TWI396492B - 配線基板之製造方法 - Google Patents

Description

配線基板之製造方法

本發明係關於一種配線基板之製造方法，尤其關於一種特徵上具有為了形成鍍覆阻劑之乾膜材及其剝離的配線基板之製造方法。

近年來，隨著電子機器之小型化、高性能化，已要求電子元件之高密度構裝化，適合於達成如此之高密度構裝化，配線基板的多層化技術已受到重視。使用多層化技術之具體例，習知為一種印刷配線基板(所謂層疊(bulid－up)印刷配線基板)，其係在已設置貫穿孔(through hole)部之核心基板的單面或雙面，設置已交替積層形成樹脂絕緣層與導體之層疊層。此種印刷配線基板中之層疊層，例如能夠利用如下之製程加以製作：首先，在樹脂絕緣層之整個表面形成鍍銅層。接著，將具有感光性之乾膜材黏貼於鍍銅層上之後，進行曝光及因鹼所造成之顯像，形成既定圖案之鍍覆阻劑。接著，進行鍍銅而在鍍覆阻劑之開口部形成配線圖案層之後，使用鹼剝離液以使鍍覆阻劑膨潤而剝離。接著，藉由進行除去位於鍍覆阻劑正下方之鍍銅層的蝕刻，形成所希望形狀之配線圖案層。其後，在配線圖案層上進一步形成樹脂絕緣層，進行通孔(via hole)貫穿後，再進行鍍銅而形成通孔導體及鍍銅層。而且，必要時藉由重複數次如此之製程，使層疊層多層化。還有，針對如此之層疊製程，具有習知數 個例子(例如，參照專利文獻1)。還有近年來，尋求配線圖案層之微細間距化要求正逐漸升高，例如，使配線圖案層之線寬與相鄰接的配線圖案間之線間隔成為20μm以下(期望為15μm以下)。因而，於鍍覆阻劑中，也尋求正確形成同樣的微細阻劑圖案。

專利文獻1：日本特開2005－150554號公報

然而，最初用於上述習知配線基板之製造方法的乾膜材係弱的耐鹼性。因此，於使用鹼的顯像步驟之際，乾膜材膨潤的結果，由於具有微細阻劑圖案剝離之情形，將遭遇顯像步驟中之良率差的問題。

因此，於習知技術中，預先將鍍銅層之表面作成超過0.4μm之粗糙面，藉由採取提高乾膜材緊貼性的對策，以防止微細阻劑圖案之剝離，期望提高顯像步驟中之良率的方式來進行。然而，進行如此對策之情形，由於鍍銅層表面凹凸之影響，光於曝光時將散射，解像度將惡化的結果，變得無法形成形狀佳的微細阻劑圖案。因此，具有得到形狀上優越的微細配線圖案層將變得困難之問題。

本發明係有鑑於上述課題而予以進行，其目的在於提供一種配線基板之製造方法，能夠期望提高顯像步驟中之良率的同時，也能夠確實形成形狀上優越的微細配線圖案層。

為了解決上述課題之手段係一種配線基板之製造方法，包含：在樹脂絕緣層之表面形成金屬層的步驟；將具有耐鹼性之感光性乾膜材黏貼於該金屬層上之後，進行曝光與利用鹼所造成之顯像，以形成既定圖案之鍍覆阻劑的步驟；進行鍍覆而在該鍍覆阻劑之開口部形成配線圖案層的步驟；使用有機胺系剝離液以剝離該鍍覆阻劑的步驟；及去除位於該鍍覆阻劑正下方之該金屬層的步驟。

因而，若根據上述手段，由於使用具有耐鹼性之感光性乾膜材，於曝光後，即使進行因鹼所造成之顯像，乾膜材也完全或幾乎不會膨潤。因此，能夠期望乾膜材之剝離將被防止，提高顯像步驟中之良率。另外，防止乾膜材剝離之對策係由於即使不進行金屬層之表面粗糙化也將變得良好，因而金屬層表面之凹凸程度將變小，曝光時之光散射的影響將變小。其結果，能夠實現高解像度，形狀佳的微細阻劑圖案將變得可能形成，進而能夠確實形成形狀上優越的微細圖案層。

於上述手段之如此製造方法中，首先，在樹脂絕緣層之表面進行形成金屬層的步驟。只要為將具有導電性之物作為金屬層的話，並未予以特別限定，基於成本性或生產性等之觀點，較佳為經由無電解鍍銅所形成的銅薄膜層。

該金屬層之表面狀態並未予以特別限定而為任意的，例如可以作成表面粗糙度Ra為0.2μm以上、0.4μm以下之粗糙面。此情形下，如上所述，金屬層表面之凹凸程度將變小、曝光時之光散射影響變小的結果，成為容易實現高 解像度。還有，若表面粗糙度Ra成為未滿0.2μm時，由於具有乾膜材之緊貼性成為不足的可能性而不佳。

將具有耐鹼性之感光性乾膜材黏貼於金屬層上的步驟中，所謂「具有耐鹼性」係指具有對氫氧化鈉等之強鹼完全不膨潤，或是具有較習知物更難膨潤之性質。如此性質上之差異係歸因於例如乾膜材主要成分之樹脂材料交聯密度高低的差異。亦即，相較於習知物，具有耐鹼性之上述手段的乾膜材係樹脂材料之交聯密度變高。但是，上述手段的乾膜材不具有對有機胺之承受性，若曝露於有機胺時，具有些微溶解於其中之性質。此係意指相對於上述乾膜材，因為無法將通常之鹼作為剝離液使用，有機胺能夠取代鹼而作為剝離液使用。

於貼附乾膜材之後，進行曝光，進一步進行因鹼所造成之顯像，形成既定圖案之鍍覆阻劑。線寬與線間隔皆形成15μm以下之微細配線圖案之情形下，與此相一致，必須預先設定微細阻劑圖案的寬度與相鄰接之微細阻劑圖案間的間隙尺寸。

進行鍍覆而將配線圖案層形成於該鍍覆阻劑開口部之步驟中，使鍍覆析出於開口部之底面所曝露之金屬層上，使得該部分變厚。還有，底層之該金屬層係藉由無電解鍍銅所形成的銅薄膜層之情形，也針對用於形成配線圖案層之鍍覆，較佳為選擇無電解鍍銅。

於剝離該鍍覆阻劑之步驟中，必須使用有機胺系剝離液，於其中，作為主要成分所含之有機胺，例如，可舉出： 單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、單甲胺、二甲胺、三甲胺、乙二胺、異丙胺、異丙醇胺、2－胺基－2－甲基－1－丙醇、2－胺基－2－甲基－1,3－丙二醇等。此等有機胺之中，特別理想之有機胺為含有單乙醇胺之剝離液。其理由係已確認含有單乙醇胺之剝離液滲透入具有耐鹼性之上述乾膜材而能夠將其加以溶解，與上述手段關聯之製造方法中，因而在使用上適合。還有，於鍍覆阻劑剝離步驟中所用之有機胺系剝離液中，也可以添加一些所謂之肼或TMH等添加劑。

於此步驟中，有機胺系剝離液之處理方法，並未予以特別限定，可以採用習知之方法，例如，噴淋處理或浸漬處理等為適合。進行使用有機胺系剝離液之噴淋處理之情形，較佳為將溫度設為40℃以上、70℃以下，將壓力設為0.1MPa以上、0.4MPa以下，將時間設為3分鐘以上、低於30分鐘之處理條件。另外，進行使用有機胺系剝離液之浸漬處理之情形，較佳為將溫度設為40℃以上、70℃以下，將時間設為3分鐘以上、低於30分鐘之處理條件。如此之處理條件係不會使生產性或成本性降低，係能夠確實剝離鍍覆阻劑之條件，因而較佳。

於此，若將溫度設為低於40℃、將壓力設為低於0.1MPa或將時間設為低於3分鐘時，藉由使處理條件變弱，有機胺系剝離液並未充分作用，將有產生鍍覆阻劑剝離殘留的可能性。相反的，若將溫度設為超過70℃、將壓力設為超過0.4MPa、將時間設為30分鐘以上時，能夠使有機胺系剝離液充分作用，另一方面，將有引起生產性降 低或高製造成本之問題的可能性。另外，藉由使處理條件變強，具有與原本需要剝離之鍍覆阻劑以外的樹脂部分之脆化、劣化相關聯的擔憂。

於去除位於該鍍覆阻劑正下方之該金屬層的步驟中，使用能溶解已形成金屬層之金屬的蝕刻液以進行蝕刻，若經歷此步驟時，金屬層將被部分切離，關聯的配線圖案層彼此間相互獨立。

發明之最佳實施形態

以下，根據第1圖~第13圖，以詳細說明使本發明予以具體化之一實施形態的配線基板K及其製造方法。

如第1圖所示，本實施形態的配線基板K係在表背兩面具有層疊(bulid－up)層BU1、BU2之所謂的層疊多層印刷配線基板。構成此配線基板K之核心基板1係呈現具有表面2及背面3之平板狀。

於核心基板1之表面2側所配置之層疊層BU1係具有交替積層樹脂絕緣層12、16、30與配線圖案層10、28、28a、34、34a之構造。於樹脂絕緣層12中形成有通孔形成用孔12a，於其內部形成有使配線圖案層10與內層配線層4予以導通的場連絡導體(field via conductor)14。於樹脂絕緣層16中形成有通孔形成用孔18，於其內部形成有使配線圖案層10、28間予以導通之場連絡導體26。

於核心基板1之背面3側所配置之層疊層BU2係具有交替積層樹脂絕緣層13、17、31與配線圖案層11、29、29a、35、35a之構造。於樹脂絕緣層13中形成有通孔形成 用孔13a，於其內部形成有使配線圖案層11與內層配線層5予以導通之場連絡導體15。於樹脂絕緣層17中，形成有通孔形成用孔19，於其內部形成有使配線圖案層11、29間予以導通之場連絡導體27。

樹脂絕緣層30係藉由在既定位置上具有開口部36之阻焊劑32而予以整體被覆。此等之開口部36係使樹脂絕緣層30上所形成的配線圖案層34曝露於第1主面32a側，其結果，使該配線圖案層34得以發揮作為第1主面側脊槽(land)之功能。另一方面，樹脂絕緣層31係藉由在既定位置上具有開口部37之阻焊劑33而予以整體被覆。此等之開口部37係使樹脂絕緣層31上所形成的配線圖案層35曝露於第2主面33a側，其結果，使該配線圖案層35得以發揮作為第2主面側脊槽之功能。

另外，於第1主面側脊槽之配線圖案層34上，形成有較第1主面32a為高所突出的焊錫凸塊38。然後，於此等之焊錫凸塊38上，便可能透過焊錫而接合未圖示之IC晶片等之電子元件。另一方面，第2主面側脊槽之配線圖案層35係成為與未圖示之母板等印刷配線基板電性相連結。

如第1圖所示，於此配線基板K之內部設置有貫穿孔。本實施形態之貫穿孔係使圓筒狀之貫穿孔導體7析出於貫穿核心基板1及樹脂絕緣層12、13之貫穿孔形成用孔6之內壁面的同時，也具有利用填充樹脂9以填補其貫穿孔導體7之空洞部的構造。然後，藉由此貫穿孔之貫穿孔導體7，期望核心基板1之表面2側的層疊層BU1中之導體部 分與核心基板1之背面3側的層疊層BU2中之導體部分之間的導通。

接著，根據第2圖~第13圖之觀點，以說明本實施形態之配線基板K的製造方法。

第2圖係以雙馬來酸酐縮亞胺三(BT)樹脂作為主體之厚度約為0.7mm之核心基板1的概略剖面圖。在核心基板1之表面2及背面3，預先黏貼有厚度約70μm之銅箔4a、5a。利用習知之手法(於此為扣除(subtractive)法)，以將如此核心基板1的銅箔4a、5a圖案化，在表面2上及背面3上形成內層配線層4、5(參照第3圖)。還有，使用採取許多個具有複數核心基板1的面板，也可以對於各核心基板1進行同樣之步驟。

接著，如第4圖所示，藉由在核心基板1中之表面2上及背面3上，被覆由含有無機填料之環氧樹脂而成的絕緣性薄膜，形成樹脂絕緣層12、13。如此之樹脂絕緣層12、13，厚度約為40μm，含有30~50重量%之由約略球狀之二氧化矽而成的無機填料。還有，上述無機填料之平均粒徑較佳為1.0μm以上、10.0μm以下。

接著，相對於樹脂絕緣層12、13之表面上的既定位置，沿著其厚度方向以照射未圖示之雷射(於本實施形態為二氧化碳氣體雷射)。其結果，如第5圖所示，貫穿樹脂絕緣層12、13而形成有使內層配線層4、5裸露於其底面的約略圓錐形之通孔形成用孔12a、13a。再者，藉由使用鑽孔機以鑿穿既定之位置，形成貫穿核心基板1及樹脂 絕緣層12、13之內徑約200μm的貫穿孔形成用孔6。

接著，於含有通孔形成用孔12a、13a之樹脂絕緣層12、13的整個表面及貫穿孔形成用孔6之內壁面，塗布含有鈀等之鍍覆觸媒後，再於其上實施無電解鍍銅及電解鍍銅。其結果，如第6圖所示，在樹脂絕緣層12、13的整個表面形成有鍍銅覆膜8a、8b，於貫穿孔形成用孔6內形成有厚度約40μm且約略圓筒狀之貫穿孔導體7。同時，藉由在通孔形成用孔12a、13a內，實施追加的鍍銅以形成有場連絡導體14、15。

接著，如第6圖所示，將含有無機填料的填充樹脂9之糊填充於貫穿孔導體7之空洞部內之後，使其熱硬化。還有，用以形成填充樹脂9之糊也可以為含有金屬粉末之導電性糊。再者，如第7圖所示，進行電解鍍銅而在鍍銅覆膜8a、8b上形成鍍銅覆膜10b、11b。此時，同時作成利用鍍覆蓋10a、11a以覆蓋填充樹脂9之兩端面。還有，鍍銅覆膜8a、10b及鍍銅覆膜8b、11b之厚度分別約為15μm。

接著，利用習知之扣除法以蝕刻鍍銅覆膜8a、11b及鍍銅覆膜8b、11b，分別形成如第8圖所示之配線圖案層10、11。還有，此等之配線圖案層10、11係成為層疊層BU1、BU2中之第1層的配線圖案層，位於其內層側之樹脂絕緣層係成為第1層的樹脂絕緣層。

接著，如第9圖所示，將上述同樣之絕緣性薄膜貼附於第1層的樹脂絕緣層12及第1層的配線圖案層10之上， 形成第2層的樹脂絕緣層16。同樣的，將上述同樣之絕緣性薄膜貼附於第1層的樹脂絕緣層13及第1層的配線圖案層11之上，形成第2層的樹脂絕緣層17。再者，相對於上述樹脂絕緣層16、17之表面上的既定位置，藉由沿著其厚度方向而照射該同樣之雷射(未圖示)，形成約略圓錐形之通孔形成用孔18、19。通孔形成用孔18、19係貫穿樹脂絕緣層16、17的同時，也使配線圖案層10、11之一部分露出其底面。然後，預先將上述同樣的鍍覆觸媒塗布於含有上述通孔形成用孔18、19之內壁面的樹脂絕緣層16、17整個表面上之後，實施無電解鍍銅(金屬層形成步驟)。若經歷如此之金屬層形成步驟時，形成有厚度約0.5μm之銅薄膜層20、21(參照第9圖中之虛線)。於此時點之銅薄膜層20、21的表面粗糙度Ra約為0.2μm。

接著，如第10圖所示，將以丙烯酸系樹脂為主體的厚度約25μm之感光性及絕緣性的乾膜材22、23黏貼於銅薄膜層20、21之整個表面。相較於以環氧樹脂為主體之習知物的乾膜材，於本實施形態所選擇的乾膜材22、23係具備於強鹼中較難以膨潤之性質。因此，具有耐鹼性。將未圖示之曝光用光罩配置於如此之乾膜材22、23上的狀態下曝光，其後，使用氫氧化鈉溶液等之鹼顯像液以進行顯像。然後，依照如上述之乾膜材黏貼、曝光及顯像的各步驟，形成如第11圖之既定圖案的鍍覆阻劑22a、22b、23a、23b(鍍覆阻劑形成步驟)。

此等鍍覆阻劑22a、22b、23a、23b之中，針對狹小的 鍍覆阻劑22b、23b，成為線寬為15μm以下(於本實施形態之情形為10μm)之微細阻劑圖案。另外，狹小的鍍覆阻劑22b、22b間，或是23b、23b間之開口部24a、25a之尺寸(亦即，線間隔)成為15μm以下(於本實施形態之情形為10μm)。還有，狹小的鍍覆阻劑22b與相鄰於此之鍍覆阻劑22a之間，或是狹小的鍍覆阻劑23b與相鄰於此之鍍覆阻劑23a之間的開口部24b、25b之尺寸也成為同樣之尺寸。同時，在鄰接於通孔形成用孔18、19之左右的銅薄膜層20、21之表面上，形成有較廣面積之開口部24、25。

接著，相對於位於開口部24、24a、25、25a之底面或通孔形成用孔18、19之底面的銅薄膜層20、21，利用習知之手法以進行電解鍍銅而使鍍銅析出。其結果，如第12圖所示，場連絡導體26、27將形成於通孔形成用孔18、19內，與場連絡導體26、27一體之配線圖案層28、29將形成於開口部24、25中。同時，剖面為縱向長的長方形、寬度為15μm以下(於本實施形態之情形為10μm)、厚度約為25μm之微細配線圖案層28a、29a形成於各開口部24a、25a中(配線圖案層形成步驟)。

接著，如第13圖所示，使用含有以單乙醇胺作為主要成分之有機胺系剝離液(0.5重量%以上、50℃以上)，剝離鍍覆阻劑22a、22b、23a、23b(鍍覆阻劑剝離步驟)。其後，利用蝕刻液以軟蝕刻處理位於鍍覆阻劑22a、22b(23a、23b)之正下方的銅薄膜層20(21)後而加以去除(蝕刻步驟)。若經歷此步驟時，銅薄膜層20(21)將被 切離。由以上之結果，含有線寬及線間隔皆約為10μm之微細配線圖案層28a、29a的配線圖案層28、28a、29、29a將予以形成。

再者，於形成有配線圖案層28、28a之第2層樹脂絕緣層16之表面上將形成新的樹脂絕緣層(第3層樹脂絕緣層)30。另一方面，於形成有配線圖案層29、29a之第2層樹脂絕緣層17之表面上將形成新的樹脂絕緣層(第3層樹脂絕緣層)31。然後，於此等樹脂絕緣層30、31上之既定位置，根據上述方法而形成未圖示之通孔形成用孔。其後，在樹脂絕緣層30、31之表面及通孔形成用孔內形成銅薄膜層，進行由如上述之乾膜材黏貼、曝光及顯像之各步驟而成的鍍覆阻劑形成步驟，進一步進行配線圖案層形成步驟、鍍覆阻劑剝離步驟、蝕刻步驟。其結果，含有線寬及線間隔皆約為10μm之微細配線圖案層34a、35a的配線圖案層34、34a、35、35a將分別形成於第3層的樹脂絕緣層30、31上。

進一步分別將厚度25μm之阻焊劑32、33設置於第3層樹脂絕緣層30、31上的同時，也在開口部36之底面所曝露之配線圖案34上形成焊錫凸塊38；在開口部37之底面所曝露之配線圖案35上實施鎳－金鍍覆。以上之結果，能夠得到於如第1圖所示之表背兩面具備層疊層BU1、BU2的配線基板K。

因而，若根據本實施形態，能夠得到以下之效果：

(1)於本實施形態之製造方法中，由於使用具有耐鹼 性之感光性乾膜材22、23而進行圖案形成，即使於曝光後進行因鹼所造成之顯像，乾膜材22、23也完全不或幾乎不膨潤。因此，能夠期望於經歷顯像步驟之時點的乾膜材22、23之剝離將被防止，提高顯像步驟中之良率。因而，以高良率製造配線基板K將成為可能，另外，低成本化也將變得容易達成。

(2)另外，若根據本實施形態之製造方法時，乾膜材22、23之剝離防止對策，則無進行銅薄膜層20、21之表面粗糙化的必要性。因此，相較於將表面粗糙化設為必要之習知方法，銅薄膜層20、21表面之凹凸程度將變小，曝光時之光散射的影響將變小。其結果，能夠實現以高解像度之曝光，尺寸精確度佳的微細阻劑圖案22b、23b將變得可能形成。因此，使確實形成線寬與線間隔皆為15μm以下，並且形成形狀上優越之微細配線圖案的微細配線圖案層28a、29a將成為可能。

(3)於本實施形態之製造方法中，使用含有以單乙醇胺作為主要成分之有機胺系剝離液而進行鍍覆阻劑22a、22b、23a、23b(乾膜材22、23)之剝離。因此，能夠確實使剝離液對於具有耐鹼性之上述乾膜材22、23予以作用，故能夠確實剝離此乾膜材。

還有，本發明之實施形態也可以變更為如下之方式：

．於上述實施形態中，雖然選擇BT樹脂作為形成核心基板1之材料，但是並不受此樹脂所限定，例如，也可以使用環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂等，或是，也可以使用使具 有連續氣孔之PTFE等三次元網狀構造的氟系樹脂中含有玻璃纖維等之複合材料等。還有，核心基板1可以為氧化鋁、氮化矽、氮化硼、氧化鈹、矽酸、玻璃陶瓷、氮化鋁等之由陶瓷等而成的高溫燒結基板以外，也可以為於約1000℃以下之較低溫進行燒結的低溫燒結基板。再者，核心基板1也可以為由銅合金或Fe－42wt% Ni合金等而成的金屬核心基板。另外，於本發明中，由於核心基板1並非必要的構造，例如，採用無核心基板之形態也將被容許。

．於上述實施形態中，雖然選擇銅作為形成配線圖案層10、11或連絡導體(via conductor)26、27等導體部的金屬材料，但是並不受銅所限定，也可能採用銀、鎳、金、銅合金、鐵鎳合金等。或是利用塗布導電性樹脂等之方法，以取代使用金屬之鍍覆層而形成上述導體部。

．於上述實施形態中，雖然連絡導體26、27之形態係採用以導體完全填補內部之場連絡導體，當然也可以採用內部並未完全被導體所填補之倒圓錐形的準型(conformal)連絡導體。

接著，除了於申請專利範圍所揭示之技術性思想之外，以下列舉根據上述之實施形態所掌握之技術性思想：

(1)一種配線基板之製造方法，其特徵係包含：在樹脂絕緣層之表面形成藉由無電解鍍銅所形成的銅薄膜層的步驟；將具有耐強鹼性而另一方面不具有耐有機胺性之感光性乾膜材黏貼於該銅薄膜層上之後，進行曝光與利用強鹼所導致之顯像，形成既定圖案之鍍覆阻劑的步驟；進行 無電解鍍銅而在該鍍覆阻劑之開口部形成配線圖案層的步驟；使用含有乙醇胺之有機胺系剝離液以剝離該鍍覆阻劑的步驟；及蝕刻以去除位於該鍍覆阻劑正下方之該銅薄膜層的步驟。

(2)一種層疊多層配線基板之製造方法，該層疊多層配線基板係分別於核心基板之表面側與背面側具備層疊層，其特徵係包含：在樹脂絕緣層之表面形成具有藉由無電解鍍銅所形成的表面粗糙度Ra為0.2μm以上、0.4μm以下粗糙面之銅薄膜層的步驟；將具有耐強鹼性而另一方面不具有耐有機胺性之感光性乾膜材黏貼於該銅薄膜層上之後，進行曝光與利用強鹼所導致之顯像，形成既定圖案之鍍覆阻劑的步驟；進行無電解鍍銅而在該鍍覆阻劑之開口部形成含有線寬與線間隔皆為15μm以下之微細配線圖案層之配線圖案層的步驟；使用含有單乙醇胺之有機胺系剝離液以剝離該鍍覆阻劑的步驟；及蝕刻以去除位於該鍍覆阻劑正下方之該銅薄膜層的步驟。

1‧‧‧核心基板

2‧‧‧表面

3‧‧‧背面

4、5‧‧‧內層配線層

4a、5a‧‧‧銅箔

6‧‧‧貫穿孔形成用孔

7‧‧‧貫穿孔導體

8a、8b、10a、10b‧‧‧鍍銅膜

9‧‧‧填充樹脂

10、11、28、28a、29、29a、34、34a、35、35a‧‧‧配線圖案層

12、13、16、17、30、31‧‧‧樹脂絕緣層

12a、13a、18、19‧‧‧通孔形成用孔

14、15‧‧‧場連絡導體

20、21‧‧‧作為金屬層之銅薄膜層

22、23‧‧‧乾膜材

22a、22b、23a、23b‧‧‧鍍覆阻劑

24、24a、25、25a‧‧‧鍍覆阻劑之開口部

26、27‧‧‧連絡導體

28a、29a‧‧‧配線圖案層之中的微細配線圖案層

32、33‧‧‧阻焊劑

32a‧‧‧第1主面

33a‧‧‧第2主面

36、37‧‧‧開口部

38‧‧‧焊錫凸塊

K‧‧‧配線基板

BU1、BU2‧‧‧層疊層

第1圖係顯示具體化本實施形態之一實施形態之配線基板的部分概略剖面圖。

第2圖係為了說明上述配線基板之製程的部分概略剖面圖。

第3圖係為了說明上述配線基板之製程的部分概略剖面圖。

第4圖係為了說明上述配線基板之製程的部分概略剖 面圖。

第5圖係為了說明上述配線基板之製程的部分概略剖面圖。

第6圖係為了說明上述配線基板之製程的部分概略剖面圖。

第7圖係為了說明上述配線基板之製程的部分概略剖面圖。

第8圖係為了說明上述配線基板之製程的部分概略剖面圖。

第9圖係為了說明上述配線基板之製程的部分概略剖面圖。

第10圖係為了說明上述配線基板之製程的部分概略剖面圖。

第11圖係為了說明上述配線基板之製程的部分概略剖面圖。

第12圖係為了說明上述配線基板之製程的部分概略剖面圖。

第13圖係為了說明上述配線基板之製程的部分概略剖面圖。

1‧‧‧核心基板

2‧‧‧表面

3‧‧‧背面

4、5‧‧‧內層配線層

6‧‧‧貫穿孔形成用孔

7‧‧‧貫穿孔導體

9‧‧‧填充樹脂

10、11、28、28a、29、29a‧‧‧配線圖案層

10a、11a‧‧‧鍍覆蓋

12、13、16、17‧‧‧樹脂絕緣層

12a、13a、18、19‧‧‧通孔形成用孔

14、15、26、27‧‧‧場連絡導體

20、21‧‧‧作為金屬層之銅薄膜層

22a、22b、23a、23b‧‧‧鍍覆阻劑

24、24a、25、25a‧‧‧開口部

Claims (9)

1. 一種配線基板之製造方法，其特徵係包含：在樹脂絕緣層之表面形成金屬層的步驟；將具有耐鹼性之感光性乾膜材黏貼於該金屬層上之後，進行曝光與利用鹼所導致之顯像，形成既定圖案之鍍覆阻劑的步驟；進行鍍覆而在該鍍覆阻劑之開口部形成配線圖案層的步驟；使用有機胺系剝離液以剝離該鍍覆阻劑的步驟；及去除位於該鍍覆阻劑正下方之該金屬層的步驟。
2. 如申請專利範圍第1項之配線基板之製造方法，其中該配線圖案層係含有線寬與線間隔皆為15μm以下之微細配線圖案層。
3. 如申請專利範圍第1或2項之配線基板之製造方法，其中該金屬層係具有表面粗糙度Ra為0.2μm以上、0.4μm以下之粗糙面。
4. 如申請專利範圍第1項之配線基板之製造方法，其中該有機胺系剝離液係含有單乙醇胺。
5. 如申請專利範圍第1項之配線基板之製造方法，其中該金屬層係藉由無電解鍍銅所形成的銅薄膜層。
6. 如申請專利範圍第1項之配線基板之製造方法，其中於剝離該鍍覆阻劑的步驟中，利用將溫度設為40℃以上、 70℃以下，將壓力設為0.1MPa以上、0.4MPa以下，將時間設為3分鐘以上、低於30分鐘之處理條件，進行使用有機胺系剝離液之噴淋處理。
7. 如申請專利範圍第1項之配線基板之製造方法，其中於剝離該鍍覆阻劑的步驟中，利用將溫度設為40℃以上、70℃以下，將時間設為3分鐘以上、低於30分鐘之處理條件，進行使用有機胺系剝離液之浸漬處理。
8. 一種配線基板之製造方法，其特徵係包含：在樹脂絕緣層之表面形成藉由無電解鍍銅所形成的銅薄膜層的步驟；將具有耐強鹼性而另一方面不具有耐有機胺性之感光性乾膜材黏貼於該銅薄膜層上之後，進行曝光與利用強鹼所導致之顯像，形成既定圖案之鍍覆阻劑的步驟；進行無電解鍍銅而在該鍍覆阻劑之開口部形成配線圖案層的步驟；使用含有乙醇胺之有機胺系剝離液以剝離該鍍覆阻劑的步驟；及蝕刻以去除位於該鍍覆阻劑正下方之該銅薄膜層的步驟。
9. 一種層疊(bulid-up)多層配線基板之製造方法，該層疊多層配線基板係分別於核心基板之表面側與背面側具備層疊層，其特徵係包含：在樹脂絕緣層之表面形成具有藉由無電解鍍銅所形成的表面粗糙度Ra為0.2μm以上、0.4μm以下粗糙面之銅薄膜層的步驟；將具有耐強鹼性而另一方面不具有耐有機胺性之感光性乾膜材黏貼於該銅薄膜層上之後，進行曝光與利用強鹼所導致之顯像，形成既定圖案之鍍覆阻劑的步驟；進行無電解鍍銅而在該 鍍覆阻劑之開口部形成含有線寬與線間隔皆為15μm以下微細配線圖案層之配線圖案層的步驟；使用含有單乙醇胺之有機胺系剝離液以剝離該鍍覆阻劑的步驟；及蝕刻以去除位於該鍍覆阻劑正下方之該銅薄膜層的步驟。