JP2005045191A - 配線回路基板の製造方法、及び多層配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 生産性が高く、高集積化した配線回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 バンプ１０４が形成されている面に、液状の絶縁材料をカーテンコータ等により塗布し、ベーク処理を行うことにより絶縁膜１０７を形成する。絶縁膜１０７の表面部を、各バンプ１０４の頂面が完全に露出するまで研磨する。このように研磨することにより、絶縁膜１０７の膜厚とバンプ１０４の高さは等しくなる。そして、めっき法にて金属からなる突起物１０９を各バンプ１０４の頂面上に形成する。次に、配線膜形成用金属層１０１を部分的にエッチングすることにより配線膜１１１を形成する。各配線膜１１１は、エッチングストッパー層１０５を介してバンプ１０４と接続している。
【選択図】 図１

Description

本発明は、例えばＩＣやＬＳＩ等の電子デバイス実装用の配線回路基板の製造方法に関し、特に高密度実装を実現できる配線回路基板の製造方法に関する。

近年の半導体製造技術の進歩は非常に目覚しく、半導体素子の微細化は、マスクプロセス技術及びエッチング技術等の微細パターン形成技術の飛躍的な進歩により実現されている。そして、配線基板を高集積化するためには、配線基板を多層化し、かつ上下配線膜間の接続を高信頼度で微細に形成する必要がある。そのために、銅箔等の金属膜を一方の表面側からウェットエッチングによりエッチングすることで縦断面形状が略台形のバンプを形成し、そのバンプを、上下配線膜間を導通する層間膜導通手段として用いている（例えば、特許文献１）。

ここで、図１４を参照しつつ、従来技術におけるバンプが形成された配線回路基板の製造工程について説明する。この図１４は、従来技術の製造工程を示す基板の断面図である。

まず、図１４（ａ）に示すように、多層金属板４００を用意する。この多層金属板４００は、厚さ約１２〜３０μｍの銅箔からなる配線膜形成用金属層４０１上に積層された、厚さ約０．５〜２．０μｍのＮｉ（ニッケル）からなるエッチングストッパー層４０２と、更にその上に積層された、厚さ約８０〜１５０μｍの銅箔からなるバンプ形成用金属層４０３とからなる。

次に、バンプ形成用金属層４０３の上にレジストを塗布する。そして、複数の円形パターンが形成された露光マスクを使用して露光を行い、続いて現像を行うことにより、図１４（ｂ）に示すように、レジスト４０４を形成する。

次に、図１４（ｃ）に示すように、レジスト４０４をマスクとして、バンプ形成用金属層４０３をエッチングによりパターニングして、上下配線膜間を導通する層間膜導通手段のバンプ４０５を形成する。

レジスト４０４は円形パターンを有しているため、バンプ４０５の横断面形状は円形となる。また、ウェットエッチングによりエッチングを行うため、バンプ形成用金属層４０３は等方的にエッチングされる。従って、レジスト４０４の下にもエッチング溶液が入り込み、縦方向と同時に横方向にもエッチングが進行する（サイドエッチ）。その結果、バンプ４０５の縦断面形状は略台形となる。また、このエッチングにおいて、エッチングストッパー層４０２はバンプ形成用金属層４０３のエッチング時に配線膜形成用金属層４０１がエッチングされるのを防止する。

そして、図１４（ｄ）に示すように、レジスト４０４を剥離した後、図１４（ｅ）に示すように、バンプ４０５をマスクとしてエッチングストッパー層４０２をエッチングして除去する。このとき、バンプ４０５と配線膜形成用金属層４０１との間にエッチングストッパー層４０６が介在することになる。次に、図１４（ｆ）に示すように、樹脂等のフィルムシートからなる絶縁膜４０７をバンプ４０５の上から押し込み、配線回路基板４０８を作製する。そして、絶縁膜４０７を研磨することによりバンプ４０５の頂面を露出する。または、予め樹脂等のフィルムシートにバンプ４０５用の孔を形成しておくことにより、バンプ４０５の頂面を露出させる。

次に、図１４（ｇ）に示すように、絶縁膜４０７上に配線膜形成用金属層４０９を積層する。そして、加圧してバンプ４０５を押し潰すことにより、絶縁膜４０７上に配線膜形成用金属層４０９を圧着し、バンプ４０５と配線膜形成用金属層４０９を接続する。そして、図１４（ｈ）に示すように、配線膜形成用金属層４０１及び４０９をエッチングしてパターニングを行うことにより、上下両面に配線膜４１０を形成する。

特開２００１−１１１１８９号公報（段落［００２５］―［００２９］

しかしながら、絶縁膜４０７に樹脂等からなる固体状のフィルムシートを使用しているため、バンプ４０５と絶縁膜樹脂との間はこのままでは密着が不十分であり、また、両面配線板とするためにも、熱プレスにより絶縁膜４０７を積層する必要がある。従って、熱プレス用の装置が必要となり、また、時間を掛けて熱プレスを行う必要があったため、配線回路基板の生産性が低いという問題があった。

また、配線膜を形成するために絶縁膜４０７上に配線膜形成用金属層４０９を圧着し、バンプ４０５を押し潰すことによりバンプ４０５と配線膜形成用金属層４０９を接続している。例えば、圧着後の絶縁膜４０７の厚さ（バンプ４０５の高さ）が約５０μｍの配線回路基板を製造しようとする場合、バンプ４０５を押し潰して配線膜形成用金属層４０９を圧着するため、予め高さが約１００μｍのバンプ４０５を形成しておく必要がある。しかしながら、ウェットエッチングにより高さが例えば１００μｍのバンプ４０５を形成すると、サイドエッチの影響もあり、隣接するバンプ４０５間の距離を約３００〜３５０μｍにする必要がある。その結果、微細パターンを形成することが不可能となり、高集積化した配線回路基板を作製することができなかった。さらに、配線回路基板を利用した高集積化した多層配線基板を作製することができなかった。

本発明は上記の問題を解決するものであり、液状の絶縁膜を使用することにより、熱プレス工程が不要で、生産性を高くすることができる配線回路基板の製造方法を提供するものである。また、バンプを押し潰す工程を必要としないことにより、必要以上の高さを有するバンプを作製する必要がなく、高集積化した配線回路基板の製造方法を提供するものである。さらに、本発明の配線回路基板を積層することによって、高集積化した多層配線基板を提供するものである。

請求項１記載の発明は、配線膜形成用金属層の上に、エッチングストッパー層を介してバンプ形成用金属層が形成された金属層に対して、前記バンプ形成用金属層の上にレジストを塗付し、パターニングすることによりレジストマスクを形成し、該レジストマスクをマスクとして前記バンプ形成用金属層をエッチングしてバンプを形成するバンプ形成ステップと、前記レジストマスクを除去した後、前記バンプをマスクとして前記エッチングストッパー層をエッチングして除去するエッチングストッパー層除去ステップと、前記バンプが形成された面に液状の絶縁材料を塗付し、該絶縁材料を熱処理によって固化させて絶縁膜を形成する絶縁膜形成ステップと、前記バンプの頂面が露出するまで、前記絶縁膜を除去する絶縁膜形成ステップと、を含むことを特徴とする配線回路基板の製造方法である。

請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の配線回路基板の製造方法であって、前記絶縁材料はポリイミド又はエポキシ樹脂の前躯体からなることを特徴とするものである。

請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の配線回路基板の製造方法であって、前記絶縁膜形成ステップでは、前記基板のバンプが形成された面に溶融された熱可塑性樹脂からなる絶縁材料を塗布し、該絶縁材料を冷却することによって固化させて絶縁膜を形成することを特徴とするものである。

請求項４に記載の発明は、請求項１に記載の配線回路基板の製造方法であって、前記絶縁膜形成ステップでは、前記基板のバンプが形成された面に液状の絶縁材料を塗付し、そのまま乾燥して固化させてから該絶縁材料をローラーで平坦化し、該絶縁材料を熱処理によって硬化させて絶縁膜を形成することを特徴とするものである。

請求項５に記載の発明は、請求項１に記載の配線回路基板の製造方法であって、前記絶縁膜形成ステップでは、前記基板のバンプが形成された面に熱可塑性ポリイミド樹脂を塗付し、加熱乾燥することにより固化させ、該熱可塑性ポリイミドの上に非熱可塑性ポリイミド樹脂の前躯体を塗付し、加熱することにより固化させ、該非熱可塑性ポリイミドの上に熱可塑性ポリイミド樹脂を塗付し、加熱することにより固化させて絶縁膜を形成することを特徴とするものである。

請求項６に記載の発明は、請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法であって、前記絶縁膜除去ステップでは、少なくとも前記バンプの頂面が露出するまで、前記絶縁膜を機械的に研磨すること特徴とするものである。

請求項７に記載の発明は、請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法であって、前記絶縁膜除去ステップでは、前記絶縁膜の上にレジストを塗布して、前記バンプの上のレジストを露光及び現像することにより除去するとともに、前記バンプが形成されていない部分に塗布された前記レジストをマスクとして、少なくとも前記バンプの頂面が露出するまで前記バンプの上に形成されている絶縁膜をエッチングして除去することを特徴とするものである。

請求項８に記載の発明は、請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法であって、前記絶縁膜除去ステップでは、少なくとも前記バンプの頂面が露出するまで前記絶縁膜を全面的にエッチングして除去することを特徴とするものである。

請求項９に記載の発明は、請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法であって、前記絶縁膜除去ステップでは、少なくとも前記バンプの頂面が露出するまで、前記バンプの上に形成されている絶縁膜をレーザー加工により除去することを特徴とするものである。

請求項１０に記載の発明は、請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の配線回路基板であって、前記絶縁膜除去ステップでは、少なくとも前記バンプの頂面が露出するまで、前記絶縁膜の表面に研磨剤を含んだ気体を噴射して前記絶縁膜を除去することを特徴とするものである。

請求項１１に記載の発明は、請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法であって、前記絶縁膜除去ステップでは、少なくとも前記バンプの頂面が露出するまで、前記絶縁膜の表面に研磨剤を含んだ液体を噴射して前記絶縁膜を除去することを特徴とするものである。

請求項１２に記載の発明は、請求項１乃至請求項１１のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法であって、前記絶縁膜形成ステップでは、前記バンプの高さより厚い絶縁膜を形成することを特徴とするものである。

請求項１３に記載の発明は、請求項１乃至請求項１１のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法であって、前記絶縁膜形成ステップでは、前記バンプの高さより薄い絶縁膜を形成することを特徴とするものである。

請求項１４に記載の発明は、配線膜形成用金属層と、該配線膜形成用金属層の上に直接又はエッチングストッパー層を介して形成されたバンプとからなる基板に対して、前記バンプの頂面に液状樹脂をはじく材料を塗付し、その後液状の絶縁材料を塗付し、該絶縁材料を熱処理によって固化させて絶縁膜を形成することを特徴とする配線回路基板の製造方法である。

請求項１５に記載の発明は、請求項１乃至請求項１４のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法であって、前記絶縁膜除去ステップの後に、前記バンプの頂面にめっき法により金属からなる突起物を形成することを特徴とするものである。

請求項１６に記載の発明は、請求項１５に記載の配線回路基板の製造方法であって、前記めっき法により前記突起物を形成した後に、前記配線膜形成用金属層を部分的にエッチングして配線膜を形成する配線膜形成ステップを含むことを特徴とするものである。

請求項１７に記載の発明は、請求項１乃至請求項１４のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法であって、前記絶縁膜除去ステップの後に、前記配線膜形成用金属層を部分的にエッチングして配線膜を形成する配線膜形成ステップを含むことを特徴とするものである。

請求項１８に記載の発明は、請求項１７に記載の配線回路基板の製造方法であって、前記配線膜形成ステップの後に、前記バンプの頂面にめっき法により金属からなる突起物を形成することを特徴とするものである。

請求項１９に記載の発明は、請求項１乃至請求項１４のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法であって、前記絶縁膜除去ステップの後に、前記絶縁層の上に別の配線膜形成用金属層を積層するステップと、前記別の配線膜形成用金属層を部分的にエッチングすることで、配線膜を形成する配線膜形成ステップと、を含むことを特徴とするものである。

請求項２０に記載の発明は、請求項１乃至請求項１４のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法であって、前記絶縁膜除去ステップの後に、前記絶縁膜の上に別の配線膜形成用金属層を積層するステップと、前記配線膜形成用金属層及び前記別の配線膜形成用金属層を部分的にエッチングすることで、上下両面に配線膜を形成する配線膜形成ステップと、を含むことを特徴とするものである。

請求項２１に記載の発明は、請求項１乃至請求項１４に記載の配線回路基板の製造方法であって、前記絶縁膜除去ステップの後、前記配線膜形成用金属層を全面的にエッチングして除去するステップを含むことを特徴とするものである。

請求項２２に記載の発明は、請求項１乃至請求項１４のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法であって、前記絶縁膜除去ステップの後に、前記絶縁膜の上に部分的に第１の金属膜を形成するステップと、前記絶縁膜の上に、かつ、前記第１の金属膜が形成されていない部分に抵抗膜を形成するステップと、前記第１の金属膜の上に誘電体膜を形成するステップと、前記誘電体膜の上に第２の金属膜を形成するステップと、前記配線回路基板に形成されている配線膜形成用金属層を部分的にエッチングすることにより配線膜を形成する配線膜形成ステップと、を含むことを特徴とするものである。

請求項２３に記載の発明は、請求項２２に記載の配線回路基板の製造方法であって、前記第１の金属膜及び前記第２の金属膜は、導電ペーストからなり、前記抵抗膜は抵抗ペーストからなり、前記誘電体膜は誘電ペーストからなることを特徴とするものである。

請求項２４に記載の発明は、請求項２２に記載の配線回路基板の製造方法であって、前記第１の金属膜、前記第２の金属膜、前記抵抗膜及び前記誘電体膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法又は蒸着法により形成することを特徴とするものである。

請求項２５に記載の発明は、請求項１乃至請求項１４のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法であって、前記絶縁膜除去ステップの後に、前記配線膜形成用金属層を部分的にエッチングすることにより、一部の配線膜が直接又は前記エッチングストッパー層を介して前記バンプと接続するように配線膜を形成する配線膜形成ステップと、前記バンプの頂面が露出している面に全面的又は部分的に電磁シールドシートを設けるステップと、を含むことを特徴とするものである。

請求項２６に記載の発明は、請求項１乃至請求項１４のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法によって製造された配線回路基板に対して、無電解めっき法又はスパッタリング法により前記絶縁膜及び前記バンプの頂面の上に金属からなる薄膜を形成する薄膜形成ステップと、前記薄膜の上に、電解めっき法により金属膜を形成する金属膜形成ステップと、前記金属膜の上にレジストを塗付し、パターニングすることによりレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとして前記金属膜をエッチングすることにより配線膜を形成する配線膜形成ステップと、を含むことを特徴とする配線回路基板の製造方法
である。

請求項２７に記載の発明は、請求項１乃至請求項１４のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法によって製造された配線回路基板に対して、無電解めっき法又はスパッタリング法により前記絶縁膜及び前記バンプの頂面の上に金属からなる薄膜を形成する薄膜形成ステップと、前記薄膜の上にレジストを塗付し、パターニングすることによりレジストパターンを形成するレジストパターン形成ステップと、前記レジストパターンが形成されていない薄膜の上に、めっき法により金属を析出させる析出ステップと、前記レジストパターンを除去し、全面的にエッチングすることにより前記薄膜を除去するステップと、を含むことを特徴とする配線回路基板の製造方法である。

請求項２８に記載の発明は、請求項１乃至請求項１４のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法によって製造された配線回路基板に対して、前記配線回路基板の絶縁膜の一部をレーザー加工又はエッチングにより除去し、スルーホールを形成するスルーホール形成ステップと、無電解めっき法又はスパッタリング法により前記絶縁膜及び前記バンプの頂面の上に薄膜を形成する薄膜形成ステップと、前記薄膜の上に、電解めっき法により金属膜を形成する金属膜形成ステップと、前記金属膜の上にレジストを塗付し、パターニングすることによりレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとして前記金属膜をエッチングすることにより配線膜を形成する配線膜形成ステップと、を含むことを特徴とする配線回路基板の製造方法である。

請求項２９に記載の発明は、請求項１乃至請求項１４のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法によって製造された配線回路基板に対して、前記配線回路基板の絶縁膜の一部をレーザー加工又はエッチングにより除去し、スルーホールを形成するスルーホール形成ステップと、無電解めっき法又はスパッタリング法により前記絶縁膜及び前記バンプの頂面の上に薄膜を形成する薄膜形成ステップと、前記薄膜の上にレジストを塗付し、パターニングすることによりレジストパターンを形成するレジストパターン形成ステップと、
前記レジストパターンが形成されていない薄膜の上に、めっき法により金属を析出させる析出ステップと、前記レジストパターンを除去し、全面的にエッチングすることにより前記薄膜を除去するステップと、を含むことを特徴とする配線回路基板の製造方法である。

請求項３０に記載の発明は、請求項１９に記載の配線回路基板の製造方法によって製造された配線膜が形成された配線回路基板に対して、請求項１５に記載の配線回路基板の製造方法によって製造されたバンプの頂面に突起物が形成された配線回路基板を、直接又はボンディングシートを介して、前記突起物が前記配線膜と接するように積層し、多層金属板を作製するステップと、前記多層金属板の上下両面に形成されている配線膜形成用金属層を部分的にエッチングすることにより、上下両面に配線膜を形成する配線膜形成ステップと、を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法である。

請求項３１に記載の発明は、請求項１９に記載の配線回路基板の製造方法によって製造された配線膜が形成された配線回路基板に対して、請求項１３に記載の配線回路基板の製造方法によって製造されたバンプが形成された配線回路基板を、直接又はボンディングシートを介して、前記バンプの頂面が前記配線膜と接する方に積層し、多層金属板を作製するステップと、前記多層金属板の上下両面に形成されている配線膜形成用金属層を部分的にエッチングすることにより、上下両面に配線膜を形成する配線膜形成ステップと、を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法である。

請求項３２に記載の発明は、請求項２０に記載の配線回路基板の製造方法によって製造された上下両面に配線膜が形成された配線回路基板の上下両面に対して、請求項１５に記載の配線回路基板の製造方法によって製造されたバンプの頂面に突起物が形成された配線回路基板を、前記突起物が前記配線膜と接するように積層し、多層金属板を作製するステップと、前記多層金属板の上下両面に形成されている配線膜形成用金属層を部分的にエッチングすることにより配線膜を形成する配線膜形成ステップと、を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法である。

請求項３３に記載の発明は、請求項２０に記載の配線回路基板の製造方法によって製造された上下両面に配線膜が形成された配線回路基板の上下両面に対して、請求項１３に記載の配線回路基板の製造方法によって製造されたバンプが形成された配線回路基板を、前記バンプの頂面が前記配線膜と接するように積層し、多層金属板を作製するステップと、前記多層金属板の上下両面に形成されている配線膜形成用金属層を部分的にエッチングすることにより配線膜を形成する配線膜形成ステップと、を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法である。

請求項３４に記載の発明は、請求項１７に記載の配線回路基板の製造方法により製造された配線膜が形成された配線回路基板に、請求項１乃至請求項１４のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法により製造されたバンプが形成された別の配線回路基板を、該バンプの頂面が該配線膜と接するように積層することを特徴とする多層配線基板の製造方法である。

請求項３５に記載の発明は、請求項１７に記載の配線回路基板の製造方法によって製造された配線回路基板に、請求項１７に記載の配線回路基板の製造方法によって製造された別の配線回路基板を、前記別の配線回路基板のバンプの頂面が前記配線回路基板の配線膜と接するように積層することを特徴とする多層配線基板の製造方法である。

請求項３６に記載の発明は、請求項３５に記載の多層配線基板の製造方法によって製造された多層配線基板に、請求項２１に記載の配線回路基板の製造方法によって製造されたバンプが形成された配線回路基板を、該バンプの底面が前記多層配線基板の配線膜と接するように積層することを特徴とする多層配線基板の製造方法である。

請求項３７に記載の発明は、請求項１７に記載の配線回路基板の製造方法によって製造された配線回路基板に対して、前記配線膜が形成されている面に液状の絶縁材料を塗付し、該絶縁材料を熱処理によって固化させて絶縁膜を形成する絶縁膜形成ステップと、前記絶縁膜の一部をレーザー加工又はエッチングにより除去し、スルーホールを形成するスルーホール形成ステップと、無電解めっき法又はスパッタリング法により前記絶縁膜の上に薄膜を形成する薄膜形成ステップと、前記薄膜の上に、電解めっき法により金属膜を形成する金属膜形成ステップと、前記金属膜の上にレジストを塗付し、パターニングすることによりレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとして前記金属膜をエッチングすることにより配線膜を形成する配線膜形成ステップと、を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法である。

請求項３８に記載の発明は、請求項１７に記載の配線回路基板の製造方法によって製造された配線回路基板に対して、前記配線膜が形成されている面に液状の絶縁材料を塗付し、該絶縁材料を熱処理によって固化させて絶縁膜を形成する絶縁膜形成ステップと、前記絶縁膜の一部をレーザー加工又はエッチングにより除去し、スルーホールを形成するスルーホール形成ステップと、無電解めっき法又はスパッタリング法により前記絶縁膜の上に薄膜を形成する薄膜形成ステップと、前記の上にレジストを塗付し、パターニングすることによりレジストパターンを形成するレジストパターン形成ステップと、前記レジストパターンが形成されていない薄膜の上に、めっき法により金属を析出させる析出ステップと、前記レジストパターンを除去し、全面的にエッチングすることにより前記薄膜を除去するステップと、を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法である。

請求項１乃至請求項２９に記載の発明によると、液状の絶縁膜を使用して配線回路基板を製造するため、熱プレス工程が不要となり、配線回路基板の生産性を高めることが可能となる。更に、バンプを押し潰す必要がないため、バンプの高さを低くすることが可能となり、その結果、配線回路基板の高集積化を図ることができる。

また、また、請求項７に記載の発明によると、バンプが形成されていない部分にレジストマスクを形成して、バンプの上に形成されている絶縁膜のみをエッチングして除去することにより、研磨による樹脂の残留を防止することが可能となる。

また、請求項８に記載の発明によると、バンプの頂面が露出するまで絶縁層を全面的にエッチングして除去することにより、研磨による樹脂の残留を防止することができるとともに、レジストマスクを形成する必要がないため、レジストマスクを形成する工程を削減することが可能となる。

また、請求項９に記載の発明によると、レーザー加工により絶縁膜を除去するため、研磨による樹脂の残留を防止することが可能となる。

また、請求項２２乃至請求項２４に記載の発明によると、配線回路基板の一方の面には抵抗層、金属層及び誘電体層を形成し、他方の面には配線膜を形成することにより、１つの配線回路基板上に受動素子を組み込んだ信号回路と電源回路を形成することが可能となる。

また、請求項２５に記載の発明によると、配線回路基板に電磁シールドシートを設けることにより、配線回路基板から発せられる電磁波を防止することができるとともに、配線膜間で発生するクロストークを減少させることが可能となる。

また、請求項３０乃至請求項３８に記載の発明によると、高集積化した配線回路基板を積層することにより、高集積化した多層配線基板を製造することが可能となる。

以下、本発明の実施の形態について、図１乃至図２１を参照しつつ説明する。

［第１の実施の形態］
まず、本発明の第１の実施形態における配線回路基板の製造工程について図１及び図２を参照しつつ説明する。図１及び図２は、第１の実施形態における配線回路基板の製造方法を工程順に示す基板の断面図である。

まず、図１（ａ）に示すように、多層金属板１００を用意する。この多層金属板１００は、厚さ１２〜３０μｍの銅箔からなる配線膜形成用金属層１０１の上に積層された、厚さ０．５〜２．０μｍのＮｉからなるエッチングストッパー層１０２と、更にその上に積層された、厚さ２０〜８０μｍの銅箔からなるバンプ形成用金属層１０３とからなる。

次に、バンプ形成用金属層１０３の上にレジストを塗布し、複数の円形パターンが形成された露光マスクを使用して露光及び現像を行い、レジストマスク（図示しない）を形成する。そして、図１（ｂ）に示すように、そのレジストマスクをマスクとしてバンプ形成用金属層１０３をエッチングすることにより、バンプ１０４を形成する。

次に、図１（ｃ）に示すように、バンプ１０４をマスクとしてエッチングストッパー層１０２をエッチングにより除去してバンプ付き基板１０６を作製する。このとき、バンプ１０４と配線膜形成用金属層１０１との間にエッチングストッパー層１０５が介在する。

そして、図１（ｄ）に示すように、バンプ１０４が形成されている面に、前駆体の状態にある液状のポリイミド樹脂やエポキシ樹脂等からなる絶縁材料を、カーテンコータ、ドクターブレード法、バーコータ、スクリーン印刷法等により塗布する。本実施形態においては、バンプ１０４の高さよりも絶縁材料の高さが若干高くなるように絶縁材料を塗布する。そして、ベーク処理を行うことにより液状の絶縁材料を固化し、絶縁膜１０７を形成する。ポリイミド樹脂の場合は徐々に温度を上げ、最終的に約４００℃でベーク処理を行い、エポキシ樹脂の場合も徐々に温度を上げ、最終的に約１８０℃でベーク処理を行う。尚、図１（ｄ）には、ベーク処理によって形成された絶縁膜１０７が示されている。

次に、図１（ｅ）に示すように、絶縁膜１０７の表面部を、少なくとも各バンプ１０４の頂面が完全に露出するまで研磨し、配線回路基板１０８を作製する。このように研磨することにより、絶縁膜１０７の膜厚とバンプ１０４の高さは等しくなる。ここで、バンプ１０４の頂面が完全に露出すればよく、露出した後更に絶縁膜１０７を研磨し続けてもよい。

尚、絶縁材料には、ポリイミド樹脂やエポキシ樹脂の他、熱可塑性樹脂を使用してもよい。この熱可塑性樹脂には、液晶ポリマー、ＰＥＥＫ、ＰＥＳ、ＰＰＳ又はＰＥＴ等が使用され、Ｔダイ法により成形される。このＴダイ法は、押し出し機で加熱溶融した樹脂を押し出して先端のＴダイから塗出し、流動体状態にした材料（樹脂）を直接バンプ付基板１０６上に塗布し、冷却により固化させる方法である。このＴダイ法を用いて液晶ポリマー等の熱可塑性樹脂を基板に塗布し、冷却により固化させて絶縁膜１０７を形成する。

次に、図１（ｆ）に示すように、めっき法により、Ｃｕ（銅）、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｐｂ（鉛）、Ｐｔ（白金）又はＳｎ（すず）等の金属或いは前記金属を主成分とする合金属からなる突起物１０９を各バンプ１０４の頂面上に形成し、配線回路基板１１０を形成する。

次に、配線膜形成用金属層１０１の上にレジストを塗布し、露光及び現像を行い、レジストマスク（図示しない）を形成する。例えば、ポジ型のレジストを塗布し、所定のパターンを有する露光マスクを使用して、そのパターンに従ってレジストを露光する。本実施形態においては、各バンプ１０４の間のレジストを露光する。その後現像処理することにより、露光したレジストを除去し、各バンプ１０４の底面の上のみにレジストマスク（図示しない）を形成する。そして、図１（ｇ）に示すように、そのレジストマスクをマスクとして配線膜形成用金属層１０１をエッチングすることにより、配線膜１１１を形成する。各配線膜１１１は、エッチングストッパー層１０５を介してバンプ１０４と接続している。

以上の方法によると、絶縁膜１０７を形成するときに、表及び裏面に配線のあるものが得られるが、従来のように熱プレスを行う必要がなくなる。その結果、熱プレス用の装置が不要となり、時間を掛けて熱プレスを行う必要もないので、配線回路基板の生産性を高くすることが可能となる。

更に、配線膜形成用金属層をバンプ１０４の上に、バンプ１０４を押し潰しながら積層することもないため、バンプ１０４の高さを高くする必要がなくなる。その結果、バンプ１０４の高さを絶縁膜１０７の厚さに近似させられるので、必要以上バンプ１０４の高さを高くする必要がなくなり、ファインなエッチングが可能となるので、隣接するバンプ１０４間の距離を短くすることができ、高集積化した配線回路基板を作製することが可能となる。例えば、従来技術においてはバンプの高さを約８０〜１５０μｍにする必要があったが、押し潰す必要がないため、絶縁膜１０７の膜厚の選択にもよるが、高さを約２０〜８０μｍまで低くすることが可能となる。その結果、従来技術においては、バンプ間の距離を約２５０〜４００μｍとする必要があったが、本発明では約６０〜２００μｍとすることができ、配線回路基板を高集積化することが可能となる。

また、電解通電めっきを行う場合はバンプ頂面のめっきの析出を観察することにより、各バンプ１０４の露出部が電気的に接続しているか否かを確認できるという利点もある。

尚、本実施形態においては、図１（ｄ）に示すように、バンプ１０４の高さよりも絶縁膜１０７の高さが若干高くなるように絶縁膜１０７を形成し、その後研磨することにより高さを等しくさせている。しかし、本発明はそれに限られず、バンプ１０４の高さよりも絶縁膜１０７の高さが若干低くなるように絶縁膜１０７を形成しても良い。その方法について図２を参照しつつ説明する。

図２（ａ）に示すように、バンプ付基板１０６を用意する。次に、図２（ｂ）に示すように、バンプ１０４が形成されている面に、前駆体の状態にある液状のポリイミド樹脂やエポキシ樹脂等からなる絶縁材料を、カーテンコータ、ドクターブレード法、バーコータ、スクリーン印刷法等により塗布する。このとき、バンプ１０４の高さよりも絶縁材料の高さが若干低くなるように絶縁材料を塗布する。このとき、液状樹脂の硬化収縮、揮発物の揮発により、図２（ｂ）に示すように、バンプ１０４の頂面にも若干絶縁材料が残留する。そして、ベーク処理を行うことにより液状の絶縁材料を固化し、絶縁膜１０７を形成する。その結果、バンプ１０４上にも絶縁膜１０７が形成される。図２（ｂ）には、ベーク処理によって形成された絶縁膜１０７が示されている。尚、絶縁材料には前述したように、液晶ポリマーやＰＥＴ等の熱可塑性樹脂を使用してもよい。熱可塑性樹脂を使用する場合は、ベーク処理は必要ではない。

次に図２（ｃ）に示すように、少なくともバンプ１０４の頂面が完全に露出するまでバンプ１０４上の絶縁膜１０７を研磨し、配線回路基板１２０を作製する。各バンプ１０４の間に形成されている絶縁膜１０７の高さは、バンプ１０４の高さよりも低いため、研磨されない。このように研磨することにより、絶縁膜１０７の高さはバンプ１０４の高さよりも低くなる。

次に、図２（ｄ）に示すように、めっき法により、各バンプ１０４の頂面上に金属からなる突起物１０９を形成し、配線回路基板１３０を形成する。そして、図２（ｅ）に示すように、配線膜形成用金属層１０１をエッチングしてパターニングすることにより、配線膜１１１を形成する。

尚、本実施形態においては、突起物１０９を形成した後に配線膜１１１を形成したが、先に配線膜１１１を形成し、その後突起物１０９を形成してもよい。

［第２の実施の形態］
次に、本発明の第２の実施形態における配線回路基板の製造工程について図３及び図４を参照しつつ説明する。図３及び図４は、第２の実施形態における配線回路基板の製造方法を工程順に示す基板の断面図である。

図３（ａ）に示すように、バンプ付基板１０６を用意する。次に、図３（ｂ）に示すように、バンプ１０４が形成されている面に、前駆体の状態にある液状の例えばポリイミド樹脂やエポキシ樹脂等からなる絶縁材料を、カーテンコータ、ドクターブレード法、バーコータ、スクリーン印刷法等により塗布する。本実施形態においては、バンプ１０４の高さよりも絶縁材料の高さが若干高くなるように絶縁材料を塗布する。そして、ベーク処理を行うことにより、液状の絶縁材料を固化し、絶縁膜１０７を形成する。尚、図３（ｂ）には、ベーク処理により形成された絶縁膜１０７が示されている。

次に、図３（ｃ）に示すように、絶縁膜１０７の上にレジストを塗布し、露光及び現像を行い、レジストマスク１１２を形成する。例えば、ポジ型のレジストを塗布し、所定のパターンを有する露光マスクを使用して、各バンプ１０４の上のレジストを露光する。その後現像処理を行うことにより、各バンプ１０４上のレジストを除去し、各バンプ１０４の間のみにレジストマスク１１２を形成する。

次に、図３（ｄ）に示すように、レジストマスク１１２をマスクとして、各バンプ１０４の上に形成されている絶縁膜１０７を、各バンプ１０４の頂面が完全に露出するまでエッチングして除去する。その後、レジストマスク１１２を剥離して配線回路基板１４０を作製する。このとき、絶縁膜１０７の膜厚はバンプ１０４の高さより厚くなる。

次に、図３（ｅ）に示すように、めっき法により、Ｃｕ（銅）、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｐｂ（鉛）、Ｐｔ（白金）又はＳｎ（すず）等の金属或いは前記金属を主成分とする合金属からなる突起物１０９を各バンプ１０４の頂面上に形成し、配線回路基板１５０を形成する。

次に、配線膜形成用金属層１０１の上にレジストを塗布し、露光及び現像を行い、レジストマスク（図示しない）を形成する。例えば、ポジ型のレジストを塗布し、所定のパターンを有する露光マスクを使用して、そのパターンに従ってレジストを露光する。本実施形態のおいては、各バンプ１０４の間のレジストを露光する。その後現像処理することにより、露光したレジストを除去し、各バンプ１０４の底面の上のみにレジストマスク（図示しない）を形成する。そして、図３（ｆ）に示すように、そのレジストマスクをマスクとして配線膜形成用金属層１０１をエッチングすることにより、配線膜１１１を形成する。各配線膜１１１は、エッチングストッパー層１０５を介してバンプ１０４と接続している。

以上の方法によると、熱プレス用の装置が不要となり、配線回路基板の生産性を高めることが可能となる。また、バンプ１０４間の距離を短くすることができるので、高集積化した配線回路基板を作製することができる。更に、本実施形態の製造方法によると、バンプ１０４の頂面を露出させるために、絶縁膜１０７を研磨する必要がない。樹脂からなる絶縁膜１０７を研磨すると、荒削りになるため樹脂が僅かに基板上に残り、その後の加工が煩雑になる。しかしながら、本実施形態の方法によればエッチングにより絶縁膜１０７を除去するため、バンプ１０４の頂面に樹脂が残留することがなく、その後の加工の支障を軽減できる。

尚、本実施形態においては、図３（ｂ）に示すように、バンプ１０４の高さよりも絶縁膜１０７の高さが若干高くなるように絶縁膜１０７を形成し、その後エッチングによりバンプ１０４上の絶縁膜１０７を除去した。しかし、本発明はそれに限られず、バンプ１０４の高さよりも絶縁膜１０７の高さが若干低くなるように絶縁膜１０７を形成してもよい。図４を参照しつつその方法について説明する。

図４（ａ）に示すように、バンプ付基板１０６を用意する。次に、図４（ｂ）に示すように、バンプ１０４が形成されている面に、前駆体の状態にある液状の絶縁材料を、カーテンコータ、ドクターブレード法、バーコータ、スクリーン印刷法等により塗布する。このとき、バンプ１０４の高さよりも絶縁材料の高さが若干低くなるように絶縁材料を塗布する。このとき、液状樹脂の硬化収縮、揮発物の揮発により、図４（ｂ）に示すように、バンプ１０４の頂面にも若干絶縁材料が残留する。そして、ベーク処理を行うことにより、液状の絶縁材料を固化し、絶縁膜１０７を形成する。その結果、バンプ１０４上にも絶縁膜１０７が形成される。図４（ｂ）には、ベーク処理により形成された絶縁膜１０７が示されている。

次に、図４（ｃ）に示すように、絶縁膜１０７の上にレジストを塗布し、露光及び現像を行い、レジストマスク１１２を形成する。例えば、ポジ型のレジストを塗布し、所定のパターンを有する露光マスクを使用して、各バンプ１０４の上のレジストを露光する。その後現像処理することにより、各バンプ１０４の上のレジストを除去し、各バンプ１０４の間のみにレジストマスク１１２を形成する。

次に、図４（ｄ）に示すように、レジストマスク１１２をマスクとして、各バンプ１０４の上に形成されている絶縁膜１０７を、各バンプ１０４の頂面が完全に露出するまでエッチングして除去する。その後、レジストマスク１１２を剥離して配線回路基板１６０を作製する。このとき、絶縁膜１０７の膜厚はバンプ１０４の高さより低くなる。

次に、図４（ｅ）に示すように、めっき法により、金属からなる突起物１０９を各バンプ１０４の頂面上に形成し、配線回路基板１７０を形成する。そして、図４（ｆ）に示すように、配線膜形成用金属層１０１をエッチングしてパターニングすることにより、配線膜１１１を形成する。

尚、本実施形態においても、第１の実施形態と同様に、絶縁材料には、ポリイミド樹脂等の他、液晶ポリマーやＰＥＴ等の熱可塑性樹脂を使用してもよい。また、突起物１０９を形成した後に配線膜１１１を形成したが、先に配線膜１１１を形成し、その後無電解めっき又は導電ペーストを印刷することにより突起物１０９を形成してもよい。

［第３の実施の形態］
次に、本発明の第３の実施形態における配線回路基板の製造工程について図５及び図６を参照しつつ説明する。図５及び図６は、第３の実施形態における配線回路基板の製造方法を工程順に示す基板の断面図である。

図５（ａ）に示すように、バンプ付基板１０６を用意する。次に、図５（ｂ）に示すように、バンプ１０４が形成されている面に、前駆体の状態にある液状の例えばポリイミド樹脂やエポキシ樹脂等からなる絶縁材料を、カーテンコータ、ドクターブレード法、バーコータ、スクリーン印刷法等により塗布する。本実施形態においては、バンプ１０４の高さよりも絶縁材料の高さが若干高くなるように絶縁材料を塗布する。そして、ベーク処理を行うことにより、液状の絶縁材料を固化し、絶縁膜１０７を形成する。尚、図５（ｂ）には、ベーク処理によって形成された絶縁膜１０７が示されている。

次に、図５（ｃ）に示すように、少なくとも各バンプ１０４の頂面が完全に露出するまで、絶縁膜１０７を全面的にエッチングすることにより除去し、配線回路基板１８０を作製する。このとき、絶縁膜１０７の膜厚はバンプ１０４の高さとほぼ等しくなる。ここで、バンプ１０４の頂面が完全に露出すればよく、露出した後更に絶縁膜１０７をエッチングし続けてもよく、その場合は、バンプ１０４の高さより絶縁膜１０７の膜厚の方が薄くなる。

次に、図５（ｄ）に示すように、めっき法により、Ｃｕ（銅）、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｐｂ（鉛）、Ｐｔ（白金）又はＳｎ（すず）等の金属或いは前記金属を主成分とする合金属からなる突起物１０９を各バンプ１０４の頂面上に形成し、配線回路基板１９０を作製する。尚、印刷法により導電ペーストの突起物を設けてもよい。

次に、配線膜形成用金属層１０１の上にレジストを塗布し、露光及び現像を行い、レジストマスク（図示しない）を形成する。例えば、ポジ型のレジストを塗布し、所定のパターンを有する露光マスクを使用して、そのパターンに従ってレジストを露光する。本実施形態においては、各バンプ１０４の間のレジストを露光する。その後現像処理することにより、露光したレジストを除去し、各バンプ１０４の底面の上のみにレジストマスク（図示しない）を形成する。そして、図５（ｅ）に示すように、そのレジストマスクをマスクとして配線膜形成用金属層１０１をエッチングすることにより、配線膜１１１を形成する。各配線膜１１１は、エッチングストッパー層１０５を介してバンプ１０４と接続している。

以上の方法によると、熱プレス用の装置が不要となり、配線回路基板の生産性を高めることが可能となる。また、バンプ１０４の高さを絶縁膜１０７の厚さに近似させられるので、必要以上バンプ１０４の高さを高くする必要がなくなり、バンプ１０４間の距離を短くすることができるので、高集積化した配線回路基板を作製することができる。更に、本実施形態によると、バンプ１０４の頂面を露出させるために絶縁膜１１１を研磨する必要がないため、バンプ１０４の頂面に樹脂が残留することがなく、その後の加工の支障を軽減できる。加えて、絶縁膜１０７を全面的にエッチングして除去するため、レジストマスクを形成する必要がないので、レジストマスクを作製する分の工程数を削減することが可能となる。

尚、本実施形態においては、図５（ｂ）に示すように、バンプ１０４の高さよりも絶縁膜１０７の高さが若干高くなるように絶縁膜１０７を形成し、その後エッチングにより絶縁膜１０７を除去した。しかし、本発明はそれに限られず、バンプ１０４の高さよりも絶縁膜１０７の高さが若干低くなるように絶縁膜１０７を形成しても良い。その方法について図６を参照しつつ説明する。

図６（ａ）に示すように、バンプ付基板１０６を用意する。次に、図６（ｂ）に示すように、バンプ１０４が形成されている面に、前駆体の状態にある液状の絶縁材料をカーテンコータ、ドクターブレード法、バーコータ、スクリーン印刷法等により塗布する。このとき、バンプ１０４の高さよりも絶縁材料の高さが若干低くなるように絶縁材料を塗布する。このとき、液状樹脂の硬化収縮、揮発物の揮発により、図６（ｂ）に示すように、バンプ１０４の頂面にも若干絶縁材料が残留する。そして、ベーク処理を行うことにより、液状の絶縁材料を固化し、絶縁膜１０７を形成する。尚、図６（ｂ）には、ベーク処理によって形成された絶縁膜１０７が示されている。

次に、図６（ｃ）に示すように、絶縁膜１０７を、少なくとも各バンプ１０４の頂面が完全に露出するまでエッチングにより除去し、配線回路基板２００を作製する。このとき、各バンプ１０４の間の絶縁膜１０７も僅かにエッチングされ、エッチング前の膜厚よりも薄くなる。ここで、バンプ１０４の頂面が完全に露出すればよく、露出した後更に絶縁膜１０７をエッチングしてもよい。

次に、図６（ｄ）に示すように、めっき法により、金属からなる突起物１０９を各バンプ１０４の頂面上に形成し、配線回路基板２１０を形成する。そして、図６（ｅ）に示すように、配線膜形成用金属層１０１をエッチングしてパターニングすることにより、配線膜１１１を形成する。

尚、本実施形態においても、第１の実施形態と同様に、絶縁材料には、ポリイミド樹脂等の他、液晶ポリマーやＰＥＴ等の熱可塑性樹脂を使用してもよい。また、突起物１０９を形成した後に配線膜１１１を形成したが、先に配線膜１１１を形成し、その後突起物１０９を形成してもよい。

以上、第１乃至第３の実施形態において、液状の絶縁材料を用いた配線回路基板の製造方法について説明した。以下の実施形態では、この配線回路基板を用いた配線回路基板と多層配線回路基板の製造方法について説明する。尚、第１乃至第３の実施形態においては、研磨法又はエッチング法により絶縁材料を除去したが、本発明はそれに限らず、レーザー加工により除去することもできる。レーザー加工においては、炭酸ガスレーザー、エキシマレーザー、ＹＡＧレーザー又は半導体レーザー等が使用される。そして、バンプ１０４の上に形成された絶縁膜１０７のみにレーザーを照射し、バンプ１０４の頂面が完全に露出するまでバンプ１０４上の絶縁膜１０７を除去する。このように、バンプ１０４上の絶縁膜１０７のみにレーザーを照射することにより、バンプ１０４上の絶縁膜１０７のみを除去することができる。従って、レジストマスクを形成する必要もなく、更に、樹脂が基板上に残ることもないため、その後の処理を削減することができる。尚、絶縁膜１０７の膜厚はバンプ１０４の高さよりも厚くても薄くてもよい。

また、ロールを使用することによりバンプ１０４上の絶縁樹脂を薄くすることができ、後の残留樹脂の除去を容易にすることが可能である。例えば、一定の距離を保って配置されている２つのロールの間を、基板を通過させる。このロール間の距離を基板の厚さよりも若干短くし、これら２つのロールの間を通過させることによりバンプ１０４上の絶縁材料を平坦にする。

ロールにて絶縁材料を平坦にすると、バンプ１０４の頂面の上に若干絶縁材料が残存する。そして、少なくとも各バンプ１０４の頂面が完全に露出するまで、絶縁膜１０７を全面的にエッチングすることにより除去し、配線回路基板を作製する。このとき、絶縁膜１０７の膜厚はバンプ１０４の高さとほぼ等しくなる。ここで、バンプ１０４の頂面が完全に露出すればよく、露出した後更に絶縁膜１０７をエッチングし続けてもよく、その場合は、バンプ１０４の高さよりも絶縁膜１０７の膜厚の方が薄くなる。尚、エッチングにはアルカリ液やヒドラジン液等を使用する。また、プラズマアッシングやＵＶアッシング等により絶縁膜１０７を除去してもよい。更に、研磨法やレーザー加工法等により絶縁膜１０７を除去してもよい。尚、絶縁膜１０７の膜厚はバンプ１０４の高さよりも厚くても薄くてもよい。

更に、それ以外の方法によっても製造することができる。配線回路基板１０６に形成されているバンプ１０４の頂面に、液状の絶縁材料をはじく処理を施してもよい。例えば、シリコーン樹脂やフッ素化合物等を、スタンプ方式又はロールコート方式等によりバンプ１０４の頂面のみに形成する。ここで、スタンプ方式は、シリコーン樹脂等を付着させたスタンプをバンプ１０４の頂面のみに押し当てて、バンプ１０４の頂面のみにシリコーン樹脂等を付着させる方法である。また、ロールコート方式は、シリコーン樹脂等を付着させたロールを、バンプ１０４の頂面と接するように回転させて、バンプ１０４の頂面にシリコーン樹脂等を付着させる方法である。そして、バンプ１０４が形成されている面に、前駆体の状態にある液状のポリイミド樹脂又はエポキシ樹脂等からなる絶縁材料をカーテンコータ、ドクターブレード法、バーコータ、スクリーン印刷法等により塗布する。このとき、バンプ１０４の高さよりも絶縁材料の高さが若干低くなるように絶縁材料を塗布する。バンプ１０４の頂面にはシリコーン樹脂等が付着しているため、バンプ１０４の頂面では液状の絶縁材料ははじかれて、バンプ１０４の頂面に絶縁材料は残存しない。そして、ベーク処理を行うことにより、液状の絶縁材料を固化し、絶縁膜１０７を形成する。その後、バンプ１０４の頂面を研磨することによりシリコーン樹脂等を除去する。または、シリコーン樹脂等を溶解する溶剤を用いて除去してもよい。また、プラズマアッシング、ＵＶアッシング等の物理的な方法でも除去することが可能である。

また、サンドブラスト法を用いて絶縁膜１０７を除去することもできる。例えば、ガラス、アルミナ、スチール、珪砂、マグネタイト等の微粉末を研磨材（これをブラスト材という）として用い、これを高圧水や圧縮空気等と一緒に絶縁膜１０７の表面に高速状態で噴射し、その衝撃力でバンプ１０４の頂面が完全に露出するまで絶縁膜１０７の表面を研磨する。

また、第１乃至第３の実施形態においては、絶縁材料としてポリイミド樹脂等を使用し、１層の絶縁膜１０７を形成している。しかしながら、本発明はそれに限られず、２層又は３層以上からなる絶縁膜１０７を形成してもよい。そのような絶縁膜１０７の構造及びその製造方法について図１５を参照しつつ説明する。図１５は、多層構造の絶縁膜１０７を形成する方法を示した基板の断面図である。

図１５（ａ）に示すように、配線回路基板１０６を用意する。そして、図１５（ｂ）に示すように、バンプ１０４が形成されている面に、溶剤に溶かした熱可塑性ポリイミドからなる絶縁材料を塗付し、約１００℃〜２００℃で加熱することにより絶縁膜１０７ａを形成する。このとき、バンプ１０４の高さよりも絶縁膜１０７ａの高さが若干低くなるように絶縁膜１０７ａを形成する。次に、図１５（ｃ）に示すように、絶縁膜１０７ａの上にポリイミド樹脂の前躯体からなる絶縁材料をカーテンコーダ、ドクターブレード法、バーコータ、スクリーン印刷法等により塗布し、約３５０℃〜４００℃で加熱することにより絶縁膜１０７ｂを形成する。このとき、絶縁膜１０７ａの膜厚と絶縁膜１０７ｂの膜厚の合計がバンプ１０４の高さよりも薄くなるように絶縁膜を形成する。そして、図１５（ｄ）に示すように、絶縁膜１０７ｂの上に溶剤に溶かした熱可塑性ポリイミドからなる絶縁材料を塗付し、約１００℃〜２００℃で加熱することにより絶縁膜１０７ｃを形成する。最終的に形成される絶縁膜１０７の膜厚はバンプ１０４の高さよりも厚くても薄くてもよい。そして、少なくともバンプ１０４の頂面が露出するまで研磨方、エッチング法又はレーザー加工法等により絶縁膜１０７を除去し、その後配線膜１１１等を形成する。

このような構造の絶縁膜１０７を形成することにより次のような効果を奏する。熱可塑性樹脂は配線層との接着剤の代わりとなるため、熱可塑性樹脂からなる絶縁材料を配線回路基板の最表面に形成することにより、他の配線回路基板や配線膜形成用金属層等との積層が容易となる。更に、他の配線回路基板等との密着性がよくなる。また、配線膜形成用金属層１０１と接するように絶縁膜１０７の最下層に、熱可塑性ポリイミドからなる絶縁膜１０７ａを形成することにより、絶縁膜１０７と配線膜形成用金属層１０１との密着性がよくなる。更に、ポリイミド樹脂の前躯体としてポリアミック酸が使用されるが、このポリアミック酸を使用すると銅箔からなる配線膜形成用金属層１０１と反応するため、絶縁膜１０７と配線膜形成用金属層１０１との密着性が悪くなり、絶縁膜１０７が剥がれてしまう場合がある（剥離の発生）。しかしながら、熱可塑性樹脂からなる絶縁材料を介在させることにより、絶縁膜１０７と配線膜形成用金属層１０１との密着性を向上することが可能となり、剥離の発生を防止することが可能となる。

［第４の実施の形態］
次に、本発明の第４の実施形態として、第１乃至第３の実施形態の製造方法によって作製された配線回路基板を用いた多層配線基板の製造工程について、図７を参照しつつ説明する。図７は、第４の実施形態における多層配線基板の製造方法を工程順に示す基板の断面図である。

まず、図７（ａ）に示すように、ボンディングシート２２０と、配線回路基板１１０と、配線回路基板２３０を用意する。ボンディングシート２２０は、配線回路基板１１０と配線回路基板２３０を張り合わせるために使用するものであり、熱可塑性ポリイミドや変性エポキシ樹脂等からなる。

ここで、配線回路基板１１０は、第１の実施形態における配線回路基板の製造方法によって製造されたものである。また、配線回路基板２３０は、配線膜形成用金属層２３１上にエッチングストッパー層２３２を介してバンプ２３３が形成され、バンプ２３３の上に配線膜２３４が形成されている。そして、各バンプ２３３の間に、バンプ２３３の高さと高さが等しい絶縁膜２３５が形成されている。

この配線回路基板２３０は、配線回路基板１０８の、バンプ１０４の頂面が露出している面に対して、配線膜形成用金属層（図示しない）を圧着した後、その配線膜形成用金属層を部分的にエッチングして配線膜２３４を形成することにより作製される。例えば、ポジ型のレジストをその配線膜形成用金属層の上に塗布し、所定のパターンを有する露光マスクを使用し、各バンプ１０４の間のレジストを露光する。その後現像処理することにより、各バンプ１０４の間のレジストを除去し、各バンプ１０４の頂面の上のみにレジストマスク（図示しない）を形成する。そして、そのレジストマスクをマスクとして、配線膜形成用金属層をエッチングすることのより、配線膜２３４を形成する。

次に、図７（ｂ）に示すように、ボンディングシート２２０を介して、配線回路基板１１０と配線回路基板２３０を加熱しながら圧着し、多層配線基板２４０を作製する。このとき、配線回路基板１１０の突起物１０９と、配線回路基板２３０の配線膜２３４とが接触するように配線回路基板１１０と配線回路基板２３０を圧着する。

次に、多層配線基板２４０の上下両面にレジストを塗布し、露光及び現像を行うことにより、レジストマスク（図示しない）を形成する。例えば、ポジ型のレジストを塗布し、所定のパターンを有する露光マスクを使用し、そのパターンに従ってレジストを露光する。その後現像処理することにより、露光されたレジストを除去し、レジストマスク（図示しない）を形成する。そして、図７（ｃ）に示すように、そのレジストマスクをマスクとして配線膜形成用金属層１０１及び２３１をエッチングすることにより、配線膜２４１及び２４２を形成する。配線膜２４１は、エッチングストッパー層１０５を介してバンプ１０４と接続している。配線膜２４２は、エッチングストッパー層２３２を介してバンプ２３３と接続している。このように、バンプが配線膜と接続することにより、バンプは層間接続手段として機能する。

次に、図７（ｄ）に示すように、配線膜２４１が形成されている面を保護するためと、半田が付着するのを防止するために、その面にソルダーレジストを塗布し、露光及び現像を行うことによりレジストマスク２４３を形成する。そして、例えば、配線膜２４１の上にめっきにてフラッシュ金めっきからなる金属２４４を形成する。また、配線膜２４２が形成されている面には、カバーレイフィルム２４５を被覆する。カバーレイフィルム２４５は、ポリイミドフィルムの片面に接着剤が塗布されたものである。もちろん、カバーレイフィルム２４５の代わりにソルダーレジストを適用してもよい。

以上のように、バンプ間の距離を最小限にした配線回路基板を積層することにより、高集積化した多層配線基板を作製することが可能となる。

尚、本実施形態においては、第１の実施形態の製造方法によって作製された配線回路基板１１０を利用して多層配線基板を作製したが、本発明はそれに限られない。第１の実施形態の製造方法によって作製された配線回路基板１３０や、
第２の実施形態の製造方法によって作製された配線回路基板１５０、１７０又は、第３の実施形態の製造方法によって作製された配線回路基板１９０、２１０を利用して多層配線基板を作製しても良い。

また、本実施形態においては、金属からなる突起物１０９が形成された配線回路基板１１０とボンディングシート２２０を使用して多層配線基板を製造したが、それらを使用せずに多層配線基板を製造することもできる。例えば、第１の実施形態における配線回路基板１２０、第２の実施形態における配線回路基板１６０又は第３の実施形態における配線回路基板２００を使用することにより、ボンディングシート２２０を使用しなくても多層配線基板を製造することができる。配線回路基板１２０、１６０及び２００は、バンプ１０４の高さが絶縁膜１０７の膜厚よりも高いため、バンプ１０４の頂面は絶縁膜１０７から突出している。従って、改めてめっき法により金属からなる突起物１０９を形成しなくても、絶縁樹脂が未硬化状態のもの及び熱可塑性樹脂をしようすることで、ボンディングシート２２０を介さずに、直接バンプ１０４の頂面を配線回路基板２３０の配線膜２３４に接触させ、圧着することで多層配線基板２４０を形成することができる。

［第５の実施の形態］
次に、本発明の第５の実施形態として、第１乃至第３の実施形態の製造方法によって作製された配線回路基板を用いた多層配線基板の製造工程について、図８を参照しつつ説明する。図８は、第５の実施形態における多層配線基板の製造方法を工程順に示す基板の断面図である。

まず、図８（ａ）に示すように、２つの配線回路基板１１０と、配線回路基板２５０を用意する。配線回路基板１１０は第１の実施形態における配線回路基板の製造方法によって作製されたものである。また、配線回路基板２５０は、絶縁膜２５１と、絶縁膜２５１の内部に形成されたバンプ２５４と、絶縁膜２５１の一方の面に形成され、バンプ２５４の頂面と接するように形成された配線膜２５２と、絶縁膜２５１の他方の面に形成され、エッチングストッパー層２５５を介してバンプ２５４の底面と接するように形成された配線膜２５３とからなる。従って、配線膜２５２と２５３はバンプ２５４によって互いに接続している。

この配線回路基板２５０は、配線回路基板１０８の、バンプ１０４の頂面が露出している面に対して配線膜形成用金属層を圧着した後、上下両面の配線膜形成用金属層を部分的にエッチングして配線膜２５２及び２５３を形成することにより作製される。例えば、ポジ型のレジストをその配線膜形成用金属層の上に塗布し、所定のパターンを有する露光マスクを使用し、そのパターンに従ってレジストを露光する。その後現像処理することにより、露光したレジストを除去し、レジストマスク（図示しない）を形成する。そして、そのレジストマスクをマスクとして配線膜形成用金属層をエッチングすることにより、配線膜２５２及び２５３を形成する。

次に、図８（ｂ）に示すように、配線回路基板２５０の両面に配線回路基板を加熱しながら圧着して多層配線基板２６０を形成する。このとき、配線回路基板１１０の突起物１０９と、配線回路基板２５０の配線膜２５２が接触するように配線回路基板１１０と２５０を圧着する。また、配線回路基板１１０の突起物１０９と、配線回路基板２５０の配線膜２５３が接触するように配線回路基板１１０と２５０を圧着する。

次に、多層配線基板２６０の上下両面にレジストを塗布し、露光及び現像を行うことにより、レジストマスク（図示しない）を形成する。例えば、ポジ型のレジストを塗布し、所定のパターンを有する露光マスクを使用し、そのパターンに従ってレジストを露光する。その後現像処理することにより、露光したレジストを除去し、レジストマスクを形成する。そして、図８（ｃ）に示すように、そのレジストマスクをマスクとして多層配線回路基板２６０の上下両面の配線膜形成用金属層１０１をエッチングすることにより、配線膜２６１を形成する。配線膜２６１は、エッチングストッパー層１０５を介してバンプ１０４と接続している。このように、バンプと配線膜が接続することにより、バンプは層間接続手段として機能する。

以上のように、バンプ間の距離が最小限の配線回路基板を積層することにより、高集積化した多層配線基板を作製することが可能となる。

尚、本実施形態においては、第１の実施形態の製造方法によって作製された配線回路基板１１０を利用して多層配線基板を作製したが、本発明はそれに限られない。第１の実施形態の製造方法によって作製された配線回路基板１３０や、
第２の実施形態の製造方法によって作製された配線回路基板１５０、１７０又は、第３の実施形態の製造方法によって作製された配線回路基板１９０、２１０を利用して多層配線基板を作製しても良い。

また、本実施形態においては、突起物１０９が形成された配線回路基板１１０使用して多層配線基板を製造したが、それらを使用せずに多層配線基板を製造することもできる。例えば、第１の実施形態における配線回路基板１２０、第２の実施形態における配線回路基板１６０又は第３の実施形態における配線回路基板２００を使用してもよい。配線回路基板１２０、１６０及び２００は、バンプ１０４の高さが絶縁膜１０７の膜厚よりも高いため、バンプ１０４の頂面は絶縁膜１０７から突出している。従って、突起物１０９が形成されていなくても、直接バンプ１０４の頂面を配線回路基板２５０の配線膜２５２及び２５３に接触させ、圧着することで多層配線基板２４０を形成することができる。

［第６の実施の形態］
次に、本発明の第５の実施形態として、第１乃至第３の実施形態の製造方法によって作製された配線回路基板を用いた別の配線回路基板の製造工程について、図９を参照しつつ説明する。図９は、第６の実施形態における配線回路基板の製造方法を工程順に示す基板の断面図である。

まず、図９（ａ）に示すように、配線回路基板１０８を用意する。次に、配線膜形成用金属層１０１上にレジストと塗布し、露光及び現像を行うことによりレジストマスク（図示しない）を形成する。例えば、ポジ型のレジストを塗布し、所定のパターンを有する露光マスクを使用し、そのパターンに従ってレジストを露光する。その後現像処理することにより、露光したレジストを除去し、レジストマスク（図示しない）を形成する。そして、図６（ｂ）に示すように、レジストマスクをマスクとして配線膜形成用金属層１０１をエッチングし、配線膜１１３を形成する。この配線膜１１３は、配線膜１１３ａと配線膜１１３ｂとからなり、交互に配置するように形成されている。また、配線膜１１３ａはエッチングストッパー層１０５を介してバンプ１０４と接続している。

次に、図９（ｃ）に示すように、バンプ１０４の頂面が露出している面に銅箔、アルミ箔、鉄箔、ＳＵＳ箔等と接着剤とからなる電磁シールドシート１１４を貼り付ける。電磁シールドシート１１４は、配線回路基板から発生する電磁波を遮断するとともに外部からの不要な電磁波による誤動作を防止する機能を有する。本実施形態のおいては、全面に電磁シールドシート１１４を貼り付けてあるが、バンプ１０４の頂面と接するように部分的に貼り付けてもよい。そして、図９（ｄ）に示すように、配線膜１１３を保護するために、配線膜１１３が形成されている面にレジスト１１５を塗布し、電磁シールド付きの配線回路基板を作製する。

本実施形態においては、配線膜１１３ａはバンプ１０４を介して電磁シールドシート１１４と接続しているため、グランドラインとして機能する。一方、配線膜１１３ｂは信号線路として機能する。そして、配線膜１１３ａと配線膜１１３ｂは交互に配置されているため、互いに隣接する配線膜１１３ｂの間で発生するクロストークを減少させることが可能となる。また、バンプ間の距離が最小限の配線回路基板を利用することにより、高集積化した電磁シールド付きの配線回路基板を作製することが可能となる。

また、電磁シールドシートは配線回路基板の両面に貼り付けてもよい。この構成は高周波線路用のマイクロストリップ線路としても利用できる効果がある。更に、本実施形態では、１信号ライン（１配線膜１１３ｂ）毎にグラウンドラインを配置したが、グラウンドラインは必ずしも１信号ライン毎でなくてもよい。

尚、本実施形態においては、第１の実施形態の製造方法によって作製された配線回路基板１０８を利用して電磁シールド付配線回路基板を作製したが、本発明はそれに限られない。導電ペーストの塗付又は印刷して焼き付ける方法でも電磁シールド層を形成することができる。第１の実施形態の製造方法によって作製された配線回路基板１２０、第２の実施形態の製造方法によって作製された配線回路基板１４０、１６０又は第３の実施形態の製造方法によって作製された配線回路基板１８０、２００を利用して電磁シールド付き配線回路基板を作製してもよい。

［第７の実施の形態］
次に、本発明の第７の実施形態として、第１乃至第３の実施形態の製造方法によって作製された配線回路基板を用いた別の配線回路基板の製造工程について、図１０を参照しつつ説明する。図１０は、第７の実施形態における配線回路基板の製造方法を工程順に示す基板の断面図である。

図１０（ａ）に示すように、配線回路基板１０８を用意する。そして、図１０（ｂ）に示すように、バンプ１０４の頂面が露出している面に、インクジェット法、スクリーン印刷法又はディスペンサー法等の方法により、金、銀又は銅等の金属からなる導電ペースト１１６を部分的に形成する。導電ペースト１１６の一部分はバンプ１０４の頂面と接している。

次に、配線膜形成用金属層１０１上にレジストを塗布し、露光及び現像を行うことにより、レジストマスク（図示しない）を形成する。例えば、ポジ型のレジストを配線膜形成用金属層１０１の上に塗布し、所定のパターンを有する露光マスクを使用し、そのパターンに従ってレジストを露光する。その後現像処理することにより、露光したレジストを除去し、レジストマスク（図示しない）を形成する。そして、図１０（ｃ）に示すように、そのレジストマスクをマスクとして配線膜形成用金属層１０１をエッチングすることにより、配線膜１１１を形成する。この配線膜１１１は、エッチングストッパー層１０５を介してバンプ１０４と接続している。

次に、図１０（ｄ）に示すように、互いに隣接する導電ペースト１１６の間に、インクジェット法、スクリーン印刷法又はディスペンサー法等の方法により、抵抗ペースト１１７を形成する。そして、図１０（ｅ）に示すように、バンプ１０４の頂面と接している導電ペースト１１６の上に、インクジェット法、スクリーン印刷法又はディスペンサー法等の方法により、誘電ペースト１１８を形成する。次に、図１０（ｆ）に示すように、誘電ペースト１１８の上に導電ペースト１１６を形成する。このように、導電ペースト１１６によって誘電ペースト１１８を挟むことにより、コンデンサー素子が形成される。

以上のように、配線回路基板の一方の面に抵抗ペーストやコンデンサー素子を形成することでポリマー型厚膜回路を形成するとともに、他方の面には銅からなる配線膜を形成することで回路を形成することが可能となる。そして、バンプ１０４の高さを絶縁膜１０７の厚さに近似させられるので、必要以上バンプ１０４の高さを高くする必要がなくなり、バンプ間の距離が最小限の配線回路基板を利用することにより、微弱な電流の信号回路と電源等の高電流を要する回路が高密度に形成された配線回路基板を形成することが可能となる。

尚、本実施形態においては、導電ペースト１１６を形成した後に配線膜１１１を形成したが、本発明はそれに限られない。導電ペースト１１６を形成する前に配線膜１１１を形成してもよく、また、コンデンサー素子を形成した後にエッチングして配線膜１１１を形成してもよい。

また、本実施形態においては、インクジェット法、スクリーン印刷法又はディスペンサー法により導電ペースト、抵抗ペースト及び誘電ペーストを形成してコンデンサー素子を作製したが、本発明はこれに限られない。例えば、スパッタリング法、ＣＶＤ法又は蒸着法により導電材料、抵抗材料及び誘電材料を配線回路基板の一方の面に成膜し、エッチングによりパターニングを行うことにより、導電膜、抵抗膜及び誘電膜を形成してもよい。スパッタリング法等によると薄膜を形成することが可能であるため、ポリマーフィルム上に薄膜回路を作製することが可能となる。

尚、導電材料には、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、ＮｉＣｒ、Ｎｂ又はＶ等の金属が使用され、抵抗材料には、ＮｉＣｒ、Ｔａ_２Ｎ、ＲｕＯ_２又はＳｎＯ等が使用され、誘電材料には、ＳｒＴｉＯ_３、ＢａＴｉＯ_３又はＴｉＯ等が使用される。

また、本実施形態においては、配線回路基板の片面に厚膜又は薄膜回路を形成したが、両面に厚膜又は薄膜回路を形成することもできる。その方法について、図１１を参照しつつ説明する。図１１は、配線回路基板の製造方法を工程順に示す基板の断面図である。

図１１（ａ）に示すように、配線回路基板２７０を用意する。この配線回路基板２７０は、配線回路基板１０８に設けられている配線膜形成用金属層１０１を全面的にエッチングして除去することにより作製される。次に、図１１（ｂ）に示すように、配線回路基板２７０の上下両面に、インクジェット法、スクリーン印刷法又はディスペンサー法等の方法により、金、銀又は銅等からなる導電ペースト１１６を部分的に形成する。

次に、図１１（ｃ）に示すように、互いに隣接する導電ペースト１１６の間に、インクジェット法等の方法により、抵抗ペースト１１７を形成する。そして、図１１（ｄ）に示すように、バンプ１０４の頂面と接している導電ペースト１１６の上に、インクジェット法等の方法により誘電ペースト１１８を形成する。次に、図１１（ｅ）に示すように、誘電ペースト１１８の上に導電ペースト１１６を形成する。このように、導電ペースト１１６によって誘電ペースト１１８を挟むことにより、コンデンサー素子が形成される。

以上のように、配線回路基板の両方の面に抵抗ペーストやコンデンサー素子を形成することで厚膜回路を形成することができる。そして、バンプ１０４の高さを絶縁膜１０７の厚さに近似させられるので、必要以上バンプ１０４の高さを高くする必要がなくなり、バンプ間の距離が短い配線回路基板を利用することにより、信号回路が高密度に形成された配線回路基板を形成することが可能となる。また、インクジェット法等の代わりに、スパッタリング法により導電材料等を成膜しても良い。スパッタリング法によると、薄膜を形成することが可能となるため、より微細配線可能な薄膜回路を作製することが可能となる。

尚、本実施形態においては、第１の実施形態の製造方法によって作製された配線回路基板１０８を利用して配線回路基板を作製したが、本発明はそれに限られない。第１の実施形態の製造方法によって作製された配線回路基板１２０、第２の実施形態の製造方法によって作製された配線回路基板１４０、１６０又は第３の実施形態の製造方法によって作製された配線回路基板１８０、２００を利用して配線回路基板を作製してもよい。

［第８の実施の形態］
次に、本発明の第８の実施形態として、第１乃至第３の実施形態の製造方法によって作製された配線回路基板を用いた多層配線回路基板の製造工程について、図１２を参照しつつ説明する。図１２は、第８の実施形態における多層配線基板の製造方法を工程順に示す基板の断面図である。

図１２（ａ）に示すように、配線回路基板１０８と２８０を用意する。配線回路基板１０８は、第１の実施形態における製造方法によって作製された基板である。その配線回路基板１０８の配線膜形成用金属層１０１を部分的にエッチングして配線膜１１１を形成することにより、配線回路基板２８０が作製される。

次に、図１２（ｂ）に示すように、配線回路基板１０８のバンプ１０４の頂面が配線回路基板２８０の配線膜１１１と接するように配線回路基板１０８と２８０とを圧着し、多層配線基板２９０を作製する。このように、バンプ１０４と配線膜１１１とを接続することにより、バンプ１０４は層間接続手段として機能する。

そして、図１２（ｃ）に示すように、多層配線基板２９０の配線膜形成用金属層１０１を部分的にエッチングすることにより配線膜１１９を形成する。この配線膜１１９は、エッチングストッパー層１０５を介してバンプ１０４と接続している。

以上のように、バンプ間の距離が最小限の配線回路基板を積層することにより、高集積化した多層配線基板を作製することが可能となる。また、本実施形態の多層配線基板においては、バンプ１０４の頂面が絶縁膜１０７から露出しているため、その頂面に直接部品（素子）を半田等よりも強固に搭載することができる。更に、パターン上に部品（素子）を搭載していないため、パターンが剥がれて部品（素子）が取れてしまうとこともない。また、バンプ１０４は絶縁膜１０７によって囲まれているため、絶縁膜１０７は強固なソルダーレジストを形成したことと同じ効果を奏する。

尚、本実施形態においては、第１の実施形態の製造方法によって作製された配線回路基板１０８を利用して多層配線基板を作製したが、本発明はそれに限られない。第１の実施形態の製造方法によって作製された配線回路基板１２０、第２の実施形態の製造方法によって作製された配線回路基板１４０、１６０又は第３の実施形態の製造方法によって作製された配線回路基板１８０、２００を利用して多層配線基板を作製してもよい。

［第９の実施の形態］
次に、本発明の第９の実施形態として、第１乃至第３の実施形態の製造方法によって作製された配線回路基板を用いた多層配線基板の製造工程について、図１３を参照しつつ説明する。図１３は、第９の実施形態における配線回路基板の製造方法を工程順に示す基板の断面図である。

図１３（ａ）に示すように、配線回路基板２７０、２８０及び３００を用意する。配線回路基板２８０及び３００は、第１の実施形態における製造方法によって作製された配線回路基板１０８の配線膜形成用金属層１０１を部分的にエッチングして配線膜１１１を形成することにより作製される。また、配線回路基板２７０は、配線回路基板１０８の配線膜形成用金属層１０１をエッチングによりすべて除去することにより作製される基板である。

次に、図１３（ｂ）に示すように、配線回路基板２８０の配線膜１１１に配線回路基板３００のバンプ１０４の頂面が接するように、配線回路基板２８０と３００を圧着する。更に、配線回路基板３００の配線膜１１１と配線回路基板２７０のバンプ１０４の底面が接するように、配線回路基板３００と２７０を圧着する。このように、バンプと配線膜を接続することにより、バンプは層間接続手段として機能する。

以上のように、バンプ間の距離が最小限の配線回路基板を積層することにより、高集積化した多層配線基板を作製することが可能となる。また、本実施形態の多層配線基板においては、バンプ１０４の頂面が絶縁膜１０７から露出しているため、その頂面に直接部品（素子）を搭載することができる。更に、めっきを介して部品（素子）を搭載していないため、めっきが剥がれて部品（素子）が取れてしまうこともない。また、バンプ１０４は絶縁膜１０７によって囲まれているため、ソルダーレジストを形成したことと同じ効果を奏する。

尚、本実施形態においては、第１の実施形態の製造方法によって作製された配線回路基板１０８を利用して多層配線基板を作製したが、本発明はそれに限られない。第１の実施形態の製造方法によって作製された配線回路基板１２０、第２の実施形態の製造方法によって作製された配線回路基板１４０、１６０又は第３の実施形態の製造方法によって作製された配線回路基板１８０、２００を利用して配線回路基板を作製してもよい。

［第１０の実施の形態］
次に、本発明の第１０の実施の形態として、第１乃至第３の実施形態の製造方法によって作製された配線回路基板を用いた別の配線回路基板の製造工程について、図１６及び図１７を参照しつつ説明する。図１６及び図１７は、第１０の実施形態における配線回路基板の製造工程を工程順に示す基板の断面図である。

図１６（ａ）に示すように、配線回路基板１０８を用意する。配線回路基板１０８は、第１の実施形態の製造方法によって作製された基板である。次に、図１６（ｂ）に示すように、バンプ１０４の頂面が絶縁膜１０７から露出している面に対して、無電解めっき法により銅からなる薄膜１２１を形成する。

次に、図１６（ｃ）に示すように、電解めっき法により、薄膜１２１の上に銅からなる金属膜１２２を形成する。そして、金属膜１２２の上にレジストを塗布し、露光及び現像を行うことによりレジストマスクを形成する（図示しない）。例えば、ポジ型のレジストを塗布し、所定のパターンを有する露光マスクを使用して、そのパターンに従ってレジストを露光する。本実施形態においては、各バンプ１０４の間のレジストを露光する。その後現像処理を行うことにより、露光したレジストを除去し、各バンプ１０４の頂面の上のみにレジストマスク（図示しない）を形成する。

次に、図１６（ｄ）に示すように、そのレジストマスクをマスクとして薄膜１２１及び金属膜１２２をエッチングすることにより、所定のパターンを有する配線膜１２３を形成し、配線回路基板を作製する。

本実施形態においては、無電解めっき法により薄膜を形成し、さらに電解めっき法により配線膜１２３を形成することにより配線回路基板を作製した。しかしながら、他の方法によってもその配線回路基板を作製することができる。図１７を参照しつつその方法について説明する。

図１７（ａ）に示すように、配線回路基板１０８を用意する。次に、図１７（ｂ）に示すように、バンプ１０４の頂面が絶縁膜１０７から露出している面に対して、無電解めっき法により銅からなる薄膜１２１を形成する。

次に、図１７（ｃ）に示すように、薄膜１２１の上にレジストを塗布し、露光及び現像を行うことにより各バンプ１０４の間にレジストマスク１２４を形成する。例えば、ポジ型のレジストを塗布し、所定のパターンを有する露光マスクを使用して、そのパターンに従ってレジストを露光する。本実施形態においては、各バンプ１０４の頂面の上に塗布されたレジストを露光する。その後現像処理することにより、露光したレジストを除去し、各バンプ１０４の間にレジストマスク１２４を形成する。このようにレジストマスク１２４を形成することにより、各バンプ１０４の上にはレジストマスク１２４は形成されない。

次に、図１７（ｄ）に示すように、めっき法により薄膜１２１の上に銅からなる金属膜１２５を析出させる。このとき、レジストが除去された部分のみに銅が析出し、レジストマスク１２４が形成されている部分には銅は析出しない。その後、レジストマスク１２４を除去するとともに、全面的にエッチングを行うことにより金属膜１２５の間に形成されている薄膜１２１を除去し、配線膜１２３を形成する。このエッチングにより配線膜１２３の表面も若干削れられるが、配線膜１２３の膜厚は薄膜１２１の膜厚よりも厚いため、薄膜１２１を完全に除去しても配線膜１２３が除去されることはない。

尚、本実施形態においては、無電解めっき法により薄膜１２１を形成したが、その代わりにスパッタリング法により薄膜１２１を形成してもよい。また、第１の実施形態の製造方法によって作製された配線回路基板１０８を利用して別の配線回路基板を作製したが、本発明はそれに限られない。第１の実施形態の製造方法によって作製された配線回路基板１２０や、第２の実施形態の製造方法によって作製された配線回路基板１４０、１６０又は、第３の実施形態の製造方法によって作製された配線回路基板１８０、２００を利用して別の配線回路基板を作製してもよい。

［第１１の実施の形態］
次に、本発明の第１１の実施の形態として、第１乃至第３の実施形態の製造方法によって作製された配線回路基板を用いた多層配線基板の製造工程について、図１８及び図１９を参照しつつ説明する。図１８及び図１９は、第１１の実施形態における多層配線基板の製造工程を工程順に示す基板の断面図である。

図１８（ａ）に示すように、配線回路基板３１０を用意する。配線回路基板３１０は、第１の実施形態の製造方法によって作製された配線回路基板１０８の配線膜形成用金属層１０１をエッチングして配線膜１１１を形成することにより作製される。次に、絶縁膜３１１を配線膜１１１が形成されている面に積層し、図１８（ｂ）に示すように、絶縁膜に孔を開けてスルーホール３１２を形成する。このスルーホール３１２は、例えば絶縁膜３１１の一部にレーザー光を照射することにより形成することができる。また、レーザーによる孔開け以外に、絶縁膜３１１の一部をエッチングすることにより孔を開けてもよい。

次に、図１８（ｃ）に示すように、無電解めっき法により銅からなる薄膜３１３を絶縁膜の上に形成する。薄膜３１３はスルーホール３１２内にも形成され、配線膜１１１と接触する。次に、図１８（ｄ）に示すように、電解めっき法により、薄膜３１３の上に金属膜３１４を形成する。

そして、金属膜３１４の上にレジストを塗布し、露光及び現像を行うことによりスルーホール３１２の内壁及びスルーホール３１２の周辺にレジストマスクを形成する（図示しない）。例えば、ポジ型のレジストを塗布し、所定のパターンを有する露光マスクを使用して、そのパターンに従ってレジストを露光する。本実施形態においては、スルーホール３１２以外の部分に塗布されたレジストを露光する。その後現像処理を行うことにより、露光したレジストを除去し、スルーホール３１２の内壁及びスルーホール３１２の周辺にレジストマスク（図示しない）を形成する。

次に、図１８（ｅ）に示すように、そのレジストマスクをマスクとして薄膜３１３及び金属膜３１４をエッチングすることにより、所定のパターンを有する配線膜３１５を形成する。

本実施形態においては、無電解めっき法により薄膜３１３を形成し、更に電解めっき法により配線膜３１５を形成することにより多層配線基板を作製した。しかしながら、他の方法によってもその多層配線基板を作製することができる。図１９を参照しつつその方法について説明する。

図１９（ａ）に示すように、配線回路基板３１０を用意する。次に、絶縁膜３１１を配線膜１１１が形成されている面に積層し、図１９（ｂ）に示すように、絶縁膜３１１に孔を開けてスルーホール３１２を形成する。次に、図１９（ｃ）に示すように、無電解めっき法により銅からなる薄膜３１３を絶縁膜３１１の上に形成する。薄膜３１３はスルーホール３１２の内部にも形成され、配線膜１１１と接触する。

次に、図１９（ｄ）に示すように、薄膜３１３の上にレジストを塗布し、露光及び現像を行うことによりスルーホール３１２以外の部分にレジストマスク３１７を形成する。例えば、ポジ型のレジストを塗布し、所定のパターンを有する露光マスクを使用して、そのパターンに従ってレジストを露光する。本実施形態においては、スルーホール３１２の内部及びその周辺に塗付されたレジストを露光する。その後現像処理することにより、スルーホール３１２の内部及びその周辺に塗布されたレジストを除去する。

次に、図１９（ｅ）に示すように、めっき法により薄膜３１３の上に銅からなる金属膜３１６を析出させる。このとき、レジストが除去された部分のみに銅が析出し、レジストマスク３１７が形成されている部分には銅は析出しない。その後、レジストマスク３１７を除去するとともに、エッチングによりスルーホール３１２以外の部分に形成されている薄膜３１３を除去することにより、図１９（ｆ）に示すように配線膜３１５を形成する。このエッチングにより配線膜３１５も若干削られるが、配線膜３１５の膜厚は薄膜３１３の膜厚よりも厚いため、薄膜３１３を完全に除去しても配線膜３１５が除去されることはない。

尚、本実施形態においては、無電解めっき法により薄膜３１３を形成したが、その代わりにスパッタリング法により薄膜３１３を形成してもよい。また、第１の実施形態の製造方法によって作製された配線回路基板１０８を利用して多層配線基板を作製したが、本発明はそれに限られない。第１の実施形態の製造方法によって作製された配線回路基板１２０や、第２の実施形態の製造方法によって作製された配線回路基板１４０、１６０又は、第３の実施形態の製造方法によって作製された配線回路基板１８０、２００を利用して多層配線基板を作製してもよい。

［第１２の実施の形態］
次に、本発明の第１２の実施の形態として、第１乃至第３の実施形態の製造方法によって作製された配線回路基板を用いた別の配線回路基板の製造工程について、図２０及び図２１を参照しつつ説明する。図２０及び図２１は、第１２の実施形態における配線回路基板の製造工程を工程順に示す基板の断面図である。

図２０（ａ）に示すように、配線回路基板１０８を用意する。配線回路基板１０８は、第１の実施形態の製造方法によって作製された基板である。次に、図２０（ｂ）に示すように、絶縁膜１０７に孔を開けてスルーホール３１２を形成する。このスルーホール３１２は、例えば絶縁膜１０７の一部にレーザー光を照射することにより形成することができる。また、レーザーによる孔開け以外に、絶縁膜１０７の一部をエッチングすることにより孔を開けてもよい。

次に、図２０（ｃ）に示すように、無電解めっき法により銅からなる薄膜３１３を絶縁膜１０７の上に形成する。薄膜３１３はスルーホール３１２内にも形成され、配線膜１１１と接触する。次に、図２０（ｄ）に示すように、電解めっき法により、薄膜３１３の上に銅からなる金属膜３１４を形成する。

次に、金属膜３１４の上にレジストを塗付し、露光及び現像を行うことによりスルーホール３１２の内壁及びバンプ１０４の上にレジストマスクを形成する（図示しない）。例えば、ポジ型のレジストを塗付し、所定のパターンを有する露光マスクを使用して、そのパターンに従ってレジストを露光する。本実施形態においては、スルーホール３１２及びバンプ１０４の上以外の部分に塗付されたレジストを露光する。その後現像処理を行うことにより、露光したレジストを除去し、スルーホール３１２の内壁及びバンプ１０４の上にレジストマスク（図示しない）を形成する。そして、図２０（ｅ）に示すように、そのレジストマスクをマスクとして薄膜３１３及び金属膜３１４をエッチングすることにより、所定のパターンを有する配線膜３１５を形成する。

本実施形態においては、無電解めっき方により薄膜３１３を形成し、更に電解めっき法により配線膜３１５を形成することにより配線回路基板を作製した。しかしながら、他の方法によってもその配線回路基板を作製することができる。図２１を参照しつつその方法について説明する。

図２１（ａ）に示すように、配線回路基板１０８を用意する。次に、図２１（ｂ）に示すように、絶縁膜１０７に孔を開けてスルーホール３１２を形成する。次に、図２１（ｃ）に示すように、無電解めっき法により銅からなる薄膜３１３を絶縁膜１０７の上に形成する。薄膜３１３はスルーホール３１２の内部にも形成され、配線膜１１１と接触する。

次に、図２１（ｄ）に示すように、薄膜３１３の上にレジストを塗付し、露光及び現像を行うことによりスルーホール３１２及びバンプ１０４の上以外の部分にレジストマスク３１７を形成する。例えば、ポジ型のレジストを塗付し、所定のパターンを有する露光マスクを使用して、そのパターンに従ってレジストを露光する。本実施形態においては、スルーホール３１２の内部及びバンプ１０４の上に塗付されたレジストを露光する。その後現像処理することにより、スルーホール３１２の内部及びバンプ１０４の上に塗付されたレジストを除去する。

次に、２１（ｅ）に示すように、めっき法により薄膜１２１の上に銅からなる金属膜３１６を析出させる。このとき、レジストが除去された部分のみに銅が析出し、レジストマスク３１７が形成されている部分には銅は析出しない。その後、レジストマスク３１７を除去するとともに、エッチングによりスルーホール３１２及びバンプ１０４の上以外の部分に形成されている薄膜３１３を除去することにより、図２１（ｆ）に示すように配線膜３１５を形成する。このエッチングにより配線膜３１５も若干削られるが、配線膜３１５の膜厚は薄膜３１３の膜厚よりも厚いため、薄膜３１３を完全に除去しても配線膜３１５が除去されることはない。

尚、本実施形態においては、無電解めっき法により薄膜３１３を形成したが、その代わりにスパッタリング法により薄膜３１３を形成してもよい。また、第１の実施形態の製造方法によって作製された配線回路基板１０８を利用して別の配線回路基板を作製したが、本発明はそれに限られない。第１の実施形態の製造方法によって作製された配線回路基板１２０や、第２の実施形態の製造方法によって作製された配線回路基板１８０、２００を利用して別の配線回路基板を作製してもよい。

本発明の第１の実施形態における配線回路基板の製造方法を工程順に示す基板の断面図である。 本発明の第１の実施形態における配線回路基板の製造方法を工程順に示す基板の断面図である。 本発明の第２の実施形態における配線回路基板の製造方法を工程順に示す基板の断面図である。 本発明の第２の実施形態における配線回路基板の製造方法を工程順に示す基板の断面図である。 本発明の第３の実施形態における配線回路基板の製造方法を工程順に示す基板の断面図である。 本発明の第３の実施形態における配線回路基板の製造方法を工程順に示す基板の断面図である。 本発明の第４の実施形態における多層配線基板の製造方法を工程順に示す基板の断面図である。 本発明の第５の実施形態における多層配線基板の製造方法を工程順に示す基板の断面図である。 本発明の第６の実施形態における配線回路基板の製造方法を工程順に示す基板の断面図である。 本発明の第７の実施形態における配線回路基板の製造方法を工程順に示す基板の断面図である。 本発明の第７の実施形態における配線回路基板の製造方法を工程順に示す基板の断面図である。 本発明の第８の実施形態における配線回路基板の製造方法を工程順に示す基板の断面図である。 本発明の第９の実施形態における配線回路基板の製造方法を工程順に示す基板の断面図である。 従来技術における配線回路基板の製造方法を工程順に示す基板の断面図である。 本発明の実施形態において、配線回路基板上に絶縁膜を形成する工程を示す基板の断面図である。 本発明の第１０の実施形態における配線回路基板の製造方法を工程順に示す基板の断面図である。 本発明の第１０の実施形態における配線回路基板の製造方法を工程順に示す基板の断面図である。 本発明の第１１の実施形態における多層配線基板の製造方法を工程順に示す基板の断面図である。 本発明の第１１の実施形態における多層配線基板の製造方法を工程順に示す基板の断面図である。 本発明の第１２の実施形態における配線回路基板の製造方法を工程順に示す基板の断面図である。 本発明の第１２の実施形態における配線回路基板の製造方法を工程順に示す基板の断面図である。

符号の説明

１００ 多層金属板
１０１ 配線膜形成用金属層
１０２、１０５ エッチングストッパー層
１０３ バンプ形成用金属層
１０４ バンプ
１０６ バンプ付基板
１０７ 絶縁膜
１０８、１１０ 配線回路基板
１０９ 突起物
１１１ 配線膜
１１２ レジストマスク
２２０ ボンディングシート
２４０ 多層配線基板
２４５ カバーレイフィルム

Claims (38)

1. 配線膜形成用金属層の上に、エッチングストッパー層を介してバンプ形成用金属層が形成された多層金属板に対して、
   前記バンプ形成用金属層の上にレジストを塗付し、パターニングすることによりレジストマスクを形成し、該レジストマスクをマスクとして前記バンプ形成用金属層をエッチングしてバンプを形成するバンプ形成ステップと、
   前記レジストマスクを除去した後、前記バンプをマスクとして前記エッチングストッパー層をエッチングして除去するエッチングストッパー層除去ステップと、
   前記バンプが形成された面に液状の絶縁材料を塗付し、該絶縁材料を熱処理によって固化させて絶縁膜を形成する絶縁膜形成ステップと、
   前記バンプの頂面が露出するまで、前記絶縁膜を除去する絶縁膜形成ステップと、
   を含むことを特徴とする配線回路基板の製造方法。
2. 前記絶縁材料はポリイミド又はエポキシ樹脂の前躯体からなることを特徴とする請求項１に記載の配線回路基板の製造方法。
3. 前記絶縁膜形成ステップでは、前記基板のバンプが形成された面に溶融された熱可塑性樹脂からなる絶縁材料を塗布し、該絶縁材料を冷却することによって固化させて絶縁膜を形成することを特徴とする請求項１に記載の配線回路基板の製造方法。
4. 前記絶縁膜形成ステップでは、前記基板のバンプが形成された面に液状の絶縁材料を塗付し、そのまま乾燥して固化させてから該絶縁材料をローラーで平坦化し、該絶縁材料を熱処理によって硬化させて絶縁膜を形成することを特徴とする請求項１に記載の配線回路基板の製造方法。
5. 前記絶縁膜形成ステップでは、前記基板のバンプが形成された面に熱可塑性ポリイミド樹脂を塗付し、加熱乾燥することにより固化させ、該熱可塑性ポリイミドの上に非熱可塑性ポリイミド樹脂の前躯体を塗付し、加熱することにより固化させ、該非熱可塑性ポリイミドの上に熱可塑性ポリイミド樹脂を塗付し、加熱することにより固化させて絶縁膜を形成することを特徴とする請求項１に記載の配線回路基板の製造方法。
6. 前記絶縁膜除去ステップでは、少なくとも前記バンプの頂面が露出するまで、前記絶縁膜を機械的に研磨すること特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法。
7. 前記絶縁膜除去ステップでは、前記絶縁膜の上にレジストを塗布して、前記バンプの上のレジストを露光及び現像することにより除去するとともに、前記バンプが形成されていない部分に塗布された前記レジストをマスクとして、少なくとも前記バンプの頂面が露出するまで前記バンプの上に形成されている絶縁膜をエッチングして除去することを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法。
8. 前記絶縁膜除去ステップでは、少なくとも前記バンプの頂面が露出するまで前記絶縁膜を全面的にエッチングして除去することを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法。
9. 前記絶縁膜除去ステップでは、少なくとも前記バンプの頂面が露出するまで、前記バンプの上に形成されている絶縁膜をレーザー加工により除去することを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法。
10. 前記絶縁膜除去ステップでは、少なくとも前記バンプの頂面が露出するまで、前記絶縁膜の表面に研磨剤を含んだ気体を噴射して前記絶縁膜を除去することを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法。
11. 前記絶縁膜除去ステップでは、少なくとも前記バンプの頂面が露出するまで、前記絶縁膜の表面に研磨剤を含んだ液体を噴射して前記絶縁膜を除去することを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法。
12. 前記絶縁膜形成ステップでは、前記バンプの高さより厚い絶縁膜を形成することを特徴とする請求項１乃至請求項１１のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法。
13. 前記絶縁膜形成ステップでは、前記バンプの高さより薄い絶縁膜を形成することを特徴とする請求項１乃至請求項１１のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法。
14. 配線膜形成用金属層と、該配線膜形成用金属層の上に直接又はエッチングストッパー層を介して形成されたバンプとからなる基板に対して、
    前記バンプの頂面に液状樹脂をはじく材料を塗付し、その後液状の絶縁材料を塗付し、該絶縁材料を熱処理によって固化させて絶縁膜を形成することを特徴とする配線回路基板の製造方法。
15. 前記絶縁膜除去ステップの後に、前記バンプの頂面にめっき法により金属からなる突起物を形成することを特徴とする請求項１乃至請求項１４のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法。
16. 前記めっき法により前記突起物を形成した後に、前記配線膜形成用金属層を部分的にエッチングして配線膜を形成する配線膜形成ステップを含むことを特徴とする請求項１５に記載の配線回路基板の製造方法。
17. 前記絶縁膜除去ステップの後に、前記配線膜形成用金属層を部分的にエッチングして配線膜を形成する配線膜形成ステップを含むことを特徴とする請求項１乃至請求項１４のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法。
18. 前記配線膜形成ステップの後に、前記バンプの頂面にめっき法により金属からなる突起物を形成することを特徴とする請求項１７に記載の配線回路基板の製造方法。
19. 前記絶縁膜除去ステップの後に、前記絶縁層の上に別の配線膜形成用金属層を積層するステップと、
    前記別の配線膜形成用金属層を部分的にエッチングすることで、配線膜を形成する配線膜形成ステップと、
    を含むことを特徴とする請求項１乃至請求項１４のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法。
20. 前記絶縁膜除去ステップの後に、前記絶縁膜の上に別の配線膜形成用金属層を積層するステップと、
    前記配線膜形成用金属層及び前記別の配線膜形成用金属層を部分的にエッチングすることで、上下両面に配線膜を形成する配線膜形成ステップと、
    を含むことを特徴とする請求項１乃至請求項１４のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法。
21. 前記絶縁膜除去ステップの後、前記配線膜形成用金属層を全面的にエッチングして除去するステップを含むことを特徴とする請求項１乃至請求項１４のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法。
22. 前記絶縁膜除去ステップの後に、
    前記絶縁膜の上に部分的に第１の金属膜を形成するステップと、
    前記絶縁膜の上に、かつ、前記第１の金属膜が形成されていない部分に抵抗膜を形成するステップと、
    前記第１の金属膜の上に誘電体膜を形成するステップと、
    前記誘電体膜の上に第２の金属膜を形成するステップと、
    前記配線回路基板に形成されている配線膜形成用金属層を部分的にエッチングすることにより配線膜を形成する配線膜形成ステップと、
    を含むことを特徴とする請求項１乃至請求項１４のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法。
23. 前記第１の金属膜及び前記第２の金属膜は、導電ペーストからなり、前記抵抗膜は抵抗ペーストからなり、前記誘電体膜は誘電ペーストからなることを特徴とする請求項２２に記載の配線回路基板の製造方法。
24. 前記第１の金属膜、前記第２の金属膜、前記抵抗膜及び前記誘電体膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法又は蒸着法により形成することを特徴とする請求項２２に記載の配線回路基板の製造方法。
25. 前記絶縁膜除去ステップの後に、
    前記配線膜形成用金属層を部分的にエッチングすることにより、一部の配線膜が直接又は前記エッチングストッパー層を介して前記バンプと接続するように配線膜を形成する配線膜形成ステップと、
    前記バンプの頂面が露出している面に全面的又は部分的に電磁シールドシートを設けるステップと、
    を含むことを特徴とする請求項１乃至請求項１４のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法。
26. 請求項１乃至請求項１４のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法によって製造された配線回路基板に対して、
    無電解めっき法又はスパッタリング法により前記絶縁膜及び前記バンプの頂面の上に金属からなる薄膜を形成する薄膜形成ステップと、
    前記薄膜の上に、電解めっき法により金属膜を形成する金属膜形成ステップと、
    前記金属膜の上にレジストを塗付し、パターニングすることによりレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとして前記金属膜をエッチングすることにより配線膜を形成する配線膜形成ステップと、
    を含むことを特徴とする配線回路基板の製造方法。
27. 請求項１乃至請求項１４のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法によって製造された配線回路基板に対して、
    無電解めっき法又はスパッタリング法により前記絶縁膜及び前記バンプの頂面の上に金属からなる薄膜を形成する薄膜形成ステップと、
    前記薄膜の上にレジストを塗付し、パターニングすることによりレジストパターンを形成するレジストパターン形成ステップと、
    前記レジストパターンが形成されていない薄膜の上に、めっき法により金属を析出させる析出ステップと、
    前記レジストパターンを除去し、全面的にエッチングすることにより前記薄膜を除去するステップと、
    を含むことを特徴とする配線回路基板の製造方法。
28. 請求項１乃至請求項１４のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法によって製造された配線回路基板に対して、
    前記配線回路基板の絶縁膜の一部をレーザー加工又はエッチングにより除去し、スルーホールを形成するスルーホール形成ステップと、
    無電解めっき法又はスパッタリング法により前記絶縁膜及び前記バンプの頂面の上に薄膜を形成する薄膜形成ステップと、
    前記薄膜の上に、電解めっき法により金属膜を形成する金属膜形成ステップと、
    前記金属膜の上にレジストを塗付し、パターニングすることによりレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとして前記金属膜をエッチングすることにより配線膜を形成する配線膜形成ステップと、
    を含むことを特徴とする配線回路基板の製造方法。
29. 請求項１乃至請求項１４のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法によって製造された配線回路基板に対して、
    前記配線回路基板の絶縁膜の一部をレーザー加工又はエッチングにより除去し、スルーホールを形成するスルーホール形成ステップと、
    無電解めっき法又はスパッタリング法により前記絶縁膜及び前記バンプの頂面の上に薄膜を形成する薄膜形成ステップと、
    前記薄膜の上にレジストを塗付し、パターニングすることによりレジストパターンを形成するレジストパターン形成ステップと、
    前記レジストパターンが形成されていない薄膜の上に、めっき法により金属を析出させる析出ステップと、
    前記レジストパターンを除去し、全面的にエッチングすることにより前記薄膜を除去するステップと、
    を含むことを特徴とする配線回路基板の製造方法。
30. 請求項１９に記載の配線回路基板の製造方法によって製造された配線膜が形成された配線回路基板に対して、
    請求項１５に記載の配線回路基板の製造方法によって製造されたバンプの頂面に突起物が形成された配線回路基板を、直接又はボンディングシートを介して、前記突起物が前記配線膜と接するように積層し、多層金属板を作製するステップと、
    前記多層金属板の上下両面に形成されている配線膜形成用金属層を部分的にエッチングすることにより、上下両面に配線膜を形成する配線膜形成ステップと、
    を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
31. 請求項１９に記載の配線回路基板の製造方法によって製造された配線膜が形成された配線回路基板に対して、
    請求項１３に記載の配線回路基板の製造方法によって製造されたバンプが形成された配線回路基板を、直接又はボンディングシートを介して、前記バンプの頂面が前記配線膜と接する方に積層し、多層金属板を作製するステップと、
    前記多層金属板の上下両面に形成されている配線膜形成用金属層を部分的にエッチングすることにより、上下両面に配線膜を形成する配線膜形成ステップと、
    を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
32. 請求項２０に記載の配線回路基板の製造方法によって製造された上下両面に配線膜が形成された配線回路基板の上下両面に対して、
    請求項１５に記載の配線回路基板の製造方法によって製造されたバンプの頂面に突起物が形成された配線回路基板を、前記突起物が前記配線膜と接するように積層し、多層金属板を作製するステップと、
    前記多層金属板の上下両面に形成されている配線膜形成用金属層を部分的にエッチングすることにより配線膜を形成する配線膜形成ステップと、
    を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
33. 請求項２０に記載の配線回路基板の製造方法によって製造された上下両面に配線膜が形成された配線回路基板の上下両面に対して、
    請求項１３に記載の配線回路基板の製造方法によって製造されたバンプが形成された配線回路基板を、前記バンプの頂面が前記配線膜と接するように積層し、多層金属板を作製するステップと、
    前記多層金属板の上下両面に形成されている配線膜形成用金属層を部分的にエッチングすることにより配線膜を形成する配線膜形成ステップと、
    を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
34. 請求項１７に記載の配線回路基板の製造方法により製造された配線膜が形成された配線回路基板に、
    請求項１乃至請求項１４のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法により製造されたバンプが形成された別の配線回路基板を、該バンプの頂面が該配線膜と接するように積層することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
35. 請求項１７に記載の配線回路基板の製造方法によって製造された配線回路基板に、
    請求項１７に記載の配線回路基板の製造方法によって製造された別の配線回路基板を、前記別の配線回路基板のバンプの頂面が前記配線回路基板の配線膜と接するように積層することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
36. 請求項３５に記載の多層配線基板の製造方法によって製造された多層配線基板に、
    請求項２１に記載の配線回路基板の製造方法によって製造されたバンプが形成された配線回路基板を、該バンプの底面が前記多層配線基板の配線膜と接するように積層することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
37. 請求項１７に記載の配線回路基板の製造方法によって製造された配線回路基板に対して、
    前記配線膜が形成されている面に液状の絶縁材料を塗付し、該絶縁材料を熱処理によって固化させて絶縁膜を形成する絶縁膜形成ステップと、
    前記絶縁膜の一部をレーザー加工又はエッチングにより除去し、スルーホールを形成するスルーホール形成ステップと、
    無電解めっき法又はスパッタリング法により前記絶縁膜の上に薄膜を形成する薄膜形成ステップと、
    前記薄膜の上に、電解めっき法により金属膜を形成する金属膜形成ステップと、
    前記金属膜の上にレジストを塗付し、パターニングすることによりレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとして前記金属膜をエッチングすることにより配線膜を形成する配線膜形成ステップと、
    を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
38. 請求項１７に記載の配線回路基板の製造方法によって製造された配線回路基板に対して、
    前記配線膜が形成されている面に液状の絶縁材料を塗付し、該絶縁材料を熱処理によって固化させて絶縁膜を形成する絶縁膜形成ステップと、
    前記絶縁膜の一部をレーザー加工又はエッチングにより除去し、スルーホールを形成するスルーホール形成ステップと、
    無電解めっき法又はスパッタリング法により前記絶縁膜の上に薄膜を形成する薄膜形成ステップと、
    前記の上にレジストを塗付し、パターニングすることによりレジストパターンを形成するレジストパターン形成ステップと、
    前記レジストパターンが形成されていない薄膜の上に、めっき法により金属を析出させる析出ステップと、
    前記レジストパターンを除去し、全面的にエッチングすることにより前記薄膜を除去するステップと、
    を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
    
    

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