JP2002185097A - 接続方法とその方法を用いた回路板とその製造方法並びに半導体パッケージとその製造方法 - Google Patents

接続方法とその方法を用いた回路板とその製造方法並びに半導体パッケージとその製造方法

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insulating resin
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英博 中村
Toshihiro Endo
俊博 遠藤
Tetsuya Enomoto
哲也 榎本
Fumio Inoue
文男 井上
Yoshiaki Tsubomatsu
良明 坪松
Akishi Nakaso
昭士 中祖
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Abstract

(57)【要約】 【課題】精度に優れ、かつ効率に優れた接続方法とその
方法を用いた回路板とその製造方法並びに半導体パッケ
ージとその製造方法を提供すること。 【解決手段】絶縁樹脂に埋められた埋設導体と、その絶
縁樹脂の表面の表面導体とを接続する方法であって、そ
の埋設導体とその表面導体との間隔が50μｍ以下の箇所
の表面導体を除去して開口部を設け、その開口部に露出
した絶縁樹脂を除去し、埋設導体と表面導体とをめっき
で接続する接続方法とその接続方法を用いて、埋設導体
を、表面導体と表面導体を形成した絶縁樹脂層の反対面
の外層導体とを接続する接続導体に用いた回路板と、そ
の製造方法と、半導体パッケージと、その製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、接続方法とその方
法を用いた回路板とその製造方法並びに半導体パッケー
ジとその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、配線板における２層の導体層環の
接続方法としては、スルーホールによるものとバイアホ
ールによるものが主流であり、そのスルーホールやバイ
アホール内を金属化するものであるが、その金属化に
は、穴内にめっきを行うものや、穴内を導電性ペースト
で埋めるものが通常である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、近年では、
電子機器の発達に伴い、配線板の回路導体の精度を高く
し、配線密度を高くする必要が出てきたが、スルーホー
ルを用いたのでは、多層にしたときに、その間に挟まれ
る層にはスルーホールがとおる箇所には配線を形成する
ことができす、配線密度が高くても配線収容量が増加し
ないという課題があった。
【０００４】また、バイアホールは、通常、内層回路の
上に絶縁樹脂層と銅箔を重ねて積層接着し、バイアホー
ルとなる箇所の銅箔をエッチング除去して開口部を形成
し、その開口部に露出した絶縁樹脂を、レーザ光を照射
して内層回路が露出するまで蒸散させ、内層回路がその
底面に露出したバイアホールを形成し、銅箔と内層回路
を接続するためにめっきを行う。この穴径は、約０．３
ｍｍ程度である。ところが、この方法は、１穴ごとにレ
ーザ光の照射を行わなければならず、１枚の原材料全て
のレーザ加工をするには時間がかかり、効率的でないと
いう課題がある。また、このレーザ光を照射して形成し
たバイアホールの形状は、すりばち状になるので、内層
回路との接続面積を確保するためには、バイアホールと
なる箇所に形成する銅箔の開口部は、あまり小さくでき
ず、現状の０．３ｍｍが限度と考えられる。
【０００５】本発明は、精度に優れ、かつ効率に優れた
接続方法とその方法を用いた回路板とその製造方法並び
に半導体パッケージとその製造方法を提供することを目
的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、以下のことを
特徴とする。 （１）絶縁樹脂に埋められた埋設導体と、その絶縁樹脂
の表面の表面導体とを接続する方法であって、その埋設
導体とその表面導体との間隔が50μｍ以下の箇所の表面
導体を除去して開口部を設け、その開口部に露出した絶
縁樹脂を除去し、埋設導体と表面導体とをめっきで接続
する接続方法。 （２）絶縁樹脂に埋められた埋設導体と、その絶縁樹脂
の表面の表面導体とを接続する方法であって、その埋設
導体とその表面導体との間隔が50μｍ以下の箇所の表面
導体を除去して開口部を設け、その開口部に露出した絶
縁樹脂を除去し、埋設導体と表面導体とを導電ペースト
で接続する接続方法。 （３）開口部に露出した絶縁樹脂の除去を、化学エッチ
ング液で行う（１）または（２）に記載の接続方法。 （４）化学エッチング液が、強アルカリ溶液である
（３）に記載の接続方法。 （５）絶縁樹脂に、充填材を含むものを用いる（３）ま
たは（４）に記載の接続方法。 （６）充填材が、絶縁性セラミックスウイスカである
（５）に記載の接続方法。 （７）絶縁樹脂に、紙や布を含浸させたものを用いる
（３）または（４）に記載の接続方法。 （８）エッチング除去の後に、中和処理を行う（３）〜
（７）のうちいずれかに記載の接続方法。 （９）エッチング除去の後に、ブラスト処理を行う
（３）〜（７）のうちいずれかに記載の接続方法。 （１０）絶縁樹脂に埋められた埋設導体と、その絶縁樹
脂の表面の表面導体とを接続する方法であって、その埋
設導体とその表面導体との間隔が50μｍ以下の箇所の表
面導体を除去して開口部を設け、その開口部に露出した
絶縁樹脂を除去し、埋設導体と表面導体とをめっきで接
続する方法を用いて、埋設導体を、表面導体と表面導体
を形成した絶縁樹脂層の反対面の外層導体とを接続する
接続導体に用いた回路板。 （１１）絶縁樹脂に埋められた埋設導体と、その絶縁樹
脂の表面の表面導体とを接続する方法であって、その埋
設導体とその表面導体との間隔が50μｍ以下の箇所の表
面導体を除去して開口部を設け、その開口部に露出した
絶縁樹脂を除去し、埋設導体と表面導体とを導電ペース
トで接続する方法を用いて、埋設導体を、表面導体と表
面導体を形成した絶縁樹脂層の反対面の外層導体とを接
続する接続導体に用いた回路板。 （１２）少なくとも、接続導体となる第１の金属層と、
その第１の金属層と除去条件の異なる第２の金属層から
なる複合金属層の、第１の金属層を選択的に除去し、２
層以上の導体回路の接続する箇所にのみ埋設導体を形成
し、その埋設導体を埋めるように絶縁樹脂層とその上に
金属層を形成し、接続する箇所の金属導体を除去して開
口部を形成し、埋設導体が露出するように絶縁樹脂層を
除去し、埋設導体と金属層とを電気的に接続する工程を
有する回路板の製造方法。 （１３）少なくとも、接続導体となる第１の金属層と、
その第１の金属層の一方の面にその第１の金属層と除去
条件の異なる第２の金属層を、接続する箇所にのみ形成
して埋設導体とし、その埋設導体を埋めるように絶縁樹
脂層とその上に金属層を形成し、接続する箇所の金属導
体を除去して開口部を形成し、埋設導体が露出するよう
に絶縁樹脂層を除去し、埋設導体と金属層とを電気的に
接続する工程を有する回路板の製造方法。 （１４）埋設導体が露出するように絶縁樹脂層を除去し
た後に、第２の金属層を選択的に除去し、導体回路を形
成する工程を有する（１２）または（１３）に記載の回
路板の製造方法。 （１５）埋設導体が露出するように絶縁樹脂層を除去し
た後に、第２の金属層を全て除去する工程を有する（１
３）に記載の回路板の製造方法。 （１６）複合金属層が、第１の金属層と第２の金属層と
さらに第３の金属層からなるものであり、第２の金属層
と第３の金属層の除去条件が異なるものを用いる（１
２）に記載の回路板の製造方法。 （１７）埋設導体が露出するように絶縁樹脂層を除去し
た後に、第３の金属層を選択的に除去し、導体回路を形
成する工程を有する（１６）に記載の回路板の製造方
法。 （１８）埋設導体が露出するように絶縁樹脂層を除去し
た後に、第３の金属層を全て除去する工程を有する（１
６）に記載の回路板の製造方法。 （１９）第３の金属層を除去した後に、露出した第２の
金属層を除去する（１７）または（１８）に記載の回路
板の製造方法。 （２０）絶縁樹脂が、充填材を含むものである（１２）
〜（１９）のうちいずれかに記載の回路板の製造方法。 （２１）充填材が、絶縁性セラミックスウイスカである
（２０）に記載の回路板の製造方法。 （２２）絶縁樹脂が、紙や布を含浸させたものである
（１２）〜（１９）のうちいずれかに記載の回路板の製
造方法。 （２３）絶縁樹脂に埋められた埋設導体と、その絶縁樹
脂の表面の表面導体とを接続する方法であって、その埋
設導体とその表面導体との間隔が50μｍ以下の箇所の表
面導体を除去して開口部を設け、その開口部に露出した
絶縁樹脂を除去し、埋設導体と表面導体とをめっきで接
続し、埋設導体を、表面導体と表面導体を形成した絶縁
樹脂層の反対面の外層導体とを接続する接続導体に加工
する回路板の製造方法。 （２４）絶縁樹脂に埋められた埋設導体と、その絶縁樹
脂の表面の表面導体とを接続する方法であって、その埋
設導体とその表面導体との間隔が50μｍ以下の箇所の表
面導体を除去して開口部を設け、その開口部に露出した
絶縁樹脂を除去し、埋設導体と表面導体とを導電ペース
トで接続し、埋設導体を、表面導体と表面導体を形成し
た絶縁樹脂層の反対面の外層導体とを接続する接続導体
に加工する回路板の製造方法。 （２５）開口部に露出した絶縁樹脂の除去を、化学エッ
チング液で行う（２３）または（２４）に記載の回路板
の製造方法。 （２６）化学エッチング液に、強アルカリ溶液を用いる
（２５）に記載の回路板の製造方法。 （２７）絶縁樹脂に、充填材を含むものを用いる（２
３）〜（２６）のうちいずれかに記載の回路板の製造方
法。 （２８）充填材が、絶縁性セラミックスウイスカである
（２７）に記載の回路板の製造方法。 （２９）絶縁樹脂に、紙や布を含浸させたものを用いる
（２３）〜（２６）のうちいずれかに記載の回路板の製
造方法。 （３０）エッチング除去の後に、中和処理を行う（２
３）〜（２９）のうちいずれかに記載の回路板の製造方
法。 （３１）エッチング除去の後に、ブラスト処理を行う
（２３）〜（２９）のうちいずれかに記載の回路板の製
造方法。 （３２）絶縁樹脂に埋められた埋設導体と、その絶縁樹
脂の表面の表面導体とを接続する方法であって、その埋
設導体とその表面導体との間隔が50μｍ以下の箇所の表
面導体を除去して開口部を設け、その開口部に露出した
絶縁樹脂を除去し、埋設導体と表面導体とをめっきで接
続する方法を用いて、埋設導体を、表面導体と表面導体
を形成した絶縁樹脂層の反対面の外層導体とを接続する
接続導体に用いた回路板に、半導体チップを搭載した半
導体パッケージ。 （３３）絶縁樹脂に埋められた埋設導体と、その絶縁樹
脂の表面の表面導体とを接続する方法であって、その埋
設導体とその表面導体との間隔が50μｍ以下の箇所の表
面導体を除去して開口部を設け、その開口部に露出した
絶縁樹脂を除去し、埋設導体と表面導体とを導電ペース
トで接続する方法を用いて、埋設導体を、表面導体と表
面導体を形成した絶縁樹脂層の反対面の外層導体とを接
続する接続導体に用いた回路板に、半導体チップを搭載
した半導体パッケージ。 （３４）絶縁樹脂層に、半導体チップを搭載するキャビ
ティを形成した（３２）または（３３）に記載の半導体
パッケージ。 （３５）絶縁樹脂が、充填材を含むものである（３２）
〜（３４）のうちいずれかに記載の半導体パッケージ。 （３６）充填材が、絶縁性セラミックスウイスカである
（３５）に記載の半導体パッケージ。 （３７）絶縁樹脂が、紙や布を含浸させたものである
（３２）〜（３４）のうちいずれかに記載の半導体パッ
ケージ。 （３８）絶縁樹脂に埋められた埋設導体と、その絶縁樹
脂の表面の表面導体とを接続する方法であって、その埋
設導体とその表面導体との間隔が50μｍ以下の箇所の表
面導体を除去して開口部を設け、その開口部に露出した
絶縁樹脂を除去し、埋設導体と表面導体とをめっきで接
続し、埋設導体を、表面導体と表面導体を形成した絶縁
樹脂層の反対面の外層導体とを接続する接続導体に加工
し、半導体チップを搭載する半導体パッケージの製造方
法。 （３９）絶縁樹脂に埋められた埋設導体と、その絶縁樹
脂の表面の表面導体とを接続する方法であって、その埋
設導体とその表面導体との間隔が50μｍ以下の箇所の表
面導体を除去して開口部を設け、その開口部に露出した
絶縁樹脂を除去し、埋設導体と表面導体とを導電ペース
トで接続し、埋設導体を、表面導体と表面導体を形成し
た絶縁樹脂層の反対面の外層導体とを接続する接続導体
に加工し、半導体チップを搭載する半導体パッケージの
製造方法。 （４０）絶縁樹脂に、半導体チップを搭載するキャビテ
ィを形成する工程を有する（３８）または（３９）に記
載の半導体パッケージの製造方法。 （４１）半導体チップを搭載した箇所を、封止樹脂で封
止する（３８）〜（４０）のうちいずれかに記載の半導
体パッケージの製造方法。 （４２）開口部に露出した絶縁樹脂の除去を、化学エッ
チング液で行う（３８）〜（４１）のうちいずれかに記
載の半導体パッケージの製造方法。 （４３）化学エッチング液に、強アルカリ溶液を用いる
（４２）に記載の半導体パッケージの製造方法。 （４４）絶縁樹脂に、充填材を含むものを用いる（４
２）または（４３）に記載の半導体パッケージの製造方
法。 （４５）充填材が、絶縁性セラミックスウイスカである
（４４）に記載の半導体パッケージの製造方法。 （４６）絶縁樹脂に、紙や布を含浸させたものを用いる
（４２）または（４３）に記載の半導体パッケージの製
造方法。 （４７）エッチング除去の後に、中和処理を行う（４
２）〜（４６）のうちいずれかに記載の半導体パッケー
ジの製造方法。 （４８）エッチング除去の後に、ブラスト処理を行う
（４２）〜（４６）のうちいずれかに記載の半導体パッ
ケージの製造方法。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の絶縁樹脂には、半硬化お
よび／または硬化した熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、熱
可塑性樹脂などを用いることができる。
【０００８】熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、ポ
リイミド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、シリコーン変
性ポリアミドイミド樹脂などのうちから選択された１種
以上と、必要な場合に、その硬化剤、硬化促進剤などを
混合したものを加熱し半硬化状にしたもの、あるいは硬
化したものが使用できる。これらの樹脂を、直接、接続
用導体を形成した基板面に塗布することもできるが、ポ
リエチレンテレフタレートフィルムのようなプラスチッ
クフィルムや銅箔あるいはアルミニウム箔のような金属
箔をキャリアとし、その表面に塗布し、加熱乾燥してド
ライフィルム状にした接着剤シートとして、必要な大き
さに切断し、接続用導体を形成した基板にラミネートや
プレスして用いることもできる。
【０００９】光硬化性樹脂としては、不飽和ポリエステ
ル樹脂、ポリエステルアクリレート樹脂、エポキシアク
リレート樹脂などのうちから選択された１種以上と、必
要な場合に、その光開始剤、硬化剤、硬化促進剤などを
混合したものを露光あるいは加熱し半硬化状にしたも
の、あるいは硬化したものが使用できる。これらの樹脂
を直接、接続用導体を形成した基板面に塗布することも
できるが、ポリエチレンテレフタレートフィルムのよう
なプラスチックフィルムや銅箔あるいはアルミニウム箔
のような金属箔をキャリアとし、その表面に塗布し、露
光、加熱乾燥してドライフィルム状にした接着剤シート
として、必要な大きさに切断し、接続用導体を形成した
基板にラミネートやプレスして用いることもできる。
【００１０】熱可塑性樹脂としては、熱可塑性ポリイミ
ド樹脂、ポリアミドイミド樹脂などのうちから選択され
た１種以上と、必要な場合に、その硬化剤、硬化促進剤
などを混合したものを加熱し半硬化状にしたもの、ある
いは硬化したものが使用できる。これらの樹脂を直接、
接続用導体を形成した基板面に塗布することもできる
が、ポリエチレンテレフタレートフィルムのようなプラ
スチックフィルムや銅箔あるいはアルミニウム箔のよう
な金属箔をキャリアとし、その表面に塗布し、加熱乾燥
してドライフィルム状にした接着剤シートとして、必要
な大きさに切断し、接続用導体を形成した基板にラミネ
ートやプレスして用いることもできる。
【００１１】これらの接着性樹脂層は、異種の樹脂の混
合体であってもよく、さらにシリカや金属酸化物などの
無機フィラーを含むものでもよく、ニッケル、金、銀な
どの導電粒子、あるいはこれらの金属をめっきした樹脂
粒子であってもよい。
【００１２】中でも、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、
ポリアミドイミド樹脂、エポキシアクリレート樹脂など
を用いることができる。
【００１３】このうちエポキシ樹脂は、エポキシ樹脂及
び硬化剤を含む熱硬化性樹脂組成物を硬化させて得られ
る。この熱硬化性樹脂組成物には、さらに、必要に応じ
て硬化促進剤、触媒、エラストマ、難燃剤などを加えて
もよい。 （エポキシ樹脂）エポキシ樹脂は、分子内にエポキシ基
を有するものであればどのようなものでもよく、ビスフ
ェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキ
シ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、脂環式エポ
キシ樹脂、脂肪族鎖状エポキシ樹脂、フェノールノボラ
ック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ
樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ビ
フェノールのジグリシジリエーテル化物、ナフタレンジ
オールのジグリシジリエーテル化物、フェノール類のジ
グリシジリエーテル化物、アルコール類のジグリシジル
エーテル化物、及びこれらのアルキル置換体、ハロゲン
化物、水素添加物などがある。これらは併用してもよ
く、エポキシ樹脂以外の成分が不純物として含まれてい
てもよい。
【００１４】特に、ハロゲン化ビスフェノールＡ型エポ
キシ樹脂、ハロゲン化ビスフェノールＦ型エポキシ樹
脂、ハロゲン化ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂等のテ
トラブロモビスフェノールＡ等のハロゲン化ビスフェノ
ール化合物とエピクロルヒドリンを反応させて得られる
べきエポキシ樹脂のようにエーテル基が結合しているベ
ンゼン環のエーテル基に対してオルト位が塩素、臭素等
のハロゲン原子で置換されているエポキシ樹脂を使用し
たときに、エッチング液によるエポキシ樹脂硬化物の分
解及び／又は溶解の効率がよい。
【００１５】このエポキシ樹脂用硬化剤は、エポキシ樹
脂を硬化させるものであれば、限定することなく使用で
き、例えば、多官能フェノール類、アミン類、イミダゾ
ール化合物、酸無水物、有機リン化合物およびこれらの
ハロゲン化物などがある。
【００１６】多官能フェノール類の例として、単環二官
能フェノールであるヒドロキノン、レゾルシノール、カ
テコール,多環二官能フェノールであるビスフェノール
Ａ、ビスフェノールＦ、ナフタレンジオール類、ビフェ
ノール類、及びこれらのハロゲン化物、アルキル基置換
体などがある。更に、これらのフェノール類とアルデヒ
ド類との重縮合物であるノボラック、レゾールがある。
【００１７】アミン類の例としては、脂肪族あるいは芳
香族の第一級アミン、第二級アミン、第三級アミン、第
四級アンモニウム塩及び脂肪族環状アミン類、グアニジ
ン類、尿素誘導体等がある。
【００１８】これらの化合物の一例としては、Ｎ、Ｎ−
ベンジルジメチルアミン、２−（ジメチルアミノメチ
ル）フェノール、２、４、６−トリス（ジメチルアミノ
メチル）フェノール、テトラメチルグアニジン、トリエ
タノールアミン、Ｎ、Ｎ’−ジメチルピペラジン、１、
４−ジアザビシクロ［２、２、２］オクタン、１、８−
ジアザビシクロ［５、４、０］−７−ウンデセン、１、
５−ジアザビシクロ［４、４、０］−５−ノネン、ヘキ
サメチレンテトラミン、ピリジン、ピコリン、ピペリジ
ン、ピロリジン、ジメチルシクロヘキシルアミン、ジメ
チルヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、ジイソブ
チルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン、ジフェニルアミ
ン、Ｎ−メチルアニリン、トリ−ｎ−プロピルアミン、
トリ−ｎ−オクチルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、
トリフェニルアミン、テトラメチルアンモニウムクロラ
イド、テトラメチルアンモニウムブロマイド、テトラメ
チルアンモニウムアイオダイド、トリエチレンテトラミ
ン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルエ
ーテル、ジシアンジアミド、トリルビグアニド、グアニ
ル尿素、ジメチル尿素等がある。
【００１９】イミダゾール化合物の例としては、イミダ
ゾール、２−エチルイミダゾール、２−エチル−４−メ
チルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−フェ
ニルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、１−
ベンジル−２−メチルイミダゾール、２−ヘプタデシル
イミダゾール、４、５−ジフェニルイミダゾール、２−
メチルイミダゾリン、２−フェニルイミダゾリン、２−
ウンデシルイミダゾリン、２−ヘプタデシルイミダゾリ
ン、２−イソプロピルイミダゾール、２、４−ジメチル
イミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾー
ル、２−エチルイミダゾリン、２−フェニル−４−メチ
ルイミダゾリン、ベンズイミダゾール、１−シアノエチ
ルイミダゾールなどがある。
【００２０】酸無水物の例としては、無水フタル酸、ヘ
キサヒドロ無水フタル酸、ピロメリット酸二無水物、ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物等がある。
【００２１】有機リン化合物としては、有機基を有する
リン化合物であれば特に限定されずに使用でき、例え
ば、ヘキサメチルリン酸トリアミド、リン酸トリ（ジク
ロロプロピル）、リン酸トリ（クロロプロピル）、亜リ
ン酸トリフェニル、リン酸トリメチル、フェニルフォス
フォン酸、トリフェニルフォスフィン、トリ−ｎ−ブチ
ルフォスフィン、ジフェニルフォスフィンなどがある。
【００２２】これらの硬化剤は、単独、或いは、組み合
わせて用いることもできる。
【００２３】これらエポキシ樹脂用硬化剤の配合量は、
エポキシ基の硬化反応を進行させることができれば、特
に限定することなく使用できるが、好ましくは、エポキ
シ基１モルに対して、０．０１〜５．０当量の範囲で、
特に好ましくは０．８〜１．２当量の範囲で使用する。
【００２４】また、この熱硬化性エポキシ樹脂組成物に
は、必要に応じて硬化促進剤を配合してもよい。代表的
な硬化促進剤として、第三級アミン、イミダゾール類、
第四級アンモニウム塩等があるが、これに限定されるも
のではない。 （ポリイミド樹脂）ポリイミドは、酸無水物とジアミン
の重縮合によって得られ、これら酸成分とジアミン成分
の組み合わせによって種々のポリイミドの構造がある。
原料としてはピロメリット酸二無水物、ビフェニルテト
ラカルボン酸二無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン
酸二無水物、オキシジアニリン、バラフェニレンジアミ
ン、ベンゾフェノンジアミンなどがある。 （ポリアミドイミド樹脂）ポリアミドイミド樹脂は、シ
リコーン変性ポリアミドイミドを用いることができ、こ
のシリコーン変性ポリアミドイミドは、シロキサン結
合、イミド結合及びアミド結合を有する重合体であり、
その製造方法は、以下の３つの方法がある。 （１）シロキサン結合を有するジイミドジカルボン酸を
含むジイミドジカルボン酸（１−１）とジイソシアネー
ト化合物（１−２）を反応させる方法、（２）シロキサ
ン結合を有するジアミンを含むジアミン化合物（２−
２）とトリカルボン酸クロライド（２−３）を反応させ
る方法、（３）シロキサン結合を有するジイソシアネー
トを含むジイソシアネート化合物（３−１）とトリカル
ボン酸無水物（３−２）を反応させる方法等により製造
することができる。
【００２５】上記（１）の方法により得られるシリコー
ン変性ポリアミドイミドについて詳述すると、（１−
１）シロキサン結合を有するジイミドジカルボン酸を含
むジイミドジカルボン酸として、例えば、次の化合物が
ある。
【００２６】シロキサン結合を有するジイミドジカルボ
ン酸以外のジイミドジカルボン酸のうちイミド基を連結
する２価の残基が芳香族ジイミドジカルボン酸の例とし
て、
【００２７】
【化１】
【００２８】また、シロキサン結合を有するジイミドジ
カルボン酸の例として、１式においてＲ１が２価の脂肪
族基（酸素を含んでいてもよい）のものがある。２価の
脂肪族基としては、プロピレン基、ヘキサメチレン基、
オクタメチレン基、デカメチレン基、オクタデカメチレ
ン基等のアルキレン基、アルキレン基の両端に酸素が結
合した基などがある。
【００２９】
【化２】
【００３０】上記の２価の有機基としては、プロピレン
基等のアルキレン基、フェニレン基、アルキル基置換フ
ェニレン基等がある。
【００３１】また、（１−２）ジイソシアネート化合物
としては、芳香族ジイソシアネート化合物として、
【００３２】
【化３】
【００３３】また、Ｒ９としては、アルキレン基等の２
価の脂肪族基又はシクロアルキレン基等の２価の脂環式
基がある脂肪族ジイソシアネート化合物又は脂環式ジイ
ソシアネート化合物がある。
【００３４】シロキサン結合を有するジイミドジカルボ
ン酸及びそれ以外のジイミドジカルボン酸は、それぞ
れ、シロキサン結合を有するジアミン化合物及びこれ以
外のジアミンと無水トリメリット酸を反応させて得るこ
とができる。
【００３５】シロキサン結合を有するジイミドジカルボ
ン酸及びそれ以外のジイミドジカルボン酸は混合物とし
て使用することが好ましい。
【００３６】シロキサン結合を有するジアミン化合物及
びこれ以外のジアミンの混合物と無水トリメリット酸を
反応させて得られるジイミドジカルボン酸混合物を使用
することが特に好ましい。
【００３７】シロキサン結合を有するジアミン化合物以
外のジアミンとしては、芳香族ジアミンが好ましく、特
に、芳香族環を３個以上有するジアミンが好ましい。シ
ロキサン結合を有するジアミン化合物以外のジアミンの
うち芳香族ジアミンが５０〜１００モル％になるように
使用することが好ましい。
【００３８】また、（Ａ）シロキサン結合を有するジア
ミン化合物以外のジアミン及び（Ｂ）シロキサンジアミ
ンは（Ａ）／（Ｂ）が９９．９／０．１〜０．１／９
９．９モル比）となるように使用することが好ましい。
さらに、（Ａ）シロキサン結合を有するジアミン化合物
以外のジアミン及び（Ｂ）シロキサンジアミンと無水ト
リメリット酸は、（Ａ）＋（Ｂ）の合計１モルに対して
無水トリメリット酸２．０５〜２．２０の割合で反応さ
せることが好ましい。
【００３９】ジイソシアネート化合物としては、芳香族
ジイソシアネート化合物が好ましく、ジイソシアネート
化合物のうち芳香族ジイソシアネート化合物を５０〜１
００モル％使用することが好ましい。
【００４０】ジイミドジカルボン酸全体とジイソシアネ
ート化合物とは前者１モルに対して後者１．０５〜１．
５０モルになるように反応させることが好ましい。
【００４１】ジアミン化合物と無水トリメリット酸と
は、非プロトン性極性溶媒の存在下に、５０〜９０℃で
反応させ、さらに水と共沸可能な芳香族炭化水素を非プ
ロトン性極性溶媒の０．１〜０．５重量比で投入し、１
２０〜１８０℃で反応を行い、イミドジカルボン酸とシ
ロキサンジイミドジカルボン酸を含む混合物を製造し、
これとジイソシアネート化合物との反応を行うことが好
ましい。ジイミドジカルボン酸を製造した後、その溶液
から芳香族炭化水素を除去することが好ましい。
【００４２】イミドジカルボン酸とジイソシアネート化
合物との反応温度は、低いと反応時間が長くなること
や、高すぎるとイソシアネート同士で反応するのでこれ
らを防止するため、１００〜２００℃で反応させること
が好ましい。
【００４３】芳香族ジアミンとしては、フェニレンジア
ミン、ビス（４−アミノフェニル）メタン、２，２−ビ
ス（４−アミノフェニル）プロパン、ビス（４−アミノ
フェニル）カルボニル、ビス（４−アミノフェニル）ス
ルホン、ビス（４−アミノフェニル）エーテル等があ
り、特に、芳香族環を３個以上有するジアミンとして
は、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェ
ニル］プロパン（以下、ＢＡＰＰと略す）、ビス［４−
（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス
［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、
２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］ヘキサフルオロプロパン、ビス［４−（４−アミノ
フェノキシ）フェニル］メタン、４，４’−ビス（４−
アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス［４−（４−アミ
ノフェノキシ）フェニル］エーテル、ビス［４−（４−
アミノフェノキシ）フェニル］ケトン、１，３−ビス
（４−アミノフェノキシ）ベンゼン等がある。
【００４４】脂肪族ジアミンとしては、ヘキサメチレン
ジアミン、オクタメチレンジアミン、デカメチレンジア
ミン、オクタデカメチレンジアミン、末端アミノ化プロ
ピレングリコール等がある。また、脂環式ジアミンとし
ては、１，４−ジアミノシクロヘキサン等がある。
【００４５】シロキサンジアミンとしては一般式（４
式）で表されるものが用いられる。
【００４６】
【化４】
【００４７】このようなシロキサンジアミンとしては
（５式）で示すものが挙げられ、これらの中でもジメチ
ルシロキサン系両末端アミンであるアミノ変性反応性シ
リコーンオイルＸ−２２−１６１ＡＳ（アミン当量４５
０）、Ｘ−２２−１６１Ａ（アミン当量８４０）、Ｘ−
２２−１６１Ｂ（アミン当量１５００）、以上信越化学
工業株式会社製商品名、ＢＹ１６−８５３（アミン当量
６５０）、ＢＹ１６−８５３Ｂ（アミン当量２２００）
以上東レダウコーニングシリコーン株式会社製商品名な
どが市販品として挙げられる。
【００４８】
【化５】
【００４９】芳香族ジイソシアネートとして具体的に
は、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート（以
下ＭＤＩと略す）、２，４−トリレンジイソシアネー
ト、２，６−トリレンジイソシアネート、ナフタレン−
１，５−ジイソシアネート、２，４−トリレンダイマー
等が例示できる。特にＭＤＩは、分子構造においてイソ
シアネート基が離れており、ポリアミドイミドの分子中
におけるアミド基やイミド基の濃度が相対的に低くな
り、溶解性が向上するため好ましい。
【００５０】脂肪族又は脂環式ジイソシアネートとして
は、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイ
ソシアネート、メチレンビス（シクロヘキシルジイソシ
アネート）等がある。
【００５１】非プロトン性極性溶媒として、ジメチルア
セトアミド、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキ
シド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、４−ブチロラクト
ン、スルホラン、シクロヘキサノン等が例示できる。イ
ミド化反応には、高温を要するため沸点の高い、Ｎ−メ
チル−２−メチルピロリドン（以下ＮＭＰと略す）が、
特に好ましい。これらの混合溶媒中に含まれる水分量は
ＴＭＡが水和して生成するトリメリット酸により、充分
に反応が進行せず、ポリマの分子量低下の原因になるた
め０．２重量％以下で管理されていることが好ましい。
また、非プロトン性極性溶媒は、特に制限されないが、
芳香族環を３個以上有するジアミンとシロキサンジアミ
ン及び無水トリメリット酸を合わせた重量の割合が、多
いと無水トリメリット酸の溶解性が低下し充分な反応が
行えなくなることや、低いと工業的製造法として不利で
あることから、１０重量％〜７０重量％の範囲になるこ
とが好ましい。
【００５２】水と共沸可能な芳香族炭化水素として、ベ
ンゼン、キシレン、エチルベンゼン、トルエン等の芳香
族炭化水素が例示でき、特に沸点が比較的低く、作業環
境上有害性の少ないトルエンが好ましく、使用量は、非
プロトン性極性溶媒の０．１〜０．５重量比（１０〜５
０重量％）の範囲が好ましい。
【００５３】つぎに、前記（２）の方法により得られる
シリコーン変性ポリアミドイミドについて説明すると、
シロキサン結合を有するジアミンを含むジアミン化合物
（２−２）として、シロキサン結合を有するジアミン、
前記した（５式）で示される化合物がある。その他のジ
アミンとして、前記したものが使用できる。
【００５４】トリカルボン酸クロライド（２−３）に
は、トリメリット酸クロライド等があり、良く知られた
酸クロライド法により製造することができる。
【００５５】つぎに、前記（３）の方法により得られる
シリコーン変性ポリアミドイミドについて説明すると、
（３−１）シロキサン結合を有するジイソシアネートを
含むジイソシアネート化合物として、シロキサン結合を
有するジイソシアネート化合物、前記（４式）で示され
るシロキサンジアミンに対応するジイソシアネート化合
物、その他のジイソシアネート化合物として、前記した
ものを使用することができる。
【００５６】トリカルボン酸無水物（３−２）には、無
水トリメリット酸等があり、従来から良く知られたジア
ミン化合物とジイソシアネート化合物の反応により製造
することができる。 （添加剤）これらの絶縁樹脂には、充填材を含む添加剤
を混合することができ、その充填材には、ガラス短繊維
や絶縁性セラミックスウイスカを用いることができる。
【００５７】このうち、絶縁性セラミックスウイスカ
は、弾性率が２００ＧＰａ以上であることが好ましく、
２００ＧＰａ未満では、配線板材料あるいは配線板とし
て用いたときに十分な剛性が得られない。
【００５８】このようなものとして、例えば、硼酸アル
ミニウム、ウォラストナイト、チタン酸カリウム、塩基
性硫酸マグネシウム、窒化けい素、及びα−アルミナの
中から選ばれた１以上のものを用いることができる。な
かでも、硼酸アルミニウムウィスカーと、チタン酸カリ
ウムウィスカーは、モース硬度が、一般的なプリプレグ
基材に用いるＥガラスとほぼ同等であり、従来のプリプ
レグと同様のドリル加工性を得ることができる。硼酸ア
ルミニウムウィスカーは、弾性率がほぼ４００ＧＰａと
高く、樹脂ワニスと混合し易く、さらに好ましい。
【００５９】このウィスカーの平均直径は、０．３μｍ
〜３μｍであることが好ましく、さらには、０．５μｍ
〜１μｍの範囲がさらに好ましい。このウィスカーの平
均直径が、０．３μｍ以下であると、樹脂ワニスへの混
合が困難となり、３μｍを越えると、微視的な樹脂への
分散が十分でなく、表面の凹凸が大きくなり好ましくな
い。
【００６０】また、この平均直径と平均長さの比は、１
０以上であることが、さらに剛性を高めることができ、
好ましい、さらに好ましくは、２０以上である。この比
が１０未満であると、繊維としての補強効果が小さくな
る。この平均長さの上限は、１００μｍであり、さらに
好ましくは５０μｍである。この上限を越えると、樹脂
ワニス中への分散が困難となる他、２つの導体回路に１
つのウィスカーが接触する確率が高くなり、ウィスカー
の繊維に沿って銅イオンのマイグレーションが発生する
確率が高くなる。
【００６１】また、多層プリント配線板の、剛性、耐熱
性及び耐湿性を高めるために、樹脂との濡れ性や結合性
に優れたカップリング剤で表面処理した電気絶縁性のウ
ィスカーを使用することが好ましく、このようなカップ
リング剤として、シリコン系カップリング剤、チタン系
カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、ジル
コニウム系カップリング剤、ジルコアルミニウム系カッ
プリング剤、クロム系カップリング剤、ボロン系カップ
リング剤、リン系カップリング剤、アミノ酸系カップリ
ング剤等から選択して使用することができる。
【００６２】熱硬化性樹脂とセラミック系ウィスカーの
割合は、硬化した樹脂中のウィスカーの体積分率が５％
〜５０％の範囲となるように調整することが好ましい。
硬化した樹脂中のウィスカーの体積分率が５％未満であ
ると、銅箔付プリプレグ（銅箔／熱硬化性樹脂層）が切
断時に樹脂が細かく砕けて飛散するなど、取扱が著しく
困難であり、配線板としたときに剛性が低くなる。一方
ウィスカーの体積分率が５０％を越えると、加熱加圧成
形時の穴や回路間隙への埋め込みが不十分となり、成形
後にボイドやかすれを発生し、絶縁性が低下する。ま
た、樹脂とウィスカーの割合は、硬化した樹脂中のウィ
スカーの体積分率は、２０〜４０％であることが、さら
に好ましい。 （埋設導体）その絶縁樹脂に埋められた埋設導体は、２
層以上の導体回路の接続する箇所にのみ絶縁樹脂層を厚
さ方向に貫くように形成されていることが重要であり、
このことによって、従来の技術のうち、エラストマにワ
イヤを埋め込んだ接続ツールでは、一定間隔でワイヤが
埋め込まれているので、接続を行う２層の回路導体の位
置が少しでもずれると接続が出来なかったり、あるいは
予定していない箇所が接続されるおそれがあり、回路導
体の精度が高く、微細な回路の接続を行うことが困難で
あるのに対して、接続を予定されていない箇所に導体を
形成しない本発明の方法が、精度に優れた回路間の接続
に適している。 （表面導体）その絶縁樹脂の表面の表面導体は、絶縁樹
脂の表面側に導体をプレスで接合してもよく、めっきで
形成してもよく、スパッタで形成してもよい。表面導体
の厚さは１００μｍ以下の場合が望ましく、１８μｍ以
下の場合が最適である。 （間隔）その埋設導体とその表面導体との間隔が５０μ
ｍ以下であるとき、選択的に表面導体をエッチング除去
して開口部を設け、その開口部に露出した絶縁樹脂を除
去することが出来る。その埋設導体とその表面導体との
間隔は３０μｍ以下の場合が望ましく、５〜１０μｍの
場合が最適である。その埋設導体とその表面導体との間
隔が５０μｍ以上の場合には樹脂のエッチングに必要な
時間が長くなり好ましくない。またその埋設導体とその
表面導体との間隔を５μｍ以下にするのは技術的に困難
である。 （開口部）その埋設導体とその表面導体との間隔が５０
μｍ以下となる箇所の表面導体を除去して設ける開口部
の形状は、円形状でも楕円形でも矩形でもよい。開口部
の大きさは、開口部の外接円がφ２０μｍ以上の場合が
好ましく、φ５０μｍ以上が最適である。開口部の大き
さがφ２０μｍ以下の場合は、絶縁樹脂を除去すること
は困難である。開口部の位置は、埋設導体の直上が望ま
しい。開口部の深さは、埋設導体の一部もしくは全部が
現れればよく、深さはどうでもよい。 （レーザ）その開口部に露出した絶縁樹脂を除去するに
は、レーザ光を照射する方法と、化学エッチング液で行
う方法とがある。
【００６３】このレーザ光を照射する場合、炭酸ガスレ
ーザ、ＵＶ−ＹＡＧレーザ等、特に制限されない。穴あ
け条件は、めっき銅の厚さと接着剤の種類及び接着剤の
厚さにより調整しなければならず、実験的に求めるのが
好ましく、エネルギー量としては、０．００１Ｗ〜１Ｗ
の範囲内であって、レーザ発振用の電源をパルス状に印
加し、一度に大量のエネルギーが集中しないよう制御し
なければならない。この穴あけ条件の調整は、内層回路
板の内層回路に達する穴があけられることと、穴径をで
きるだけ小さくするために、レーザ発振用の電源を駆動
するパルス波形デューティー比で１／１０００〜１／１
０の範囲で、１〜２０ショット（パルス）であることが
好ましい。波形デューティー比が１／１０００未満であ
ると穴をあけるのに時間がかかりすぎ効率的でなく、１
／１０を越えると照射エネルギーが大きすぎて穴径が１
ｍｍ以上に大きくなり実用的でない。ショット（パル
ス）数は、穴内の接着剤が内層回路に達するところまで
蒸発できるようにする数を実験的に求めればよく、１シ
ョット未満では穴があけられず、２０ショットを越える
と、１ショットのパルスの波形デューティー比が１／１
０００近くであっても穴径が大きくなり実用的でない。 （エポキシ樹脂のエッチング液）樹脂が前記のエポキシ
樹脂の場合には、エッチング液はアミド系溶媒、アルカ
リ金属化合物のアルコール系溶媒溶液、水を配合、混合
して調製する。
【００６４】このエッチング液構成成分であるアミド系
溶媒は、どのようなものでもよく、例えば、Ｎ−メチル
ホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メ
チルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、
Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチル尿素、２−ピロリド
ン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、カルバミド酸エステ
ルなどがある。
【００６５】これらのうち、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトア
ミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドンが引火点が７０℃以
上と高く、さらにエポキシ樹脂硬化物を膨潤させる効果
があり、分解物の溶解性が良好なために特に好ましい。
これらの溶媒は併用することができるし、またその他の
溶媒と併用しても構わない。
【００６６】このエッチング液構成成分であるアルカリ
金属化合物は、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビ
ジウム、セシウム等のアルカリ金属化合物でアルコール
系溶媒に溶解するものであればどのようなものでもよ
く、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジ
ウム、セシウム等の金属、水素化物、水酸化物、ホウ水
素化物、アミド、フッ化物、塩化物、臭化物、ヨウ化
物、ホウ酸塩、リン酸塩、炭酸塩、硫酸塩、硝酸塩、有
機酸塩、フェノール塩などがある。これらのうち、アル
カリ金属水酸化物が好ましく、水酸化リチウム、水酸化
ナトリウム、水酸化カリウムが特に好ましい。
【００６７】このエッチング液構成成分であるアルコー
ル系溶媒は、どのようなものでもよく、例えば、メタノ
ール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノー
ル、１−ブタノール、２−ブタノール、iso-ブタノー
ル、tert−ブタノール、１−ペンタノール、２−ペンタ
ノール、３−ペンタノール、２−メチル−１−ブタノー
ル、iso-ペンチルアルコール、tert−ペンチルアルコー
ル、３−メチル−２−ブタノール、ネオペンチルアルコ
ール、１−ヘキサノール、２−メチル−１−ペンタノー
ル、４−メチル−２−ペンタノール、２−エチル−１−
ブタノール、１−ペプタノール、２−ヘプタノール、３
−ヘプタノール、シクロヘキサノール、１−メチルシク
ロヘキサノール、２−メチルシクロヘキサノール、３−
メチルシクロヘキサノール、４−メチルシクロヘキサノ
ール、エチレングリコール、エチレングリコールモノメ
チルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテ
ル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレ
ングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコー
ル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチ
レングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコ
ールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノ
ブチルエーテル、トリエチレングリコール、トリエチレ
ングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコ
ールモノエチルエーテル、テトラエチレングリコール、
ポリエチレングリコール、１，２−プロパンジオール、
１，３−プロパンジオール、１，２−ブタンジオール、
１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、
２，３−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、
グリセリン、ジプロピレングリコールなどがある。これ
らのうちエチレングリコール、ジエチレングリコール、
ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレン
グリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコール
モノブチルエーテル、１，２−プロパンジオールが引火
点が８０℃以上と高く、さらにアルカリ金属化合物の溶
解性が高いために、特に好ましい。これらの溶媒は、何
種類かを併用することもできる。
【００６８】このエッチング液に用いるアミド系溶媒の
濃度は、３０重量％より低いとエポキシ硬化物の膨潤
性、分解物の溶解性が低下するため好ましくなく、８９
重量％より高いと結果的にアルカリ金属化合物の濃度が
低下するため、エポキシ樹脂硬化物の分解速度が低下し
たり、水の濃度が低下して引火してしまうため好ましく
ない。
【００６９】アルコール系溶媒溶液のアルカリ金属化合
物濃度は、０．５重量％より低いと、エポキシ樹脂硬化
物の分解速度が低下するため好ましくなく、４０重量％
より高いとアルコール系溶媒にアルカリ金属化合物が完
全に溶解できないので好ましくない。
【００７０】水の濃度は、１０重量％より低いと、エッ
チング液が引火性を示すため好ましくなく、３０重量％
より高いとエポキシ硬化物の膨潤性が低下するため、エ
ポキシ樹脂硬化物の分解速度が低下するため好ましくな
い。
【００７１】このようにして得られたエッチング液に界
面活性剤等を添加して使用しても構わない。また、エッ
チングの際にエッチング液を９０℃前後まで加熱して使
用しても構わない。エッチング方法としては、エッチン
グ液中に浸してもよいし、さらに気泡を発生させたり、
超音波により振動を与えたりしても構わない。液中に浸
さなくともスプレー等を使用しても構わないし、さらに
高圧をかけても構わない。 （ポリイミド樹脂のエッチング液）絶縁樹脂にポリイミ
ド樹脂を用いたときには、エッチング液として、アミン
類溶媒、アルカリ金属化合物、水を配合、混合して調製
する。場合によりさらにイソプロピルアルコールやヒド
ラジンや尿素を少量混合する。
【００７２】このエッチング液構成成分であるアミン類
溶媒は、アルキル基をもつものであれば何でもよく、例
えばモノメタノールアミン、エチレンジアミンなどがあ
る。
【００７３】このエッチング液構成成分であるアルカリ
金属化合物は、アルカリ金属水酸化物が好ましく、水酸
化カリウムが特に好ましい。 （ポリアミドイミド樹脂のエッチング液）絶縁樹脂にポ
リアミドイミド樹脂を用いたときには、エッチング液と
して、アミン類溶媒、アルカリ金属化合物、水を配合、
混合して調製する。場合によりさらにイソプロピルアル
コールやヒドラジンや尿素を少量混合する。
【００７４】このエッチング液構成成分であるアミン類
溶媒は、アルキル基をもつものであれば何でもよく、例
えばモノメタノールアミン、エチレンジアミンなどがあ
る。
【００７５】このエッチング液構成成分であるアルカリ
金属化合物は、アルカリ金属水酸化物が好ましく、水酸
化カリウムが特に好ましい。 （エッチング後処理）このようにしてバイアホールを形
成した後に、バイアホール内の接着剤のかすを除去する
ためにデスミア処理を行う。このデスミア処理は、一般
的な酸性の酸化性粗化液やアルカリ性の酸化性粗化液を
用いることができる。例えば、酸性の酸化性粗化液とし
ては、クロム／硫酸粗化液があり、アルカリ性の酸化粗
化液は過マンガン酸カリウム粗化液等を用いることがで
きる。
【００７６】接着剤を酸化性の粗化液で粗化した後、絶
縁樹脂表面の酸化性粗化液を化学的に中和する必用があ
るが、これも一般的な手法を取り入れることができる。
【００７７】例えば、クロム／硫酸粗化液を用いたとき
には、亜硫酸水素ナトリウム１０ｇ／ｌを用いて室温で
５分間処理し、また、過マンガン酸カリウム粗化液を用
いたときには、硫酸１５０ｍｌ／ｌと過酸化水素水１５
ｍｌ／ｌの水溶液に室温で５分間浸漬して中和を完了さ
せるなどである。
【００７８】また、エッチング除去の後に、ブラスト処
理を行うこともでき、このようなブラスト処理とは、水
や溶剤のような溶媒に、ダイアモンド、ルビー、酸化ア
ルミニウム、炭素粉、砂などの固形粒子を混合したもの
を高圧で吹き付ける加工方法である。このブラスト処理
は、エッチング処理した後に残った樹脂かすの除去だけ
でなく、ガラスファイバーやウイスカなどの充填材を除
去するのに公的である。このときのブラスト粒子は、粒
度＃２０〜＃５００のもので、硬度Ｈｋ２０００のもの
が好ましく、粒度が＃５００を超えると、エッチング除
去した樹脂かすを除去する能力が低く、除去に長時間か
かってしまうことと、ブラスト粒子が樹脂の凹凸に残り
やすくその表面にめっきをすることが困難になるおそれ
がある。粒度が＃２０以下の場合は、直径０．１ｍｍ以
下のバイアホール内に侵入する量が低下し、樹脂かすや
フィラーを除去するのが困難になるので好ましくない。 （接続）このような接続方法を用いて回路板を製造する
には、少なくとも、接続導体となる第１の金属層と、そ
の第１の金属層と除去条件の異なる第２の金属層からな
る複合金属層の、第１の金属層を選択的に除去し、２層
以上の導体回路の接続する箇所にのみ埋設導体を形成
し、その埋設導体を埋めるように絶縁樹脂層とその上に
金属層を形成し、接続する箇所の金属導体を除去して開
口部を形成し、埋設導体が露出するように絶縁樹脂層を
除去し、埋設導体と金属層とを電気的に接続する工程を
有することが必要である。
【００７９】また、少なくとも、接続導体となる第１の
金属層と、その第１の金属層の一方の面にその第１の金
属層と除去条件の異なる第２の金属層を、接続する箇所
にのみ形成して埋設導体とし、その埋設導体を埋めるよ
うに絶縁樹脂層とその上に金属層を形成し、接続する箇
所の金属導体を除去して開口部を形成し、埋設導体が露
出するように絶縁樹脂層を除去し、埋設導体と金属層と
を電気的に接続する工程を有することでもよい。
【００８０】このときに、埋設導体が露出するように絶
縁樹脂層を除去した後に、第２の金属層を選択的に除去
し、導体回路を形成してもよい。
【００８１】埋設導体が露出するように絶縁樹脂層を除
去した後に、第２の金属層を全て除去して、必要な場合
には、その面に必要な箇所にのみ導体を形成することも
できる。
【００８２】また、複合金属層が、第１の金属層と第２
の金属層とさらに第３の金属層からなるものであり、第
２の金属層と第３の金属層の除去条件が異なるものを用
いることもできる。
【００８３】埋設導体が露出するように絶縁樹脂層を除
去した後に、第３の金属層を選択的に除去し、導体回路
を形成してもよい。
【００８４】埋設導体が露出するように絶縁樹脂層を除
去した後に、第３の金属層を全て除去した後、必要な場
合には、その面に必要な箇所にのみ導体を形成すること
もできる。さらに、第３の金属層を除去した後に、露出
した第２の金属層を除去することもできる。
【００８５】埋設導体と表面導体とをめっきで接続する
には、過マンガン酸カリウムなどで絶縁樹脂層に粗化処
理を施し、シーダーを通した後にめっきを成長させる。
【００８６】また、埋設導体と表面導体とを導電ペース
トで接続することもでき、その場合には印刷により接続
する。 （回路板）この接続方法を用いて回路板とするには、埋
設導体を、表面導体と表面導体を形成した絶縁樹脂層の
反対面の外層導体とを接続する接続導体に用いることに
よって可能である。
【００８７】この埋設導体は、次のようにして形成する
ことができる。すなわち、この埋設導体には、配線導体
として用いるものでよく、銅箔などの金属箔の不要な個
所をエッチング除去して形成することもでき、除去条件
の異なる金属箔の上に回路の形状にのみ無電解めっきで
形成することもできる。この埋設導体の厚さは、５〜１
００μｍの範囲であることが好ましい。厚さが５μｍ未
満であると、接続しようとする導体回路の距離が小さく
なり、絶縁性が低下することがあり、厚さが１００μｍ
を越えると、金属箔の不要な箇所をエッチング除去する
ときの加工精度が低下し、好ましくない。より好ましく
は、２０〜８０μｍの範囲である。
【００８８】さらには、その埋設導体上に、バンプと呼
ばれる突起状の導体を形成してもよい。このバンプを形
成するには、比較的厚い導体の突起部分以外の個所を厚
さ方向にハーフエッチングして突起の部分を形成し、さ
らに薄くなった導体の回路部分を残してほかの部分をエ
ッチング除去することによって形成できる。
【００８９】また、別の方法では、回路を形成した後
に、接続端子の個所だけめっきによって厚くする方法で
も形成できる。
【００９０】外層導体には、銅やアルミニウムなどを用
いることが出来る。また、その外層導体表面に金やニッ
ケルなどのめっきを施しても良い。
【００９１】
【実施例】図１（ａ）に示すように、第１の金属層２が
厚さ６５μｍの銅であり、第２の金属層３が厚さ０．２
μｍのニッケルであり、第３の金属層４が厚さ３５μｍ
の銅からなる複合金属層５を準備し、図１（ｂ）に示す
ように、第１の金属層２の表面に、埋設導体の形状にエ
ッチングレジスト６を形成し、図１（ｃ）に示すよう
に、ニッケルを浸食しないエッチング液であるアルカリ
エッチングＡプロセス液（メルストリップ社製、商品
名）をスプレー噴霧して、第１の金属層２を選択的にエ
ッチング除去して、埋設導体７を形成した。この時のエ
ッチングレジスト６には、レジストＮＣＰ２２５（ニチ
ゴーモートン株式会社製、商品名）を用い、複合金属箔
５に、ロール温度１１０℃、ロール速度は０．６ｍ／ｍ
ｉｎの条件でレジストをラミネートし、積算露光量約８
０ｍＪ／ｃｍ2の露光条件で焼き付け、炭酸ナトリウム
溶液で現像し、レジストの密着を確実なものとするため
に２００ｍＪ／ｃｍ2で後露光した。第１の金属層２を
選択的にエッチング除去して埋設導体７を形成した後、
水酸化ナトリウム溶液でエッチングレジスト６を剥離・
除去した。その後、ニッケルエッチング液であるメルス
トリップＮ−９５０（メルストリップ社製、商品名）に
浸漬して第２の金属層３であるニッケルを選択的にエッ
チング除去して第３の金属層４である銅を露出させた。
次に、図１（ｄ）に示すように、作製した埋設導体７付
き複合金属箔の埋設導体７側に、絶縁樹脂層８として、
加圧成形後の厚さが４５μｍとなる、ガラス不織布にエ
ポキシ樹脂を含浸させたプリプレグであるＥ６７９−Ｐ
（日立化成工業株式会社製、商品名）を重ね、さらにそ
の絶縁樹脂層８の表面に、厚さ１８μｍの銅箔の表面を
粗化し、絶縁樹脂層８に接するように重ね、１８５℃の
温度と、４.５ＭＰａの圧力を、６０分間加えて、加熱
・加圧して積層一体化することで表面導体９とした。図
２（e）に示すように表面導体９の表面にエッチングレ
ジスト１０を形成し、アルカリエッチングＡプロセス液
（メルストリップ社製、商品名）をスプレー噴霧して、
表面導体９を選択的にエッチング除去して開口部を設
け、水酸化ナトリウム溶液でエッチングレジスト１０を
剥離・除去した。この基板をエッチング液に浸して図２
（ｆ）に示すようにほぼ２５μｍの厚みのエポキシ樹脂
を除去し、その後中和液で中和した。エポキシ樹脂を除
去した部分のガラス繊維を除去するために、スプレー洗
浄を行い、その後過マンガン酸でスミア処理した。表面
導体９と埋設導体７を電気的に接続するために、無電解
銅めっき液であるＬ−５９めっき液（日立化成工業株式
会社製、商品名）を用いてめっきする。このことによ
り、図２（ｇ）に示すように、厚さ５μｍの導体１１を
形成した。
【００９２】図２（ｈ）に示すように、このように作製
した回路板の両面にある銅箔で不要な個所を選択的にエ
ッチング除去して外層回路１２を形成した。次に図３
（ｉ）に示すように、この外層回路１２の上に、半導体
チップ１３の裏面にダイボンドフィルム１４を貼ったも
のを接着固定した。このときのダイボンドフィルム１４
には、ＤＦ−１００（日立化成工業株式会社製）を使用
した。その後、図３（ｊ）に示すように、ワイヤーボン
ダーＵＴＣ２３０（株式会社新川製、商品名）で、半導
体チップ上の端子と外層導体１２とを、直径２５μｍの
金線１５でワイヤーボンディングで接続し、さらに図３
（ｋ）に示すように、半導体チップ１３とワイヤーボン
ディングした個所を封止用樹脂16であるＣＥＬ９２００
（日立化成工業株式会社製、商品名）を用いて、圧力１
０ＭＰａでトランスファーモールディングして封止し、
最後に接続端子１７であるはんだボールの一部を溶融し
て外層回路１２に融着し、半導体パッケージとした。
【００９３】
【発明の効果】本発明によって、精度に優れ、かつ効率
に優れた接続方法と、その方法を用いた回路板とその製
造方法並びに半導体パッケージとその製造方法を提供す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】（a）〜（d）は、それぞれ本発明の接続基板の
製造方法を説明するための断面図である。
【図２】（e）〜（g）は、図１の続きの工程であり、基
板両面の導体を接続する工程を説明するための断面図で
ある。
【図３】（h）〜（k）は、図２の続きの工程であり、基
板から半導体パッケージを製造する工程を説明するため
の断面図である。
【符号の説明】
２．第１の金属層 ３．第２
の金属層 ４．第３の金属層 ５．複合
金属層 ６．エッチングレジスト ７．埋設
導体 ８．絶縁樹脂層 ９．表面
導体 １０．エッチングレジスト １１．導
体 １２．外層回路 １３．半
導体チップ １４ダイボンドフィルム １５．金
線 １６．封止用樹脂 １７．接
続端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｃ０８Ｋ 3/00 Ｃ０８Ｌ 101/00 Ｃ０８Ｌ 101/00 Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｎ (72)発明者 井上 文男 茨城県つくば市和台 日立化成工業株式会 社総合研究所内 (72)発明者 坪松 良明 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社総合研究所内 (72)発明者 中祖 昭士 茨城県つくば市和台 日立化成工業株式会 社総合研究所内 Ｆターム(参考） 4J002 CD021 CD041 CD051 CD061 CD111 CD121 CM041 DE146 DE186 DG046 DJ006 DK006 DL006 FA046 FA066 FD016 GQ05 5E317 AA24 BB01 BB11 CC17 CC31 CC51 CD01 CD25 CD27 CD32 GG14 GG17

Claims (48)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】絶縁樹脂に埋められた埋設導体と、その絶
    縁樹脂の表面の表面導体とを接続する方法であって、そ
    の埋設導体とその表面導体との間隔が50μｍ以下の箇所
    の表面導体を除去して開口部を設け、その開口部に露出
    した絶縁樹脂を除去し、埋設導体と表面導体とをめっき
    で接続する接続方法。
  2. 【請求項２】絶縁樹脂に埋められた埋設導体と、その絶
    縁樹脂の表面の表面導体とを接続する方法であって、そ
    の埋設導体とその表面導体との間隔が50μｍ以下の箇所
    の表面導体を除去して開口部を設け、その開口部に露出
    した絶縁樹脂を除去し、埋設導体と表面導体とを導電ペ
    ーストで接続する接続方法。
  3. 【請求項３】開口部に露出した絶縁樹脂の除去を、化学
    エッチング液で行う請求項１または２に記載の接続方
    法。
  4. 【請求項４】化学エッチング液が、強アルカリ溶液であ
    る請求項３に記載の接続方法。
  5. 【請求項５】絶縁樹脂に、充填材を含むものを用いる請
    求項３または４に記載の接続方法。
  6. 【請求項６】充填材が、絶縁性セラミックスウイスカで
    ある請求項５に記載の接続方法。
  7. 【請求項７】絶縁樹脂に、紙や布を含浸させたものを用
    いる請求項３または４に記載の接続方法。
  8. 【請求項８】エッチング除去の後に、中和処理を行う請
    求項３〜７のうちいずれかに記載の接続方法。
  9. 【請求項９】エッチング除去の後に、ブラスト処理を行
    う請求項３〜７のうちいずれかに記載の接続方法。
  10. 【請求項１０】絶縁樹脂に埋められた埋設導体と、その
    絶縁樹脂の表面の表面導体とを接続する方法であって、
    その埋設導体とその表面導体との間隔が50μｍ以下の箇
    所の表面導体を除去して開口部を設け、その開口部に露
    出した絶縁樹脂を除去し、埋設導体と表面導体とをめっ
    きで接続する方法を用いて、埋設導体を、表面導体と表
    面導体を形成した絶縁樹脂層の反対面の外層導体とを接
    続する接続導体に用いた回路板。
  11. 【請求項１１】絶縁樹脂に埋められた埋設導体と、その
    絶縁樹脂の表面の表面導体とを接続する方法であって、
    その埋設導体とその表面導体との間隔が50μｍ以下の箇
    所の表面導体を除去して開口部を設け、その開口部に露
    出した絶縁樹脂を除去し、埋設導体と表面導体とを導電
    ペーストで接続する方法を用いて、埋設導体を、表面導
    体と表面導体を形成した絶縁樹脂層の反対面の外層導体
    とを接続する接続導体に用いた回路板。
  12. 【請求項１２】少なくとも、接続導体となる第１の金属
    層と、その第１の金属層と除去条件の異なる第２の金属
    層からなる複合金属層の、第１の金属層を選択的に除去
    し、２層以上の導体回路の接続する箇所にのみ埋設導体
    を形成し、その埋設導体を埋めるように絶縁樹脂層とそ
    の上に金属層を形成し、接続する箇所の金属導体を除去
    して開口部を形成し、埋設導体が露出するように絶縁樹
    脂層を除去し、埋設導体と金属層とを電気的に接続する
    工程を有する回路板の製造方法。
  13. 【請求項１３】少なくとも、接続導体となる第１の金属
    層と、その第１の金属層の一方の面にその第１の金属層
    と除去条件の異なる第２の金属層を、接続する箇所にの
    み形成して埋設導体とし、その埋設導体を埋めるように
    絶縁樹脂層とその上に金属層を形成し、接続する箇所の
    金属導体を除去して開口部を形成し、埋設導体が露出す
    るように絶縁樹脂層を除去し、埋設導体と金属層とを電
    気的に接続する工程を有する回路板の製造方法。
  14. 【請求項１４】埋設導体が露出するように絶縁樹脂層を
    除去した後に、第２の金属層を選択的に除去し、導体回
    路を形成する工程を有する請求項１２または１３に記載
    の回路板の製造方法。
  15. 【請求項１５】埋設導体が露出するように絶縁樹脂層を
    除去した後に、第２の金属層を全て除去する工程を有す
    る請求項１３に記載の回路板の製造方法。
  16. 【請求項１６】複合金属層が、第１の金属層と第２の金
    属層とさらに第３の金属層からなるものであり、第２の
    金属層と第３の金属層の除去条件が異なるものを用いる
    請求項１２に記載の回路板の製造方法。
  17. 【請求項１７】埋設導体が露出するように絶縁樹脂層を
    除去した後に、第３の金属層を選択的に除去し、導体回
    路を形成する工程を有する請求項１６に記載の回路板の
    製造方法。
  18. 【請求項１８】埋設導体が露出するように絶縁樹脂層を
    除去した後に、第３の金属層を全て除去する工程を有す
    る請求項１６に記載の回路板の製造方法。
  19. 【請求項１９】第３の金属層を除去した後に、露出した
    第２の金属層を除去する請求項１７または１８に記載の
    回路板の製造方法。
  20. 【請求項２０】絶縁樹脂が、充填材を含むものである請
    求項１２〜１９のうちいずれかに記載の回路板の製造方
    法。
  21. 【請求項２１】充填材が、絶縁性セラミックスウイスカ
    である請求項２０に記載の回路板の製造方法。
  22. 【請求項２２】絶縁樹脂が、紙や布を含浸させたもので
    ある請求項１２〜１９のうちいずれかに記載の回路板の
    製造方法。
  23. 【請求項２３】絶縁樹脂に埋められた埋設導体と、その
    絶縁樹脂の表面の表面導体とを接続する方法であって、
    その埋設導体とその表面導体との間隔が50μｍ以下の箇
    所の表面導体を除去して開口部を設け、その開口部に露
    出した絶縁樹脂を除去し、埋設導体と表面導体とをめっ
    きで接続し、埋設導体を、表面導体と表面導体を形成し
    た絶縁樹脂層の反対面の外層導体とを接続する接続導体
    に加工する回路板の製造方法。
  24. 【請求項２４】絶縁樹脂に埋められた埋設導体と、その
    絶縁樹脂の表面の表面導体とを接続する方法であって、
    その埋設導体とその表面導体との間隔が50μｍ以下の箇
    所の表面導体を除去して開口部を設け、その開口部に露
    出した絶縁樹脂を除去し、埋設導体と表面導体とを導電
    ペーストで接続し、埋設導体を、表面導体と表面導体を
    形成した絶縁樹脂層の反対面の外層導体とを接続する接
    続導体に加工する回路板の製造方法。
  25. 【請求項２５】開口部に露出した絶縁樹脂の除去を、化
    学エッチング液で行う請求項２３または２４に記載の回
    路板の製造方法。
  26. 【請求項２６】化学エッチング液に、強アルカリ溶液を
    用いる請求項２５に記載の回路板の製造方法。
  27. 【請求項２７】絶縁樹脂に、充填材を含むものを用いる
    請求項２３〜２６のうちいずれかに記載の回路板の製造
    方法。
  28. 【請求項２８】充填材が、絶縁性セラミックスウイスカ
    である請求項２７に記載の回路板の製造方法。
  29. 【請求項２９】絶縁樹脂に、紙や布を含浸させたものを
    用いる請求項２３〜２６のうちいずれかに記載の回路板
    の製造方法。
  30. 【請求項３０】エッチング除去の後に、中和処理を行う
    請求項２３〜２９のうちいずれかに記載の回路板の製造
    方法。
  31. 【請求項３１】エッチング除去の後に、ブラスト処理を
    行う請求項２３〜２９のうちいずれかに記載の回路板の
    製造方法。
  32. 【請求項３２】絶縁樹脂に埋められた埋設導体と、その
    絶縁樹脂の表面の表面導体とを接続する方法であって、
    その埋設導体とその表面導体との間隔が50μｍ以下の箇
    所の表面導体を除去して開口部を設け、その開口部に露
    出した絶縁樹脂を除去し、埋設導体と表面導体とをめっ
    きで接続する方法を用いて、埋設導体を、表面導体と表
    面導体を形成した絶縁樹脂層の反対面の外層導体とを接
    続する接続導体に用いた回路板に、半導体チップを搭載
    した半導体パッケージ。
  33. 【請求項３３】絶縁樹脂に埋められた埋設導体と、その
    絶縁樹脂の表面の表面導体とを接続する方法であって、
    その埋設導体とその表面導体との間隔が50μｍ以下の箇
    所の表面導体を除去して開口部を設け、その開口部に露
    出した絶縁樹脂を除去し、埋設導体と表面導体とを導電
    ペーストで接続する方法を用いて、埋設導体を、表面導
    体と表面導体を形成した絶縁樹脂層の反対面の外層導体
    とを接続する接続導体に用いた回路板に、半導体チップ
    を搭載した半導体パッケージ。
  34. 【請求項３４】絶縁樹脂層に、半導体チップを搭載する
    キャビティを形成した請求項３２または３３に記載の半
    導体パッケージ。
  35. 【請求項３５】絶縁樹脂が、充填材を含むものである請
    求項３２〜３４のうちいずれかに記載の半導体パッケー
    ジ。
  36. 【請求項３６】充填材が、絶縁性セラミックスウイスカ
    である請求項３５に記載の半導体パッケージ。
  37. 【請求項３７】絶縁樹脂が、紙や布を含浸させたもので
    ある請求項３２〜３４のうちいずれかに記載の半導体パ
    ッケージ。
  38. 【請求項３８】絶縁樹脂に埋められた埋設導体と、その
    絶縁樹脂の表面の表面導体とを接続する方法であって、
    その埋設導体とその表面導体との間隔が50μｍ以下の箇
    所の表面導体を除去して開口部を設け、その開口部に露
    出した絶縁樹脂を除去し、埋設導体と表面導体とをめっ
    きで接続し、埋設導体を、表面導体と表面導体を形成し
    た絶縁樹脂層の反対面の外層導体とを接続する接続導体
    に加工し、半導体チップを搭載する半導体パッケージの
    製造方法。
  39. 【請求項３９】絶縁樹脂に埋められた埋設導体と、その
    絶縁樹脂の表面の表面導体とを接続する方法であって、
    その埋設導体とその表面導体との間隔が50μｍ以下の箇
    所の表面導体を除去して開口部を設け、その開口部に露
    出した絶縁樹脂を除去し、埋設導体と表面導体とを導電
    ペーストで接続し、埋設導体を、表面導体と表面導体を
    形成した絶縁樹脂層の反対面の外層導体とを接続する接
    続導体に加工し、半導体チップを搭載する半導体パッケ
    ージの製造方法。
  40. 【請求項４０】絶縁樹脂に、半導体チップを搭載するキ
    ャビティを形成する工程を有する請求項３８または３９
    に記載の半導体パッケージの製造方法。
  41. 【請求項４１】半導体チップを搭載した箇所を、封止樹
    脂で封止する請求項３８〜４０のうちいずれかに記載の
    半導体パッケージの製造方法。
  42. 【請求項４２】開口部に露出した絶縁樹脂の除去を、化
    学エッチング液で行う請求項３８〜４１のうちいずれか
    に記載の半導体パッケージの製造方法。
  43. 【請求項４３】化学エッチング液に、強アルカリ溶液を
    用いる請求項４２に記載の半導体パッケージの製造方
    法。
  44. 【請求項４４】絶縁樹脂に、充填材を含むものを用いる
    請求項４２または４３に記載の半導体パッケージの製造
    方法。
  45. 【請求項４５】充填材が、絶縁性セラミックスウイスカ
    である請求項４４に記載の半導体パッケージの製造方
    法。
  46. 【請求項４６】絶縁樹脂に、紙や布を含浸させたものを
    用いる請求項４２または４３に記載の半導体パッケージ
    の製造方法。
  47. 【請求項４７】エッチング除去の後に、中和処理を行う
    請求項４２〜４６のうちいずれかに記載の半導体パッケ
    ージの製造方法。
  48. 【請求項４８】エッチング除去の後に、ブラスト処理を
    行う請求項４２〜４６のうちいずれかに記載の半導体パ
    ッケージの製造方法。
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