TWI397361B - 配線基板之製造方法 - Google Patents

Description

配線基板之製造方法

本發明係關於一種配線基板之製造方法，尤其是關於在形成鍍覆阻劑之狀態下，進行無電解鍍銅而形成配線圖案的配線基板之製造方法。

近年來，隨著電子機器之小型化、高性能化，已要求電子元件之高密度構裝化，適合於達成如此之高密度構裝化，配線基板的多層化技術已受到重視。使用多層化技術之具體例，習知為一種印刷配線基板(所謂層疊(bulid-up)配線基板)，其係在已設置貫穿孔(through hole)部之核心基板的單面或雙面，設置已交替積層形成樹脂絕緣層與導體之層疊層。此種印刷配線基板中之層疊層，例如能夠利用如下之順序加以製作：

首先，在樹脂絕緣層之整個表面形成鍍銅層。接著，將具有感光性之乾膜材黏貼於鍍銅層上之後，進行曝光及因鹼所造成之顯像，形成既定圖案之鍍覆阻劑。接著，進行鍍銅而在鍍覆阻劑之開口部形成配線圖案層之後，使用鹼剝離液以剝離鍍覆阻劑。接著，藉由進行位於鍍覆阻劑正下方之鍍銅層的蝕刻，形成所希望形狀之配線圖案層。其後，在配線圖案層上更形成樹脂絕緣層，進行通孔貫穿後，再進行鍍銅而形成通孔導體(via conductor)及鍍銅層。而且，必要時藉由重複數次如此之製程，使層疊層朝向多層化。還有，針對如此之層疊製程，具有習知數個例子(例如，參照專利文獻1)。還有，近年來，尋求配線圖案層之微細間距化的要求正逐漸升高，例如，使配線圖案層之線寬與相鄰接之配線圖案間之線間隔成為20μm以下(期望為15μm以下)。因而，於鍍覆阻劑中，也尋求正確形成同樣的微細阻劑圖案。

專利文獻1：日本專利特開2005-150554號公報

然而，於上述習用技術中，隨著配線圖案層之微細間距化，針對阻劑開口部，高度(深度)/寬度之比為大的，成為所謂的高深寬比圖案。而且，鍍覆阻劑之表面，通常為了形成精細之配線圖案層而提高疏水性。根據此等事實，發生如下之問題：於鍍覆阻劑之表面，電解鍍銅液將被彈開，電解鍍銅液變得難以滲入阻劑開口部內，發生導致所謂的溶液交換效率降低，均勻的鍍膜厚度變得難以得到的問題。

因此，於習用技術中，為了使鍍覆厚度之均勻性得以提高，例如己實施鍍覆液攪拌處理等，因此，攪拌裝置成為必要，將有設備成為高價且大規模之擔憂。

本發明係有鑑於上述課題而進行，其目的在於提供一種配線基板之製造方法，既容易且確實，還有也不會伴隨高成本化而能夠形成均勻厚度之微細配線圖案層。

為了解決上述課題之手段(手段1)係一種配線基板之製造方法，其係形成配線圖案層的配線基板之製造方法，其特徵係包含下列步驟：

無電解鍍銅步驟，進行無電解鍍銅而在樹脂絕緣層之表面形成無電解鍍銅覆層；

阻劑形成步驟，將丙烯酸系乾膜材緊貼於該無電解鍍銅覆層上之後，進行曝光與顯像以形成既定圖案之鍍覆阻劑；

表面改質步驟，於該阻劑形成步驟之後，進行乾灰化(dry ashing)處理，整體殘留該鍍覆阻劑的同時，也改質其表面；

電解鍍銅步驟，於該表面改質步驟之後，進行電解鍍銅而在該鍍覆阻劑之開口部形成該配線圖案層；

阻劑剝離步驟，使用剝離液以剝離該鍍覆阻劑；及

圖案分離步驟，去除位於該鍍覆阻劑正下方之該無電解鍍銅覆層以分離該配線圖案層。

另外，為了解決上述課題之其他手段(手段2)係一種配線基板之製造方法，其係形成配線圖案層的配線基板之製造方法，其特徵係包含下列步驟：

無電解鍍銅步驟，進行無電解鍍銅而在樹脂絕緣層之表面形成無電解鍍銅覆層；

阻劑形成步驟，將丙烯酸系乾膜材緊貼於該無電解鍍銅覆層上之後，進行曝光與顯像以形成既定圖案之鍍覆阻劑；

表面改質步驟，於該阻劑形成步驟之後，進行使該鍍覆阻劑表面之水的接觸角成為50°以下之親水化處理，改質該鍍覆阻劑之表面；

電解鍍銅步驟，於該表面改質步驟之後，進行電解鍍銅而在該鍍覆阻劑之開口部形成該配線圖案層；

阻劑剝離步驟，使用剝離液以剝離該鍍覆阻劑；及

圖案分離步驟，去除位於該鍍覆阻劑正下方之該無電解鍍銅覆層以分離該配線圖案層。

因而，若根據上述手段1、2揭示之發明，疏水性高的鍍覆阻劑之表面係藉由乾灰化處理或親水化處理予以改質，濕潤性將增加，於電解鍍銅步驟時，電解鍍覆液在鍍覆阻劑之表面將變得難以被彈開。其結果，即使作成含有高深寬比圖案之阻劑開口部，也由於電解鍍銅液變得容易滲入其內部，溶液交換效率將提高，均勻鍍覆厚度將變得容易得到。另外此情形下，能夠省略用以提高鍍覆厚度均勻性的鍍覆液攪拌處理等，故能夠削減為了此處理之設備費。以上之結果，若根據上述手段1、2之製造方法，既容易且確實，還有也不會伴隨高成本化而能夠形成均勻厚度之微細配線圖案層。

於上述手段之如此製造方法中，首先，進行無電解鍍銅，在樹脂絕緣層之表面進行形成無電解鍍銅覆層的無電解鍍銅步驟。選擇無電解鍍銅覆層係由於導電性為高的，而且低成本。無電解鍍銅覆層之表面狀態並未予以特別限定而為任意的，例如可以作成表面粗糙度Ra為0.2μm以上、0.4μm以下之粗糙面。此情形下，鍍覆層表面之凹凸程度將變小、曝光時之光散射影響變小的結果，成為容易實現高解像度。還有，若表面粗糙度Ra成為低於0.2μm時，由於具有乾膜材之緊貼性成為不足夠之可能性而不佳。

於無電解鍍銅步驟後之阻劑形成步驟中，將丙烯酸系乾膜材緊貼於該無電解鍍銅覆層上之後，進行曝光及顯像，形成既定圖案之鍍覆阻劑。

於阻劑形成步驟中，使用具有感光性之丙烯酸系乾膜材。該乾膜材可以為負型或正型中任一種，於此，適合選擇負型。由於負型係藉由增加溫度而使剝離性降低，雖然具有必須利用既定之剝離液加以剝離的缺點，但具有有利於形狀佳之圖案形成的優點。另外，如此之丙烯酸系乾膜材較佳為具有耐鹼性。於此，所謂「具有耐鹼性」係指具有對氫氧化鈉等之強鹼完全不膨潤，或是具有較習知物更難膨潤之性質。如此性質之差異係歸因於例如乾膜材主要成分之樹脂材料的交聯密度高低的差異。亦即，相較於習知物，具有耐鹼性之上述手段的乾膜材樹脂材料之交聯密度將變高。但是，上述手段之乾膜材不具有對有機胺之耐性，若予以曝露於有機胺時，具有些微溶解其中之性質。此係意指對於上述乾膜材，因為無法將通常之鹼作為剝離液使用，有機胺能夠作為取代鹼之剝離液使用。

於此，丙烯酸系乾膜材，其平面較佳為平滑的，具體而言，表面粗糙度Ra較佳為0.1μm以下，尤以0.01μm以上、0.1μm以下特別理想。將如此之丙烯酸系乾膜材作為起始材料以形成鍍覆阻劑，若進一步改質其表面的話，因而濕潤性之提高將變得容易期待。

於貼附乾膜材之後，進行曝光，進一步進行因鹼所造成之顯像，形成既定圖案之鍍覆阻劑。在線寬與線間隔皆形成15μm以下之微細配線圖案之情形下，與此相一致，必須預先設定微細阻劑圖案的寬度與相鄰接之微細阻劑圖案間的間隙尺寸。還有，此情形下之微細阻劑圖案間之開口部將成為所謂的高深寬比。

於阻劑形成步驟後之表面改質步驟中，進行乾灰化處理或親水化處理以改質鍍覆阻劑之表面。

一般而言，所謂乾灰化處理，其係指使用臭氧或氧電漿等之反應氣體而於氣相中處理有機物(乾膜材)，再將之加以分解、去除的處理。乾灰化處理之優點係與濕式之方法不同，因為不使用藥劑，配線基板不受污染，於後段步驟中，也不須要進行藥劑及殘渣之洗淨。但是，於上述手段1、2中之乾灰化處理中，雖然使用反應氣體而於氣相中處理乾膜材，但是整體殘留乾膜材(鍍覆阻劑)的同時，也僅進行改質其表面。亦即，相較於通常所進行之乾灰化處理，刻意設定穩定之條件以進行其處理。

進行乾灰化處理之際的壓力環境並未予以特別限定而為任意的，相較於減壓下，較佳於常壓下進行處理。其理由係因為整體殘留鍍覆阻劑的同時，也適合於確實改質其表面。相反的，若為減壓下時，具有使處理效果達成必要以上之可能性，由於鍍覆阻劑材之分解量變多，因而具有整體殘留鍍覆阻劑成為困難之憂慮。

還有，乾灰化處理中之反應氣體狀態並未予以特別限定而為任意的，基於生產性提高等之觀點，較佳為使用電漿狀態的反應氣體。

於親水化處理中，進行使鍍覆阻劑表面上之水的接觸角成為50°以下的處理。其理由係：若水之接觸低至此程度的話，親水性將變成足夠高的狀態，因而鍍覆阻劑表面之濕潤性將變高。針對於此，若接觸角超過50°時，將變得無法充分提高鍍覆阻劑之濕潤性，無法使電解鍍銅液之溶液交換效率得以充分提高。於如此之親水化處理中，更佳為進行使該接觸角成為45°以下之處理，尤以使其成為20°以上、35°以下之處理特別理想。

親水化處理只要為能夠減少鍍覆阻劑材表面中之疏水基比率而增加親水基比率之處理的話，並未予以特別限定，可以為物理性處理，也可以為化學性處理。還有，進行上述電漿灰化處理之情形，其結果，由於鍍覆阻劑表面上之水的接觸角將減低，能夠掌握如此之處理也為親水化處理的一種。

該表面改質步驟之後，可以不特別進行其他之處理，而立即進行電解鍍銅步驟，之前也可以進行例如酸洗淨處理或界面活性劑處理等。由於此等之處理也為能使鍍覆阻劑之濕潤性得以提高之處理，能夠期待與該表面改質步驟之相乘效果，因而進一步使電解鍍銅液之溶液交換效率得以進一步提高。合併此種處理而進行之情形，也可以依照此順序進行酸洗淨處理及界面活性劑處理。若此順序相反的話，將有經由酸洗淨而使界面活性劑洗出之可能性，因而上述相乘效果將變得無法充分得到。

於表面改質步驟後之電解鍍銅步驟中，進行電解鍍銅在鍍覆阻劑之開口部形成配線圖案層。若經歷此步驟時，電解鍍銅將析出於鍍覆阻劑之開口部底面所曝露之無電解鍍銅覆層上，結果會使該部分均勻變厚。

於電解鍍銅步驟後之鍍覆阻劑剝離步驟中，使用既定之剝離液以剝離鍍覆阻劑。此情形之剝離液並未予以特別限定，例如適宜使用有機胺系剝離液。於有機胺系剝離液中，作為主要成分所含之有機胺，例如，可舉出：單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、單甲胺、二甲胺，三甲胺、乙二胺、異丙胺、異丙醇胺、2-胺基-2-甲基-1-丙醇，2-胺基-2-甲基-1,3-丙二醇等。此等有機胺之中，特別理想之有機胺為含有單乙醇胺之剝離液。其理由係含有單乙醇胺之剝離液已確認滲透於具有耐鹼性之上述乾膜材中，能夠將其加以溶解，與上述手段關聯之製造方法中，因而在使用上之為適合。還有，於鍍覆阻劑剝離步驟中所用之有機胺系剝離液中，也可以添加一些肼或TMH等添加劑。

於鍍覆阻劑剝離步驟後之圖案分離步驟中，去除鍍覆阻劑正下方之無電解鍍銅覆層以分離配線圖案層。於此步驟中，使用能溶解銅之蝕刻液以進行蝕刻，若經歷此步驟時，無電解鍍銅覆層將被部分切離，關聯的配線圖案層彼此間相互獨立。

以下，基於第1圖~第13圖，以詳細說明使本發明具體化之一實施形態的配線基板K及其製造方法。

如第1圖所示，本實施形態的配線基板K係在表背兩面具有層疊(bulid-up)層BU1、BU2之所謂的層疊多層印刷配線基板。構成此配線基板K之核心基板1係顯示具有表面2及背面3之平板狀。

於核心基板1之表面2側所配置之層疊層BU1係具有交替積層樹脂絕緣層12、16、30與配線圖案層10、28、28a、34、34a之構造。於樹脂絕緣層12中形成有通孔形成用孔12a，於其內部形成有使配線圖案層10與內層配線層4予以導通的填充連絡導體(filled via conductor)14。於樹脂絕緣層16中形成有通孔形成用孔18，於其內部形成有使配線圖案層10、28間予以導通之填充連絡導體26。

於核心基板1之背面3側所配置之層疊層BU2係具有交替積層樹脂絕緣層13、17、31與配線圖案層11、29、29a、35、35a之構造。於樹脂絕緣層13中形成有通孔形成用孔13a，於其內部形成有使配線圖案層11與內層配線層5予以導通之填充連絡導體15。於樹脂絕緣層17中，形成有 通孔形成用孔19，於其內部形成有使配線圖案層11、29間予以導通之填充連絡導體27。

樹脂絕緣層30係藉由在既定位置上具有開口部36之阻焊劑32而予以整體被覆。此等之開口部36係使樹脂絕緣層30上所形成的配線圖案層34曝露於第1主面32a側，其結果，使該配線圖案層34得以發揮作為第1主面側脊槽(land)之功能。另一方面，樹脂絕緣層31係藉由在既定位置上具有開口部37之阻焊劑33而予以整體被覆。此等之開口部37係使樹脂絕緣層31上所形成的配線圖案層35曝露於第2主面33a側，其結果，使該配線圖案層35得以發揮作為第2主面側脊槽之功能。

另外，於第1主面側脊槽之配線圖案層34上，形成有較第1主面32a為高突出的焊錫凸塊38。然後，於此等之焊錫凸塊38上，便可能透過焊錫而接合未圖示之IC晶片等之電子元件。另一方面，第2主面側脊槽之配線圖案層35係成為與未圖示之母板等之印刷配線基板電性相連結。

如第1圖所示，於此配線基板K之內部設置有貫穿孔。本實施形態之貫穿孔係使圓筒狀之貫穿孔導體7析出於貫穿核心基板1及樹脂絕緣層12、13之貫穿孔形成用孔6之內壁面的同時，也具有利用填充樹脂9以填補其貫穿孔導體7之空洞部的構造。然後，藉由此貫穿孔之貫穿孔導體7，期望核心基板1之表面2側的層疊層BU1中之導體部分與核心基板1之背面3側的層疊層BU2中之導體部分之間的導通。

接著，基於第2圖～第13圖之觀點，說明本實施形態之配線基板K的製造方法。

第2圖係以雙馬來酸酐縮亞胺三(BT)樹脂作為主體之厚度約為0.7mm之核心基板1的概略剖面圖。於核心基板1之表面2及背面3，預先黏貼有厚度約70μm之銅箔4a、5a。利用習知之手法(於此為扣除(subtractive)法)，以將如此核心基板1的銅箔4a、5a圖案化，在表面2上及背面3上形成內層配線層4、5(參照第3圖)。還有，使用採取許多個具有數個核心基板1的面板，也可以對於各核心基板1進行同樣之步驟。

接著，如第4圖所示，藉由在核心基板1中之表面2上及背面3上，被覆由含有無機填料之環氧樹脂而成的絕緣性薄膜，形成樹脂絕緣層12、13。如此之樹脂絕緣層12、13，其厚度約為40μm，含有30重量%～50重量%之由約略球狀之二氧化矽而成的無機填料。還有，上述無機填料之平均粒徑較佳為1.0μm以上、10.0μm以下。

接著，相對於樹脂絕緣層12、13之表面上的既定位置，沿著其厚度方向以照射未圖示之雷射(於本實施形態為二氧化碳氣體雷射)。其結果，如第5圖所示，貫穿樹脂絕緣層12、13而形成有使內層配線層4、5裸露於其底面的約略圓錐形之通孔形成用孔12a、13a。再者，藉由使用鑽孔機以鑿穿既定之位置，形成貫穿核心基板1及樹脂絕緣層12、13之內徑約200μm的貫穿孔形成用孔6。

接著，於含有通孔形成用孔12a、13a之樹脂絕緣層12、13的整個表面及貫穿孔形成用孔6之內壁面，塗布含有鈀等之鍍覆觸媒後，再於其上實施無電解鍍銅及電解鍍銅。其結果，如第6圖所示，在樹脂絕緣層12、13的整個表面形成有鍍銅覆膜8a、8b，於貫穿孔形成用孔6內形成有厚度約40μm且約略圓筒狀之貫穿孔導體7。同時，藉由在通孔形成用孔12a、13a內，實施追加的鍍銅以形成填充連絡導體14、15。

接著，如第6圖所示，將含有無機填料之填充樹脂9之糊填充於貫穿孔導體7之空洞部內之後，使其熱硬化。還有，用以形成填充樹脂9之糊也可以為含有金屬粉末之導電性糊。再者，如第7圖所示，進行電解鍍銅液而在鍍銅覆膜8a、8b上形成鍍銅覆膜10b、11b。此時，同時作成利用鍍覆蓋10a、11a以覆蓋填充樹脂9之兩端面。還有，鍍銅覆膜8a、10b及鍍銅覆膜8b、11b之厚度分別約為15μm。

接著，利用習知之扣除法以蝕刻鍍銅覆膜8a、10b及鍍銅覆膜8b、11b，分別形成如第8圖所示之配線圖案層10、11。還有，此等之配線圖案層10、11係成為層疊層BU1、BU2中之第1層的配線圖案層，位於其內層側之樹脂絕緣層係成為第1層之樹脂絕緣層。

接著，如第9圖所示，將上述同樣之絕緣性薄膜貼附於第1層的樹脂絕緣層12及第1層的配線圖案層10之上，形成第2層的樹脂絕緣層16。同樣的，將上述同樣之絕緣性薄膜貼附於第1層的樹脂絕緣層13及第1層的配線圖案層11之上，形成第2層的樹脂絕緣層17。再者，對於上述樹脂絕緣層16、17之表面上的既定位置，藉由沿著其厚度方向而照射該同樣之雷射(未圖示)，形成約略圓錐形之通孔形成用孔18、19。通孔形成用孔18、19係貫穿樹脂絕緣層16、17的同時，也使配線圖案層10、11之一部分露出其底面。然後，預先將上述同樣的鍍覆觸媒塗布於含有上述通孔形成用孔18、19之內壁面的樹脂絕緣層16、17之整個表面上之後，實施無電解鍍銅(無電解鍍銅步驟)。若經歷如此之金屬層形成步驟時，形成有厚度約0.5μm之無電解鍍銅覆層20、21(參照第9圖中之虛線)。於此時點之無電解鍍銅覆層20、21之表面粗糙度Ra約為0.2μm。

接著，如第10圖所示，將以丙烯酸系樹脂為主體的厚度約25μm之感光性及絕緣性之負型乾膜材22、23黏貼於無電解鍍銅覆層20、21之整個表面。相較於以環氧樹脂為主體之習知物的乾膜材，於本實施形態所選擇的乾膜材22、23係具備於強鹼中較難以膨潤之性質，因此，具有耐鹼性。還有，此乾膜材22、23之表面粗糙度Ra約為0.08μm。將未圖示之曝光用光罩配置於如此之乾膜材22、23上之狀態下曝光，其後，使用氫氧化鈉溶液等之鹼顯像液以進行顯像。然後，依照如上述之乾膜材黏貼、曝光及顯像的各步驟，形成如第11圖所示之既定圖案的鍍覆阻劑22a、22b、23a、23b(阻劑形成步驟)。

此等鍍覆阻劑22a、22b、23a、23b之中，針對狹小的鍍覆阻劑22b、23b，成為線寬為15μm以下(於本實施形態之情形為10μm)之微細阻劑圖案。另外，狹小的鍍覆阻劑22b、22b間，或是23b、23b間之開口部24a、25a之尺寸(亦即，線間隔)成為15μm以下(於本實施形態之情形為10μm)，成為所謂的高深寬比圖案。還有，狹小的鍍覆阻劑22b與相鄰於此之鍍覆阻劑22a之間，或是狹小的鍍覆阻劑23b與相鄰於此之鍍覆阻劑23a之間的開口部24b、25b之尺寸也成為同樣之尺寸。同時，在鄰接於通孔形成用孔18、19之左右的無電解鍍銅覆層20、21之表面上，形成有較廣面積之開口部24、25。

接著，進行乾灰化處理，改質鍍覆阻劑22a、22b、23a、23b之表面(表面改質步驟)。於本實施形態中，更具體而言，利用氧電漿反應氣體之習知乾電漿灰化裝置，於常壓下進行處理。於此，設定一般處理條件(輸出500W、15分鐘)之大約1/4程度的穩定處理條件(輸出200W、5分鐘)，整體殘留鍍覆阻劑22a、22b、23a、23b的同時，也僅進行其表面之改質。其結果，將處理前約為72°之鍍覆阻劑22a、22b、23a、23b表面上之水的接觸角減低至50°以下(於本實施形態之情形為31°)。此係認為歸因於藉由上述之乾電漿灰化，鍍覆阻劑22a、22b、23a、23b表面上之疏水基的比率將減少，親水基之比率增加。

接著，進行酸洗淨處理之後，必要時，進行水洗及乾燥，進一步進行界面活性劑處理。其結果，使鍍覆阻劑22a、22b、23a、23b之濕潤性得以更為提高。

接著，對於位於開口部24、24a、25、25a之底面或通孔形成用孔18、19之底面的無電解鍍銅覆層20、21，利用習知之手法以進行電解鍍銅而使鍍銅析出。其結果，如第12圖所示，填充連絡導體26、27將形成於通孔形成用孔18、19內，與連絡導體26、27一體之配線圖案層28、29將形成於開口部24、25中。同時，剖面為縱向長的長方形、寬度為15μm以下(於本實施形態之情形為10μm)、厚度約為25μm之微細配線圖案層28a、29a形成於各開口部24a、25a中(電解鍍銅步驟)。

接著，如第13圖所示，使用以單乙醇胺作為主要成分所含之有機胺系剝離液(0.5重量%以上、50℃以上)，剝離鍍覆阻劑22a、22b、23a、23b(阻劑剝離步驟)。其後，利用蝕刻液以軟蝕刻處理位於鍍覆阻劑22a、22b、23a、23b之正下方的無電解鍍銅覆層20(21)後而加以去除(圖案分離步驟)。若經歷此步驟時，無電解鍍銅覆層20(21)將被切離。由以上之結果，含有線寬及線間隔皆約為10μm之微細配線圖案層28a、29a的配線圖案層28、28a、29、29a將予以形成。

再者，於形成有配線圖案層28、28a之第2層樹脂絕緣層16之表面上將形成新的樹脂絕緣層(第3層樹脂絕緣層)30。另一方面，於形成有配線圖案層29、29a之第2層樹脂絕緣層17之表面上將形成新的樹脂絕緣層(第3層樹脂絕緣層)31。然後，於此等樹脂絕緣層30、31上之既定位置，根據上述方法而形成未圖示之通孔形成用孔。其後，在樹脂絕緣層30、31之表面及通孔形成用孔內形成無電解鍍銅覆層，進行由如上述之乾膜材黏貼、曝光及顯像之各步驟而成的鍍覆阻劑形成步驟，除了進一步進行表面改質步驟之外，也進行配線圖案層形成步驟、鍍覆阻劑剝離步驟、蝕刻步驟。其結果，含有線寬及線間隔皆約為10μm之微細配線圖案層34a、35a的配線圖案層34、34a、35、35a將分別形成於第3層樹脂絕緣層30、31上。

進一步分別將厚度25μm之阻焊劑32、33設置於第3層樹脂絕緣層30、31上的同時，也在開口部36之底面所曝露之配線圖案34上形成焊錫凸塊38；在開口部37之底面所曝露之配線圖案35上實施鎳-金鍍覆。以上之結果，能夠得到於如第1圖所示之表背兩面具備層疊層BU1、BU2的配線基板K。

因而，若根據本實施形態，能夠得到以下之效果：

(1)若根據本實施形態之配線基板K之製造方法，疏水性高的鍍覆阻劑22a、22b、23a、23b之表面係經由乾電漿灰化處理(親水化處理)而予以改質，其濕潤性將增加。藉此，於電解鍍銅步驟之際，在鍍覆阻劑22a、22b、23a、23b之表面，電解鍍覆液將變得難以被彈開。其結果，即使含有高深寬比圖案的阻劑之開口部24a、25a，由於電解鍍銅液變得容易滲入其內部，電解鍍銅液之溶液交換效率將提高，均勻之鍍覆厚度也將變得容易得到。另外此情形下，能夠省略為了鍍覆厚度均勻性提高之鍍覆液攪拌處理等，故能夠削減為了此處理之設備費。以上之結果，若根據本實施形態之配線基板K的製造方法，既容易且確實，還有也不會伴隨高成本化而能夠形成均勻厚度之微細配線圖案層28a、29a。

還有，本發明之實施形態也可以變更為如下之方式：

●　於上述實施形態中，雖然選擇BT樹脂作為形成核心基板1之材料，但是並不受此樹脂所限定，例如，也可以使用環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂等，或是，也可以使用於具有連續氣孔之PTFE等三次元網狀構造的氟系樹脂中含有玻璃纖維等之複合材料等。還有，核心基板1可以為氧化鋁、氮化矽、氮化硼、氧化鈹、矽酸、玻璃陶瓷、氮化鋁等之由陶瓷等而成的高溫燒結基板以外，也可以為於約1000℃以下之較低溫進行燒結的低溫燒結基板。再者，核心基板1也可以為由銅合金或Fe-42wt% Ni合金等而成的金屬核心基板。另外，於本發明中，由於核心基板1並非必要的構造，例如，採用無核心基板之形態也被容許。

●　於上述實施形態中，雖然選擇銅作為形成配線圖案層10、11或連絡導體26、27等導電部的金屬材料，但是並不受銅所限定，也可能採用銀、鎳、金、銅合金、鐵鎳合金等。或是利用塗布導電性樹脂等之方法，以替代使用金屬之鍍覆層而形成上述導體部。

●於上述實施形態中，雖然連絡導體26、27之形態係採用以導體完全填補內部之填充連絡導體，當然也可以採用內部並未完全被導體所填補之倒圓錐形的準型(conformal)連絡導體。

●於上述實施形態中，雖然乾灰化處理係進行乾電漿灰化處理，使用不利用電漿型之乾灰化裝置也為可能的。

●於上述實施形態中，雖然使用負型之乾膜材22、23，也能夠使用正型之乾膜材。

接著，除了於申請專利範圍所揭示之技術性思想之外，以下列舉根據上述之實施形態所掌握之技術性思想：(1)一種配線基板之製造方法，其係利用半附加法(semi-additive)以形成配線圖案層的配線基板之製造方法，其特徵係包含下列步驟：無電解鍍銅步驟，進行無電解鍍銅而在樹脂絕緣層之表面形成無電解鍍銅覆層；阻劑形成步驟，將負型之丙烯酸系乾膜材緊貼於該無電解鍍銅覆層上之後，進行曝光與顯像以形成既定圖案之鍍覆阻劑；表面改質步驟，於該阻劑形成步驟之後，進行乾電漿灰化處理，整體殘留該鍍覆阻劑的同時，也改質其表面；

電解鍍銅步驟，於該表面改質步驟之後，進行電解鍍銅而在該鍍覆阻劑之開口部形成該配線圖案層；

阻劑剝離步驟，使用剝離液以剝離該鍍覆阻劑；及

圖案分離步驟，去除該鍍覆阻劑正下方之該無電解鍍銅覆層以分離該配線圖案層。

1．．．核心基板

2．．．表面

3．．．背面

4、5．．．內層配線層

4a、5a．．．銅箔

6．．．貫穿孔形成用孔

7．．．貫穿孔導體

8a、8b、10b、11b．．．鍍銅覆膜

9．．．填充樹脂

10a、11a．．．鍍覆蓋

10、11、28、28a、29、29a、34、34a、35、35a．．．配線圖案層

12、13、16、17、30、31．．．樹脂絕緣層

12a、13a、18、19‧‧‧通孔形成用孔

14、15、26、27‧‧‧填充連絡導體

20、21‧‧‧無電解鍍銅覆層

22、23‧‧‧丙烯酸系乾膜材

22a、22b、23a、23b‧‧‧鍍覆阻劑

24、24a、24b、25、25a、25b、36、37‧‧‧鍍覆阻劑之開口部

28a、29a‧‧‧配線圖案層中之微細配線圖案層

32、33‧‧‧阻焊劑

32a‧‧‧第1主面

33a‧‧‧第2主面

38‧‧‧焊錫凸塊

K‧‧‧配線基板

第1圖係顯示將本實施形態予以具體化之一實施形態配線基板的部分概略剖面圖。

第2圖係用以說明上述配線基板之製程的部分概略剖面圖。

第3圖係用以說明上述配線基板之製程的部分概略剖面圖。

第4圖係用以說明上述配線基板之製程的部分概略剖面圖。

第5圖係用以說明上述配線基板之製程的部分概略剖面圖。

第6圖係用以說明上述配線基板之製程的部分概略剖面圖。

第7圖係用以說明上述配線基板之製程的部分概略剖面圖。

第8圖係用以說明上述配線基板之製程的部分概略剖面圖。

第9圖係用以說明上述配線基板之製程的部分概略剖面圖。

第10圖係用以說明上述配線基板之製程的部分概略剖面圖。

第11圖係用以說明上述配線基板之製程的部分概略剖面圖。

第12圖係用以說明上述配線基板之製程的部分概略剖面圖。

第13圖係用以說明上述配線基板之製程的部分概略剖面圖。

1‧‧‧核心基板

2‧‧‧表面

3‧‧‧背面

4、5‧‧‧內層配線層

6‧‧‧貫穿孔形成用孔

7‧‧‧貫穿孔導體

8‧‧‧鍍銅覆膜

9‧‧‧填充樹脂

10、11、28、28a、29、29a‧‧‧配線圖案層

10a、11a‧‧‧鍍覆蓋

12、13、16、17‧‧‧樹脂絕緣層

12a、13a、18、19‧‧‧通孔形成用孔

14、15、26、27‧‧‧填充連絡導體

20、21‧‧‧無電解鍍銅覆層

22a、22b、23a、23b‧‧‧鍍覆阻劑

24、24a、25、25a‧‧‧開口部

Claims (10)

1. 一種配線基板之製造方法，其係形成配線圖案層的配線基板之製造方法，其特徵係包含下列步驟：無電解鍍銅步驟，進行無電解鍍銅而在樹脂絕緣層之表面形成無電解鍍銅覆層；阻劑形成步驟，將丙烯酸系乾膜材緊貼於該無電解鍍銅覆層上之後，進行曝光與顯像以形成既定圖案之鍍覆阻劑；表面改質步驟，於該阻劑形成步驟之後，進行乾灰化(dry ashing)處理，整體殘留該鍍覆阻劑的同時，也改質其表面；電解鍍銅步驟，於該表面改質步驟之後，進行電解鍍銅而在該鍍覆阻劑之開口部形成該配線圖案層；阻劑剝離步驟，使用剝離液以剝離該鍍覆阻劑；及圖案分離步驟，去除該鍍覆阻劑正下方之該無電解鍍銅覆層以分離該配線圖案層，其中於該表面改質步驟之後並且於該電解鍍銅步驟之前，依序進行酸洗淨處理與界面活性劑處理。
2. 如申請專利範圍第1項之配線基板之製造方法，其中於該表面改質步驟中，在常壓下進行該乾灰化處理。
3. 如申請專利範圍第1或2項之配線基板之製造方法，其中於該表面改質步驟中，該乾灰化處理係進行乾電漿灰化處理。
4. 一種配線基板之製造方法，其係形成配線圖案層的配線基板之製造方法，其特徵係包含下列步驟：無電解鍍銅步驟，進行無電解鍍銅而在樹脂絕緣層之表面形成無電解鍍銅覆層；阻劑形成步驟，將丙烯酸系乾膜材緊貼於該無電解鍍銅覆層上之後，進行曝光與顯像以形成既定圖案之鍍覆阻劑；表面改質步驟，於該阻劑形成步驟之後，進行使該鍍覆阻劑表面之水的接觸角成為50°以下之親水化處理，改質該鍍覆阻劑之表面；電解鍍銅步驟，於該表面改質步驟之後，進行電解鍍銅而在該鍍覆阻劑之開口部形成該配線圖案層；阻劑剝離步驟，使用剝離液以剝離該鍍覆阻劑；及圖案分離步驟，去除該鍍覆阻劑正下方之該無電解鍍銅覆層以分離該配線圖案層，其中於該表面改質步驟之後並且於該電解鍍銅步驟之前，依序進行酸洗淨處理與界面活性劑處理。
5. 如申請專利範圍第1或4項之配線基板之製造方法，其中該配線圖案層包含線寬與線間隔皆為15μm以下之微細配線圖案層。
6. 如申請專利範圍第1或4項之配線基板之製造方法，其中該丙烯酸系乾膜材為負型。
7. 如申請專利範圍第1或4項之配線基板之製造方法，其中於該阻劑剝離步驟中，將有機胺系剝離液作為該剝離液使用。
8. 如申請專利範圍第1或4項之配線基板之製造方法，其中於該阻劑剝離步驟中，將含有單乙醇胺之剝離液作為該剝離液使用。
9. 如申請專利範圍第1或4項之配線基板之製造方法，其中該丙烯酸系乾膜材係表面粗糙度Ra為0.1μm以下。
10. 一種配線基板之製造方法，其係利用半附加(semi-additive)法以形成配線圖案層的配線基板之製造方法，其特徵係包含下列步驟：無電解鍍銅步驟，進行無電解鍍銅而在樹脂絕緣層之表面形成無電解鍍銅覆層；阻劑形成步驟，將負型之丙烯酸系乾膜材緊貼於該無電解鍍銅覆層上之後，進行曝光與顯像以形成既定圖案之鍍覆阻劑；表面改質步驟，於該阻劑形成步驟之後，進行乾灰化處理，整體殘留該鍍覆阻劑的同時，也改質其表面；電解鍍銅步驟，於該表面改質步驟之後，進行電解鍍銅而在該鍍覆阻劑之開口部形成該配線圖案層；阻劑剝離步驟，使用剝離液以剝離該鍍覆阻劑；及圖案分離步驟，去除該鍍覆阻劑正下方之該無電解鍍銅覆層以分離該配線圖案層，其中於該表面改質步驟之後並且於該電解鍍銅步驟之前，依序進行酸洗淨處理與界面活性劑處理。