JPWO2014184975A1 - 有機ｅｌ素子 - Google Patents
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Abstract
有機ＥＬ素子（１０）は、第１電極（１１０）、有機層（１２０）、及び第２電極（１３０）を備えている。有機層（１２０）は、第１電極（１１０）と第２電極（１３０）の間に位置している。そして、第２電極（１３０）は、有機層（１２０）との界面近傍にＧａを含んでいる。第２電極（１３０）は、例えばＧａ含有層（１３２）及び導電層（１３４）を含んでいる。Ｇａ含有層（１３２）において、最も含有率の高い元素はＧａである。Ｇａ含有層（１３２）は、例えば薄いＧａ層である。
Description
本発明は、有機ＥＬ素子に関する。
照明装置やディスプレイの光源の一つに、有機ＥＬ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子がある。有機ＥＬ素子は、たとえば陽極（正孔注入電極）と陰極（電子注入電極）の間に、有機層を設けたものである。有機ＥＬ素子に関する技術としては、たとえば特許文献１および特許文献２に記載のものが挙げられる。
特許文献１には、陰極としてＧａを用いることが記載されている。また、特許文献２には、陰極に、Ｇａ系金属と、アルカリ金属又はアルカリ土類金属とを含ませることが記載されている。
有機ＥＬ素子などの有機ＥＬ素子は、有機層を有しているため、封止構造が必要となる。しかし、封止構造はコストを要する。そこで、本発明者は、ガリウム（Ｇａ）のように電子注入能力があり、化学的に安定している液体状金属を利用し、封止構造を簡略化するために、有機ＥＬ素子の構造を工夫することを検討した。
本発明が解決しようとする課題としては、有機ＥＬ素子において、封止構造を簡略化することが一例として挙げられる。
請求項１に記載の発明は、基板、第１電極、第２電極、及び前記第１電極と前記第２電極の間に位置する有機層を備え、
前記第２電極、前記有機層、及び前記第１電極は、前記基板の一面側に、この順に積層され、
前記第２電極と前記有機層との間にＧａ含有領域を含む有機ＥＬ素子である。
前記第２電極、前記有機層、及び前記第１電極は、前記基板の一面側に、この順に積層され、
前記第２電極と前記有機層との間にＧａ含有領域を含む有機ＥＬ素子である。
上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
図１は、実施形態に係る有機ＥＬ素子１０の構成を示す図である。本実施形態に係る有機ＥＬ素子１０は、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０を備えている。有機層１２０は、第１電極１１０と第２電極１３０の間に位置している。そして、第２電極１３０は、有機層１２０との界面にＧａを含んでいる。本図に示す例では、第２電極１３０は、Ｇａ含有層１３２（Ｇａ含有領域）及び導電層１３４を含んでいる。Ｇａ含有層１３２において、最も含有率の高い元素はＧａである。Ｇａ含有層１３２は、例えば０．５〜５０ｎｍほどの薄いＧａ層である。ただし、Ｇａ含有層１３２と有機層１２０の境界は明確に存在していない場合もある。同様に、Ｇａ含有層１３２と導電層１３４の境界は明確に存在していない場合もある。また、Ｇａ含有層１３２の厚さは、Ga原子が数個積層された構成であってもよい。そして、Ｇａ含有層１３２中のＧａ濃度が、有機層１２０側から濃度が増加し、有機層１２０と第２電極１３０の間でピークとなり、その後第２電極１３０側に向かって減少していくようにする。有機ＥＬ素子１０は、例えば有機ＥＬ素子であるが、他の有機ＥＬ素子であってもよい。また、有機ＥＬ素子１０が有機ＥＬ素子である場合、有機ＥＬ素子１０は、照明装置の光源、又はディスプレイ装置として用いることができる。
第１電極１１０は陽極として機能し、第２電極１３０のうち少なくとも導電層１３４は陰極として機能する。第１電極１１０及び導電層１３４の一方は、光透過性を有する透明電極である。透明電極の材料は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）やＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）等の無機材料、またはポリチオフェン誘導体などの導電性高分子を含んでいる。
また、第１電極１１０及び導電層１３４の他方は、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｓｎ、Ｚｎ、及びＩｎからなる第１群の中から選択される金属、又はこの第１群から選択される金属の合金からなる金属層を含んでいる。
有機層１２０は、発光層を有している。そして、第１電極１１０及び第２電極１３０の間に電源２０から電圧が印加されることにより、有機層１２０は発光する。この発光は、第１電極１１０及び導電層１３４のうち透明電極となっている電極から外部に出射する。
第１電極１１０、Ｇａ含有層１３２、及び導電層１３４は、例えば蒸着法を用いて形成される。有機層１２０は、蒸着法又は塗布法を用いて形成される。塗布法としては、例えば、スプレー塗布、ディスペンサー塗布、インクジェット、又は印刷を用いることができる。なお、有機層１２０が複数の層で形成されている場合、これらの各層は、互いに同一の方法で形成されていても良いし、少なくとも一つの層は他とは別の方法で形成されていても良い。塗布法で形成される場合、有機層１２０を形成するための塗布材料としては、ポリアルキルチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体、トリフェニルアミン、無機化合物のゾルゲル膜、ルイス酸を含む有機化合物膜、導電性高分子を用いることができる。ただし、有機層１２０を構成する材料は、これらに限定されない。
なお、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０は、基板を用いて形成される。基板は、例えばガラスなどの無機材料によって形成されていてもよいし、樹脂などの有機材料によって形成されていてもよい。基板は、可撓性を有していてもよい。この場合、基板の厚さは、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下である。この場合においても、基板は無機材料及び有機材料のいずれで形成されていてもよい。また、厚さ方向において、第１電極１１０が第２電極１３０よりも基板の近くに位置してもよいし、第２電極１３０が第１電極１１０よりも基板の近くに位置していてもよい。後者の場合、樹脂材料を利用した基板を用いても、基板を透過してきた水分によって有機層１２０が劣化することを抑制できる。
図２は、有機層１２０の構成の一例を示す図である。本図に示す例において、有機層１２０は、第１電極１１０に近い側から順に、正孔注入層１２１、正孔輸送層１２２、及び発光層１２３を有している。そして発光層１２３にはＧａ含有層１３２が接している。すなわち本実施形態では、Ｇａ含有層１３２が電子注入層（及び電子輸送層）として機能している。正孔注入層１２１及び正孔輸送層１２２は、一つの有機層で構成されていても良い。なお、正孔注入層１２１を構成する有機材料、正孔輸送層１２２を構成する有機材料、及び発光層１２３を構成する有機材料は、特に制限はなく、一般的な材料を用いることができる。正孔注入層１２１は、酸化モリブデン（ＭｏＯ３）を含んでいてもよい。なお、有機層１２０は、Ｇａ含有層１３２とは別に電子注入層及び電子輸送層の少なくとも一方を有していてもよい。
図３（ａ）は、有機層１２０及び第２電極１３０の界面における炭素、Ｇａ、及び導電層１３４を構成する導電材料の深さ方向の濃度分布を示す図である。本図に示す例では、基板側から順に、第１電極１１０、有機層１２０、Ｇａ含有層１３２、及び導電層１３４が積層されている。図３（ｂ）は、基板側から順に、導電層１３４、Ｇａ含有層１３２、有機層１２０、及び第１電極１１０が積層された場合の濃度分布を示す図である。この場合、図３（ｂ）に示すように図３（ａ）とは左右逆になる。
これらの図に示すように、有機層１２０とＧａ含有層１３２の界面では、Ｇａ含有層１３２に近づく（又は入り込む）につれて炭素の濃度が急激に低下し、その代わりにＧａの濃度が急激に上昇する。そして、Ｇａ含有層１３２においては、Ｇａが最も多くなる。そして、Ｇａ含有層１３２と導電層１３４の界面では、導電層１３４に近づくにつれてＧａの濃度が急激に低下し、その代わりに導電層１３４を構成する導電材料の濃度が急激に上昇する。なおこのような分析は、例えばＴＯＦ−ＳＩＭＳ（Time-of-flight secondary ion mass spectrometer）を用いて行うことができる。
本実施形態によれば、有機層１２０と第２電極１３０の界面には、Ｇａが含まれている。このため、このＧａを含有する層（Ｇａ含有層１３２）を、電子注入層として用いることができる。従って、一般的に良く使われるアルカリ金属化合物などからなる電子注入層を用いる場合と比較して、例えば第２電極１３０と有機層１２０の界面に水分や酸素などの劣化因子が浸入してきても、これら劣化因子によって有機層１２０の発光特性が劣化することを低減できる。従って、有機ＥＬ素子１０の封止構造を簡略化することができる。なお、Ｇａ含有層１３２と発光層１２３の間に電子輸送層が設けられていた場合においても、有機層１２０の発光特性の劣化を低減できる。また、Ｇａは常温では液体であり、流動性が高い。このため、Ｇａ含有層１３２を設けることにより、第２電極１３０と有機層１２０の密着性を向上させることもできる。
（実施例１）
図４は、実施例１に係る有機ＥＬ素子１０の構成を示す図である。本実施例に係る有機ＥＬ素子１０は、基板１００上に、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０をこの順に積層した構成を有している。そして本実施例において、有機層１２０からの光は、基板１００側から取り出される。
図４は、実施例１に係る有機ＥＬ素子１０の構成を示す図である。本実施例に係る有機ＥＬ素子１０は、基板１００上に、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０をこの順に積層した構成を有している。そして本実施例において、有機層１２０からの光は、基板１００側から取り出される。
基板１００は、たとえば透明基板である。本実施例において、基板１００は、ガラス基板とすることができる。これにより、耐熱性等に優れた有機ＥＬ素子１０を安価に製造することが可能となる。
基板１００は、樹脂材料により構成されるフィルム状の基板であってもよい。この場合、特にフレキシブル性の高いディスプレイを実現することが可能となる。フィルム状の基板を構成する樹脂材料は、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート又はポリカーボネートである。
そして、第１電極１１０は透明電極となっている。そして導電層１３４は、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｓｎ、Ｚｎ、及びＩｎからなる第１群の中から選択される金属、又はこの第１群から選択される金属の合金からなる金属層を含んでいる。
次に、本実施例に係る有機ＥＬ素子１０の製造方法を説明する。まず、基板１００上に第１電極１１０を、例えば蒸着法を用いて形成する。次いで、有機層１２０を、蒸着法又は塗布法を用いて形成する。次いで、Ｇａ含有層１３２を、例えば蒸着法を用いて形成し、その後、導電層１３４を、例えば蒸着法を用いて形成する。
本実施例によっても、Ｇａ含有層１３２を電子注入層として用いることができる。従って、一般的に良く使われるアルカリ金属化合物などからなる電子注入層を用いる場合と比較して、有機層１２０に水分や酸素が浸入してきても、これら水分や酸素によって有機層１２０の発光特性が劣化することを抑制できる。従って、有機ＥＬ素子１０の封止構造を簡略化することができる。電子機器に、有機ＥＬ素子１０を一つの発光部として利用する場合、発光部の発光面積の減少（シュリンク）を抑制することができる。
なお、本実施例において、第１電極１１０を構成する材料と導電層１３４を構成する材料が逆になっても良い。この場合、有機層１２０からの発光は、第２電極１３０側から出射するように設計しても良い。
（実施例２）
図５は、実施例２に係る有機ＥＬ素子１０の構成を示す図である。本実施例に係る有機ＥＬ素子１０は、基板１００上に、第２電極１３０、有機層１２０、及び第１電極１１０をこの順に積層した構成を有している。そして本実施例においても、有機層１２０からの光は、基板１００側から取り出される。
図５は、実施例２に係る有機ＥＬ素子１０の構成を示す図である。本実施例に係る有機ＥＬ素子１０は、基板１００上に、第２電極１３０、有機層１２０、及び第１電極１１０をこの順に積層した構成を有している。そして本実施例においても、有機層１２０からの光は、基板１００側から取り出される。
基板１００の構成は、実施例１と同様である。そして、導電層１３４は透明電極となっている。そして第１電極１１０は、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｓｎ、Ｚｎ、及びＩｎからなる第１群の中から選択される金属、又はこの第１群から選択される金属の合金からなる金属層を含んでいる。
次に、本実施例に係る有機ＥＬ素子１０の製造方法を説明する。まず、基板１００上に導電層１３４を、例えば蒸着法を用いて形成する。次いで、Ｇａ含有層１３２を、例えば蒸着法を用いて形成する。次いで、有機層１２０を、蒸着法又は塗布法を用いて形成する。その後、第１電極１１０を、例えば蒸着法を用いて形成する。
本実施例によっても、実施例１と同様に、有機材料からなる電子注入層を用いる場合と比較して、有機層１２０に水分や酸素が浸入してきても、これら水分や酸素によって有機層１２０の発光特性が劣化することを抑制できる。従って、有機ＥＬ素子１０の封止構造を簡略化することができる。
なお、本実施例において、第１電極１１０を構成する材料と導電層１３４を構成する材料が逆になっても良い。この場合、有機層１２０からの発光は、第２電極１３０側から出射するように設計しても良い。
（実施例３）
図６は、実施例３に係る有機ＥＬ素子１０の構成を示す図である。本実施例に係る有機ＥＬ素子１０は、基板１００の一面に、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０の積層体を形成し、さらにこの一面を封止部材２００で封止したものである。封止部材２００は、例えばガラスによって形成されている。ただし、封止部材２００の内側には、乾燥剤は入っていない。第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０の積層順は、実施例１と同様であっても良いし、実施例２と同様であっても良い。
図６は、実施例３に係る有機ＥＬ素子１０の構成を示す図である。本実施例に係る有機ＥＬ素子１０は、基板１００の一面に、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０の積層体を形成し、さらにこの一面を封止部材２００で封止したものである。封止部材２００は、例えばガラスによって形成されている。ただし、封止部材２００の内側には、乾燥剤は入っていない。第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０の積層順は、実施例１と同様であっても良いし、実施例２と同様であっても良い。
本実施例によれば、封止部材２００の内側には、乾燥剤は入っていない。従って、有機ＥＬ素子１０の封止構造を簡略化することができる。また、実施例１と同様に、有機層１２０に水分や酸素が浸入してきても、これら水分や酸素によって有機層１２０の発光特性が劣化することを抑制できる。
また、基板１００と封止基板２００とを接着する接着剤も封止性能の劣る安価なものを選択することもでき、製品設計範囲を広げる効果もある。有機ＥＬ素子１０を表示部として利用するフレキシブルな電子機器、などでも採用できるなど、発光面積の減少を抑制、設計自由度の向上などの効果を有する。
（実施例４）
図７は、実施例４に係る有機ＥＬ素子１０の構成を示す図である。本実施例に係る有機ＥＬ素子１０は、基板１００の一面に、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０の積層体を形成し、さらにこの一面を封止樹脂２１０で封止したものである。封止樹脂２１０は、例えばエポキシ樹脂である。
図７は、実施例４に係る有機ＥＬ素子１０の構成を示す図である。本実施例に係る有機ＥＬ素子１０は、基板１００の一面に、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０の積層体を形成し、さらにこの一面を封止樹脂２１０で封止したものである。封止樹脂２１０は、例えばエポキシ樹脂である。
本実施例によれば、有機ＥＬ素子１０を封止樹脂２１０で封止している。従って、封止部材２００を用いる場合と比較して、さらに有機ＥＬ素子１０の封止構造が簡単になる。また、フレキシブルな材料を基板１００に用いた場合など、高い封止技術を要求される構成においても本実施例における例は有効である。
（実施例５）
図８は、実施例５に係る有機ＥＬ素子１０の構成を示す図である。本実施例に係る有機ＥＬ素子１０は、基板１００の一面に、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０の積層体を形成し、さらにこの一面を保護膜２２０で封止したものである。
図８は、実施例５に係る有機ＥＬ素子１０の構成を示す図である。本実施例に係る有機ＥＬ素子１０は、基板１００の一面に、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０の積層体を形成し、さらにこの一面を保護膜２２０で封止したものである。
保護膜２２０は、酸化物から構成された膜、例えば酸化アルミニウムで構成された膜を少なくとも有している。保護膜２２０の膜厚は、例えば１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下である。保護膜２２０は単層構造であっても良いし、複数の金属酸化膜を積層させた構造であっても良い。保護膜２２０は、例えばＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法を用いて形成される。
本実施例によれば、有機ＥＬ素子１０を保護膜２２０で封止している。従って、封止部材２００を用いる場合と比較して、さらに有機ＥＬ素子１０の封止構造が簡単になる。なお、封止部材２００の上に、さらに、図７に示した封止樹脂２１０を設けてもよい。このようにすると、有機ＥＬ素子１０の封止能力はさらに高くなる。
（実施例６）
図９に示す構造を有する有機ＥＬ素子１０を作製した（試料１）。基板１００としては、ガラス基板を用いた。そして、基板１００の上に、第２電極１３０、有機層１２０、及び第１電極１１０を、この順に形成した。第２電極１３０の導電層１３４は、厚さが１５５ｎｍのＩＴＯ（Indium Tin Oxide）で形成されている。また、導電層１３４の上には、Ｇａ含有層１３２を形成した。Ｇａ含有層１３２としては厚さが１ｎｍのＧａ層を使用した。Ｇａ含有層１３２は、電子注入層を兼ねている。また、有機層１２０には、発光層１２３及び正孔注入層１２１をこの順に積層した多層構造を用いた。発光層１２３としては厚さが５０ｎmのAlq(aluminato-tris-8-hydroxyquinolate)を使用し、正孔注入層１２１としては厚さが２５ｎｍの酸化モリブデン（ＭｏＯ３）を使用した。そして、第１電極１１０として、厚さが１２０ｎｍのＡｌを使用した。
図９に示す構造を有する有機ＥＬ素子１０を作製した（試料１）。基板１００としては、ガラス基板を用いた。そして、基板１００の上に、第２電極１３０、有機層１２０、及び第１電極１１０を、この順に形成した。第２電極１３０の導電層１３４は、厚さが１５５ｎｍのＩＴＯ（Indium Tin Oxide）で形成されている。また、導電層１３４の上には、Ｇａ含有層１３２を形成した。Ｇａ含有層１３２としては厚さが１ｎｍのＧａ層を使用した。Ｇａ含有層１３２は、電子注入層を兼ねている。また、有機層１２０には、発光層１２３及び正孔注入層１２１をこの順に積層した多層構造を用いた。発光層１２３としては厚さが５０ｎmのAlq(aluminato-tris-8-hydroxyquinolate)を使用し、正孔注入層１２１としては厚さが２５ｎｍの酸化モリブデン（ＭｏＯ３）を使用した。そして、第１電極１１０として、厚さが１２０ｎｍのＡｌを使用した。
また、第１電極１１０の構造を除いて試料1と同じ構造の有機ＥＬ素子１０を作製した。試料２において、第１電極１１０として、厚さが８０ｎｍのＡｕを使用した。
また、図１０に示す構造を有する有機ＥＬ素子１０を作製した（比較例）。比較例に係る有機ＥＬ素子１０は、基板１００の上に、第１電極１１０、有機層１２０、及び導電層１３４をこの順に積層した構造を有している。第１電極１１０としては、厚さが１５５ｎｍのＩＴＯを使用し、導電層１３４としては、厚さが１２０ｎｍのＡｌを使用した。また、有機層１２０として、正孔輸送層１２２及び発光層１２３をこの順に積層した。正孔輸送層１２２としては厚さが５０ｎｍのＮＰＢ(N,N-di(naphthalene-1-yl)-N,N-diphenyl-benzidene)を使用し、発光層１２３としては厚さが５０ｎmのAlq(aluminato-tris-8-hydroxyquinolate)を使用した。
そして、試料１，２及び比較例のそれぞれを、封止しない状態で駆動し、発光時間によって発光状態がどのように変化するかを調べた。
図１１は、試料１，２及び比較例のそれぞれの発光面積と、発光時間の関係を示す写真である。
比較例は、発光時間が７２０時間を越えてから非発光領域が発生した。そしてこの非発光領域は、発光時間が長くなるにつれて増大し、発光時間が１６３２時間に達したときには発光領域はほぼ無くなった。これは、有機層１２０が水分や酸素によって劣化したため、と推定される。
これに対して試料１，２は、封止されていないにもかかわらず、発光時間が１０００時間を越えた後でも発光面積に変化は無かった。ただし、試料１，２の双方において、発光領域の中に、輝度が高い線状の領域（高輝度領域）が発生した。また、発光時間が長くなると、この高輝度領域の面積が拡大し、また、同一電圧を印加しているにもかかわらず電流が減少した。これは、電子側及び正孔側の少なくとも一方において水分が浸透した結果、キャリアの再結合が抑制されたか、又はキャリアが閉じ込められたため、と推定された。
（実施例７）
図１２に示す構造の有機ＥＬ素子１０を作製した。この有機ＥＬ素子１０は、有機層１２０の正孔注入層１２１と発光層１２３の間に正孔輸送層１２２を設けた点を除いて、試料１と同じ構造を有している。正孔輸送層１２２としては、厚さが５０ｎｍのＮＰＢを使用した。なお、第１電極１１０としては、厚さが６０ｎｍのＡｌ層を使用した。そして、第２電極１３０から第１電極１１０まで連続して成膜したものを試料3として、第２電極１３０から有機層１２０まで連続して成膜した後、大気に1時間暴露した後に第１電極１１０を成膜したものを試料４とした。なお、試料3，4のいずれも封止構造を有していない。
図１２に示す構造の有機ＥＬ素子１０を作製した。この有機ＥＬ素子１０は、有機層１２０の正孔注入層１２１と発光層１２３の間に正孔輸送層１２２を設けた点を除いて、試料１と同じ構造を有している。正孔輸送層１２２としては、厚さが５０ｎｍのＮＰＢを使用した。なお、第１電極１１０としては、厚さが６０ｎｍのＡｌ層を使用した。そして、第２電極１３０から第１電極１１０まで連続して成膜したものを試料3として、第２電極１３０から有機層１２０まで連続して成膜した後、大気に1時間暴露した後に第１電極１１０を成膜したものを試料４とした。なお、試料3，4のいずれも封止構造を有していない。
また、第１電極１１０として厚さが８０ｎｍのＡｕ層を使用した点を除いて、試料３と同様の構造を有する有機ＥＬ素子１０を作製した（試料５）。さらに、第１電極１１０として厚さが８０ｎｍのＡｕ層を使用した点を除いて、試料４と同様の構造を有する有機ＥＬ素子１０を作製した（試料６）。
図１３は、試料３〜６のそれぞれの発光面積と、発光時間の関係を示す写真である。試料３〜６のいずれにおいても発光時間が１０００時間を超えても発光面積の減少はほとんど見られなかった。また、試料４，６は、試料３，５と比較して、実施例６で説明した高輝度領域の発生が抑制された。このことから、有機層１２０を形成後、第１電極１１０を形成する前に大気暴露を行うと、高輝度領域の発生が抑制されることが分かる。
以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
なお、上記した実施形態及び実施例によれば、以下の発明が開示されている。
（付記１）
第１電極と、
第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極の間に位置する有機層と、
を備え、
前記第２電極は、前記有機層に接しており、かつ、前記有機層との界面にＧａを含む有機ＥＬ素子。
（付記２）
第１電極と、
第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極の間に位置する有機層と、
前記有機層と前記第２電極の間に位置するＧａ含有層と、
を備え、
前記Ｇａ含有層において、最も含有率の高い元素はＧａである有機ＥＬ素子。
（付記３）
付記１又は２に記載の有機ＥＬ素子において、
前記第１電極は陽極であり、前記第２電極は陰極である有機ＥＬ素子。
（付記４）
付記３に記載の有機ＥＬ素子において、
基板を備え、
前記第１電極、前記有機層、及び前記第２電極は、前記基板の一面側に、この順に積層されている有機ＥＬ素子。
（付記５）
付記４に記載の有機ＥＬ素子において、
前記有機層は発光層を有しており、
前記第１電極は透光性を有しており、
前記第２電極は、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｓｎ、Ｚｎ、及びＩｎからなる第１群の中から選択される金属、又は前記第１群から選択される金属の合金からなる金属層を含む有機ＥＬ素子。
（付記６）
付記３に記載の有機ＥＬ素子において、
基板を備え、
前記第２電極、前記有機層、及び前記第１電極は、前記基板の一面側に、この順に積層されている有機ＥＬ素子。
（付記７）
付記６に記載の有機ＥＬ素子において、
前記有機層は発光層を有しており、
前記第２電極は透光性を有しており、
前記第１電極は、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｓｎ、Ｚｎ、及びＩｎからなる第１群の中から選択される金属、又は前記第１群から選択される金属の合金からなる金属層を含む有機ＥＬ素子。
（付記８）
付記７に記載の有機ＥＬ素子において、
前記第１電極と前記有機層の間に、正孔注入層を有する有機ＥＬ素子。
（付記９）
付記８に記載の有機ＥＬ素子において、
前記正孔注入層は、酸化モリブデンを含む有機ＥＬ素子。
（付記１）
第１電極と、
第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極の間に位置する有機層と、
を備え、
前記第２電極は、前記有機層に接しており、かつ、前記有機層との界面にＧａを含む有機ＥＬ素子。
（付記２）
第１電極と、
第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極の間に位置する有機層と、
前記有機層と前記第２電極の間に位置するＧａ含有層と、
を備え、
前記Ｇａ含有層において、最も含有率の高い元素はＧａである有機ＥＬ素子。
（付記３）
付記１又は２に記載の有機ＥＬ素子において、
前記第１電極は陽極であり、前記第２電極は陰極である有機ＥＬ素子。
（付記４）
付記３に記載の有機ＥＬ素子において、
基板を備え、
前記第１電極、前記有機層、及び前記第２電極は、前記基板の一面側に、この順に積層されている有機ＥＬ素子。
（付記５）
付記４に記載の有機ＥＬ素子において、
前記有機層は発光層を有しており、
前記第１電極は透光性を有しており、
前記第２電極は、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｓｎ、Ｚｎ、及びＩｎからなる第１群の中から選択される金属、又は前記第１群から選択される金属の合金からなる金属層を含む有機ＥＬ素子。
（付記６）
付記３に記載の有機ＥＬ素子において、
基板を備え、
前記第２電極、前記有機層、及び前記第１電極は、前記基板の一面側に、この順に積層されている有機ＥＬ素子。
（付記７）
付記６に記載の有機ＥＬ素子において、
前記有機層は発光層を有しており、
前記第２電極は透光性を有しており、
前記第１電極は、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｓｎ、Ｚｎ、及びＩｎからなる第１群の中から選択される金属、又は前記第１群から選択される金属の合金からなる金属層を含む有機ＥＬ素子。
（付記８）
付記７に記載の有機ＥＬ素子において、
前記第１電極と前記有機層の間に、正孔注入層を有する有機ＥＬ素子。
（付記９）
付記８に記載の有機ＥＬ素子において、
前記正孔注入層は、酸化モリブデンを含む有機ＥＬ素子。
この出願は、２０１３年５月１７日に出願された日本出願特願２０１３−１０５６２９号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
なお、本実施例において、第１電極１１０を構成する材料と導電層１３４を構成する材料が逆になっても良い。この場合、有機層１２０からの発光は、第１電極１１０側から出射するように設計しても良い。
Claims (4)
- 基板、第１電極、第２電極、及び前記第１電極と前記第２電極の間に位置する有機層を備え、
前記第２電極、前記有機層、及び前記第１電極は、前記基板の一面側に、この順に積層され、
前記第２電極と前記有機層との間にＧａ含有領域を含む有機ＥＬ素子。 - 前記Ｇａ含有領域で含有率の最も高い元素はＧａである請求項１に記載の有機ＥＬ素子。
- 前記Ｇａ含有領域において、Ｇａ濃度のピークは、前記有機層と前記第２電極の間に存在する請求項２の有機EL素子。
- 前記第１電極と前記有機層の間に、モリブデン酸化物を含む有機ＥＬ素子。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161129 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20170606 |