JP2001156452A

JP2001156452A - プリント配線板の製造方法

Info

Publication number: JP2001156452A
Application number: JP33597199A
Authority: JP
Inventors: Kenji Takai; 健次高井; Akishi Nakaso; 昭士中祖; Kiyoshi Hasegawa; 清長谷川; Toyoki Ito; 豊樹伊藤; Naoyuki Urasaki; 直之浦崎; Shigeharu Ariga; 茂晴有家
Original assignee: Hitachi Chemical Co Ltd
Current assignee: Showa Denko Materials Co Ltd
Priority date: 1999-11-26
Filing date: 1999-11-26
Publication date: 2001-06-08
Anticipated expiration: 2019-11-26
Also published as: JP4505908B2

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】微細なＩＶＨであっても接続信頼性に優れたプ
リント配線板の製造方法を提供すること。【解決手段】内層導体２１を有する内層回路板２の上
に、銅箔３付絶縁層１を設け、その銅箔付絶縁層に内層
導体に達する穴４をあけ、その穴に無電解めっきによる
めっき金属１０を充填する工程を有するプリント配線板
の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プリント配線板と
その製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器の小型、軽量、高速化、
多機能化、項信頼性化の要求が高まり、その要求を満足
するため半導体回路素子の高集積化及び高速化が進んで
いる。この様な電子機器、半導体回路素子の傾向に伴
い、プリント配線板は多層化、配線の微細化、層間接続
穴の小径化という形で対応してきた。特にここ数年、高
密度化の障害となるスルーホールから隣接する層の導体
間のみを接続するインタースティシャルバイアホール
（Interstitial Via Hole、以下ＩＶＨという。）に
変えたビルドアップ配線板が各社で開発、上市されてい
る。

【０００３】このＩＶＨは、通常、穴内壁にめっきを行
って、隣接する層の導体間を電気的に接続しているが、
その穴の箇所の上に絶縁層を重ねて、さらに穴をあけ、
接続を行うのは、穴の位置合わせが困難であると共に、
穴の深さが深くなりめっき液の交換が行われにくく、金
属化が困難になるという課題があった。そこで、特開平
９−２３０６７号公報、特開平７−１７００４６号公報
及び特開平７−１７６８４６号公報に開示されているよ
うに、ＩＶＨの内部に導電性ペーストを充填すれば、穴
がふさがり、ＩＶＨの上部が平坦となるので、あおの上
に絶縁層を設けて、穴をあけても前記のようなことがな
く、配線設計の自由度が高く、部品ランド直下に層間接
続が可能で、かつＩＶＨの上にＩＶＨを設計できる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】導電性ペーストをＩＶ
Ｈに充填した層間接続は、特にＩＶＨの直径が１００μ
ｍ以下の時は、熱サイクル試験においてＩＶＨ部分が断
線しやすいという課題がある。

【０００５】本発明は、微細なＩＶＨであっても接続信
頼性に優れたプリント配線板の製造方法を提供すること
を目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、以下のことを
特徴とする。（１）内層導体を有する内層回路板の上に、銅箔付絶縁
層を設け、その銅箔付絶縁層に内層導体に達する穴をあ
け、その穴に無電解めっきによるめっき金属を充填する
工程を有するプリント配線板の製造方法。（２）銅箔付絶縁層の一部をエッチング除去して開口部
を形成し、その開口部にレーザーを照射して、その部分
の絶縁槽を蒸散し、内層導体に達する穴を設ける（１）
に記載のプリント配線板の製造方法。（３）銅箔付絶縁層の絶縁層に接している銅箔の表面粗
さが、１０点平均粗さで、０．１〜２μｍの範囲となる
粗さを有する銅箔を用いる（１）または（２）に記載の
プリント配線板の製造方法。（４）穴を充填するめっき金属が、ニッケル若しくはニ
ッケル合金である（１）〜（３）のうちいずれかに記載
のプリント配線板の製造方法。（５）穴に充填するめっき金属が、ニッケル若しくはニ
ッケル合金であって、０〜３０重量％のりんを含有して
いる（１）〜（４）のうちずれかに記載のプリント配線
板の製造方法。（６）穴に充填するめっき金属が、ニッケル若しくはニ
ッケル合金であって、０〜１５重量％のホウ素を含有し
ている（１）〜（４）のうちいずれかに記載のプリント
配線板の製造方法。（７）穴に充填されためっき金属が、ニッケル合金であ
って、金、銀、銅、すず、鉄、亜鉛、タングステン、パ
ラジウム、コバルト、マンガン、クロム、レニウムのう
ち少なくとも１種類以上を含有している（１）〜（６）
のうちいずれかに記載のプリント配線板の製造方法。（８）めっき金属を形成する無電開めっき液に、そのめ
っき金属の還元剤として、ヒドラジン、次亜リン酸塩、
ジメチルアミンボランの内いずれかを含有する無電解め
っき液を用いる（１）〜（７）のうちいずれかに記載の
プリント配線板の製造方法。（９）無電解めっき液に、ニッケルイオンを少なくとも
０．１ｍモル／ｌ以上含有するめっき液を用いる（１）
〜（８）のうちいずれかに記載のプリント配線板の製造
方法。（１０）絶縁層にあけた内層導体に達する穴を、無電解
めっきによるめっき金属で充填する工程の前処理工程と
して、無電解パラジウムめっきをＩＶＨ底部に選択的に
行う（１）〜（９）のうちいずれかに記載のプリント配
線板の製造方法。

【０００７】

【発明の実施の形態】本発明の絶縁層には、エポキシ樹
脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂
等の熱硬化性樹脂やフッ素樹脂、ポリフェニレンエーテ
ル樹脂等の熱可塑性樹脂を用ることができる。

【０００８】エポキシ樹脂は、分子内にエポキシ基を有
するものであればどのようなものでもよく、ビスフェノ
ールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹
脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ
樹脂、脂肪族鎖状エポキシ樹脂、フェノールノボラック
型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹
脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ビフ
ェノールのジグリシジリエーテル化物、ナフタレンジオ
ールのジグリシジリエーテル化物、フェノール類のジグ
リシジリエーテル化物、アルコール類のジグリシジルエ
ーテル化物、及びこれらのアルキル置換体、ハロゲン化
物、水素添加物などがある。これらは併用してもよく、
エポキシ樹脂以外の成分が不純物として含まれていても
よい。

【０００９】本発明において、ハロゲン化ビスフェノー
ルＡ型エポキシ樹脂、ハロゲン化ビスフェノールＦ型エ
ポキシ樹脂、ハロゲン化ビスフェノールＳ型エポキシ樹
脂等のテトラブロモビスフェノールＡ等のハロゲン化ビ
スフェノール化合物とエピクロルヒドリンを反応させて
得られるべきエポキシ樹脂のようにエーテル基が結合し
ているベンゼン環のエーテル基に対してオルト位が塩
素、臭素等のハロゲン原子で置換されているエポキシ樹
脂を使用したときに、本発明の処理液によるエポキシ樹
脂硬化物の分解及び／又は溶解の効率が特によい。

【００１０】本発明で使用するエポキシ樹脂用硬化剤
は、エポキシ樹脂を硬化させるものであれば、限定する
ことなく使用でき、例えば、多官能フェノール類、アミ
ン類、イミダゾール化合物、酸無水物、有機リン化合物
およびこれらのハロゲン化物などがある。

【００１１】多官能フェノール類の例として、単環二官
能フェノールであるヒドロキノン、レゾルシノール、カ
テコール,多環二官能フェノールであるビスフェノール
Ａ、ビスフェノールＦ、ナフタレンジオール類、ビフェ
ノール類、及びこれらのハロゲン化物、アルキル基置換
体などがある。更に、これらのフェノール類とアルデヒ
ド類との重縮合物であるノボラック、レゾールがある。

【００１２】アミン類の例としては、脂肪族あるいは芳
香族の第一級アミン、第二級アミン、第三級アミン、第
四級アンモニウム塩及び脂肪族環状アミン類、グアニジ
ン類、尿素誘導体等がある。

【００１３】これらの化合物の一例としては、Ｎ、Ｎ−
ベンジルジメチルアミン、２−（ジメチルアミノメチ
ル）フェノール、２、４、６−トリス（ジメチルアミノ
メチル）フェノール、テトラメチルグアニジン、トリエ
タノールアミン、Ｎ、Ｎ’−ジメチルピペラジン、１、
４−ジアザビシクロ［２、２、２］オクタン、１、８−
ジアザビシクロ［５、４、０］−７−ウンデセン、１、
５−ジアザビシクロ［４、４、０］−５−ノネン、ヘキ
サメチレンテトラミン、ピリジン、ピコリン、ピペリジ
ン、ピロリジン、ジメチルシクロヘキシルアミン、ジメ
チルヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、ジイソブ
チルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン、ジフェニルアミ
ン、Ｎ−メチルアニリン、トリ−ｎ−プロピルアミン、
トリ−ｎ−オクチルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、
トリフェニルアミン、テトラメチルアンモニウムクロラ
イド、テトラメチルアンモニウムブロマイド、テトラメ
チルアンモニウムアイオダイド、トリエチレンテトラミ
ン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルエ
ーテル、ジシアンジアミド、トリルビグアニド、グアニ
ル尿素、ジメチル尿素等がある。

【００１４】イミダゾール化合物の例としては、イミダ
ゾール、２−エチルイミダゾール、２−エチル−４−メ
チルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−フェ
ニルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、１−
ベンジル−２−メチルイミダゾール、２−ヘプタデシル
イミダゾール、４、５−ジフェニルイミダゾール、２−
メチルイミダゾリン、２−フェニルイミダゾリン、２−
ウンデシルイミダゾリン、２−ヘプタデシルイミダゾリ
ン、２−イソプロピルイミダゾール、２、４−ジメチル
イミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾー
ル、２−エチルイミダゾリン、２−フェニル−４−メチ
ルイミダゾリン、ベンズイミダゾール、１−シアノエチ
ルイミダゾールなどがある。

【００１５】酸無水物の例としては、無水フタル酸、ヘ
キサヒドロ無水フタル酸、ピロメリット酸二無水物、ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物等がある。

【００１６】有機リン化合物としては、有機基を有する
リン化合物であれば特に限定せれずに使用でき、例え
ば、ヘキサメチルリン酸トリアミド、リン酸トリ（ジク
ロロプロピル）、リン酸トリ（クロロプロピル）、亜リ
ン酸トリフェニル、リン酸トリメチル、フェニルフォス
フォン酸、トリフェニルフォスフィン、トリ−ｎ−ブチ
ルフォスフィン、ジフェニルフォスフィンなどがある。

【００１７】これらの硬化剤は、単独、或いは、組み合
わせて用いることもできる。これらエポキシ樹脂用硬化
剤の配合量は、エポキシ基の硬化反応を進行させること
ができれば、特に限定することなく使用できるが、好ま
しくは、エポキシ基１モルに対して、０．０１〜５．０
当量の範囲で、特に好ましくは０．８〜１．２当量の範
囲で使用する。

【００１８】また、本発明の熱硬化性エポキシ樹脂組成
物には、必要に応じて硬化促進剤を配合してもよい。代
表的な硬化促進剤として、第三級アミン、イミダゾール
類、第四級アンモニウム塩等があるが、これに限定され
るものではない。

【００１９】ポリイミド樹脂には、ビスマレイミド樹脂
をアミン類で硬化させたもの、これらのプレポリマーを
エポキシ樹脂、ビスシアネートモノマ、アミノフェノー
ル、ビスフェノール、ジカルボン酸等で硬化させたもの
が使用できる。

【００２０】上記、樹脂を可溶性溶媒に溶解させ樹脂ワ
ニスとし、必要に応じ、硬化剤、反応促進剤、および難
燃剤、熱可塑性樹脂粒子、硬化促進剤、着色材、紫外線
不透過剤、酸化防止剤、還元剤などの各種添加剤や充填
材を加えて調合することができる。

【００２１】このような樹脂ワニスを、銅箔の粗化面に
塗布し、加熱・乾燥して半硬化状にし、銅箔付絶縁層と
する。このときの銅箔の粗化面の粗さは、１０点平均粗
さで、０．１〜２μｍの範囲とすることが好ましく、
０．１μｍ未満であると絶縁層と銅箔の接着力が低下
し、はんだなどの加熱によって剥がれやすくなるおそれ
があり、２μｍを越えると、絶縁性が低下するおそれが
ある。

【００２２】内層導体を有する内層回路板には、通常の
プリント配線板に用いる銅張積層板の不要な箇所の銅箔
をエッチング除去して回路導体を形成したり、あるい
は、ガラスエポキシ基板やポリイミド基板、セラミック
基板等の基板の表面に無電解めっき用接着材層を形成
し、この接着材層の表面を粗化し、必要な箇所にのみ銅
めっきを形成することによって製造されたものを用いる
ことができる。このような内層回路板は、絶縁層を形成
する前に、内層導体の表面を粗面化し、この内層導体の
上に形成される絶縁層との密着性を向上させることが好
ましい。

【００２３】内層導体を有する内層回路板の上に銅箔付
絶縁層を設けるには、前述の銅箔付絶縁層の樹脂面を、
内層回路板の内層導体に接するように重ね、加熱・加圧
して積層一体化することができる。このときの積層一体
化する条件は、通常の多層プリント配線板の条件を用い
ることができ、エポキシ樹脂を用いた絶縁層であれば、
例えば、１５０〜２００℃で、０．５〜４．０ＭＰａ、
３０〜１８０分の範囲の条件で行うことが好ましい。

【００２４】この銅箔付絶縁層に、内層導体に達する穴
をあけるには、レーザーを照射して行うが、そのレーザ
ーを照射する箇所の銅箔を予め取り除いておくことが好
ましく、形成する穴の大きさに応じて、銅箔をエッチン
グ除去し、開口部を設ける。その開口部を形成した銅箔
付絶縁層に内層導体に達する穴をあけるには、レーザー
照射によって形成することができ、炭酸ガスレーザ、Ｕ
Ｖ−ＹＡＧレーザ等、特に制限されない。穴あけ条件
は、絶縁層の種類及び絶縁層の厚さにより調整しなけれ
ばならず、実験的に求めるのが好ましく、エネルギー量
としては、０．００１Ｗ〜１Ｗの範囲内であって、レー
ザ発振用の電源をパルス状に印加し、一度に大量のエネ
ルギーが集中しないよう制御しなければならない。この
穴あけ条件の調整は、内層回路板の内層回路に達する穴
があけられることと、穴径をできるだけ小さくするため
に、レーザ発振用の電源を駆動するパルス波形デューテ
ィー比で１／１０００〜１／１０の範囲で、１〜２０シ
ョット（パルス）であることが好ましい。波形デューテ
ィー比が１／１０００未満であると穴をあけるのに時間
がかかりすぎ効率的でなく、１／１０を越えると照射エ
ネルギーが大きすぎて穴径が１ｍｍ以上に大きくなり実
用的でない。ショット（パルス）数は、穴内の接着剤が
内層回路に達するところまで蒸発できるようにする数を
実験的に求めればよく、１ショット未満では穴があけら
れず、２０ショットを越えると、１ショットのパルスの
波形デューティー比が１／１０００近くであっても穴径
が大きくなり実用的でない。

【００２５】このようにして穴を形成した後に、穴内の
絶縁層のかすを除去するためにデスミア処理を行う。こ
のデスミア処理は、一般的な酸性の酸化性粗化液やアル
カリ性の酸化性粗化液を用いることができる。例えば、
酸性の酸化性粗化液としては、クロム／硫酸粗化液があ
り、アルカリ性の酸化粗化液は過マンガン酸カリウム粗
化液等を用いることができる。絶縁層を酸化性の粗化液
で粗化した後、絶縁樹脂表面の酸化性粗化液を化学的に
中和する必要があるが、これも一般的な手法を取り入れ
ることができる。例えば、クロム／硫酸粗化液を用いた
ときには、亜硫酸水素ナトリウム１０ｇ／ｌを用いて室
温で５分間処理し、また、過マンガン酸カリウム粗化液
を用いたときには、硫酸１５０ｍｌ／ｌと過酸化水素水
１５ｍｌ／ｌの水溶液に室温で５分間浸漬して中和を完
了させるなどである。

【００２６】絶縁層にあける内層導体に達する穴をあけ
るために、絶縁層に光硬化型の絶縁材料を用い、絶縁層
の上にＩＶＨとなる箇所をマスクするフォトマスクを介
して紫外線を照射し、未露光の部分を現像して除去する
ことによっても行うことができ、絶縁層の樹脂に、オニ
ウム塩などの光開始剤を用いることにより行うことがで
きる。

【００２７】その穴に無電解ニッケルめっき若しくは無
電解ニッケル合金めっきを充填するには、無電解ニッケ
ルめっき液あるいは無電解ニッケル合金めっき液に、絶
縁層に穴をあけた積層板を浸漬処理するのであるが、そ
の無電解ニッケルめっき液あるいは無電解ニッケル合金
めっき液には、ニッケルイオンとニッケルイオンの錯化
剤、ニッケルイオンの還元剤、pH調整剤、及び必要な場
合には安定剤などの添加剤を含むものを用いることが好
ましい。無電解ニッケルめっき若しくは無電解ニッケル
合金めっきに用いる還元剤として、ヒドラジン、次亜リ
ン酸塩、ジメチルアミンボランの内いずれかを含有する
無電解めっき液を用いることが好ましい。無電解ニッケ
ルめっき若しくは無電解ニッケル合金めっきに用いるめ
っき液には、ニッケルイオンを少なくとも０．１ミリモ
ル／ｌ以上含有することが好ましく、０．１ミリモル／
ｌ未満では、めっき析出速度が遅くなるおそれがある。

【００２８】絶縁層にあけた内層導体に達する穴を、無
電解ニッケルめっき若しくは無電解ニッケル合金めっき
によって充填する工程の前処理工程として、ＩＶＨの底
に露出した内層導体を活性化するために、酸を用いるこ
とが好ましく、より好ましくは硫酸を用いる。さらに、
無電解パラジウムめっきをＩＶＨ底部に選択的に行うこ
とが好ましく、この無電解パラジウムめっきは、活性化
した内層銅パターンの上に無電解めっきを析出しやすく
するためのもので、置換パラジウムめっきが好適であ
る。この置換パラジウムめっきは、めっき液中のパラジ
ウムイオンの置換反応によって、銅上にパラジウム皮膜
を形成できるものであればよく、特に限定しない。

【００２９】無電解ニッケルめっき若しくは無電解ニッ
ケル合金めっきを充填した後に、絶縁層の表面の整面処
理を行うことが好ましく、その場合、整面処理は羽布ロ
ールやブラシロールを使用した整面研磨機やスクラブ研
磨機、センチュリー研磨機を用い、層間樹脂絶縁層表面
を羽布ロールやブラシロール、砥粒で機械的に研磨し、
ＩＶＨに充填した無電解ニッケルめっき若しくは無電解
ニッケル合金めっきと絶縁層とが同じ高さになるように
することが好ましい。

【００３０】このようにしてＩＶＨに無電解ニッケルめ
っき若しくは無電解ニッケル合金めっきを充填した基板
の表面に、回路導体を形成することができる。この回路
導体の形成は、絶縁層の表面全面にめっき銅を形成し、
必要な場合に、電解めっきを形成して厚さを調整し、不
要なめっき銅の箇所を露出するようにエッチングレジス
トを形成し、エッチングレジストから露出しためっき銅
を化学エッチング液をスプレー噴霧して、エッチング除
去することによって行うことができ、また、絶縁層の表
面に、回路導体とならない箇所にめっきレジストを形成
し、めっきレジストを形成していない箇所に、選択的に
めっきを行うことによって、回路導体を形成することも
できる。また、絶縁層の表面全面に薄く無電解めっき銅
を形成し、めっきレジストを形成して、電解銅めっきを
行い、必要な厚さにまで回路導体を形成した後、めっき
レジストを剥離して、回路導体でない箇所に形成されて
いる無電解めっき銅をエッチング除去することによって
も回路導体を形成することができる。絶縁層の表面に
は、めっき銅が密着しやすいように粗面化することが好
ましく、この粗面化には酸化剤を用いるのが好適であ
る。酸化剤にはクロム酸塩や過マンガン酸塩のような酸
化力の強い酸化剤を用いる。粗化面の窪みの深さは１〜
１０μｍ、より好ましくは２〜３μｍの範囲で、１μｍ
未満であるとめっきとの密着性が改良されないことがあ
り、１０μｍを越えると、絶縁性が低下するおそれがあ
る。

【００３１】

【実施例】図１（ａ）に示すように、絶縁基材２２に、
厚さ１８μｍの銅箔を両面に貼り合わせた厚さ０．２ｍ
ｍのガラス布基材エポキシ銅張積層板であるＭＣＬ−Ｅ
−６７９（日立化成工業株式会社製、商品名）を用い、
その不要な個所の銅箔をエッチング除去して、内層導体
回路２１を形成し、内層回路板２を作製した。その内層
回路板２の内層導体回路２１の表面処理を、ＭＥＣｅ
ｔｃｈＢＯＮＤＣＺ−８１００（メック株式会社
製、商品名）を用い、液温３５℃、スプレー圧力０．１
４７ＭＰａの条件で、スプレー噴霧処理し、銅表面を粗
面化して、粗さ３μｍ程度の凹凸をつくり、続いて、Ｍ
ＥＣｅｔｃｈＢＯＮＤＣＬ−８３００（メック株
式会社製、商品名）を用いて、液温２５℃、浸漬時間２
０秒間の条件で浸漬処理して、銅表面に防錆処理を行っ
た。図１（ｂ）に示すように、内層回路板２の両面に、
銅箔付絶縁層であるＭＣＦ−６０００Ｅ（日立化成工業
株式会社製、商品名）をラミネートした。このＭＣＦ−
６０００Ｅ（日立化成工業株式会社製、商品名）の銅箔
３の表面粗さは、１０点平均粗さで１．２μｍであり、
絶縁層１の厚さは４０μｍであった。図１（ｃ）に示す
ように、穴の箇所の銅箔をエッチング除去して直径８０
μｍの開口部４１を形成した後、炭酸ガスインパクトレ
ーザー穴あけ機Ｌ−５００（住友重機械工業株式会社
製、商品名）により、直径８０μｍの非貫通穴４をあ
け、過マンガン酸カリウム６５ｇ／ｌと水酸化ナトリウ
ム４０ｇ／ｌの混合水溶液に、液温７０℃で２分間、浸
漬し、スミアの除去を行った。次にめっき前処理とし
て、酸性脱脂液Ｚ−２００（株式会社ワールドメタル
製、商品名）に液温６０℃の条件で１分間浸漬し、それ
を過硫酸ソーダ５０ｇ／ｌに１分間浸漬し、続いて１０
ｖｏｌ％の硫酸に室温で１分間浸漬した。それをメルプ
レートアクチベータ３５０（メルテックス株式会社製、
商品名）に室温で５分間浸漬した。次に、銅箔表面の触
媒を羽布研磨により除去した。次に、無電解ニッケル−
リン合金めっきであるＮＩＰＳ−１００（日立化成工業
株式会社製、商品名）に９０℃で２時間浸漬し、図１
（ｄ）に示すように、ニッケルポストを形成した。次
に、アルカリエッチング液（アンモニア８％、過酸化水
素水０．３％混合水溶液）により銅箔のみを選択的にエ
ッチングした。次に、図１（ｅ）に示すように、基板を
パラジウム溶液であるＨＳ−２０２Ｂ（日立化成工業株
式会社製、商品名）に、２５℃で１５分間、浸漬処理
し、触媒を付着させ、ＣＵＳＴ−２０１（日立化成工業
株式会社製、商品名）を使用し、液温２５℃、３０分の
条件で無電解銅めっきを行い、厚さ０．３μｍの無電解
銅めっき層６を形成した。図１（ｆ）に示すように、フ
ォトレジスト用ドライフィルムであるフォテックＨＷ−
４２５（日立化成工業株式会社製、商品名）を、無電解
銅めっき層６の表面にラミネートし、電解銅めっきを行
う個所をマスクしたフォトマスクを介して紫外線を露光
し、現像して、めっきレジスト７を形成した。図１
（ｇ）に示すように、硫酸銅浴を用いて、液温２５℃、
電流密度１．０Ａ／ｄｍ²の条件で、電解銅めっきを１
０μｍほど行い、回路導体幅／回路導体間隔（Ｌ／Ｓ）
＝５０／５０となるように電解銅めっき層８を形成し
た。図１（ｈ）に示すように、めっきレジスト７を、１
重量％の炭酸ナトリウムにより溶解除去し、次にアンモ
ニウム系アルカリ銅エッチング液であるＡプロセス液
（メルテックス株式会社製、商品名）に室温で１分間浸
漬し、めっきレジスト７の下に形成されていた無電解銅
めっき層６をエッチング除去し、その直後に、流水で洗
浄した。そして最後に、樹脂の表面に付着した無電解め
っき用触媒のパラジウムとわずかに残った無電解銅めっ
きを除去するために、過マンガン酸カリウムを６５ｇ／
ｌと水酸化ナトリウムを４０ｇ／ｌに調整した混合水溶
液に、液温７０℃で浸漬時間２分間の条件で浸漬処理
し、樹脂ごとエッチング除去した。

【００３２】上記基板は導通不良や回路欠損がなく、外
層導体回路のめっきピールは１．４ＫＮ／ｍであった。

【００３３】

【発明の効果】以上に説明したとおり、本発明により、
微細なＩＶＨであっても接続信頼性に優れたプリント配
線板の製造方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）〜（ｈ）はいずれも、本発明の一実施例
を説明するための各工程における断面図である。

【符号の説明】

１．絶縁層２．内層回路板２２．絶縁基材２１．内層導体
回路３．銅箔４．非貫通穴４１．開口部６．無電解銅め
っき層７．めっきレジスト８．電解銅めっ
き層１０．めっき

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０５Ｋ 3/38 Ｈ０５Ｋ 3/38 Ｂ 3/40 3/40 Ｋ (72)発明者長谷川清茨城県下館市大字小川1500番地日立化成工業株式会社総合研究所内 (72)発明者伊藤豊樹茨城県下館市大字小川1500番地日立化成工業株式会社総合研究所内 (72)発明者浦崎直之茨城県下館市大字小川1500番地日立化成工業株式会社総合研究所内 (72)発明者有家茂晴茨城県下館市大字小川1500番地日立化成工業株式会社総合研究所内Ｆターム(参考） 4E351 AA03 AA04 BB01 BB33 BB38 BB49 CC07 DD03 DD12 DD17 DD19 DD21 DD28 GG02 GG11 5E317 AA24 BB02 BB03 BB12 BB13 BB14 BB15 BB16 BB18 BB19 BB24 CC32 CC36 CD01 CD05 CD12 CD15 CD18 CD25 CD27 CD32 GG09 GG14 5E343 AA02 BB24 BB67 DD51 GG04 5E346 AA06 AA12 AA15 AA32 AA43 BB01 CC08 CC32 CC51 CC57 DD12 DD22 DD32 DD47 EE31 EE38 FF02 FF03 FF05 FF07 FF08 FF09 FF10 FF13 GG15 GG17 GG27 GG28 HH07

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】内層導体を有する内層回路板の上に、銅箔
付絶縁層を設け、その銅箔付絶縁層に内層導体に達する
穴をあけ、その穴に無電解めっきによるめっき金属を充
填する工程を有するプリント配線板の製造方法。
【請求項２】銅箔付絶縁層の一部をエッチング除去して
開口部を形成し、その開口部にレーザーを照射して、そ
の部分の絶縁槽を蒸散し、内層導体に達する穴を設ける
請求項１に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項３】銅箔付絶縁層の絶縁層に接している銅箔の
表面粗さが、１０点平均粗さで、０．１〜２μｍの範囲
となる粗さを有する銅箔を用いる請求項１または２に記
載のプリント配線板の製造方法。
【請求項４】穴を充填するめっき金属が、ニッケル若し
くはニッケル合金である請求項１〜３のうちいずれかに
記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項５】穴に充填するめっき金属が、ニッケル若し
くはニッケル合金であって、０〜３０重量％のりんを含
有している請求項１〜４のうちずれかに記載のプリント
配線板の製造方法。
【請求項６】穴に充填するめっき金属が、ニッケル若し
くはニッケル合金であって、０〜１５重量％のホウ素を
含有している請求項１〜４のうちいずれかに記載のプリ
ント配線板の製造方法。
【請求項７】穴に充填されためっき金属が、ニッケル合
金であって、金、銀、銅、すず、鉄、亜鉛、タングステ
ン、パラジウム、コバルト、マンガン、クロム、レニウ
ムのうち少なくとも１種類以上を含有している請求項１
〜６のうちいずれかに記載のプリント配線板の製造方
法。
【請求項８】めっき金属を形成する無電開めっき液に、
そのめっき金属の還元剤として、ヒドラジン、次亜リン
酸塩、ジメチルアミンボランの内いずれかを含有する無
電解めっき液を用いる請求項１〜７のうちいずれかに記
載のプリント配線板の製造方法。
【請求項９】無電解めっき液に、ニッケルイオンを少な
くとも０．１ｍモル／ｌ以上含有するめっき液を用いる
請求項１〜８のうちいずれかに記載のプリント配線板の
製造方法。
【請求項１０】絶縁層にあけた内層導体に達する穴を、
無電解めっきによるめっき金属で充填する工程の前処理
工程として、無電解パラジウムめっきをＩＶＨ底部に選
択的に行う請求項１〜９のうちいずれかに記載のプリン
ト配線板の製造方法。