KR20010109639A - 유기전계발광표시소자의 제조 방법 - Google Patents

유기전계발광표시소자의 제조 방법 Download PDF

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KR20010109639A
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Abstract

본 발명의 유기EL 소자의 제조 방법은, 음극전극과 양극전극의 쇼트 방지용 절연층과 음극분리격벽을 아웃개싱(outgasing)을 하지 않은 물질을 사용하여 형성하므로서, 수명을 향상시키고 공정 단계를 줄일 수 있다.
본 발명에 의한 유기EL 소자의 제조 방법은, 유리 기판위에 스트라이프 형태로 투명양극전극을 형성하는 단계와, 상기 투명양극전극위에 제 1 무기절연체를 증착한 후 포토리소그래피 공정으로 상기 투명양극전극과 직교되는 방향으로 절연층을 형성하는 단계와, 상기 절연층위에 제 2 무기절연체를 증착한 후, 상기 절연층 위에 형성될 패턴의 하부 폭이 상기 절연층의 상부 폭보다 좁게 역 테이퍼 각을 갖도록 포토리소그래피 방법에 의하여 음극분리격벽을 형성하는 단계와, 상기 절연층과 절연층 사이의 투명양극전극위에 유기박막층과 음극전극을 순차적으로 증착하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.

Description

유기전계발광표시소자의 제조 방법{METHOD FOR MANUFACTURING ORGANIC EL DISPLAY}
본 발명은 영상표시장치인 유기전계발광표시소자(Organic EL display ;OELD)의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 음극전극과 양극전극의 쇼트 방지용 절연층과 음극분리격벽을 아웃개싱(outgasing)을 하지 않은 물질을 사용하여 형성하므로서, 수명을 향상시키고 공정 단계를 줄인 유기EL 소자의 제조 방법에 관한 것이다.
최근에 각광받는 유기 EL 소자는 PDA용 휴대용 단말기의 표시장치, 차량탑재용 표시장치, 게임기의 표시장치등의 휴대가 가능한 소형 디스플레이(display) 및 노트북 피시(Notebook-PC), 컴퓨터 모니터, 벽걸이용 TV등에 중대형 디스플레이로의 응용이 가능하고, 플라스틱과 같은 플렉시블(flexible)한 기판을 이용하여 장식용, 고급 게임기등의 곡면을 요구하는 표시장치로의 응용이 가능하다.
유기EL 소자는 (+) 전압을 인가하여 정공을 공급하여 주는 양극전극과, 양극전극으로 부터 공급된 정공의 주입효율을 향상시키기 위한 정공주입층과, 주입된 정공을 발광층에 전달하기 위한 정공수송층과, 정공수송층으로 부터 공급된 정공과 전자수송층으로 부터 공급된 전자의 재결합에 의하여 빛을 발하는 발광층과, 음극전극으로부터 공급된 전자의 주입효율을 향상시키기 위한 전자주입층과, 주입된 전자를 발광층으로 수송하여 주는 전자수송층과, (-) 전압을 인가하여 전자를 공급하여 주는 음극전극으로 구성되어 진다.
그러면, 첨부된 도 1을 참조하여 종래의 유기 EL 소자의 기본 구조에 대해 설명하기로 한다.
도 1에서, 기판(1) 위에 양극전극(2)을 형성하고, 상기 양극전극(2) 위에 유기층(3)을 형성한다. 이때, 유기층(3)은 발공층을 포함하고 있어야하고 발광 효율을 향상시키기 위하여 전자수송층 및 전자주입층, 정공수송층 및 정공주입층을 포함할 수 있다. 이 유기층위에 전자를 공급하여 주는 음극전극(4)을 형성한다.
이 구조에서, 양극전극(2)에 (+) 전압을 인가하고 음극전극(4)에 (-) 전압을 인가하면 유기층(3)내로 양극전극(2)에서는 정공이 주입되고 음극전극(4)으로 부터는 전자가 주입되어 전자와 재결합에 의하여 빛을 발하게 된다.
이때, 발광된 빛은 기판(1)을 통하여 방출되게 되어 디스플레이로 제작시 기판방향에서 표시된 정보를 볼 수 있다.
상기 구조를 갖는 유기EL 소자의 각 부위의 명칭과 역할은 다음과 같다.
먼저, 기판(1)은 투명 기판으로 양극과 음극 사이에 가해진 전압에 의하여 유기층(3)에서 발광하는 빛을 투과하여 볼 수 있어야 한다.
그리고, 양극전극(2)은 정공(hole)을 공급하여 주는 역할을 하는 것으로, 유기층(3)에서 발광된 빛을 투과할 수 있는 ITO와 같은 투명 전극이 사용된다.
또한, 유기층(3)은 발광층을 포함하고 있고 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층 및 전자 주입층 등을 포함하고 있다.
상기 음극전극(4)은 전자를 공급하여 주는 곳으로 전자를 원활하게 공급하여 주기 위하여 일함수가 낮은 금속을 사용하여야 한다.
상기 양극전극(2)에 (+) 전압을 인가하고 음극전극(4)에 (-) 전압을 인가하면 유기층(3) 내로 양극전극(2)에서는 정공이 주입되고 음극전극(4)으로부터는 전자가 주입되어 전자와 재결합에 의하여 빛을 발하게 된다.
이때 발광된 빛은 기판(1)을 통하여 방출되게 되어 디스플레이(display)로제작시 기판방향에서 표시된 정보를 볼 수 있다.
패시브(passive) 매트릭스 유기EL 디스플레이를 제작하기 위하여는 양극전극으로 투명전도막을 사용하여 컬럼(로우)을 형성하고 음극전극으로 금속을 사용하여 로우(컬럼)를 형성한다.
도 2는 종래의 패시브 매트릭스 유기EL 소자의 구조도이다.
도시된 바와 같이, 패시브 매트릭스 패턴은 유리 기판(11)위에 투명전극을 증착한 후 포토리소그래피 공정을 이용하여 스트라이프(stripe) 형태로 라인(12)을 형성하고, 그 위에 유기박막(13)을 형성한다. 그후, 유기박막(13) 위에 투명전극(12)의 라인과 직교하는 방향으로 음극전극(14)을 스트라이프 형태로 제작하여 매트릭스를 구성한 것이다.
여기에서, 스트라이프 형태의 음극전극(14)을 제작하기 위해서는 포토리소그래피 방법에 의하여 패턴을 형성할 수 있으나, 이 경우는 포토리소그래피 공정중에 유기물(13)이 손상되기 때문에 어려움이 있었다.
따라서, 종래에서는 포토리소그래피 방법에 의한 스트라이프 형태의 패턴을 형성하는 대신 진공증착과정에서 패턴이 형성되어지도록 하는 방법을 사용하였다. 진공증착과정에서 패턴을 형성하는 방법으로는 스트라이프 형태의 패턴을 가지는 셔도우 마스크(shadow mask)를 증착장치에 미리 설치한 후 음극전극을 증발시켜 라인 형태의 음극전극을 형성할 수 있다. 그러나, 이 경우에는 대면적 글라스를 사용할 경우 셔도우 마스크의 쳐짐현상에 의하여 이웃의 전극 라닝 사이에 쇼트(short)가 발생할 수 있고, 셔도우 마스크 제작의 한계에 의하여 고해상도 디스플레이의 제작에 어려움이 있었다. 따라서, 종래의 유기EL 소자에서는 셔도우 마스크를 사용하지 않고 미리 투명전극위에 음극분리 격벽을 형성하여 유기EL 소자를 제작하는 방법이 시행되고 있다.
도 3은 음극분리격벽을 사용하여 제작하는 종래의 유기EL 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 구조도이다.
도시된 바와 같이, 유리 기판(21)위에 양극전극(22)으로 아이 티 오(ITO)를 형성하고, ITO(22)위에 ITO(22)와 직교하는 방향으로 절연체(25)를 형성한다. 그리고, 절연층(25)위에 음극분리격벽(26)을 일정 높이로 형성한다. 이때, 음극분리격벽(26)의 높이는 이후에 형성될 음극전극(24)의 높이보다 높게 형성되도록 한다.
그 후, 절연층(25)과 절연층(25) 사이의 ITO(22)위에 발광체를 포함하는 유기층(23)을 형성하고, 그 위에 음극전극(24)을 형성한다.
그 후, 봉함재(sealant)(28)를 사용하여 유리 기판(21)과 밀봉 플레이트(encapsulation plate; 27)를 접착한 후, 가스 주입구를 통해 유기EL 소자의 내부로 질소(N2) 또는 아르곤(Ar) 가스를 주입한 다음 가스주입구를 밀봉한다. 이때, 밀봉에 의해 유기EL 소자의 외부와 내부는 완전 차단된다.
상기 구조에서, 종래에 사용되는 절연층(25)은 주로 고분자 절연체인 폴리이미드(polyimide), 포지티브 포토레지스터(positive photoresistor: PR) 등을 주로 사용하고 있고, 절연층(25)으로 사용하는 박막의 두께는 절연성을 확보하기 위하여 0.5∼1 ㎛ 정도의 두께를 필요로 한다. 음극분리격벽(26)으로 사용하는 물질의 경우는 리프트 오프 포토레지스터(Lift off PR)를 주로 사용하고 있으며, 이 경우 막의 두께는 2∼3 ㎛ 정도를 필요로 한다.
그러나, 이와같은 물질은 온도가 가열되거나 장시간 보관함에 따라 외부로 가스를 방출하게 된다. 방출하는 가스로는 수증기(H2O), PGMEA, 메틸페놀(Methyl phenol), 디메틸페놀(Dimethl phenol), 트리메탈 페널(Trimethyl phenel) 등으로, 이 가스들이 밀폐된 패널 내부에 존재할 경우에 유기EL 소자의 특성을 변형시키게 된다. 이로인해, 소자의 수명을 단축시키는 문제점이 있었다.
또한, 격벽 형성후 소자제작 과정 및 소자의 보관 온도가 증가함에 따라 절연층(25) 및 음극분리격벽(26)의 모양이 변화하게 되어 패널 일부분의 결함이 발생하는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 이루어진 것으로, 본 발명의 목적은 음극전극과 양극전극의 쇼트 방지용 절연층과 음극분리격벽을 아웃개싱(outgasing)을 하지 않은 물질을 사용하여 형성하므로서, 수명을 향상시키고 공정 단계를 줄인 유기EL 소자의 제조 방법을 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 의한 유기EL 소자의 제조 방법은,
유리 기판위에 스트라이프 형태로 투명양극전극을 형성하는 단계와,
상기 투명양극전극위에 제 1 무기절연체를 증착한 후 포토리소그래피 공정으로 상기 투명양극전극과 직교되는 방향으로 절연층을 형성하는 단계와,
상기 절연층위에 제 2 무기절연체를 증착한 후, 상기 절연층 위에 형성될 패턴의 하부 폭이 상기 절연층의 상부 폭보다 좁게 역 테이퍼 각을 갖도록 포토리소그래피 방법에 의하여 음극분리격벽을 형성하는 단계와,
상기 절연층과 절연층 사이의 투명양극전극위에 유기박막층과 음극전극을 순차적으로 증착하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 유기EL 소자의 제조 방법에 있어서, 상기 제 2 무기절연체는 상기 제 1 무기절연체와 동일한 무기절연체를 사용한 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 유기EL 소자의 제조 방법에 있어서, 상기 무기절연체는 산화실리콘(SiO2), 질산화실리콘(SiON), 질화실리콘(SiNX), 탄탈(Ta205) 중 어느 하나인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 유기EL 소자의 제조 방법에 있어서, 상기 제 2 무기절연체는 상기 제 1 무기절연체와 다른 무기절연체를 사용한 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 유기EL 소자의 제조 방법에 있어서, 상기 제 1 무기절연체는 산화실리콘(SiO2), 질산화실리콘(SiON), 질화실리콘(SiNX), 탄탈(Ta205) 중 하나를 선택하고, 상기 제 2 무기절연체는 산화실리콘(SiO2), 질산화실리콘(SiON), 질화실리콘(SiNX), 탄탈(Ta205) 중 상기 제 1 무기절연체로 선택되지 않은 절연체를 선택하여 형성한 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 유기EL 소자의 제조방법은,
유리 기판위에 스트라이프 형태로 투명양극전극을 형성하는 단계와,
상기 투명양극전극위에 플라즈마 인가 화학기상증착법(PECVD)을 사용하여 제 1 질화실리콘막을 형성하는 단계와,
상기 제 1 질화실리콘막위에 상기와 동일한 공정조건으로 제 2 질화실리콘막을 형성하는 단계와,
상기 제 2 질화실리콘막위에 포토레지스트막을 형성한 후 건식 식각을 이용하여 상기 제 1 및 제 2 질화실리콘막을 식각하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 유기EL 소자의 제조 방법에 있어서, 상기 제 2 무기절연체는 상기 제 1 무기절연체와 동일한 무기절연체를 사용한 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 유기EL 소자의 제조 방법에 있어서, 상기 무기절연체는 산화실리콘(SiO2), 질산화실리콘(SiON), 질화실리콘(SiNX), 탄탈(Ta205) 중 어느 하나인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 유기EL 소자의 제조 방법에 있어서, 상기 제 2 무기절연체는 상기 제 1 무기절연체와 다른 무기절연체를 사용한 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 유기EL 소자의 제조 방법에 있어서, 상기 제 1 무기절연체는 산화실리콘(SiO2), 질산화실리콘(SiON), 질화실리콘(SiNX), 탄탈(Ta205) 중 하나를 선택하고, 상기 제 2 무기절연체는 산화실리콘(SiO2), 질산화실리콘(SiON), 질화실리콘(SiNX), 탄탈(Ta205) 중 상기 제 1 무기절연체로 선택되지 않은 절연체를 선택하여 형성한 것을 특징으로 한다.
도 1은 종래의 유기EL 소자의 기본 구조도
도 2는 종래의 패시브 매트릭스 유기EL 소자의 구조도
도 3은 종래의 유기EL 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 구조도
도 4는 본 발명에 의한 유기EL 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 구조도
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 의한 유기EL 소자의 절연층 및 음극분리격벽을 나타낸 확대 사진도
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
1, 11, 21, 31 : 기판 2, 12, 22, 32 : 양극전극
3, 13, 23, 33 : 유기층 4, 14, 24, 34 : 음극전극
25, 35 : 절연체(절연층) 26, 36 : 음극분리격벽
27, 37 : 밀봉 플레이트 28, 38 : 밀봉재
이하, 본 발명의 실시예에 관하여 첨부도면을 참조하면서 상세히 설명한다.
또, 실시예를 설명하기 위한 모든 도면에서 동일한 기능을 갖는 것은 동일한 부호를 사용하고 그 반복적인 설명은 생략한다.
도 4는 본 발명에 의한 유기EL 소자의 제조방법을 설명하기 위한 구조도로서, 도면 상으로는 도 3에 도시된 종래의 유기EL 소자의 구조와 동일하다. 하지만, 절연체(35) 및 음극분리격벽(36)의 제조 공정을 본 발명에서는 다르게 구현한 것이다.
즉, 기존의 절연층(25)과 음극분리격벽(26)은 도 3에서 설명한 바와 같이, 온도에 따른 형상의 변화와 아웃개싱(outgasing)의 문제점을 안고 있으므로, 이를 해소하기 위하여 본 발명에서는 무기절연체를 사용하여 절연층과 음극분리격벽을 형성하였다.
그러면, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 유기EL 소자의 제조 방법에 대해 설명한다.
먼저, 유리 기판(31)위에 스트라이프 형태로 투명양극전극(ITO, IXO등)(32)을 형성한다. 그 후, 투명양극전극(32)위에 무기절연체를 증착한 후 포토리소그래피 공정으로 상기 투명양극전극(32)과 직교되는 방향의 절연층(25)을 형성한다. 이때 사용되는 절연층(25)의 물질로는 산화실리콘(SiO2), 질산화실리콘(SiON), 질화실리콘(SiNX), 탄탈(Ta205) 등의 무기절연체를 사용한다. 그리고, 상기절연층(35)은 양극전극(32)과 음극전극(34) 사이에 쇼트가 발생하는 것을 방지하는 역할을 한다.
그 후, 상기 절연층(35)위에, 상기 절연층(35)과 동일한 물질의 절연체 또는 밀도가 다른 절연체 또는 다른 종류의 절연체를 증착한 후, 상기 절연층(35) 위에 형성될 패턴의 하부 폭이 상기 절연층(35)의 상부 폭보다 좁게 역 테이퍼(taper) 각을 갖도록 포토리소그래피 방법에 의하여 음극분리격벽(36)을 형성한다. 이때, 음극분리격벽(36)의 높이는 이후에 형성될 음극전극(34)의 높이보다 높게 형성되도록 한다.
그 이후, 상기 절연층(35)과 절연층(35) 사이의 ITO(32)위에 유기박막층(유기층: 33)과 금속박막층(음극전극: 34)을 순차적으로 증착한다.
그 후, 봉함재(38)를 사용하여 유리 기판(31)과 밀봉 플레이트(37)를 접착한 후, 가스 주입구(도시하지 않음)를 통해 유기EL 소자의 내부로 질소(N2) 또는 아르곤(Ar) 가스를 주입한 다음 가스주입구를 밀봉한다. 이때, 밀봉에 의해 유기EL 소자의 외부와 내부는 완전 차단된다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 의한 유기EL 소자의 절연층 및 음극분리격벽을 나타낸 확대 사진도이다.
금속(a)위에 질화실리콘(SiNX)(b')을 1차적으로 플라즈마 인가 화학기상증착법(PECVD)를 사용하여 성막한 후, 동일한 증착조건으로 질화실리콘(SiNX)(b")을 그 위에 증착하여 2 단계 공정에 의하여 질화실리콘(SiNX)막(b)을 형성한다. 그 후,PR(d)을 이용하여 패턴을 형성한 후 건식 식각을 이용하여 질화실리콘(SiNX)막(b)을 식각한다.
이와 같이, 동일한 물질을 이용하여 단지 2 단계의 공정으로 증착하므로서 두 단계가 연결된 접촉부위가 깊게 식각된 모양을 얻을 수 있다. 이는 성막조건에 따라 동일한 물질이더라도 도 4와 같은 형태의 절연층(35) 및 격벽(36)을 형성할 수 있다는 것을 의미한다(PR 부분을 제거한 후의 형상을 의미함)
즉, 동일한 물질을 사용하거나 서로 다른 물질을 2단계 또는 3단계 및 그 이상의 증착단계로 분리하여 절연막을 성막후 식각함으로서, 도 4와 같은 형상의 절연층(35) 겸 음극전극분리격벽(36)을 형성할 수 있다. 이 때 사용되는 물질로는 산화실리콘(SiO2), 질산화실리콘(SiON), 질화실리콘(SiNX), 탄탈(Ta205) 등의 절연막을 포함한다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의한 유기EL 소자의 제조 방법에 의하면, 음극분리절연격벽을 사용하는 유기EL 소자에 있어서, 양극전극과 음극전극의 쇼트를 방지하기 위한 절연체로 무기막 절연체를 사용하고 하나의 음극전극과 다른 이웃하는 음극전극 사이의 전극 라인을 분리하기 위하여 무기막의 절연체를 사용하므로써, 유기EL 소자의 수명을 향상시킬 수 있다.
또한, 양극전극과 음극전극의 쇼트를 방지하기 위한 절연체로 무기절연체를 성막한 후 패턴을 형성하고, 하나의 음극전극과 이웃하는 음극전극을 분리하기 위한 음극분리격벽으로 무기절연체를 성막한 후 패턴을 형성하므로서, 절연체 및 음극분리격벽을 형성하기 위한 공정수를 줄일 수 있다. 즉, 동일한 물질을 사용하여 2단계의 성막과 2단계의 식각에 의하여 절연체와 음극분리격벽을 형성하므로서, 공정수를 줄일 수 있다.
또한, 양극전극위에 절연체로 사용할 막을 성막하고 다시 그 위에 분리격벽으로 사용할 절연막을 성막한 후 식각하는 방법에 의하여 원하는 형상의 격벽 및 절연막을 형성할 수 있다.
따라서, 무기절연물질로 절연체나 음극분리격벽을 형성하므로서 아웃개싱을 제거할 수 있으며, 또한, 아웃개싱 물질이 없어짐으로서 유기EL 소자의 수명을 향상시킬 수 있다.
아울러 본 발명의 바람직한 실시예들은 예시의 목적을 위해 개시된 것이며, 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가등이 가능할 것이며, 이러한 수정 변경등은 이하의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.

Claims (10)

  1. 유리 기판위에 스트라이프 형태로 투명양극전극을 형성하는 단계와,
    상기 투명양극전극위에 제 1 무기절연체를 증착한 후 포토리소그래피 공정으로 상기 투명양극전극과 직교되는 방향으로 절연층을 형성하는 단계와,
    상기 절연층위에 제 2 무기절연체를 증착한 후, 상기 절연층 위에 형성될 패턴의 하부 폭이 상기 절연층의 상부 폭보다 좁게 역 테이퍼 각을 갖도록 포토리소그래피 방법에 의하여 음극분리격벽을 형성하는 단계와,
    상기 절연층과 절연층 사이의 투명양극전극위에 유기박막층과 음극전극을 순차적으로 증착하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시소자의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 무기절연체는 상기 제 1 무기절연체와 동일한 무기절연체를 사용한 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시소자의 제조 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 무기절연체는 산화실리콘(SiO2), 질산화실리콘(SiON), 질화실리콘(SiNX), 탄탈(Ta205) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시소자의 제조 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 무기절연체는 상기 제 1 무기절연체와 다른 무기절연체를 사용한 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시소자의 제조 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 무기절연체는 산화실리콘(SiO2), 질산화실리콘(SiON), 질화실리콘(SiNX), 탄탈(Ta205) 중 하나를 선택하고,
    상기 제 2 무기절연체는 산화실리콘(SiO2), 질산화실리콘(SiON), 질화실리콘(SiNX), 탄탈(Ta205) 중 상기 제 1 무기절연체로 선택되지 않은 절연체를 선택하여 형성한 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시소자의 제조 방법.
  6. 유리 기판위에 스트라이프 형태로 투명양극전극을 형성하는 단계와,
    상기 투명양극전극위에 플라즈마 인가 화학기상증착법(PECVD)을 사용하여 제 1 질화실리콘막을 형성하는 단계와,
    상기 제 1 질화실리콘막위에 상기와 동일한 공정조건으로 제 2 질화실리콘막을 형성하는 단계와,
    상기 제 2 질화실리콘막위에 포토레지스트막을 형성한 후 건식 식각을 이용하여 상기 제 1 및 제 2 질화실리콘막을 식각하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시소자의 제조 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 2 무기절연체는 상기 제 1 무기절연체와 동일한 무기절연체를 사용한 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시소자의 제조 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 무기절연체는 산화실리콘(SiO2), 질산화실리콘(SiON), 질화실리콘(SiNX), 탄탈(Ta205) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시소자의 제조 방법.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 2 무기절연체는 상기 제 1 무기절연체와 다른 무기절연체를 사용한 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시소자의 제조 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 무기절연체는 산화실리콘(SiO2), 질산화실리콘(SiON), 질화실리콘(SiNX), 탄탈(Ta205) 중 하나를 선택하고,
    상기 제 2 무기절연체는 산화실리콘(SiO2), 질산화실리콘(SiON), 질화실리콘(SiNX), 탄탈(Ta205) 중 상기 제 1 무기절연체로 선택되지 않은 절연체를 선택하여 형성한 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시소자의 제조 방법.
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