JP2009099964A - 配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】現像工程での歩留まり向上を図ることができるとともに、形状的に優れた微細配線パターン層を確実に形成することができる配線基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の配線基板Ｋの製造方法では、まず、樹脂絶縁層１６，１７の表面に金属層２０，２１を形成する。次に、金属層２０，２１上にアルカリ耐性を有する感光性のドライフィルム材２２，２３を貼着した後、露光及びアルカリによる現像を行って、所定パターンのめっきレジスト２２ａ，２２ｂを形成する。次に、めっきを行ってめっきレジスト２２ａ，２２ｂの開口部２４，２５に配線パターン層２８，２９を形成する。次に、有機アミン系剥離液を用いてめっきレジスト２２ａ，２２ｂを剥離する。次に、めっきレジスト２２ａ，２２ｂの直下にあった金属層２０，２１を除去する。
【選択図】 図１２

Description

本発明は、配線基板の製造方法に係り、特にはめっきレジストを形成するためのドライフィルム材及びその剥離に特徴を有する配線基板の製造方法に関するものである。

近年、電子機器の小型化、高性能化に伴って電子部品の高密度実装化が要求されており、このような高密度実装化を達成するにあたり配線基板の多層化技術が重要視されている。多層化技術を用いた具体例としては、スルーホール部を設けたコア基板の片面または両面に、樹脂絶縁層及び導体を交互に積層形成したビルドアップ層を設けたプリント配線基板（いわゆるビルドアップ配線基板）がよく知られている。この種のプリント配線基板におけるビルドアップ層は、例えば以下のような手順で作製することができる。

まず、樹脂絶縁層の表面全体に銅めっき層を形成する。次に、銅めっき層上に感光性を有するドライフィルム材を貼着した後、露光及びアルカリによる現像を行って、所定パターンのめっきレジストを形成する。次に、銅めっきを行ってめっきレジストの開口部に配線パターン層を形成した後、アルカリ剥離液を用いてめっきレジストを膨潤させて剥離する。次に、めっきレジストの直下にあった銅めっき層を除去するエッチングを行うことにより、所望形状の配線パターン層を形成する。この後、配線パターン層上にさらに樹脂絶縁層を形成し、ビア穴明けを行った後、銅めっきを行ってビア導体及び銅めっき層を形成する。そして、このようなプロセスを必要に応じて複数回繰り返すことにより、ビルドアップ層を多層化していく。なお、このようなビルドアッププロセスについては、従来いくつかの例がある（例えば、特許文献１参照）。なお近年では、配線パターン層のファインピッチ化の要請が高まってきており、例えば配線パターン層のライン幅及び隣接する配線パターン間のライン間隔を２０μｍ以下にすること（望ましくは１５μｍ以下にすること）が求められている。従って、めっきレジストにおいても同様の微細レジストパターンを正確に形成することが求められている。
特開２００５−１５０５５４号公報

しかしながら、上記従来の配線基板の製造方法に用いるドライフィルム材は、そもそもアルカリに弱い。このため、アルカリを用いた現像工程の際にドライフィルム材が膨潤する結果、微細レジストパターンが剥離する場合があったため、現像工程での歩留まりが悪いという問題があった。

それゆえ従来においては、あらかじめ銅めっき層の表面を０．４μｍ超の粗面にして、ドライフィルム材の密着性を高めるという対策を講じることにより、微細レジストパターンの剥離を防ぎ、現像工程での歩留まり向上を図るようにしていた。ところが、このような対策を行った場合、銅めっき層表面の凹凸の影響によって露光時に光が散乱し、解像度が悪化してしまう結果、形のよい微細レジストパターンを形成することができなくなる。よって、形状的に優れた微細配線パターン層を得ることが困難になるという問題があった。

本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、現像工程での歩留まり向上を図ることができるとともに、形状的に優れた微細配線パターン層を確実に形成することができる配線基板の製造方法を提供することにある。

上記課題を解決するために手段としては、樹脂絶縁層の表面に金属層を形成する工程と、前記金属層上にアルカリ耐性を有する感光性のドライフィルム材を貼着した後、露光及びアルカリによる現像を行って、所定パターンのめっきレジストを形成する工程と、めっきを行って前記めっきレジストの開口部に配線パターン層を形成する工程と、有機アミン系剥離液を用いて前記めっきレジストを剥離する工程と、前記めっきレジストの直下にあった前記金属層を除去する工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法がある。

従って、上記手段によると、アルカリ耐性を有する感光性のドライフィルム材を用いているため、露光後にアルカリによる現像を行ったとしても、ドライフィルム材が全くあるいは殆ど膨潤しない。ゆえに、ドライフィルム材の剥離が防止され、現像工程での歩留まり向上を図ることができる。また、ドライフィルム材の剥離防止対策として金属層の表面粗化を行わなくてもよくなるため、金属層表面の凹凸の程度が小さくなり、露光時における光の散乱の影響が小さくなる。この結果、高解像度を実現でき、形のよい微細レジストパターンが形成可能になり、ひいては形状的に優れた微細配線パターン層を確実に形成することができる。

上記手段にかかる製造方法では、まず、樹脂絶縁層の表面に金属層を形成する工程を行う。金属層としては導電性を有するものであれば特に限定されないが、コスト性や生産性などの観点から、無電解銅めっきにより形成された銅薄膜層であることが好ましい。

前記金属層の表面状態は特に限定されず任意であるが、例えば表面粗さＲａが０．２μｍ以上０．４μｍ以下の粗面としてもよい。この場合、上述したように、金属層表面の凹凸の程度が小さくなり、露光時における光の散乱の影響が小さくなる結果、高解像度を実現しやすくなる。なお、表面粗さＲａが０．２μｍ未満になると、ドライフィルム材の密着性が不十分になる可能性があるため、好ましくない。

金属層上にアルカリ耐性を有する感光性のドライフィルム材を貼着する工程において「アルカリ耐性を有する」とは、水酸化ナトリウム等の強いアルカリに全く膨潤しないか、あるいは従来品に比較して膨潤しにくい性質を有していることを意味する。このような性質の違いは、例えば、ドライフィルム材の主成分である樹脂材料の架橋密度の高さの違いに由来する。即ち、アルカリ耐性を有する上記手段のドライフィルム材は、従来品に比較して樹脂材料の架橋密度が高くなっている。ただし、上記手段のドライフィルム材は、有機アミンに対する耐性を有しておらず、有機アミンに晒されるとそれに若干溶解する性質を有している。これは、上記ドライフィルム材に対しては通常のアルカリが剥離液として使用できないので、有機アミンがこれに代わる剥離液として使用できることを意味する。

ドライフィルム材を貼着した後には、露光を行い、さらにアルカリによる現像を行って、所定パターンのめっきレジストを形成する。ライン幅及びライン間隔がともに１５μｍ以下の微細配線パターンを形成する場合には、それに合わせて微細レジストパターンの幅及び隣接する微細レジストパターン間の隙間の寸法を設定しておく必要がある。

めっきを行って前記めっきレジストの開口部に配線パターン層を形成する工程では、開口部の底面にて露呈する金属層上にめっきを析出させ、当該部分を厚くする。なお、下地層である前記金属層が無電解銅めっきにより形成された銅薄膜層である場合、配線パターン層を形成するためのめっきについても、無電解銅めっきを選択することが好ましい。

前記めっきレジストを剥離する工程では、有機アミン系剥離液を用いる必要があり、それにおいて主成分として含まれる有機アミンとしては、例えば、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、モノメチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチレンジアミン、イソプロピルアミン、イソプロパノールアミン、２−アミノ−２−メチル−１−プロパノール、２−アミノ−２−メチル−１，３−プロパンジオールなどが挙げられる。これらの中でも、特に有機アミンとしてモノエタノールアミンを含む剥離液が好適である。その理由は、モノエタノールアミンを含む剥離液は、アルカリ耐性を有する上記のドライフィルム材に浸透してそれを溶解しうることが確認されており、上記手段にかかる製造方法において使用するうえで好都合だからである。なお、めっきレジスト剥離工程で用いる有機アミン系剥離液には、ヒドラジンやＴＭＨなどといった添加剤が若干添加されていてもよい。
この工程において、有機アミン系剥離液の処理方法としては、特に限定されず従来周知の方法が採用可能であるが、例えば、シャワー処理やディッピング処理などが好適である。有機アミン系剥離液を用いたシャワー処理を行う場合、温度を４０℃以上７０℃以下、圧力を０．１ＭＰａ以上０．４ＭＰａ以下、時間を３分以上３０分未満とした処理条件を設定することが好ましい。また、有機アミン系剥離液を用いたディッピング処理を行う場合、温度を４０℃以上７０℃以下、時間を３分以上３０分未満とした処理条件を設定することが好ましい。このような処理条件は、生産性やコスト性を低下させることなくめっきレジストを確実に剥離できる条件であり、好ましいからである。
ここで、温度を４０℃未満、圧力を０．１ＭＰａ未満あるいは時間を３分未満に設定すると、処理条件が弱くなることで有機アミン系剥離液が十分に作用せず、めっきレジストの剥離残りが生じたりする可能性がある。逆に、温度を７０℃超、圧力を０．４ＭＰａ超、時間を３０分以上に設定すると、有機アミン系剥離液を十分に作用させることができる反面で生産性低下や製造コスト高といった問題が起こる可能性がある。また、処理条件が強くなることで、本来剥離を要するめっきレジスト以外の樹脂部分の脆化、劣化につながるおそれがある。

前記めっきレジストの直下にあった前記金属層を除去する工程では、金属層を形成している金属を溶解しうるエッチング液を用いてエッチングを行う。この工程を経ると、金属層が部分的に切り離されて、つながっていた配線パターン層同士が互いに孤立する。

以下、本発明を具体化した一実施形態の配線基板Ｋ及びその製造方法を図１〜図１３に基づき詳細に説明する。

図１に示されるように、本実施形態の配線基板Ｋは、表裏両面にビルドアップ層ＢＵ１，ＢＵ２を有する、いわゆるビルドアップ多層プリント配線基板である。この配線基板Ｋを構成するコア基板１は、表面２及び裏面３を有する平板状を呈している。

コア基板１の表面２側に配置されたビルドアップ層ＢＵ１は、樹脂絶縁層１２，１６，３０と、配線パターン層１０，２８，２８ａ，３４，３４ａとを交互に積層した構造を有している。樹脂絶縁層１２にはビアホール形成用孔１２ａが形成され、その内部には配線パターン層１０と内層配線層４とを導通させるフィルドビア導体１４が形成されている。樹脂絶縁層１６にはビアホール形成用孔１８が形成され、その内部には配線パターン層１０，２８間を導通させるフィルドビア導体２６が形成されている。

コア基板１の裏面３側に配置されたビルドアップ層ＢＵ２は、樹脂絶縁層１３，１７，３１と、配線パターン層１１，２９，２９ａ，３５，３５ａとを交互に積層した構造を有している。樹脂絶縁層１３にはビアホール形成用孔１３ａが形成され、その内部には配線パターン層１１と内層配線層５とを導通させるフィルドビア導体１５が形成されている。樹脂絶縁層１７にはビアホール形成用孔１９が形成され、その内部には配線パターン層１１，２９間を導通させるフィルドビア導体２７が形成されている。

樹脂絶縁層３０は、所定箇所に開口部３６を有するソルダーレジスト３２によって全体的に被覆されている。これらの開口部３６は樹脂絶縁層３０上に形成された配線パターン層３４を第１主面３２ａ側に露呈させており、その結果として当該配線パターン層３４が第１主面側ランドとして機能するようになっている。一方、樹脂絶縁層３１は、所定箇所に開口部３７を有するソルダーレジスト３３によって全体的に被覆されている。これらの開口部３７は樹脂絶縁層３１上に形成された配線パターン層３５を第２主面３３ａ側に露呈させており、その結果として当該配線パターン層３５が第２主面側ランドとして機能するようになっている。

また、第１主面側ランドである配線パターン層３４の上には、第１主面３２ａよりも高く突出するはんだバンプ３８が形成されている。そして、これらのはんだバンプ３８上には、はんだを介して図示しないＩＣチップ等の電子部品が接合可能となっている。一方、第２主面側ランドである配線パターン層３５は、図示しないマザーボード等のプリント配線基板と電気的に接続されるようになっている。

図１に示されるように、この配線基板Ｋの内部にはスルーホールが設けられている。本実施形態のスルーホールは、コア基板１及び樹脂絶縁層１２，１３を貫通するスルーホール形成用孔６の内壁面に円筒状のスルーホール導体７を析出させるとともに、そのスルーホール導体７の空洞部を充填樹脂９で埋めた構造を有している。そして、このスルーホールのスルーホール導体７によって、コア基板１の表面２側のビルドアップ層ＢＵ１における導体部分と、コア基板１の裏面３側のビルドアップ層ＢＵ２における導体部分との間の導通が図られている。

次に、本実施形態の配線基板Ｋの製造方法を図２〜図１３に基づいて説明する。

図２は、ビスマレイミドトリアジン(ＢＴ)樹脂を主体とする厚さ約０．７ｍｍのコア基板１の概略断面図である。コア基板１の表面２及び裏面３には、厚さ約７０μｍの銅箔４ａ，５ａがあらかじめ貼着されている。このようなコア基板１の銅箔４ａ，５ａを従来公知の手法（ここではサブトラクティブ法）でパターニングし、表面２上及び裏面３上に内層配線層４，５を形成する（図３参照）。なお、コア基板１を複数有する多数個取りのパネルを用い、各コア基板１に対して同様の工程を行ってもよい。

次に、図４に示されるように、コア基板１における表面２上及び裏面３上に、無機フィラーを含むエポキシ樹脂からなる絶縁性フィルムを被覆することにより、樹脂絶縁層１２，１３を形成する。かかる樹脂絶縁層１２，１３は、厚さが約４０μｍであって、略球形状のシリカからなる無機フィラーを３０重量％〜５０重量％含有している。なお、上記無機フィラーの平均粒径は、１．０μｍ以上１０．０μｍ以下であることがよい。

次に、樹脂絶縁層１２，１３の表面における所定の位置に対し、その厚さ方向に沿って図示しないレーザ(本実施形態では炭酸ガスレーザ)を照射する。その結果、図５に示すように、樹脂絶縁層１２，１３を貫通してその底面に内層配線層４，５を露出させる略円錐形状のビアホール形成用孔１２ａ，１３ａが形成される。さらに、ドリルを用いて所定の位置を孔明けすることにより、コア基板１及び樹脂絶縁層１２，１３を貫通する内径約２００μｍのスルーホール形成用孔６を形成する。

次に、ビアホール形成用孔１２ａ，１３ａを含む樹脂絶縁層１２，１３の表面全体及びスルーホール形成用孔６の内壁面に、パラジウムなどを含むめっき触媒を塗布した後、その上に無電解銅めっき及び電解銅めっきを施す。その結果、図６に示すように、樹脂絶縁層１２，１３の表面全体に銅めっき膜８ａ，８ｂが形成され、スルーホール形成用孔６内に厚さ約４０μｍで略円筒形のスルーホール導体７が形成される。同時に、ビアホール形成用孔１２ａ，１３ａ内には、追加の銅めっきを施すことで、フィルドビア導体１４，１５が形成される。

次に、図６に示すように、スルーホール導体７の空洞部内に無機フィラーを含む充填樹脂９のペーストを充填した後、これを熱硬化させる。なお、充填樹脂９の形成のためのペーストは、金属粉末を含む導電性のペーストであってもよい。さらに、図７に示すように、電解銅めっきを行って銅めっき膜８ａ，８ｂ上に銅めっき膜１０ｂ，１１ｂを形成する。このとき、同時に充填樹脂９の両端面を蓋めっき１０ａ，１１ａで覆うようにする。なお、銅めっき膜８ａ，１０ｂ及び銅めっき膜８ｂ，１１ｂの厚さは、それぞれ約１５μｍである。

次に、銅めっき膜８ａ，１０ｂ及び銅めっき膜８ｂ，１１ｂを従来公知のサブトラクティブ法によりエッチングし、図８に示すような配線パターン層１０，１１をそれぞれ形成する。なお、これらの配線パターン層１０，１１はビルドアップ層ＢＵ１，ＢＵ２における１層目の配線パターン層となり、その内層側にある樹脂絶縁層は１層目の樹脂絶縁層となる。

次に、図９に示されるように、１層目の樹脂絶縁層１２及び１層目の配線パターン層１０の上に上記同様の絶縁性フィルムを貼り付けて、２層目の樹脂絶縁層１６を形成する。同じく、１層目の樹脂絶縁層１３及び１層目の配線パターン層１１の上に上記同様の絶縁性フィルムを貼り付けて、２層目の樹脂絶縁層１７を形成する。さらに、上記樹脂絶縁層１６，１７の表面における所定の位置に対し、その厚さ方向に沿って前記同様のレーザ(図示せず)を照射することにより、略円錐形状のビアホール形成用孔１８，１９を形成する。ビアホール形成用孔１８，１９は、樹脂絶縁層１６，１７を貫通するとともに、その底面にて配線パターン層１０，１１の一部を露出させる。そして、上記ビアホール形成用孔１８，１９の内壁面を含む樹脂絶縁層１６，１７の表面全体に、あらかじめ前記同様のめっき触媒を塗布した後、無電解銅めっきを施す（金属層形成工程）。このような金属層形成工程を経ると、厚さ約０．５μｍの銅薄膜層２０，２１が形成される（図９中の破線を参照）。この時点における銅薄膜層２０，２１の表面粗さＲａは約０．２μｍである。

次に、図１０に示すように、銅薄膜層２０，２１の表面全体に、アクリル系樹脂を主体とする厚さ約２５μｍの感光性及び絶縁性のドライフィルム材２２，２３を貼着する。本実施形態にて選択したドライフィルム材２２，２３は、エポキシ樹脂を主体とする従来品のドライフィルム材に比較して強アルカリに膨潤しにくい性質を備えており、それゆえアルカリ耐性を有している。かかるドライフィルム材２２，２３上に図示しない露光用マスクを配置した状態で露光し、この後に水酸化ナトリウム溶液等のアルカリ現像液を用いて現像を行う。そして、上記のようなドライフィルム材貼着、露光及び現像の各工程により、図１１に示すような所定パターンのめっきレジスト２２ａ，２２ｂ，２３ａ，２３ｂを形成する（めっきレジスト形成工程）。

これらめっきレジスト２２ａ，２２ｂ，２３ａ，２３ｂのうち、狭小のめっきレジスト２２ｂ，２３ｂについては、ライン幅が１５μｍ以下（本実施形態では１０μｍ）の微細レジストパターンとなっている。また、狭小のめっきレジスト２２ｂ，２２ｂ間、あるいは２３ｂ，２３ｂ間の開口部２４ａ，２５ａの寸法（即ちライン間隔）が、１５μｍ以下（本実施形態では１０μｍ）となっている。なお、狭小のめっきレジスト２２ｂとそれに隣接するめっきレジスト２２ａとの間、あるいは狭小のめっきレジスト２３ｂとそれに隣接するめっきレジスト２３ａとの間の開口部２４ｂ，２５ｂの寸法も同様の寸法となっている。同時に、ビアホール形成用孔１８，１９の左右に隣接している銅薄膜層２０，２１の表面には、比較的広面積の開口部２４，２５が形成される。

次に、開口部２４，２４ａ，２５，２５ａの底面やビアホール形成用孔１８，１９の底面に位置する銅薄膜層２０，２１に対し、従来公知の手法により電解銅めっきを行って銅めっきを析出させる。その結果、図１２に示すように、ビアホール形成用孔１８，１９内にフィルドビア導体２６，２７が形成され、開口部２４，２５にはビア導体２６，２７と一体の配線パターン層２８，２９が形成される。同時に、各開口部２４ａ，２５ａには、断面が縦長の長方形であって、幅が１５μｍ以下(本実施形態では１０μｍ)、厚さが約２５μｍの微細配線パターン層２８ａ，２９ａが形成される（配線パターン層形成工程）。

次に、図１３に示すように、モノエタノールアミンを主成分として含む有機アミン系剥離液（０．５重量％以上、５０℃以上）を用いてめっきレジスト２２ａ，２２ｂ，２３ａ，２３ｂを剥離する（めっきレジスト剥離工程）。この後、めっきレジスト２２ａ，２２ｂ(２３ａ，２３ｂ)の直下に位置していた銅薄膜層２０(２１)を、エッチング液でソフトエッチ処理して除去する（エッチング工程）。この工程を経ると、銅薄膜層２０(２１)が切り離される。以上の結果、ライン幅及びライン間隔がともに１０μｍ程度の微細配線パターン層２８ａ，２９ａを含む配線パターン層２８，２８ａ，２９，２９ａが形成される。

さらに、配線パターン層２８，２８ａが形成された２層目の樹脂絶縁層１６の表面上に新たな樹脂絶縁層(３層目の樹脂絶縁層)３０を形成する。一方、配線パターン層２９，２９ａが形成された２層目の樹脂絶縁層１７の表面上に新たな樹脂絶縁層(３層目の樹脂絶縁層)３１を形成する。そして、これら樹脂絶縁層３０，３１における所定位置に、上記方法により図示しないビアホール形成用孔を形成する。この後、樹脂絶縁層３０，３１の表面及びビアホール形成用孔内に銅薄膜層を形成し、上述したようなドライフィルム材貼着、露光及び現像の各工程からなるめっきレジスト形成工程を行い、さらに配線パターン層形成工程、めっきレジスト剥離工程、エッチング工程を行う。その結果、ライン幅及びライン間隔がともに１０μｍ程度の微細配線パターン層３４ａ，３５ａを含む配線パターン層３４，３４ａ，３５，３５ａが、３層目の樹脂絶縁層３０，３１上にそれぞれ形成される。

さらに、３層目の樹脂絶縁層３０，３１上にそれぞれ厚さ２５μｍのソルダーレジスト３２，３３を設けるともに、開口部３６の底面にて露呈する配線パターン層３４上にはんだバンプ３８を形成し、開口部３７の底面にて露呈する配線パターン層３５上にニッケル−金めっきを施す。以上の結果、図１に示したような表裏両面にビルドアップ層ＢＵ１，ＢＵ２を備える配線基板Ｋを得ることができる。

従って、本実施の形態によれば以下の効果を得ることができる。

（１）本実施形態の製造方法では、アルカリ耐性を有する感光性のドライフィルム材２２，２３を用いてパターン形成を行っているため、露光後にアルカリによる現像を行ったとしても、ドライフィルム材２２，２３が全くあるいは殆ど膨潤しない。ゆえに、現像工程を経た時点でのドライフィルム材２２，２３の剥離が防止され、現像工程での歩留まり向上を図ることができる。従って、配線基板Ｋを高い歩留まりで製造することが可能となり、また、低コスト化が達成しやすくなる。

（２）また、本実施形態の製造方法によると、ドライフィルム材２２，２３の剥離防止対策として、銅薄膜層２０，２１の表面粗化を行う必要性がなくなる。よって、表面粗化を必須とする従来方法に比べて銅薄膜層２０，２１表面の凹凸の程度が小さくなり、露光時における光の散乱の影響が小さくなる。この結果、高解像度での露光が実現でき、寸法精度のよい微細レジストパターン２２ｂ，２３ｂが形成可能になる。それゆえ、ライン幅及びライン間隔がともに１５μｍ以下であって、かつ形状的に優れた微細配線パターンを形成する微細配線パターン層２８ａ，２９ａを確実に形成することができるようになる。

（３）本実施形態の製造方法では、モノエタノールアミンを主成分として含む有機アミン系剥離液を用いてめっきレジスト２２ａ，２２ｂ，２３ａ，２３ｂ（ドライフィルム材２２，２３）の剥離を行っている。このため、アルカリ耐性を有する上記のドライフィルム材２２，２３に剥離液を確実に作用させることができ、それを確実に剥離することができる。

なお、本発明の実施の形態は以下のように変更してもよい。

・上記実施形態では、コア基板１を形成する材料としてＢＴ樹脂を選択したが、これに限らず、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などを用いてもよく、あるいは、連続気孔を有するＰＴＦＥなど三次元網目構造のフッ素系樹脂にガラス繊維などを含有させた複合材料などを用いてもよい。なお、コア基板１は、アルミナ、窒化珪素、窒化ほう素、ベリリア、珪酸、ガラスセラミック、窒化アルミニウム等のセラミックからなる高温焼成基板であってもよいほか、約１０００℃以下の比較的低温で焼成が可能な低温焼成基板であってもよい。さらには、コア基板１は、銅合金やＦｅ−４２ｗｔ％Ｎｉ合金などからなるメタルコア基板であってもよい。また、本発明においてコア基板１は必須の構成ではないため、例えば、コアレス基板の形態を採用することも許容される。

・上記実施形態では、配線パターン層１０，１１やビア導体２６，２７などの導体部を形成する金属材料として銅を選択したが、これに限定されず銀、ニッケル、金、銅合金、鉄ニッケル合金などを採用することも可能である。あるいは、金属のめっき層を用いる代わりに、導電性樹脂を塗布するなどの方法により上記導体部を形成してもよい。

・上記実施形態では、ビア導体２６，２７の形態として内部が完全に導体で埋まっているフィルドビア導体を採用したが、内部が完全に導体で埋まってない逆円錐形状のコンフォーマルビア導体を採用することも勿論可能である。

次に、特許請求の範囲に記載された技術的思想のほかに、前述した実施の形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。

（１）樹脂絶縁層の表面に無電解銅めっきにより形成された銅薄膜層を形成する工程と、前記銅薄膜層上に強アルカリ耐性を有する一方で有機アミン耐性を有しない感光性のドライフィルム材を貼着した後、露光及び強アルカリによる現像を行って、所定パターンのめっきレジストを形成する工程と、無電解銅めっきを行って前記めっきレジストの開口部に配線パターン層を形成する工程と、エタノールアミンを含む有機アミン系剥離液を用いて前記めっきレジストを剥離する工程と、前記めっきレジストの直下にあった前記銅薄膜層をエッチングして除去する工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。

（２）コア基板の表面側及び裏面側にそれぞれビルドアップ層を備えるビルドアップ多層配線基板の製造方法であって、樹脂絶縁層の表面に無電解銅めっきにより形成された表面粗さＲａが０．２μｍ以上０．４μｍ以下の粗面を有する銅薄膜層を形成する工程と、前記銅薄膜層上に強アルカリ耐性を有する一方で有機アミン耐性を有しない感光性のドライフィルム材を貼着した後、露光及び強アルカリによる現像を行って、所定パターンのめっきレジストを形成する工程と、無電解銅めっきを行って前記めっきレジストの開口部にライン幅及びライン間隔がともに１５μｍ以下の微細配線パターンを含む配線パターン層を形成する工程と、モノエタノールアミンを含む有機アミン系剥離液を用いて前記めっきレジストを剥離する工程と、前記めっきレジストの直下にあった前記銅薄膜層をエッチングして除去する工程とを含むことを特徴とするビルドアップ多層配線基板の製造方法。

本実施形態を具体化した一実施形態の配線基板を示す部分概略断面図。 上記配線基板の製造工程を説明するための部分概略断面図。 上記配線基板の製造工程を説明するための部分概略断面図。 上記配線基板の製造工程を説明するための部分概略断面図。 上記配線基板の製造工程を説明するための部分概略断面図。 上記配線基板の製造工程を説明するための部分概略断面図。 上記配線基板の製造工程を説明するための部分概略断面図。 上記配線基板の製造工程を説明するための部分概略断面図。 上記配線基板の製造工程を説明するための部分概略断面図。 上記配線基板の製造工程を説明するための部分概略断面図。 上記配線基板の製造工程を説明するための部分概略断面図。 上記配線基板の製造工程を説明するための部分概略断面図。 上記配線基板の製造工程を説明するための部分概略断面図。

符号の説明

１２，１３，１６，１７，３０，３１…樹脂絶縁層
２０，２１…金属層としての銅薄膜層
２２，２３…ドライフィルム材
２２ａ，２２ｂ，２３ａ，２３ｂ…めっきレジスト
２４，２４ａ，２５，２５ａ…めっきレジストの開口部
２８，２８ａ，２９，２９ａ…配線パターン層
２８ａ，２９ａ…配線パターン層のうちの微細配線パターン層
Ｋ…配線基板

Claims (7)

1. 樹脂絶縁層の表面に金属層を形成する工程と、
   前記金属層上にアルカリ耐性を有する感光性のドライフィルム材を貼着した後、露光及びアルカリによる現像を行って、所定パターンのめっきレジストを形成する工程と、
   めっきを行って前記めっきレジストの開口部に配線パターン層を形成する工程と、
   有機アミン系剥離液を用いて前記めっきレジストを剥離する工程と、
   前記めっきレジストの直下にあった前記金属層を除去する工程と
   を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
2. 前記配線パターン層は、ライン幅及びライン間隔がともに１５μｍ以下の微細配線パターン層を含むことを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
3. 前記金属層は、表面粗さＲａが０．２μｍ以上０．４μｍ以下の粗面を有することを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板の製造方法。
4. 前記有機アミン系剥離液はモノエタノールアミンを含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
5. 前記金属層は、無電解銅めっきにより形成された銅薄膜層であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
6. 前記めっきレジストを剥離する工程では、温度を４０℃以上７０℃以下、圧力を０．１ＭＰａ以上０．４ＭＰａ以下、時間を３分以上３０分未満とした処理条件で、有機アミン系剥離液を用いたシャワー処理を行うことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
7. 前記めっきレジストを剥離する工程では、温度を４０℃以上７０℃以下、時間を３分以上３０分未満とした処理条件で、有機アミン系剥離液を用いたディッピング処理を行うことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。

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