JP2005223167A - 親水性処理方法及び配線パターンの形成方法 - Google Patents
親水性処理方法及び配線パターンの形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005223167A JP2005223167A JP2004030110A JP2004030110A JP2005223167A JP 2005223167 A JP2005223167 A JP 2005223167A JP 2004030110 A JP2004030110 A JP 2004030110A JP 2004030110 A JP2004030110 A JP 2004030110A JP 2005223167 A JP2005223167 A JP 2005223167A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma treatment
- treatment
- hydrophilic
- wiring pattern
- resin substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 25
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 72
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 72
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 43
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 84
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 54
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 27
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 26
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 claims description 19
- 125000002843 carboxylic acid group Chemical group 0.000 claims description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 11
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 10
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 abstract description 33
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 28
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 17
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 11
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 10
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 8
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 5
- 208000028659 discharge Diseases 0.000 description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 5
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 3
- 150000002433 hydrophilic molecules Chemical class 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 235000002566 Capsicum Nutrition 0.000 description 2
- 239000006002 Pepper Substances 0.000 description 2
- 241000722363 Piper Species 0.000 description 2
- 235000016761 Piper aduncum Nutrition 0.000 description 2
- 235000017804 Piper guineense Nutrition 0.000 description 2
- 235000008184 Piper nigrum Nutrition 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/108—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by semi-additive methods; masks therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/09—Treatments involving charged particles
- H05K2203/095—Plasma, e.g. for treating a substrate to improve adhesion with a conductor or for cleaning holes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/09—Treatments involving charged particles
- H05K2203/095—Plasma, e.g. for treating a substrate to improve adhesion with a conductor or for cleaning holes
- H05K2203/097—Corona discharge
Abstract
【課題】実質的に溶液を用いることなく樹脂から成る成形体に水に対する充分な濡れ性を付与できる親水性処理方法を提供する。
【解決手段】樹脂から成るポリイミドフィルムの一面側にプラズマ処理を施し、ポリイミドフィルムの一面側に親水性を付与する際に、該プラズマ処理を、噴霧した水が付着しているポリイミドフィルムの一面側に施すことを特徴とする。
【選択図】 なし
【解決手段】樹脂から成るポリイミドフィルムの一面側にプラズマ処理を施し、ポリイミドフィルムの一面側に親水性を付与する際に、該プラズマ処理を、噴霧した水が付着しているポリイミドフィルムの一面側に施すことを特徴とする。
【選択図】 なし
Description
本発明は親水性処理方法及び配線パターンの形成方法に関する。
従来、配線基板を製造する際には、先ず、図１（ａ）に示す様に、樹脂基板１０の一面側の全面に形成した金属膜１２上に、樹脂から成るマスク層１４を形成した後、マスク層１４にパターニングを施して、形成予定の配線パターンに倣って底面に金属膜１２が露出する溝部１６，１６・・を形成する。
次いで、図１（ｂ）に示す様に、金属膜１２を給電層とする電解めっきによって、溝部１６，１６・・の各々に金属を充填して配線パターン１８，１８・・を形成する。
その後、図１（ｃ）（ｄ）に示す様に、マスク層１４を除去して露出した金属膜１２を除去することによって、樹脂基板１０上に所望形状の配線パターン１８，１８・・を形成できる。
次いで、図１（ｂ）に示す様に、金属膜１２を給電層とする電解めっきによって、溝部１６，１６・・の各々に金属を充填して配線パターン１８，１８・・を形成する。
その後、図１（ｃ）（ｄ）に示す様に、マスク層１４を除去して露出した金属膜１２を除去することによって、樹脂基板１０上に所望形状の配線パターン１８，１８・・を形成できる。
しかし、金属膜１２を給電層とする電解めっきによって、溝部１６，１６・・の各々に金属を充填する際に、溝部１６のマスク層１４によって形成された内側面に気泡が付着することがある。かかる気泡が付着した状態で電解めっきを施すと、図２（ａ）に示す如く、気泡１００，１００・・が付着した状態で溝部１６内に金属が充填される。このため、最終的に形成された配線パターン１８は、図２（ｂ）に示す如く、穴１０２，１０２・・が形成されたものとなる。
この様に、気泡１００，１００・・の付着に起因する穴１０２，１０２・・が形成された配線パターン１８は、形成する配線パターン１８が微細となるほど形成され易い。
しかも、微細な配線パターン１８ほど、気泡１００，１００・・の付着に起因して形成された穴１０２，１０２・・の配線パターン１８内に占める割合も大きくなって、その強度が低下する。このため、その後の工程で配線パターン１８に加えられた応力によって断線するおそれがあり、断線しなくとも配線パターン１８のインピーダンス等の電気特性が設計値と異なるものとなる。
この様に、気泡１００，１００・・の付着に起因する穴１０２，１０２・・が形成された配線パターン１８は、形成する配線パターン１８が微細となるほど形成され易い。
しかも、微細な配線パターン１８ほど、気泡１００，１００・・の付着に起因して形成された穴１０２，１０２・・の配線パターン１８内に占める割合も大きくなって、その強度が低下する。このため、その後の工程で配線パターン１８に加えられた応力によって断線するおそれがあり、断線しなくとも配線パターン１８のインピーダンス等の電気特性が設計値と異なるものとなる。
ところで、金属膜１２を給電層とする電解めっきによって、溝部１６，１６・・の各々に金属を充填する際に、溝部１６のマスク層１４によって形成された内側面に気泡が付着する原因の一つには、マスク層１４のパターニング等によって、溝部１６の内周面が汚れていることにある。
かかる汚れは、弱アルカリのアルカリ溶液やアルコール溶液に樹脂基板１０を浸漬して脱脂処理を施すことによって除去可能であるが、この脱脂処理を施すと、マスク層１４が剥離され易くなる。
このため、下記特許文献１に提案されている様に、電解めっきを施す樹脂基板１０に対してプラズマ処理を施すことが検討されている。
特開２０００−１２７４０７号公報（実施例２）
かかる汚れは、弱アルカリのアルカリ溶液やアルコール溶液に樹脂基板１０を浸漬して脱脂処理を施すことによって除去可能であるが、この脱脂処理を施すと、マスク層１４が剥離され易くなる。
このため、下記特許文献１に提案されている様に、電解めっきを施す樹脂基板１０に対してプラズマ処理を施すことが検討されている。
特許文献１に提案されている様に、電解めっきを施す樹脂基板１０に対してプラズマ処理を施すことにより、マスク層１４のパターニング等に因る、溝部１６の内周面の汚れを除去できると共に、電解めっきの際に、マスク層１４と金属膜１２との接着力を高めることができる。
しかし、金属膜１２を給電層とする電解めっきの際に、溝部１６のマスク層１４によって形成された内側面に気泡が付着する現象は減少したものの、依然として発生することが判明した。
かかる現象について本発明者が検討したところによれば、溝部１６のマスク層１４によって形成された内側面の電解めっき液に対する濡れ性が充分でなく、電解めっき液に混在した気泡１００，１００・・が溝部１６の内側面に付着すると、気泡１００，１００・・が付着した状態で電解めっきが続行される。
このため、プラズマ処理によって、溝部１６のマスク層１４によって形成された内側面の電解めっき液に対する濡れ性の向上が求められている。
尚、この電解めっき液に対する濡れ性の向上は、電解めっき液の組成の大部分は水であるため、水に対する濡れ性の向上と同視できる。
しかし、金属膜１２を給電層とする電解めっきの際に、溝部１６のマスク層１４によって形成された内側面に気泡が付着する現象は減少したものの、依然として発生することが判明した。
かかる現象について本発明者が検討したところによれば、溝部１６のマスク層１４によって形成された内側面の電解めっき液に対する濡れ性が充分でなく、電解めっき液に混在した気泡１００，１００・・が溝部１６の内側面に付着すると、気泡１００，１００・・が付着した状態で電解めっきが続行される。
このため、プラズマ処理によって、溝部１６のマスク層１４によって形成された内側面の電解めっき液に対する濡れ性の向上が求められている。
尚、この電解めっき液に対する濡れ性の向上は、電解めっき液の組成の大部分は水であるため、水に対する濡れ性の向上と同視できる。
また、図１（ａ）に示す樹脂基板１０の一面側の全面に形成された金属膜１２は、無電解めっきによって形成することが経済的であるが、無電解めっきによって金属膜１２を形成する際には、弱アルカリのアルカリ溶液やアルコール溶液に樹脂基板１０を浸漬して脱脂処理を施し、無電解めっき液との濡れ性を向上する必要がある。
しかし、かかる脱脂処理を施した溶液の処理等が問題となるため、実質的に溶液を用いることなく樹脂基板１０と無電解めっき液との濡れ性の向上も求められている。この無電解めっき液に対する濡れ性の向上も、無電解めっき液の組成の大部分は水であるため、水に対する濡れ性の向上と同視できる。
そこで、本発明の課題は、実質的に溶液を用いることなく樹脂から成る成形体に水に対する充分な濡れ性を付与できる親水性処理方法、及び樹脂から成るマスク層に形成予定の配線パターンに倣って形成された溝部を少なくとも一面側に具備する樹脂基板に、実質的に溶液を用いることなく水に対する充分な濡れ性をプラズマ処理によって付与できる配線パターンの形成方法を提供することにある。
しかし、かかる脱脂処理を施した溶液の処理等が問題となるため、実質的に溶液を用いることなく樹脂基板１０と無電解めっき液との濡れ性の向上も求められている。この無電解めっき液に対する濡れ性の向上も、無電解めっき液の組成の大部分は水であるため、水に対する濡れ性の向上と同視できる。
そこで、本発明の課題は、実質的に溶液を用いることなく樹脂から成る成形体に水に対する充分な濡れ性を付与できる親水性処理方法、及び樹脂から成るマスク層に形成予定の配線パターンに倣って形成された溝部を少なくとも一面側に具備する樹脂基板に、実質的に溶液を用いることなく水に対する充分な濡れ性をプラズマ処理によって付与できる配線パターンの形成方法を提供することにある。
本発明者は、前記課題を解決すべく検討した結果、水を噴霧した樹脂基板に大気圧プラズマ処理を施したところ、水を噴霧することなく乾燥状態で大気圧プラズマ処理を施した樹脂基板に比較して、水の濡れ性を向上できることを見出し、本発明に到達した。
すなわち、本発明は、樹脂から成る成形体にプラズマ処理を施し、前記成形体に親水性を付与する際に、該プラズマ処理を、親水基を有する親水性ガスを含有する雰囲気中で施すことを特徴とする親水性処理方法にある。
かかる本発明において、成形体として、フィルム状又は板状の成形体を用い、前記フィルム状又は板状の成形体の少なくとも一面側にプラズマ処理を施すことによって、フィルム状又は板状の成形体の少なくとも一面側に充分な水に対する濡れ性を付与できる。
また、本発明は、樹脂基板の少なくとも一面側の全面に形成した金属膜上に、樹脂から成るマスク層を形成した後、前記マスク層にパターニングを施して、形成予定の配線パターンに倣って底面に前記金属膜が露出する溝部を形成し、次いで、前記金属膜を給電層とする電解めっきによって、前記溝部に金属を充填して配線パターンを形成する際に、該溝部を形成した樹脂基板の一面側に、親水基を有する親水性ガスを含有する雰囲気中でプラズマ処理を施した後、前記金属膜を給電層とする電解めっきを施すことを特徴とする配線パターンの形成方法にある。
すなわち、本発明は、樹脂から成る成形体にプラズマ処理を施し、前記成形体に親水性を付与する際に、該プラズマ処理を、親水基を有する親水性ガスを含有する雰囲気中で施すことを特徴とする親水性処理方法にある。
かかる本発明において、成形体として、フィルム状又は板状の成形体を用い、前記フィルム状又は板状の成形体の少なくとも一面側にプラズマ処理を施すことによって、フィルム状又は板状の成形体の少なくとも一面側に充分な水に対する濡れ性を付与できる。
また、本発明は、樹脂基板の少なくとも一面側の全面に形成した金属膜上に、樹脂から成るマスク層を形成した後、前記マスク層にパターニングを施して、形成予定の配線パターンに倣って底面に前記金属膜が露出する溝部を形成し、次いで、前記金属膜を給電層とする電解めっきによって、前記溝部に金属を充填して配線パターンを形成する際に、該溝部を形成した樹脂基板の一面側に、親水基を有する親水性ガスを含有する雰囲気中でプラズマ処理を施した後、前記金属膜を給電層とする電解めっきを施すことを特徴とする配線パターンの形成方法にある。
これらの本発明において、プラズマ処理を、予めコロナ放電処理を施した成形体又は樹脂基板に施すことによって、プラズマ処理をのみを施した場合よりも、成形体又は樹脂基板の水に対する濡れ性を向上できる。このコロナ放電処理を大気圧下で施すことにより、コロナ放電処理設備を簡易化できる。
また、プラズマ処理を、水、アルコール及びカルボン酸基を有する有機物から選ばれた１種又は２種以上から成るガスを含有する雰囲気中で施すことが好ましく、水、アルコール及びカルボン酸基を有する有機物から選ばれた１種又は２種以上を含有する液体を付着した成形体又は樹脂基板にプラズマ処理を施すことによって、プラズマ処理する雰囲気中に親水基を有する親水性ガスを容易に含有させることができる。
更に、プラズマ処理を、大気圧下で施すことによって、プラズマ処理設備を簡易なものにできる。
また、プラズマ処理を、水、アルコール及びカルボン酸基を有する有機物から選ばれた１種又は２種以上から成るガスを含有する雰囲気中で施すことが好ましく、水、アルコール及びカルボン酸基を有する有機物から選ばれた１種又は２種以上を含有する液体を付着した成形体又は樹脂基板にプラズマ処理を施すことによって、プラズマ処理する雰囲気中に親水基を有する親水性ガスを容易に含有させることができる。
更に、プラズマ処理を、大気圧下で施すことによって、プラズマ処理設備を簡易なものにできる。
本発明によれば、従来の乾燥状態下で成形体にプラズマ処理を施した場合に比較して、成形体の水に対する濡れ性を向上できる結果、実質的に溶液を用いることなく成形体と無電解めっき液等の液体との濡れ性の向上を図ることができ、脱脂処理等に用いた溶液の処理等を省略できる。
また、本発明によれば、従来の乾燥状態下で成形体にプラズマ処理を施した場合に比較して、樹脂から成るマスク層に形成予定の配線パターンに倣って形成された溝部を少なくとも一面側に具備する樹脂基板に、マスク層を剥離する溶液を用いることなく水に対する充分な濡れ性を付与できる結果、微細な配線パターンを電解めっきで形成する際に、気泡が付着した状態で電解めっきが進行することを防止できる。
この様に、本発明によれは、従来の乾燥状態下で成形体にプラズマ処理を施す場合に比較して、成形体又は樹脂基板に充分な濡れ性を付与できる理由は次のように考えられる。
つまり、親水基を有する親水性ガスを含有する雰囲気中でのプラズマ処理では、親水基を有する親水性ガスは、プラズマによって親水基がイオン化或いはラジカル化され、成形体又は樹脂基板を形成する樹脂の分子鎖に水素結合等によって結合し、成形体又は樹脂基板の表面を親水性とする。
かかる成形体又は樹脂基板の表面が親水性に改質されると共に、成形体又は樹脂基板の表面に付着した汚れがプラズマ処理によって除去されることと相俟って、成形体又は樹脂基板の表面の水に対する濡れ性を向上できる。
また、プラズマによってイオン化又はラジカル化された親水基は、樹脂基板の一面側に形成された溝部の内側面を形成するマスク層にも到達し、この内側面の親水性を向上して水に対する濡れ性を向上できる。
また、本発明によれば、従来の乾燥状態下で成形体にプラズマ処理を施した場合に比較して、樹脂から成るマスク層に形成予定の配線パターンに倣って形成された溝部を少なくとも一面側に具備する樹脂基板に、マスク層を剥離する溶液を用いることなく水に対する充分な濡れ性を付与できる結果、微細な配線パターンを電解めっきで形成する際に、気泡が付着した状態で電解めっきが進行することを防止できる。
この様に、本発明によれは、従来の乾燥状態下で成形体にプラズマ処理を施す場合に比較して、成形体又は樹脂基板に充分な濡れ性を付与できる理由は次のように考えられる。
つまり、親水基を有する親水性ガスを含有する雰囲気中でのプラズマ処理では、親水基を有する親水性ガスは、プラズマによって親水基がイオン化或いはラジカル化され、成形体又は樹脂基板を形成する樹脂の分子鎖に水素結合等によって結合し、成形体又は樹脂基板の表面を親水性とする。
かかる成形体又は樹脂基板の表面が親水性に改質されると共に、成形体又は樹脂基板の表面に付着した汚れがプラズマ処理によって除去されることと相俟って、成形体又は樹脂基板の表面の水に対する濡れ性を向上できる。
また、プラズマによってイオン化又はラジカル化された親水基は、樹脂基板の一面側に形成された溝部の内側面を形成するマスク層にも到達し、この内側面の親水性を向上して水に対する濡れ性を向上できる。
本発明においては、樹脂から成る成形体に、親水基を有する親水性ガスを含有する雰囲気中でプラズマ処理を施すことが必要である。
かかる樹脂から成る成形体としては、疎水性樹脂或いは親水性樹脂から成るフィルム又は板板であっても用いることができる。
ここで、親水性樹脂とは、その分子鎖中に親水基を有する樹脂であって、例えばポリアミド樹脂やポリイミド樹脂が該当する。
但し、かかる親水性樹脂から成る成形体であっても、電解めっき液や無電解めっき液に対する濡れ性は不充分であり、更に改善することが必要である。
かかる樹脂から成る成形体としては、疎水性樹脂或いは親水性樹脂から成るフィルム又は板板であっても用いることができる。
ここで、親水性樹脂とは、その分子鎖中に親水基を有する樹脂であって、例えばポリアミド樹脂やポリイミド樹脂が該当する。
但し、かかる親水性樹脂から成る成形体であっても、電解めっき液や無電解めっき液に対する濡れ性は不充分であり、更に改善することが必要である。
また、親水基を有する親水性ガスとは、分子中に−ＯＨ、−ＣＯＯＨや−ＣＯ−を有する気体状の化合物を好適に用いることができる。かかる気体状の化合物は、単独でも用いることができ、２種以上を混合して用いてもよい。
気体状の化合物を含有する雰囲気を形成するには、気体状の親水性の化合物を、プラズマ処理を施す雰囲気中に他のガスと共に注入してもよいが、親水性の化合物を含有する液体を付着した成形体にプラズマ処理を施すことによっても、親水基を有する親水性ガスを含有する雰囲気中でプラズマ処理を施すことができる。
かかる親水性の化合物としては、常温で液体であって、プラズマ処理によって容易にガス化され得る、水、アルコール及びカルボン酸基を有する有機物を好適に用いることができる。カルボン酸基を有する有機物としては、酢酸を好適に用いることができる。
気体状の化合物を含有する雰囲気を形成するには、気体状の親水性の化合物を、プラズマ処理を施す雰囲気中に他のガスと共に注入してもよいが、親水性の化合物を含有する液体を付着した成形体にプラズマ処理を施すことによっても、親水基を有する親水性ガスを含有する雰囲気中でプラズマ処理を施すことができる。
かかる親水性の化合物としては、常温で液体であって、プラズマ処理によって容易にガス化され得る、水、アルコール及びカルボン酸基を有する有機物を好適に用いることができる。カルボン酸基を有する有機物としては、酢酸を好適に用いることができる。
プラズマ処理としては、例えば特許文献１に用いられている減圧下でのプラズマ処理であってもよいが、大気圧下でプラズマ処理を施す大気圧プラズマ処理を好適に採用できる。
かかる大気圧プラズマ処理を施す大気圧プラズマ処理装置の一例を図３に示す。図３に示す大気圧プラズマ処理装置では、キャリアガスボンベ２０からのキャリアガスと反応ガスボンベ２２からの反応ガスとは、流量計２４ａ，２４ｂによる流量が所定量となるようにバルブ２５ａ，２５ｂによって調整され、混合器２６により混合されて、高周波電源２８に接続されている反応器３０内に供給される。
反応器３０内に供給されたキャリアガスと反応ガスとは、反応器３０内でプラズマ化されて反応器３０からプラズマジェット３２として噴出し、矢印方向に移動するコンベアベルト３４に載置された樹脂から成る成形体３６に噴射される。
かかるプラズマジェット３２が成形体３６に向けて噴射される雰囲気を、親水基を有する親水性ガスを含有する雰囲気とするには、プラズマジェット３２を成形体３６に向けて噴射すると共に、成形体３６に向けて水、アルコール及び酢酸等のカルボン酸基を有する有機物から選ばれた１種又は２種以上から成るガスをを噴き付けることによって可能である。特に、水、アルコール及び酢酸等のカルボン酸基を有する有機物から選ばれた１種又は２種以上を含有する液体を噴霧等で付着した成形体３６をプラズマ処理に供することが好ましい。成形体３６に付着した液体は、プラズマジェット３２によってガス化して成形体３６の周囲を親水性の雰囲気とすることができる。
かかる大気圧プラズマ処理を施す大気圧プラズマ処理装置の一例を図３に示す。図３に示す大気圧プラズマ処理装置では、キャリアガスボンベ２０からのキャリアガスと反応ガスボンベ２２からの反応ガスとは、流量計２４ａ，２４ｂによる流量が所定量となるようにバルブ２５ａ，２５ｂによって調整され、混合器２６により混合されて、高周波電源２８に接続されている反応器３０内に供給される。
反応器３０内に供給されたキャリアガスと反応ガスとは、反応器３０内でプラズマ化されて反応器３０からプラズマジェット３２として噴出し、矢印方向に移動するコンベアベルト３４に載置された樹脂から成る成形体３６に噴射される。
かかるプラズマジェット３２が成形体３６に向けて噴射される雰囲気を、親水基を有する親水性ガスを含有する雰囲気とするには、プラズマジェット３２を成形体３６に向けて噴射すると共に、成形体３６に向けて水、アルコール及び酢酸等のカルボン酸基を有する有機物から選ばれた１種又は２種以上から成るガスをを噴き付けることによって可能である。特に、水、アルコール及び酢酸等のカルボン酸基を有する有機物から選ばれた１種又は２種以上を含有する液体を噴霧等で付着した成形体３６をプラズマ処理に供することが好ましい。成形体３６に付着した液体は、プラズマジェット３２によってガス化して成形体３６の周囲を親水性の雰囲気とすることができる。
図３に示す大気圧プラズマ処理装置で用いるキャリアガスとしては、窒素ガス又はヘリウムガスを用いることができ、反応ガスとしては、酸素ガスを用いることができる。
かかるプラズマ処理を施す成形体３６には、予めコロナ放電処理を施しておくことが、プラズマ処理のみを施した成形体３６に比較して、プラズマ処理後の成形体３６の水に対する濡れ性を向上できる。
また、図３に示す大気圧プラズマ処理装置では、コンベアベルト３４に載置された成形体３６を移動させつつプラズマ処理を施すことができるため、成形体３６としては、フィルム状又は板状の成形体を載置して、その一面側にプラズマ処理を連続して施すことができる。
尚、コロナ放電処理は、大気圧下で施すことにより、コロナ放電処理設備を簡易化でき好ましい。
かかるプラズマ処理を施す成形体３６には、予めコロナ放電処理を施しておくことが、プラズマ処理のみを施した成形体３６に比較して、プラズマ処理後の成形体３６の水に対する濡れ性を向上できる。
また、図３に示す大気圧プラズマ処理装置では、コンベアベルト３４に載置された成形体３６を移動させつつプラズマ処理を施すことができるため、成形体３６としては、フィルム状又は板状の成形体を載置して、その一面側にプラズマ処理を連続して施すことができる。
尚、コロナ放電処理は、大気圧下で施すことにより、コロナ放電処理設備を簡易化でき好ましい。
かかるプラズマ処理を施した成形体３６の表面は、水に対する濡れ性が向上されているため、めっき液に対する濡れ性も向上される。このため、成形体３６を無電解めっき液に浸漬して無電解めっき施すことによって、成形体３６の表面に均一にめっき層を形成できる。
但し、成形体３６の表面の水に対する濡れ性が向上されている状態は、プラズマ処理された成形体３６を大気中に放置すると１日程度で消失するため、成形体３６に対するめっき等の処理を迅速に行なうことが必要である。
また、プラズマ処理された成形体３６に対するめっき等の処理が遅れる場合には、プラズマ処理された成形体３６をアルミ箔で包むことが好ましい。プラズマ処理された成形体３６をアルミ箔で包むことによって、成形体３６の表面の水に対する濡れ性が向上されている状態を、大気中に放置した場合に比較して延長できるからである。
但し、成形体３６の表面の水に対する濡れ性が向上されている状態は、プラズマ処理された成形体３６を大気中に放置すると１日程度で消失するため、成形体３６に対するめっき等の処理を迅速に行なうことが必要である。
また、プラズマ処理された成形体３６に対するめっき等の処理が遅れる場合には、プラズマ処理された成形体３６をアルミ箔で包むことが好ましい。プラズマ処理された成形体３６をアルミ箔で包むことによって、成形体３６の表面の水に対する濡れ性が向上されている状態を、大気中に放置した場合に比較して延長できるからである。
以上、述べてきた成形体の表面を親水性とするプラズマ処理は、半導体装置に用いる配線基板に対して好適に施すことができる。特に、図１（ａ）に示す様に、樹脂基板１０の一面側の全面を覆う金属膜１２上に形成した、樹脂から成るマスク層１４にパターニングを施して、形成予定の配線パターンに倣って底面に金属膜１２が露出する溝部１６，１６・・を形成した状態で、金属膜１２を給電層とする電解めっきを樹脂基板１０の一面側に施す前処理として、樹脂基板１０の一面側を親水性とするプラズマ処理を好適に採用できる。
すなわち、図１（ａ）に示す樹脂基板１０の一面側に電解めっきを施す前処理として、樹脂基板１０の一面側に付着した汚れを除去することが必要であるが、弱アルカリのアルカリ溶液やアルコール溶液に樹脂基板１０を浸漬する脱脂処理では、マスク層１４が剥離され易くなるからである。
すなわち、図１（ａ）に示す樹脂基板１０の一面側に電解めっきを施す前処理として、樹脂基板１０の一面側に付着した汚れを除去することが必要であるが、弱アルカリのアルカリ溶液やアルコール溶液に樹脂基板１０を浸漬する脱脂処理では、マスク層１４が剥離され易くなるからである。
この点、図１（ａ）に示す樹脂基板１０の一面側に、図３に示す大気圧プラズマ処理装置によってプラズマ処理することにより、樹脂基板１０の一面側を脱脂処理できる。
しかも、マスク層１４によって形成される溝部１６，１６・・の内側面も、親水基を有する親水性ガスを含有する雰囲気下でのプラズマ処理によって、水に対する濡れ性を向上できる。このため、樹脂基板１０を電解めっき液に浸漬して施す電解めっきの際に、溝部１６，１６・・の内側面に付着した気泡に起因する穴が配線パターンに形成される事態を防止できる。
図１（ａ）に示す樹脂基板１０の一面側へのプラズマ処理を図３に示す大気圧プラズマ装置を用いて施す際には、水、アルコール及び酢酸等のカルボン酸基を有する有機物から選ばれた１種又は２種以上を含有する液体を噴霧等で付着した樹脂基板１０の一面側に、プラズマジェット３２を噴射することが好ましい。
この場合でも、樹脂基板１０の一面側にコロナ放電処理を施した後、図３に示す大気圧プラズマ処理装置を用い、親水性ガスを含む雰囲気中でプラズマ処理することによって、プラズマ処理のみを施した場合よりも、樹脂基板１０の一面側に水に対する濡れ性を向上できる。
しかも、マスク層１４によって形成される溝部１６，１６・・の内側面も、親水基を有する親水性ガスを含有する雰囲気下でのプラズマ処理によって、水に対する濡れ性を向上できる。このため、樹脂基板１０を電解めっき液に浸漬して施す電解めっきの際に、溝部１６，１６・・の内側面に付着した気泡に起因する穴が配線パターンに形成される事態を防止できる。
図１（ａ）に示す樹脂基板１０の一面側へのプラズマ処理を図３に示す大気圧プラズマ装置を用いて施す際には、水、アルコール及び酢酸等のカルボン酸基を有する有機物から選ばれた１種又は２種以上を含有する液体を噴霧等で付着した樹脂基板１０の一面側に、プラズマジェット３２を噴射することが好ましい。
この場合でも、樹脂基板１０の一面側にコロナ放電処理を施した後、図３に示す大気圧プラズマ処理装置を用い、親水性ガスを含む雰囲気中でプラズマ処理することによって、プラズマ処理のみを施した場合よりも、樹脂基板１０の一面側に水に対する濡れ性を向上できる。
また、図１（ａ）に示す樹脂基板１０の一面側に、親水性ガスを含む雰囲気中でプラズマ処理を施した後、図１（ｂ）に示す様に、配線パターン１８，１８・・を形成すべく、金属膜１２を給電層とする電解めっきを迅速に行なうことが好ましい。プラズマ処理後の樹脂基板１０を大気中に放置すると、水に対する濡れ性の向上効果が１日程度で消滅するからである。
プラズマ処理後の樹脂基板１０に施す電解めっきが遅れる場合には、プラズマ処理後の樹脂基板１０をアルミ箔等で包むことによって、水に対する濡れ性の向上効果の消滅速度を遅くできる。
プラズマ処理後の樹脂基板１０に施す電解めっきが遅れる場合には、プラズマ処理後の樹脂基板１０をアルミ箔等で包むことによって、水に対する濡れ性の向上効果の消滅速度を遅くできる。
厚さ５０μｍのポリイミドフィルムの一面側に、大気下で出力２００Ｗのコロナ放電処理を施した。このコロナ放電処理は、ポリイミドフィルムを載置したコンベアの移動速度を２ｍ／分に調整しつつ、ポリイミドフィルムの一面側に二回行なった。
次いで、かかるコロナ放電処理を施したポリイミドフィルムの一面側に、５％エタノール水溶液を噴霧し、水滴等をペパーで拭き取ってからプラズマ処理を施した。このプラズマ処理は、出力５０Ｗであって、キャリアガスとして窒素ガスを用い、反応ガスとして酸素ガスの濃度を９３ｐｐｍ（ｖｏｌ）とした。
プラズマ処理を終了したポリイミドフィルムの一面側の濡れ性を、液滴法によって測定した接触角αは３５．２°であった。
一方、コロナ放電処理及びプラズマ処理を施す前のポリイミドフィルムの一面側における接触角αは６５．８°であった。
尚、液滴法は、図４に示す様に、ポリイミドフィルムの表面４０に落とした水滴４２の接触角αを測定するものであって、接触角αが小さい程、表面４０の水に対する濡れ性が向上されていることを示す。
次いで、かかるコロナ放電処理を施したポリイミドフィルムの一面側に、５％エタノール水溶液を噴霧し、水滴等をペパーで拭き取ってからプラズマ処理を施した。このプラズマ処理は、出力５０Ｗであって、キャリアガスとして窒素ガスを用い、反応ガスとして酸素ガスの濃度を９３ｐｐｍ（ｖｏｌ）とした。
プラズマ処理を終了したポリイミドフィルムの一面側の濡れ性を、液滴法によって測定した接触角αは３５．２°であった。
一方、コロナ放電処理及びプラズマ処理を施す前のポリイミドフィルムの一面側における接触角αは６５．８°であった。
尚、液滴法は、図４に示す様に、ポリイミドフィルムの表面４０に落とした水滴４２の接触角αを測定するものであって、接触角αが小さい程、表面４０の水に対する濡れ性が向上されていることを示す。
実施例１において、ポリイミドフィルムの一面側に、５％エタノール水溶液を噴霧することなく乾燥した状態でプラズマ処理を施した他は、実施例１と同様にプラズマ処理を施した。プラズマ処理後のポリイミドフィルムの一面側における接触角αは３８．８°であって、実施例１で施したプラズマ処理後のポリイミドフィルムの一面側における接触角αよりも大きい。
このことから、５％エタノール水溶液を噴霧したポリイミドフィルムの一面側にプラズマ処理を施すことによって、乾燥した状態でプラズマ処理を施した場合に比較して、ポリイミドフィルムの一面側の水に対する濡れ性を向上できる。
このことから、５％エタノール水溶液を噴霧したポリイミドフィルムの一面側にプラズマ処理を施すことによって、乾燥した状態でプラズマ処理を施した場合に比較して、ポリイミドフィルムの一面側の水に対する濡れ性を向上できる。
実施例１において、コロナ放電を施さなかった他は、実施例１と同様にプラズマ処理を施した。プラズマ処理後のポリイミドフィルムの一面側における接触角αは５９．４°であった。
これに対し、実施例１において、コロナ放電を施さなかったポリイミドフィルムの一面側に、５％エタノール水溶液を噴霧することなく乾燥した状態でプラズマ処理を施した他は、実施例１と同様にプラズマ処理を施した。プラズマ処理後のポリイミドフィルムの一面側における接触角αは６５．７°であり、５％エタノール水溶液を噴霧してプラズマ処理を施したポリイミドフィルムの一面側の接触角αよりも大きい。
このことからも、コロナ放電を施さなかったポリイミドフィルムでも、その一面側に５％エタノール水溶液を噴霧してプラズマ処理を施すことによって、乾燥した状態でプラズマ処理を施した場合に比較して、ポリイミドフィルムの一面側の水に対する濡れ性を向上できる。
これに対し、実施例１において、コロナ放電を施さなかったポリイミドフィルムの一面側に、５％エタノール水溶液を噴霧することなく乾燥した状態でプラズマ処理を施した他は、実施例１と同様にプラズマ処理を施した。プラズマ処理後のポリイミドフィルムの一面側における接触角αは６５．７°であり、５％エタノール水溶液を噴霧してプラズマ処理を施したポリイミドフィルムの一面側の接触角αよりも大きい。
このことからも、コロナ放電を施さなかったポリイミドフィルムでも、その一面側に５％エタノール水溶液を噴霧してプラズマ処理を施すことによって、乾燥した状態でプラズマ処理を施した場合に比較して、ポリイミドフィルムの一面側の水に対する濡れ性を向上できる。
実施例１において、プラズマ処理を、出力１５０Ｗであって、キャリアガスとしてヘリウムガスを用い、反応ガスとしての酸素ガスの濃度を１２３ｐｐｍ（ｖｏｌ）とした他は、実施例１と同様にプラズマ処理を施した。プラズマ処理後のポリイミドフィルムの一面側における接触角αは２４．５°であった。
実施例３において、コロナ放電処理を施さなかったポリイミドフィルムをプラズマ処理に供した他は、実施例３と同様にプラズマ処理を施した。プラズマ処理後のポリイミドフィルムの一面側における接触角αは２８．７°であった。
これに対し、実施例３において、コロナ放電を施さなかったポリイミドフィルムの一面側に、５％エタノール水溶液を噴霧することなく乾燥した状態でプラズマ処理を施した他は、実施例３と同様にプラズマ処理を施した。プラズマ処理後のポリイミドフィルムの一面側における接触角αは３５．３°であり、５％エタノール水溶液を噴霧してプラズマ処理を施したポリイミドフィルムの一面側の接触角αよりも大きい。
このことからも、コロナ放電を施さなかったポリイミドフィルムでも、その一面側に５％エタノール水溶液を噴霧してプラズマ処理を施すことによって、乾燥した状態でプラズマ処理を施した場合に比較して、ポリイミドフィルムの一面側の水に対する濡れ性を向上できる。
これに対し、実施例３において、コロナ放電を施さなかったポリイミドフィルムの一面側に、５％エタノール水溶液を噴霧することなく乾燥した状態でプラズマ処理を施した他は、実施例３と同様にプラズマ処理を施した。プラズマ処理後のポリイミドフィルムの一面側における接触角αは３５．３°であり、５％エタノール水溶液を噴霧してプラズマ処理を施したポリイミドフィルムの一面側の接触角αよりも大きい。
このことからも、コロナ放電を施さなかったポリイミドフィルムでも、その一面側に５％エタノール水溶液を噴霧してプラズマ処理を施すことによって、乾燥した状態でプラズマ処理を施した場合に比較して、ポリイミドフィルムの一面側の水に対する濡れ性を向上できる。
厚さ５０μｍのポリイミドフィルムを樹脂基板１０として用い、図１（ａ）に示す様に、樹脂基板１０の一面側の全面に無電解めっきによって形成した金属膜としての銅膜１２上に、めっきレジストから成るマスク層１４を形成した後、マスク層１４にパターニングを施して、形成予定の配線パターンに倣って底面に金属膜１２が露出する溝部１６，１６・・を形成した。この溝部１６，１６・・の間隔は１０μｍであった。
かかる樹脂基板１０の一面側に、大気下で出力２００Ｗのコロナ放電処理を施した。このコロナ放電処理は、樹脂基板１０を載置したコンベアの移動速度を２ｍ／分に調整しつつ、樹脂基板１０の一面側に二回行なった。
次いで、かかるコロナ放電処理を施した樹脂基板１０の一面側に、５％エタノール水溶液を噴霧し、水滴等をペパーで拭き取ってからプラズマ処理を施した。このプラズマ処理は、出力５０Ｗであって、キャリアガスとして窒素ガスを用い、反応ガスとして酸素ガスの濃度を９３ｐｐｍ（ｖｏｌ）とした。
プラズマ処理を施した樹脂基板１０の一面側に、図１（ｂ）に示す様に、銅膜１２を給電層とする電解銅めっきによって、溝部１６，１６・・の各々に銅を充填して配線パターン１８，１８・・を形成した。
更に、図１（ｃ）（ｄ）に示す様に、マスク層１４を除去して露出した銅膜１２を除去することによって、樹脂基板１０上に所望形状の配線パターン１８，１８・・が形成された配線基板を得ることができた。
形成された配線パターン１８，１８・・を顕微鏡で観察したところ、形成した配線パターン１８，１８・・には、図２（ｂ）に示す穴１０２等が形成されておらず、良好な形状のものであった。
かかる樹脂基板１０の一面側に、大気下で出力２００Ｗのコロナ放電処理を施した。このコロナ放電処理は、樹脂基板１０を載置したコンベアの移動速度を２ｍ／分に調整しつつ、樹脂基板１０の一面側に二回行なった。
次いで、かかるコロナ放電処理を施した樹脂基板１０の一面側に、５％エタノール水溶液を噴霧し、水滴等をペパーで拭き取ってからプラズマ処理を施した。このプラズマ処理は、出力５０Ｗであって、キャリアガスとして窒素ガスを用い、反応ガスとして酸素ガスの濃度を９３ｐｐｍ（ｖｏｌ）とした。
プラズマ処理を施した樹脂基板１０の一面側に、図１（ｂ）に示す様に、銅膜１２を給電層とする電解銅めっきによって、溝部１６，１６・・の各々に銅を充填して配線パターン１８，１８・・を形成した。
更に、図１（ｃ）（ｄ）に示す様に、マスク層１４を除去して露出した銅膜１２を除去することによって、樹脂基板１０上に所望形状の配線パターン１８，１８・・が形成された配線基板を得ることができた。
形成された配線パターン１８，１８・・を顕微鏡で観察したところ、形成した配線パターン１８，１８・・には、図２（ｂ）に示す穴１０２等が形成されておらず、良好な形状のものであった。
１０ 樹脂基板
１２ 金属膜（銅膜）
１２ 樹脂基板
１４ マスク層
１６ 溝部
１８ 配線パターン
２０ キャリアガスボンベ
２２ 反応ガスボンベ
２６ 混合器
２８ 高周波電源
３０ 反応器
３２ プラズマジェット
３４ コンベアベルト
３６ 成形体
４０ 表面
４２ 水滴
２４ａ 流量計
２５ａ バルブ
α 接触角
１２ 金属膜（銅膜）
１２ 樹脂基板
１４ マスク層
１６ 溝部
１８ 配線パターン
２０ キャリアガスボンベ
２２ 反応ガスボンベ
２６ 混合器
２８ 高周波電源
３０ 反応器
３２ プラズマジェット
３４ コンベアベルト
３６ 成形体
４０ 表面
４２ 水滴
２４ａ 流量計
２５ａ バルブ
α 接触角
Claims (13)
- 樹脂から成る成形体にプラズマ処理を施し、前記成形体に親水性を付与する際に、該プラズマ処理を、親水基を有する親水性ガスを含有する雰囲気中で施すことを特徴とする親水性処理方法。
- プラズマ処理を、予めコロナ放電処理を施した成形体に施す請求項１記載の親水性処理方法。
- コロナ処理を、大気圧下で施す請求項２記載の親水性処理方法。
- プラズマ処理を、水、アルコール及びカルボン酸基を有する有機物から選ばれた１種又は２種以上から成るガスを含有する雰囲気中で施す請求項１〜３のいずれか一項記載の親水性処理方法。
- プラズマ処理を、水、アルコール及びカルボン酸基を有する有機物から選ばれた１種又は２種以上を含有する液体を付着した成形体に施す請求項１〜４のいずれか一項記載の親水性処理方法。
- プラズマ処理を、大気圧下で施す請求項１〜５のいずれか一項記載の親水性処理方法。
- 成形体として、フィルム状又は板状の成形体を用い、前記フィルム状又は板状の成形体の少なくとも一面側にプラズマ処理を施す請求項１〜６のいずれか一項記載の親水性処理方法。
- 樹脂基板の少なくとも一面側の全面に形成した金属膜上に、樹脂から成るマスク層を形成した後、前記マスク層にパターニングを施して、形成予定の配線パターンに倣って底面に前記金属膜が露出する溝部を形成し、
次いで、前記金属膜を給電層とする電解めっきによって、前記溝部に金属を充填して配線パターンを形成する際に、
該溝部を形成した樹脂基板の一面側に、親水基を有する親水性ガスを含有する雰囲気中でプラズマ処理を施した後、
前記金属膜を給電層とする電解めっきを施すことを特徴とする配線パターンの形成方法。 - プラズマ処理を、予めコロナ放電処理を施した樹脂基板に施す請求項８記載の配線パターンの形成方法。
- コロナ処理を、大気圧下で施す請求項９記載の親水性処理方法。
- プラズマ処理を、水、アルコール及びカルボン酸基を有する有機物から選ばれた１種又は２種以上から成るガスを含有する雰囲気中で施す請求項８〜１０のいずれか一項記載の配線パターンの形成方法。
- プラズマ処理を、水、アルコール及びカルボン酸基を有する有機物から選ばれた１種又は２種以上を含有する液体を付着した樹脂基板に施す請求項８〜１１のいずれか一項記載の配線パターンの形成方法。
- プラズマ処理を、大気圧下で施す請求項８〜１２のいずれか一項記載の配線パターンの形成方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004030110A JP2005223167A (ja) | 2004-02-06 | 2004-02-06 | 親水性処理方法及び配線パターンの形成方法 |
| US11/049,774 US8007649B2 (en) | 2004-02-06 | 2005-02-03 | Hydrophilic treatment method and wiring pattern forming method |
| EP05250620A EP1562409A3 (en) | 2004-02-06 | 2005-02-04 | Hydrophilic treatment and wiring pattern formation including It |
| CN200510007284.8A CN1652667A (zh) | 2004-02-06 | 2005-02-06 | 亲水处理方法及形成布线图形的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004030110A JP2005223167A (ja) | 2004-02-06 | 2004-02-06 | 親水性処理方法及び配線パターンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005223167A true JP2005223167A (ja) | 2005-08-18 |
Family
ID=34675543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004030110A Pending JP2005223167A (ja) | 2004-02-06 | 2004-02-06 | 親水性処理方法及び配線パターンの形成方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8007649B2 (ja) |
| EP (1) | EP1562409A3 (ja) |
| JP (1) | JP2005223167A (ja) |
| CN (1) | CN1652667A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008050673A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Toyota Motor Corp | めっき処理方法及びファインピッチ配線基板の製造方法 |
| JP2009540577A (ja) * | 2006-06-08 | 2009-11-19 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 非接触印刷のための平面状試験基体 |
| KR101161301B1 (ko) | 2012-05-21 | 2012-07-04 | 한국기계연구원 | 플라즈마를 이용한 금속 배선이 함몰된 유연 기판의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 유연 기판 |
| US8309376B2 (en) | 2007-10-26 | 2012-11-13 | E I Du Pont De Nemours And Company | Process and materials for making contained layers and devices made with same |
| KR101253648B1 (ko) * | 2012-02-28 | 2013-04-11 | 신풍섬유(주) | 대기압플라즈마를 이용한 원단의 개질 가공방법 |
| JP2016533879A (ja) * | 2013-07-25 | 2016-11-04 | サクミ・イモラ・ソシエタ・コーペラティバＳａｃｍｉ Ｉｍｏｌａ Ｓ．Ｃ． | 容器閉鎖体を製造および印刷するためのプラント |
| WO2020026399A1 (ja) * | 2018-08-02 | 2020-02-06 | 株式会社Ｆｕｊｉ | 油除去方法、接着方法、組立装置、および大気圧プラズマ装置 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| PL2268846T3 (pl) * | 2007-09-19 | 2012-09-28 | Vlaamse Instelling Voor Tech Onderzoek Vito | Sposób trwałego zwiększenia hydrofilowości podłoża przez osadzanie plazmowe pod ciśnieniem atmosferycznym |
| CN101472406B (zh) * | 2007-12-25 | 2012-08-15 | 日本特殊陶业株式会社 | 布线基板的制造方法 |
| CN108337813A (zh) * | 2018-01-08 | 2018-07-27 | 南京邮电大学 | 一种高精度喷墨印刷柔性电路的方法 |
Family Cites Families (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS587654B2 (ja) * | 1978-11-30 | 1983-02-10 | 信越化学工業株式会社 | 塩化ビニル系樹脂成形品の表面処理方法 |
| DE3705482A1 (de) * | 1987-02-20 | 1988-09-01 | Hoechst Ag | Verfahren und anordnung zur oberflaechenvorbehandlung von kunststoff mittels einer elektrischen koronaentladung |
| JPH0721072B2 (ja) * | 1988-10-31 | 1995-03-08 | 東京電線工業株式会社 | ポリオレフィン樹脂の表面改質方法 |
| GB8909685D0 (en) * | 1989-04-27 | 1989-06-14 | British Petroleum Co Plc | Method for reducing fouling |
| JP3063769B2 (ja) * | 1990-07-17 | 2000-07-12 | イーシー化学株式会社 | 大気圧プラズマ表面処理法 |
| JP2967133B2 (ja) | 1990-07-25 | 1999-10-25 | イーシー化学株式会社 | 粉体表面処理方法 |
| US5316739A (en) * | 1991-08-20 | 1994-05-31 | Bridgestone Corporation | Method and apparatus for surface treatment |
| US5344462A (en) * | 1992-04-06 | 1994-09-06 | Plasma Plus | Gas plasma treatment for modification of surface wetting properties |
| JP3286816B2 (ja) * | 1992-12-24 | 2002-05-27 | イーシー化学株式会社 | 大気圧グロ−放電プラズマ処理法 |
| US5419968A (en) * | 1993-02-16 | 1995-05-30 | Gunze Limited | Surface-hydrophilized fluororesin moldings and method of producing same |
| JP3393444B2 (ja) | 1993-04-05 | 2003-04-07 | 株式会社ダイオー | 大気圧グロ−放電プラズマ処理法 |
| US6342275B1 (en) * | 1993-12-24 | 2002-01-29 | Seiko Epson Corporation | Method and apparatus for atmospheric pressure plasma surface treatment, method of manufacturing semiconductor device, and method of manufacturing ink jet printing head |
| JPH07207449A (ja) | 1994-01-24 | 1995-08-08 | Sekisui Chem Co Ltd | 積層体の製造方法 |
| EP0801809A2 (en) * | 1995-06-19 | 1997-10-22 | The University Of Tennessee Research Corporation | Discharge methods and electrodes for generating plasmas at one atmosphere of pressure, and materials treated therewith |
| US5858472A (en) * | 1995-09-25 | 1999-01-12 | Nippon Paint Co., Ltd. | Method of improving the electrical conductivity of a molding article of resin, method of coating a molding article of resin, and coating composition |
| US5662758A (en) * | 1996-01-10 | 1997-09-02 | The Procter & Gamble Company | Composite material releasably sealable to a target surface when pressed thereagainst and method of making |
| JPH11158671A (ja) | 1997-11-28 | 1999-06-15 | Mitsubishi Shindoh Co Ltd | コロナ放電脱脂処理金属基材 |
| JP2000080184A (ja) | 1998-06-26 | 2000-03-21 | Dainippon Printing Co Ltd | フィルムシ―トの多段階表面改質方法及びその装置 |
| JP2000133933A (ja) | 1998-10-27 | 2000-05-12 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板の製造方法 |
| JP2000127407A (ja) | 1998-10-27 | 2000-05-09 | Canon Inc | インクジェット記録ヘッド、および、それが用いられるインクジェット記録装置 |
| JP2001319992A (ja) * | 2000-02-28 | 2001-11-16 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板、半導体装置及びそれらの製造方法 |
| JP4370668B2 (ja) | 2000-03-29 | 2009-11-25 | Ｊｓｒ株式会社 | メッキ造形物製造用ポジ型感放射線性樹脂組成物およびメッキ造形物の製造方法 |
| JP2002076573A (ja) | 2000-09-04 | 2002-03-15 | Toshiba Chem Corp | プリント基板およびプリント基板の製造方法 |
| KR20020071437A (ko) * | 2001-03-06 | 2002-09-12 | 유승균 | 고분자 소재 표면의 금속피막 도금방법 및 이를 이용한전자파 차폐방법 |
| JP3508740B2 (ja) | 2001-05-30 | 2004-03-22 | 関西日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2003045871A (ja) | 2001-07-26 | 2003-02-14 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線パターンの形成方法 |
| JP4656783B2 (ja) | 2001-09-18 | 2011-03-23 | 積水化学工業株式会社 | ポリイミド基材の親水化処理方法 |
| JP4089198B2 (ja) | 2001-10-05 | 2008-05-28 | 凸版印刷株式会社 | 半導体装置用基板の製造方法 |
-
2004
- 2004-02-06 JP JP2004030110A patent/JP2005223167A/ja active Pending
-
2005
- 2005-02-03 US US11/049,774 patent/US8007649B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-02-04 EP EP05250620A patent/EP1562409A3/en not_active Withdrawn
- 2005-02-06 CN CN200510007284.8A patent/CN1652667A/zh active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009540577A (ja) * | 2006-06-08 | 2009-11-19 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 非接触印刷のための平面状試験基体 |
| JP2008050673A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Toyota Motor Corp | めっき処理方法及びファインピッチ配線基板の製造方法 |
| US8309376B2 (en) | 2007-10-26 | 2012-11-13 | E I Du Pont De Nemours And Company | Process and materials for making contained layers and devices made with same |
| KR101253648B1 (ko) * | 2012-02-28 | 2013-04-11 | 신풍섬유(주) | 대기압플라즈마를 이용한 원단의 개질 가공방법 |
| KR101161301B1 (ko) | 2012-05-21 | 2012-07-04 | 한국기계연구원 | 플라즈마를 이용한 금속 배선이 함몰된 유연 기판의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 유연 기판 |
| WO2013176336A1 (ko) * | 2012-05-21 | 2013-11-28 | 한국기계연구원 | 플라즈마를 이용한 금속 배선이 함몰된 유연 기판의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 유연 기판 |
| US9510457B2 (en) | 2012-05-21 | 2016-11-29 | Korea Institute of Machinery and Minerals | Methods of manufacturing metal wiring buried flexible substrate by using plasma and flexible substrates manufactured by the same |
| JP2016533879A (ja) * | 2013-07-25 | 2016-11-04 | サクミ・イモラ・ソシエタ・コーペラティバＳａｃｍｉ Ｉｍｏｌａ Ｓ．Ｃ． | 容器閉鎖体を製造および印刷するためのプラント |
| WO2020026399A1 (ja) * | 2018-08-02 | 2020-02-06 | 株式会社Ｆｕｊｉ | 油除去方法、接着方法、組立装置、および大気圧プラズマ装置 |
| CN112512707A (zh) * | 2018-08-02 | 2021-03-16 | 株式会社富士 | 除油方法、粘接方法、组装装置及大气压等离子体装置 |
| JPWO2020026399A1 (ja) * | 2018-08-02 | 2021-03-18 | 株式会社Ｆｕｊｉ | 油除去方法、接着方法、組立装置、および大気圧プラズマ装置 |
| JP7198282B2 (ja) | 2018-08-02 | 2022-12-28 | 株式会社Fuji | 組立装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1652667A (zh) | 2005-08-10 |
| US8007649B2 (en) | 2011-08-30 |
| EP1562409A3 (en) | 2006-05-03 |
| EP1562409A2 (en) | 2005-08-10 |
| US20050173251A1 (en) | 2005-08-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8007649B2 (en) | Hydrophilic treatment method and wiring pattern forming method | |
| TWI245071B (en) | Etchant and method of etching | |
| WO2005086551A1 (ja) | エッチング液、エッチング方法およびプリント配線板 | |
| JP2010156022A (ja) | 誘電体基材表面の触媒フリー金属化方法及び金属膜付き誘電体基材 | |
| US10645814B2 (en) | Method for creating patterned coatings on a molded article, and device for carrying out said method | |
| KR19980024804A (ko) | 수지 에칭액 및 에칭방법 | |
| TW200737321A (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| JP2012004555A5 (ja) | ||
| JP5149805B2 (ja) | 無電解銅めっき方法 | |
| US20030015498A1 (en) | Solvent swell for texturing resinous material and desmearing and removing resinous material | |
| US20050214448A1 (en) | Compositions containing heterocyclic nitrogen compounds and glycols for texturing resinous material and desmearing and removing resinous meterial | |
| JP2007081214A (ja) | プリント配線基板の製造方法 | |
| JP4669631B2 (ja) | 印刷回路及びフレキシブル配線のパターンニング方法 | |
| US20050238812A1 (en) | Method for electroless metalisation of polymer substrate | |
| JP2008101258A (ja) | 積層基材の製造方法および積層基材の製造装置 | |
| Chen et al. | Enhancement of seeding for electroless Cu plating of metallic barrier layers by using alkyl self-assembled monolayers | |
| KR20060088899A (ko) | 잉크젯용 잉크 조성물 | |
| JP2006274176A (ja) | プラスチック表面の改質方法、プラスチック表面のメッキ方法、プラスチック、プラスチック表面改質装置 | |
| TW201533270A (zh) | 用蝕刻液處理金屬表面的設備及方法 | |
| US20130177714A1 (en) | Method for manufacturing printed wiring board | |
| Watson et al. | Additive photolithography based process for metal patterning using chemical reduction on surface modified polyimide | |
| TWI831267B (zh) | 印刷電路板前處理的改良方法 | |
| WO2012090815A1 (ja) | レジスト除去装置及びレジスト除去方法 | |
| TW201945591A (zh) | 銅箔用蝕刻液及使用此蝕刻液之印刷配線板的製造方法、以及電解銅層用蝕刻液及使用此蝕刻液之銅柱之製造方法 | |
| JPH08288621A (ja) | 立体成形回路部品の形成方法と立体成形回路部品 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061130 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090424 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090512 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20091006 |