方向に延在し、ｘ方向に並設された
映像信号線（ドレイン信号線）ＤＬが形成されている。

【０１２４】ここで、走査信号線（ゲート信号線）Ｇ
Ｌ、対向電圧信号線ＣＬ、ドレイン信号線ＤＬのそれぞ
れによって囲まれる矩形状の領域に単位画素が形成され
る。

【０１２５】液晶表示基板には、その外部回路として垂
直走査回路Ｖ及び映像信号駆動回路Ｈが備えられ、前記
垂直走査回路Ｖによって前記ゲート信号線ＧＬのそれぞ
れに順次走査信号（電圧）が供給され、そのタイミング
に合わせて映像信号駆動回路Ｈからドレイン信号線ＤＬ
に映像信号（電圧）を供給するようになっている。

【０１２６】尚、垂直走査回路Ｖ及び映像信号駆動回路
Ｈは、液晶駆動電源回路３から電源が供給されるととも
に、ＣＰＵ１からの画像情報がコントローラ２によって
それぞれ表示データ及び制御信号に分けられて入力され
るようになっている。

【０１２７】《駆動方法》図９は本発明の液晶表示装置
の駆動波形図である。対向電圧をＶＣＨとＶＣＬの２値
の交流矩形波にし、それに同期させて走査信号ＶＧ（ｉ
−１）、ＶＧ（ｉ）の非選択電圧を１走査期間毎に、Ｖ
ＣＨとＶＣＬの２値で変化させる。対向電圧の振幅幅と
非選択電圧の振幅値は同一にする。

【０１２８】映像信号電圧は、液晶層に印加したい電圧
から、対向電圧の振幅の１／２を差し引いた電圧であ
る。対向電圧は直流でも良いが、交流化することで映
像信号電圧の最大振幅を低減でき、映像信号駆動回路
（信号側ドライバ）に耐圧の低いものを用いることが可
能になる。

【０１２９】《蓄積容量部Ｃｓｔｇの働き》蓄積容量部
Ｃｓｔｇは、画素に書き込まれた（薄膜トランジスタＴ
ＦＴがオフした後の）映像情報を長く蓄積するために設
けられる。

【０１３０】本発明で用いている電界を基板面と平行に
印加する方式では、電界を基板面に垂直に印加する方式
と異なり、画素電極と対向電極で構成される容量（所謂
液晶容量）が殆ど無いため、蓄積容量部Ｃｓｔｇは必須
の構成要素である。

【０１３１】又、蓄積容量部Ｃｓｔｇは、薄膜トランジ
スタＴＦＴがスイッチングするとき、画素電極電位Ｖｓ
に対するゲート電位変化△Ｖｇの影響を低減するように
も働く。この様子を式で表わすと次のようになる。

【０１３２】△Ｖｓ＝［Ｃｇｓ／（Ｃｇｓ＋Ｃｓｔｇ＋
Ｃｐｉｘ）］×ΔＶｇここで、Ｃｇｓは薄膜トランジスタＴＦＴのゲート電極
ＧＴとソース電極ＳＤＩとの間に形成される寄生容量、
Ｃｐｉｘは画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間に形成さ
れる容量、△ＶｓはΔＶｇによる画素電極電位の変化
分、所謂フィードスルー電圧を表わす。

【０１３３】この変化分△Ｖｓは液晶ＬＣに加わる直流
成分の原因となるが、蓄積容量部Ｃｓｔｇを大きくする
程、その値を小さくすることができる。

【０１３４】液晶ＬＣに印加される直流成分の低減は、
液晶ＬＣの寿命を向上し、液晶表示画面の切り替え時に
前の画像が残る所謂焼き付きを低減することができる。

【０１３５】前述したように、ゲート電極ＧＴはｉ型半
導体層ＡＳを完全に覆うよう大きくされている分、ソー
ス電極ＳＤＩ、ドレイン電極ＳＤ２とのオーバーラップ
面積が増え、従って寄生容量Ｃｇｓが大きくなり、画素
電極電位Ｖｓはゲート（走査）信号Ｖｇの影響を受けや
すくなるという逆効果が生じる。しかし、蓄積容量部Ｃ
ｓｔｇを設けることによりこのデメリットも解消する。

【０１３６】《製造方法》次に、上述した液晶表示装置
の基板SUB1側の製造方法について説明する。

【０１３７】図１０、図１１および図１２は本発明によ
る液晶表示装置の製造工程の説明図であって、同図にお
いて、中央の文字は工程名の略称であり、図中左側は薄
膜トランジスタＴＦＴ部分、右側はゲート端子付近の断
面形状でみた加工の流れを示す。また、工程Ｂ、工程Ｄ
を除き工程Ａ〜工程Ｉは各写真処理（フォトリソグラフ
ィ）に対応して区分けしたもので、各工程のいずれの断
面図も写真処理後の加工が終わりフォトレジストを除去
した段階を示している。

【０１３８】尚、写真処理とは本発明ではフォトレジス
トの塗布からマスクを使用した選択露光を経て、それを
現像するまでの一連作業を示すものとし、繰り返しの説
明は避ける。以下区分けした工程に従って説明する。

【０１３９】工程Ａ（図１０）ＡＮ６３５ガラス（商品名）からなる下部透明ガラス基
板ＳＵＢ１上に膜厚が３００ｎｍのＡｌ−Ｐｄ、Ａｌ−
Ｗ、Ａｌ−Ｔａ、Ａｌ−Ｔｉ−Ｔａ等からなる導電膜ｇ
１をスパッタリングにより設ける。写真処理後、リン酸
と哨酸と氷酢酸との混酸液で導電膜ｇ１を選択的にエッ
チングする。それによって、ゲート電極ＧＴ、走査信号
線ＧＬ、対向電極ＣＴ、対向電圧信号線ＣＬ、電極ＰＬ
１、ゲート端子ＧＴＭ、共通バスラインＣＢの第１導電
層、対向電極端子ＣＴＭの第１導電層、ゲート端子ＧＴ
Ｍを接続する陽極酸化バスラインＳＨｇ（図示せず）及
び陽極酸化バスラインＳＨｇに接続された陽極酸化パッ
ド（図示せず）を形成する。

【０１４０】工程Ｂ（図１０）直接描画による陽極酸化マスクＡＯの形成後、３％酒石
酸をアンモニアによりＰＨ６．２５±０．０５に調整し
た溶液をエチレングリコール液で１：９に希釈した液か
らなる陽極酸化液中に基板ＳＵＢ１を浸漬し、化成電流
密度が０．５ｍＡ／ｃｍ2 になるように調整する（定電
流化成）。

【０１４１】次に、所定のアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）の膜
厚が得られるのに必要な化成電圧１２５Ｖに達するまで
陽極酸化を行う。その後、この状態で数１０分保持する
ことが望ましい（定電圧化成）。これは均一なＡｌ2 Ｏ
3 膜を得る上で大事なことである。それによって、導電
膜ｇ１が陽極酸化され、ゲート電極ＧＴ、走査信号線Ｇ
Ｌ、対向電極ＣＴ、対向電圧信号線ＣＬ及び電極ＰＬ１
上に膜厚が１８０ｂｎｍの陽極酸化膜ＡＯＦが形成され
る。

【０１４２】工程Ｃ（図１０）膜厚が１４０ｎｍのＩＴＯ膜からなる透明導電膜ｇ２を
スパッタリングにより設ける。写真処理後、エッチング
液として塩酸と硝酸との混酸液で透明導電膜ｇ２を選択
的にエッチングすることにより、ゲート端子ＧＴＭの最
上層、ドレイン端子ＤＴＭ及び対向電極端子ＣＴＭの第
２導電膜を形成する。

【０１４３】工程Ｄ（図１１）プラズマＣＶＤ装置にアンモニアガス、シランガス、窒
素ガスを導入して、膜厚が２２０ｎｍの窒化Ｓｉ膜を設
け、プラズマＣＶＤ装置にシランガス、水素ガスを導入
して、膜厚が２００ｎｍのｉ型非晶質Ｓｉ膜を設けた
後、プラズマＣＶＤ装置にシランガス、水素ガス、ホス
フィンガスを導入して、膜厚が３０ｎｍのＮ（＋）型非
晶質Ｓｉ膜を設ける。

【０１４４】工程Ｅ（図１１）写真処理後、ドライエッチングガスとしてＳＦ6 を使用
してＮ（＋）型非晶質Ｓｉ膜、ｉ型非晶質Ｓｉ膜を選択
的にエッチングすることにより、ｉ型半導体層ＡＳの島
を形成する。

【０１４５】工程Ｆ（図１１）写真処理後、ドライエッチングガスとしてＳＦ６を使用
して、窒化Ｓｉ膜を選択的にエッチングする。

【０１４６】工程Ｇ（図１２）膜厚が６０ｎｍのＣｒからなる導電膜ｄ１をスパッタリ
ングにより設け、さらに膜厚が４００ｎｍのＡｌ−Ｐ
ｄ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｔａ、Ａｌ−Ｔｉ−Ｔａ等から
なる導電膜ｄ２をスパッタリングにより設ける。写真処
理後、導電膜ｄ２を工程Ａと同様の液でエッチングし、
導電膜ｄ１を硝酸第２セリウムアンモニウム溶液でエッ
チングし、映像信号線ＤＬ、ソース電極ＳＤ１、ドレイ
ン電極ＳＤ２、画素電極ＰＸ、電極ＰＬ２、共通バスラ
インＣＢの第２導電層、第３導電層及びドレイン端子Ｄ
ＴＭを短絡するバスラインＳＨｄ（図示せず）を形成す
る。

【０１４７】次に、ドライエッチング装置にＳＦ6 を導
入して、Ｎ（＋）型非晶質Ｓｉ膜をエッチングすること
により、ソースとドレイン間のＮ（＋）型半導体層ｄ０
を選択的に除去する。

【０１４８】工程Ｈ（図１２）プラズマＣＶＤ装置にアンモニアガス、シランガス、窒
素ガスを導入して、膜厚が５００ｎｍの窒化Ｓｉ膜を設
ける。写真処理後、ドレインエッチングガスとしてＳＦ
6 を使用した写真蝕刻技術で窒化Ｓｉ膜を選択的にエッ
チングすることによって、保護膜ＰＳＶ１を形成する。

【０１４９】図１３は本発明の液晶表示装置を実装した
情報機器の一例であるノート型パソコンの説明図であ
る。このパソコンはＣＰＵを持つホストを実装したキ
ーボード部と液晶表示装置を実装した表示部とをヒンジ
で結合したもので、キンボード部のホストからの表示デ
ータはＣＲＴ／ＴＦＴ信号変換および各種のタイミング
信号を生成するＴＣＯＮを搭載した駆動回路基板ＰＣＢ
３から画素駆動チップを搭載した駆動回路基板ＰＣＢ
１，ＰＣＢ２に供給され、液晶パネルＰＮＬに画像を生
成する。

【０１５０】なお、本発明による液晶表示装置は、上記
のようなノート型パソコンに限らず、デスクトップ型等
のパソコンやその他のモニターにも使用できることは言
うまでもない。

【０１５１】［２．画素領域における電極構造の検討］
本発明者は、ＷＯ９５／２５２９１号（対応米国特許
５，７８６，８７６号）公報の図１５として開示された
構成を元に、更に蓄積容量部Ｃｓｔｇを高める構成とし
て、図１４のＡに示す画素領域を有するＩＰＳ表示方式
の液晶表示装置を考えた。図１４のＡは図２にＳＵＢ１
の参照記号で示されるような基板ＳＵＢ上に形成された
電極の配置図を示すものである。

【０１５２】図１に示される電極配置に対し、図１４の
Ａに示される考案された構造は画素領域内にて画素電極
ＰＸと対向電圧信号線ＣＬとを絶縁膜（図示せず）を介
して重複でさせて蓄積容量部を形成している。画素領域
はブラックマトリクスの開口で規定され、ＢＭと付され
た太線の枠内の領域として図１４のＡに示される。

【０１５３】この構造は、対向電圧信号線ＣＬの交差部
からこれに重なるように延びた分岐を有する十字型の画
素電極ＰＸにも特徴付けられる。画素電極ＰＸと対向電
極ＣＴは図１４のＡに示される回路が形成された基板に
面する液晶層の液晶分子の配向を支配する電界を形成す
る。画素電極ＰＸの電位は走査信号線（ゲートライン）
ＧＬから供給される走査信号で制御されるスイッチング
素子（図１４のＡのトランジスタＴＦＴ）の出力に依存
する。対向電極ＣＴの電位は走査信号線ＧＬに沿って並
ぶ各画素領域の対向電極に電気的に接続するように形成
された対向電圧信号線ＣＬにより決められる。

【０１５４】図１４のＡに示される十字型の画素電極Ｐ
Ｘは、これと対向電圧信号線ＣＴとが対向する領域の面
積を広げ、画素領域に印加される電界（液晶分子の配向
を決める電界）を保持するキャパシタの容量を大きくす
る。このため、図１４のＡに示す電極配置を有する画素
は、その光透過率を安定に保てる。さらに画素電極の各
分岐の端部は画素領域内にある（画素領域外に延びな
い）ため、スイッチング素子ＴＦＴが電荷を通過させる
とき、対向電圧信号線ＣＬ上の画素電極ＰＸに電荷は容
易に且つ速く入り又これから出て行ける。従って、上記
画素は走査信号に素早く応答することもできる。

【０１５５】このような利点にも関らず、図１４のＡの
電極配置を有する画素には印加電界による液晶分子の配
向制御に不良が見られた。本発明者は、この不良の生じ
る確率が上記画素電極ＰＸの分岐の延びる方向と後述す
るラビング方向とのなす角度に依存することを見出し
た。

【０１５６】ラビング処理とは、図１４のＡに模式的に
示すように、ラビングローラＲＯＬという円周に繊維の
捲かれた筒を基板の最上面（後に液晶層に面する）に擦
りつけるプロセスである。この最上面は通常配向膜で構
成されている。このプロセスでは、ラビングローラＲＯ
Ｌが矢印ＤＩＲで示された方向に動くことにより、細か
いストライプで図示されるような所定の方向に延びる窪
みをラビングローラを捲く繊維のパイル（毛）ＰＩＬで
基板最上面に形成する。厳密には、ラビングローラは配
向膜を形成するポリマーを配向するとも考えられ、その
配向方向はＤＩＲの方向のみならず、ラビングローラの
回転方向にも依存する。しかし、原子間力顕微鏡（ＡＦ
Ｍ）により、図１４のＢ（図１４のＡのｄ部の拡大）に
示すような微細な起伏がラビング処理後の基板最上面に
観察されることもある。従って、以下の記載における窪
みの延伸方向は上記ポリマーの配向方向をも示すものと
する。一方、以下の記載におけるラビング方向ＤＩＲは
ラビングローラＲＯＬの進行方向から外れることもあ
る。

【０１５７】上記液晶層にその液晶分子を駆動させる電
界を印加しない又はその値が微弱な場合（これらを無電
界状態と便宜的に呼ぶ）、液晶分子は上記窪みの延伸方
向に沿うように配向する。このため、ラビング処理の成
否は無電界状態における液晶分子の配向状況やその印加
電界に対する配向方向の変化としても評価できる。な
お、上述の無電界状態における液晶分子の配向方向を初
期配向方向とも呼ぶ。

【０１５８】上述の配向不良は、ラビングローラＲＯＬ
が対向電圧信号線ＣＴと画素電極ＰＸが重なる部分を乗
り越える図１４のＡのａ，ｂの部分で生じた。

【０１５９】本発明者は、上記対向電圧信号線ＣＴと上
記画素電極ＰＸとの交差部から画素電極ＰＸを左右に延
ばす図１４のＡのような構成に代えて、対向電圧信号線
ＣＴを上下に延ばした図１５の構成を考案した。対向電
圧信号線の分岐の上下端は、図１５に点線で表示され
る。図１５での対向電圧信号線ＣＴと画素電極ＰＸとの
重なりによる基板ＳＵＢ主面からの段差の増大は、図２
７のＡのｂに代わり、ｃで生じる。図１５の構成におい
て、ａ，ｃ部（図１４のＡのａ，ｂ部に夫々対応する）
での配向不良は殆ど無視できた。

【０１６０】このことから、上記配向不良の問題を起こ
す原因はラビング方向に存在する段差の大きさ、及びそ
の段差の延びる方向とラビング方向のなす角度にあると
判断した。

【０１６１】ラビングローラ円周上の繊維には、曲率半
径２０μｍほどの先端部を持つパイルが密集している。
このため、ラビング処理される面から見たラビングロー
ラの側壁は、半径２０μｍ程度の球の塊に例えられる。
図１４のＣは、ラビングローラＲＯＬの基板面に接する
パイルＰＩＬを半径ｒの球として示す。ラビングローラ
は、その回転方向（白矢印Ｒｏｔａｔｅ）に逆らう方向
ＤＩＲに移動し、パイルＰＩＬと基板面の摩擦を高め
る。また、ラビングローラは適度な圧力（白矢印Ｐｒｅ
ｓｓ）でパイルＰＩＬを基板面に押付けている。

【０１６２】図１４のＣは、ラビングローラＲＯＬが左
側の基板面から高さｈの段差に差し掛かる様子を示す。
図示された位置から右側にラビングローラが進む場合、
パイルＰＩＬは段差上面に押さえられ、左側の基板面か
ら離れる。これにより、ラビングローラは段差に乗り上
がる。従って、左側の基板面の段差端部からｘまでに
は、図１４のＣが示すように毛ＰＩＬが接触しない部分
や接触しても圧力が殆ど掛からない部分が現れる。この
ため、これらの部分の基板面には、図１４のＢに示すよ
うな所定の方向に延びる起伏が形成されず、又は不充分
な起伏パターンとなるため、夫々に面する液晶分子は無
配向又は配向不良の状態となる。

【０１６３】図１に示すような構造を有する従来の液晶
表示装置では、画素電極ＰＸ等により画素領域内に生じ
る段差を保護膜（シリコン酸化膜、シリコン窒化膜等の
絶縁膜）で覆い、段差周辺でのラビング不良（配向不良
の原因）を画像表示動作に支障を与えないように抑えて
いる。本発明者は、図１４のＡにおける画素電極ＰＸと
対向電圧信号線ＣＬとの重なりを上記保護膜で覆って
も、ラビング不良が依然として表示動作に支障をきた
し、特に画質を劣化させることを認識した。

【０１６４】［３．配向不良抑制に好適な電極構造］本
発明により実施される配向不良抑制に好適な電極構造を
次に述べる。これらの実施形態は、実施例を参照して以
下に詳細に説明される。なお、以下の説明における図面
で、同一機能を有するものは同一符号を付し、その繰り
返しの説明はしない。

【０１６５】図１６は本発明による液晶表示装置の第１
実施例の要部構造を説明する遮光膜で囲まれた一画素の
平面構造の模式図である。

【０１６６】同図において、映像信号線ＤＬの信号電圧
が映像信号線ＤＬと走査信号線ＧＬおよびａ−Ｓｉ膜と
で形成された薄膜トランジスタＴＦＴのオンにより画素
電極ＰＸに伝わり、対向電圧信号線ＣＬと画素電極ＰＸ
とで形成される蓄積容量部Ｃｓｔｇに保持される（な
お、図１６では対向電圧信号線ＣＬと画素電極ＰＸの間
に形成される誘電体膜ＰＳＩ（絶縁膜）は図示を省略し
てある。

【０１６７】この蓄積容量部Ｃｓｔｇに保持された信号
によって画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間にある液晶
を駆動する。

【０１６８】このとき、対向電圧信号線ＣＬはブラック
マトリクスＢＭの開口部（画素領域）の略中央にあり、
液晶は上記対向電圧信号線ＣＬに対し、液晶の初期配向
方向の角度θＲをもっている。なお、初期配向方向の角
度θＲは一般に６０°〜９０°である。

【０１６９】図１７は図１６の１７ＡＢ−１７ＡＢ線に
沿った蓄積容量部Ｃｓｔｇの断面図である。蓄積容量部
の特徴は既に説明したとおりである。従って、例えば対
向電圧信号線ＣＬをアルミニウムのスパッタ膜で形成す
る場合、その誘電体膜ＰＳ１は図１２に示されるように
上記スパッタ膜の陽極酸化膜ＡＯＦと薄膜トランジスタ
ＴＦＴのゲート酸化膜ＧＩ６からなる。

【０１７０】同図（ａ）に示したように、対向電圧信号
線ＣＬと画素電極ＰＸの端部は、基板ＳＵＢの面に対し
てそれぞれ傾斜角θＣＬ、θＰＸを有している。基板Ｓ
ＵＢは、先述の図２及び３において例えばＳＵＢ１とし
て示される。なお、ＰＳ１．ＰＳ２はパッシベーション
膜（保護膜＝絶縁膜）である。

【０１７１】液晶組成物の配向処理は、同図の画素電極
ＰＸを含む基板全面を覆って形成したパッシベーション
膜（保護膜＝絶縁膜）ＰＳ２の上に塗布された配向膜Ｏ
ＲＩの表面をレーヨン繊維等のバフ布で一方向に擦るこ
とで行うが、蓄積容量部Ｃｓｔｇは電極膜や絶縁膜の積
層構造であるため、有効表示領域である画素領域内の他
の部分に比べて膜厚が厚く、液晶の配向処理を妨げる。
すなわち、ラビング処理は上記したバフ布を巻き付けた
ローラ（ラビングローラ）を回転させながら配向膜と所
定の間隙を以て上記バフ布を接触させつつ移動させるも
のであり、上記のような段差部分ではラビングローラの
乗り上げが起こる。このとき、当該段差部分の縁では配
向膜とバフ布が正常に接触せず、あるいはラビング量が
変化することで、所謂ラビング不良が発生する。なお、
配向膜ＯＲＩは、先述の図２においてＯＲＩ１と表示さ
れるものである。

【０１７２】図１７の（ａ）において、θＰＸ＜θＣ
Ｌ、かつ９０°＜θＣＬであり、上層に形成した画素電
極ＰＸのパターンを下層に形成した対向電圧信号線ＣＬ
のパターンからはみ出さないように設けること、すなわ
ち、対向電圧信号線ＣＬの平面形状が蓄積容量部Ｃｓｔ
ｇを構成する積層構造の輪郭の大部分を形成させること
により、当該蓄積容量部Ｃｓｔｇ全体のパターン部分と
画素領域内の他の部分との境界が滑らか（緩やか）にな
ってラビング処理が妨げられることがなく。配向不良が
著しく抑制される。

【０１７３】なお、図１７の（ｂ）に示したように、画
素電極ＰＸの傾斜角θＰＸが９０°に近く、あるいは９
０°を越えて当該画素電極ＰＸの端でラビング不良が生
じても、対向電圧信号線ＣＬの材料が不透明な金属であ
れば、上記ラビング不良部分が遮光されるため、表示に
影響を及ぼさない。

【０１７４】図１８は本発明による液晶表示装置の第２
実施例の要部構造を説明する遮光膜で囲まれた一画素の
平面構造の模式図である。

【０１７５】この実施例は図１６に示した第１実施例に
おける画素電極ＰＸ及び対向電極ＣＴの数を増やしたこ
とを除いて図１６と同一構成である。この構成は大画面
の液晶表示装置に好適である。

【０１７６】図１９は本発明による液晶表示装置の第３
実施例の要部構造を説明する遮光膜で囲まれた一画素の
平面構造の模式図である。

【０１７７】また、図２０は図１６の２０Ａ−２０Ａ線
（液晶配向に沿う方向）に沿った断面図と図１９の２０
Ｂ−２０Ｂ線（液晶配向に沿う方向）に沿った断面図で
ある。

【０１７８】前記第１実施例では、図に示したように蓄
積容量Ｃｓｔｇに接続されている画素電極ＰＸが、対向
電圧信号線ＣＬの縁で形成される段差を乗り越えてい
る。

【０１７９】前記乗り越え部の画素電極ＰＸ上（図１６
のαで示した部分）では、図２０の（ａ）のαで示した
部分の如く、その傾斜角が縁の傾斜が緩やかな下層の対
向電圧信号線ＣＬの当該傾斜角θＣＬと略同一であるた
め、高さの高い段差であってもラビング不良の発生が少
ない。

【０１８０】しかし、前記乗り越え部での画素電極ＰＸ
の縁（図１６のβで示した部分）では、図２０の（ａ）
のβで示した部分の如く画素電極ＰＸの縁の傾斜角θＰ
Ｘ（θＰＸ＞θＣＬ）が現れており、ラビング方向に関
して段差の傾斜がきつくなるためラビング不良が発生す
る。

【０１８１】そこで、本実施例では、対向電圧信号線Ｃ
Ｌを図１９に示したように、前記乗り越え部での画素電
極ＰＸの縁の方向θＳをラビング方向θＲに合わせたも
のである。

【０１８２】図１９の画素電極ＰＸ上のラビング方向θ
Ｒに沿った２０Ｂ−２０Ｂ線での断面図を図２０の
（ｂ）に示す。前記乗り越え部の画素電極ＰＸ上（図１
９のαで示した部分）では、図２０の（ｂ）のαで示し
た部分の如く、その傾斜角が縁の傾斜が緩やかな下層の
対向電圧信号線ＣＬの当該傾斜角θＣＬと略同一である
ため、高さの高い段差であってもラビング不良の発生が
少ない。

【０１８３】また、前記第１実施例で問題となった前記
乗り越え部での画素電極ＰＸの縁（図１９にβで示す）
については、図２０の（ａ）にβで示した部分と同様に
段差があるものの、前記乗り越え部での画素電極ＰＸの
縁の方向θＳをラビング方向θＲに合わせてあるため、
前記段差部（βで示した部分）ではラビングを行うため
のラビングローラの動きは阻害されない。したがって、
ラビング不良の発生が少ない。

【０１８４】図２１は本発明による液晶表示装置の第４
実施例の要部構造を説明する遮光膜で囲まれた一画素の
平面構造の模式図である。

【０１８５】この実施例は図１９に示した第３実施例に
おける画素電極ＰＸおよび対向電極ＣＴの数を増したこ
とを除いて図１９と同一構成である。この構成も大画面
の液晶表示装置に好適である。図２２は本発明による
液晶表示装置の第５の実施例の要部構造を説明する遮光
膜で囲まれた一画素の平面構造の模式図である。前記第
３の実施例では、図１６に示したような対向電圧信号線
ＣＬの縁で形成される段差を、蓄積容量Ｃｓｔｇに接続
されている画素電極ＰＸが乗り越える際、前記乗り越え
方向θＳをラビング方向θＲに合わせる事によりラビン
グ不良の発生を防止した。

【０１８６】前記に対し、本実施例では遮光膜の開口部
ＢＭに露出する配線交差部βや配線接合部γの、交差角
θＡ或いは接合角θＢを鈍角（１８０度未満）にする事
により、前記交差部β、或いは接合角γ付近でのパッシ
ベーション膜を滑らかに形成する事ができ、段差が緩和
され、ラビング不良の発生を防止できる。

【０１８７】前記配線交差部βの断面図は、第３実施例
の断面図である図２０の（ａ）のβ部に相当する。前記
交差角θＡの鈍角化により、パッシベーション膜ＰＳ２
の形成が滑らかになり、その結果上層に形成される配向
膜ＯＲ１も滑らかになることで、ラビングローラの動き
も滑らかになる。したがって、ラビング不良の発生を防
止できる。配線接合部γに関しても、同様に接合角θＢ
の鈍角化により、パッシベーション膜ＰＳ１及びＰＳ２
形成が滑らかになり、ラビング不良の発生を防止でき
る。

【０１８８】図２３は本発明による液晶表示装置の第６
実施例の要部構造を説明する遮光膜で囲まれた一画素の
平面構造の模式図である。また、図２４は図９の２４Ａ
Ｂ−２４ＡＢ線に沿った断面図である。

【０１８９】図２３における蓄積容量部Ｃｓｔｇでは、
上層の画素電極ＰＸの平面形状の輪郭が下層の信号電圧
信号線ＣＬの縁からはみ出しており、当該蓄積容量部Ｃ
ｓｔｇの平面形状の輪郭の大部分を形成している。

【０１９０】図２４の（ａ）に示したように、画素電極
ＰＸの縁の傾斜角θＰＸは下層の信号電圧信号線ＣＬの
縁の傾斜角θＣＬよりも大（θＰＸ＞θＣＬ）、かつθ
ＰＸ＞９０°である。

【０１９１】このように、本実施例では、上層に形成す
る画素電極ＰＸのパターンを下層の信号電圧信号線ＣＬ
からはみ出させた構成としたことにより、蓄積容量部Ｃ
ｓｔｇとその周辺の配向膜の境界が滑らかとなり、ラビ
ング不良が回避される。

【０１９２】なお、図２４の（ｂ）に示したように、下
層の信号電圧信号線ＣＬの縁が９０°あるいは９０°近
傍または９０°＜θＣＬとなって信号電圧信号線ＣＬの
縁に対応する画素電極ＰＸの部分でラビング不良が生じ
ても、画素電極ＰＸが不透明な金属等であれば、そのラ
ビング不良部分は遮光されるため、表示に影響を及ぼす
ことはない。

【０１９３】図２５は本発明による液晶表示装置の第７
実施例の要部構造を説明する遮光膜で囲まれた一画素の
平面構造の模式図である。

【０１９４】この実施例は図２３に示した第６実施例に
おける画素電極ＰＸおよび対向電極ＣＴの数を増したこ
とを除いて図２３と同一構成である。この構成も大画面
の液晶表示装置に好適である。

【０１９５】上述の第１乃至第７実施例は、ラビング不
良（配向不良の原因）は主としてラビング方向に存在す
る段差の大きさに依存するという本発明者の認識による
ものである（［２．画素領域における電極構造の検討］
参照）。これらの実施例に共通する構造的な特徴を最も
簡素な構造を有する図１６を例に説明する。

【０１９６】図１６に示す如く、上記共通の特徴とは、
画素領域において互いに異なる方向に延伸し且つ交差す
る２つの導電層（導電体膜）が次のように配置されるこ
とにある。一方の導電層の輪郭が他方の導電層の輪郭内
に収まるようにこれらを重ね、少なくとも一方の導電層
を更に上記交差部分から他方の導電層の延伸方向に延ば
すように配置する。各々の導電層は画素領域においてそ
れ自体で段差を形成し且つ互いに重なり合うことで段差
を高くする物体に他ならない。一般的に、このような物
体は画素領域において電気信号を伝送し又は電界を印加
する導電層である。

【０１９７】ここで、図１４のＡと図１６とを比較して
みる。図１４のＡの構成で、ラビング不良をもたらした
ａ，ｂの部分は図２６のＡのように示される。これに対
し、図１６の構成におけるａ，ｂの部分は図２６Ｂのよ
うに示される。図２６のＡ及び同Ｂを比較して明らかな
ように、図２６のＢではラビング方向ＤＩＲ（Ｎｐ）に
対し、対向電圧信号線ＣＬの「テラス」が形成される。
図１４のＣに示される段差（ｂｕｍｐ）がその側面に図
２６のＢのｂ部分に見られるようなテラスを有する場
合、ラビングローラは基板表面上を段差の近くまで動い
ていき、そして段差側面のテラスに乗り上げる。従っ
て、図１４のＣの距離ｘは縮まる。このモデルを図２６
Ｂの構造に適用したとき、対向電圧信号線ＣＬと画素電
極ＰＸとの重なり周辺におけるラビング不良は図１６の
構造を有する画素の表示動作不良と画質劣化を防ぐに足
る程度に抑えられる。

【０１９８】これらの考察から、図２７の構造も配向不
良防止に対し図１６の構造と同様な効果を提供するもの
である。図２７では、対向電圧信号線ＣＬが画素電極Ｐ
Ｘの延伸方向に沿って延びる分岐部分を有し、且つその
輪郭は画素電極ＰＸの輪郭内に収まっている。対向電圧
信号線ＣＬの上記分岐部分は、破線の矩形で図示される
ように画素電極ＰＸの下に配置されているため、画素電
極ＰＸの上面には分岐部分の輪郭に応じてテラスが生じ
る。このテラスが図１６のそれと同様に配向不良を防
ぐ。

【０１９９】図２７の構成は、Ｎｎと呼ばれるネマティ
ック液晶を利用する液晶表示装置において利点を有す
る。その理由は以下のとおりである。

【０２００】図１５の構成に関する先述の説明に反し、
この構成においてもＮｎ型と呼ばれる液晶材料を用いた
場合、配向不良は多発する。即ち、配向不良の生じる確
率は、画素電極ＰＸと対向電圧信号線ＣＬとの重なりで
形成される段差の延伸方向とラビング方向との関係に依
存するためである。

【０２０１】一般的に液晶分子は一方向に延びる構造を
有する。図２８に液晶分子の一例を挙げる。この分子は
一端のベンゼン環にフッ素（fluorine）とシアン基を有
する化合物を示す。本明細書では、このような分子構造
をその下に示す円筒として示す。液晶分子は、その誘電
率にも特徴を有する。液晶分子は２種類の誘電率を有
し、その一方は図２８に分子（円筒）の長軸方向に沿っ
て規定されるε１であり、他方は分子の短軸方向に沿っ
て規定されるε２である。一般的に、この２つの誘電率
は異なり、Δε＝ε１−ε２と規定される差は「誘電率
異方性」と呼ばれる。

【０２０２】ＩＰＳ型液晶表示装置には、２種類のネマ
ティック液晶分子が用いられる。一方はε１がε２より
大きい（Δε＞０）Ｎｐ型であり、他方はε１がε２よ
り小さい（Δε＜０）Ｎｎ型である。

【０２０３】Ｎｐ型の液晶分子を用いるＩＰＳ型の液晶
表示装置では、分子はその長軸方向が画素電極ＰＸ又は
対向電極ＣＴの延伸方向に沿い又はこれとなす角度を抑
えるように配向される。

【０２０４】これに対し、Ｎｎ型の液晶分子を用いるＩ
ＰＳ型の液晶表示装置では、分子はその長軸方向が画素
電極ＰＸ又は対向電極ＣＴの延伸方向に直交するか又は
これとなす角度が大きくなるように配向される。

【０２０５】このため、Ｎｐ型を用いる液晶表示装置に
好適なラビング方向はＮｎ型を用いる液晶表示装置のそ
れと異なる。この相違の一例を、図１６及び２７に前者
のラビング方向をＤＩＲ（Ｎｐ）、後者のそれをＤＩＲ
（Ｎｎ）として示した。ラビング方向ＤＩＲ（Ｎｎ）に
着眼して、図１５と図２７とを比較すると、図１５の
ａ，ｃにて配向不良が生じることは、先述の図１４のＡ
の説明から明らかである。

【０２０６】ここで注目すべきは、図１６及び２７のい
ずれにおいても、ラビング方向に関らず、ラビングロー
ラは必ず上述の「テラス」を経由して対向電圧信号線Ｃ
Ｌと画素電極ＰＸとの重なり部分を通過することであ
る。図１６の電極構造に対し図２６のＢを用いて行った
考察と同様の考察を図２２の電極構造に対して図２６の
Ｃを用いて行うことにより、図２２の構成に関しても同
じ作用が生じることが見出される。図２２の構成では、
対向電圧信号線ＣＬと画素電極ＰＸとの交差部分にて、
少なくとも一方のコーナーを複数の鈍角コーナで構成す
ることにより交差部分の周辺に図２６のＣに示されるよ
うなテラスができる。従って、ここで検討を加えた図１
６，２２，２７のいずれの電極構造においても、これに
施されるラビングの方向に関係なく配向不良を低減する
効果が生じる。また、上述の対向電圧信号線ＣＬを対向
電極ＣＴに代えたとしても、配向不良による画質劣化は
防止できる。

【０２０７】なお、上述のようにラビング条件は、ラビ
ングローラの駆動条件、電極層又は配線層と基板最上面
（ラビングされる面）との間に形成される保護膜の状態
にも依存する。従って、上述の構成による配向不良防止
をさらに確実にするオプションとして、上記電極層又は
配線層の側面を傾斜させることや、交差部分周辺におけ
る電極の延伸方向を部分的にラビング方向に沿わせるこ
とを推奨する。

【０２０８】［４．表示不良抑制に好適な電極構造］本
発明者は、上述の電極構造を検討する過程で、別の問題
について分析を行い、その解決手段を着想した。ここで
検討する問題は、液晶層の電圧保持機能の劣化が招く液
晶表示装置の表示不良である。この問題は、微量の電極
材料が不純物として液晶層に溶け出すことで生じると考
えられてきた。従って、上記表示不良は、液晶表示装置
のエイジングにより溶出し得る不純物を枯渇させること
で解決されると考えられてきた。しかし、実際はエイジ
ングにより表示不良となる領域が液晶分子の配向方向に
沿うように延びる。

【０２０９】図１４のＡの電極配置を有する液晶表示装
置で上述の表示不良を起こしたものを調べたところ、図
中のａ，ｅとして示した領域にある導電層ＣＴ，ＣＬ，
ＰＸの各々が構成するコーナを覆う夫々の保護膜（絶縁
膜）に穴が見られた。そこで、発明者は領域ｅにおける
対向電極ＣＴと対向電圧信号線ＣＬとを別の形状のコー
ナで接合することを着想した。この別のコーナ形状は、
図２９のＢの左側に示すように図１４のＡの電極構造に
用いられている図２９のＡ左側のコーナ形状と異なるも
のである。図２９のＡの左側に示す電極構造は図１４の
Ａの領域ｅの左下にあるコーナの拡大図である。図２９
のＡ，Ｂの夫々の右側に示すスケッチは、上記コーナの
夫々を覆うように化学気相成長法で形成された絶縁膜の
形状を示す。

【０２１０】アクティブマトリックス型の液晶表示装置
は、その基板上部に少なくとも２種類の絶縁膜を有す
る。一つは、画素電極に駆動電圧を印加するスイッチン
グ素子（トランジスタＴＦＴ）のチャネルとその開閉を
行う電界信号を行う電極（ゲートラインＧＬとして図
示）とを隔てる保護膜ＰＳ１（ゲート絶縁膜とも呼ぶ）
である。チャネルとはキャリア（電子又は正孔）が通過
する領域のことで、図１４Ａにおいてスイッチング素子
ＴＦＴの非晶質シリコン領域ＡＳとして表示される。他
方は、画素電極等の導電層を覆い且つこれらによる起伏
を液晶分子が配向される基板最上面にて低減する保護膜
ＰＳ２である。この最上面は液晶層に対向し、この層中
に存在する液晶分子を所望の方向に配向させる。

【０２１１】上記図２９のＡ，同Ｂに示す絶縁膜は、前
者の保護膜ＰＳ１である。図２９のＡのスケッチが示す
ように、対向電極ＣＴと対向電圧信号線ＣＬとが直交す
るコーナを覆う保護膜ＰＳ１には穴が見られた。これに
対し、これらを２箇所の鈍角コーナで交差させた図２９
のＢでは、鈍角コーナを覆ういずれの保護膜にも穴が見
られなかった。

【０２１２】そして、対向電極ＣＴと対向電圧信号線の
ＣＬとを図２９のＢのように接合させて液晶表示装置を
作製したところ、上述の表示不良は生じなかった。

【０２１３】さらに、図１４のＡの領域ａにおける画素
電極の形状を検討した。図３０のＡの左側に示す電極構
造は、図１４のＡの領域ａの左下にあるコーナの拡大図
である。この図において、画素電極ＰＸは対向電圧信号
線ＣＬを跨ぎ（ＰＸ on ＣＬの右側）、ここから対向電
圧信号線ＣＬ上に延びる分岐（ＰＸ on ＣＬの左側）を
有する。この分岐は、先述の保護膜ＰＳ１（図示せず）
を介して対向電圧信号線ＣＬと対向して画素電極ＰＸの
電位を維持する容量を形成する。

【０２１４】本発明者は、画素電極ＰＸとその分岐とを
鈍角にて接合する図３０のＢに示すような別の電極構造
を着想した。そして、図３０のＡ，同Ｂに示す双方の電
極を作製し、これらを覆う上記保護膜ＰＳ２を化学気相
成長法で形成した。図３０のＡ，同Ｂの右側に夫々示す
スケッチは、これらの保護膜を各図の左側に矢印Ｏｂｓ
として示した方向から見た斜視図である。画素電極とそ
のブランチを図３０のＡのように接合するコーナを覆う
保護膜ＰＳ２に穴が見られたのに対し、これらを図３０
のＢのように接合するコーナを覆う保護膜ＰＳ２には穴
が見られなかった。

【０２１５】そして、図３０のＢの接合構造を適用して
液晶表示装置を作製したところ、上述の表示不良は生じ
なかった。

【０２１６】このことから、上述の表示不良を起こす原
因は、電位の異なる電極層又は配線層が保護膜の穴を介
して液晶層に曝されることにあると判断した。この現象
は、図３１のＡＣに示すモデルにより、次のように説明
される。

【０２１７】まず、図３１のＡに示されるように、基板
ＳＵＢ上に形成され且つ保護膜ＰＳ１並びにＰＳ２に覆
われた対向電極ＣＴと保護膜ＰＳ１上に形成され且つ保
護膜ＰＳ２に覆われた画素電極ＰＸとを有する構造にお
いて、この画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間に電圧を
印加する。この印加電圧は、ここでの説明において維持
されることにする。従って、画素電極ＰＸは対向電極Ｃ
Ｔに対して高い電位（正電位）となる。画素電極ＰＸ及
び対向電極ＣＴは、配向膜ＯＲＩ１及び保護膜ＰＳ２，
ＰＳ１を突き抜ける穴によって液晶分子ＬＣが封入（封
止）された液晶層に曝されている。

【０２１８】図３１のＡの状態にて、画素電極の材料は
陽イオンｐ−ＩＯＮとして液晶層中に溶け出す。液晶層
を溶媒として見れば、液晶層の極性は、これに溶出する
陽イオン量に従い正電位を帯びる。従って、画素電極か
ら陽イオンは次第に溶け出し難くなる。

【０２１９】しかし、この液晶層に負電位の対向電極Ｃ
Ｔも曝されているため、正に極性が転じた液晶の極性は
対向電極ＣＴによる構成材料の陰イオンｎ−ＩＯＮの液
晶層への溶出を誘発する（図３１のＢ）。これにより液
晶層の汚染が進み（着色部分）、その抵抗値が低下す
る。

【０２２０】そして、過剰の負イオンにより液晶層の極
性が負になると、画素電極による構成材料の陽イオン溶
出が再び誘発される。図３１のＣが示すように液晶の汚
染と抵抗低下は顕著となり（濃くなった着色部分）、上
記画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間にリーク電流が生
じる。この結果、液晶層の抵抗が低下し、液晶分子ＬＣ
の配向を制御する画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの電位
差が保持できなくなる。このため、ノーマリ・ブラック
表示方式（電位差を減らすほど画素の光透過量が落ちる
方式）の液晶表示装置においては、画面上に予期せぬ黒
いスポットが現れる。これが、上述の表示不良である。

【０２２１】以上、上記表示不良の原因となる現象をス
テップ毎に簡単に説明したが、実際の現象は液晶層の極
性の平衡からの微妙なずれにより進むものと考えられ
る。

【０２２２】上述の事実と現象に基づき、本発明者は図
２２に示される第５実施例の構成が別の利点をも有する
ことを認識した。図２２に示される交差角θＡ或いは接
合角θＢの鈍角化により、パッシベーション膜ＰＳ１お
よびＰＳ２による配線および電極の被覆能力が向上し、
配線間或いは電極間の電解反応に起因する表示むら不良
を防止する事ができる。

【０２２３】従って、交差角θＡ或いは接合角θＢを鈍
角化することにより、汚染による液晶層への印加電圧の
降下が防止でき、液晶表示装置は上述の表示不良の影響
を受けなくなる。画素電極ＰＸおよび対向電極ＣＴの交
差する配線交差部の４つの角部を直角に交差させると、
ＣＶＤ法等の膜堆積の過程において、上記交差する４つ
の角部の膜堆積が充分行われずに、細かい穴が生じる。
このような細かい穴が、上述の液晶層の汚染を起こすの
である。

【０２２４】図３２は本発明による液晶表示装置の第８
実施例の要部構造を説明する遮光膜で囲まれた一画素の
平面構造の模式図である。この実施例は図２２に示した
第３実施例における画素電極ＰＸおよび対向電極ＣＴの
数を増やした事を除いて図２２と同一構成である。この
構成も大画面の液晶表示装置に好適である。

【０２２５】図３３は本発明による液晶表示装置の第９
実施例の要部構造を説明する遮光膜で囲まれた一画素の
平面構造の模式図である。

【０２２６】前記第６実施例において、図２３に示した
ように対向電圧信号線ＣＬと蓄積容量Ｃｓｔｇの交差部
βや、蓄積容量Ｃｓｔｇと画素電極ＰＸの接合部γが直
交或いは鋭角になっていると、前記交差部βや接合部γ
の近傍ではパッシベーション膜ＰＳ１或いはＰＳ２が滑
らかに形成されにくく、ラビング不良の原因となる場合
がある。

【０２２７】前記に対し、第６実施例と同様に本実施例
では遮光膜の開口部ＢＭに露出する配線交差部βや配線
接合部γの、交差角θＡ或いは接合角θＢを鈍角（９０
度未満）にする事により、前記交差部β、或いは接合角
γ付近でのパッシベーション膜を滑らかに形成する事が
でき、段差が緩和され、ラビング不良の発生を防止でき
る。

【０２２８】また、交差角θＡ或いは接合角θＢの鈍角
化により、パッシベーション膜ＰＳ１およびＰＳ２によ
る配線および電極の被覆能力が向上し、配線間或いは電
極間の電解反応に起因する表示むら不良を防止する事が
できる。

【０２２９】図３４は本発明による液晶表示装置の第１
０の実施例の要部構造を説明する遮光膜で囲まれた一画
素の平面構造の模式図である。

【０２３０】この実施例は図３３に示した第９実施例に
おける画素電極ＰＸおよび対向電極ＣＴの数を増やした
事を除いて図３３と同一構成である。この構成も大画面
の液晶表示装置に好適である。

【０２３１】図２９及び図３０による検討結果と図３１
のＡ〜Ｃで説明した現象から、本発明者は上述の第５、
８、９、１０実施例は、これらの表示不良防止効果を損
なうことなく更に簡素な構成に変えられることを認識し
た。一例として、第５実施例をあげ、これが次の２形態
に簡素化できることについて説明する。

【０２３２】第１の構成は、図３５のＡの領域ｅ’が示
すように対向電極ＣＴと対向電圧信号線ＣＬとの接合角
を鈍角、即ち９０°より大きい角度のコーナで形成する
ことである。第２の構成は、図３５のＢの領域ａ’が示
すように画素電極ＰＸと対向電圧信号線ＣＬとの交差部
を鈍角のコーナで形成することである。

【０２３３】これらの構成のバリエーションを根拠を説
明するため、図２９のＡ及び図３０のＡに戻り、保護膜
の穴の原因について考察する。

【０２３４】図２９のＡのＣ−Ｃ’断面や図３０のＡの
Ｄ断面が夫々示すように、高さの異なる表面に保護膜を
成長させる場合、低い方の表面に成長する保護膜ＰＳ１
Ｌ，ＰＳ２Ｌがコーナに到達する前に高い方の表面に成
長する保護膜ＰＳ１Ｈ，ＰＳ２Ｈがコーナ付近にて低い
方の表面を覆う。このため、低い方の表面に成長する保
護膜ＰＳ１Ｌ，ＰＳ２Ｌはコーナまで到達できない。ま
た、保護膜の成長端には、夫々の断面図の保護膜ＰＳ
１，ＰＳ２内に矢印で記した方向にカール（curl）が生
じる。このため、高い方の表面に成長する保護膜ＰＳ１
Ｈ，ＰＳ２Ｈは低い方の表面に到達し難くなる。その結
果、双方の保護膜の接合が不充分となり、上述の保護膜
の穴（換言すれば、隙間）が生じる。

【０２３５】以上の事実に基づき、保護膜の穴を防止に
は、コーナ付近における（１）高い方の表面での保護膜
の成長の抑制と（２）低い方の表面での保護膜の成長の
促進が必要と判断した。即ち、観点（１）で高い方の表
面から成長膜が低い方の表面を覆うように押し出される
ことを抑える。また、観点（２）でコーナ付近の低い方
の表面が高い方の表面から押し出される成長膜に覆われ
る前に低い方の表面に成長する保護膜で覆う。

【０２３６】観点（１）に関し、互いに接合し（図３５
のＡのＣＴ，ＣＬ）又は交差し（図３５ＢのＣＬ，Ｐ
Ｘ）合う形状の面では、その接合部又は交差部から伸び
る複数の面で保護膜が成長し、接合部（ｅ‘）又は交差
部（ａ’）へ延びていく。これらの成長膜は上記接合部
又は交差部で鉢合わせとなり、互いに成長速度を高める
ため、この部分からはみ出すことになる、図３５のＡ，
同Ｂのように接合部又は交差部を鈍角にすると、上記は
み出しを抑制するに十分な面積を有する接合部又は交差
部を確保できる。

【０２３７】観点（２）に関し、その上部に互いに接合
し（図３５ＡのＣＴ，ＣＬ）又は交差し（図３５のＢの
ＣＬ，ＰＸ）合う形状の物体が形成された面（ＳＵＢ）
を想定すると、この面における保護膜の成長に対して上
記物体は障害物となる。図２９のＡのＣ−Ｃ’断面や図
３０のＡのＤ断面が示すように保護膜の成長端部は丸み
を帯びているため、これが成長する面に上記物体を直角
又は鋭角に接合したコーナがあると、そのコーナ（物体
の壁）まで到達し難い。しかし、図３５のＡ，同Ｂのよ
うに、このコーナが鈍角になるように上記物体を接合す
ると、コーナと保護膜の端部との形状が近くなる。そし
て、保護膜の成長端部はコーナに到達し易くなる。

【０２３８】以上の検討から、表示不良防止に好適な構
成として、次のようなものも推奨する。

【０２３９】まず、図３５のＢの領域ａ’の画素電極Ｐ
Ｘと対向電圧信号線ＣＬとの交差形状を変えた例を図３
６のＡ，Ｂに示す。いずれも、絶縁膜を介して対向する
画素電極ＰＸと対向電圧信号線ＣＬとの面積を広くし、
画素電極の電位を安定にする容量（付加容量又は蓄積容
量とも呼ばれる）を大きくするに好適な構成である。

【０２４０】図３６のＡは、対向電圧信号線ＣＬを交差
する方向に延びる画素電極ＰＸとその両側から対向電圧
信号線ＣＬを覆うように延びる画素電極ＰＸの分岐を１
箇所の鈍角のコーナで接合した構成である。図３６のＢ
は、画素電極ＰＸの分岐を設ける図３５のＢの構成に代
えて、対向電圧信号線ＣＬの幅を画素電極ＰＸとの交差
部付近で鈍角のコーナにより広げたものである。図３６
のＡ，Ｂに示すいずれの構成は、既述のラビング不良防
止の効果も示す。

【０２４１】次に、上記観点（２）に関する議論から、
図３５のＡの接合部（領域ｅ’）又は図３５のＢの交差
部（領域ａ’）に形成される鈍角のコーナを２箇所以上
に増やしても上述の表示不良防止に好適な構成が実施で
きる。図３７は、図３５のＡの対向電極ＣＴと対向電圧
信号線ＣＬとの接合部を３箇所の鈍角コーナで形成した
例を示す。接合部の形状は鈍角コーナを増やすだけ基板
ＳＵＢ上で成長する保護膜の端部の形状に近くなるた
め、その接合部への到達は速くなる。従って、接合部の
鈍角コーナを無限に増やした形状、所謂曲線状の接合部
も基板ＳＵＢ上で成長する保護膜の当該接合部への到達
を速める。

【０２４２】図３５のＡの接合部（領域ｅ’）及び図３
５のＢの交差部（領域ａ’）を曲線状に形成した例を図
３８のＡに示す。この形状の望ましき実施条件を次に検
討する。

【０２４３】その一つの目安としては、曲線部の曲率半
径がある。図３８のＡに示される曲率半径Ｒ１，Ｒ２の
望ましき設定範囲を、図３８のＢを参照して行う。図３
８のＢにて、接合部又は交差部から図示されるｘ及びｙ
方向に延びる電極層又は配線層の辺を外挿し、これらの
辺が直交する位置から夫々の鈍角コーナまでの距離を座
標軸毎にｘｃｏｒ，ｙｃｏｒとする。図では、領域ｅ’
の距離に１、領域ａ’の距離に２を添えている。夫々の
望ましき距離は、接合部又は交差部を覆う保護膜の厚さ
（例えば、プロセス設計上での厚さ）で規定される。

【０２４４】例えば、領域ｅ’ではｘｃｏｒ１，ｙｃｏ
ｒ１を保護膜ＰＳ１の厚さ以上に、領域ａ’ではｘｃｏ
ｒ２，ｙｃｏｒ２を保護膜ＰＳ２の厚さ以上に夫々設定
することが推奨される。更に望ましくは、これらの電極
層又は配線層を形成するプロセス条件を考慮し、上記距
離を設定することである。

【０２４５】現状のプロセス技術を考慮すると、
ｘ_cor1，ｘ_cor2，ｙ_cor1，ｙ_cor2の各値は４．３μｍ以
上又は５．４μｍ以上とするとよい。

【０２４６】このことから、図３８のＡの領域ｅ’にお
ける接合部の曲率半径Ｒ１は上記ｘ_cor1，ｙ_cor1と同様
に、領域ａ’における交差部の曲率半径Ｒ２は上記ｘ
_cor2，ｙ_cor2と同様に設定することを推奨する。図３８
のＡにおける実際の実施条件は、図３８のＢに比べて制
限が緩くなると考えられる。

【０２４７】また、この条件を図３７のように３箇所以
上の鈍角からなるコーナに適用する場合、上記ｘ_cor，
ｙ_corはコーナ両端部の鈍角により規定する。図３７の
場合、コーナの一端及び他端の鈍角を矢印にて示す。ｘ
_cor，ｙ_corの値を保護膜の厚さＴより大きくする場
合、一端及び他端の鈍角は（２Ｔ）１／２より長い距離
で離される。

【０２４８】以上に述べた表示不良防止に好適な構成を
採用しなくとも、画素電極ＰＸ又は対向電極ＣＴ及び対
向電圧信号線ＣＬの構成材料の選定で表示不良防止の効
果を得る可能性はある。図３１のＡ〜Ｃによる説明か
ら、２種類の代替手段がある。その一つは、いずれかの
電極層又は配線層を高融点金属と呼ばれる元素（Ｍｏ，
Ｔｉ，Ｔａ，Ｗ）やそのシリサイドで形成する。もう一
つは、いずれかの電極層又は配線層を導電性酸化物で形
成する。ＩＴＯ（ＳｎＯ₂を１〜５重量％ドープしたＩ
ｎ₂Ｏ₃）や酸化錫（ＳｎＯ₂）等の半導体以上の導電
性を有する酸化物は、その構成材料のイオン（特に陽イ
オン）を液晶へ溶出し難い。これらにより、図１４の
Ａ，１５，１６，２７に示す電極構成においても、上記
表示不良を解消できると考えられる。また、製品の信頼
性を向上させる上では、これらの材料を図２２、図３２
乃至３８の構成に組合せることも効果的である。

【０２４９】上述の代替手段に対し、図２２、図３２乃
至３８の構成は次の点で有利である。それは、電極層又
は配線層にアルミニウムＡｌ又はその合金、銅Ｃｕなど
の導電性に優れた材料や、クロムＣｒ等の基板材料との
接着性に優れた材料を採用できることである。また、絶
対値にして２０より大きい誘電率異方性を有する液晶分
子では電極材料のイオンにより汚染され易くなるにもか
かわらず、これらの構成の効果は損なわれない。従っ
て、以上説明した各実施例により、コントラストの低下
や表示ムラ等の表示不良を無くして良好な表示品質を得
ることができる液晶表示装置が得られる。

【０２５０】［５．ＩＰＳ型液晶表示装置の画素領域に
おける透明電極］上述の表示不良を防止する構造を検討
する過程で、本発明者は次のような構成に特徴を有する
ＩＰＳ方式の液晶表示装置を着想した。その特徴とは、
液晶層に所望の電界を印加して液晶分子の配向を制御す
る画素電極及び対向電極の少なくとも一方を所謂透明な
導電性材料で構成した液晶表示装置である。このよう
な構成は、液晶層を介して上述の画素電極を対向電極
（共通電極とも呼ばれる）を対向させた縦電界方式と呼
ばれる液晶表示装置では既に実施されている。これに対
し、液晶層の面（又はこれを封止する基板の面）に対す
る画素電極と対向電極の位置をずらし、且つその間に液
晶層がいずれの電極とも対向しないスペースを設けるＩ
ＰＳ方式（横電界方式）の液晶表示装置では採用されて
なかった。この理由は、図３９により説明される。

【０２５１】ＩＰＳ方式では、上述の画素電極ＰＸ及び
対向電極ＣＴのいずれにも対向しない液晶層に存在する
液晶分子の配向が、その画素が透過すべき光の量を決め
ている。即ち、図中に矢印を付して示された曲線のよう
な電気力線の基板面に沿った成分で液晶分子を配向させ
る。このように機能させるため、ＩＰＳ方式では基板Ｓ
ＵＢ１，２間の最近距離Ｈより上記スペースを介して画
素電極ＰＸと対向電極ＣＴとが離間する距離Ｗを大きく
取り、液晶分子が基板面に沿った電気力線で制御され易
いように構成される。

【０２５２】この電気力線の形状をシミュレーションし
たデータを参照すると、その形状は画素電極ＰＸ及び対
向電極ＣＴ上で図示される如く基板間の方向に沿う。即
ち、これらの電極上で上記縦電界方式の液晶表示装置に
近い振る舞いをしめす。また、これらの電極上における
電気力線は、電極間に比べて高い密度で存在する。従っ
て、この画素を透過する光の量を抑える場合、画素電極
を透明とすると次の問題が存在すると考えられていた。
基板ＳＵＢ１から液晶層に入射する光ｈν_inに対する基
板ＳＵＢ２からの所望の光ｈν_outの出射量（矢印の大
きさで表示）が画素電極ＰＸを透過するものに関しては
非常に強くなることである。従って、青緑色のデータを
緑色の画素の光透過量を押さえて表示する場合、表示す
べきデータより緑の強い画像が表示される。従って、細
かい階調で画像を再現するのが困難となる。

【０２５３】これに対し、本発明者は画素電極ＰＸを透
明な材料で構成することが画素の階調制御（中間調表
示）に支障をきたすことはなく、むしろ白輝度を向上さ
せる効果が得られることを発見した。

【０２５４】なお、ここでいう透明な導電性材料とは、
これに入射する光を吸収しないということを意味するも
のでなく、その周辺を構成する導電性の材料に比べて光
の吸収量が少ないということを意味する。その定量的な
定義の一つとしては、可視光領域（波長にして３８０〜
７７０ｎｍの範囲）の光透過率が７０％以上、望ましく
は８０％以上であり、半導体以上の導電性を有する物質
と規定できる。即ち、現在主流となっているＩｎ₂Ｏ₃
にＳｎＯ₂を１〜５重量％添加した上記ＩＴＯに限ら
ず、上記定義を基準に別の材料を選定し、これで画素電
極を構成してもよい。

【０２５５】この透明導電材料からなる画素電極を利用
したＩＰＳ型の液晶表示装置は、例えば以下に述べるよ
うな形態で実施される。

【０２５６】液晶表示装置の精細度が向上するにつれ、
上述の液晶層への印加電圧の低下による表示不良問題
は、ブラックマトリクスの開口で規定される画素領域を
越えて生じ得る。図４０のＡは、このような状況に見合
う電極構造を示す本発明の第１１実施例である。この構
造を有する液晶表示装置はＩＰＳ型と呼ばれるものであ
るが、その対向電極ＣＴは、液晶層に対して画素電極Ｐ
Ｘの反対側に設けられる。図４０のＡにおいて、対向電
極ＣＴは破線で示される。

【０２５７】図４０のＢ（図４０のＡのＥ−Ｅ’に沿っ
た断面図）が示すように、ブラックマトリクスＢＭの開
口の下方には画素電極ＰＸ，これと蓄積容量を形成する
共通容量線ＣＣ，対向電極ＣＴのいずれの導電層も配置
されない空間がある。対向電極ＣＴは、２つの絶縁膜Ｏ
Ｃ（既に説明），ＩＮＳの間に挟まれてブラックマトリ
クスＢＭと絶縁されている。透明導電材料からなる画素
電極は、その一端において金属層ＳＤと接続され、トラ
ンジスタＴＦＴのチャネル層（ａ−Ｓｉ）ＡＳと充分な
オーミック接触を確保している。

【０２５８】高精細の表示装置では、このような電極構
造を有する多くの画素が緻密に配列されて画素アレイ
（マトリクス部ＡＲとして既述，図５，８参照）を形成
する。先述の検討は、画素領域内での汚染に着眼した。
しかし、より高精細の表示装置では、画素を小さくし且
つこれを高密に配置することが要請されるため、先述の
汚染は画素を越えて生じ得るのである。従って、マトリ
クス部に配置され且つコーナを有し且つ液晶層に面する
導電層に関し、配慮する必要がある。

【０２５９】このような広い範囲で見てみると、注意す
べき電位差は映像信号線ＤＬと画素電極ＰＸとの間、及
び画素電極ＰＸと共通容量線ＣＣとの間に発生すると考
えられる。従ってｆ、ｇ、ｊの円内に図示される夫々の
部分に存在するコーナを鈍角で形成する。画素電極ＰＸ
をＩＴＯのような透明導電材料で形成することは微細な
画素で充分な輝度を得るに好適であるが、これとトラン
ジスタＴＦＴとの間に金属層ＳＤを配置することも効果
的である。部分ｊとして円内に示された共通容量線ＣＣ
のコーナ（画素電極ＰＸとＴ字型の交差を形成）は、配
向不良防止に効果的である。

【０２６０】図４０のＡの構成は、縦電界型の液晶表示
装置といくつかの共通点を有する。このことは、図示さ
れる構成を変形すれば、縦電界型の液晶表示装置でも本
発明を実施できることを意味する。図４０に示される電
極構造は、ＸＧＡと呼ばれる精細度（走査信号線ＧＬ沿
いに１０２４画素×映像信号線ＤＬ沿いに７６８画素配
置）より高い精細度の、例えばＵＸＧＡと呼ばれる精細
度（走査信号線ＧＬ沿い１６００画素×映像信号線ＤＬ
沿い：１２８０画素配置）の液晶表示装置に有効であ
る。これらの規格に従い走査信号線ＧＬに沿って並ぶ画
素数は、上述に規定した値の３倍となる（Ｒ，Ｇ，Ｂの
３種が１画素に入る）ため、精細度が高くなる（特に、
ＵＸＧＡを超える）につれ、画素領域の寸法も否応なく
微細化される。

【０２６１】また、繰り返しになるが、本発明は上記し
た横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置に
限って適用されるものではなく、縦電界方式、あるいは
単純マトリクス方式の液晶表示装置における配向膜の配
向不良の抑制のために適用可能である。

【０２６２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
画素領域に形成した蓄積容量部の段差における配向不良
が解消され、コントラストが向上し、表示ムラの無い高
画質の液晶表示装置を提供することができる。

【０２６３】また、上述の液晶表示装置のラビング不良
（配向不良）防止に好適な構成、液晶層の汚染による表
示不良防止に好適な構成、ＩＰＳ方式の液晶表示装置の
画素電極又は対向電極を透明な導電性材料で形成する構
成の各々は、独立に実施できるものであるが、生産条件
の要請に応じてこれらを適宜組合せても、各々の効果を
損なうものではない。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来から知られている横電界方式の液晶表示装
置の一画素とブラックマトリクスＢＭの遮光領域および
その周辺を示す平面図である。

【図２】横電界方式の液晶表示装置を構成する液晶パネ
ルの画像表示領域における１画素の電極近傍の断面図と
基板周辺部の断面図である。

【図３】薄膜トランジスタＴＦＴの断面図である。

【図４】ラビング方向ＲＤＲと印加電界方向ＥＤＲとの
なす角度の説明図である。

【図５】上下の基板を含む表示パネルのマトリクス（Ａ
Ｒ）周辺の要部平面図である。

【図６】左側に走査回路が接続された外部接続端子ＧＴ
Ｍ付近の断面図である。

【図７】図６のテープキャリアパッケージの断面図であ
る。

【図８】本発明による液晶表示装置の周辺等価回路の概
要説明図である。

【図９】本発明の液晶表示装置の駆動波形図である。

【図１０】本発明による液晶表示装置の製造工程の説明
図である。

【図１１】本発明による液晶表示装置の製造工程の図１
０に続く説明図である。

【図１２】本発明による液晶表示装置の製造工程の図１
１に続く説明図である。

【図１３】本発明の液晶表示装置を実装した情報機器の
一例であるノート型パソコンの説明図である。

【図１４】蓄積容量を増大させるために本発明者が考案
した画素の平面構造と、これにおけるラビング処理の説
明図であり、Ａは上記平面構造の模式図、Ｂは上記電極
が形成される基板の最上面におけるラビング状態を示す
スケッチ、Ｃは上記蓄積容量周辺におけるラビング処理
のモデルを夫々示す。

【図１５】蓄積容量を増大させるために本発明者が考案
した画素の別の平面構造の模式図である。

【図１６】本発明による液晶表示装置の第１実施例の要
部構造を説明する遮光膜で囲まれた一画素の平面構造の
模式図である。

【図１７】図１６の１７ＡＢ−１７ＡＢ線に沿った蓄積
容量部Ｃｓｔｇの断面図である。

【図１８】本発明による液晶表示装置の第２実施例の要
部構造を説明する遮光膜で囲まれた一画素の平面構造の
模式図である。

【図１９】本発明による液晶表示装置の第３実施例の要
部構造を説明する遮光膜で囲まれた一画素の平面構造の
模式図である。

【図２０】図１６の２０Ａ−２０Ａ線に沿った断面図と
図１９の２０Ｂ−２０Ｂ線に沿った断面図である。

【図２１】本発明による液晶表示装置の第４実施例の要
部構造を説明する遮光膜で囲まれた一画素の平面構造の
模式図である。

【図２２】本発明による液晶表示装置の第５実施例の要
部構造を説明する遮光膜で囲まれた一画素の平面構造の
模式図である。

【図２３】本発明による液晶表示装置の第６実施例の要
部構造を説明する遮光膜で囲まれた一画素の平面構造の
模式図である。

【図２４】図２３の２４ＡＢ−２４ＡＢ線に沿った断面
図である。

【図２５】本発明による液晶表示装置の第７実施例の要
部構造を説明する遮光膜で囲まれた一画素の平面構造の
模式図である。

【図２６】図１４Ａ，１６，２２における画素電極が対
向電圧信号線を乗り越える部分ａの夫々をＡ，Ｂ，Ｃの
順でスケッチした説明図である。

【図２７】ラビング処理時における配向不良低減に好適
な別の電極構造の平面図である。

【図２８】実際の液晶分子の一例と本明細書に示すその
モデルとの関係の説明図である。

【図２９】電極構造とその上に形成される保護膜の形状
との関係の説明図で、Ａは図１４のＡの円で囲んだ部分
ｅ内の構造を、Ｂはこれを改良した構造を夫々示す。

【図３０】電極構造とその上に形成される保護膜の形状
との関係の説明図で、Ａは図１４のＡの円で囲んだ部分
ａ内の構造を、Ｂはこれを改良した構造を夫々示す。

【図３１】液晶分子の駆動電圧を低下させる液晶層の汚
染の進行をＡからＣの順にスケッチした説明図である。

【図３２】本発明による液晶表示装置の第８実施例の要
部構造を説明する遮光膜で囲まれた一画素の平面構造の
模式図である。

【図３３】本発明による液晶表示装置の第９実施例の要
部構造を説明する遮光膜で囲まれた一画素の平面構造の
模式図である。

【図３４】本発明による液晶表示装置の第１０実施例の
要部構造を説明する遮光膜で囲まれた一画素の平面構造
の模式図である。

【図３５】液晶駆動電圧降下による表示不良を解決する
２種類の電極構造を示す平面図である。

【図３６】液晶駆動電圧降下による表示不良を解決する
電極構造の変形例を部分的に示す平面図である。

【図３７】液晶駆動電圧降下による表示不良を解決する
電極構造の変形例を部分的に示す平面図である。

【図３８】液晶駆動電圧降下による表示不良を解決する
電極構造の変形例を部分的に示す平面図であり、その望
ましき一実施条件を説明するものである。

【図３９】ＩＰＳ型液晶表示装置における光透過を説明
するための断面図である。

【図４０】本発明による液晶表示装置の第１１実施例の
要部構造を説明する遮光膜で囲まれた一画素の平面構造
と、その断面をの模式図である。

【符号の説明】

ＡＳ非晶質シリコン膜ＧＬ走査信号線ＤＬ映像信号線ＰＸ画素電極ＣＴ対向電極ＣＬ対向電圧信号線Ｃｓｔｇ蓄積容量部ＧＴゲート電極ＰＮＬ液晶パネル。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】液晶組成物を介して配置される第１及び第
２の基板と、前記第１の基板面と前記液晶組成物層の面との間に形成
された画素電極と、対向電極と、前記対向電極と同一平面上に形成され、前記対向電極に
信号を供給する対向電圧信号線とを備えた液晶表示装置
であって、前記対向電圧信号線上の一部に層間絶縁膜を介して前記
画素電極の一部が重畳されて形成された容量素子とが光
透過領域に備えられ、前記容量素子を構成する対向電圧
信号配線と画素電極が、当該容量部の平面形状の輪郭の
大部分を形成する如く構成したことを特徴とする液晶表
示装置。
【請求項２】前記容量部を構成する対向電圧信号線と画
素電極のうちの上層側の平面形状の輪郭の大部分を下層
側の平面形状の輪郭より後退した位置に形成したことを
特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】前記容量部を構成する対向電圧信号線と画
素電極のうちの下層側の平面形状の輪郭の大部分を上層
側の平面形状の輪郭より後退した位置に形成したことを
特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】前記容量部を構成する上層側は画素電極
で、下層側は対向電圧信号線からなることを特徴とする
請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項５】前記容量部を構成する画素電極の対向電圧
信号線に対する乗り越え方向の角度と、ラビング方向の
角度がほぼ等しいことを特徴とする請求項４に記載の液
晶表示装置。
【請求項６】夫々の主面が対向し合うように重ねられた
第１及び第２の基板と、前記第１及び第２の基板の一方に形成された画素領域を
規定する遮光材料と、前記第１及び第２の基板の一方の主面上部に形成され且
つ前記画素領域内で互いに異なる方向に延伸し且つ交差
する第１及び第２の導電層と、前記第１及び第２の基板間に封入される液晶層とを有
し、前記第１及び第２の導電層の一方は前記交差部から前記
導電層の他方の延伸方向に沿って延び、前記第１及び第２の導電層が重なる領域はこの領域より
も前記基板主面からの高さが低い前記第１導電層又は前
記第２の導電層により囲まれていることを特徴とする液
晶表示装置。
【請求項７】前記交差部から前記導電層の他方の延伸方
向に沿って延びる前記導電層の一方の部分を前記画素領
域内に収まるように形成したことを特徴とする請求項６
に記載の液晶表示装置。
【請求項８】所定の距離をおいて重ねられた第１及び第
２の基板と、前記第１及び第２の基板の一方の上部に形成された画素
領域を規定する遮光材料と、前記第１及び第２の基板の一方の上部で前記画素領域内
へ向けて延伸し且つ画素領域内部で互いに重なる第１及
び第２の導電層と、前記第１及び第２の基板間に封入される液晶層とを有
し、前記第１及び第２の導電層の一方は前記重なり部分にお
いて、その延伸方向とは異なる方向に延伸する部分を有
し且つ前記導電層の他方の輪郭と外れた輪郭を有するこ
とを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】前記導電層の一方の前記延伸方向とは異な
る方向に延びる部分を前記画素領域内に収まるように形
成したことを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装
置。
【請求項１０】前記第１導電層の少なくとも一の側面及
び前記第２導電層の少なくとも一の側面を、夫々前記画
素領域内にその輪郭から離れて配置したことを特徴とす
る請求項６又は８のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項１１】前記第１及び第２の導電層は、前記画素
領域内において前記基板主面に対し段差を形成し、これ
らの重なり部分にて上記段差より大きい段差を形成する
ものであることを特徴とする請求項６又は８のいずれか
に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】その上部に前記第１及び第２の導電層が
形成される前記第１及び第２の基板の一方に形成される
層の最上部に配向膜を形成したことを特徴とする請求項
６又は８のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項１３】液晶組成物を介して配置される第１及び
第２の基板と、前記第１の基板面と前記液晶組成物層の面との間に形成
された画素電極と、対向電極と、前記対向電極に信号を供給する対向電圧信号線とを備え
た液晶表示装置であって、前記対向電圧信号線と画素電極の交差部に層間絶縁膜を
介して形成された容量素子が光透過領域に備えられ、前記交差部の交差角を鈍角に形成したことを特徴とする
液晶表示装置。
【請求項１４】液晶組成物を介して配置される第１及び
第２の基板と、前記第１の基板面と前記液晶組成物層の面との間に形成
された画素電極と、対向電極と、前記対向電極に信号を供給する対向電圧信号線とを備え
た液晶表示装置であって、前記対向電圧信号線と画素電極の交差部に層間絶縁膜を
介して形成された容量素子が光透過領域に備えられ、前記対向電圧信号線の配線接合部の接合角を鈍角に形成
したことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１５】前記対向電圧信号線と前記対向電極とを
同一平面上に形成したことを特徴とする請求項１３又は
１４のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項１６】前記鈍角に形成される角度は、１８０度
より小であることを特徴とする請求項１３又は１４のい
ずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項１７】前記容量部を構成する上層側は画素電極
で、下層側は対向電圧信号線からなることを特徴とする
請求項１３又は１４のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項１８】前記容量部を構成する上層側は対向電圧
信号線で、下層側は画素電極からなることを特徴とする
請求項１３又は１４のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項１９】所定の距離をおいて双方の主面を向きあ
わせた第１及び第２の基板と、前記第１及び第２の基板間に封入される液晶層と、前記基板の一方の主面上部に形成され且つ絶縁膜で覆わ
れ且つ第１の電圧が印加されるように構成された第１の
導電層と、前記基板の一方の主面上部に形成され且つ絶縁膜で覆わ
れ且つ前記第１の電圧に対して変化し得る第２の電圧が
印加されるように構成された第２の導電層とを有し、前記第１及び第２の導電層の各々は異なる方向に伸び且
つ互いに接合する複数の部分を有し、且つ前記第１及び
第２の導電層の一方における前記部分の接合角は鈍角又
は曲線形状を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２０】前記液晶表示装置はさらに前記第１及び
第２の基板のいずれかの上部に形成され且つ画素領域を
規定する遮光膜を有し、前記第１及び第２導電層は前記
画素領域内において前記液晶層に電界を印加する部分を
夫々有することを特徴とする請求項１９に記載の液晶表
示装置。
【請求項２１】前記液晶表示装置はさらに前記第１及び
第２の基板のいずれかの上部に形成され且つ画素領域を
規定する遮光膜を有し、前記第１及び第２導電層は前記
画素領域内へ延び且つ互いに交差する部分を夫々有する
ことを特徴とする請求項１９に記載の液晶表示装置。
【請求項２２】前記画素領域に延伸する前記第１及び第
２導電層の夫々の部分の一方は、前記交差部分から他方
の延伸方向に延びる分岐部分を有し、該一方の部分とそ
の分岐部分は少なくとも一の鈍角又は曲線を介して接合
されることを特徴とする請求項２１に記載の液晶表示装
置。
【請求項２３】前記画素領域に延伸する前記第１及び第
２導電層の夫々の部分の一方は、他方の部分と離間し且
つこれに沿って延伸する分岐部分を有し、該一方の部分
とその分岐部分は少なくとも一の鈍角又は曲線を介して
接合されることを特徴とする請求項２１に記載の液晶表
示装置。
【請求項２４】前記第１及び第２の導電層の一方におけ
る前記部分は複数の鈍角で接合され且つ厚さＴの絶縁膜
で覆われ、該接合部分の一端の鈍角と他端の鈍角は（２
Ｔ）１／２より大きい距離で離されて形成されたことを
特徴とする請求項１９に記載の液晶表示装置。
【請求項２５】前記第１及び第２の導電層の一方におけ
る前記部分は曲線で接合され且つ厚さＴの絶縁膜で覆わ
れ、該接合部分の曲率半径はＴより大きいことを特徴と
する請求項１９に記載の液晶表示装置。
【請求項２６】前記液晶層は誘電率異方性の絶対値が２
０より大きい液晶分子を含むことを特徴とする請求項１
９に記載の液晶表示装置。
【請求項２７】前記液晶層に沿って複数の前記画素領域
をアレイ状に配置し且つこれらを走査信号線並びにこれ
と交差する映像信号線とで分離した画素アレイを有する
前記液晶表示装置であって、前記画素領域は画素電極、
対向電極、並びに該画素電極に電圧信号を供給するスイ
ッチング素子を有し、前記第１導電層は該画素電極とし
て、前記第２導電層は前記映像信号線又は該画素電極と
容量を構成する導電層であることを特徴とする請求項１
９に記載の液晶表示装置。
【請求項２８】前記画素アレイは、走査信号線に沿って
３０７２より多くの画素が、映像信号線に沿って７６８
より多くの画素が夫々配列されていることを特徴とする
請求項２６に記載の液晶表示装置。
【請求項２９】前記画素アレイは、走査信号線に沿って
４８００より多くの画素が、映像信号線に沿って１２８
０より多くの画素が夫々配列されていることを特徴とす
る請求項２６に記載の液晶表示装置。
【請求項３０】所定の距離をおいて互いに主面を向きあ
わせて配置した第１及び第２の基板と、前記第１及び第２基板間に封入される液晶層と、前記第１及び第２基板の一方の主面上に形成され且つ画
素領域を規定する遮光膜と、前記基板の一方の主面上部に形成され且つ絶縁膜で覆わ
れ且つ第１の電圧が印加されるように構成された第１の
導電層と、前記基板の一方の主面上部に形成され且つ絶縁膜で覆わ
れ且つ前記第１の電圧に対して変化し得る第２の電圧が
印加されるように構成された第２の導電層とを有し、前記第１及び第２導電層の各々は異なる方向に伸び且つ
互いに接合する複数の部分を有し、前記第１導電層の第
１部分と前記第２導電層の第２部分は前記画素領域内へ
延び且つ該画素領域内で夫々の縁が鈍角を形成するよう
に交差することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３１】双方の主面が向き合うように重ねられた
第１及び第２の基板と、前記第１及び第２基板間に封入される液晶層と、前記第１及び第２基板の一方の主面上に形成され且つ画
素領域を規定する遮光膜と、前記第１基板主面上に形成された画素領域を規定するブ
ラックマトリクスと、前記第１基板主面上の前記画素領域に形成され且つ前記
ブラックマトリクス並びに絶縁材料に囲まれて電気的に
絶縁されたカラーフィルタと、前記第２基板主面上に前記カラーフィルタと対向するよ
うに形成された画素電極と、前記第２基板主面上に形成され且つ前記画素電極に電圧
信号を供給するトランジスタと、前記カラーフィルタと積層されないように前記第１及び
第２基板の一方の主面上部に形成され且つ前記画素電極
と離間して設けられた対向電極を有し、前記画素電極は、波長範囲３８０乃至７７０ｎｍの入射
光に対する透過率が７０％より大きい導電性の材料で形
成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３２】前記導電性材料は、インジウム・錫酸化
物及び錫酸化物の群から選ばれる材料であることを特徴
とする請求項３１に記載の液晶表示装置。