CN106653816A - 一种oled阴极隔离柱的制备方法 - Google Patents

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严学文
董军
高伟
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Abstract

本发明提供了一种OLED阴极隔离柱的制备方法，包括如下步骤：步骤1)ITO玻片清洗；步骤2)在步骤1)上甩两层聚酰亚胺；步骤3)在聚酰亚胺上溅射一层450～550nm厚的二氧化硅；步骤4)在二氧化硅上旋凃上负性光刻KMP‑BN308胶；步骤5)步骤4)完后在光刻机下曝光；步骤6)将曝完光的基片进行显影和漂洗；步骤7)漂洗完的基片放到真空干燥箱在温度为100～120℃的条件下进行烘烤20～40min；步骤8)用干法刻蚀或HF湿法刻蚀二氧化硅；步骤9)刻蚀完二氧化硅后进行聚酰亚胺膜的刻蚀。本发明提供的OLED阴极隔离柱的制备方法，其制备的OLED阴极隔离柱不含任何杂质，工艺简单、厚度小。

Description

一种OLED阴极隔离柱的制备方法
技术领域
本发明涉及一种OLED阴极隔离柱技术，特别是一种OLED阴极隔离柱的制备方法。
背景技术
OLED(Organic Light Emitting Display)，有机发光显示器件是指有机半导体材料和发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光的现象。OLED具有主动发光，无视角问题；重量轻，厚度小；高亮度，高发光效率；发光材料丰富，易实现彩色显示；响应速度快，动态画面质量高；使用温度范围广；可实现柔软显示；工艺简单，成本低；抗震能力强等一系列的优点，逐步成为最有潜力的一种显示器件，因此它被专家称为未来的理想显示器，在各种领域有着广泛的应用。
目前国内外许多公司、科研机构都投入大量人力物力进行研究。有机电致发光器件通常由第一电极(透明阳极)、沉积在第一电极上的发光介质、沉积在发光介质上的第二电极(阴极)构成。由无源OLED器件的结构决定了它的驱动方式是二维矩阵寻址。无源矩阵显示是实现有机发光显示的一种简单方法。在有机发光无源矩阵显示器件中需要实现阴极的图案化，一般采用具有倒梯形或者T形截面的条纹结构作为隔离柱实现阴极加工过程中的图案化。目前在硅片或其它衬底上制作金属图形都是先通过涂胶、曝光、显影等光刻出图形后再通过蒸镀，超声剥离等实现金属图形的制备。
发明内容
有鉴于此，本发明的主要目的是提供一种OLED阴极隔离柱的制备方法。
具体的方案为：
一种OLED阴极隔离柱的制备方法，包括如下步骤：
步骤1)ITO玻片清洗；
步骤2)在步骤1)上甩两层聚酰亚胺；
步骤3)在聚酰亚胺上溅射一层450～550nm厚的二氧化硅；
步骤4)在二氧化硅上旋凃上负性光刻KMP-BN308胶；
步骤5)步骤4)完后在光刻机下曝光；
步骤6)将曝完光的基片进行显影和漂洗；
步骤7)漂洗完的基片放到真空干燥箱在温度为100～120℃的条件下进行烘烤20～40min；
步骤8)用干法刻蚀或HF湿法刻蚀二氧化硅；
步骤9)刻蚀完二氧化硅后进行聚酰亚胺膜的刻蚀。
进一步地，步骤1)中的ITO玻璃清洗方法为：
步骤①：将ITO玻璃放置650ml的按照质量比为1:1的丙酮和乙醇混合溶液中超声15min后取出；
步骤②：准备650ml去离子水，将650ml去离子水加3～4滴白毛洗洁精，加热至70℃；再将步骤①超声后的ITO玻璃置入超声10min，取出；
步骤③：准备650ml去离子水，将650ml的去离子水加热至100℃，将步骤②处理后的ITO玻璃置入沸水煮15min；
步骤④：准备650ml去离子水，将步骤③处理后的ITO玻璃置入超声5min；
步骤⑤：准备650ml去离子水，将步骤④处理后的ITO玻璃置入超声5min。
进一步地，步骤2)甩两层聚酰亚胺的方法为：
步骤①：硅片清洗，在三氯乙烷中煮沸，再在丙酮和异丙醇中煮沸；然后在氮气流中吹干，130℃下烘烤30分钟，脱水汽；
步骤②：涂胶，用机械旋转法涂覆ZKPI胶，其转数为3000～5000rpm/15-30s，将ZKPI胶均匀涂覆在硅片上
步骤③：预烘，在恒温烘箱中以温度为100～120℃烘烤20～40min，
步骤④：涂光刻胶、曝光、显影，涂光刻胶后，可按正常的光刻工艺进行预烘、曝光、显影和坚膜；
步骤⑤：ZKPI胶膜刻蚀，采用质量比为0.7～1：100的四甲基氢氧化氨水溶液中刻蚀30s，刻蚀完毕后立即置于质量比为0.5～1.0：100的稀冰醋酸去离子水溶液中10s，然后用去离子水冲洗10min，去除残余的刻蚀剂和中和剂，随后烘干；
步骤⑥：去光刻胶，以丙酮或乙酸乙酯为溶剂的剥离剂剥离光刻胶层
步骤⑦：亚胺化，采用阶梯升温法：150℃/60min、180℃/30min、250℃/60min，根据实际情况，可升至300-350℃/30min，使亚胺化完全。
进一步地，步骤4)中光刻KMP-BN308胶工艺为:
步骤①：基片预处理；
步骤②：清洗，焙烘；
步骤③：涂胶，采用旋转涂布法，
步骤④：前烘，热板1000℃/60s
步骤⑤：曝光，采用高压汞灯曝光；
步骤⑥：显影；
步骤⑦：采用KMP-BN系列紫外负胶显影剂浸入或喷淋显影；
步骤⑧：漂洗，显影后应立即漂洗；
步骤⑨：坚膜，对流烘箱，130-1400C,20-30分钟；
步骤⑩：湿法腐蚀；
步骤去胶。
本发明提供的OLED阴极隔离柱的制备方法，其制备的OLED阴极隔离柱不含任何杂质，工艺简单、厚度小。
说明书附图
图1是KMP-BN系列负胶膜厚-转速曲线；
图2是膜厚-曝光量曲线图；
图3是KMP-BN系列紫外负胶的光谱吸收图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明做详细说明。
实施例1.
步骤1)ITO玻片清洗；ITO玻璃清洗方法为：步骤①：将ITO玻璃放置650ml的按照质量比为1:1的丙酮和乙醇混合溶液中超声15min后取出；步骤②：准备650ml去离子水，将650ml去离子水加3～4滴白毛洗洁精，加热至70℃；再将步骤①超声后的ITO玻璃置入超声10min，取出；步骤③：准备650ml去离子水，将650ml的去离子水加热至100℃，将步骤②处理后的ITO玻璃置入沸水煮15min；步骤④：准备650ml去离子水，将步骤③处理后的ITO玻璃置入超声5min；步骤⑤：准备650ml去离子水，将步骤④处理后的ITO玻璃置入超声5min。步骤2)在步骤1)上甩两层聚酰亚胺；步骤2)甩两层聚酰亚胺的方法为：步骤①：硅片清洗，在三氯乙烷中煮沸，再在丙酮和异丙醇中煮沸；然后在氮气流中吹干，130℃下烘烤30分钟，脱水汽；步骤②：涂胶，用机械旋转法涂覆ZKPI胶，其转数为3000rpm/15-30s，将ZKPI胶均匀涂覆在硅片上，步骤③：预烘，在恒温烘箱中以温度为100～120℃烘烤20～40min，步骤④：涂光刻胶、曝光、显影，涂光刻胶后，可按正常的光刻工艺进行预烘、曝光、显影和坚膜；步骤⑤：ZKPI胶膜刻蚀，采用质量比为0.7～1：100的四甲基氢氧化氨水溶液中刻蚀30s，刻蚀完毕后立即置于质量比为0.5～1.0：100的稀冰醋酸去离子水溶液中10s，然后用去离子水冲洗10min，去除残余的刻蚀剂和中和剂，随后烘干；步骤⑥：去光刻胶，以丙酮或乙酸乙酯为溶剂的剥离剂剥离光刻胶层步骤⑦：亚胺化，采用阶梯升温法：150℃/60min、180℃/30min、250℃/60min，根据实际情况，可升至300-350℃/30min，使亚胺化完全。步骤3)在聚酰亚胺上溅射一层450～550nm厚的二氧化硅；步骤4)在二氧化硅上旋凃上负性光刻KMP-BN308胶；步骤4)中光刻KMP-BN308胶工艺为:步骤①：基片预处理；步骤②：清洗，焙烘；步骤③：涂胶，采用旋转涂布法，步骤④：前烘，热板1000℃/60s步骤⑤：曝光，采用高压汞灯曝光，步骤⑥：显影；步骤⑦：采用KMP-BN系列紫外负胶显影剂浸入或喷淋显影；步骤⑧：漂洗，显影后应立即漂洗；步骤⑨：坚膜，对流烘箱，130-1400C,20-30分钟；步骤⑩：湿法腐蚀；步骤去胶。步骤5)步骤4)完后在光刻机下曝光；步骤6)将曝完光的基片进行显影和漂洗；步骤7)漂洗完的基片放到真空干燥箱在温度为100～120℃的条件下进行烘烤20～40min；步骤8)用干法刻蚀或HF湿法刻蚀二氧化硅；步骤9)刻蚀完二氧化硅后进行聚酰亚胺膜的刻蚀。
实施例2
步骤1)ITO玻片清洗；ITO玻璃清洗方法为：步骤①：将ITO玻璃放置650ml的按照质量比为1:1的丙酮和乙醇混合溶液中超声15min后取出；步骤②：准备650ml去离子水，将650ml去离子水加3～4滴白毛洗洁精，加热至70℃；再将步骤①超声后的ITO玻璃置入超声10min，取出；步骤③：准备650ml去离子水，将650ml的去离子水加热至100℃，将步骤②处理后的ITO玻璃置入沸水煮15min；步骤④：准备650ml去离子水，将步骤③处理后的ITO玻璃置入超声5min；步骤⑤：准备650ml去离子水，将步骤④处理后的ITO玻璃置入超声5min。步骤2)在步骤1)上甩两层聚酰亚胺；步骤2)甩两层聚酰亚胺的方法为：步骤①：硅片清洗，在三氯乙烷中煮沸，再在丙酮和异丙醇中煮沸；然后在氮气流中吹干，130℃下烘烤30分钟，脱水汽；步骤②：涂胶，用机械旋转法涂覆ZKPI胶，其转数为4000rpm/15-30s，将ZKPI胶均匀涂覆在硅片上，步骤③：预烘，在恒温烘箱中以温度为100～120℃烘烤20～40min，步骤④：涂光刻胶、曝光、显影，涂光刻胶后，可按正常的光刻工艺进行预烘、曝光、显影和坚膜；步骤⑤：ZKPI胶膜刻蚀，采用质量比为0.7～1：100的四甲基氢氧化氨水溶液中刻蚀30s，刻蚀完毕后立即置于质量比为0.5～1.0：100的稀冰醋酸去离子水溶液中10s，然后用去离子水冲洗10min，去除残余的刻蚀剂和中和剂，随后烘干；步骤⑥：去光刻胶，以丙酮或乙酸乙酯为溶剂的剥离剂剥离光刻胶层步骤⑦：亚胺化，采用阶梯升温法：150℃/60min、180℃/30min、250℃/60min，根据实际情况，可升至300-350℃/30min，使亚胺化完全。步骤3)在聚酰亚胺上溅射一层450～550nm厚的二氧化硅；步骤4)在二氧化硅上旋凃上负性光刻KMP-BN308胶；步骤4)中光刻KMP-BN308胶工艺为:步骤①：基片预处理；步骤②：清洗，焙烘；步骤③：涂胶，采用旋转涂布法，步骤④：前烘，热板1000℃/60s步骤⑤：曝光，采用高压汞灯曝光，步骤⑥：显影；步骤⑦：采用KMP-BN系列紫外负胶显影剂浸入或喷淋显影；步骤⑧：漂洗，显影后应立即漂洗；步骤⑨：坚膜，对流烘箱，130-1400C,20-30分钟；步骤⑩：湿法腐蚀；步骤去胶。步骤5)步骤4)完后在光刻机下曝光；步骤6)将曝完光的基片进行显影和漂洗；步骤7)漂洗完的基片放到真空干燥箱在温度为100～120℃的条件下进行烘烤20～40min；步骤8)用干法刻蚀或HF湿法刻蚀二氧化硅；步骤9)刻蚀完二氧化硅后进行聚酰亚胺膜的刻蚀。
实施例3
步骤1)ITO玻片清洗；ITO玻璃清洗方法为：步骤①：将ITO玻璃放置650ml的按照质量比为1:1的丙酮和乙醇混合溶液中超声15min后取出；步骤②：准备650ml去离子水，将650ml去离子水加3～4滴白毛洗洁精，加热至70℃；再将步骤①超声后的ITO玻璃置入超声10min，取出；步骤③：准备650ml去离子水，将650ml的去离子水加热至100℃，将步骤②处理后的ITO玻璃置入沸水煮15min；步骤④：准备650ml去离子水，将步骤③处理后的ITO玻璃置入超声5min；步骤⑤：准备650ml去离子水，将步骤④处理后的ITO玻璃置入超声5min。步骤2)在步骤1)上甩两层聚酰亚胺；步骤2)甩两层聚酰亚胺的方法为：步骤①：硅片清洗，在三氯乙烷中煮沸，再在丙酮和异丙醇中煮沸；然后在氮气流中吹干，130℃下烘烤30分钟，脱水汽；步骤②：涂胶，用机械旋转法涂覆ZKPI胶，其转数为5000rpm/15-30s，将ZKPI胶均匀涂覆在硅片上，图1是KMP-BN系列负胶膜厚-转速曲线。步骤③：预烘，在恒温烘箱中以温度为100～120℃烘烤20～40min，步骤④：涂光刻胶、曝光、显影，涂光刻胶后，可按正常的光刻工艺进行预烘、曝光、显影和坚膜；步骤⑤：ZKPI胶膜刻蚀，采用质量比为0.7～1：100的四甲基氢氧化氨水溶液中刻蚀30s，刻蚀完毕后立即置于质量比为0.5～1.0：100的稀冰醋酸去离子水溶液中10s，然后用去离子水冲洗10min，去除残余的刻蚀剂和中和剂，随后烘干；步骤⑥：去光刻胶，以丙酮或乙酸乙酯为溶剂的剥离剂剥离光刻胶层步骤⑦：亚胺化，采用阶梯升温法：150℃/60min、180℃/30min、250℃/60min，根据实际情况，可升至300-350℃/30min，使亚胺化完全。步骤3)在聚酰亚胺上溅射一层450～550nm厚的二氧化硅；步骤4)在二氧化硅上旋凃上负性光刻KMP-BN308胶；步骤4)中光刻KMP-BN308胶工艺为:步骤①：基片预处理；步骤②：清洗，焙烘；步骤③：涂胶，采用旋转涂布法，步骤④：前烘，热板1000℃/60s步骤⑤：曝光，采用高压汞灯曝光，步骤⑥：显影；步骤⑦：采用KMP-BN系列紫外负胶显影剂浸入或喷淋显影；步骤⑧：漂洗，显影后应立即漂洗；步骤⑨：坚膜，对流烘箱，130-1400C,20-30分钟；步骤⑩：湿法腐蚀；步骤去胶。步骤5)步骤4)完后在光刻机下曝光；步骤6)将曝完光的基片进行显影和漂洗；步骤7)漂洗完的基片放到真空干燥箱在温度为100～120℃的条件下进行烘烤20～40min；步骤8)用干法刻蚀或HF湿法刻蚀二氧化硅；步骤9)刻蚀完二氧化硅后进行聚酰亚胺膜的刻蚀。
参照图1，本发明中涂布的转数为3000～5000rpm/15-30s时厚度最优，其中，5000rpm/15-30s达到最好。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

Claims (4)

1.一种OLED阴极隔离柱的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1)ITO玻片清洗；
步骤2)在步骤1)上甩两层聚酰亚胺；
步骤3)在聚酰亚胺上溅射一层450～550nm厚的二氧化硅；
步骤4)在二氧化硅上旋凃上负性光刻KMP-BN308胶；
步骤5)步骤4)完后在光刻机下曝光；
步骤6)将曝完光的基片进行显影和漂洗；
步骤7)漂洗完的基片放到真空干燥箱在温度为100～120℃的条件下进行烘烤20～40min；
步骤8)用干法刻蚀或HF湿法刻蚀二氧化硅；
步骤9)刻蚀完二氧化硅后进行聚酰亚胺膜的刻蚀。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1)中的ITO玻璃清洗方法为：
步骤①：将ITO玻璃放置650ml的按照质量比为1:1的丙酮和乙醇混合溶液中超声15min后取出；
步骤②：准备650ml去离子水，将650ml去离子水加3～4滴洗洁精，加热至70℃；再将步骤①超声后的ITO玻璃置入超声10min，取出；
步骤③：准备650ml去离子水，将650ml的去离子水加热至100℃，将步骤②处理后的ITO玻璃置入沸水煮15min；
步骤④：准备650ml去离子水，将步骤③处理后的ITO玻璃置入超声5min；
步骤⑤：准备650ml去离子水，将步骤④处理后的ITO玻璃置入超声5min。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)甩两层聚酰亚胺的方法为：
步骤①：硅片清洗，在三氯乙烷中煮沸，再在丙酮和异丙醇中煮沸；然后在氮气流中吹干，130℃下烘烤30分钟，脱水汽；
步骤②：涂胶，用机械旋转法涂覆ZKPI胶，其转数为3000～5000rpm/15-30s，将ZKPI胶均匀涂覆在硅片上
步骤③：预烘，在恒温烘箱中以温度为100～120℃烘烤20～40min，
步骤④：涂光刻胶、曝光、显影，涂光刻胶后，可按正常的光刻工艺进行预烘、曝光、显影和坚膜；
步骤⑤：ZKPI胶膜刻蚀，采用质量比为0.7～1：100的四甲基氢氧化氨水溶液中刻蚀30s，刻蚀完毕后立即置于质量比为0.5～1.0：100的稀冰醋酸去离子水溶液中10s，然后用去离子水冲洗10min，去除残余的刻蚀剂和中和剂，随后烘干；
步骤⑥：去光刻胶，以丙酮或乙酸乙酯为溶剂的剥离剂剥离光刻胶层
步骤⑦：亚胺化，采用阶梯升温法：150℃/60min、180℃/30min、250℃/60min，根据实际情况，可升至300-350℃/30min，使亚胺化完全。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4)中光刻KMP-BN308胶工艺为:
步骤①：基片预处理；
步骤②：清洗，焙烘；
步骤③：涂胶，采用旋转涂布法，
步骤④：前烘，热板1000℃/60s
步骤⑤：曝光，采用高压汞灯曝光；
步骤⑥：显影；
步骤⑦：采用KMP-BN系列紫外负胶显影剂浸入或喷淋显影；
步骤⑧：漂洗，显影后应立即漂洗；
步骤⑨：坚膜，对流烘箱，130-1400C,20-30分钟；
步骤⑩：湿法腐蚀；
步骤：去胶：采用KMP－BN系列去膜剂浸泡，80－900C，20分钟。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1591922A (zh) * 2003-08-29 2005-03-09 株式会社半导体能源研究所 电子设备,半导体器件,以及适用于制造此类器件的方法
CN1942031A (zh) * 2005-09-30 2007-04-04 电子科技大学 一种有机电致发光器件隔离柱的制备方法
CN101853878A (zh) * 2010-06-03 2010-10-06 西安理工大学 一种pnp-沟槽复合隔离RC-GCT器件及制备方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1591922A (zh) * 2003-08-29 2005-03-09 株式会社半导体能源研究所 电子设备,半导体器件,以及适用于制造此类器件的方法
CN1942031A (zh) * 2005-09-30 2007-04-04 电子科技大学 一种有机电致发光器件隔离柱的制备方法
CN101853878A (zh) * 2010-06-03 2010-10-06 西安理工大学 一种pnp-沟槽复合隔离RC-GCT器件及制备方法

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