JP4120591B2 - 電気光学装置用基板、電気光学装置及び電気泳動表示装置 - Google Patents
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Description
当該文献においては、アクティブマトリクス素子としてポリマーTFT、表示体として高分子分散型液晶を組み合わせたディスプレイが提案されている。
川瀬建夫著、et al.著、「Thin Solid Films」 p279-287, vol438-439,2003 川瀬建夫著、「2000 International Electron Device Meeting technical digest」 p623-626
本発明の電気光学装置用基板は、基板上に、スイッチング素子と、画素電極とを有する電気光学装置用基板であって、前記画素電極は、前記スイッチング素子に接続された第1画素電極と、他の第1画素電極に接続されたスイッチング素子を被覆する第2画素電極と、によって形成されていることを特徴としている。
より具体的には、基板と、前記基板上に位置する第1ソース電極と、前記基板上に位置する第1ドレイン電極と、前記第1ソース電極上及び前記第1ドレイン電極上に位置する第1半導体膜と、前記第1半導体膜上に位置する第1ゲート絶縁膜と、前記第1ゲート絶縁膜上に位置する第1ゲート電極と、前記第1ゲート電極上に位置する第1層間絶縁膜と、前記基板上に位置する第2ソース電極と、前記基板上に位置する第2ドレイン電極と、前記第2ソース電極上及び前記第2ドレイン電極上に位置する第2半導体膜と、前記第2半導体膜上に位置する第2ゲート絶縁膜と、前記第2ゲート絶縁膜上に位置する第2ゲート電極と、前記第2ゲート電極上に位置する第2層間絶縁膜と、前記第1ドレイン電極に接続し、前記第2層間絶縁膜上に位置し、前記第2層間絶縁膜を介して前記第2ゲート電極と保持容量を形成する第2画素電極と、を含む、ことが好ましい。
また、前記第1ゲート絶縁膜と前記第2ゲート絶縁膜とが離間し、かつ、前記第1ゲート絶縁膜と前記第2ゲート絶縁膜との間に前記第1ドレイン電極が位置し、前記第1ドレイン電極が第1画素電極として機能する、ことが好ましい。
また、前記第1層間絶縁膜と前記第2層間絶縁膜とが離間している、ことが好ましい。
また、複数のゲート線と、前記複数のゲート線に交差する複数のデータ線と、を含み、前記第1ゲート電極が前記複数のゲート線のうちのひとつであり、前記第2ゲート電極が前記複数のゲート線のうちの他のひとつである、ことが好ましい。
また、複数のゲート線と、前記複数のゲート線に交差する複数のデータ線と、を含み、前記第1ソース電極と前記第2ソース電極が前記複数のデータ線のうちの同一のデータ線に電気的に接続される、ことが好ましい。
また、前記第1ソース電極の前記第1ドレイン電極と向かい合う部分が櫛歯状に形成されている、ことが好ましい。
また、前記第1半導体膜が有機半導体材料を含む、ことが好ましい。
また、前記第1ドレイン電極の材料と前記第1画素電極の材料が同種である、ことが好ましい。
更に、上記の電気光学装置用基板と、対向基板と、前記電気光学装置用基板と前記対向基板との間に位置する電気光学層と、を備える電気光学装置を本発明に係る構成として挙げることができる。
更に、上記の電気光学装置用基板と、前記電気光学装置用基板上に位置する電気泳動層と、を備える電気泳動表示装置を本発明に係る構成として挙げることができる。
このようにすれば、第2画素電極が、他の第1画素電極に接続するスイッチング素子を被覆するように構成されるので、スイッチング素子の上方の形成領域に対して第2画素電極を形成することができる。従って、全体としての画素電極面積が大きくなり、従来技術のように開口率の低下を招くという問題を解決し、高開口率化を達成できる。従って、高密度及び高精細な電気光学装置(ディスプレイ)を実現することができる。
また、上記の構成を採用することにより、インクジェット法を用いたパターニングを行っても開口率が低下することがないので、ポリマーTFTからなるアクティブマトリクス素子を容易に形成することができる。
このようにすれば、第2画素電極が単に画素電極として機能するだけでなく、保持容量としても機能するので、保持容量を形成するための配線や容量電極を基板上に別途設ける必要がなく、電気光学装置用基板の素子構成の簡素化を達成できる。
このようにすれば、湿式成膜法によって薄膜トランジスタを製造することができる。ここで、湿式成膜法においては、真空装置を用いずに大気圧雰囲気において成膜することが可能となるので、電気光学装置用基板の製造コストの削減を実現できる。
このようにすれば、第2画素電極が、他の第1画素電極に接続するスイッチング素子を被覆するように構成されるので、スイッチング素子の上方の形成領域に対して第2画素電極を形成することができる。従って、全体としての画素電極面積が大きくなり、従来技術のように開口率の低下を招くという問題を解決し、高開口率化を達成できる。従って、高密度及び高精細な電気光学装置(ディスプレイ)を実現することができる。
このようにすれば、ポリマーTFTからなるアクティブマトリクス素子、即ち、薄膜トランジスタを容易に製造することができる。湿式成膜法は、真空装置を用いずに大気圧雰囲気において成膜することが可能となるので、電気光学装置用基板の製造コストの削減を実現できる。
このようにすれば、高開口率化、及び高密度及び高精細化が実現され、低コストの電気光学装置となる。
これにより、高開口率化、及び高密度及び高精細化が実現され、低コストの電子機器となる。
以下、本発明の実施形態について説明する。
図1及び図2を参照し、本発明の一実施形態に相当する電気光学装置用基板の構成を説明する。
なお、各図において、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
図1に示すように、電気光学装置用基板10は、信号線SLと、アクティブマトリクス素子(スイッチング素子)AMと、第1画素電極2aとを有している。
信号線SLは、アクティブマトリクス素子AMを駆動するための電流を供給する配線であり、データ線3と、ゲート線6とにより構成されている。
アクティブマトリクス素子AMは、第1画素電極2a及び第2画素電極2bを駆動させるための薄膜トランジスタとして機能する部位であり、ソース電極3aと、半導体層4と、ゲート絶縁膜5と、ゲート電極6aとにより構成されている。また、後述の製造方法に詳細を記載するように、アクティブマトリクス素子AMは、有機材料からなる有機薄膜トランジスタである。
また、図1及び図2においては、データ線3とソース電極3a、ゲート線6とゲート電極6a、の各組は同一部材で形成されている。
ここで、第1画素電極2aは、半導体層4のドレイン領域に直接接続された構成となっている。当該構成においては、第1画素電極2aが半導体層4のドレイン電極として機能するようになっている。
第2画素電極2bは、層間絶縁膜7の上面(形成領域)に形成されると共に、ゲート絶縁膜5の側部において、第1画素電極2aに隣接している第1画素電極(他の第1画素電極)2a’と導通接続されている。また、当該第2画素電極2bは、インクジェット法に代表される液滴吐出法、あるいは湿式成膜法を用いて塗布された導電性塗布膜によって形成されている。
また、第2画素電極2bとゲート電極6aは、層間絶縁膜7を介して保持容量CAを構成しており、アクティブマトリクス素子AMのスイッチング状態を保持する機能を有している。
まず、基板1上に、第1画素電極2a、及びデータ線3、ソース電極3aを形成する。
基板1の材料は、例えば、ガラス基板、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエーテルスルホン(PES)、芳香族ポリエステル(液晶ポリマー)、ポリイミド(PI)等で構成されるプラスティック基板(樹脂基板)、石英基板、シリコン基板、金属基板、ガリウム砒素基板等を採用することができる。薄膜トランジスタに可撓性を付与する場合には、基板1には、プラスティック基板、或いは薄い金属基板が選択される。
半導体材料としては、低分子系有機半導体材料、ポリマー有機半導体材料のいずれも使用することができる。
ポリマー有機半導体材料としては、ポリ(3−アルキルチオフェン)(ポリ(3−ヘキシルチオフェン)(P3HT)、ポリ(3−オクチルチオフェン)、ポリ(2,5−チエニレンビニレン)(PTV)、ポリ(パラ−フェニレンビニレン)(PPV)、ポリ(9,9−ジオクチルフルオレン−コ−ビス−N,N’−(4−メトキシフェニル)−ビス−N,N’−フェニル−1,4−フェニレンジアミン)(PFMO)、ポリ(9,9ジオクチルフルオレン−コ−ベンゾチアジアゾール)(BT)、フルオレン−トリアリルアミン共重合体、トリアリルアミン系ポリマー、フルオレンビチオフェン共重合体等が挙げられる。
ゲート絶縁層5としては、公知のゲート絶縁体材料であれば、種類は特に限定されるものではない。有機材料としては、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルフェノール、ポリイミド、ポリスチレン、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセテート、ポリイソブチレンに代表されるポリオレフィン系ポリマー等が挙げられる。形成方法としては、例えば、スピンコート法、インクジェット法等の湿式法を用いて形成することができる。無機材料としては、シリカ、窒化珪素、酸化アルミ、酸化タンタル等の金属酸化物、チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコニウムチタン酸鉛等の金属複合酸化物が挙げられ、形成方法としては、熱酸化法、CVD法、SOG法が挙げられる。或いは、原材料にポリシラザンを用いることで、シリカ、窒化珪素膜を湿式プロセスで成膜することが可能である。
ゲート電極6aとしては、公知の電極材料であれば、種類は特に限定されるものではない。具体的には、Cr、Al、Ta、Mo、Nb、Cu、Ag、Au、Pd、In、Ni、Nd、Co、等やそれらの金属を用いた合金等、公知のあらゆる金属材料、及びその合金、及びその金属酸化物等を採用することができる。また、金属微粒子を分散させた溶液、或いは、導電性粒子を含むポリマー混合物、或いは、導電性有機材料を電極層材料に採用させてもよい。
層間絶縁膜7としては、前述のゲート絶縁膜5と同様の材料を用いることができる。
第2画素電極2bとしては、導電性塗布膜を採用することが好ましく、金属微粒子を分散させた溶液、或いは、導電性粒子を含むポリマー混合物、或いは、導電性有機材料を電極層材料に用いることができる。
また、第2画素電極2bと第1画素電極2aの材料は、同種材料又は異種材料のいずれでもよいが、第2画素電極2bと第1画素電極2aの間は、確実に導電性が得られるようにする必要があり、接触抵抗が生じにくくなる各種材料が好適に選択される。
また、インクジェット法を用いたパターニングを行っても開口率が低下することがないので、ポリマーTFTからなるアクティブマトリクス素子を容易に形成することができる。
次に、図3から図5を参照し、本発明の一実施形態に相当する電気光学装置を説明する。ここでは、電気光学装置として、有機TFTをアクティブマトリクス素子として用いた電気泳動ディスプレイについて説明する。
図3から図5の各々は、電気泳動表示装置の各実施形態の構成を示す断面図、部分平面図ある。なお、以下の全ての図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の膜厚や寸法の比率などは適宜異ならせてある。また、先に記載した電気光学装置用基板10と同一構成には同一符号を付して説明を簡略化している。
図3に示すように、本実施形態の電気泳動装置EPD1は、電気光学装置用基板10と、対向基板20と、電気泳動層(電気光学層)15を備えて構成されている。
ここで、対向基板20は、例えばガラス基板や樹脂フィルム基板等の透明性材料からなり、対向基板20の電気泳動層15が配置される側には共通電極30が形成されている。また、電気泳動層15は、電気光学装置用基板10と対向基板20の間に挟持されている。また、電気光学装置用基板10と対向基板20とは、表示領域の周囲を囲むように枠状に形成された封止部材(図示略)によって貼り合わされ、スペーサ(図示略)により一定に離間された状態で保持されている。そして、本実施形態の電気泳動表示装置EPD1では、基板10、20と封止部材とにより形成された閉空間に、分散媒41、電気泳動粒子42等を有する電気泳動分散液40が封入され、電気泳動層15が形成されている。
電気泳動分散液40は、染料によって染色された分散媒41中に電気泳動粒子42を分散させた構成となっている。
電気泳動粒子42は、無機酸化物又は無機水酸化物からなる直径0.01μm〜10μm程度の略球状の微粒子であり、上記分散媒41と異なる色相(白色及び黒色を含む)を有している。このように酸化物又は水酸化物からなる電気泳動粒子42には固有の表面等電点が存在し、分散媒41の水素イオン指数pHによってその表面電荷密度(帯電量)が変化する。
pH低:M−OH+H+(過剰)+OH−→M−OH2 ++OH− ・・・(1)
pH高:M−OH+H++OH−(過剰)→M−OH―+H+ ・・・(2)
そして、分散媒41には、上述の有機化合物を単独又は二種類以上混合したものが用いられている。
このような高分子界面活性剤としては、以下に示すようなアニオン系、カチオン系、非イオン系の高分子界面活性剤を例として挙げることができる。
そして、高分子界面活性剤には、上述の高分子材料を単独又は二種類以上混合したものが用いられている。
例えば、アニオン系低分子界面活性剤としては、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム等のアルキルベンゼンスルホン酸塩類、ラウリル酸ナトリウム等のカルボン酸塩類、ラウリル硫酸ナトリウム等の硫酸塩類、ラウリル燐酸ナトリウム等の燐酸塩類等が用いられている。また、カチオン系低分子界面活性剤としては、塩化セチルトリメチルアンモニウム等の四級アンモニウム塩類、ドデシルピリジニウムブロミド等のピリジニウム塩類、ラウリルアミン塩酸塩等のアミン塩類等が用いられている。非イオン系低分子界面活性剤としては、ソルビタントリオリエート等の多価アルコールの脂肪酸エステル類等が用いられている。更に、弗素系低分子界面活性剤としては、パーフルオロデカン酸ナトリウム等のパーフルオロカルボン酸塩、パーフルオロノニルアルコール等のパーフルオロアルコール類等が用いられている。
なお、重力による粒子の沈降を避けるために、分散媒41の比重と粒子の比重とはほぼ等しく設定されることが好ましい。
図4に示すように、本実施形態の電気泳動表示装置EPD2は、上記の電気泳動表示装置EPD1の構成において、対向する電気光学装置用基板10と対向基板20との間に一定の厚みを有する平面視格子状の隔壁43が設けられた構成となっている。また、隔壁43、43の間には、上述の電気泳動分散液40が封入されている。そして、これ以外の構成は、上記第1実施形態と同様であるため、その説明を省略する。
図5に示すように、本実施形態の電気泳動表示装置EPD3は、電気泳動分散液40をカプセル状の樹脂皮膜で覆ってマイクロカプセル化し、マイクロカプセル60を電気光学装置用基板10と第2基板2との間に配置した構成となっている。また、マイクロカプセル60の大きさは第1及び第2画素電極2a、2bを含む1画素の大きさと同程度とされ、表示領域全域を覆うように複数配置されている。また、マイクロカプセル60は、実際には隣接するマイクロカプセル60同士が密着するため、表示領域はマイクロカプセル60によって隙間なく、覆われている。そして、これ以外の構成については、上記第1実施形態と同様であるため、その説明を省略する。
上述した本発明の電気泳動表示装置は、表示部を備えた様々な電子機器に適用される。以下、上述の電気泳動表示装置を備えた電子機器の例について説明する。
図6はこのパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図であり、パーソナルコンピュータ1200は、本発明の電気泳動表示装置を表示部1201として備える。パーソナルコンピュータ1200は、キーボード1203を備えた本体部1202を備えて構成されている。
図7はこの携帯電話の構成を示す斜視図であり、携帯電話1300は、本発明の電気泳動表示装置を小サイズの表示部1301として備える。携帯電話1300は、複数の操作ボタン1302、受話口1303、及び送話口1304を備えて構成されている。
図8はこの電子ペーパーの構成を示す斜視図であり、電子ペーパー1400は、本発明の電気泳動表示装置を表示部1401として備える。電子ペーパー1400は、従来の紙と同様の質感及び柔軟性を有する書き換え可能なシートからなる本体1402を備えて構成されている。
最初に、基板1上にAu薄膜を公知のスパッタ法、メッキ法を用いて厚膜10〜1000nm程度形成した。成膜後にフォトリソグラフィ法を用いてパターニングを行って第1画素電極2a、データ線3を基板1上に形成した。或いは、インクジェット法を用いた印刷法により基板1上にPEDOTを用いて直接形成することも可能である。メッキ法或いはインクジェット法を用いることで、真空装置を用いずに安価に製造することが可能である。
次に、インクジェット法を用いてゲート絶縁膜5を形成した。ここで、PMMA(ポリメチルメタクリレート)酢酸ブチル溶液、或いは、ポリイソブチレンシクロヘキサン溶液を塗布して加熱して溶媒を蒸発させた。
次に、インクジェット法を用いてPEDOT水溶液、或いは、銀コロイド分散液をゲート絶縁膜5上に塗布してゲート電極6aを形成した。
次に、インクジェット法を用いてポリシラザンキシレン溶液、或いは、PVA(ポリビニルアルコール)水溶液を、ゲート電極6a(ゲート線6)を覆うように塗布して加熱することで膜厚100nm〜500nm程度の層間絶縁膜7を形成した。
最後に、ITO等の透明な対向電極上に予め電気泳動材料が塗布されたシートと貼り合わせることで電気泳動ディスプレイEPD3を作製した。
また、データ線3、第1画素電極2aのみフォトリソグラフィ法でパターニングして形成し、残りのプロセスは湿式法による大気圧プロセスであるので、フレキシブルで大面積の基板に低コストでディスプレイを作製することが可能である。
2a…第1画素電極(画素電極)
2b…第2画素電極(画素電極)
10…電気光学装置用基板
15…電気泳動層(電気光学層)
AM…アクティブマトリクス素子(スイッチング素子)
CA…保持容量
EPD1、EPD2、EPD3…電気泳動表示装置(電気光学装置)
Claims (10)
- 基板と、
前記基板上に位置する第1ソース電極と、
前記基板上に位置する第1ドレイン電極と、
前記第1ソース電極上及び前記第1ドレイン電極上に位置する第1半導体膜と、
前記第1半導体膜上に位置する第1ゲート絶縁膜と、
前記第1ゲート絶縁膜上に位置する第1ゲート電極と、
前記第1ゲート電極上に位置する第1層間絶縁膜と、
前記基板上に位置する第2ソース電極と、
前記基板上に位置する第2ドレイン電極と、
前記第2ソース電極上及び前記第2ドレイン電極上に位置する第2半導体膜と、
前記第2半導体膜上に位置する第2ゲート絶縁膜と、
前記第2ゲート絶縁膜上に位置する第2ゲート電極と、
前記第2ゲート電極上に位置する第2層間絶縁膜と、
前記第1ドレイン電極に接続し、前記第2層間絶縁膜上に位置し、前記第2層間絶縁膜を介して前記第2ゲート電極と保持容量を形成する第2画素電極と、を含む、
ことを特徴とする電気光学装置用基板。 - 請求項1に記載の電気光学装置用基板において、
前記第1ゲート絶縁膜と前記第2ゲート絶縁膜とが離間し、かつ、前記第1ゲート絶縁膜と前記第2ゲート絶縁膜との間に前記第1ドレイン電極が位置し、前記第1ドレイン電極が第1画素電極として機能する、
ことを特徴とする電気光学装置用基板。 - 請求項1又は2に記載の電気光学装置用基板において、
前記第1層間絶縁膜と前記第2層間絶縁膜とが離間している、
ことを特徴とする電気光学装置用基板。 - 請求項1乃至3のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板において、
複数のゲート線と、前記複数のゲート線に交差する複数のデータ線と、を含み、
前記第1ゲート電極が前記複数のゲート線のうちのひとつであり、前記第2ゲート電極が前記複数のゲート線のうちの他のひとつである、
ことを特徴とする電気光学装置用基板。 - 請求項1乃至3のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板において、
複数のゲート線と、前記複数のゲート線に交差する複数のデータ線と、を含み、
前記第1ソース電極と前記第2ソース電極が前記複数のデータ線のうちの同一のデータ線に電気的に接続される、
ことを特徴とする電気光学装置用基板。 - 請求項1乃至5のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板において、
前記第1ソース電極の前記第1ドレイン電極と向かい合う部分が櫛歯状に形成されている、
ことを特徴とする電気光学装置用基板。 - 請求項1乃至6のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板において、
前記第1半導体膜が有機半導体材料を含む、
ことを特徴とする電気光学装置用基板。 - 請求項1乃至7のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板において、
前記第1ドレイン電極の材料と前記第1画素電極の材料が同種である、
ことを特徴とする電気光学装置用基板。 - 請求項1乃至8のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板と、
対向基板と、
前記電気光学装置用基板と前記対向基板との間に位置する電気光学層と、を備える、
ことを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1乃至8のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板と、
前記電気光学装置用基板上に位置する電気泳動層と、を備える、
ことを特徴とする電気泳動表示装置。
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