CN109378295A - 基于铜柱导通技术的摄像模组封装基板及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种基于铜柱导通技术的摄像模组封装基板及其制造方法，其制造方法为：在基板上制作介质层；在介质层表面制作金属层；在金属层上覆盖一铜层；在金属层上贴光阻膜；光阻膜显影开窗；电镀铜柱；去除光阻膜；去除金属层；重复以上骤，制备上一层线路，利用铜柱实现层间导通。该方法有效地减小产品尺寸、层数和产品厚度，使层间导通孔做得更小，其可靠性也加强，不良可检测度更高。
Description
技术领域
本发明涉及电子信息技术领域，具体涉及一种摄像模组封装基板及其制造方法。
背景技术
由于信号传输的干扰、产品体积大小以及零部件安装匹配问题，导致摄像模组的应用品质高低不等，因此，结合现有摄像模组封装基板的缺陷，研发一种高端摄像模组的封装基板。为进一步对摄像模组封装基板外型的细节尺寸进行优化，完成具有高传输效率、高性能的布线方案，需满足一定技术要求。
线路形成方法中，减成法制造过程复杂、工序多，制作的柔性电极精度低、误差大、线宽和线距受到严重限制，难以应用于高密度电路板；全加成法即采用含光敏催化剂的绝缘基板，在按线路图形曝光后，通过选择性化学沉铜得到导体图形的工艺，这种工艺适合制作精细线路；半加成法，采用绝缘基板，进行化学沉铜得到薄铜箔，然后图形电镀加厚导体，多余薄铜箔被快速蚀刻除去得到导体图形的工艺。这种方法由于化学沉铜得到的铜层很薄，易于蚀刻，因此适合做精细线路。综上所述，加成法线路制作工艺可以实现精细线路制作。
线路形成后，主要通过导电过孔的制作来实现上下导线层面的连接。传统的导电过孔的制作方法有机械成孔，但使用机械成孔技术时，一般孔径较大，同时使用通孔实现层间互连时，即便只是为了实现某两层之间的连接，也需要在其它层的相应位置钻出通孔，所以制约了布线密度的提高；而激光钻孔方式则是钻出所需要的通孔，再通过沉铜、电镀工艺形成空心的导电过孔激光钻孔方式进行开孔，再进行镀铜，通过激光钻孔形成的孔径大，难以做到高密度的设计与制造。
因此，基于加成工艺线路的基础上，研发一种铜柱导通技术，以代替传统的盲孔或通孔导通，不仅可以使层间导通孔做得更小，与普通激光钻孔/填孔工艺比较，其可靠性也加强，不良可检测度更高，避免了众多失效模式发生。本发明立足于此，提供了可靠的解决方案。
发明内容
本发明的目的在于针对上述现有技术中存在的缺陷，提供一种铜柱导通技术，并且采用加成法线路制作的方法，以达到有效地减小产品尺寸、层数和产品厚度，使层间导通孔做得更小，其可靠性也加强，不良可检测度更高，避免了众多失效模式发生的目的。
本发明为了达到上述的目的，所采用的技术方案是提供一种基于铜柱导通技术和加成工艺线路的方法，具体的制作步骤是：
步骤1：在基板上制作介质层
采用树脂涂敷或贴膜或层压介质层的方法；
步骤2：在介质层表面制作金属层
通过化学沉积或溅射的方式制作加成法制作线路的金属层；
步骤3：在金属层上覆盖一铜层
步骤4：在金属层上贴光阻膜
在覆盖铜层的金属层贴上可进行曝光显影的光阻膜；
步骤5：光阻膜显影开窗
利用曝光显影设备将基板进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出基板后续需要进行铜柱电镀的区域图形；
步骤6：电镀铜柱
在步骤5中基板去除部分光阻膜的区域内电镀上金属线路层作为连接铜柱；
步骤7：去除光阻膜
去除金属层表面的光阻膜；
步骤8：去除金属层
采用蚀刻的方法去除金属层，保留线路，露出铜柱电镀的图形；
步骤9：重复以上1-8步骤，制备上一层线路，利用铜柱实现层间导通。
本发明所述基板最小线宽线距50/50μm。
本发明所述铜柱直径最小60μm。
本发明所述铜柱高度最高60μm。
本发明是基于铜柱导通技术和加成法技术，但不同于背景技术中所描述的方法，不受图形分布的影响，能够大幅度降低形成导电铜柱的困难，可以有效增加布线密度，同时层间连接以铜柱的方式来实现，可靠性更高。
附图说明
图1为本发明实施例的实现流程图。
图2为本发明封装基板结构的示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的制作方法进一步地说明。
本发明一种基于铜柱导通技术的摄像模组封装基板及其制造方法的实施例：
第1步：在基板上制作介质层，采用树脂涂敷或贴膜或层压介质层的方法：在本实施例中，基板为一层芯片基底和铜材的复合材料，采用层压的方法在铜材上制成介质层。
第2步：在介质层表面制作金属层：可以采用化学沉铜或溅射或其它的方法制作加成法制作线路的作为导电层的金属层。在本实施例中，采用化学沉铜制得导金属层。
第3步：在金属层上覆盖一铜层：在金属层表面电镀一层铜材薄膜，目的是为后续电镀作基础，所述电镀的方式可以采用化学镀或是电解电镀。
第4步：在金属层上贴光阻膜：在完成电镀铜材薄膜的金属层贴上可进行曝光显影的光阻膜，所述光阻膜可以采用湿式光阻膜或干式光阻膜。
第5步：光阻膜显影开窗：利用曝光显影设备将基板进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出基板后续需要进行铜柱电镀的区域图形。
第6步：电镀铜柱：去除部分光阻膜的区域内电镀上金属线路层作为连接铜柱；
第7步：去除光阻膜：去除金属基板表面的光阻膜，去除方法采用化学药水软化并采用高压水喷除；
第8步：去除金属层：采用蚀刻的方法去除金属层，保留线路，形成铜柱电镀的图形；
第9步：重复以上1-8步骤，制备上一层线路，利用铜柱实现层间导通。
本发明基于铜柱导通技术的摄像模组封装基板及其制造方法不限于上述优选实施例，因此任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何修改、等同变化及修饰，均落入本发明权利要求所界定的保护范围内。
Claims (4)
1.一种基于铜柱导通技术的摄像模组封装基板的制造方法，其特征在于，具体制作步骤是：
步骤1：在基板上制作介质层
采用树脂涂敷或贴膜或层压介质层的方法；
步骤2：在介质层表面制作金属层
通过化学沉积或溅射的方式制作加成法制作线路的金属层；
步骤3：在金属层上覆盖一铜层
步骤4：在金属层上贴光阻膜
在覆盖铜层的金属层贴上可进行曝光显影的光阻膜；
步骤5：光阻膜显影开窗
利用曝光显影设备将基板进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出基板后续需要进行铜柱电镀的区域图形；
步骤6：电镀铜柱
在步骤5中基板去除部分光阻膜的区域内电镀上金属线路层作为连接铜柱；
步骤7：去除光阻膜
去除金属层表面的光阻膜；
步骤8：去除金属层
采用蚀刻的方法去除金属层，保留线路，露出铜柱电镀的图形；
步骤9：重复以上1-8步骤，制备上一层线路，利用铜柱实现层间导通。
2.根据权利要求1所述的摄像模组封装基板的制造方法，其特征在于，所述基板最小线宽线距50/50μm。
3.根据权利要求1所述的摄像模组封装基板的制造方法，其特征在于，所述铜柱直径最小60μm。
4.根据权利要求1所述的摄像模组封装基板的制造方法，其特征在于，所述铜柱高度最高60μm。
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| CN201811105850.2A CN109378295A (zh) | 2018-09-21 | 2018-09-21 | 基于铜柱导通技术的摄像模组封装基板及其制造方法 |
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Publications (1)
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| CN109378295A true CN109378295A (zh) | 2019-02-22 |
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| CN201811105850.2A Pending CN109378295A (zh) | 2018-09-21 | 2018-09-21 | 基于铜柱导通技术的摄像模组封装基板及其制造方法 |
Country Status (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN109378295A (zh) |
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2018
- 2018-09-21 CN CN201811105850.2A patent/CN109378295A/zh active Pending
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| PB01 | Publication | ||
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