JP5023437B2 - 半導体装置の製造方法、電気光学装置の製造方法、及び電子機器の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法、電気光学装置の製造方法、及び電子機器の製造方法 Download PDFInfo
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また、本発明の半導体装置の製造方法(参考例)は、基板上方に第1の導電膜と第2の導電膜とを形成する工程と、上記第1の導電膜と上記第2の導電膜上に半導体層を形成する工程と、上記半導体層上に絶縁層を形成する工程と、上記絶縁層上に塗布膜を形成する工程と、上記塗布膜をマスクとして上記半導体層をパターニングする工程と、を有する。これにより、フォトリソグラフィを使わずに半導体層をパターニングすることができる。半導体層が複数の画素電極と重ならないよう形成することで、画素電極間の電流のリークを抑えることができる。
図1、図2、図3及び図4を参照し、本発明の半導体装置の構成を説明する。なお、各図において、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
図1に示すように、半導体装置10は、データ線3と、ゲート線6と、半導体装置の主体をなすスイッチング素子(アクティブマトリクス素子)としてのTFT(薄膜トランジスタ)9と、画素電極2とを主体として構成されている。データ線3及びゲート線6は、TFT9に電気的に接続され、該TFT9に対して電気的信号を供給する配線である。
本実施形態2の半導体装置では、図3に示すように、TFT9のゲート電極として機能するゲート線6上に塗布膜が選択的に形成されている。本実施形態での塗布膜は無機封止膜7であり、下層に有機封止膜8を備えていてもよい。半導体層4と絶縁層5とは向き封止膜7およびゲート線6の形状に合わせてパターニングされているため、無機封止膜7およびゲート線6の下に隠れてしまい、平面的には見ることができない。
次に、図1、図2、図3及び図4を参照しつつ、半導体装置10の製造方法を説明する。
半導体装置10の製造方法を図1及び図2を用いて説明する。
ェニルホスフィン金(I)、銀(I)2,4−ペンタンジオナト錯体、トリメチルホスフ
ィン(ヘキサフルオロアセチルアセトナート)銀(I)錯体、銅(I)ヘキサフルオロペ
ンタンジオナトシクロオクタジエン錯体などを例示することができる。
半導体装置10の製造方法の他の実施形態を、図3及び図4を用いて説明する。
−(SiH2NCH3)−
の鎖状ポリマーと環状ポリマーであり、いずれも架橋構造をもたない。
または、本実施例においては、より低温で酸化ケイ素となるようにポリシラザンにパラジウムを含有させたポリシラザンも使用することが可能である。この場合のパラジウムを含有量としては、10ppmから10重量%が好ましい。
次に、図5から図7を参照し、本発明の一実施形態に相当する電気光学装置を説明する。ここでは、電気光学装置として、上述した半導体装置10を用いて構成した電気泳動表示装置について説明する。
pH高:M−OH+H++OH-(過剰)→M−OH-+H+ ・・・(2)
なお、分散媒41のpHと粒子の表面等電点との差を大きくしていった場合、反応式(1)又は(2)にしたがって粒子の帯電量は増加していくが、この差が所定値以上となると略飽和し、pHをそれ以上変化させても帯電量は変化しない。この差の値は、粒子の種類、大きさ、形状等によって異なるものの、概ね1以上であればどのような粒子においても帯電量は略飽和すると考えられる。
上述した本発明に係る電気光学装置は、表示部を備えた様々な電子機器に適用することができる。以下、その電子機器の例について説明する。
Claims (7)
- 基板上方に第1の導電膜と第2の導電膜とを形成する工程と、
前記第1の導電膜と前記第2の導電膜上に有機半導体層を形成する工程と、
前記有機半導体層上に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上に塗布膜を形成する工程と、
前記塗布膜をマスクとして前記有機半導体層をパターニングする工程と、を有し、
前記塗布膜の形成工程は、導電性物質を含む無機材料を分散媒に分散させた分散液を前記絶縁層に吐出する工程を含む、ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、
前記有機半導体層を形成する工程は、
第1の有機材料を第1の溶媒に溶解させた第1の溶液を前記第1の導電膜と前記第2の導電膜上に塗布する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項2に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1の溶液はスピンコート法で塗布されることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記絶縁層を形成する工程は、
第2の有機材料を第2の溶媒に溶解させた第2の溶液を前記有機半導体層上に塗布する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、
前記分散液は液滴吐出装置を用いて吐出することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1乃至5のいずれかに記載の半導体装置の製造方法を用いることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
- 請求項6に記載の電気光学装置の製造方法を用いることを特徴とする電子機器の製造方法。
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