CN101400220B - 配线基板的制造方法 - Google Patents

Abstract

提供一种配线基板的制造方法，能够实现提高显影工序中的成品率，并且能够切实地形成形状优良的微细配线图案层。在本发明的配线基板K的制造方法中，首先在树脂绝缘层(16、17)的表面形成金属层(20、21)。接着，在金属层(20、21)上粘贴具有耐碱性的感光性干膜材料(22、23)后，进行曝光及基于碱的显影，形成预定图案的抗电镀剂(22a、22b)。接着，进行电镀而在抗电镀剂(22a、22b)的开口部(24、25)形成配线图案层(28、29)。接着，利用有机胺类剥离液来剥离抗电镀剂(22a、22b)。接着，去除位于抗电镀剂(22a、22b)正下方的金属层(20、21)。

Description

配线基板的制造方法

技术领域

本发明涉及一种配线基板的制造方法，特别涉及在用于形成抗电镀剂的干膜材料及其剥离方面具有特征的配线基板的制造方法。

背景技术

近年来，随着电子设备的小型化、高性能化，要求电子部件的高密度安装，实现这种高密度安装时重视配线基板的多层化技术。作为利用多层化技术的具体例，公知有在设置有通孔部的芯基板的单面或双面设置组合层的印刷配线基板(所谓组合配线基板)，所述组合层交替地层叠树脂绝缘层和导体而形成。所述印刷配线基板中的组合层，例如通过以下步骤制作。

首先，在树脂绝缘层的表面整体形成镀铜层。接着，在镀铜层上粘贴具有感光性的干膜材料后，进行曝光及基于碱的显影，形成预定图案的抗电镀剂。接着，进行镀铜而在抗电镀剂的开口部形成配线图案层后，利用碱剥离液使抗电镀剂膨胀而剥离。接着，通过进行去除位于抗电镀剂正下方的镀铜层的蚀刻，形成所希望形状的配线图案层。然后，在配线图案层上进一步形成树脂绝缘层，并打开通孔后，进行镀铜而形成通孔导体以及镀铜层。并且，根据需要多次重复上述工序，从而对组合层进行多层化。另外，关于上述组合工艺，以往存在若干个例子(例如参照专利文献1)。另外，近年来配线图案层的间距密集(Fine pitch)化的要求变高，例如要求配线图案层的线路宽度以及相邻配线图案之间的线路间隔在20μm以下(优选在15μm以下)。因此，要求在抗电镀剂也准确地形成相同的微细保护图案。

专利文献1：日本专利特开2005-150554号公报

但是，在所述以往的配线基板的制造方法所使用的干膜材料对碱较脆弱。因此，在利用碱进行显影工序时干膜材料膨胀，其结果存在微细保护图案剥离的情况，因而存在显影工序中的成品率差的问题。

因此，以往预先使镀铜层的表面成为超过0.4μm的粗糙面，采取提高干膜材料的粘合性的对策，防止微细保护图案的剥离，提高显影工序中的成品率。但是，在进行上述对策的情况下，因镀铜层表面凹凸的影响，光在曝光时散射，且分辨率变差，其结果不能形成形状良好的微细保护图案。由此，存在难以得到形状优良的微细配线图案层的问题。

发明内容

本发明考虑到上述课题，目的在于提供一种配线基板的制造方法，能够实现提高显影工序中的成品率，并且能够切实地形成形状优良的微细配线图案层。

作为解决所述课题的方法，有一种配线基板的制造方法，其特征在于，包括以下工序：在树脂绝缘层的表面形成金属层；在所述金属层上粘贴具有耐碱性的感光性干膜材料后，进行曝光及基于碱的显影，形成预定图案的抗电镀剂；进行电镀而在所述抗电镀剂的开口部形成配线图案层；利用有机胺类剥离液来剥离所述抗电镀剂；和去除位于所述抗电镀剂正下方的所述金属层。

因此，根据上述所述方案，由于使用具有耐碱性的感光性干膜材料，因而即使在曝光后进行基于碱的显影，干膜材料也完全或几乎不膨胀。因此，能够防止干膜材料的剥离，能够实现提高显影工序中的成品率。此外，可以不进行金属层的表面粗糙化以作为防止干膜材料剥离的对策，因而金属层表面的凹凸程度减小，曝光时光散射的影响减小。其结果，能够实现高分辨率，能形成形状良好的微细保护图案，进而能够切实地形成形状优良的微细配线图案层。

在上述方法涉及的制造方法中，首先进行在树脂绝缘层的表面形成金属层的工序。作为金属层只要具有导电性则无特别限定，但是从成本、生产率等观点出发，优选通过无电解镀铜形成的铜薄膜层。

所述金属层的表面状态并无特别限定，可以任选，例如也可以是表面粗糙度Ra为0.2μm以上且0.4μm以下的粗糙面。如上所述，在这种情况下，金属层表面的凹凸程度减小，曝光时光散射的影响减小，其结果容易实现高分辨率。另外，若表面粗糙度Ra不足0.2μm，则存在干膜材料的粘接性不充分的可能性，因此不优选。

在金属层上粘贴具有耐碱性的感光性干膜材料的工序中的“具有耐碱性”是指，具有在氢氧化钠等强碱中完全不膨胀，或者与现有产品相比难以膨胀的性质。上述性质的不同，例如来源于作为干膜材料的主要成分的树脂材料的交点密度(crosslink density)高度的不同。即，具有耐碱性的上述方法的干膜材料，与现有产品相比树脂材料的交点密度升高。但是，上述方法的干膜材料不具有应对有机胺的耐性，具有暴露于有机胺时在其中稍微溶解的性质。这意味着，对于所述干膜材料普通的碱不能用作剥离液，因而有机胺能够用作代替减的剥离液。

在粘贴干膜材料后进行曝光，进而进行基于碱的显影，形成预定图案的抗电镀剂。在形成线路宽度及线路间隔均在15μm以下的微细配线图案的情况下，需要与其对应地设定微细保护图案的宽度以及相邻微细保护图案间的间隙的尺寸。

在进行电镀而在所述抗电镀剂的开口部形成配线图案层的工序中，在开口部的底面露出的金属层上沉积镀层，使该部分增厚。另外，在作为基底层的所述金属层为通过无电解镀铜形成的铜薄膜层的情况下，对于用于形成配线图案层的镀层，也优选选择无电解镀铜。

在剥离所述抗电镀剂的工序中，需要使用有机胺类剥离液，其中作为主要成分而含有的有机胺，例如包括单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、一甲胺、二甲胺、三甲胺、乙二胺、异丙胺、异丙醇胺、2-氨基-2-甲基-1-丙醇、2-氨基-2-甲基-1，3-丙二醇等。其中，特别优选作为有机胺而含有单乙醇胺的剥离液。其原因在于，确认了含有单乙醇胺的剥离液能够浸透具有耐碱性的所述干膜材料而将其溶解，特别适合在上述方法涉及的制造方法中使用。另外，在抗电镀剂剥离工序中使用的有机胺类剥离液，也可以添加一些肼、TMH等添加剂。

在该工序中，作为有机胺类剥离液的处理方法，并无特别限定，可采用现有公知的方法，例如优选喷洒处理(Shower treatment)、浸渍处理等。在利用有机胺类剥离液进行喷洒处理的情况下，优选设定为温度在40℃以上且70℃以下、压力在0.1MPa以上且0.4MPa以下、时间在3分钟以上且不足30分钟的处理条件。此外，在利用有机胺类剥离液进行浸渍处理的情况下，优选设定为温度在40℃以上且70℃以下、时间在3分钟以上且不足30分钟的处理条件。这是由于，上述处理条件是能够不降低生产率及成本性而可靠地剥离抗电镀剂的条件，从而优选。

在这里，若将温度设定为不足40℃，将压力设定为不足0.1MPa，或将时间设定为不足3分钟，则由于处理条件减弱，有机胺类剥离液无法充分作用，存在引起抗电镀剂的剥离不完全的可能性。相反，若温度超过70℃，压力超过0.4MPa，时间在30分钟以上，则虽然能够使有机胺类剥离液充分作用，但反过来存在引起生产率降低、制造成本增加的问题的可能性。此外，由于处理条件加强，除了原本需要剥离的抗电镀剂以外的树脂部分会脆化、劣化。

在去除位于所述抗电镀剂正下方的所述金属层的工序中，利用能溶解形成金属层的金属的蚀刻液进行蚀刻。经由该工序时，金属层在局部分离，相连的配线图案层之间彼此孤立。

附图说明

图1是表示将本实施方式具体化的一个实施方式的配线基板的部分概略剖视图。

图2是用于说明所述配线基板的制造工序的部分概略剖视图。

图3是用于说明所述配线基板的制造工序的部分概略剖视图。

图4是用于说明所述配线基板的制造工序的部分概略剖视图。

图5是用于说明所述配线基板的制造工序的部分概略剖视图。

图6是用于说明所述配线基板的制造工序的部分概略剖视图。

图7是用于说明所述配线基板的制造工序的部分概略剖视图。

图8是用于说明所述配线基板的制造工序的部分概略剖视图。

图9是用于说明所述配线基板的制造工序的部分概略剖视图。

图10是用于说明所述配线基板的制造工序的部分概略剖视图。

图11是用于说明所述配线基板的制造工序的部分概略剖视图。

图12是用于说明所述配线基板的制造工序的部分概略剖视图。

图13是用于说明所述配线基板的制造工序的部分概略剖视图。

具体实施方式

下面，根据图1至图13详细说明将本发明具体化的一个实施方式的配线基板K及其制造方法。

如图1所示，本实施方式的配线基板K为在正背双面具有组合层BU1、BU2的所谓组合多层印刷配线基板。构成该配线基板K的芯基板1呈具有正面2及背面3的平板状。

在芯基板1的正面2侧配置的组合层BU1具有将树脂绝缘层12、16、30和配线图案层10、28、28a、34、34a交替层叠的构造。在树脂绝缘层12形成有通孔形成用孔12a，在其内部形成有使配线图案层10和内层配线层4导通的填孔(Filled via)导体14。在树脂绝缘层16形成有通孔形成用孔18，在其内部形成有使配线图案层10、28之间导通的填孔导体26。

在芯基板1的背面3侧配置的组合层BU2具有将树脂绝缘层13、17、31和配线图案层11、29、29a、35、35a交替层叠的构造。在树脂绝缘层13形成有通孔形成用孔13a，在其内部形成有使配线图案层11和内层配线层5导通的填孔导体15。在树脂绝缘层17上形成有通孔形成用孔19，在其内部形成有使配线图案层11、29之间导通的填孔导体27。

树脂绝缘层30整体上由在预定位置具有开口部36的阻焊剂32覆盖。所述开口部36使在树脂绝缘层30上形成的配线图案层34向第一主面32a一侧露出，其结果该配线图案层34发挥第一主面侧焊盘(Land)的功能。另一方面，树脂绝缘层31整体上由在预定位置具有开口部37的阻焊剂33覆盖。所述开口部37使在树脂绝缘层31上形成的配线图案层35在第二主面33a一侧露出，其结果该配线图案层35发挥第二主面侧焊盘的功能。

并且，在作为第一主面侧焊盘的配线图案层34的上方，形成有比第一主面32a更高地突出的焊料突起38。并且，在所述焊料突起38上，能够经由焊料接合未图示的IC芯片等电子部件。另一方面，作为第二主面侧焊盘的配线图案层35，与未图示的母板等印刷配线基板电连接。

如图1所示，在该配线基板K的内部设有通孔。本实施方式的通孔具有如下结构：在贯通芯基板1及树脂绝缘层12、13的通孔形成用孔6的内壁面沉积圆筒状的通孔导体7，并且利用填充树脂9填埋该通孔导体7的空洞部。并且，通过该通孔的通孔导体7实现芯基板1的正面2侧的组合层BU1中的导体部分和芯基板1的背面3侧的组合层BU2中的导体部分之间的导通。

接着，根据图2至图13对本实施方式的配线基板K的制造方法进行说明。

图2是以双马来酰亚胺三嗪(BT)树脂为主体的厚度约0.7mm的芯基板1的概略剖视图。在芯基板1的正面2及背面3，预先粘贴有厚度约70μm的铜箔4a、5a。将这种芯基板1的铜箔4a、5a通过现有公知方法(在这里为消去法)形成图案，在正面2上及背面3上形成内层配线层4、5(参照图3)。另外，也可以使用具有多个芯基板1的多功能面板，对各芯基板1进行相同的工序。

接着，如图4所示，在芯基板1的正面2上和背面3上，覆盖由含有无机填充物的环氧树脂形成的绝缘性薄膜，从而形成树脂绝缘层12、13。所述树脂绝缘层12、13的厚度约为40μm，含有30重量％～50重量％的由大致球形的二氧化硅形成的无机填充物。另外，所述无机填充物的平均粒径可以是1.0μm以上且10.0μm以下。

接着，对树脂绝缘层12、13的表面上的预定位置，沿着其厚度方向照射未图示的激光(在本实施方式中为二氧化碳激光)。其结果，如图5所示，形成大致圆锥形的通孔形成用孔12a、13a，贯通树脂绝缘层12、13而在其底面露出内层配线层4、5。进而，通过利用钻孔机对预定位置进行穿孔，形成贯通芯基板1以及树脂绝缘层12、13的内径约为200μm的通孔形成用孔6。

接着，在包含通孔形成用孔12a、13a的树脂绝缘层12、13的表面整体以及通孔形成用孔6的内壁面，涂敷含有钯等的电镀催化剂(Plating catalyst)后，在其上实施无电解镀铜以及电解镀铜。其结果，如图6所示，在树脂绝缘层12、13的表面整体形成镀铜膜8a、8b，在通孔形成用孔6内以约40μm厚度形成大致圆筒形的通孔导体7。同时，在通孔形成用孔12a、13a内，通过追加实施镀铜，形成填孔导体14、15。

接着，如图6所示，在通孔导体7的空洞部内填充含有无机填充物的填充树脂9的浆料后，使其热硬化。另外，用于形成填充树脂9的浆料也可以是含金属粉末的导电性的浆料。进而，如图7所示，进行电解镀铜而在镀铜膜8a、8b上形成镀铜膜10b、11b。此时，同时用盖镀层10a、11a覆盖填充树脂9的两端面。另外，镀铜膜8a、10b以及镀铜膜8b、11b的厚度分别约为15μm。

接着，通过现有公知的消去法对镀铜膜8a、10b以及镀铜膜8b、11b进行蚀刻，分别形成如图8所示的配线图案层10、11。另外，所述配线图案层10、11成为组合层BU1、BU2中的第一层配线图案层，位于其内层侧的树脂绝缘层1成为第一层树脂绝缘层。

接着，如图9所示，在第一层树脂绝缘层12以及第一层配线图案层10上粘贴与上述相同的绝缘性薄膜，形成第二层树脂绝缘层16。同样地，在第一层树脂绝缘层13以及第一层配线图案层11上粘贴与上述相同的绝缘性薄膜，形成第二层树脂绝缘层17。进而，对所述树脂绝缘层16、17表面上的预定位置，沿着其厚度方向照射与上述相同的激光(未图示)，从而形成大致圆锥形的通孔形成用孔18、19。通孔形成用孔18、19贯通树脂绝缘层16、17，并且在其底面露出配线图案层10、11的一部分。并且，在包含所述通孔形成用孔18、19的内壁面的树脂绝缘层16、17的表面整体，预先涂敷与上述相同的镀层催化剂后，实施无电解镀铜(金属层形成工序)。经由上述金属层形成工序，形成厚度约0.5μm的铜薄膜层20、21(参照图9中的虚线)。此时的铜薄膜层20、21的表面粗糙度Ra为约0.2μm。

接着，如图10所示，在铜薄膜层20、21的表面整体，粘贴以丙烯酸类树脂为主体的厚度约25μm的感光性及绝缘性的干膜材料22、23。在本实施方式中选择的干膜材料22、23，与以环氧树脂为主体的现有产品的干膜材料相比，具有难以被强碱膨胀的性质，从而具有耐碱性。在所述干膜材料22、23上配置未图示的曝光用掩模的状态下进行曝光，然后利用氢氧化钠溶液等碱显影液进行显影。并且，通过如上所述的干膜材料粘贴、曝光以及显影的各工序，形成如图11所示的预定图案的抗电镀剂22a、22b、23a、23b(抗电镀剂形成工序)。

所述抗电镀剂22a、22b、23a、23b中，关于狭小的抗电镀剂22b、23b，成为线路宽度在15μm以下(在本实施方式中为10μm)的微细保护图案。并且，狭小的抗电镀剂22b、22b之间或者23b、23之间的开口部24a、25a的尺寸(即线路间隔)在15μm以下(在本实施方式中为10μm)。另外，狭小的抗电镀剂22b和与其邻接的抗电镀剂22a之间、或者狭小的抗电镀剂23b和与其邻接的抗电镀剂23a之间的开口部24b、25b的尺寸也是相同的尺寸。同时，在通孔形成用孔18、19的左右邻接的铜薄膜层20、21的表面形成较大面积的开口部24、25。

接着，对位于开口部24、24a、25、25a的底面、通孔形成用孔18、19的底面的铜薄膜层20、21，通过现有公知的方法进行电解镀铜以沉积铜镀层。其结果，如图12所示，在通孔形成用孔18、19内形成填孔导体26、27，在开口部24、25形成与通孔导体26、27一体的配线图案层28、29。同时，在各开口部24a、25a形成剖面细长的长方形且宽度为15μm以下(在本实施方式中为10μm)、厚度约25μm的微细配线图案层28a、29a(配线图案层形成工序)。

接着，如图13所示，利用以单乙醇胺为主要成分而含有的有机胺类剥离液(0.5重量％以上且50℃以上)剥离抗电镀剂22a、22b、23a、23b(抗电镀剂剥离工序)。然后，利用蚀刻液对位于抗电镀剂22a、22b(23a、23b)正下方的铜薄膜层20(21)进行软蚀刻处理而将其除去(蚀刻工序)。经由该工序时，铜薄膜层20(21)被分离。其结果，形成配线图案层28、28a、29、29a，所述配线图案层28、28a、29、29a包含线路宽度以及线路间隔均为10μm左右的微细配线图案层28a、29a。

进而，在形成有配线图案层28、28a的第二层树脂绝缘层16的表面上形成新的树脂绝缘层(第三层树脂绝缘层)30。另一方面，在形成有配线图案层29、29a的第二层树脂绝缘层17的表面上形成新的树脂绝缘层(第三层树脂绝缘层)31。并且，在所述树脂绝缘层30、31的预定位置，通过上述方法形成未图示的通孔形成用孔。然后，在树脂绝缘层30、31的表面以及通孔形成用孔内形成铜薄膜层，进行包括如上所述的干膜材料粘贴、曝光及显影的各工序的抗电镀剂形成工序，进而进行配线图案层形成工序、抗电镀剂剥离工序、蚀刻工序。其结果，在第三层树脂绝缘层30、31上，分别形成配线图案层34、34a、35、35a，所述配线图案层34、34a、35、35a包含线路宽度以及线路间隔均为10μm左右的微细配线图案层34a、35a。

进而，在第三层树脂绝缘层30、31上分别设置厚度为25μm的阻焊剂32、33，并且在开口部36的底面露出的配线图案层34上形成焊料突起38，在开口部37的底面露出的配线图案层35上实施镍-金电镀。其结果，能得到如图1所示的在正被两面具有组合层BU1、BU2的配线基板K。

因此，根据本实施方式能得到以下效果。

(1)在本实施方式的制造方法中，由于利用具有耐碱性的感光性干膜材料22、23形成图案，因而即使在曝光后进行基于碱的显影，干膜材料22、23也完全或几乎不膨胀。因此，能够防止经过了显影工序时的干膜材料22、23的剥离，能够提高显影工序中的成品率。因此，能够以高成品率制造配线基板K，此外容易实现低成本化。

(2)此外，根据本实施方式的制造方法，作为防止干膜材料22、23剥离的对策，没有进行铜薄膜层20、21的表面粗糙化的必要性。因此，与需要表面粗糙化的现有方法相比，铜薄膜层20、21表面的凹凸程度减小，曝光时光散射的影响减小。其结果，能够实现高分辨率下的曝光，能够形成尺寸精度好的微细保护图案22b、23b。因此，能够可靠地形成微细配线图案层28a、29a，所述微细配线图案层28a、29a形成有线路宽度及线路间隔均在15μm以下且形状优良的微细配线图案。

(3)在本实施方式的制造方法中，利用以单乙醇胺为主要成分而含有的有机胺类剥离液来剥离抗电镀剂22a、22b、23a、23b(干膜材料22、23)。因此，能够使剥离液可靠地作用到具有耐碱性的所述干膜材料22、23，能够可靠地将其剥离。

另外，本发明的实施方式也可以进行如下变更。

在上述实施方式中，作为形成芯基板1的材料选择了BT树脂，但并不限于此，例如可以使用环氧树脂、聚酰亚胺树脂等，或者也可以使用在具有连续气孔的PTFE等三维网眼构造的氟类树脂中含有玻璃纤维等的复合材料等。另外，芯基板1可以是由氧化铝、氮化硅、氮化硼、氧化铍、硅酸、玻璃陶瓷、氮化铝等陶瓷形成的高温烧成基板，除此之外也可以是能够在约1000℃以下的较低的温度下烧成的低温烧成基板。进而，芯基板1也可以是由铜合金、Fe-42wt％Ni合金等形成的金属芯基板。此外，在本发明中芯基板1不是必需的结构，因而例如也允许采用结合(Coalesce)基板的方式。

在上述实施方式中，作为形成配线图案层10、11或孔导体26、27等导体部的金属材料选择了铜，但并不限于此，还可以采用银、镍、金、铜合金、铁镍合金等。或者，也可以代替使用金属镀层，通过涂敷导电性树脂等方法形成所述导体部。

在上述实施方式中，作为孔导体26、27的形态采用了内部完全被导体填埋的填孔导体，但也可以采用内部不完全被导体填埋的倒锥形的保形孔(Conformal via)导体。

接着，除了在权利要求中记载的技术思想以外，以下列举可通过上述实施方式掌握的技术思想。

(1)一种配线基板的制造方法，其特征在于，包括以下工序：在树脂绝缘层的表面形成通过无电解镀铜形成的铜薄膜层；在所述铜薄膜层上粘贴具有强耐碱性而不具有耐有机胺性的感光性干膜材料后，进行曝光及基于强碱的显影，形成预定图案的抗电镀剂；进行无电解镀铜而在所述抗电镀剂的开口部形成配线图案层；利用含有乙醇胺的有机胺类剥离液来剥离所述抗电镀剂；和将位于所述抗电镀剂正下方的所述铜薄膜层蚀刻而去除。

(2)一种组合多层配线基板的制造方法，该组合多层配线基板在芯基板的正面侧及背面侧分别具有组合层，其特征在于，包括以下工序：在树脂绝缘层的表面形成铜薄膜层，所述铜薄膜层通过无电解镀铜形成，所述铜薄膜层具有表面粗糙度Ra为0.2μm以上且0.4μm以下的粗糙面；在所述铜薄膜层上粘贴具有强耐碱性而不具有耐有机胺性的感光性干膜材料后，进行曝光及基于强碱的显影，形成预定图案的抗电镀剂；进行无电解镀铜而在所述抗电镀剂的开口部形成配线图案层，所述配线图案层包含线路宽度及线路间隔均在15μm以下的微细配线图案；利用含有单乙醇胺的有机胺类剥离液来剥离所述抗电镀剂；和将位于所述抗电镀剂正下方的所述铜薄膜层蚀刻而去除。

Claims (9)

1.一种配线基板的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

在树脂绝缘层(16、17、30、31)的表面形成金属层(20、21)；

在所述金属层(20、21)上粘贴具有耐碱性的感光性干膜材料(22、23)后，进行曝光及基于碱的显影，形成预定图案的抗电镀剂(22a、22b、23a、23b)；

进行电镀而在所述抗电镀剂(22a、22b、23a、23b)的开口部(24、24a、25、25b)形成配线图案层(28、28a、29、29a)；

利用有机胺类剥离液来剥离所述抗电镀剂(22a、22b、23a、23b)；和

去除位于所述抗电镀剂(22a、22b、23a、23b)正下方的所述金属层(20、21)。

2.如权利要求1所述的配线基板的制造方法，其特征在于，

所述配线图案层(28、28a、29、29a)包含线路宽度及线路间隔均在15μm以下的微细配线图案层(28a、29a)。

3.如权利要求1或2所述的配线基板的制造方法，其特征在于，

所述金属层(20、21)具有表面粗糙度Ra在0.2μm以上且0.4μm以下的粗糙面。

4.如权利要求1或2所述的配线基板的制造方法，其特征在于，

所述有机胺类剥离液含有单乙醇胺。

5.如权利要求1或2所述的配线基板的制造方法，其特征在于，

所述金属层(20、21)为通过无电解镀铜形成的铜薄膜层。

6.如权利要求1或2所述的配线基板的制造方法，其特征在于，

在剥离所述抗电镀剂(22a、22b、23a、23b)的工序中，在温度为40℃以上且70℃以下、压力为0.1MPa以上且0.4MPa以下、时间为3分钟以上且不足30分钟的处理条件下，进行利用有机胺类剥离液的喷洒处理。

7.如权利要求1或2所述的配线基板的制造方法，其特征在于，

在剥离所述抗电镀剂(22a、22b、23a、23b)的工序中，在温度为40℃以上且70℃以下、时间为3分钟以上且不足30分钟的处理条件下，进行利用有机胺类剥离液的浸渍处理。

8.一种配线基板的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

在树脂绝缘层的表面形成通过无电解镀铜形成的铜薄膜层；

在所述铜薄膜层上粘贴具有强耐碱性而不具有耐有机胺性的感光性干膜材料后，进行曝光及基于强碱的显影，形成预定图案的抗电镀剂；

进行无电解镀铜而在所述抗电镀剂的开口部形成配线图案层；

利用含有乙醇胺的有机胺类剥离液来剥离所述抗电镀剂；和

将位于所述抗电镀剂正下方的所述铜薄膜层蚀刻而去除。

9.一种组合多层配线基板的制造方法，该组合多层配线基板在芯基板的正面侧及背面侧分别具有组合层，其特征在于，包括以下工序：

在树脂绝缘层的表面形成铜薄膜层，所述铜薄膜层通过无电解镀铜形成，所述铜薄膜层具有表面粗糙度Ra为0.2μm以上且0.4μm以下的粗糙面；

在所述铜薄膜层上粘贴具有强耐碱性而不具有耐有机胺性的感光性干膜材料后，进行曝光及基于强碱的显影，形成预定图案的抗电镀剂；

进行无电解镀铜而在所述抗电镀剂的开口部形成配线图案层，所述配线图案层包含线路宽度及线路间隔均在15μm以下的微细配线图案；

利用含有单乙醇胺的有机胺类剥离液来剥离所述抗电镀剂；和

将位于所述抗电镀剂正下方的所述铜薄膜层蚀刻而去除。

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