JP6361181B2 - 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、電気光学装置、当該電気光学装置の製造方法、及び当該電気光学装置が搭載された電子機器に関する。

電気光学装置の一例として、例えばトランジスターや有機エレクトロルミネッセンス（以降、有機ＥＬと称す）素子を有する画素がマトリックス状に配置された有機ＥＬ装置が提案されている（特許文献１）。

特許文献１に記載の有機ＥＬ装置では、画素の発光領域に、反射層と光学調整層と陽極（画素電極）と発光層と陰極とが順に積層されている。発光層で発した光は、反射層と陰極との間で繰り返し反射され、反射層と陰極との間の光学的な距離に応じた共振波長の光の強度が増幅され、表示光として射出される。

トランジスターは、反射層を挟んで、画素電極と反対側に配置されている。反射層は開口を有し、光を透過する。反射層の開口の内側に、トランジスターと画素電極とを電気的に接続するコンタクト部が形成されている。コンタクト部には、中継電極と、コンタクト電極と、画素電極とが順に積層されている。

中継電極は、反射層と同層に配置されている。反射層の開口の内側には、中継電極と反射層とで凹凸が形成されている。さらに、反射層の開口の内側には、反射層と中継電極との間に光の透過領域が形成される。コンタクト電極は、当該凹凸を乗り越え、平面視で反射層の開口を覆うように、当該開口よりも広く配置されている。コンタクト電極の下には絶縁調整層が配置されている。絶縁調整層は、コンタクト電極の端部まで延在し、コンタクト電極の端部に、絶縁調整層とコンタクト電極とが積層された別の段差（凹凸）が形成される。画素電極は、コンタクト電極の端部の別の凹凸を乗り越え、平面視でコンタクト電極を覆うように、コンタクト電極よりも広く配置されている。

かかる構成によって、特許文献１に記載の有機ＥＬ装置では、コンタクト電極は反射層の開口からトランジスターの側に入射する光を遮り、表示品質を向上させている。

特開２０１３−２３８７２５号公報

しかしながら、特許文献１に記載の電気光学装置では、コンタクト電極や画素電極を、上述した凹凸や別の凹凸を乗り越えて形成する場合に、凹凸や新たな凹凸の悪影響、例えばステップカバレッジ不良や薬液の染み込みによる腐食（断線）などの不具合が生じる恐れがあった。すなわち、当該凹凸や別の凹凸によって、電気光学装置を安定して製造することが難しいという課題があった。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例に係る電気光学装置は、絶縁層と、前記絶縁層の上に配置され、開口を有する反射層と、前記開口の内側に配置された第１の中継電極と、前記反射層と前記絶縁層と前記第１の中継電極とによって、前記開口の内側に形成された第１の凹部と、前記反射層と前記第１の凹部と前記第１の中継電極とを覆う第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜に形成された前記第１の中継電極を露出させるコンタクトホールと、前記第１の絶縁膜によって前記第１の凹部の内側に形成された第２の凹部と、前記第２の凹部の内側に充填された第２の絶縁膜と、前記第１の中継電極と前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とに接し、平面視で前記開口よりも広く配置された第２の中継電極と、を含み、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とで形成される前記第２の中継電極に接する面は、平坦であることを特徴とする。

反射層と絶縁層と第１の中継電極とによって形成された第１の凹部は、第１の絶縁膜の絶縁膜で覆われ、第１の絶縁膜によって第１の凹部の内側に第２の凹部（凹凸）が形成される。第２の凹部の内側に第２の絶縁膜が充填され、第２の凹部による凹凸は平坦化されている。第２の中継電極は、第２の凹部の内側に第２の絶縁膜を充填して形成された平坦な面、つまり第１の絶縁膜と第２の絶縁膜とで形成された平坦な面の上に配置されている。第２の中継電極が配置される下地膜は平坦であり、凹凸が抑制されているので、第２の中継電極には下地膜の凹凸の悪影響、例えば段差部でのステップカバレッジ不良や薬液の染み込みによる腐食（断線）などを抑制することができる。すなわち、公知技術（特開２０１３−２３８７２５号公報）の課題である凹凸の悪影響を抑制することができる。

［適用例２］本適用例に係る電気光学装置は、絶縁層と、前記絶縁層の上に配置され、開口を有する反射層と、前記開口の内側に配置された第１の中継電極と、前記反射層及び前記第１の中継電極の上に配置された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜に形成された前記第１の中継電極を露出させるコンタクトホールと、前記反射層と前記絶縁層と前記第１の中継電極と前記第１の絶縁膜とによって、前記開口の内側に形成された第１の凹部と、前記第１の凹部の内側に充填された第２の絶縁膜と、前記第１の中継電極と前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とに接し、平面視で前記開口よりも広く配置された第２の中継電極と、を含み、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とで形成される前記第２の中継電極に接する面は、平坦であることを特徴とする。

反射層と絶縁層と第１の中継電極と第１の絶縁膜とによって、第１の凹部（凹凸）が形成されている。第１の凹部の内側に第２の絶縁膜が充填され、第１の凹部による凹凸は平坦化されている。第２の中継電極は、第１の凹部の内側に第２の絶縁膜を充填して形成された平坦な面、つまり第１の絶縁膜と第２の絶縁膜とで形成された平坦な面の上に配置されている。第２の中継電極が配置される下地膜は平坦であり、凹凸が抑制されているので、第２の中継電極には下地膜の凹凸の悪影響、例えば段差部でのステップカバレッジ不良や薬液の染み込みによる腐食（断線）などを抑制することができる。すなわち、公知技術（特開２０１３−２３８７２５号公報）の課題である凹凸の悪影響を抑制することができる。

［適用例３］上記適用例に係る電気光学装置において、前記第１の絶縁膜の構成材料は、窒化シリコンであり、前記第２の絶縁膜の構成材料は、酸化シリコンであることが好ましい。

フッ素系ガスを用いたドライエッチングでは、酸化シリコンのエッチングレートに比べて、窒化シリコンのエッチングレートが小さく、窒化シリコンのエッチング（減膜）を抑制しつつ酸化シリコンを選択的にエッチングすることができる。例えば、フッ素系ガスを用いたドライエッチングによって、酸化シリコン（第２の絶縁膜）を選択的にエッチングし、酸化シリコン（第２の絶縁膜）の表面の位置を選択的に調整することができる。

［適用例４］上記適用例に係る電気光学装置において、発光領域を有し、前記発光領域には、前記反射層と光学的距離調整層と画素電極と発光機能層と対向電極とが順に積層されていることが好ましい。

発光領域は、反射層と光学的距離調整層と画素電極と発光機能層と対向電極とを順に積層された共振構造を有している。発光機能層で発した光は、当該共振構造によって特定波長（共振波長）に増幅され、当該光の色純度を高めることができる。

［適用例５］上記適用例に係る電気光学装置において、前記第１の絶縁膜は、前記光学的距離調整層の一部をなすことが好ましい。

第１の絶縁膜を、発光領域に配置される光学的距離調整層の一部として活用することで、光学的距離調整層に新たな絶縁膜を使用する必要がなくなり、新たな絶縁膜を使用する場合と比べて製造工程を簡略化することができる。

［適用例６］上記適用例に係る電気光学装置において、前記反射層の前記画素電極と反対側にトランジスターが配置され、前記トランジスターは、前記第１の中継電極と前記第２の中継電極とを介して、前記画素電極に電気的に接続されていることが好ましい。

上記適用例に係る電気光学装置は、トランジスターからの信号で画素電極の電位を制御するアクティブ駆動が実現されるので、パッシブ駆動と比べて高品位の表示を提供することができる。

［適用例７］本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする。

上記適用例に記載の電気光学装置は、公知技術と比べて下地膜の凹凸の悪影響が抑制され、さらに光共振構造によって高品位の表示を提供することができる。従って、上記適用例に記載の電気光学装置を備えた電子機器も、高品位の表示を提供することができる。例えば、ヘッドマウントディスプレイ、ヘッドアップディスプレイ、デジタルカメラの電子ビューファインダー、携帯型情報端末、ナビゲーターなどの表示部を有する電子機器に、上記適用例に記載の電気光学装置を適用することができる。

［適用例８］本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、絶縁層と、前記絶縁層の上に配置され開口を有する反射層と、前記開口の内側に配置された第１の中継電極と、前記反射層と前記絶縁層と前記第１の中継電極とによって前記開口の内側に形成された第１の凹部と、前記反射層と前記第１の凹部と前記第１の中継電極とを覆う第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜に形成された前記第１の中継電極を露出させるコンタクトホールと、前記第１の絶縁膜によって前記第１の凹部の内側に形成された第２の凹部と、前記第２の凹部の内側に充填された第２の絶縁膜と、前記第１の中継電極と前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とに接し平面視で前記開口よりも広く配置された第２の中継電極と、を含む電気光学装置の製造方法であって、前記絶縁層を形成する工程と、前記反射層及び前記第１の中継電極を形成する工程と、窒化シリコンを堆積して前記第１の絶縁膜を形成する工程と、前記第２の凹部の内側に前記反射層の膜厚よりも大きな膜厚の酸化シリコンを堆積する工程と、前記第２の凹部の周辺の前記第１の絶縁膜の表面を露出させ、前記第２の凹部の内側に堆積された前記酸化シリコンの表面が、前記第２の凹部の周辺の前記第１の絶縁膜の表面と略同じ位置に配置されるように、前記酸化シリコンに前記反射層から前記絶縁層に向かう第１の方向の異方性エッチングを施す工程と、前記第２の凹部の内側に堆積された前記酸化シリコンを覆うマスクを形成する工程と、前記マスクで覆われていない部分の前記酸化シリコンをエッチング除去し、前記第２の絶縁膜を形成する工程と、前記マスクを除去する工程と、前記第１の絶縁膜に前記コンタクトホールを形成する工程と、前記第２の中継電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする。

絶縁層の上に反射層と第１の中継電極とを形成すると、反射層と第１の中継電極との間に第１の凹部（凹凸）が形成される。続いて、窒化シリコンを堆積して第１の絶縁膜を形成すると、第１の絶縁膜によって第１の凹部の内側に第２の凹部が形成される。第２の凹部は、第１の凹部と同等の段差、つまり反射層の膜厚に相当する段差を有する。続いて、第２の凹部の内側に反射層の膜厚よりも厚い酸化シリコンを堆積すると、酸化シリコンの表面は第２の凹部から張り出して配置され、酸化シリコンによって第２の凹部の上方に第３の凹部が形成される。このとき、平面視で第３の凹部の底面は第２の凹部よりも広くなる。

異方性エッチングによって酸化シリコンを第１の方向に減膜し、第２の凹部から張り出した部分の酸化シリコンを除去すると、第２の凹部の内側に堆積された酸化シリコンの表面は、第２の凹部の周辺の第１の絶縁膜の表面と略同じ位置に配置される。さらに、第３の凹部の底面は、平面視で第２の凹部よりも広いので、第２の凹部の周辺に第１の絶縁膜の表面が露出する。さらに、第２の凹部の周辺で露出した第１の絶縁膜の表面の周囲には、第１の方向に減膜された酸化シリコンが残存し、当該残存する酸化シリコンによって、第２の凹部の周辺で露出した第１の絶縁膜の表面の周囲に第４の凹部が形成される。
換言すれば、第２の凹部の内側に堆積された酸化シリコンの表面が、第１の絶縁膜の表面と同じ位置に配置されるように、酸化シリコンに第１の方向の異方性エッチングを施すと、第２の凹部の内側に充填された酸化シリコンの表面の輪郭は、第１の方向に移動して、第２の凹部の周辺で露出した第１の絶縁膜の表面の周辺に第４の凹部が形成され、第４の凹部の内側に、第２の凹部の内側に堆積された酸化シリコンの表面と、第１の絶縁膜の表面とで平坦な面が形成される。

第２の凹部の内側に堆積された酸化シリコンを覆うマスクを形成し、第２の凹部の周辺で露出した第１の絶縁膜の表面の周囲に残存する酸化シリコンをエッチング除去し、第２の凹部の内側に堆積された酸化シリコンによって第２の絶縁膜を形成する。つまり、第２の凹部の内側に配置（充填）された第２の絶縁膜を形成する。続いて、マスクを除去すると、第２の凹部の内側に配置（充填）された第２の絶縁膜の表面と、第１の絶縁膜の表面とで平坦な面が形成される。

第２の凹部の外側に配置された第１の絶縁膜と、第２の凹部の内側に配置された第２の絶縁膜とによって形成された平坦な面（下地膜）の上に、第２の中継電極を形成すると、当該下地膜は平坦であるので、第２の中継電極には下地膜の凹凸の悪影響、例えば段差部でのステップカバレッジ不良（段切れ）や薬液の染み込みによる腐食などを抑制することができる。

［適用例９］本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、絶縁層と、前記絶縁層の上に配置され、開口を有する反射層と、前記開口の内側に配置された第１の中継電極と、前記反射層及び前記第１の中継電極の上に配置された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜に形成された前記第１の中継電極を露出させるコンタクトホールと、前記反射層と前記絶縁層と前記第１の中継電極と前記第１の絶縁膜とによって、前記開口の内側に形成された第１の凹部と、前記第１の凹部の内側に充填された第２の絶縁膜と、前記第１の中継電極と前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とに接し、平面視で前記開口よりも広く配置された第２の中継電極と、を含む電気光学装置の製造方法であって、前記絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層の上に、導電材料と窒化シリコンとを順に堆積する工程と、前記導電材料及び前記窒化シリコンに前記反射層から前記絶縁層に向かう第１の方向の異方性エッチングを施し、前記反射層、前記第１の中継電極、及び前記第１の絶縁膜を形成する工程と、前記第１の凹部の内側に前記導電材料及び前記窒化シリコンの総膜厚よりも大きな膜厚の酸化シリコンを堆積する工程と、前記第１の凹部の周辺の前記第１の絶縁膜の表面を露出させ、前記第１の凹部の内側に充填された前記酸化シリコンの表面が、前記第１の凹部の周辺の前記第１の絶縁膜の表面と略同じ位置に配置されるように、前記酸化シリコンに前記第１の方向の異方性エッチングを施す工程と、前記第１の凹部の内側に堆積された前記酸化シリコンを覆うマスクを形成する工程と、前記マスクで覆われていない部分の前記酸化シリコンをエッチング除去し、前記第２の絶縁膜を形成する工程と、前記マスクを除去する工程と、前記第１の絶縁膜に前記コンタクトホールを形成する工程と、前記第２の中継電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする。

絶縁層の上に導電材料と窒化シリコンとを堆積し、導電材料と窒化シリコンとに第１の方向の異方性エッチングを施し、反射層と第１の中継電極と第１の絶縁膜とを形成する。反射層と絶縁層と第１の中継電極と第１の絶縁膜とで、反射層の開口の内側に第１の凹部が形成される。第１の凹部には、導電材料及び窒化シリコンの総膜厚に相当する段差が形成される。続いて、第１の凹部の内側に導電材料及び窒化シリコンの総膜厚よりも厚い酸化シリコンを堆積すると、酸化シリコンの表面は第１の凹部から張り出して配置され、酸化シリコンによって第１の凹部の上方に第２の凹部が形成される。このとき、平面視で第２の凹部の底面は第１の凹部よりも広くなる。

異方性エッチングによって酸化シリコンを第１の方向に減膜し、第１の凹部から張り出した部分の酸化シリコンを除去すると、第１の凹部の内側に堆積された酸化シリコンの表面は、第１の凹部の周辺の第１の絶縁膜の表面と略同じ位置に配置される。さらに、第２の凹部の底面は、平面視で第１の凹部よりも広いので、第１の凹部の周辺に第１の絶縁膜の表面が露出する。さらに、第１の凹部の周辺で露出した第１の絶縁膜の表面の周囲には、第１の方向に減膜された酸化シリコンが残存し、当該残存する酸化シリコンによって、第１の凹部の周辺で露出した第１の絶縁膜の表面の周囲に第３の凹部が形成される。
換言すれば、第１の凹部の内側に堆積された酸化シリコンの表面が、第１の絶縁膜の表面と同じ位置に配置されるように、酸化シリコンに第１の方向の異方性エッチングを施すと、第１の凹部の内側に充填された酸化シリコンの表面の輪郭は、第１の方向に移動して、第１の凹部の周辺で露出した第１の絶縁膜の表面の周辺に第３の凹部が形成され、第３の凹部の内側に、第１の凹部の内側に堆積された酸化シリコンの表面と、第１の絶縁膜の表面とで平坦な面が形成される。

第１の凹部の内側に堆積された酸化シリコンを覆うマスクを形成し、第１の凹部の周辺で露出した第１の絶縁膜の表面の周囲に残存する酸化シリコンをエッチング除去し、第１の凹部の内側に堆積された酸化シリコンによって第２の絶縁膜を形成する。つまり、第１の凹部の内側に配置（充填）された第２の絶縁膜を形成する。続いて、マスクを除去すると、第１の凹部の内側に配置（充填）された第２の絶縁膜の表面と、第１の絶縁膜の表面とで平坦な面が形成される。

第１の凹部の外側に配置された第１の絶縁膜と、第１の凹部の内側に配置された第２の絶縁膜とによって形成された平坦な面（下地膜）の上に、第２の中継電極を形成すると、当該下地膜は平坦であるので、第２の中継電極には下地膜の凹凸の悪影響、例えば段差部でのステップカバレッジ不良（段切れ）や薬液の染み込みによる腐食などを抑制することができる。

［適用例１０］本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、凹部を有する基板の表面を平坦にする電気光学装置の製造方法であって、前記凹部から張り出すように、前記表面に絶縁材料を堆積する工程と、前記凹部の周辺の前記表面を露出させ、前記凹部の内側に堆積された絶縁材料の表面が、前記凹部の周辺の前記表面と同じ位置となるように、前記絶縁材料に前記表面から前記表面と反対側の面に向かう第１の方向の異方性エッチングを施す工程と、前記凹部の内側に堆積された前記絶縁材料を覆うマスクを形成する工程と、前記マスクで覆われていない部分の前記絶縁材料をエッチングして除去する工程と、前記マスクを除去する工程と、を含むことを特徴とする。

基板の表面の凹部から張り出すように絶縁材料を堆積すると、絶縁材料によって凹部の上方に第２の凹部が形成される。このとき、平面視で第２の凹部の底面は凹部よりも広くなる。

異方性エッチングによって絶縁材料を第１の方向に減膜し、凹部から張り出した部分の絶縁材料を除去すると、凹部の内側に堆積された絶縁材料の表面は、凹部の周辺の基板の表面と略同じ位置に配置される。第２の凹部の底面は、平面視で凹部よりも広いので、凹部の周辺の基板の表面が露出する。さらに、凹部の周辺で露出した基板の表面の周囲には、第１の方向に減膜された絶縁材料が残存し、当該残存する絶縁材料によって、凹部の周辺で露出した基板の表面の周囲に第３の凹部が形成される。
換言すれば、凹部の内側に堆積（充填）された絶縁材料の表面が、基板の表面と同じ位置に配置されるように、絶縁材料に第１の方向の異方性エッチングを施すと、凹部の内側に充填された絶縁材料の表面の輪郭は、第１の方向に移動して、基板の表面の周辺に第３の凹部が形成され、第３の凹部の内側に、基板の表面と、凹部の内側に充填された絶縁材料の表面とで平坦な面が形成される。

凹部の内側に堆積された絶縁材料を覆うマスクを形成し、凹部の周辺で露出した基板の表面の周囲に残存する絶縁材料をエッチング除去し、続いてマスクを除去すると、凹部の内側に充填された絶縁材料の表面と、基板の表面とで平坦な面が形成される。
従って、本適用例に係る製造方法によって、凹部の内側に絶縁材料を充填し、基板の表面を平坦にすることができる。

［適用例１１］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法は、前記凹部の外側の前記表面の構成材料は窒化シリコンであり、前記絶縁材料は酸化シリコンであることが好ましい。

凹部の外側の表面を窒化シリコンで構成し、凹部の内側に充填された絶縁材料を酸化シリコンで構成すると、例えばフッ素系ガスを用いたドライエッチングによって、酸化シリコンを選択的にエッチングすることができる。よって、凹部の内側に充填された絶縁材料の表面の位置を選択的に調整することができる。

実施形態１に係る有機ＥＬ装置の概要を示す概略平面図。 実施形態１に係る有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す図。 画素の電気的な構成を示す図。 画素の概要を示す概略平面図。 図４のＡ─Ａ’における有機ＥＬ装置の概略断面図。 図５の破線で囲まれた領域Ｂの概略断面図。 実施形態１に係る有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程フロー。 図７の工程フローの中の主要な工程を経た後の状態を示す概略断面図。 図７の工程フローの中の主要な工程を経た後の状態を示す概略断面図。 実施形態２に係る有機ＥＬ装置の画素コンタクト領域の概略断面図。 実施形態２に係る有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程フロー。 図１１の工程フローの中の主要な工程を経た後の状態を示す概略断面図。 図１１の工程フローの中の主要な工程を経た後の状態を示す概略断面図。 実施形態３に係る有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程フロー。 図１４の工程フローの中の主要な工程を経た後の状態を示す概略断面図。 変形例３に係るヘッドマウントディスプレイの概略図。

以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の各図においては、各層や各部位を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部位の縮尺を実際とは異ならせしめてある。

（実施形態１）
「有機ＥＬ装置の概要」
実施形態１に係る有機ＥＬ装置１００は、本発明における「電気光学装置」の一例であり、画素２０がマトリックス状に配列された自発光型の表示装置である。
図１は、実施形態１に係る有機ＥＬ装置の概要を示す概略平面図である。まず、図１を参照して、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００の概要について説明する。

図１に示すように、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００は、素子基板１０と、封止基板７０とを有している。両基板は、後述する樹脂層７１（図５参照）によって接着されている。

素子基板１０は、青色（Ｂ）光を発する画素２０Ｂと、緑色（Ｇ）の光を発する画素２０Ｇと、赤色（Ｒ）の光を発する画素２０Ｒとがマトリックス状に配列された表示領域Ｅを有している。有機ＥＬ装置１００では、画素２０Ｂと画素２０Ｇと画素２０Ｒとが表示単位となって、フルカラーの表示が提供される。
以降の説明では、画素２０Ｂ、画素２０Ｇ、及び画素２０Ｒを、画素２０と称する場合がある。

表示領域Ｅには、光学的距離調整層２８が設けられている。詳細は後述するが、光学的距離調整層２８の膜厚は、画素２０Ｂに設けられた光学的距離調整層２８Ｂ、画素２０Ｇに設けられた光学的距離調整層２８Ｇ、画素２０Ｒに設けられた光学的距離調整層２８Ｒの順に、大きくなっている。

素子基板１０の第１辺に沿って、複数の外部接続用端子１０３が配列されている。複数の外部接続用端子１０３と表示領域Ｅとの間には、データ線駆動回路１０１が設けられている。該第１辺と直交し互いに対向する他の第２辺、第３辺と表示領域Ｅとの間には、走査線駆動回路１０２が設けられている。

封止基板７０は、素子基板１０よりも小さく、外部接続用端子１０３が露出されるように配置されている。封止基板７０は、透光性の絶縁基板であり、石英基板やガラス基板などを使用することができる。封止基板７０は、表示領域Ｅに配置された後述する有機ＥＬ素子３０（図３参照）が傷つかないように保護する役割を有し、表示領域Ｅよりも広く設けられている。

以降、当該第１辺に沿った方向をＸ方向とする。当該第１辺と直交し互いに対向する他の２辺（第２辺、第３辺）に沿った方向をＹ方向とする。封止基板７０から素子基板１０に向かう方向をＺ（＋）方向とする。
なお、Ｚ（＋）方向は、本発明における「第１の方向」の一例である。

図２は、有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す図である。図３は、画素の電気的な構成を示す図である。

図２に示すように、素子基板１０には、ｍ行の走査線１２がＸ方向に延在して設けられ、ｎ列のデータ線１４がＹ方向に延在して設けられている。ｍ行の走査線１２とｎ列のデータ線１４との交差部に対応して、画素回路１１０が設けられている。画素回路１１０は、画素２０の一部をなす。表示領域Ｅには、ｍ行×ｎ列の画素回路１１０が、マトリックス状に配列されている。

電源線１９は、データ線１４に沿って列毎に設けられている。電源線１９には、初期化用のリセット電位Ｖｏｒｓｔが供給（給電）されている。さらに、図示を省略するが、制御信号Ｇｃｍｐ，Ｇｅｌ，Ｇｏｒｓｔを供給する三本の制御線が、走査線１２に並行して設けられている。

走査線１２は、走査線駆動回路１０２に電気的に接続されている。データ線１４は、データ線駆動回路１０１に電気的に接続されている。走査線駆動回路１０２には、走査線駆動回路１０２を制御するための制御信号Ｃｔｒ１が供給されている。データ線駆動回路１０１には、データ線駆動回路１０１を制御するための制御信号Ｃｔｒ２が供給されている。

走査線駆動回路１０２は、フレームの期間にわたって走査線１２を１行毎に順番に走査するための走査信号Ｇｗｒ（１）、Ｇｗｒ（２）、Ｇｗｒ（３）、…、Ｇｗｒ（ｍ−１）、Ｇｗｒ（ｍ）を、制御信号Ｃｔｒ１に従って生成する。さらに、走査線駆動回路１０２は、走査信号Ｇｗｒの他に、制御信号Ｇｃｍｐ，Ｇｅｌ，Ｇｏｒｓｔを制御線に供給する。
なお、フレームの期間とは、有機ＥＬ装置１００で１カット（コマ）分の画像が表示される期間であり、例えば同期信号に含まれる垂直同期信号の周波数が１２０Ｈｚであれば、１フレームの期間は約８．３ミリ秒となる。

データ線駆動回路１０１は、走査線駆動回路１０２によって選択された行に位置する画素回路１１０に対し、当該画素回路１１０の諧調データに応じた電位のデータ信号Ｖｄ（１）、Ｖｄ（２）、…、Ｖｄ（ｎ）を、１、２、…、ｎ列目のデータ線１４に供給する。

図３に示されるように、画素回路１１０は、ＰチャネルＭＯＳ型のトランジスター１２１，１２２，１２３，１２４，１２５と、有機ＥＬ素子３０と、容量２１と、を有している。画素回路１１０には、走査信号Ｇｗｒや制御信号Ｇｃｍｐ，Ｇｅｌ，Ｇｏｒｓｔなどが供給されている。

トランジスター１２１は、ソースが電源線６に電気的に接続され、ドレインがトランジスター１２３のソースまたはドレインの他方と、トランジスター１２４のソースとにそれぞれ電気的に接続されている。また、電源線６には、画素回路１１０において電源の高位側となる電位Ｖｅｌが供給されている。トランジスター１２１は、トランジスター１２１のゲート及びソース間の電圧に応じた電流を流す駆動トランジスターとして機能する。
なお、電源線６は、表示領域Ｅの略全面に設けられ（図４参照）、本発明における「反射層」の一例である。

トランジスター１２２は、ゲートが走査線１２に電気的に接続され、ソースまたはドレインの一方がデータ線１４に電気的に接続されている。また、トランジスター１２２は、ソースまたはドレインの他方が、トランジスター１２１のゲートと、容量２１の一端と、トランジスター１２３のソースまたはドレインの一方とに、それぞれ電気的に接続されている。トランジスター１２２は、トランジスター１２１のゲートとデータ線１４との間に電気的に接続され、トランジスター１２１のゲートとデータ線１４との間の電気的な接続を制御する書込トランジスターとして機能する。

トランジスター１２３は、ゲートが制御線に電気的に接続され、制御信号Ｇｃｍｐが供給される。トランジスター１２３は、トランジスター１２１のゲート及びドレインの間の電気的な接続を制御する、閾値補償トランジスターとして機能する。

トランジスター１２４は、ゲートが制御線に電気的に接続され、制御信号Ｇｅｌが供給される。トランジスター１２４は、ドレインがトランジスター１２５のソースと有機ＥＬ素子３０の画素電極３１とにそれぞれ電気的に接続されている。トランジスター１２４は、トランジスター１２１のドレインと、有機ＥＬ素子３０の画素電極３１との間の電気的な接続を制御する、発光制御トランジスターとして機能する。

トランジスター１２５は、ゲートが制御線に電気的に接続され、制御信号Ｇｏｒｓｔが供給される。また、トランジスター１２５のドレインは、電源線１９に電気的に接続され、リセット電位Ｖｏｒｓｔが供給されている。トランジスター１２５は、電源線１９と、有機ＥＬ素子３０の画素電極３１との間の電気的な接続を制御する初期化トランジスターとして機能する。

有機ＥＬ素子３０は、互いに対向する画素電極３１と対向電極３３とで発光機能層３２を挟持した構造を有している。
画素電極３１は、トランジスター１２４のドレイン及びトランジスター１２５のソースに電気的に接続されている。対向電極３３は、複数の画素２０に跨って設けられた共通電極であり、電源線８に電気的に接続されている。電源線８には、画素回路１１０において電源の低位側となる電位Ｖｃｔが供給されている。

画素電極３１は、発光機能層３２に正孔を供給するアノードである。対向電極３３は、発光機能層３２に電子を供給するカソードである。画素電極３１から供給される正孔と、対向電極３３から供給される電子とが、発光機能層３２の中で結合することによって、有機ＥＬ素子３０（発光機能層３２）が発光する。

「画素の概要」

図４は、画素の概要を示す概略平面図である。同図には、画素２０の構成要素のうち、電源線６、中継電極６−１、画素電極３１、及び絶縁膜２９が図示され、他の構成要素の図示は省略されている。また、図中の二点鎖線は、画素２０の輪郭を示している。
以下に、図４を参照して画素２０の概要について説明する。

図４に示すように、画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒのそれぞれは、平面視で矩形状となっており、長手方向がＹ方向に沿って配置されている。画素２０は、電源線６、中継電極６−１、画素電極３１、及び絶縁膜２９を有している。なお、電源線６と、画素電極３１と、絶縁膜２９とは、Ｚ（−）方向に配置されている（図５参照）。

電源線６は、表示領域Ｅの略全面に設けられ、画素２０毎に開口６ＣＴを有している。開口１６ＣＴの内側に、電源線６と同じ工程で形成された中継電極６−１が設けられている。電源線６は、光反射性の導電材料で構成され、光反射膜としての機能を有する。
なお、中継電極６−１は、本発明における「第１の中継電極」の一例である。

さらに、電源線６及び中継電極６−１は、遮光膜としての機能を有する。画素２０において、電源線６と中継電極６−１との間の領域は、光の透過領域となる。つまり、開口６ＣＴの内側の中継電極６−１の周囲が、光の透過領域となる。

画素電極３１は、Ｙ方向に長くなった矩形状を有し、画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒのそれぞれに設けられている。

絶縁膜２９は、透光性の絶縁膜で構成され、画素電極３１の周縁部を覆うように設けられている。つまり、絶縁膜２９は、画素電極３１の一部を露出させる開口２９ＣＴを有している。開口２９ＣＴも、画素電極３１と同じく、Ｙ方向に長くなった矩形状を有している。

絶縁膜２９で覆われていない部分の画素電極３１、つまり開口２９ＣＴで露出された画素電極３１は、発光機能層３２に接し、発光機能層３２に電流を供給し、発光機能層３２を発光させる。このため、絶縁膜２９に設けられた開口２９ＣＴが、画素２０の発光領域となる。絶縁膜２９は、画素２０の発光領域を規定し、隣り合う画素電極３１同士を電気的に絶縁する役割を有している。

「有機ＥＬ装置の断面構造」
図５は、図４のＡ─Ａ’における有機ＥＬ装置の概略断面図である。つまり、図５は、画素２０Ｇにおける有機ＥＬ装置１００の概略断面図である。
図５には、画素回路１１０のうちトランジスター１２１，１２４が図示され、トランジスター１２２，１２３，１２５の図示は省略されている。なお、トランジスター１２２，１２３，１２５は、トランジスター１２１，１２４と同じ構成を有している。
以下、図５を参照して、有機ＥＬ装置１００の断面構造を説明する。

図５に示すように、有機ＥＬ装置１００は、素子基板１０、封止基板７０、及び素子基板１０と封止基板７０とで挟持された樹脂層７１などを有している。

樹脂層７１は、素子基板１０と封止基板７０とを接着する役割を有し、例えばエポキシ樹脂やアクリル樹脂などを使用することができる。

素子基板１０には、画素回路１１０、封止層４０、及びカラーフィルター５０などが設けられている。また、画素回路１１０には、トランジスター１２１，１２４や、有機ＥＬ素子３０などが設けられている。

有機ＥＬ素子３０で発せられた光は、素子基板１０のカラーフィルター５０を透過して封止基板７０の側から表示光として射出される。つまり、有機ＥＬ装置１００は、トップエミッション構造を有している。
有機ＥＬ装置１００がトップエミッション構造であることから、素子基板１０の基材１０ｓには、透明な石英基板やガラス基板などに加えて、不透明なセラミック基板や半導体基板などを用いることができる。本実施形態では、基材１０ｓには、シリコン基板（半導体基板）を使用している。

基材１０ｓには、半導体基板にイオンを注入することによって形成されたウェル部１０a、ウェル部１０aと異なる種類のイオンをウェル部１０aに注入することにより形成されたイオン注入部１０ｂ、ウェル部１０aを分離するＳＴＩ（Shallow Trench Isolation）としてのシリコン酸化膜１０ｃなどが形成されている。ウェル部１０aは、画素２０におけるトランジスター１２１，１２４のチャネルとして機能する。イオン注入部１０ｂは、トランジスター１２１，１２４のソース・ドレインや配線の一部として機能する。

ウェル部１０aやイオン注入部１０ｂが形成された領域に、トランジスター１２１及びトランジスター１２４が形成される。また、トランジスター１２１及びトランジスター１２４は、シリコン酸化膜１０ｃによって素子分離されている。

基材１０ｓの表面を覆うように、絶縁膜１０ｄが設けられている。絶縁膜１０ｄは、トランジスター１２１，１２４のゲート絶縁膜として機能する。絶縁膜１０ｄの上には、例えばポリシリコンなどの導電膜からなるゲート電極２２ｇが設けられている。ゲート電極２２ｇは、トランジスター１２１，１２４のチャネルとして機能するウェル部１０aに対向するように配置されている。

ゲート電極２２ｇを覆うように、第１層間絶縁膜１５が形成されている。第１層間絶縁膜１５には、例えばトランジスター１２１のゲート、ソース及びドレインに至るコンタクトホールや、トランジスター１２４のソース及びドレインに至るコンタクトホールが形成されている。これらコンタクトホールには、導電材料が充填されている。

第１層間絶縁膜１５の上には、第１配線層１５−１が形成されている。第１配線層１５−１によって、トランジスター１２１のゲートと電気的に接続される中継電極、トランジスター１２１のソース及びドレインと電気的に接続される中継電極、トランジスター１２４のソースに電気的に接続される中継電極、及びトランジスター１２４のドレインに電気的に接続される中継電極１５−１ａなどが形成される。また、第１配線層１５−１で形成された中継電極によって、トランジスター１２１のドレインと、トランジスター１２４のソースとが電気的に接続されている。

第１配線層１５−１を覆うように、第２層間絶縁膜１６が形成されている。第２層間絶縁膜１６には、トランジスター１２１のゲートと電気的に接続された中継電極に至るコンタクトホールや、中継電極１５−１ａに至るコンタクトホールが形成されている。これらコンタクトホールには、導電材料が充填されている。

第２層間絶縁膜１６の上には、第２配線層１６−１が形成されている。第２配線層１６−１によって、容量２１の一方の電極２１ａや中継電極１６−１ａが形成されている。容量２１の一方の電極２１ａは、第２層間絶縁膜１６のコンタクトホールに充填された導電材料や、第１層間絶縁膜１５の上に形成された中継電極を介して、トランジスター１２１のゲートに電気的に接続されている。中継電極１６−１ａは、第２層間絶縁膜１６のコンタクトホールに充填された導電材料を介して、中継電極１５−１ａに電気的に接続されている。

第２配線層１６−１を覆うように、絶縁膜１７が形成されている。絶縁膜１７は、容量２１を形成するための容量絶縁膜となる。

絶縁膜１７の上には、第３配線層１７−１が形成されている。第３配線層１７−１によって、容量２１の他方の電極２１ｂが形成されている。その結果、一方の電極２１ａと絶縁膜１７と他方の電極２１ｂとで、容量２１が形成される。

第３配線層１７−１を覆うように、第３層間絶縁膜１８が形成されている。第３層間絶縁膜１８は、酸化シリコンで構成され、例えばＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）による平坦化処理が施されている。つまり、ＣＭＰによる平坦化処理によって、第３層間絶縁膜１８の下層に配置された構成要素（例えば、第１配線層１５−１、第２配線層１６−１、第３配線層１７−１など）の凹凸の影響が抑制され、第３層間絶縁膜１８は平坦な表面を有す。第３層間絶縁膜１８には、容量２１の他方の電極２１ｂに至るコンタクトホールが形成されている。第３層間絶縁膜１８及び絶縁膜１７には、中継電極１６−１ａに至るコンタクトホールが形成されている。これらコンタクトホールには導電材料が充填されている。
なお、第３層間絶縁膜１８は、本発明における「絶縁層」の一例である。

第３層間絶縁膜１８の上には、第４配線層１８−１が形成されている。第４配線層１８−１は、光反射性の導電材料、例えばアルミニウムで構成されている。第４配線層１８−１によって、電源線６及び中継電極６−１が形成されている。電源線６は開口６ＣＴを有し、中継電極６−１は開口６ＣＴの内側に配置されている。電源線６及び中継電極６−１は、光反射性と遮光性とを有し、電源線６と中継電極６−１との間の領域は、光の透過領域となる。つまり、開口６ＣＴの内側の中継電極６−１の周囲に、光の透過領域が形成される。

電源線６は、第３層間絶縁膜１８を貫くコンタクトホールに充填された導電材料を介して、容量２１の他方の電極２１ｂに電気的に接続されている。さらに、中継電極６−１は、第３層間絶縁膜１８及び絶縁膜１７を貫くコンタクトホールに充填された導電材料を介して、中継電極１６−１ａに電気的に接続されている。

第４配線層１８−１を覆うように、絶縁膜１が形成されている。絶縁膜１は、例えば窒化シリコンで構成されている。絶縁膜１は、電源線６、開口６ＣＴで露出された第３層間絶縁膜１８、及び中継電極６−１を覆い、表示領域Ｅの略全面に亘って形成されている。絶縁膜１には、中継電極６−１に至るコンタクトホール１ＣＴが形成されている。
なお、絶縁膜１は、本発明における「第１の絶縁膜」の一例である。コンタクトホール１ＣＴは、本発明における「コンタクトホール」の一例である。

絶縁膜１の上には、中継電極７が形成されている。中継電極７は、例えば窒化チタンで構成され、平面視で開口６ＣＴを覆うように開口６ＣＴよりも広く形成されている。中継電極７は、絶縁膜１を貫くコンタクトホール１ＣＴの内側にも充填され、中継電極６−１に電気的に接続されている。
なお、中継電極７は、本発明における「第２の中継電極」の一例である。

開口６ＣＴの内側の絶縁膜１と中継電極７との間隙には、絶縁膜５が充填されている。絶縁膜５は、例えば酸化シリコンで構成されている。絶縁膜５は、開口６ＣＴの内側の中継電極６−１の周囲に形成された光の透過領域に配置される。
なお、絶縁膜５は、本発明における「第２の絶縁膜」の一例である。

中継電極７及び絶縁膜１を覆うように、絶縁膜２が形成されている。絶縁膜２は、例えば酸化シリコンで構成され、表示領域Ｅの略全面に亘って形成されている。絶縁膜２には、中継電極７に至るコンタクトホールが形成されている。

絶縁膜２の上には、画素電極３１が形成されている。画素電極３１は、絶縁膜２を貫くコンタクトホールの内側にも充填され、中継電極７に電気的に接続されている。つまり、画素電極３１は、中継電極７、中継電極６−１、中継電極１６−１ａ、及び中継電極１５−１ａなどを介して、トランジスター１２４のドレインに電気的に接続されている。

画素電極３１を覆うように、絶縁膜２９が形成されている。絶縁膜２９は、画素電極３１の一部を露出させる開口２９ＣＴを有している。上述したように、開口２９ＣＴが画素２０の発光領域となる。

発光領域（開口２９ＣＴ）において、電源線６と画素電極３１との間には、絶縁膜１と絶縁膜２とがＺ（−）方向に順に積層されている。絶縁膜１と絶縁膜２とで、画素２０Ｇにおける光学的距離調整層２８Ｇが形成される。

図示を省略するが、青色（Ｂ）の光を発する画素２０Ｂの光学的距離調整層２８Ｂは、絶縁膜１で構成されている。赤色（Ｒ）の光を発する画素２０Ｒの光学的距離調整層２８Ｒは、絶縁膜１と絶縁膜２と第３絶縁膜（図示省略）とで構成されている。つまり、絶縁膜１は、光学的距離調整層２８の一部をなす。光学的距離調整層２８の膜厚は、画素２０Ｂの光学的距離調整層２８Ｂ、画素２０Ｇの光学的距離調整層２８Ｇ、画素２０Ｒの光学的距離調整層２８Ｒの順に、大きくなる。

有機ＥＬ素子３０は、発光領域（開口２９ＣＴ）においてＺ（−）方向に順に積層された、画素電極３１と、発光機能層３２と、対向電極３３とで構成される。

発光機能層３２は、画素電極３１の側から順に積層された正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、及び電子輸送層などを有している。有機発光層は、赤色、緑色、及び青色の光成分を有する光を発する。有機発光層は、単層で構成してもよいし、複数の層（例えば、青色で発光する青色発光層と、赤色及び緑色を含む光を発する黄色発光層）で構成してもよい。

対向電極３３は、発光機能層３２に電子を供給するためのカソードである。対向電極３３は、例えばＭｇとＡｇとの合金などで構成され、光透過性と光反射性とを有している。

対向電極３３の上には、封止層４０が配置されている。封止層４０は、水分や酸素などによる発光機能層３２や対向電極３３の劣化を抑制するパッシベーション膜であり、発光機能層３２や対向電極３３への水分や酸素の侵入を抑制している。

封止層４０は、対向電極３３の側からＺ（−）方向に順に積層された第１封止層４１と、平坦化層４２と、第２封止層４３とで構成され、有機ＥＬ素子３０を覆い、素子基板１０の略全面に設けられている。なお、封止層４０には、外部接続用端子１０３（図１参照）を露出させる開口（図示省略）が設けられている。

第１封止層４１及び第２封止層４３は、例えば公知技術のプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて形成されたシリコン酸窒化物で構成され、水分や酸素に対して高いバリア性を有している。

平坦化層４２は、熱安定性に優れた例えばエポキシ系樹脂や塗布型の無機材料（シリコン酸化物など）などで構成されている。平坦化層４２は、第１封止層４１の欠陥（ピンホール、クラック）や異物などを被覆し、平坦な面を形成する。

封止層４０の上には、緑色の着色層５０Ｇが形成されている。なお、画素２０Ｂには青色の着色層が形成され、画素２０Ｒには赤色の着色層が形成されている。これら緑色の着色層５０Ｇと、青色の着色層と、赤色の着色層とで、カラーフィルター５０が形成されている。

「光共振構造」
発光領域（開口２９ＣＴ）では、第３層間絶縁膜１８の上に、光反射層としての電源線６と、光学的距離調整層２８Ｂ，２８Ｇ，２８Ｒと、画素電極３１と、発光機能層３２と、光反射性と光透過性とを有する対向電極３３とが、Ｚ（−）方向に順に積層されている。かかる構成によって、発光機能層３２で発した光は、電源線６と対向電極３３との間で繰り返し反射され、電源線６と対向電極３３との間の光学的距離に対応する特定波長（共振波長）に増幅され、封止基板７０から表示光としてＺ（−）方向に射出される。

すなわち、光学的距離調整層２８は、電源線６と対向電極３３との間の光学的距離を調整する役割を有している。画素２０Ｂでは、共振波長（輝度が最大となるピーク波長）が４７０ｎｍとなるように、光学的距離調整層２８Ｂの膜厚が設定されている。画素２０Ｇでは、共振波長が５４０ｎｍとなるように、光学的距離調整層２８Ｇの膜厚が設定されている。画素２０Ｒでは、共振波長が６１０ｎｍとなるように、光学的距離調整層２８Ｒの膜厚が設定されている。

その結果、画素２０Ｂから４７０ｎｍをピーク波長とする青色（Ｂ）の光が発せられ、画素２０Ｇから５４０ｎｍをピーク波長とする緑色（Ｇ）の光が発せられ、画素２０Ｒから６１０ｎｍをピーク波長とする赤色（Ｒ）の光が発せられる。このように、有機ＥＬ装置１００は、光共振構造を有し、画素２０から発せられる表示光の色純度を高めている。

「画素コンタクト領域」
図６は、図５の破線で囲まれた領域Ｂの拡大図である。図６は、画素電極３１と中継電極７と中継電極６−１とが電気的に接続された領域、つまり画素コンタクト領域の概略断面図である。
以降、図６を参照して、画素コンタクト領域の状態を説明する。

図６に示すように、第３層間絶縁膜１８の上には、電源線６及び中継電極６−１が配置されている。上述したように、中継電極６−１は、開口６ＣＴの内側に配置され、中継電極１６−１ａ、や中継電極１５−１ａなどを介してトランジスター１２４のドレインに電気的に接続されている。開口６ＣＴの内側において、第３層間絶縁膜１８と電源線６と中継電極６−１とによって第１の凹部Ｃ１が形成されている。つまり、第１の凹部Ｃ１は、中継電極６−１を囲むように配置され、Ｚ（＋）方向から見た場合に額縁形状を有している。なお、第１の凹部は、光の透過領域となる。

絶縁膜１は、例えば窒化シリコンで構成され、電源線６と第１の凹部Ｃ１と中継電極６−１を覆うように配置されている。絶縁膜１によって、第１の凹部Ｃ１の内側に第２の凹部Ｃ２が形成されている。第２の凹部Ｃ２も、第１の凹部Ｃ１と同様に、中継電極６−１を囲むように配置され、Ｚ（＋）方向から見た場合に額縁形状を有している。絶縁膜１には、中継電極６−１を露出させるコンタクトホール１ＣＴが形成されている。

第２の凹部Ｃ２の内側には、絶縁膜５が充填されている。絶縁膜５は、例えば酸化シリコンで構成されている。第２の凹部Ｃ２の内側に充填された絶縁膜５の表面（Ｚ（−）方向側の面）の位置と、第２の凹部Ｃ２の周囲（外側）に配置されている絶縁膜１の表面（Ｚ（−）方向側の面）の位置とは、略同じ位置にある。換言すれば、第２の凹部Ｃ２の内側と外側とで段差が生じない様に、第２の凹部Ｃ２の内側に絶縁膜５が充填されている。従って、コンタクトホール１ＣＴの外側では、開口６ＣＴや第１の凹部Ｃ１や第２の凹部Ｃ２が形成されたことによる凹凸が緩和され、平坦な面が形成される。

中継電極７は、例えば窒化チタンで構成され、平面視で開口６ＣＴに重なり、開口６ＣＴよりも広く配置されている。つまり、中継電極７は、遮光性を有し、第１の凹部Ｃ１（光の透過領域）や第２の凹部Ｃ２を覆うように配置されている。このため、発光機能層３２で発した光は、第１の凹部Ｃ１（光の透過領域）を通過して、トランジスター１２１，１２２，１２３，１２４，１２５の側に入射しにくくなっている。

中継電極７は、コンタクトホール１ＣＴの内側で中継電極６−１に接し、コンタクトホール１ＣＴの外側で絶縁膜１及び絶縁膜５に接している。コンタクトホール１ＣＴの外側では、上述したように、開口６ＣＴや第１の凹部Ｃ１や第２の凹部Ｃ２が形成されたことによる凹凸が緩和されているので、中継電極７が接する側の面、つまり絶縁膜１と絶縁膜５とで形成された面は平坦である。中継電極７は、平坦な面の上に配置されているので、凹凸による悪影響、例えば段差部でのステップカバレッジ不良や段差部での薬液の染み込みによる腐食（断線）などが抑制される。また、コンタクトホール１ＣＴの外側では、中継電極７に平坦な面が形成されている。

絶縁膜１や中継電極７は、絶縁膜２で覆われ、絶縁膜２には中継電極７を露出させるコンタクトホールが形成されている。絶縁膜２は、中継電極７の端部で、中継電極７の段差が反映された段差２ＳＴを有し、段差２ＳＴ以外は平坦である。

画素電極３１は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの光透過性材料で形成され、中継電極７よりも厚く形成されている。画素電極３１は、絶縁膜２の上に配置され、絶縁膜２に形成されたコンタクトホールを介して中継電極７に電気的に接続されている。画素電極３１は、絶縁膜２の段差２ＳＴを乗り越えるように配置されている。画素電極３１は、中継電極７よりも膜厚が厚いので、絶縁膜２の段差２ＳＴで、例えばステップカバレッジ不良（段切れ）などの不具合が生じることはない。画素電極３１は、当該段差２ＳＴ以外は平坦な面に配置されるので、凹凸による悪影響、例えば段差部でのステップカバレッジ不良や段差部での薬液の染み込みによる腐食（断線）などが抑制される。

このように、本実施形態に係る画素コンタクト領域では、第３層間絶縁膜１８と、第３層間絶縁膜１８の上に配置され開口６ＣＴを有する電源線６と、開口６ＣＴの内側に配置された中継電極６−１と、電源線６と第３層間絶縁膜１８と中継電極６−１とによって開口６ＣＴの内側に形成された第１の凹部Ｃ１と、電源線６と第１の凹部Ｃ１と中継電極６−１とを覆う絶縁膜１と、絶縁膜１に形成されたコンタクトホール１ＣＴと、絶縁膜１によって第１の凹部Ｃ１の内側に形成された第２の凹部Ｃ２と、第２の凹部Ｃ２の内側に充填された絶縁膜５と、平面視で開口６ＣＴよりも広く配置された中継電極７と、を有し、中継電極７が接する側の面（絶縁膜１と絶縁膜５とで形成された面）は、平坦である。
かかる構成によって、公知技術（特開２０１３−２３８７２５号公報）の課題である凹凸の悪影響を抑制することができる。

「製造方法」
図７は、有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程フローである。図８及び図９は、図６に対応する図であり、図７に示す工程フローの中の主要な工程を経た後の状態を示す概略断面図である。
以下に、図７乃至図９を参照して、有機ＥＬ装置１００の製造方法の概要を説明する。

図７に示すように、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００を製造する工程は、第３層間絶縁膜１８を形成する工程（ステップＳ１）と、電源線６及び中継電極６−１を形成する工程（ステップＳ２）と、絶縁膜１を形成する工程（ステップＳ３）と、酸化シリコン５ａを堆積する工程（ステップＳ４）と、酸化シリコン５ａをエッチングする工程（ステップＳ５）と、マスクＭを形成する工程（ステップＳ６）と、酸化シリコン５ａをエッチングして絶縁膜５を形成する工程（ステップＳ７）と、マスクを除去する工程（ステップＳ８）と、コンタクトホール１ＣＴを形成する工程（ステップＳ９）と、中継電極７を形成する工程（ステップＳ１０）と、を含んでいる。

ステップＳ１では、図８（ａ）に示すように、例えばプラズマＣＶＤで酸化シリコンを堆積し、第３層間絶縁膜１８を形成する。なお、図５に示すように、第３層間絶縁膜１８は、絶縁膜１７や第３配線層１７−１を覆い、中継電極１６−１ａに至るコンタクトホールが形成されている。当該コンタクトホールの中には、導電材料が充填されている。また、第３層間絶縁膜１８には、ＣＭＰによる平坦化処理が施され、平坦な面が形成されている。

ステップＳ２では、図８（ｂ）に示すように、例えばスパッタ法で膜厚Ｈ１のアルミニウムを堆積し、例えば塩素系ガスを用いたドライエッチングでアルミニウムをＺ（＋）方向にエッチングして、電源線６及び中継電極６−１を形成する。電源線６の膜厚（Ｚ（＋）方向の寸法）は、Ｈ１である。
電源線６と第３層間絶縁膜１８と中継電極６−１とで囲まれた部分に、段差（Ｚ（＋）方向の寸法）Ｈ１を有する第１の凹部Ｃ１が形成される。第１の凹部Ｃ１は、開口６ＣＴの内側で中継電極６−１を囲み、額縁形状を有している。

ステップＳ３では、図８（ｃ）に示すように、例えばプラズマＣＶＤで窒化シリコンを堆積し、絶縁膜１を形成する。絶縁膜１は、電源線６と、開口６ＣＴで露出された第３層間絶縁膜１８（第１の凹部Ｃ１の内側）と、中継電極６−１とを覆うように配置される。その結果、絶縁膜１によって、寸法Ｈ１の段差を有する第２の凹部Ｃ２が、第１の凹部Ｃ１の内側に形成される。第２の凹部Ｃ２は、第１の凹部Ｃ１と同様に、開口６ＣＴの内側で中継電極６−１を囲み、額縁形状を有している。第２の凹部Ｃ２には、第１の凹部Ｃ１と同じ段差（Ｚ（＋）方向の寸法）Ｈ１が形成される。

ステップＳ４では、図８（ｄ）に示すように、例えば高密度プラズマＣＶＤで膜厚Ｈ３の酸化シリコン５ａを堆積する。高密度プラズマＣＶＤは段差被覆性に優れた成膜方法であるので、酸化シリコン５ａは、第２の凹部Ｃ２の内側に充填され、第２の凹部Ｃ２からＺ（−）方向に張り出して配置される。酸化シリコン５ａの膜厚Ｈ３は、第２の凹部Ｃ２の段差（深さ）Ｈ１よりも大きく、第２の凹部Ｃ２の上方に第３の凹部Ｃ３が形成される。
このとき、第３の凹部Ｃ３の底面は、平面視で第２の凹部Ｃ２よりも広くなる。つまり、平面視で、第２の凹部Ｃ２は、第３の凹部Ｃ３の内側に配置される。さらに、第３の凹部Ｃ３には、第２の凹部Ｃ２と同じ段差（Ｚ（＋）方向の寸法）Ｈ１が形成される。

第３の凹部Ｃ３の外側には、第２の凹部Ｃ２の外側に配置されている絶縁膜１の表面を基準とした場合に、高さ（Ｚ（＋）方向の寸法）Ｈ３の酸化シリコン５ａが配置される。第３の凹部Ｃ３の底面と、第２の凹部Ｃ２の外側に配置されている絶縁膜１の表面との間には、高さＨ３から第３の凹部Ｃ３の段差Ｈ１を差し引いた高さ（Ｚ（＋）方向の寸法）Ｈ２の酸化シリコン５ａが配置される。

ステップＳ５では、図８（ｅ）に示すように、例えばフッ素系ガスを用いたドライエッチングによって酸化シリコン５ａに、Ｚ（＋）方向の異方性エッチングを施す。つまり、酸化シリコン５ａをＺ（＋）方向に減膜する。
図８（ｅ）の破線は、ステップＳ４で堆積した酸化シリコン５ａの表面の輪郭（ドライエッチングを施す前の酸化シリコン５ａの表面の輪郭）を示している。図８（ｅ）の破線の矢印は、酸化シリコン５ａをエッチング（減膜）する方向を示している。ステップＳ５では、図中の破線がＺ（＋）方向に移動して、実線で示された酸化シリコン５ａの表面の輪郭が形成される。

ステップＳ５では、第２の凹部Ｃ２の内側に充填された酸化シリコン５ａの表面が、第２の凹部Ｃ２の外側に配置されている絶縁膜１の表面と同じ位置に配置されるように、高さＨ２に相当する寸法Ｈ２の酸化シリコン５ａをＺ（＋）方向にエッチング除去する。寸法Ｈ２の酸化シリコン５ａをＺ（＋）方向に減膜すると、第３の凹部Ｃ３の輪郭がＺ（＋）方向に移動して、第４の凹部Ｃ４が形成される。第３の凹部Ｃ３の底面に対応する底面が、第４の凹部Ｃ４に形成される。平面視で、第２の凹部Ｃ２は、第３の凹部Ｃ３の内側に配置されるので、第４の凹部Ｃ４の内側に配置される。

よって、第２の凹部Ｃ２は、第４の凹部Ｃ４の内側に配置され、第２の凹部Ｃ２の内側に、絶縁膜１の表面と同じ位置の表面を有する酸化シリコン５ａが配置される。つまり、第２の凹部Ｃ２の底面から高さ（Ｚ（＋）方向の寸法）Ｈ１の酸化シリコン５ａが、第２の凹部Ｃ２の内側に配置（充填）される。さらに、第２の凹部Ｃ２と第４の凹部Ｃ４との間では、絶縁膜１の表面が露出する。

従って、第４の凹部Ｃ４の底面には、第２の凹部Ｃ２の内側に配置（充填）された酸化シリコン５ａの表面と、第２の凹部Ｃ２と第４の凹部Ｃ４との間で露出した絶縁膜１の表面とで平坦な面が形成される。
なお、第２の凹部Ｃ２の内側に残存する酸化シリコン５ａは、後述するステップＳ７の工程で絶縁膜５になる。
第２の凹部Ｃ２と第４の凹部Ｃ４との間で露出した絶縁膜１の周辺には、Ｚ（＋）方向に減膜された酸化シリコン５ａが残存する。つまり、当該残存する酸化シリコン５ａによって第４の凹部Ｃ４が形成される。

フッ素系ガスを用いたドライエッチングでは、例えば窒化シリコンのエッチングレートを１とすると、酸化シリコンのエッチングレートは５以上であり、高いエッチングの選択性が実現される。このため、窒化シリコンで構成される絶縁膜１は、フッ素系ガスを用いたドライエッチングによって実質的にエッチングされず、酸化シリコン５ａのエッチングストッパーとなる。すなわち、フッ素系ガスを用いたドライエッチングによって、酸化シリコン５ａを選択的にエッチングすることができる。

ステップＳ６では、図９（ａ）に示すように、第２の凹部Ｃ２の内側に配置（充填）された酸化シリコン５ａ（絶縁膜５）を覆うマスクＭを、レジストを用いたフォトリソグラフィープロセスで形成する。マスクＭは、第４の凹部Ｃ４の内側に配置される。第２の凹部Ｃ２と第４の凹部Ｃ４との間で露出した絶縁膜１の周辺に残存する酸化シリコン５ａは、マスクＭで覆われていない。

ステップＳ７では、例えばフッ素系ガスを用いたドライエッチングによって、マスクＭで覆われていない部分の酸化シリコン５ａをエッチング除去する。第２の凹部Ｃ２の内側に充填された酸化シリコン５ａは、マスクＭで保護されているのでエッチングされない。つまり、ステップＳ７では、マスクＭで覆われていない部分の酸化シリコン５ａを除去し、第２の凹部Ｃ２の内側に配置（充填）された酸化シリコン５ａが絶縁膜５となる。

ステップＳ７では、ステップＳ５と同様に、絶縁膜１（窒化シリコン）は実質的にエッチングされない。よって、ステップＳ７で残存する酸化シリコン５ａをエッチング除去しても、第２の凹部Ｃ２と第４の凹部Ｃ４との間で露出した絶縁膜１（窒化シリコン）は実質的にエッチングされない。つまり、絶縁膜１がエッチングされ、絶縁膜１の平坦性が損なわれることはない。

ステップＳ８では、例えば酸素プラズマや薬液などでマスクＭを除去する。マスクＭを除去すると、図９（ｂ）に示すように、絶縁膜１の表面と第２の凹部Ｃ２の内側に配置（充填）された絶縁膜５の表面とで平坦な面が形成され、開口６ＣＴや第１の凹部Ｃ１や第２の凹部Ｃ２による凹凸の影響を抑制することができる。

ステップＳ９では、図９（ｃ）に示すように、例えばフッ素系ガスを用いたドライエッチングによって絶縁膜１をエッチングし、中継電極６−１を露出させるコンタクトホール１ＣＴを形成する。

ステップＳ１０では、図９（ｄ）に示すように、例えばスパッタ法で窒化チタンを堆積し、例えば塩素系ガスを用いたドライエッチングによってエッチングし、中継電極７を形成する。中継電極７は、平面視で開口６ＣＴと重なり、開口６ＣＴよりも広く形成される。

中継電極７は、コンタクトホール１ＣＴの内側にも充填され、中継電極６−１に接し、中継電極６−１と電気的に接続される。
中継電極７は、コンタクトホール１ＣＴの外側で、絶縁膜１と絶縁膜５とによって平坦化された面の上に配置される。よって、コンタクトホール１ＣＴの外側では、開口６ＣＴや第１の凹部Ｃ１による凹凸の悪影響、例えば段差部でのステップカバレッジ不良や段差部での薬液の染み込みによる腐食（断線）などが抑制される。

本実施形態に係る製造方法の特徴は、ステップＳ４〜ステップＳ８に示す工程によって、中継電極７の下地膜（絶縁膜１）の凹部（第１の凹部Ｃ１）に絶縁材料（酸化シリコン５ａ）を充填し、下地膜（絶縁膜１）のエッチングが抑制された条件で、下地膜（絶縁膜１）の表面と絶縁材料（酸化シリコン５ａ）の表面とが同じ位置に配置されるように、絶縁材料（酸化シリコン５ａ）に減膜処理（平坦化処理）を施し、下地膜（絶縁膜１）の表面と絶縁材料（酸化シリコン５ａ）の表面とで平坦な面を形成することにある。

例えば、ステップＳ５において、ＣＭＰ（化学的機械的研磨）による減膜処理（平坦化処理）を施すことも可能である。ＣＭＰは、機械的研磨という物理的処理を含み、絶縁材料（酸化シリコン５ａ）だけを選択的に減膜することが難しく、下地膜（絶縁膜１）も減膜される。

上述したように、絶縁膜１は光学的距離調整層２８の一部をなす。絶縁膜１の膜厚が変動すると、電源線６と対向電極３３との間の光学的距離が変動し、共振波長が変化するという不具合を招く。例えば、画素２０Ｇでは、５４０ｎｍをピーク波長とする緑色（Ｇ）の光が表示光として射出されるように、電源線６と対向電極３３との間の光学的距離が設定されている。絶縁膜１の膜厚が変化すると、電源線６と対向電極３３との間の光学的距離が変化し、画素２０Ｇから射出される表示光の色味が変化し、表示品位の低下を招く。

このように、絶縁膜１に膜厚変化（減膜）が生じる方法（例えば、ＣＭＰ）で、減膜処理（平坦化処理）を施すことは好ましくない。本実施形態に係る製造方法では、絶縁膜１の膜厚変化（減膜）を抑制しつつ絶縁材料（酸化シリコン５ａ）に減膜処理（平坦化処理）を施すことができるので、電源線６と対向電極３３との間の光学的距離の変化による表示品位の低下が抑制され、高画質の表示を提供することができる。

さらに、平坦な面の上に形成する中継電極７や、平坦な面の上方に形成する画素電極３１には、下地膜の凹凸による悪影響、例えば段差部でのステップカバレッジ不良や段差部での薬液の染み込みによる腐食（断線）などが抑制される。従って、本実施形態に係る製造方法によって、有機ＥＬ装置１００を安定して製造することができる。

（実施形態２）
「有機ＥＬ装置の概要」
図１０は、図６に対応し、実施形態２に係る有機ＥＬ装置の画素コンタクト領域の概略断面図である。
本実施形態に係る有機ＥＬ装置は、電源線６と、電源線６の上に積層された絶縁膜１とが同じ形状にパターニングされている点が実施形態１との主な相違点である。
以下、図１０を参照して、本実施形態に係る有機ＥＬ装置の概要を、実施形態１との相違点を中心に説明する。なお、実施形態１と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明を省略する。

図１０に示すように、電源線６の上に絶縁膜１が積層され、電源線６と絶縁膜１とが同じ形状にパターニングされている。電源線６は開口６ＣＴを有し、開口６ＣＴの内側に同じ工程で形成された中継電極６−１が配置されている。中継電極６−１の上にも絶縁膜１が積層されている。中継電極６−１の上に積層された絶縁膜１には、中継電極６−１を露出させるコンタクトホール１ＣＴが形成されている。電源線６と第３層間絶縁膜１８と中継電極６−１と絶縁膜１とによって、開口６ＣＴの内側に第１の凹部Ｃ１が形成される。

本実施形態では、絶縁膜１は、第１の凹部Ｃ１を形成する構成要素の一部をなす。詳しくは、絶縁膜１は、第１の凹部Ｃ１の側壁の頂部側、及び第１の凹部Ｃ１の外側に配置される。

第１の凹部Ｃ１の内側には、絶縁膜５が充填されている。第１の凹部Ｃ１の内側に充填された絶縁膜５の表面（Ｚ（−）方向側の面）の位置と、第１の凹部Ｃ１の外側に配置されている絶縁膜１の表面（Ｚ（−）方向側の面）の位置とは、略同じ位置にある。換言すれば、第１の凹部Ｃ１の外側に配置されている絶縁膜１の表面と、絶縁膜５の表面とが同じ位置に配置されるように、第１の凹部Ｃ１の内側に絶縁膜５が充填されている。よって、開口６ＣＴや第１の凹部Ｃ１による凹凸の影響が抑制され、中継電極７と接する側に平坦な面が形成される。

中継電極７は、コンタクトホール１ＣＴの内側で中継電極６−１に接し、コンタクトホール１ＣＴの外側で、絶縁膜１及び絶縁膜５に接している。中継電極７は、コンタクトホール１ＣＴの外側で平坦な面の上に配置されているので、凹凸による悪影響、例えば段差部でのステップカバレッジ不良や段差部での薬液の染み込みによる腐食（断線）などが抑制される。さらに、画素電極３１は、絶縁膜２の段差２ＳＴ以外は平坦な面に配置されるので、中継電極７と同様に凹凸による悪影響が抑制される。

このように、本実施形態に係る画素コンタクト領域では、第３層間絶縁膜１８と、第３層間絶縁膜１８の上に配置され開口６ＣＴを有する電源線６と、開口６ＣＴの内側に配置された中継電極６−１と、電源線６及び中継電極６−１の上に配置された絶縁膜１と、絶縁膜１に形成された中継電極６−１を露出させるコンタクトホール１ＣＴと、電源線６と第３層間絶縁膜１８と中継電極６−１と絶縁膜１とによって開口６ＣＴの内側に形成された第１の凹部Ｃ１と、第１の凹部Ｃ１の内側に充填された絶縁膜５と、平面視で開口６ＣＴよりも広く配置された中継電極７と、を有し、中継電極７が接する側の面（絶縁膜１と絶縁膜５とで形成された面）は、平坦である。
かかる構成によって、公知技術（特開２０１３−２３８７２５号公報）の課題である凹凸の悪影響を抑制することができる。

「製造方法」
図１１は、有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程フローである。図１２及び図１３は、図１０に対応し、図１１に示す工程フローの中の主要な工程を経た後の状態を示す概略断面図である。
以下に、図１１乃至図１３を参照して、本実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法の概要を、実施形態１との相違点を中心に説明する。

図１１に示すように、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００を製造する工程は、第３層間絶縁膜１８を形成する工程（ステップＳ１１）と、アルミニウム及び窒化シリコンを堆積する工程（ステップＳ１２）と、電源線６と中継電極６−１と絶縁膜１とを形成する工程（ステップＳ１３）と、酸化シリコンを堆積する工程（ステップＳ１４）と、酸化シリコンをエッチングする工程（ステップＳ１５）と、マスクを形成する工程（ステップＳ１６）と、絶縁膜５を形成する工程（ステップＳ１７）と、マスクを除去する工程（ステップＳ１８）と、コンタクトホール１ＣＴを形成する工程（ステップＳ１９）と、中継電極７を形成する工程（ステップＳ２０）と、を含んでいる。

ステップＳ１１は、実施形態１のステップＳ１と同じ工程であり、図１２（ａ）に示すように第３層間絶縁膜１８を形成する。

ステップＳ１２では、図１２（ｂ）に示すように、第３層間絶縁膜１８の上に、例えばスパッタ法でアルミニウム６ａを堆積し、続いて例えばプラズマＣＶＤで窒化シリコン１ａを堆積する。アルミニウム６ａ及び窒化シリコン１ａの総膜厚（Ｚ（＋）方向の寸法）は、Ｈ１である。

ステップＳ１３では、図１２（ｃ）に示すように、例えばフッ素系ガスを用いたドライエッチングで窒化シリコン１ａに異方性エッチングを施す。そして、塩素系ガスを用いたドライエッチングで、アルミニウム６ａにＺ（＋）方向の異方性エッチングを施し、電源線６、中継電極６−１、及び絶縁膜１を形成する。つまり、窒化シリコン１ａとアルミニウム６ａとを同じ形状にパターニングして、電源線６、中継電極６−１、及び絶縁膜１を形成する。電源線６及び絶縁膜１の総膜厚（Ｚ（＋）方向の寸法）は、Ｈ１である。

開口６ＣＴは、絶縁膜１及び電源線６を貫いて形成される。絶縁膜１及び中継電極６−１は、開口６ＣＴの内側に配置される。開口６ＣＴの内側には、電源線６と第３層間絶縁膜１８と中継電極６−１と絶縁膜１とによって、第１の凹部Ｃ１が形成される。第１の凹部Ｃ１には、電源線６及び絶縁膜１の総膜厚に相当する寸法Ｈ１の段差が形成される。

ステップＳ１４では、図１２（ｄ）に示すように、例えば高密度プラズマＣＶＤで膜厚Ｈ３の酸化シリコン５ａを堆積する。高密度プラズマＣＶＤは段差被覆性に優れた成膜方法であるので、酸化シリコン５ａは、第１の凹部Ｃ１の内側に充填され、第１の凹部Ｃ１からＺ（−）方向に張り出して配置される。酸化シリコン５ａの膜厚Ｈ３は、第１の凹部Ｃ１の段差（深さ）Ｈ１よりも大きく、第１の凹部Ｃ１の上方に第３の凹部Ｃ３が形成される。
このとき、第３の凹部Ｃ３の底面は、平面視で第１の凹部Ｃ１よりも広くなる。つまり、平面視で、第１の凹部Ｃ１は、第３の凹部Ｃ３の内側に配置される。さらに、第３の凹部Ｃ３には、第１の凹部Ｃ１と同じ段差（Ｚ（＋）方向の寸法）Ｈ１が形成される。

第３の凹部Ｃ３の外側には、第１の凹部Ｃ１の外側に配置されている絶縁膜１の表面を基準とした場合に、高さ（Ｚ（＋）方向の寸法）Ｈ３の酸化シリコン５ａが配置される。第３の凹部Ｃ３の底面と、第１の凹部Ｃ１の外側に配置されている絶縁膜１の表面との間には、高さＨ３から第３の凹部Ｃ３の段差Ｈ１を差し引いた高さ（Ｚ（＋）方向の寸法）Ｈ２の酸化シリコン５ａが配置される。

ステップＳ１５では、図１２（ｅ）に示すように、例えばフッ素系ガスを用いたドライエッチングによって酸化シリコン５ａに、Ｚ（＋）方向の異方性エッチングを施す。つまり、酸化シリコン５ａをＺ（＋）方向に減膜する。
図１２（ｅ）の破線は、ステップＳ１４で堆積した酸化シリコン５ａの表面の輪郭（ドライエッチングを施す前の酸化シリコン５ａの表面の輪郭）を示している。図１２（ｅ）の破線の矢印は、酸化シリコン５ａをエッチング（減膜）する方向を示している。ステップＳ１５では、図中の破線がＺ（＋）方向に移動して、実線で示された酸化シリコン５ａの表面の輪郭が形成される。

ステップＳ１５では、第１の凹部Ｃ１の内側に充填された酸化シリコン５ａの表面が、第１の凹部Ｃ１の外側に配置されている絶縁膜１の表面と同じ位置に配置されるように、高さＨ２に相当する寸法Ｈ２の酸化シリコン５ａをＺ（＋）方向にエッチング除去する。寸法Ｈ２の酸化シリコン５ａをＺ（＋）方向に減膜すると、第３の凹部Ｃ３の輪郭がＺ（＋）方向に移動して、第４の凹部Ｃ４が形成される。第３の凹部Ｃ３の底面に対応する底面が、第４の凹部Ｃ４に形成される。平面視で、第１の凹部Ｃ１は、第３の凹部Ｃ３の内側に配置されるので、第４の凹部Ｃ４の内側に配置される。

よって、第１の凹部Ｃ１は、第４の凹部Ｃ４の内側に配置され、第１の凹部Ｃ１の内側に、絶縁膜１の表面と同じ位置の表面を有する酸化シリコン５ａが配置される。つまり、第１の凹部Ｃ１の底面から高さ（Ｚ（＋）方向の寸法）Ｈ１の酸化シリコン５ａが、第１の凹部Ｃ１の内側に配置（充填）される。さらに、第１の凹部Ｃ１と第４の凹部Ｃ４との間では、絶縁膜１の表面が露出する。

従って、第４の凹部Ｃ４の底面には、第１の凹部Ｃ１の内側に配置（充填）された酸化シリコン５ａの表面と、第１の凹部Ｃ１と第４の凹部Ｃ４との間で露出した絶縁膜１の表面とで平坦な面が形成される。
なお、第１の凹部Ｃ１の内側に残存する酸化シリコン５ａは、後述するステップＳ１７の工程で絶縁膜５になる。
第１の凹部Ｃ１と第４の凹部Ｃ４との間で露出した絶縁膜１の周辺には、Ｚ（＋）方向に減膜された酸化シリコン５ａが残存する。つまり、当該残存する酸化シリコン５ａによって第４の凹部Ｃ４が形成される。

ステップＳ１６は、実施形態１のステップＳ６と同じ工程であり、図１３（ａ）に示すように、第４の凹部Ｃ４の内側に配置され、第１の凹部Ｃ１の内側に充填された酸化シリコン５ａ（絶縁膜５）を覆うマスクＭを、レジストを用いたフォトリソグラフィープロセスで形成する。第１の凹部Ｃ１と第４の凹部Ｃ４との間で露出した絶縁膜１の周辺に残存する酸化シリコン５ａは、マスクＭで覆われていない。

ステップＳ１７は、実施形態１のステップＳ７と同じ工程であり、例えばフッ素系ガスを用いたドライエッチングによって、マスクＭで覆われていない部分の酸化シリコン５ａをエッチング除去し、第１の凹部Ｃ１の内側に充填された絶縁膜５（酸化シリコン５ａ）を形成する。第１の凹部Ｃ１の内側に配置（充填）された酸化シリコン５ａが絶縁膜５となる。

ステップＳ１８は、実施形態１のステップＳ８と同じ工程であり、マスクＭを除去する。図１３（ｂ）に示すように、絶縁膜１の表面と第１の凹部Ｃ１の内側に配置（充填）された絶縁膜５の表面とで平坦な面が形成され、開口６ＣＴや第１の凹部Ｃ１による凹凸の影響を抑制することができる。

ステップＳ１９は、実施形態１のステップＳ９と同じ工程であり、図１３（ｃ）に示すように、中継電極６−１を露出させるコンタクトホール１ＣＴを絶縁膜１に形成する。

ステップＳ２０は、実施形態１のステップＳ１０と同じ工程であり、図１３（ｄ）に示すように、中継電極７を形成する。中継電極７は、コンタクトホール１ＣＴの外側で、絶縁膜１と絶縁膜５とによって平坦化された面の上に配置される。よって、コンタクトホール１ＣＴの外側では、開口６ＣＴや第１の凹部Ｃ１による凹凸の悪影響、例えば段差部でのステップカバレッジ不良や段差部での薬液の染み込みによる腐食（断線）などが抑制される。

本実施形態に係る製造方法においても、ステップＳ１４〜ステップＳ１８に示す工程によって、光学的距離調整層２８の一部をなす絶縁膜１の膜厚の変化（減膜）を抑制しつつ酸化シリコン５ａに減膜処理（平坦化処理）を施し、絶縁膜１と絶縁膜５とで形成される中継電極７と接する側の面を平坦にすることができる。従って、電源線６と対向電極３３との間の光学的距離の変化による表示品位の低下が抑制され、高画質の表示を提供することができる。

さらに、平坦な面の上に形成する中継電極７や、平坦な面の上方に形成する画素電極３１には、下地膜の凹凸による悪影響、例えば段差部でのステップカバレッジ不良や段差部での薬液の染み込みによる腐食（断線）などが抑制される。

（実施形態３）
「有機ＥＬ装置の製造方法」
図１４は、実施形態３に係る有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程フローである。図１５は、図１４に示す主要な工程を経た後の状態を示す概略断面図である。
図１５に示す基板１０−１は、実施形態１の素子基板１０の構成要素の一部で構成されている。詳しくは、図５における基材１０ｓから絶縁膜１までの部分の素子基板１０、つまり絶縁膜１よりも下層（Ｚ（＋）方向）に設けられ画素回路や配線が形成された部分の素子基板１０が、図１５に示す基板１０−１である。図１５では、本実施形態に係る製造方法を分かりやすく説明するために、これら画素回路や配線の図示が省略され、基板１０−１として図示されている。
なお、基板１０−１は、本発明における「基板」の一例である。

また、図１５（ａ）は図８（ｄ）に対応する図であり、図１５（ｂ）は図８（ｅ）に対応する図であり、図１５（ｃ）は図９（ａ）に対応する図であり、図１５（ｄ）は図９（ｂ）に対応する図である。なお、図１５の基板１０−１は、図８及び図９では図示が省略された部分、図５における基材１０ｓから第３配線層１７−１までの部分も含む。

図１４に示すように、本実施形態に係る有機ＥＬ装置を製造する工程は、酸化シリコンを堆積する工程（ステップＳ２１）と、酸化シリコンをエッチングする工程（ステップＳ２２）と、マスクを形成する工程（ステップＳ２３）と、酸化シリコンをエッチングする工程（ステップＳ２４）と、マスクを除去する工程（ステップＳ２５）と、を含む。

図１５（ａ）に示すように、基板１０−１の表面１０−１ａには、第２の凹部Ｃ２が形成されている。基板１０−１の表面１０−１ａには、窒化シリコンからなる絶縁膜１が配置されている（図８（ｄ）参照）。つまり、実施形態１における絶縁膜１で覆われた第３層間絶縁膜１８の表面が、基板１０−１の表面１０−１ａとなる。よって、基板１０−１の表面１０−１ａの構成材料は、窒化シリコンである。
表面１０−１ａは、本発明における「表面」の一例である。基板１０−１の表面１０−１ａに形成された第２の凹部Ｃ２は、本発明における「凹部」の一例である。

ステップＳ２１では、例えば高密度プラズマＣＶＤで膜厚Ｈ３の酸化シリコン５ａを、基板１０−１の表面１０−１ａに堆積する。高密度プラズマＣＶＤは段差被覆性に優れた成膜方法であるので、酸化シリコン５ａは、第２の凹部Ｃ２の内側に充填され、第２の凹部Ｃ２からＺ（−）方向に張り出して配置される。酸化シリコン５ａの膜厚Ｈ３は、第２の凹部Ｃ２の段差（深さ）Ｈ１よりも大きく、第２の凹部Ｃ２の上方に第３の凹部Ｃ３が形成される。
酸化シリコン５ａは、本発明における「絶縁材料」の一例である

このとき、第３の凹部Ｃ３の底面は、平面視で第２の凹部Ｃ２よりも広くなる。つまり、平面視で、第２の凹部Ｃ２は、第３の凹部Ｃ３の内側に配置される。さらに、第３の凹部Ｃ３には、第２の凹部Ｃ２と同じ段差（Ｚ（＋）方向の寸法）Ｈ１が形成される。

第３の凹部Ｃ３の外側には、第２の凹部Ｃ２の外側に配置されている表面１０−１ａを基準とした場合に、高さ（Ｚ（＋）方向の寸法）Ｈ３の酸化シリコン５ａが配置される。第３の凹部Ｃ３の底面と、第２の凹部Ｃ２の外側に配置されている表面１０−１ａとの間には、高さＨ３から第３の凹部Ｃ３の段差Ｈ１を差し引いた高さ（Ｚ（＋）方向の寸法）Ｈ２の酸化シリコン５ａが配置される。

ステップＳ２２では、図１５（ｂ）に示すように、例えばフッ素系ガスを用いたドライエッチングによって酸化シリコン５ａに、Ｚ（＋）方向の異方性エッチングを施す。つまり、酸化シリコン５ａをＺ（＋）方向に減膜する。
図１５（ｂ）の破線は、ステップＳ２１で堆積した酸化シリコン５ａの表面の輪郭（ドライエッチングを施す前の酸化シリコン５ａの表面の輪郭）を示している。図１５（ｂ）の破線の矢印は、酸化シリコン５ａをエッチング（減膜）する方向を示している。ステップＳ２２では、図中の破線がＺ（＋）方向に移動して、実線で示された酸化シリコン５ａの表面の輪郭が形成される。

ステップＳ２２では、第２の凹部Ｃ２の内側に充填された酸化シリコン５ａの表面が、第２の凹部Ｃ２の外側に配置されている表面１０−１ａと同じ位置に配置されるように、高さＨ２に相当する寸法Ｈ２の酸化シリコン５ａをＺ（＋）方向に減膜する。寸法Ｈ２の酸化シリコン５ａをＺ（＋）方向に減膜すると、第３の凹部Ｃ３の輪郭がＺ（＋）方向に移動して、第４の凹部Ｃ４が形成される。第３の凹部Ｃ３の底面に対応する底面が、第４の凹部Ｃ４に形成される。平面視で、第２の凹部Ｃ２は、第３の凹部Ｃ３の内側に配置されるので、第４の凹部Ｃ４の内側に配置される。

よって、第２の凹部Ｃ２は、第４の凹部Ｃ４の内側に配置され、第２の凹部Ｃ２の内側に、表面１０−１ａと同じ位置の表面を有する酸化シリコン５ａが配置される。つまり、第２の凹部Ｃ２の底面から高さ（Ｚ（＋）方向の寸法）Ｈ１の酸化シリコン５ａが、第２の凹部Ｃ２の内側に配置（充填）される。
フッ素系ガスを用いたドライエッチングでは、窒化シリコンで構成される表面１０−１ａは実質的にエッチングされず、酸化シリコン５ａのエッチングストッパーとなる。よって、第２の凹部Ｃ２と第４の凹部Ｃ４との間では、表面１０−１ａが露出する。

従って、第４の凹部Ｃ４の底面には、第２の凹部Ｃ２の内側に配置（充填）された酸化シリコン５ａの表面と、第２の凹部Ｃ２と第４の凹部Ｃ４との間で露出した表面１０−１ａとで平坦な面が形成される。

ステップＳ２３では、図１５（ｃ）に示すように、第２の凹部Ｃ２の内側に配置（充填）された酸化シリコン５ａを覆うマスクＭを、レジストを用いたフォトリソグラフィープロセスで形成する。マスクＭは、第４の凹部Ｃ４の内側に配置される。第２の凹部Ｃ２と第４の凹部Ｃ４との間で露出した絶縁膜１の周辺に残存する酸化シリコン５ａは、マスクＭで覆われていない。

ステップＳ２４では、例えばフッ素系ガスを用いたドライエッチングによって、マスクＭで覆われていない部分の酸化シリコン５ａをエッチング除去する。第２の凹部Ｃ２の内側に充填された酸化シリコン５ａは、マスクＭで保護されているのでエッチングされない。

ステップＳ２４では、ステップＳ２２と同様に、窒化シリコンで構成される表面１０−１ａは実質的にエッチングされない。よって、ステップＳ２４で残存する酸化シリコン５ａをエッチング除去しても、第２の凹部Ｃ２と第４の凹部Ｃ４との間で露出した表面１０−１ａ（窒化シリコン）は実質的にエッチングされない。つまり、表面１０−１ａがエッチングされ、表面１０−１ａの平坦性が損なわれることはない。

ステップＳ２５では、例えば酸素プラズマや薬液などでマスクＭを除去する。マスクＭを除去すると、図１５（ｄ）に示すように、第２の凹部Ｃ２の外側に配置された表面１０−１ａと、第２の凹部Ｃ２の内側に配置（充填）された酸化シリコン５ａの表面とで平坦な面が形成され、第２の凹部Ｃ２による凹凸の影響を抑制することができる。

このように、ステップＳ２１〜ステップＳ２５に示す工程によって、基板１０−１の表面１０−１ａの凹部（第２の凹部Ｃ２）に絶縁材料（酸化シリコン５ａ）を埋め込み、基板１０−１の表面１０−１ａを平坦にすることができる。つまり、ステップＳ２１〜ステップＳ２５に示す工程は、基板１０−１の表面１０−１ａを平坦にする平坦化処理を施す工程である。

本実施形態に係る製造方法の特徴は、基板１０−１の表面１０−１ａが減膜されないように、凹部（第２の凹部Ｃ２）に充填された絶縁材料（酸化シリコン５ａ）を選択的にエッチング（減膜）し、絶縁材料（酸化シリコン５ａ）の表面の位置を選択的に調整することで平坦な面を形成することになる。
なお、表面１０−１ａのエッングレートに対する絶縁材料のエッチングレートの比が概略３以上の場合が、本実施形態における選択的なエッチング（減膜）に該当する。このような選択的なエッチングが実現されるように、表面１０−１ａの構成材料や絶縁材料の構成材料やエッチング方法などを選択する必要がある。

例えば、ＣＭＰは、物理的処理（機械的研磨）によって減膜するので、凹部（第２の凹部Ｃ２）に充填された絶縁材料（酸化シリコン５ａ）に減膜処理（平坦化処理）を、選択的に施すことが難しい。

さらに、ＣＭＰによる減膜処理では、減膜する対象物の密度によって、減膜される速度が異なる。例えば、絶縁材料（酸化シリコン５ａ）が充填された凹部（第２の凹部Ｃ２）が密に配置された部分の減膜速度は、絶縁材料（酸化シリコン５ａ）が充填された凹部（第２の凹部Ｃ２）が疎に配置された部分の減膜速度よりも小さくなる。よって、ＣＭＰでは、凹部（第２の凹部Ｃ２）が密に配置された部分の絶縁材料（酸化シリコン５ａ）は遅く減膜され、凹部（第２の凹部Ｃ２）が疎に配置された部分の絶縁材料（酸化シリコン５ａ）は早く減膜される。このため、ＣＭＰでは、凹部（第２の凹部Ｃ２）が密に配置された部分で凸となり、凹部（第２の凹部Ｃ２）が疎に配置された部分で凹となったグローバル段差が発生する。

一方、本実施形態に係る製造方法は、化学的処理（エッチング）によって減膜するので、処理は、凹部（第２の凹部Ｃ２）に充填された絶縁材料（酸化シリコン５ａ）を選択的に減膜することが可能であり、さらに凹部（第２の凹部Ｃ２）に充填された絶縁材料（酸化シリコン５ａ）の配置によって、絶縁材料（酸化シリコン５ａ）の減膜速度が変化しにくい。

従って、本実施形態に係る製造方法は、凹部（第２の凹部Ｃ２）に充填された絶縁材料（酸化シリコン５ａ）の配置密度が異なっても、略一様な減膜が実現されるので、ＣＭＰと比べて、減膜された面の平坦性を高めることができる。

（実施形態４）
「電子機器」
図１６は、電子機器の一例としてのヘッドマウントディスプレイの概略図である。
図１６に示すように、ヘッドマウントディスプレイ１０００は、左右の目に対応して設けられた２つの表示部１００１を有している。観察者Ｍはヘッドマウントディスプレイ１０００を眼鏡のように頭部に装着することにより、表示部１００１に表示された文字や画像などを見ることができる。例えば、左右の表示部１００１に視差を考慮した画像を表示すれば、立体的な映像を見て楽しむこともできる。

表示部１００１には、上記実施形態に係る有機ＥＬ装置のいずれかが搭載されている。上記実施形態に係る有機ＥＬ装置では、下地膜の凹凸による悪影響、つまり中継電極７や画素電極３１に断線（点欠陥）が生じにくく、さらに電源線６と対向電極３３との間の光学的距離の変化による表示品位の低下が抑制され、高画質の表示が提供される。従って、表示部１００１に上記実施形態に係る有機ＥＬ装置のいずれかを搭載することで、点欠陥の発生が抑制され且つ高品位の表示のヘッドマウントディスプレイ１０００を提供することができる。

なお、上記実施形態に係る有機ＥＬ装置のいずれかが搭載される電子機器は、ヘッドマウントディスプレイ１０００に限定されない。例えば、ヘッドアップディスプレイや、デジタルカメラの電子ビューファインダー、携帯型情報端末、ナビゲーターなどの表示部を有する電子機器に搭載してもよい。

本発明は、上記実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び該電気光学装置が搭載された電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれる。
上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。

（変形例１）
実施形態１に係る有機ＥＬ装置１００を構成する第３層間絶縁膜１８は、下層に配置された構成要素（例えば、第１配線層１５−１、第２配線層１６−１、第３配線層１７−１など）の凹凸の影響を抑制するために、ＣＭＰによる平坦化処理が施されていた。ＣＭＰに代えて、実施形態３に係る製造方法を第３層間絶縁膜１８に適用し、下層に配置された構成要素の凹凸の影響を抑制する平坦化処理を、第３層間絶縁膜１８に施してもよい。
さらに、実施形態１に係る有機ＥＬ装置１００を構成する他の構成要素（例えば、第１層間絶縁膜１５、第２層間絶縁膜１６など）に対して、実施形態３に係る製造方法を適用してもよい。

（変形例２）
本発明に係る電気光学装置は、上述した有機ＥＬ装置に限定されず、例えば液晶装置であってもよい。すなわち、本発明に係る製造方法が適用された反射型の液晶装置や透過型の液晶装置も、本発明の技術的範囲に含まれる。

例えば、反射型の液晶装置では、反射電極の平坦性を高めることが好ましい。実施形態３に係る製造方法を適用することによって、反射電極の下地膜の凹部に絶縁材料を充填し、下地膜の平坦性を高め、下地膜の上に形成する反射電極の平坦性を高めることができる。

例えば、遮光層（ブラックマトリクス）のうえに薄膜トランジスターが形成された透過型液晶装置において、遮光層（ブラックマトリクス）を形成することによる凹凸の影響を抑制するために、実施形態３に係る製造方法を適用することができる。

さらに、実施形態３に係る製造方法は、センサー、アクチュエーター、電子回路などを半導体基板や絶縁基板などの上に形成するＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）、及び半導体デバイスなどに適用させることができる。つまり、実施形態３に係る製造方法が適用されたＭＥＭＳや半導体デバイスも、本発明の技術的範囲に含まれる。

１…絶縁膜、１ＣＴ…コンタクトホール、絶縁膜、５…絶縁膜、６…電源線（高電位側の電源線）、６−１…中継電極、６ＣＴ…開口、７…中継電極、８…電源線（低電位側の電源線）、１０…素子基板、１０ａ…ウェル部、１０ｂ…イオン注入部、１０ｃ…シリコン酸化膜、１０ｄ…絶縁膜、１０ｓ…基材、１２…走査線、１４…データ線、１５…第１層間絶縁膜、１５−１…第１配線層、１５−１ａ…中継電極、１６…第２層間絶縁膜、１６−１…第２配線層、１６−１ａ…中継電極、１７…絶縁膜、１７−１第３配線層、１８…第３層間絶縁膜、１８−１…第４配線層、２０，２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒ…画素、２１…容量、２１ａ…一方の電極、２１ｂ…他方の電極、２８，２８Ｇ，２８Ｂ，２８Ｒ…光学的距離調整層、２９…絶縁膜、２９ＣＴ…開口、３０…有機ＥＬ素子、３１…画素電極、３２…発光機能層、３３…対向電極、４０…封止層、４１…第１封止層、４２…平坦化層、４３…第２封止層、５０…カラーフィルター、７１…樹脂層、７０…封止基板、１００…有機ＥＬ装置。

Claims (9)

1. 絶縁層と、
   前記絶縁層の上に配置され、開口を有する反射層と、
   前記開口の内側に配置された第１の中継電極と、
   前記反射層と前記絶縁層と前記第１の中継電極とによって、前記開口の内側に形成された第１の凹部と、
   前記反射層と前記第１の凹部と前記第１の中継電極とを覆う第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜に形成された前記第１の中継電極を露出させるコンタクトホールと、
   前記第１の絶縁膜によって前記第１の凹部の内側に形成された第２の凹部と、
   前記第２の凹部の内側に充填された第２の絶縁膜と、
   前記第１の中継電極と前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とに接し、平面視で前記開口よりも広く配置された第２の中継電極と、
   を含み、
   前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とで形成される前記第２の中継電極に接する面は、平坦であることを特徴とする電気光学装置。
2. 絶縁層と、
   前記絶縁層の上に配置され、開口を有する反射層と、
   前記開口の内側に配置された第１の中継電極と、
   前記反射層及び前記第１の中継電極の上に配置された第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜に形成された前記第１の中継電極を露出させるコンタクトホールと、
   前記反射層と前記絶縁層と前記第１の中継電極と前記第１の絶縁膜とによって、前記開口の内側に形成された第１の凹部と、
   前記第１の凹部の内側に充填された第２の絶縁膜と、
   前記第１の中継電極と前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とに接し、平面視で前記開口よりも広く配置された第２の中継電極と、
   を含み、
   前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とで形成される前記第２の中継電極に接する面は、平坦であることを特徴とする電気光学装置。
3. 前記第１の絶縁膜の構成材料は、窒化シリコンであり、
   前記第２の絶縁膜の構成材料は、酸化シリコンであることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
4. 発光領域を有し、
   前記発光領域には、前記反射層と光学的距離調整層と画素電極と発光機能層と対向電極とが順に積層されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電気光学装置。
5. 前記第１の絶縁膜は、前記光学的距離調整層の一部をなすことを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
6. 前記反射層の前記画素電極と反対側にトランジスターが配置され、
   前記トランジスターは、前記第１の中継電極と前記第２の中継電極とを介して、前記画素電極に電気的に接続されていることを特徴とする請求項４または５に記載の電気光学装置。
7. 請求項１乃至６のいずれか１項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。
8. 絶縁層と、
   前記絶縁層の上に配置され、開口を有する反射層と、
   前記開口の内側に配置された第１の中継電極と、
   前記反射層と前記絶縁層と前記第１の中継電極とによって、前記開口の内側に形成された第１の凹部と、
   前記反射層と前記第１の凹部と前記第１の中継電極とを覆う第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜に形成された前記第１の中継電極を露出させるコンタクトホールと、
   前記第１の絶縁膜によって前記第１の凹部の内側に形成された第２の凹部と、
   前記第２の凹部の内側に充填された第２の絶縁膜と、
   前記第１の中継電極と前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とに接し、平面視で前記開口よりも広く配置された第２の中継電極と、
   を含む電気光学装置の製造方法であって、
   前記絶縁層を形成する工程と、
   前記反射層及び前記第１の中継電極を形成する工程と、
   窒化シリコンを堆積して前記第１の絶縁膜を形成する工程と、
   前記第２の凹部の内側に前記反射層の膜厚よりも大きな膜厚の酸化シリコンを堆積する工程と、
   前記第２の凹部の周辺の前記第１の絶縁膜の表面を露出させ、前記第２の凹部の内側に堆積された前記酸化シリコンの表面が、前記第２の凹部の周辺の前記第１の絶縁膜の表面と略同じ位置に配置されるように、前記酸化シリコンに前記反射層から前記絶縁層に向かう第１の方向の異方性エッチングを施す工程と、
   前記第２の凹部の内側に堆積された前記酸化シリコンを覆うマスクを形成する工程と、
   前記マスクで覆われていない部分の前記酸化シリコンをエッチング除去し、前記第２の絶縁膜を形成する工程と、
   前記マスクを除去する工程と、
   前記第１の絶縁膜に前記コンタクトホールを形成する工程と、
   前記第２の中継電極を形成する工程と、
   を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
9. 絶縁層と、
   前記絶縁層の上に配置され、開口を有する反射層と、
   前記開口の内側に配置された第１の中継電極と、
   前記反射層及び前記第１の中継電極の上に配置された第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜に形成された前記第１の中継電極を露出させるコンタクトホールと、
   前記反射層と前記絶縁層と前記第１の中継電極と前記第１の絶縁膜とによって、前記開口の内側に形成された第１の凹部と、
   前記第１の凹部の内側に充填された第２の絶縁膜と、
   前記第１の中継電極と前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とに接し、平面視で前記開口よりも広く配置された第２の中継電極と、
   を含む電気光学装置の製造方法であって、
   前記絶縁層を形成する工程と、
   前記絶縁層の上に、導電材料と窒化シリコンとを順に堆積する工程と、
   前記導電材料及び前記窒化シリコンに前記反射層から前記絶縁層に向かう第１の方向の異方性エッチングを施し、前記反射層、前記第１の中継電極、及び前記第１の絶縁膜を形成する工程と、
   前記第１の凹部の内側に前記導電材料及び前記窒化シリコンの総膜厚よりも大きな膜厚の酸化シリコンを堆積する工程と、
   前記第１の凹部の周辺の前記第１の絶縁膜の表面を露出させ、前記第１の凹部の内側に堆積された前記酸化シリコンの表面が、前記第１の凹部の周辺の前記第１の絶縁膜の表面と略同じ位置に配置されるように、前記酸化シリコンに前記第１の方向の異方性エッチングを施す工程と、
   前記第１の凹部の内側に堆積された前記酸化シリコンを覆うマスクを形成する工程と、
   前記マスクで覆われていない部分の前記酸化シリコンをエッチング除去し、前記第２の絶縁膜を形成する工程と、
   前記マスクを除去する工程と、
   前記第１の絶縁膜に前記コンタクトホールを形成する工程と、
   前記第２の中継電極を形成する工程と、
   を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。

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