JP2011210972A - 電界効果型トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置 - Google Patents
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- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
【解決手段】第1の基板10と、下地第一層21及び下地第二層22と、ゲート電極30と、ゲート絶縁層40と、ソース電極50、ドレイン電極60、及び半導体層70とがこの順で形成された電界効果型トランジスタ1であり、下地第二層22は、下地第一層21に接する面と反対側の面22aの表面粗さRms2が0.3nm以下である。
【選択図】図1
Description
以上のようなTFTアレイの半導体には、従来、アモルファスもしくは多結晶の薄膜シリコンを半導体として利用したものが使われているが、一般的に、薄膜シリコンTFTの電極や半導体、絶縁層等の各層は真空プロセス及び300℃以上の高温プロセスが必要であり、比較的煩雑で高コストなプロセスにより形成されている。
これを回避するために、一般には、可撓性基材の表面に下地層を塗布や蒸着するなどの手法によって形成し、可撓性基材の表面を平滑化しようという試みがなされてきた。(特許文献1参照)
さらに、先に述べた電気的なショートやリーク、あるいは断線といった不具合は、直径1ミクロンという非常に小さなサイズ以下の異物が混入するだけで生じる課題であり、検査機や目視などの方法によっても第1の基板上にその存在を認めること自体が非常に困難であった。
第2の基板の平滑面に自己組織化単分子膜を形成し、さらに該自己組織化単分子膜上に下地第二層を形成して第2の積層体を得る第2の工程と、
前記下地第一層と前記下地第二層とを貼り合わせて前記第1の積層体と前記第2の積層体とからなる第3の積層体を得る第3の工程と、
前記第2の基板及び前記自己組織化単分子膜から、前記第1の基板と、前記下地第一層及び前記下地第二層を含む下地層とを一体にした第4の積層体を剥離する第4の工程と、
前記第4の積層体の前記下地層上に、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、ソース電極、ドレイン電極、及び半導体層とをこの順で積層形成する第5の工程とを含むことを特徴としている。
また、請求項3に係る発明は、請求項1又は2に記載の電界効果型トランジスタの製造方法において、前記第2の工程前に、前記第2の基板を洗浄する工程を有することを特徴としている。
また、請求項5に係る発明は、請求項1乃至4のいずれか1項に記載の電界効果型トランジスタの製造方法において、前記下地第二層がアクリル樹脂からなり、前記第2の工程は、(メタ)アクリルモノマーを含む化合物あるいはエポキシ基を有する化合物を塗布した後、硬化させることにより前記下地第二層を形成することを特徴としている。
また、請求項7に係る発明は、請求項1乃至6のいずれか1項に記載の電界効果型トランジスタの製造方法において、前記第5の工程は、前記第5の工程は、前記ゲート電極、前記ゲート絶縁層、前記ソース電極、前記ドレイン電極、及び前記半導体層の少なくともいずれかの形成が印刷法を用いることを特徴としている。
前記下地層が、第下地第一層及び下地第二層を有する積層体からなり、
前記下地第一層は、前記第1の基板に接し、粘着性を有する樹脂からなり、
前記下地第二層は、前記下地第一層上に形成され、前記下地第一層に接する面と反対側の面の表面粗さRms2が、0.3nm以下の樹脂からなることを特徴としている。
請求項8に係る発明によれば、第1の基板上に形成される下地層の表面となる下地第二層の表面粗さが、凹凸がほぼ消滅した程度に極めて小さくされたので、前記下地第二層上に形成される各トランジスタ素子のショートやリーク、断線といった不具合を防ぐことができる。従って、信頼性の高い電界効果型トランジスタを提供することができる。
また、請求項10に係る発明は、請求項8に記載の電界効果型トランジスタにおいて、前記下地第二層が、熱硬化型樹脂であることを特徴としている。
また、請求項11に係る発明は、請求項8に記載の電界効果型トランジスタにおいて、前記下地第二層が、ポリシロキサンあるいはポリシルセスキオキサンを含む樹脂であることを特徴としている。
請求項12に係る発明によれば、下地層(下地第二層)に堅牢性が与えられることによって後工程による破壊や傷による表面形状の異常が生じないという効果を奏する。
また、請求項13に係る発明は、請求項8乃至12のいずれか1項に記載の電界効果型トランジスタにおいて、前記第1の基板が、可撓性の基板であることを特徴としている。
また、請求項14に係る発明は、請求項13に記載の電界効果型トランジスタにおいて、前記第1の基板が、紙又はプラスチックを主成分とする基板であることを特徴としている。
また、請求項16に係る発明は、請求項8乃至14のいずれか1項に記載の電界効果型トランジスタにおいて、前記半導体層が、金属酸化物を主成分とする材料からなることを特徴としている。
請求項8に係る発明によれば、第1の基板上に形成される下地層の表面となる下地第二層の表面粗さが、凹凸がほぼ消滅した程度に極めて小さくされ、信頼性の高い電界効果型トランジスタを用いているので、好適なフレキシブルデバイスを提供することができる。
また、請求項18に係る発明は、請求項17に記載の画像表示装置において、液晶表示装置、有機EL、及び電子ペーパーのいずれかであることを特徴としている。
図1は、本発明に係る電界効果型トランジスタの一実施形態における構成を示す断面図である。また、図2(a)乃至(d)は、本発明に係る電界効果型トランジスタの製造方法の一実施形態における第1乃至第3の工程を示す断面図である。また、図3は、本発明に係る電界効果型トランジスタの製造方法の一実施形態における第4の工程を示す断面図である。また、図4は、本発明に係る電界効果型トランジスタの製造方法の一実施形態における第5の工程を示す断面図である。
本発明に係る電界効果型トランジスタ1は、図1に示すように、第1の基板10と、該第1の基板10上に下地層20と、ゲート電極30と、ゲート絶縁層40と、ソース電極50と、ドレイン電極60、ソース電極50、及び半導体層70とが少なくともこの順で形成されてなる。
第1の基板10としては、シート状で、表面が平坦であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ソーダライムガラス、石英ガラス、ホウ珪酸ガラス、プラスチックフィルム、紙などが挙げられる。
また、第1の基板10は、可撓性の基板が好ましく、そのような材料としては、紙やポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、シクロオレフィンポリマー、ポリイミド(PI)、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリメチルメタクリレート(PMMA)、ポリカーボネート(PC)、ポリアリルレート、トリアセチルセルロース(TAC)などが挙げられる。
下地層20は、下地第一層21と、下地第二層22とを有する。下地第一層21は、第1の基板10に接し、粘着性を有する樹脂からなる層である。下地第二層22は、下地第一層21上に形成され、下地第一層21に接する面と反対側の面22aの表面粗さRms2が、0.3nm以下の樹脂からなる層である。
<下地第一層>
下地第一層21は、十分な絶縁性を有し、粘着性あるいは接着性を有する状態を形成可能であり、膜厚10μm以下の薄膜を形成可能であれば、硬化時、あるいは半硬化時に粘着性又は接着性を有する樹脂、高分子化合物又は有機金属化合物及びその分解物を用いることができる。
下地第二層22は、十分な絶縁性を有し、1μm以上10μm以下の薄膜を形成可能で、より好ましくは3μm以上の薄膜を形成可能であればこれらに限定されるものではない。
下地第二層22は、樹脂あるいは高分子化合物を用いることができ、例えば、UV照射又は加熱によって硬化するアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリビニルフェノール(PVP)、ポリビニルアルコール(PVA)、ポリ塩化ビニル(PVC)、ポリイミド(PI)、ポリシロキサン、ポリシルセスキオキサン、ブタジエンゴム等の有機高分子化合物、又はこれらの混合物を用いることができ、更には、ケイ素、チタン、タンタル、アルミニウム、ニオブ、ジルコニウム、銅、ニッケル、インジウム、ハフニウム等の金属を中心元素とするアルコキシド、塩化物、及びそれらの分解酸化物、あるいはこれらの混合物と前記樹脂あるいは高分子化合物との混合物なども用いることができる。
ここで、アクリル樹脂とは(メタ)アクリルモノマーを含む化合物を原料として硬化させた樹脂を示し、(メタ)アクリルモノマーとはアクリルモノマー及びメタクリルモノマーの両方を指し、また多官能性のアクリルモノマー及びメタクリルモノマーも含む。下地第二層は後工程においてその表面に傷などが生じないようにある程度の硬度を備えることが好ましく、JIS−K5400の鉛筆硬度試験でH以上、好ましくは3H以上であることが望ましい。
ゲート電極30、ソース電極50、及びドレイン電極60の各電極の材料としては、酸化インジウム(In2O3)、酸化スズ(SnO2)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化カドミウム(CdO)、酸化インジウムカドミウム(CdIn2O4)、酸化カドミウムスズ(Cd2SnO4)、酸化亜鉛スズ(Zn2SnO4)、酸化インジウム亜鉛(In−Zn−O)等の酸化物材料が好適に用いられる。
これらの電極は、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ法、レーザーアブレーション法、プラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)、光CVD、ホットワイヤーCVD法等で形成される。また上述の導電性材料をインキ状、ペースト状にしたものをスクリーン印刷、凸版印刷、インクジェット法等で塗布し、焼成して形成することもできるが、これらに限定されるものではない。
ゲート絶縁層40としては、酸化シリコン、窒化シリコン、シリコンオキシナイトライド(SiNxOy)、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化イットリウム、酸化ハフニウム、ハフニウムアルミネート、酸化ジルコニア、酸化チタン等の無機材料、又は、PMMA(ポリメチルメタクリレート)等のポリアクリレート、PVA(ポリビニルアルコール)、PS(ポリスチレン)、ポリイミド、ポリエステル、エポキシ樹脂、ポリビニルフェノール(PVP)、ポリ塩化ビニル(PVC)、ポリフッ化ビニリデン(PVDF)、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)、ポリジメチルシロキサン(PDMS)、ポリシルセスキオキサン、ブタジエンゴム等が挙げられるがこれらに限定されるものではない。
ゲートリーク電流を抑えるためには、絶縁材料の抵抗率は1.0×1011Ωcm以上、より好ましくは1.0×1014Ωcm以上であることが好ましい。膜厚は50nm以上2μm以下であることが好ましい。
さらに、ゲート絶縁層40は、表面に自己組織化単分子膜を形成しても良く、形成方法は、該自己組織化単分子を形成する化合物を真空下で対応する基板に蒸着する方法、該化合物の溶液中に基板を浸漬する方法、Langmuir−Blodgett法などを用いることができるが、これに限るものではない。
半導体層70としては、金属酸化物半導体材料、もしくは有機半導体材料が好適に使用できる。本発明の実施の形態に係る半導体70で用いられる金属酸化物半導体材料は亜鉛、インジウム、スズ、タングステン、マグネシウム、ガリウムのうち一種類以上の元素を含む酸化物である、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム亜鉛、酸化スズ、酸化タングステン(WO)、酸化インジウムガリウム亜鉛(In−Ga−Zn−O)等の材料が挙げられるがこれらに限定されるものではない。
本発明に係る電界効果型トランジスタの製造方法は、図2(a)に示す第1の工程と、図2(b)に示す第2の工程と、図2(c)に示す第3の工程と、図3(a),(b)に示す第4の工程と、図4(a)乃至(e)に示す第5の工程とを含む。
ここで、上述したように、本発明に係る電界効果型トランジスタは、下地層20の表面22aが、ほぼ凹凸が消滅した程度に極めて平滑であることを特徴とし、表面22aの表面粗さRms2は0.3nm以下である。すなわち、極めて平滑な表面を提供することにより、下地層20上に形成された電子回路や素子は欠陥を有することなく歩留まりよく作製される。本発明に係る電界効果型トランジスタの製造方法では、このように表面に異物や突起、凹凸の無い平滑な表面を得るために上記第1乃至第5の工程を含むことを特徴とする。
第1の工程は、図2(a)に示すように、第1の基板10の表面に下地第一層21を形成して第1の積層体101を得る工程である。
前述したように、下地第一層21を形成する樹脂あるいは高分子化合物等を与える原材料を、下地第二層22と同様の方法、又はラミネート、熱融着、熱圧着、スプレー蒸着法等を用いて基材10上に形成する。下地第一層21は硬化又は乾燥時に粘着性あるいは接着性を有する材料を用いることが好ましく、もしくは材料が完全に硬化していない半硬化又は半乾燥の状態で次工程を行うことが好ましい。
第2の工程は、図2(b)に示すように、第2の基板80の平滑面に自己組織化単分子膜90を形成し、さらに該自己組織化単分子膜90上に下地第二層22を形成して第2の積層体102を得る工程である。
第2の基板80には、表面粗さRms1が0.15nm以下の平滑な表面80aを有する基板を用いることができ、具体的にはソーダライムガラス、ほう珪酸ガラス、石英、サファイア、アルミナ、MgO、SiC、ZnO、チタニア、シリコンなどを用いることができる。通常ソーダライムガラスや表面研磨されたシリコンウエハや熱酸化膜付きシリコンウエハなどが好ましく使用できる。
第2の基板80の表面には表面エネルギーを下げることが可能で、かつ、平滑性を維持できる表面層を形成する。この表面層として、本発明では自己組織化単分子膜90を形成する。自己組織化単分子膜90としては、分子の一端に反応性官能基を有し、もう一方の端には表面エネルギーを下げる機能を有する置換基を持つ有機化合物が用いられる。反応性官能基は、先に選択された第2の基板80の表面と反応しうる官能基を選択する必要があり、例えば第2の基板としてガラスやシリコンウエハ、酸化チタン等を選択した場合、トリクロロシラン基やトリメトキシシラン基を選択し、アルミナやサファイア等を選択した場合にはホスホン酸基を選択すると良い。他に、カルボン酸基、リン酸基、アルコール基、カテコール基、アミノ基、チオール基なども選択することができる。
第3の工程は、図2(c)に示すように、下地第一層21と下地第二層22とを貼り合わせて第1の積層体101と第2の積層体102とからなる第3の積層体103を得る工程である。
以上で得られた下地第一層21は、図2(c)に示すように、下地第二層22に接するように第1の積層体101と第2の積層体102とを貼り合わせる。この時、下地第一層21は粘着性、あるいは接着性を有することが好ましく、もしくは半硬化又は半硬化の状態であることが好ましい。また、下地第一層21は加熱により溶融状態又は半溶融状態にして融着させてもよい。
第4の工程は、図3(a),(b)に示すように、第2の基板102及び自己組織化単分子膜90から、第1の基板10と、下地層20(下地第一層21及び下地第二層22)とを一体にした第4の積層体104を剥離する工程である。
ここで、第1の基板10と第2の基板80とを剥離するとき、下地第一層21と下地第二層22は接着されており、双方合わせて下地層20となり、第1の基板10上に形成される。第2の基板80の表面には表面エネルギーの低い自己組織化単分子膜90が形成されているため、下地層20は容易に剥離することができる。
以上で示した下地層形成法を用いることにより、該下地層上に形成された電子回路や素子は欠陥を有することなく歩留まりよく作製される。
第5の工程は、図5(a)に示すように、まず、第4の積層体104の下地層20上に、ゲート電極30が積層される。
次に、図5(b)に示すように、下地層20及びゲート電極30上にゲート絶縁層40が積層される。
その後、図5(c)に示すように、ゲート絶縁層40上にソース電極50及びドレイン電極60が積層される。
そして、その後、図5(d)に示すように、ソース電極50及びドレイン電極60の間に挟まれるようにゲート絶縁層40上に半導体層70が積層される。以上、ここまでの第1乃至第5の工程によって電界効果型トランジスタ1が作製される。
[実施例1]
第2の基板として、1.1mm厚のソーダライムガラスを用意し、UV/オゾン照射、洗浄液を用いたブラッシング、超音波を用いて表面を洗浄した。尚、洗浄に用いた水は全て超純水を使用した。この時、ソーダライムガラスの表面粗さRms1は0.11nmであった。
アクリル樹脂形成剤としては、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート20g、ペンタエリスリトールトリアクリレート60g、トリメチロールプロパントリアクリレート20g、イソプロピルアルコール30gと、光重合開始剤Darocur 1173(チバ社製)4gの混合物を用いた。アクリル樹脂の膜厚は5μmであり、鉛筆硬度は3Hであった。
下地第二層の表面をUV/オゾンで10分間処理した後、得られた下地第一層の表面を下地第二層の表面に張り合わせ、ラミネート機に通すことにより下地第一層と下地第二層を粘着させた。ラミネートは圧力0.1MPa、速度1cm/s、室温で行った。
第2の基板として、0.625mm厚の片面研磨された6インチシリコンウエハを用意し、UV/オゾン照射、超音波を用いて表面を洗浄した。尚、洗浄に用いた水は全て超純水を使用した。この時、シリコンウエハの表面粗さRms1は0.10nmであった。
以上のシリコンウエハを、3−フェノキシプロピルトリクロロシランを10mmol/Lで添加したヘキサン溶液に乾燥窒素雰囲気下で10時間浸漬することで、シリコンウエハ表面に自己組織化単分子膜90として3−フェノキシプロピルトリクロロシランの単分子膜を形成した。この時、シリコンウエハの表面粗さは0.18nmであり、表面の純水接触角は78°であった。
得られた下地第一層の表面を上記下地第二層の表面に張り合わせ、ラミネート機に通すことにより下地第一層と下地第二層を粘着させた。ラミネートは圧力0.1MPa、速度1cm/s、100℃で行った。
ラミネートの後、180℃でベークし、第1の基板と下地層(下地第一層+下地第二層)を一体にして第2の基板から剥離することにより、下地層形成基板を作製した。この時、下地層(下地第二層)の表面の表面粗さRms2を原子間力顕微鏡で計測したところ、0.21nmであった。
図1と同様の構造を有する電界効果型トランジスタを80×60のアレイ状に作製した。具体的には、1.1mm厚のソーダライムガラスにポリイミド系微粘着樹脂を1μm厚で形成し、実施例1の方法で作製した下地層形成基板の第1の基板の面を張り合わせた。
下地層形成基板上にゲート電極として銀を、オフセット印刷法により銀ナノ粒子を100nmの膜厚でパターン状に印刷した後、180℃で焼成することで形成した。
絶縁層上にシャドウマスクを被せ、チタン及び金を、電子ビームを用いた真空蒸着法によりそれぞれ膜厚5nm及び50nmで連続して形成することでソース電極及びドレイン電極としてパターン形成した。
以上より得られた電界効果型トランジスタの伝達特性をゲート電圧20Vから−20V、ドレイン電圧−15Vで測定したところ、移動度は0.91cm2/Vs以上1.2cm2/Vs以下、on/off比は約105、閾値電圧は−2以上−1V以下であった。
80×60アレイ内のトランジスタ素子の内、特性に異常が観察されたトランジスタは無く、ゲート電極とソース電極及びドレイン電極の間の電流のリーク又はショートは観察されなかった。
また、得られたトランジスタアレイは、上記ソーダライムガラスから剥離する事によりフレキシブル性を有し、基板を曲げて用いても特性に変化無く使用することができた。
図5は、実施例4によって作製されたトップコンタクト構造の電界効果型トランジスタの構成を示す断面図である。
本実施例では、図5に示す構造を有する電界効果型トランジスタを80×60のアレイ状に作製した。具体的には、1.1mm厚のソーダライムガラスにポリイミド系微粘着樹脂を1μm厚で形成し、実施例2の方法で作製した下地層形成基板の第1の基板10の面を張り合わせた。下地層20上にゲート電極30としてアルミニウムを真空蒸着法により50nm形成した後、フォトリソグラフィー及びエッチングによってパターニングした。続いて絶縁層40として窒化シリコン(Si3N4)のターゲットを用いてRFスパッタリング法でSiONを膜厚350nmに形成し、次に、半導体70として、InGaZnO4のターゲットを用いて、アモルファスIn−Ga−Zn−OをRFスパッタリング法で膜厚15nmに形成し、フォトリソグラフィー及びエッチングによってパターニングした。
以上より得られた電界効果型トランジスタ1の伝達特性をゲート電圧20Vから−20V、ドレイン電圧15Vで測定したところ、移動度は4.0cm2/Vs以上4.8cm2/Vs以下、on/off比は約106、閾値電圧は−1以上0V以下であった。
図6は、実施例5によって作製されたトップゲート構造の電界効果型トランジスタの構成を示す断面図である。
本実施例では、図6に示す構造を有する電界効果型トランジスタを80×60のアレイ状に作製した。具体的には、1.1mm厚のソーダライムガラスにポリイミド系微粘着樹脂を1μm厚で形成し、実施例2の方法で作製した下地層20が形成された第1の基板10の面を張り合わせた。下地層20上にソース電極50及びドレイン電極60としてチタン及び金を真空蒸着法によりそれぞれ5nm及び50nmで連続して形成した後、フォトリソグラフィー及びエッチングによってパターニングした。
以上より得られた電界効果型トランジスタ1の伝達特性をゲート電圧20Vから−20V、ドレイン電圧−15Vで測定したところ、移動度は0.2cm2/Vs以上0.3cm2/Vs以下、on/off比は約105、閾値電圧は0以上−2V以下であった。
ポリエチレンナフタレート(PEN)上に実施例1で用いたものと同様の組成比を持つアクリル樹脂をマイクログラビアコートにより塗工し、膜厚3μmで形成することで下地層形成基板として用いた。この時、下地層の表面粗さRms2を原子間力顕微鏡で計測したところ、0.38nmであった。
次に、1.1mm厚のソーダライムガラスにポリイミド系微粘着樹脂を1μm厚で形成し、ここで作製した下地層形成基板におけるPENの面を張り合わせた。
続いて、その上に実施例3と同様に電界効果型トランジスタのアレイを作製した。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しなければ種々の変形が可能である。
10 第1の基板
20 下地層
21 下地第一層
22 下地第二層
30 ゲート電極
40 ゲート絶縁層
50 ソース電極
60 ドレイン電極
70 半導体層
80 第2の基板
90 自己組織化単分子膜
101 第1の積層体
102 第2の積層体
103 第3の積層体
104 第4の積層体
Claims (18)
- 第1の基板の表面に下地第一層を形成して第1の積層体を得る第1の工程と、
第2の基板の平滑面に自己組織化単分子膜を形成し、さらに該自己組織化単分子膜上に下地第二層を形成して第2の積層体を得る第2の工程と、
前記下地第一層と前記下地第二層とを貼り合わせて前記第1の積層体と前記第2の積層体とからなる第3の積層体を得る第3の工程と、
前記第2の基板及び前記自己組織化単分子膜から、前記第1の基板と、前記下地第一層及び前記下地第二層を含む下地層とを一体にした第4の積層体を剥離する第4の工程と、
前記第4の積層体の前記下地層上に、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、ソース電極、ドレイン電極、及び半導体層とをこの順で積層形成する第5の工程とを含むことを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法。 - 前記第2の基板の表面粗さRms1が、0.15nm以下であることを特徴とする請求項1に記載の電界効果型トランジスタの製造方法。
- 前記第2の工程前に、前記第2の基板を洗浄する工程を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の電界効果型トランジスタの製造方法。
- 前記第1の工程前に、前記第1の基板を表面処理する工程を含むことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の電界効果型トランジスタの製造方法。
- 前記下地第二層がアクリル樹脂からなり、前記第2の工程は、(メタ)アクリルモノマーを含む化合物あるいはエポキシ基を有する化合物を塗布した後、硬化させることにより前記下地第二層を形成することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の電界効果型トランジスタの製造方法。
- 前記第3の工程に、前記第1の積層体の前記第1の基板の一方の面を第3の基板に固定する工程が含まれることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の電界効果型トランジスタの製造方法。
- 前記第5の工程は、前記ゲート電極、前記ゲート絶縁層、前記ソース電極、前記ドレイン電極、及び前記半導体層の少なくともいずれかの形成が印刷法を用いることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の電界効果型トランジスタの製造方法。
- 少なくとも、第1の基板と、該第1の基板上に下地層と、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、ソース電極と、ドレイン電極と、ソース電極及びドレイン電極間に形成された半導体層とがこの順で形成された電界効果型トランジスタにおいて、
前記下地層が、第下地第一層及び下地第二層を有する積層体からなり、
前記下地第一層は、前記第1の基板に接し、粘着性を有する樹脂からなり、
前記下地第二層は、前記下地第一層上に形成され、前記下地第一層に接する面と反対側の面の表面粗さRms2が、0.3nm以下の樹脂からなることを特徴とする電界効果型トランジスタ。 - 前記下地第二層が、UV硬化型樹脂であることを特徴とする請求項8に記載の電界効果型トランジスタ。
- 前記下地第二層が、熱硬化型樹脂であることを特徴とする請求項8に記載の電界効果型トランジスタ。
- 前記下地第二層が、ポリシロキサンあるいはポリシルセスキオキサンを含む樹脂であることを特徴とする請求項8に記載の電界効果型トランジスタ。
- 前記下地第二層の鉛筆硬度が、H以上であることを特徴とする請求項8乃至11のいずれか1項に記載の電界効果型トランジスタ。
- 前記第1の基板が、可撓性の基板であることを特徴とする請求項8乃至12のいずれか1項に記載の電界効果型トランジスタ。
- 前記第1の基板が、紙又はプラスチックを主成分とする基板であることを特徴とする請求項13に記載の電界効果型トランジスタ。
- 前記半導体層が、有機化合物を主成分とする材料からなることを特徴とする請求項8乃至14のいずれか1項に記載の電界効果型トランジスタ。
- 前記半導体層が、金属酸化物を主成分とする材料からなることを特徴とする請求項8乃至14のいずれか1項に記載の電界効果型トランジスタ。
- 請求項8乃至16のいずれか1項に記載の電界効果型トランジスタを用いたことを特徴とする画像表示装置。
- 液晶表示装置、有機EL、及び電子ペーパーのいずれかであることを特徴とする請求項17に記載の画像表示装置。
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