JP2009290130A - 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタアレイ及び画像表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決方法】バンプと、バンプにより貫通される絶縁層とを含む薄膜トランジスタにおいて、バンプがフッ素化合物を含み、絶縁層が塗布法で形成され、バンプのフッ素含有量が、0.01wt%以上5wt%以下であり、バンプが凹版印刷法またはスクリーン印刷法で形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【選択図】図1
Description
J.Appl.Phys., vol96,No4,2286(2004)
銀ペースト(住友電気工業製、 AGEP301X):98重量部
フッ素シラン(信越化学工業製、KBM7801):2重量部
上記成分を混合脱泡機で攪拌混合し含フッ素スクリーン印刷用ペーストを得た。
導電ペーストを用いた。導電ペーストをスクリーン印刷法を用いて、90℃−30分の熱処理を行い、上部画素電極6を形成し、薄膜トランジスタアレイを得た。
実施例1の組成物1からフッ素シランを除いた以外は全て実施例1と同様の方法で薄膜トランジスタアレイを形成した。得られた薄膜トランジスタアレイに、電気泳動方式の電子ペーパおよび対向電極を設け画像表示媒体とし、駆動したところ、表示は不可能であった。
2 ゲート絶縁層
3 半導体層
4 封止層
5 層間絶縁膜
6 上部画素電極
7 バンプ
11 ゲート電極
12 ゲート配線
13 キャパシタ電極
14 キャパシタ配線
15 画素電極
16 ドレイン電極
17 ソース電極
18 ソース配線
20 薄膜トランジスタアレイ
Claims (13)
- バンプと、前記バンプにより貫通される絶縁層とを含む薄膜トランジスタにおいて、
前記バンプがフッ素化合物を含み、
前記絶縁層が塗布法で形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 前記バンプのフッ素含有量が、0.01wt%以上5wt%以下であることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記バンプが印刷方法で形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記印刷方法が凹版印刷法またはスクリーン印刷法であることを特徴とする請求項3に記載の薄膜トランジスタ。
- 基板と、
前記基板上に形成された複数のゲート電極及び前記複数のゲート電極に接続されたゲート配線と、
前記複数のゲート電極及び前記複数のゲート配線の同一層に隔離して形成された複数のキャパシタ電極及び前記複数のキャパシタ電極に接続された複数のキャパシタ配線と、
前記複数のゲート電極及び前記複数のゲート配線と前記複数のキャパシタ電極及び前記複数のキャパシタ配線とを覆うように形成されたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に形成された複数のソース電極及び前記複数のソース電極に接続された複数のソース配線と、
前記複数のソース電極及び前記複数のソース配線の同一層に隔離して形成された複数のドレイン電極及び前記複数のドレイン電極に接続された複数の画素電極と、
前記複数の画素電極上に形成されたフッ素化合物を含む複数のバンプと、
前記複数のソース電極と前記複数のドレイン電極の間隙に形成された複数の半導体層と、
前記複数の半導体層の全面を覆うように形成された複数の封止層と、
前記複数の封止層の全面を覆うように塗布法で形成された層間絶縁層と、
前記層間絶縁層上に形成され、前記複数のバンプに接続された上部画素電極と、
を備えることを特徴とする薄膜トランジスタアレイ。 - 基板と、
前記基板上に形成された複数のゲート電極及び前記複数のゲート電極に接続されたゲート配線と、
前記複数のゲート電極及び前記複数のゲート配線の同一層に隔離して形成された複数のキャパシタ電極及び前記複数のキャパシタ電極に接続された複数のキャパシタ配線と、
前記複数のゲート電極及び前記複数のゲート配線と前記複数のキャパシタ電極及び前記複数のキャパシタ配線とを覆うように形成されたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に形成された複数の半導体層と、
前記複数の半導体層に跨って形成された複数のソース電極及び前記複数のソース電極に接続された複数のソース配線と、
前記複数の半導体層に跨り、前記複数のソース電極及び前記複数のソース配線の同一層に隔離して形成された複数のドレイン電極及び前記複数のドレイン電極に接続された複数の画素電極と、
前記複数の画素電極上に形成されたフッ素化合物を含む複数のバンプと、
前記複数の半導体層の全面を覆うように形成された複数の封止層と、
前記複数の封止層の全面を覆うように塗布法で形成された層間絶縁層と、
前記層間絶縁層上に形成され、前記複数のバンプに接続された上部画素電極と、
を備えることを特徴とする薄膜トランジスタアレイ。 - 基板と、
前記基板上に形成された複数のソース電極及び前記複数のソース電極に接続された複数のソース配線と、
前記複数のソース電極及び前記複数のソース配線の同一層に隔離して形成された複数のドレイン電極及び前記複数のドレイン電極に接続された複数の画素電極と、
前記複数の画素電極上に形成されたフッ素化合物を含む複数のバンプと、
前記複数のソース電極及び前記複数のドレイン電極の間隙に形成された複数の半導体層と、
前記複数の半導体層と前記複数のソース電極及び前記複数のソース配線と前記複数のドレイン電極及び前記複数の画素電極とを覆うように塗布法で形成されたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に形成された複数のゲート電極及び前記複数のゲート電極に接続されたゲート配線と、
前記複数のゲート電極及び前記複数のゲート配線の同一層に隔離して形成された複数のキャパシタ電極及び前記複数のキャパシタ電極に接続されたキャパシタ配線と、
前記複数のゲート電極及び前記複数のゲート配線と前記複数のキャパシタ電極及び前記複数のキャパシタ配線を覆うように塗布法で形成された層間絶縁層と、
前記層間絶縁層上に形成され、前記複数のバンプに接続された上部画素電極と、
を備えることを特徴とする薄膜トランジスタアレイ。 - 基板と、
前記基板上に形成された複数の半導体層と、
前記複数の半導体層に跨って形成された複数のソース電極及び前記複数のソース電極に接続されたソース配線と、
前記複数の半導体層に跨り、前記複数のソース電極及び前記複数のソース配線の同一層に隔離して形成された複数のドレイン電極及び前記複数のドレイン電極に接続された複数の画素電極と、
前記複数の画素電極上に形成されたフッ素化合物を含む複数のバンプと、
前記複数のソース電極及び前記複数のソース配線と前記複数のドレイン電極及び前記複数の画素電極とを覆うように塗布法で形成されたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に形成された複数のゲート電極及び前記複数のゲート電極に接続されたゲート配線と、
前記複数のゲート電極及び前記複数のゲート配線の同一層に隔離して形成された複数のキャパシタ電極及び前記複数のキャパシタ電極に接続された複数のキャパシタ配線と、
前記複数のゲート電極及び前記複数のゲート配線と前記複数のキャパシタ電極及び前記複数のキャパシタ配線を覆うように塗布法で形成された層間絶縁層と、
前記層間絶縁層上に形成され、前記複数のバンプに接続された上部画素電極と、
を備えることを特徴とする薄膜トランジスタアレイ。 - 前記バンプのフッ素含有量が、0.01wt%以上5wt%以下であることを特徴とする請求項5乃至8のいずれかに記載の薄膜トランジスタアレイ。
- 前記バンプが印刷方法で形成されていることを特徴とする請求項5乃至9のいずれかに記載の薄膜トランジスタアレイ。
- 前記印刷方法が凹版印刷またはスクリーン印刷であることを特徴とする請求項10に記載の薄膜トランジスタアレイ。
- 請求項5乃至11のいずれかに記載の薄膜トランジスタアレイを備えたことを特徴とする画像表示装置。
- 前記画像表示装置が電子ペーパ、液晶ディスプレイまたは有機エレクトロルミネッセンスのいずれかであることを特徴とする請求項12に記載の画像表示装置。
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