CN101097946B - 有机发光显示装置的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供有机发光显示装置及其制造方法。该有机发光显示装置包括：透明基板；形成在该透明基板上的第一电极；分隔壁，该分隔壁由具有不同锥形的第一锥形结构和第二锥形结构构成，并形成在第一电极上；以及层叠在所述分隔壁下方的所述第一电极的两侧上的有机发光层和第二电极。该有机发光显示装置的制造方法包括以下步骤：在透明基板上形成第一电极；在第一电极上形成由第一锥形结构和第二锥形结构构成的分隔壁；以及在所述分隔壁下方的所述第一电极的两侧上依次形成有机发光层和第二电极。
Description
技术领域
本发明涉及一种有机发光显示装置(OLED)及其制造方法，具体地涉及一种设置有分隔壁结构的有机发光显示装置及其制造方法，该有机发光显示装置能够防止在驱动该装置时出现渐弱(fade-out)现象并且能够提高装置的图像质量。
背景技术
通常，在OLED中，有机发光层形成在两极之间，从而当向正极注入电荷时，电子和空穴相耦合以形成激子，以从其产生具有特定波长的光。
下面将参照图1描述典型的OLED，图1是示意性地示出了典型OLED的结构的剖面图。
参照图1，典型的OLED包括：阳极13，其为位于玻璃基板11上的透明电极并用作正极，在阳极13上依次层叠有空穴注入层15、发光层17和电子注入层19；以及位于电子注入层19上的阴极21，该阴极21用作负极。
通过这种典型的OLED，当向阳极13和阴极21提供驱动电压时，空穴注入层15中的空穴和电子注入层19中的电子分别朝向发光层17移动，从而激励发光层17中的荧光材料。
典型的OLED具有诸如能够以低电压驱动、发光效率高、视角宽、响应速度快等的优点。
根据OLED中所使用的有机材料的种类，可以将所使用的有机材料分为单体(所谓的“单分子”)型和高分子量(所谓的“高分子”)型。
根据所使用的特定有机材料，可以将OLED分为使用单分子有机材料的单分子型OLED、使用高分子有机材料的高分子型OLED、以及同时 使用高分子材料和单分子材料的混合型OLED。
在该方面，下面将参照图2来描述根据现有技术的OLED。图2是根据现有技术的OLED的剖面图。
参照图2，根据现有技术的OLED包括位于玻璃基板51上的作为阳极的第一电极53、以及位于第一电极53上的具有倒锥形形状的分隔壁55a。
此外，在倒锥形分隔壁55a的下方，在第一电极53的两侧上层叠有有机发光层65和作为阴极的第二电极67。
下面将参照图3A至图3D来描述具有这种结构的典型OLED的制造方法。
图3A至图3D是表示根据现有技术的OLED的制造过程的剖面图。
参照图3A，通过溅射在玻璃基板51上形成由诸如ITO(氧化铟锡)的透明电极材料形成的透明电极层53。透明电极层53用作用于阴极的第一电极。
在透明电极层53上层叠诸如氮化硅膜(SiNx)的有机绝缘膜55之后，在有机绝缘膜55上涂覆正性光刻胶57，然后进行预烘焙处理。
为了形成分隔壁，通过使用曝光掩模59的光刻处理，向正性光刻胶57照射紫外光61以对正性光刻胶57进行曝光，然后对曝光的正性光刻胶57进行显影以形成光刻胶图案57a，如图3B所示。
参照图3B，将光刻胶图案57a用作掩模使用刻蚀剂进行刻蚀处理，以选择性地去除有机绝缘膜55，从而在透明电极层53上形成分隔壁55a，如图3C所示。
最后，在去除残留在分隔壁55a上的光刻胶图案57a之后，在透明电极层53和分隔壁55a上形成有机发光层65和由诸如铝的导电材料构成以用作阴极的第二电极67。
这里，尽管图中未示出，但是在有机发光层65之下和之上分别层叠空穴注入层和电子注入层。
但是，根据现有技术的OLED及其制造方法具有如下缺点。
尽管在图中未示出，但是在典型OLED的制造过程中，因为不能使 用光刻处理来形成有机材料图案，所以通过使用遮挡掩模的热淀积方法来淀积有机材料。
但是，如果对淀积使用遮挡掩模，则在形成有机层托衬(mount)时可能会出现盲区(shadow)现象。
因此，当驱动该装置时，在像素的边缘部分出现有机层盲区现象，从而该装置的亮度可能劣化，此外可能出现渐弱，即在图像驱动时图像变模糊的现象，如图2中的“A”所示。
发明内容
因此，为了克服上述问题，本发明的目的是提供一种有机发光显示装置(OLED)及其制造方法，该有机发光显示装置能够防止在驱动OLED显示装置时出现渐弱现象并能够提高OLED装置的图像质量。
为了实现这些和其他优点，并且根据本文中所具体体现和广泛描述的本发明宗旨，提供了一种有机发光显示装置，该有机发光显示装置包括：透明基板；形成在所述透明基板上的第一电极；形成在所述第一电极上的分隔壁，其中，所述分隔壁由具有正锥形形状的第一锥形结构和具有倒锥形形状的第二锥形结构构成，并且，所述第一锥形结构和所述第二锥形结构分别由第一氮化硅膜和第二氮化硅膜构成，其中，所述第一锥形结构的所述第一氮化硅膜中的硅与氮之间的组成比不同于所述第二锥形结构的所述第二氮化硅膜中的硅与氮之间的组成比，其中所述分隔壁的具有正锥形形状的所述第一锥形结构位于所述第一电极与具有倒锥形形状的所述第二锥形结构之间；以及层叠在所述分隔壁下方的所述第一电极的两侧上的有机发光层和第二电极。
根据本发明的原理，提供了一种有机发光显示装置的制造方法，该制造方法包括以下步骤：设置透明基板；在所述透明基板上形成第一电极；在所述第一电极上形成第一氮化硅膜和第二氮化硅膜，其中，所述第一氮化硅膜中的硅与氮之间的组成比不同于所述第二氮化硅膜中的硅与氮之间的组成比；选择性地去除所述第一氮化硅膜和第二氮化硅膜，以在所述第一电极上形成由第一锥形结构和第二锥形结构构成的分隔 壁，其中，所述第一锥形结构具有正锥形形状，所述第二锥形结构具有倒锥形形状，其中所述分隔壁的具有正锥形形状的所述第一锥形结构位于所述第一电极与具有倒锥形形状的所述第二锥形结构之间；以及在所述分隔壁下方的所述第一电极的两侧上依次形成有机发光层和第二电极。
此外，根据本发明的原理，提供了一种有机发光显示装置，该有机发光显示装置包括：透明基板；形成在所述透明基板上的第一电极；形成在所述第一电极上的分隔壁，该分隔壁具有双膜结构，该双膜结构由具有不同的组成比的两个绝缘材料膜构成，其中，具有所述双膜结构的所述分隔壁由具有正锥形形状的第一锥形结构和具有倒锥形形状的第二锥形结构构成，其中所述分隔壁的具有正锥形形状的所述第一锥形结构位于所述第一电极与具有倒锥形形状的所述第二锥形结构之间；形成在所述分隔壁下方的所述第一电极的两侧上的有机发光层和第二电极；以及分别形成在所述有机发光层之下和之上的空穴注入层和电子注入层。
此外，根据本发明的原理，提供了一种有机发光显示装置的制造方法，该制造方法包括以下步骤：设置透明基板；在所述透明基板上形成第一电极；在所述第一电极上形成分隔壁，该分隔壁具有双膜结构，该双膜结构由具有不同的组成比的两个绝缘材料膜构成，其中，由具有正锥形形状的第一锥形结构和具有倒锥形形状的第二锥形结构构成具有所述双膜结构的所述分隔壁，其中所述分隔壁的具有正锥形形状的所述第一锥形结构位于所述第一电极与具有倒锥形形状的所述第二锥形结构之间；在所述分隔壁下方的所述第一电极的两侧上层叠有机发光层和第二电极；以及形成分别形成在所述有机发光层之下和之上的空穴注入层和电子注入层。
结合附图，根据以下对本发明的详细描述，本发明的前述和其他目的、特征、方面和优点将变得更清楚。
附图说明
附图被包括进来以提供对本发明的进一步理解，并且被并入且构成 本说明书的一部分，附图示出了本发明的实施方式，并与说明书一起用于解释本发明原理。
在附图中：
图1是典型的有机发光显示装置(OLED)的剖面图。
图2是根据现有技术的OLED的剖面图。
图3A至图3D是分别示出根据现有技术的OLED的制造过程的剖面图。
图4是根据本发明的OLED的剖面图。
图5A至图5D是分别示出根据本发明的OLED的制造过程的剖面图。
具体实施方式
现在将详细地描述根据本发明的有机发光显示装置(OLED)及其制造方法，在附图中示出了其实施例。
图4是根据本发明的OLED的剖面图。
参照图4，根据本发明的OLED包括：形成在绝缘透明基板101上的第一电极103；形成在第一电极103上的分隔壁117，其由第一锥形结构105a和第二锥形结构107a构成；以及有机发光层119和第二电极121，它们层叠在第一电极103的两侧上、在分隔壁117的下方。
这里，第一锥形结构105a可以是正锥形(即，向内逐渐变细)形状，第二锥形结构107a是倒锥形(即，向外逐渐变细)形状，这两个结构一起构成分隔壁117。
此外，第二锥形结构107a可以比第一锥形结构105a厚。
而且，尽管图中未示出，但在有机发光层119之下和之上可以分别形成有空穴注入层和电子注入层。
接下来，参照图5A至图5D对根据本发明的OLED的制造方法描述如下。图5A至图5D是依次示出了根据本发明的OLED的制造过程的剖面图。
参照图5A，首先，通过溅射淀积方法在透明基板101上形成由诸如 ITO的透明电极材料形成的透明电极层103。
这里，透明电极层103可以用作用于阴极的第一电极。
在透明电极层103上依次层叠第一氮化硅膜(SiNx)105和第二氮化硅膜(SiNx)107。
这里，当淀积第一氮化硅膜105和第二氮化硅膜107时，它们之间的硅(Si)和氮(Nx)的组成比可以不同。
此外，除了氮化硅膜之外，还可以使用氧化硅膜或无机材料或丙稀基有机材料来形成第一氮化硅膜105和第二氮化硅膜107。
在第二氮化硅膜107上涂覆正性光刻胶109，然后进行预烘焙处理。
这里，可以使用负性光刻胶来代替正性光刻胶109。
为了形成分隔壁，通过使用曝光掩模111的光刻处理向正性光刻胶109上照射紫外光113以对正性光刻胶109进行曝光，然后对曝光的正性光刻胶109进行显影以形成光刻胶图案109a，如图5B所示。
参照图5B，以光刻胶图案109a作为掩模来进行干法刻蚀处理115，以选择性地去除其中硅(Si)和氮(Nx)之间的组成比不同的第二氮化硅膜107和第一氮化硅膜105，从而在透明电极层103上形成由第一氮化硅膜图案105a和第二氮化硅膜图案107a构成的分隔壁117，如图5C所示。
这里，构成分隔壁117的上部的第二氮化硅膜图案107a可以具有倒锥形形状，构成下部的第一氮化硅膜图案105a可以具有正锥形形状。
其原因在于，由于第一氮化硅膜105和第二氮化硅膜107的硅(Si)和氮(Nx)之间的组成比彼此不同，因此在干法刻蚀处理时第一氮化硅膜105和第二氮化硅膜107具有不同的轮廓形状。
此外，构成分隔壁117的第二氮化硅膜图案107a可以为倒锥形形状，从而分开要在后续处理中形成的第二电极，构成分隔壁117的第一氮化硅膜图案105a可以为正锥形形状，以将分隔壁117附近的有机材料形成为均匀厚度。
并且，可以从第一氮化硅膜105与第二氮化硅膜107之间的界面开始对第一氮化硅膜105和第二氮化硅膜107进行刻蚀，以使其分别具有 正锥形形状和倒锥形形状，如图5C所示。
最后，参照图5C，在去除残留在构成分隔壁117的第二氮化硅膜图案107a上的光刻胶图案109a之后，分别在透明电极层103和构成分隔壁117的第二氮化硅膜图案107a上依次层叠有机发光层119和由诸如铝的导电材料构成以用作阴极的第二电极121。
这里，尽管图中未示出，但是分别在有机发光层119之下和之上层叠空穴注入层和电子注入层。
在根据本发明的OLED及其制造方法中，为了形成OLED的分隔壁，在以双膜结构形成其硅和氮含量之间的组成比不同的氮化硅膜之后，通过利用这些膜的干法刻蚀率的差异对这些膜进行处理以使其具有彼此不同的锥形形状，形成具有形状彼此不同的双锥形结构的分隔壁，由此防止了在板驱动时的渐弱现象，从而能够实现具有高图像质量的OLED。
前述实施方式和优点仅是示例性的，不能理解为对本发明进行限制。本教导可以容易地应用于其他类型的装置。本说明书旨在说明而并非限制权利要求的范围。许多另选、变型和修改对于本领域技术人员来说是显而易见的。可以按多种方式对这里描述的示例性实施方式的特征、结构、方法和其他特性进行组合，以获得附加和/或另选的示例性实施方式。
由于可以在不脱离本发明的特征的情况下以多种形式来实施本发明的特征，因此也应该理解，除非另有说明，否则上述实施方式不限于前面描述的任何细节，而应该广泛地理解为落入如所附权利要求书限定的本发明范围内，因此，所附权利要求书涵盖落在权利要求书的范围和边界或这些范围和边界的等同物之内的所有修改和变型。
相关申请
本发明涉及2006年6月30日提交的在先韩国专利申请No.10-2006-061612中包含的主题，在此通过引用特别并入其全部内容。
Claims (7)
1.一种有机发光显示装置的制造方法，该制造方法包括以下步骤：
设置透明基板；
在所述透明基板上形成第一电极；
在所述第一电极上形成第一氮化硅膜和第二氮化硅膜，其中，所述第一氮化硅膜中的硅与氮之间的组成比不同于所述第二氮化硅膜中的硅与氮之间的组成比；
选择性地去除所述第一氮化硅膜和第二氮化硅膜，以在所述第一电极上形成由第一锥形结构和第二锥形结构构成的分隔壁，其中，所述第一锥形结构具有正锥形形状，所述第二锥形结构具有倒锥形形状，并且，所述分隔壁的具有正锥形形状的所述第一锥形结构位于所述第一电极与具有倒锥形形状的所述第二锥形结构之间；以及
在所述分隔壁下方的所述第一电极的两侧上依次形成有机发光层和第二电极。
2.如权利要求1所述的制造方法，该制造方法还包括以下步骤：在所述有机发光层之下和之上分别形成空穴注入层和电子注入层。
3.如权利要求1所述的制造方法，其中，由透明材料形成所述第一电极，由Al形成所述第二电极。
4.如权利要求3所述的制造方法，其中，所述透明材料是ITO。
5.一种有机发光显示装置的制造方法，该制造方法包括以下步骤：
设置透明基板；
在所述透明基板上形成第一电极；
在所述第一电极上形成具有不同的组成比的两个绝缘材料膜，
使用在所述两个绝缘材料膜之间不同的干法刻蚀率，选择性地去除所述两个绝缘材料膜，以形成具有双膜结构的分隔壁，其中，由具有正锥形形状的第一锥形结构和具有倒锥形形状的第二锥形结构构成具有所述双膜结构的所述分隔壁，其中所述分隔壁的具有正锥形形状的所述第一锥形结构位于所述第一电极与具有倒锥形形状的所述第二锥形结构之间；
在所述分隔壁下方的所述第一电极的两侧上层叠有机发光层和第二电极；以及
形成分别形成在所述有机发光层之下和之上的空穴注入层和电子注入层。
6.如权利要求5所述的制造方法，其中，由无机材料或丙稀基有机材料形成所述绝缘材料膜。
7.如权利要求5所述的制造方法，其中，所述绝缘材料膜是氧化硅膜或者氮化硅膜。
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