JP4505907B2 - 多層プリント配線板及びその製造方法 - Google Patents
多層プリント配線板及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4505907B2 JP4505907B2 JP33596699A JP33596699A JP4505907B2 JP 4505907 B2 JP4505907 B2 JP 4505907B2 JP 33596699 A JP33596699 A JP 33596699A JP 33596699 A JP33596699 A JP 33596699A JP 4505907 B2 JP4505907 B2 JP 4505907B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- electroless nickel
- printed wiring
- insulating layer
- wiring board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プリント配線板とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の小型、軽量、高速化、多機能化、項信頼性化の要求が高まり、その要求を満足するため半導体回路素子の高集積化及び高速化が進んでいる。この様な電子機器、半導体回路素子の傾向に伴い、プリント配線板は多層化、配線の微細化、層間接続穴の小径化という形で対応してきた。特にここ数年、高密度化の障害となるスルーホールから隣接する層の導体間のみを接続するインタースティシャルバイアホール（Interstitial Via Hole、以下ＩＶＨという。）に変えたビルドアップ配線板が各社で開発、上市されている。
【０００３】
このＩＶＨは、通常、穴内壁にめっきを行って、隣接する層の導体間を電気的に接続しているが、その穴の箇所の上に絶縁層を重ねて、さらに穴をあけ、接続を行うのは、穴の位置合わせが困難であると共に、穴の深さが深くなりめっき液の交換が行われにくく、金属化が困難になるという課題があった。
そこで、特開平９−２３０６７号公報、特開平７−１７００４６号公報及び特開平７−１７６８４６号公報に開示されているように、ＩＶＨの内部に導電性ペーストを充填すれば、穴がふさがり、ＩＶＨの上部が平坦となるので、あおの上に絶縁層を設けて、穴をあけても前記のようなことがなく、配線設計の自由度が高く、部品ランド直下に層間接続が可能で、かつＩＶＨの上にＩＶＨを設計できる。
【０００４】
また、特開昭６１−２２６９３号公報に開示されているように、無電解銅めっきでＩＶＨを充填することも知られており、この方法によっても、穴がふさがり、ＩＶＨの上部が平坦となるので、あおの上に絶縁層を設けて、穴をあけても前記のようなことがなく、配線設計の自由度が高く、部品ランド直下に層間接続が可能で、かつＩＶＨの上にＩＶＨを設計できる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
導電性ペーストをＩＶＨに充填した層間接続は、特にＩＶＨの直径が１００μｍ以下の時は、熱サイクル試験においてＩＶＨ部分が断線しやすいという課題がある。
【０００６】
ＩＶＨ内部を無電解銅めっきで充填する方法では、一般に無電解銅めっきの還元剤にはホルムアルデヒドが用いられるので、ホルムアルデヒド特有の刺激臭による作業環境の悪化や、発ガン性の心配があり、さらに、めっき析出速度が１時間で２〜４μｍ程度であり、ＩＶＨの深さが４０μｍだとすると、ＩＶＨの充填に１０〜２０時間かかってしまうという課題があった。
【０００７】
本発明は、作業環境に優れ、析出速度に優れためっきによってＩＶＨを充填することのできるプリント配線板とその製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、以下のことを特徴とする。
（１）絶縁層と、その絶縁層の表面に設けられた回路導体と、異なる層に設けられた回路導体を接続するための無電解ニッケルめっき若しくは無電解ニッケル合金めっきで充填されたＩＶＨとを有するプリント配線板。
（２）ＩＶＨに充填された無電解ニッケルめっき若しくは無電解ニッケル合金めっきが、０重量％〜３０重量％までのりんを含有している（１）に記載のプリント配線板。
（３）ＩＶＨに充填された無電解ニッケルめっき若しくは無電解ニッケル合金めっきが、０重量％〜１５重量％までのホウ素を含有している（１）に記載のプリント配線板。
（４）無電解ニッケル合金めっきが、金、銀、銅、すず、鉄、亜鉛、タングステン、パラジウム、コバルト、マンガン、クロム及びレニウムのうち少なくとも１種類以上を含有している（１）〜（３）のうちいずれかに記載のプリント配線板。
（５）内層導体を有する内層回路板の上に絶縁層を設け、その絶縁層に内層導体に達する穴をあけ、その穴に無電解ニッケルめっき若しくは無電解ニッケル合金めっきを充填する工程を有するプリント配線板の製造方法。
（６）無電解ニッケルめっき若しくは無電解ニッケル合金めっきに用いる還元剤として、ヒドラジン、次亜リン酸塩、ジメチルアミンボランの内いずれかを含有する無電解めっき液を用いる（５）に記載のプリント配線板の製造方法。
（７）無電解ニッケルめっき若しくは無電解ニッケル合金めっきに用いるめっき液に、ニッケルイオンを少なくとも０．１ｍモル／ｌ以上含有する（５）又は（６）に記載のプリント配線板の製造方法。
（８）絶縁層にあける内層導体に達する穴を、レーザー照射によって形成する（５）〜（７）のうちいずれかに記載のプリント配線板の製造方法。
（９）絶縁層にあける内層導体に達する穴をあけるために、絶縁層に光硬化型の絶縁材料を用い、絶縁層の上にＩＶＨとなる箇所をマスクするフォトマスクを介して紫外線を照射し、未露光の部分を現像して除去する（５）〜（７）のうちいずれかに記載のプリント配線板の製造方法。
（１０）絶縁層にあけた内層導体に達する穴を、無電解ニッケルめっき若しくは無電解ニッケル合金めっきによって充填する工程の前処理工程として、無電解パラジウムめっきをＩＶＨ底部に選択的に行う（５）〜（９）のうちいずれかに記載のプリント配線板の製造方法。
【０００９】
【発明の実施の形態】
本発明の絶縁層には、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂やフッ素樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂等の熱可塑性樹脂を用ることができる。
【００１０】
エポキシ樹脂は、分子内にエポキシ基を有するものであればどのようなものでもよく、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族鎖状エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールのジグリシジリエーテル化物、ナフタレンジオールのジグリシジリエーテル化物、フェノール類のジグリシジリエーテル化物、アルコール類のジグリシジルエーテル化物、及びこれらのアルキル置換体、ハロゲン化物、水素添加物などがある。これらは併用してもよく、エポキシ樹脂以外の成分が不純物として含まれていてもよい。
【００１１】
本発明において、ハロゲン化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ハロゲン化ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ハロゲン化ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂等のテトラブロモビスフェノールＡ等のハロゲン化ビスフェノール化合物とエピクロルヒドリンを反応させて得られるべきエポキシ樹脂のようにエーテル基が結合しているベンゼン環のエーテル基に対してオルト位が塩素、臭素等のハロゲン原子で置換されているエポキシ樹脂を使用したときに、本発明の処理液によるエポキシ樹脂硬化物の分解及び／又は溶解の効率が特によい。
【００１２】
本発明で使用するエポキシ樹脂用硬化剤は、エポキシ樹脂を硬化させるものであれば、限定することなく使用でき、例えば、多官能フェノール類、アミン類、イミダゾール化合物、酸無水物、有機リン化合物およびこれらのハロゲン化物などがある。
【００１３】
多官能フェノール類の例として、単環二官能フェノールであるヒドロキノン、レゾルシノール、カテコール,多環二官能フェノールであるビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ナフタレンジオール類、ビフェノール類、及びこれらのハロゲン化物、アルキル基置換体などがある。更に、これらのフェノール類とアルデヒド類との重縮合物であるノボラック、レゾールがある。
【００１４】
アミン類の例としては、脂肪族あるいは芳香族の第一級アミン、第二級アミン、第三級アミン、第四級アンモニウム塩及び脂肪族環状アミン類、グアニジン類、尿素誘導体等がある。
【００１５】
これらの化合物の一例としては、Ｎ、Ｎ−ベンジルジメチルアミン、２−（ジメチルアミノメチル）フェノール、２、４、６−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、テトラメチルグアニジン、トリエタノールアミン、Ｎ、Ｎ’−ジメチルピペラジン、１、４−ジアザビシクロ［２、２、２］オクタン、１、８−ジアザビシクロ［５、４、０］−７−ウンデセン、１、５−ジアザビシクロ［４、４、０］−５−ノネン、ヘキサメチレンテトラミン、ピリジン、ピコリン、ピペリジン、ピロリジン、ジメチルシクロヘキシルアミン、ジメチルヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、ジイソブチルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン、ジフェニルアミン、Ｎ−メチルアニリン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−オクチルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、トリフェニルアミン、テトラメチルアンモニウムクロライド、テトラメチルアンモニウムブロマイド、テトラメチルアンモニウムアイオダイド、トリエチレンテトラミン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルエーテル、ジシアンジアミド、トリルビグアニド、グアニル尿素、ジメチル尿素等がある。
【００１６】
イミダゾール化合物の例としては、イミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、４、５−ジフェニルイミダゾール、２−メチルイミダゾリン、２−フェニルイミダゾリン、２−ウンデシルイミダゾリン、２−ヘプタデシルイミダゾリン、２−イソプロピルイミダゾール、２、４−ジメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾリン、２−フェニル−４−メチルイミダゾリン、ベンズイミダゾール、１−シアノエチルイミダゾールなどがある。
【００１７】
酸無水物の例としては、無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、ピロメリット酸二無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物等がある。
【００１８】
有機リン化合物としては、有機基を有するリン化合物であれば特に限定せれずに使用でき、例えば、ヘキサメチルリン酸トリアミド、リン酸トリ（ジクロロプロピル）、リン酸トリ（クロロプロピル）、亜リン酸トリフェニル、リン酸トリメチル、フェニルフォスフォン酸、トリフェニルフォスフィン、トリ−ｎ−ブチルフォスフィン、ジフェニルフォスフィンなどがある。
【００１９】
これらの硬化剤は、単独、或いは、組み合わせて用いることもできる。
これらエポキシ樹脂用硬化剤の配合量は、エポキシ基の硬化反応を進行させることができれば、特に限定することなく使用できるが、好ましくは、エポキシ基１モルに対して、０．０１〜５．０当量の範囲で、特に好ましくは０．８〜１．２当量の範囲で使用する。
【００２０】
また、本発明の熱硬化性エポキシ樹脂組成物には、必要に応じて硬化促進剤を配合してもよい。代表的な硬化促進剤として、第三級アミン、イミダゾール類、第四級アンモニウム塩等があるが、これに限定されるものではない。
【００２１】
ポリイミド樹脂には、ビスマレイミド樹脂をアミン類で硬化させたもの、これらのプレポリマーをエポキシ樹脂、ビスシアネートモノマ、アミノフェノール、ビスフェノール、ジカルボン酸等で硬化させたものが使用できる。
【００２２】
上記、樹脂を可溶性溶媒に溶解させ樹脂ワニスとし、必要に応じ、硬化剤、反応促進剤、および難燃剤、熱可塑性樹脂粒子、硬化促進剤、着色材、紫外線不透過剤、酸化防止剤、還元剤などの各種添加剤や充填材を加えて調合することができる。
【００２３】
絶縁層の表面に設けられた回路導体には、めっきによる銅を用いるのが最も好ましく、さらにはＩＶＨに充填した無電解ニッケルめっき若しくは無電解ニッケル合金めっきと同じものを用いることができ、ニッケルに０重量％〜３０重量％のりんを含有しているものや、０重量％〜１５重量％のホウ素を含有しているもの、あるいは、さらに、金、銀、銅、すず、鉄、亜鉛、タングステン、パラジウム、コバルト、マンガン、クロム及びレニウムのうち少なくとも１種類以上を含有しているものを用いることができる。
【００２４】
内層導体を有する内層回路板には、通常のプリント配線板に用いる銅張積層板の不要な箇所の銅箔をエッチング除去して回路導体を形成したり、あるいは、ガラスエポキシ基板やポリイミド基板、セラミック基板等の基板の表面に無電解めっき用接着材層を形成し、この接着材層の表面を粗化し、必要な箇所にのみ銅めっきを形成することによって製造されたものを用いることができる。
このような内層回路板は、絶縁層を形成する前に、内層導体の表面を粗面化し、この内層導体の上に形成される絶縁層との密着性を向上させることが好ましい。
【００２５】
内層導体を有する内層回路板の上に絶縁層を設けるには、前述の絶縁層としての、樹脂ワニスを、内層導体を有する内層回路板の上に塗布し、乾燥・硬化させたり、支持フィルムの上に塗布・乾燥して半硬化状にした絶縁接着フィルムをラミネートし、加熱・加圧して積層一体化することができる。
この絶縁層は、後に銅めっきにより回路形成することから、その表面を、過マンガン酸やクロム酸等の酸化剤で粗面化することが好ましく、その厚さは、１０〜１００μｍが好ましく、より好ましくは２０〜６０μｍの範囲である。１０μｍ未満であると、絶縁性が低下するおそれがあり、１００μｍを越えると、ＩＶＨの深さが深くなり、めっき液の交換ができずＩＶＨをめっきで充填することが困難になるおそれがある。
【００２６】
その絶縁層に内層導体に達する穴をあけるには、レーザー照射によって形成することができ、炭酸ガスレーザ、ＵＶ−ＹＡＧレーザ等、特に制限されない。穴あけ条件は、絶縁層の種類及び絶縁層の厚さにより調整しなければならず、実験的に求めるのが好ましく、エネルギー量としては、０．００１Ｗ〜１Ｗの範囲内であって、レーザ発振用の電源をパルス状に印加し、一度に大量のエネルギーが集中しないよう制御しなければならない。この穴あけ条件の調整は、内層回路板の内層回路に達する穴があけられることと、穴径をできるだけ小さくするために、レーザ発振用の電源を駆動するパルス波形デューティー比で１／１０００〜１／１０の範囲で、１〜２０ショット（パルス）であることが好ましい。波形デューティー比が１／１０００未満であると穴をあけるのに時間がかかりすぎ効率的でなく、１／１０を越えると照射エネルギーが大きすぎて穴径が１ｍｍ以上に大きくなり実用的でない。ショット（パルス）数は、穴内の接着剤が内層回路に達するところまで蒸発できるようにする数を実験的に求めればよく、１ショット未満では穴があけられず、２０ショットを越えると、１ショットのパルスの波形デューティー比が１／１０００近くであっても穴径が大きくなり実用的でない。
【００２７】
このようにして穴を形成した後に、穴内の絶縁層のかすを除去するためにデスミア処理を行う。このデスミア処理は、一般的な酸性の酸化性粗化液やアルカリ性の酸化性粗化液を用いることができる。例えば、酸性の酸化性粗化液としては、クロム／硫酸粗化液があり、アルカリ性の酸化粗化液は過マンガン酸カリウム粗化液等を用いることができる。
絶縁層を酸化性の粗化液で粗化した後、絶縁樹脂表面の酸化性粗化液を化学的に中和する必要があるが、これも一般的な手法を取り入れることができる。
例えば、クロム／硫酸粗化液を用いたときには、亜硫酸水素ナトリウム１０ｇ／ｌを用いて室温で５分間処理し、また、過マンガン酸カリウム粗化液を用いたときには、硫酸１５０ｍｌ／ｌと過酸化水素水１５ｍｌ／ｌの水溶液に室温で５分間浸漬して中和を完了させるなどである。
【００２８】
絶縁層にあける内層導体に達する穴をあけるために、絶縁層に光硬化型の絶縁材料を用い、絶縁層の上にＩＶＨとなる箇所をマスクするフォトマスクを介して紫外線を照射し、未露光の部分を現像して除去することによっても行うことができ、絶縁層の樹脂に、オニウム塩などの光開始剤を用いることにより行うことができる。
【００２９】
その穴に無電解ニッケルめっき若しくは無電解ニッケル合金めっきを充填するには、無電解ニッケルめっき液あるいは無電解ニッケル合金めっき液に、絶縁層に穴をあけた積層板を浸漬処理するのであるが、その無電解ニッケルめっき液あるいは無電解ニッケル合金めっき液には、ニッケルイオンとニッケルイオンの錯化剤、ニッケルイオンの還元剤、pH調整剤、及び必要な場合には安定剤などの添加剤を含むものを用いることが好ましい。
無電解ニッケルめっき若しくは無電解ニッケル合金めっきに用いる還元剤として、ヒドラジン、次亜リン酸塩、ジメチルアミンボランの内いずれかを含有する無電解めっき液を用いることが好ましい。
無電解ニッケルめっき若しくは無電解ニッケル合金めっきに用いるめっき液には、ニッケルイオンを少なくとも０．１ミリモル／ｌ以上含有することが好ましく、０．１ミリモル／ｌ未満では、めっき析出速度が遅くなるおそれがある。
【００３０】
絶縁層にあけた内層導体に達する穴を、無電解ニッケルめっき若しくは無電解ニッケル合金めっきによって充填する工程の前処理工程として、ＩＶＨの底に露出した内層導体を活性化するために、酸を用いることが好ましく、より好ましくは硫酸を用いる。さらに、無電解パラジウムめっきをＩＶＨ底部に選択的に行うことが好ましく、この無電解パラジウムめっきは、活性化した内層銅パターンの上に無電解めっきを析出しやすくするためのもので、置換パラジウムめっきが好適である。この置換パラジウムめっきは、めっき液中のパラジウムイオンの置換反応によって、銅上にパラジウム皮膜を形成できるものであればよく、特に限定しない。
【００３１】
無電解ニッケルめっき若しくは無電解ニッケル合金めっきを充填した後に、絶縁層の表面の整面処理を行うことが好ましく、その場合、整面処理は羽布ロールやブラシロールを使用した整面研磨機やスクラブ研磨機、センチュリー研磨機を用い、層間樹脂絶縁層表面を羽布ロールやブラシロール、砥粒で機械的に研磨し、ＩＶＨに充填した無電解ニッケルめっき若しくは無電解ニッケル合金めっきと絶縁層とが同じ高さになるようにすることが好ましい。
【００３２】
このようにしてＩＶＨに無電解ニッケルめっき若しくは無電解ニッケル合金めっきを充填した基板の表面に、回路導体を形成することができる。
この回路導体の形成は、絶縁層の表面全面にめっき銅を形成し、必要な場合に、電解めっきを形成して厚さを調整し、不要なめっき銅の箇所を露出するようにエッチングレジストを形成し、エッチングレジストから露出しためっき銅を化学エッチング液をスプレー噴霧して、エッチング除去することによって行うことができ、また、絶縁層の表面に、回路導体とならない箇所にめっきレジストを形成し、めっきレジストを形成していない箇所に、選択的にめっきを行うことによって、回路導体を形成することもできる。また、絶縁層の表面全面に薄く無電解めっき銅を形成し、めっきレジストを形成して、電解銅めっきを行い、必要な厚さにまで回路導体を形成した後、めっきレジストを剥離して、回路導体でない箇所に形成されている無電解めっき銅をエッチング除去することによっても回路導体を形成することができる。
絶縁層の表面には、めっき銅が密着しやすいように粗面化することが好ましく、この粗面化には酸化剤を用いるのが好適である。酸化剤にはクロム酸塩や過マンガン酸塩のような酸化力の強い酸化剤を用いる。粗化面の窪みの深さは１〜１０μｍ、より好ましくは２〜３μｍの範囲で、１μｍ未満であるとめっきとの密着性が改良されないことがあり、１０μｍを越えると、絶縁性が低下するおそれがある。
【００３３】
【実施例】
実施例１
図１（ａ）に示すように、絶縁基材２２に、厚さ１８μｍの銅箔を両面に貼り合わせた厚さ０．２ｍｍのガラス布基材エポキシ銅張積層板であるＭＣＬ−Ｅ−６７９（日立化成工業株式会社製、商品名）を用い、その不要な個所の銅箔をエッチング除去して、内層導体回路２１を形成し、内層回路板２を作製した。
その内層回路板２の内層導体回路２１の表面処理を、ＭＥＣ ｅｔｃｈ ＢＯＮＤ ＣＺ−８１００（メック株式会社製、商品名）を用い、液温３５℃、スプレー圧力０．１４７ＭＰａの条件で、スプレー噴霧処理し、銅表面を粗面化して、粗さ３μｍ程度の凹凸をつくり、続いて、ＭＥＣ ｅｔｃｈ ＢＯＮＤ ＣＬ−８３００（メック株式会社製、商品名）を用いて、液温２５℃、浸漬時間２０秒間の条件で浸漬処理して、銅表面に防錆処理を行った。
図１（ｂ）に示すように、内層回路板２の両面に、絶縁接着剤であるＢＬ−９７００（日立化成工業株式会社製、商品名）を、厚さ０．０４ｍｍに塗布し、１７０℃で６０分加熱し、絶縁層１を形成した。
図１（ｃ）に示すように、炭酸ガスインパクトレーザー穴あけ機Ｌ−５００（住友重機械株式会社製、商品名）により、直径８０μｍの非貫通穴４をあけ、過マンガン酸カリウム６５ｇ／ｌと水酸化ナトリウム４０ｇ／ｌの混合水溶液に、液温７０℃で２分間、浸漬し、スミアの除去を行った。
次に、めっき前処理として、酸性脱脂液Ｚ−２００（株式会社ワールドメタル製、商品名）に液温６０℃の条件で１分浸漬し、それを過硫酸ソーダ５０ｇ／ｌに１分間浸漬し、続いて１０ｖｏｌ％の硫酸に室温で１分間浸漬した。それをメルプレートアクチベータ３５０（メルテックス株式会社製、商品名）に室温で５分間浸漬した。
無電解ニッケル−リン合金めっきであるＮＩＰＳ−１００（日立化成工業株式会社製、商品名）に９０℃で２時間浸漬し、図１（ｄ）に示すように、非貫通穴４をめっき１０で充填し、樹脂表面を羽布研磨により平坦にした。
図１（ｅ）に示すように、過マンガン酸カリウム６５ｇ／ｌと水酸化ナトリウム４０ｇ／ｌの混合水溶液に、液温７０℃で２分間、浸漬し、表面の粗化処理を行い、微細な凹凸面を作った後、パラジウム溶液であるＨＳ−２０２Ｂ（日立化成工業株式会社製、商品名）に２５℃で１５分間、浸漬処理し、触媒を付着させ、ＣＵＳＴ−２０１（日立化成工業株式会社製、商品名）を使用し、液温２５℃、３０分の条件で無電解銅めっきを行い、厚さ０．３μｍの無電解銅めっき層６を形成した。
図１（ｆ）に示すように、フォトレジスト用ドライフィルムであるフォテックＨＷ−４２５（日立化成工業株式会社製、商品名）を、無電解銅めっき層６の表面にラミネートし、電解銅めっきを行う個所をマスクしたフォトマスクを介して紫外線を露光し、現像して、めっきレジスト７を形成した。
図１（ｇ）に示すように、硫酸銅浴を用いて、液温２５℃、電流密度１．０Ａ／ｄｍ2の条件で、電解銅めっきを１０μｍほど行い、回路導体幅／回路導体間隔（Ｌ／Ｓ）＝５０／５０となるように電解銅めっき層８を形成した。
図１（ｈ）に示すように、めっきレジスト７を、１重量％の炭酸ナトリウムにより溶解除去し、次にアンモニウム系アルカリ銅エッチング液であるＡプロセス液（メルテックス株式会社製、商品名）に室温で１分間浸漬し、図１（ｉ）に示すように、めっきレジスト７の下に形成されていた無電解銅めっき層６をエッチング除去し、その直後に、流水で洗浄した。
そして最後に、樹脂の表面に付着した無電解めっき用触媒のパラジウムとわずかに残った無電解銅めっきを除去するために、過マンガン酸カリウムを６５ｇ／ｌと水酸化ナトリウムを４０ｇ／ｌに調整した混合水溶液に、液温７０℃で浸漬時間２分間の条件で浸漬処理し、樹脂ごとエッチング除去した。
【００３４】
実施例２
無電解ニッケル合金めっきに以下の組成の液を用いた他は、実施例１と同様に基板を作成した。
（めっき浴組成）
・硫酸ニッケル ３．０ｇ／ｌ
・硫酸銅 ０．６ｇ／ｌ
・次亜リン酸ナトリウム ３０ｇ／ｌ
・クエン酸ナトリウム ４０ｇ／ｌ
・ホウ砂 ２０ｇ／ｌ
【００３５】
比較例１
実施例１と同様に、絶縁基材２２に、厚さ１８μｍの銅箔を両面に貼り合わせた厚さ０．２ｍｍのガラス布基材エポキシ銅張積層板であるＭＣＬ−Ｅ−６７９（日立化成工業株式会社製、商品名）を用い、その不要な個所の銅箔をエッチング除去して、内層導体回路を２１を形成し、内層回路板２を作製した。
その内層回路板２の内層導体回路２１の表面処理を、ＭＥＣ ｅｔｃｈ ＢＯＮＤ ＣＺ−８１００（メック株式会社製、商品名）を用い、液温３５℃、スプレー圧力０．１４７ＭＰａの条件で、スプレー噴霧処理し、銅表面を粗面化して、粗さ３μｍ程度の凹凸をつくり、続いて、ＭＥＣ ｅｔｃｈ ＢＯＮＤ ＣＬ−８３００（メック株式会社製、商品名）を用いて、液温２５℃、浸漬時間２０秒間の条件で浸漬処理して、銅表面に防錆処理を行った。
内層回路板２の両面に、絶縁接着剤であるＢＬ−９７００（日立化成工業株式会社製、商品名）を、厚さ０．０４ｍｍに塗布し、１７０℃で６０分加熱し、絶縁層１を形成した。
炭酸ガスインパクトレーザー穴あけ機Ｌ−５００（住友重機械株式会社製、商品名）により、直径８０μｍの非貫通穴４をあけ、過マンガン酸カリウム６５ｇ／ｌと水酸化ナトリウム４０ｇ／ｌの混合水溶液に、液温７０℃で２分間、浸漬し、スミアの除去と、第２の絶縁層１１の表面の粗化を行った。
パラジウム溶液であるＨＳ−２０２Ｂ（日立化成工業株式会社製、商品名）に、２５℃で１５分間、浸漬処理し、触媒を付着させ、ＣＵＳＴ−２０１（日立化成工業株式会社製、商品名）を使用し、液温２５℃、３０分間の条件で無電解銅めっきを行い、厚さ０．３μｍの無電解銅めっき層６を形成した。
硫酸銅浴を用いて、液温２５℃、電流密度１．０Ａ／ｄｍ2の条件で、電解銅めっきを１０μｍほど行った。
エッチング用ドライフィルムであるフォテックＨＷ−４２５（日立化成工業株式会社製、商品名）を、電解銅めっき層の表面にラミネートし、エッチング除去する個所をマスクしたフォトマスクを介して紫外線を露光し、現像して、エッチングレジスト７１を形成した。
エッチングレジスト７１に覆われていない電解銅めっきを塩化第二銅エッチング液を用いて、液温４０℃、スプレー圧力０．１４７ＭＰａの条件で、エッチング除去し、回路導体幅／回路導体間隔（Ｌ／Ｓ）＝５０／５０μｍとなるように回路導体を形成した。
エッチングレジスト７１を、１重量％の炭酸ナトリウム水溶液により溶解除去し、その直後に、流水で洗浄した。
【００３６】
比較例２
絶縁基材２２に、厚さ１８μｍの銅箔を両面に貼り合わせた厚さ０．２ｍｍのガラス布基材エポキシ銅張積層板であるＭＣＬ−Ｅ−６７９（日立化成工業株式会社製、商品名）を用い、その不要な個所の銅箔をエッチング除去して、内層導体回路を２１を形成し、内層回路板２を作製した。
その内層回路板２の内層導体回路２１の表面処理を、ＭＥＣ ｅｔｃｈ ＢＯＮＤ ＣＺ−８１００（メック株式会社製、商品名）を用い、液温３５℃、スプレー圧力０．１４７ＭＰａの条件で、スプレー噴霧処理し、銅表面を粗面化して、粗さ３μｍ程度の凹凸をつくり、続いて、ＭＥＣ ｅｔｃｈ ＢＯＮＤ ＣＬ−８３００（メック株式会社製、商品名）を用いて、液温２５℃、浸漬時間２０秒間の条件で浸漬処理して、銅表面に防錆処理を行った。
内層回路板２の両面に、絶縁接着剤であるＢＬ−９７００（日立化成工業株式会社製、商品名）を、厚さ０．０４ｍｍに塗布し、１７０℃で６０分加熱し、絶縁層１を形成した。
炭酸ガスインパクトレーザー穴あけ機Ｌ−５００（住友重機械工業株式会社製、商品名）により、直径８０μｍの非貫通穴４をあけ、過マンガン酸カリウム６５ｇ／ｌと水酸化ナトリウム４０ｇ／ｌの混合水溶液に、液温７０℃で２分間、浸漬し、スミアの除去を行った。
次に、めっき前処理として酸性脱脂液Ｚ−２００（株式会社ワールドメタル製、商品名）に液温６０℃の条件で１分浸漬し、それを過硫酸ソーダ５０ｇ／ｌに１分間浸漬し、続いて１０ｖｏｌ％の硫酸に室温で１分間浸漬した。それをメルプレートアクチベータ３５０（メルテックス株式会社製、商品名）に室温で５分間浸漬した。
次に、Ｌ−５９めっき液に７０℃で２０時間浸漬し、銅ポストを形成し、樹脂表面を羽布研磨により平坦にした。
過マンガン酸カリウム６５ｇ／ｌと水酸化ナトリウム４０ｇ／ｌの混合水溶液に、液温７０℃で２分間、浸漬し、表面の粗化処理を行い、微細な凹凸面を作った後、パラジウム溶液であるＨＳ−２０２Ｂ（日立化成工業株式会社製、商品名）に、２５℃で１５分間、浸漬処理し、触媒を付着させ、ＣＵＳＴ−２０１（日立化成工業株式会社製、商品名）を使用し、液温２５℃、３０分の条件で無電解銅めっきを行い、厚さ０．３μｍの無電解銅めっき層６を形成した。
フォトレジスト用ドライフィルムであるフォテックＨＷ−４２５（日立化成工業株式会社製、商品名）を、電解銅めっき層６の表面にラミネートし、電解銅めっきを行う個所をマスクしたフォトマスクを介して紫外線を露光し、現像して、めっきレジスト７を形成した。
硫酸銅浴を用いて、液温２５℃、電流密度１．０Ａ／ｄｍ2の条件で、電解銅めっきを１０μｍほど行い、回路導体幅／回路導体間隔（Ｌ／Ｓ）＝５０／５０となるように電解銅めっき層８を形成した。
めっきレジスト７を、１重量％の炭酸ナトリウムににより溶解除去し、次にアンモニウム系アルカリ銅エッチング液であるＡプロセス液（メルテックス株式会社製、商品名）に室温で１分間浸漬し、めっきレジスト７の下に形成されていた無電解銅めっき層６をエッチング除去し、その直後に、流水で洗浄した。
そして最後に、樹脂の表面に付着した無電解めっき用触媒のパラジウムとわずかに残った無電解銅めっきを除去するために、過マンガン酸カリウムを６５ｇ／ｌと水酸化ナトリウムを４０ｇ／ｌに調整した混合水溶液に、液温７０℃で浸漬時間２分間の条件で浸漬処理し、樹脂ごとエッチング除去した。
【００３７】
（導体回路形成性試験）
上記実施例と比較例で作製した、回路導体幅／回路導体間隔（Ｌ／Ｓ）＝５０μｍ／５０μｍ導体回路の形成状態を調べるため、自動検査装置を用い、断線、ショート、へこみ等の回路欠陥の発生率を求めた。
回路欠陥は、導体の幅が、設計値の２／３以下に細くなっている個所が導体幅の長さ以上にあるものを欠陥とし、導体間隔が設計値の２／３以下に細くなっている個所が導体幅の長さ以上にあるものも欠陥とし、設計値の回路面積に対する欠陥個所の合計を回路欠陥発生率として算出した。ＩＶＨの不良率は、導通不良があるものした。
【００３８】
【表１】
【００３９】
表から分かる通り、本発明により作製した基板の配線形成性は、従来の基板と同等以上であった。
【００４０】
（はんだフロート試験）
ＩＶＨの層間の接続信頼性を評価するため、２６０℃のはんだフロート試験を行った。１分毎に１ＩＶＨあたりの導通抵抗変化率を測定し、導通抵抗変化率が１０％以上になる時間を調べた。結果を表２に示す。
【００４１】
（ホットオイル試験）
層間の接続信頼性を評価するため、ホットオイル試験を行った。このホットオイル試験は２６０℃、１０秒と２０℃、１０秒を１サイクルとして、１ＩＶＨあたりの導通抵抗変化率を１０サイクル毎に測定し、導通抵抗変化率が１０％以上になるサイクル数を調べた。結果を表２に示す。
【００４２】
（熱サイクル試験）
層間の接続信頼性を評価するため、熱サイクル試験を行った。この熱サイクル試験は気相１２５℃、３０分と−６５℃、３０分を１サイクルとして、１ＩＶＨあたりの導通抵抗変化率を１０サイクル毎に測定し、導通抵抗変化率が１０％以上になるサイクル数を調べた。結果を表２に示す。
【００４３】
【表２】
【００４４】
表から分かる通り、本発明により作製した基板の接続信頼性は、従来の基板と同等以上であった。
【００４５】
（最外層めっきピール強度）
次に、最外層のめっきピール強度を測定した。その結果を表３に示す。
【００４６】
（ＩＶＨのめっき充填に要した時間）
次に、ＩＶＨのめっき充填に要した時間を表３に示す。
【００４７】
【表３】
【００４８】
比較例２は、ＩＶＨのめっき充填を無電解銅めっきで行っているため、ＩＶＨのめっき充填に時間がかかる。さらに強アルカリに１０時間絶縁材料がさらされ、めっきピールが低下する。
【００４９】
本発明の方法で製造されるプリント配線板は、ＩＶＨを完全にめっきで充填しているので、ＩＶＨの上部が平坦で配線設計の自由度が高く、部品ランド直下に層間接続が可能で、かつＩＶＨの上にＩＶＨを設計でき、回路形成性も問題ない。また従来のめっき接続と異なり、ＩＶＨを完全にめっきで充填しているので接続信頼性も向上する。ＩＶＨのめっき充填を無電解ニッケルめっき若しくは無電解ニッケル合金めっきで行っているので、強アルカリ雰囲気でめっきを行う必要が無く、高速のＩＶＨめっき充填が可能であり、絶縁材料に与える負荷が少ない。
【００５０】
【発明の効果】
以上に説明したとおり、本発明によって、作業環境に優れ、析出速度に優れためっきによってＩＶＨを充填することのできるプリント配線板とその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を示す各工程における断面図である。
【符号の説明】
１．絶縁層
２．内層回路板
２２．絶縁基材
２１．内層導体回路
４．非貫通穴
６．無電解銅めっき層
７．めっきレジスト
８．電解銅めっき層
１０．めっき
【発明の属する技術分野】
本発明は、プリント配線板とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の小型、軽量、高速化、多機能化、項信頼性化の要求が高まり、その要求を満足するため半導体回路素子の高集積化及び高速化が進んでいる。この様な電子機器、半導体回路素子の傾向に伴い、プリント配線板は多層化、配線の微細化、層間接続穴の小径化という形で対応してきた。特にここ数年、高密度化の障害となるスルーホールから隣接する層の導体間のみを接続するインタースティシャルバイアホール（Interstitial Via Hole、以下ＩＶＨという。）に変えたビルドアップ配線板が各社で開発、上市されている。
【０００３】
このＩＶＨは、通常、穴内壁にめっきを行って、隣接する層の導体間を電気的に接続しているが、その穴の箇所の上に絶縁層を重ねて、さらに穴をあけ、接続を行うのは、穴の位置合わせが困難であると共に、穴の深さが深くなりめっき液の交換が行われにくく、金属化が困難になるという課題があった。
そこで、特開平９−２３０６７号公報、特開平７−１７００４６号公報及び特開平７−１７６８４６号公報に開示されているように、ＩＶＨの内部に導電性ペーストを充填すれば、穴がふさがり、ＩＶＨの上部が平坦となるので、あおの上に絶縁層を設けて、穴をあけても前記のようなことがなく、配線設計の自由度が高く、部品ランド直下に層間接続が可能で、かつＩＶＨの上にＩＶＨを設計できる。
【０００４】
また、特開昭６１−２２６９３号公報に開示されているように、無電解銅めっきでＩＶＨを充填することも知られており、この方法によっても、穴がふさがり、ＩＶＨの上部が平坦となるので、あおの上に絶縁層を設けて、穴をあけても前記のようなことがなく、配線設計の自由度が高く、部品ランド直下に層間接続が可能で、かつＩＶＨの上にＩＶＨを設計できる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
導電性ペーストをＩＶＨに充填した層間接続は、特にＩＶＨの直径が１００μｍ以下の時は、熱サイクル試験においてＩＶＨ部分が断線しやすいという課題がある。
【０００６】
ＩＶＨ内部を無電解銅めっきで充填する方法では、一般に無電解銅めっきの還元剤にはホルムアルデヒドが用いられるので、ホルムアルデヒド特有の刺激臭による作業環境の悪化や、発ガン性の心配があり、さらに、めっき析出速度が１時間で２〜４μｍ程度であり、ＩＶＨの深さが４０μｍだとすると、ＩＶＨの充填に１０〜２０時間かかってしまうという課題があった。
【０００７】
本発明は、作業環境に優れ、析出速度に優れためっきによってＩＶＨを充填することのできるプリント配線板とその製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、以下のことを特徴とする。
（１）絶縁層と、その絶縁層の表面に設けられた回路導体と、異なる層に設けられた回路導体を接続するための無電解ニッケルめっき若しくは無電解ニッケル合金めっきで充填されたＩＶＨとを有するプリント配線板。
（２）ＩＶＨに充填された無電解ニッケルめっき若しくは無電解ニッケル合金めっきが、０重量％〜３０重量％までのりんを含有している（１）に記載のプリント配線板。
（３）ＩＶＨに充填された無電解ニッケルめっき若しくは無電解ニッケル合金めっきが、０重量％〜１５重量％までのホウ素を含有している（１）に記載のプリント配線板。
（４）無電解ニッケル合金めっきが、金、銀、銅、すず、鉄、亜鉛、タングステン、パラジウム、コバルト、マンガン、クロム及びレニウムのうち少なくとも１種類以上を含有している（１）〜（３）のうちいずれかに記載のプリント配線板。
（５）内層導体を有する内層回路板の上に絶縁層を設け、その絶縁層に内層導体に達する穴をあけ、その穴に無電解ニッケルめっき若しくは無電解ニッケル合金めっきを充填する工程を有するプリント配線板の製造方法。
（６）無電解ニッケルめっき若しくは無電解ニッケル合金めっきに用いる還元剤として、ヒドラジン、次亜リン酸塩、ジメチルアミンボランの内いずれかを含有する無電解めっき液を用いる（５）に記載のプリント配線板の製造方法。
（７）無電解ニッケルめっき若しくは無電解ニッケル合金めっきに用いるめっき液に、ニッケルイオンを少なくとも０．１ｍモル／ｌ以上含有する（５）又は（６）に記載のプリント配線板の製造方法。
（８）絶縁層にあける内層導体に達する穴を、レーザー照射によって形成する（５）〜（７）のうちいずれかに記載のプリント配線板の製造方法。
（９）絶縁層にあける内層導体に達する穴をあけるために、絶縁層に光硬化型の絶縁材料を用い、絶縁層の上にＩＶＨとなる箇所をマスクするフォトマスクを介して紫外線を照射し、未露光の部分を現像して除去する（５）〜（７）のうちいずれかに記載のプリント配線板の製造方法。
（１０）絶縁層にあけた内層導体に達する穴を、無電解ニッケルめっき若しくは無電解ニッケル合金めっきによって充填する工程の前処理工程として、無電解パラジウムめっきをＩＶＨ底部に選択的に行う（５）〜（９）のうちいずれかに記載のプリント配線板の製造方法。
【０００９】
【発明の実施の形態】
本発明の絶縁層には、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂やフッ素樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂等の熱可塑性樹脂を用ることができる。
【００１０】
エポキシ樹脂は、分子内にエポキシ基を有するものであればどのようなものでもよく、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族鎖状エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールのジグリシジリエーテル化物、ナフタレンジオールのジグリシジリエーテル化物、フェノール類のジグリシジリエーテル化物、アルコール類のジグリシジルエーテル化物、及びこれらのアルキル置換体、ハロゲン化物、水素添加物などがある。これらは併用してもよく、エポキシ樹脂以外の成分が不純物として含まれていてもよい。
【００１１】
本発明において、ハロゲン化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ハロゲン化ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ハロゲン化ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂等のテトラブロモビスフェノールＡ等のハロゲン化ビスフェノール化合物とエピクロルヒドリンを反応させて得られるべきエポキシ樹脂のようにエーテル基が結合しているベンゼン環のエーテル基に対してオルト位が塩素、臭素等のハロゲン原子で置換されているエポキシ樹脂を使用したときに、本発明の処理液によるエポキシ樹脂硬化物の分解及び／又は溶解の効率が特によい。
【００１２】
本発明で使用するエポキシ樹脂用硬化剤は、エポキシ樹脂を硬化させるものであれば、限定することなく使用でき、例えば、多官能フェノール類、アミン類、イミダゾール化合物、酸無水物、有機リン化合物およびこれらのハロゲン化物などがある。
【００１３】
多官能フェノール類の例として、単環二官能フェノールであるヒドロキノン、レゾルシノール、カテコール,多環二官能フェノールであるビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ナフタレンジオール類、ビフェノール類、及びこれらのハロゲン化物、アルキル基置換体などがある。更に、これらのフェノール類とアルデヒド類との重縮合物であるノボラック、レゾールがある。
【００１４】
アミン類の例としては、脂肪族あるいは芳香族の第一級アミン、第二級アミン、第三級アミン、第四級アンモニウム塩及び脂肪族環状アミン類、グアニジン類、尿素誘導体等がある。
【００１５】
これらの化合物の一例としては、Ｎ、Ｎ−ベンジルジメチルアミン、２−（ジメチルアミノメチル）フェノール、２、４、６−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、テトラメチルグアニジン、トリエタノールアミン、Ｎ、Ｎ’−ジメチルピペラジン、１、４−ジアザビシクロ［２、２、２］オクタン、１、８−ジアザビシクロ［５、４、０］−７−ウンデセン、１、５−ジアザビシクロ［４、４、０］−５−ノネン、ヘキサメチレンテトラミン、ピリジン、ピコリン、ピペリジン、ピロリジン、ジメチルシクロヘキシルアミン、ジメチルヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、ジイソブチルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン、ジフェニルアミン、Ｎ−メチルアニリン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−オクチルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、トリフェニルアミン、テトラメチルアンモニウムクロライド、テトラメチルアンモニウムブロマイド、テトラメチルアンモニウムアイオダイド、トリエチレンテトラミン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルエーテル、ジシアンジアミド、トリルビグアニド、グアニル尿素、ジメチル尿素等がある。
【００１６】
イミダゾール化合物の例としては、イミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、４、５−ジフェニルイミダゾール、２−メチルイミダゾリン、２−フェニルイミダゾリン、２−ウンデシルイミダゾリン、２−ヘプタデシルイミダゾリン、２−イソプロピルイミダゾール、２、４−ジメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾリン、２−フェニル−４−メチルイミダゾリン、ベンズイミダゾール、１−シアノエチルイミダゾールなどがある。
【００１７】
酸無水物の例としては、無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、ピロメリット酸二無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物等がある。
【００１８】
有機リン化合物としては、有機基を有するリン化合物であれば特に限定せれずに使用でき、例えば、ヘキサメチルリン酸トリアミド、リン酸トリ（ジクロロプロピル）、リン酸トリ（クロロプロピル）、亜リン酸トリフェニル、リン酸トリメチル、フェニルフォスフォン酸、トリフェニルフォスフィン、トリ−ｎ−ブチルフォスフィン、ジフェニルフォスフィンなどがある。
【００１９】
これらの硬化剤は、単独、或いは、組み合わせて用いることもできる。
これらエポキシ樹脂用硬化剤の配合量は、エポキシ基の硬化反応を進行させることができれば、特に限定することなく使用できるが、好ましくは、エポキシ基１モルに対して、０．０１〜５．０当量の範囲で、特に好ましくは０．８〜１．２当量の範囲で使用する。
【００２０】
また、本発明の熱硬化性エポキシ樹脂組成物には、必要に応じて硬化促進剤を配合してもよい。代表的な硬化促進剤として、第三級アミン、イミダゾール類、第四級アンモニウム塩等があるが、これに限定されるものではない。
【００２１】
ポリイミド樹脂には、ビスマレイミド樹脂をアミン類で硬化させたもの、これらのプレポリマーをエポキシ樹脂、ビスシアネートモノマ、アミノフェノール、ビスフェノール、ジカルボン酸等で硬化させたものが使用できる。
【００２２】
上記、樹脂を可溶性溶媒に溶解させ樹脂ワニスとし、必要に応じ、硬化剤、反応促進剤、および難燃剤、熱可塑性樹脂粒子、硬化促進剤、着色材、紫外線不透過剤、酸化防止剤、還元剤などの各種添加剤や充填材を加えて調合することができる。
【００２３】
絶縁層の表面に設けられた回路導体には、めっきによる銅を用いるのが最も好ましく、さらにはＩＶＨに充填した無電解ニッケルめっき若しくは無電解ニッケル合金めっきと同じものを用いることができ、ニッケルに０重量％〜３０重量％のりんを含有しているものや、０重量％〜１５重量％のホウ素を含有しているもの、あるいは、さらに、金、銀、銅、すず、鉄、亜鉛、タングステン、パラジウム、コバルト、マンガン、クロム及びレニウムのうち少なくとも１種類以上を含有しているものを用いることができる。
【００２４】
内層導体を有する内層回路板には、通常のプリント配線板に用いる銅張積層板の不要な箇所の銅箔をエッチング除去して回路導体を形成したり、あるいは、ガラスエポキシ基板やポリイミド基板、セラミック基板等の基板の表面に無電解めっき用接着材層を形成し、この接着材層の表面を粗化し、必要な箇所にのみ銅めっきを形成することによって製造されたものを用いることができる。
このような内層回路板は、絶縁層を形成する前に、内層導体の表面を粗面化し、この内層導体の上に形成される絶縁層との密着性を向上させることが好ましい。
【００２５】
内層導体を有する内層回路板の上に絶縁層を設けるには、前述の絶縁層としての、樹脂ワニスを、内層導体を有する内層回路板の上に塗布し、乾燥・硬化させたり、支持フィルムの上に塗布・乾燥して半硬化状にした絶縁接着フィルムをラミネートし、加熱・加圧して積層一体化することができる。
この絶縁層は、後に銅めっきにより回路形成することから、その表面を、過マンガン酸やクロム酸等の酸化剤で粗面化することが好ましく、その厚さは、１０〜１００μｍが好ましく、より好ましくは２０〜６０μｍの範囲である。１０μｍ未満であると、絶縁性が低下するおそれがあり、１００μｍを越えると、ＩＶＨの深さが深くなり、めっき液の交換ができずＩＶＨをめっきで充填することが困難になるおそれがある。
【００２６】
その絶縁層に内層導体に達する穴をあけるには、レーザー照射によって形成することができ、炭酸ガスレーザ、ＵＶ−ＹＡＧレーザ等、特に制限されない。穴あけ条件は、絶縁層の種類及び絶縁層の厚さにより調整しなければならず、実験的に求めるのが好ましく、エネルギー量としては、０．００１Ｗ〜１Ｗの範囲内であって、レーザ発振用の電源をパルス状に印加し、一度に大量のエネルギーが集中しないよう制御しなければならない。この穴あけ条件の調整は、内層回路板の内層回路に達する穴があけられることと、穴径をできるだけ小さくするために、レーザ発振用の電源を駆動するパルス波形デューティー比で１／１０００〜１／１０の範囲で、１〜２０ショット（パルス）であることが好ましい。波形デューティー比が１／１０００未満であると穴をあけるのに時間がかかりすぎ効率的でなく、１／１０を越えると照射エネルギーが大きすぎて穴径が１ｍｍ以上に大きくなり実用的でない。ショット（パルス）数は、穴内の接着剤が内層回路に達するところまで蒸発できるようにする数を実験的に求めればよく、１ショット未満では穴があけられず、２０ショットを越えると、１ショットのパルスの波形デューティー比が１／１０００近くであっても穴径が大きくなり実用的でない。
【００２７】
このようにして穴を形成した後に、穴内の絶縁層のかすを除去するためにデスミア処理を行う。このデスミア処理は、一般的な酸性の酸化性粗化液やアルカリ性の酸化性粗化液を用いることができる。例えば、酸性の酸化性粗化液としては、クロム／硫酸粗化液があり、アルカリ性の酸化粗化液は過マンガン酸カリウム粗化液等を用いることができる。
絶縁層を酸化性の粗化液で粗化した後、絶縁樹脂表面の酸化性粗化液を化学的に中和する必要があるが、これも一般的な手法を取り入れることができる。
例えば、クロム／硫酸粗化液を用いたときには、亜硫酸水素ナトリウム１０ｇ／ｌを用いて室温で５分間処理し、また、過マンガン酸カリウム粗化液を用いたときには、硫酸１５０ｍｌ／ｌと過酸化水素水１５ｍｌ／ｌの水溶液に室温で５分間浸漬して中和を完了させるなどである。
【００２８】
絶縁層にあける内層導体に達する穴をあけるために、絶縁層に光硬化型の絶縁材料を用い、絶縁層の上にＩＶＨとなる箇所をマスクするフォトマスクを介して紫外線を照射し、未露光の部分を現像して除去することによっても行うことができ、絶縁層の樹脂に、オニウム塩などの光開始剤を用いることにより行うことができる。
【００２９】
その穴に無電解ニッケルめっき若しくは無電解ニッケル合金めっきを充填するには、無電解ニッケルめっき液あるいは無電解ニッケル合金めっき液に、絶縁層に穴をあけた積層板を浸漬処理するのであるが、その無電解ニッケルめっき液あるいは無電解ニッケル合金めっき液には、ニッケルイオンとニッケルイオンの錯化剤、ニッケルイオンの還元剤、pH調整剤、及び必要な場合には安定剤などの添加剤を含むものを用いることが好ましい。
無電解ニッケルめっき若しくは無電解ニッケル合金めっきに用いる還元剤として、ヒドラジン、次亜リン酸塩、ジメチルアミンボランの内いずれかを含有する無電解めっき液を用いることが好ましい。
無電解ニッケルめっき若しくは無電解ニッケル合金めっきに用いるめっき液には、ニッケルイオンを少なくとも０．１ミリモル／ｌ以上含有することが好ましく、０．１ミリモル／ｌ未満では、めっき析出速度が遅くなるおそれがある。
【００３０】
絶縁層にあけた内層導体に達する穴を、無電解ニッケルめっき若しくは無電解ニッケル合金めっきによって充填する工程の前処理工程として、ＩＶＨの底に露出した内層導体を活性化するために、酸を用いることが好ましく、より好ましくは硫酸を用いる。さらに、無電解パラジウムめっきをＩＶＨ底部に選択的に行うことが好ましく、この無電解パラジウムめっきは、活性化した内層銅パターンの上に無電解めっきを析出しやすくするためのもので、置換パラジウムめっきが好適である。この置換パラジウムめっきは、めっき液中のパラジウムイオンの置換反応によって、銅上にパラジウム皮膜を形成できるものであればよく、特に限定しない。
【００３１】
無電解ニッケルめっき若しくは無電解ニッケル合金めっきを充填した後に、絶縁層の表面の整面処理を行うことが好ましく、その場合、整面処理は羽布ロールやブラシロールを使用した整面研磨機やスクラブ研磨機、センチュリー研磨機を用い、層間樹脂絶縁層表面を羽布ロールやブラシロール、砥粒で機械的に研磨し、ＩＶＨに充填した無電解ニッケルめっき若しくは無電解ニッケル合金めっきと絶縁層とが同じ高さになるようにすることが好ましい。
【００３２】
このようにしてＩＶＨに無電解ニッケルめっき若しくは無電解ニッケル合金めっきを充填した基板の表面に、回路導体を形成することができる。
この回路導体の形成は、絶縁層の表面全面にめっき銅を形成し、必要な場合に、電解めっきを形成して厚さを調整し、不要なめっき銅の箇所を露出するようにエッチングレジストを形成し、エッチングレジストから露出しためっき銅を化学エッチング液をスプレー噴霧して、エッチング除去することによって行うことができ、また、絶縁層の表面に、回路導体とならない箇所にめっきレジストを形成し、めっきレジストを形成していない箇所に、選択的にめっきを行うことによって、回路導体を形成することもできる。また、絶縁層の表面全面に薄く無電解めっき銅を形成し、めっきレジストを形成して、電解銅めっきを行い、必要な厚さにまで回路導体を形成した後、めっきレジストを剥離して、回路導体でない箇所に形成されている無電解めっき銅をエッチング除去することによっても回路導体を形成することができる。
絶縁層の表面には、めっき銅が密着しやすいように粗面化することが好ましく、この粗面化には酸化剤を用いるのが好適である。酸化剤にはクロム酸塩や過マンガン酸塩のような酸化力の強い酸化剤を用いる。粗化面の窪みの深さは１〜１０μｍ、より好ましくは２〜３μｍの範囲で、１μｍ未満であるとめっきとの密着性が改良されないことがあり、１０μｍを越えると、絶縁性が低下するおそれがある。
【００３３】
【実施例】
実施例１
図１（ａ）に示すように、絶縁基材２２に、厚さ１８μｍの銅箔を両面に貼り合わせた厚さ０．２ｍｍのガラス布基材エポキシ銅張積層板であるＭＣＬ−Ｅ−６７９（日立化成工業株式会社製、商品名）を用い、その不要な個所の銅箔をエッチング除去して、内層導体回路２１を形成し、内層回路板２を作製した。
その内層回路板２の内層導体回路２１の表面処理を、ＭＥＣ ｅｔｃｈ ＢＯＮＤ ＣＺ−８１００（メック株式会社製、商品名）を用い、液温３５℃、スプレー圧力０．１４７ＭＰａの条件で、スプレー噴霧処理し、銅表面を粗面化して、粗さ３μｍ程度の凹凸をつくり、続いて、ＭＥＣ ｅｔｃｈ ＢＯＮＤ ＣＬ−８３００（メック株式会社製、商品名）を用いて、液温２５℃、浸漬時間２０秒間の条件で浸漬処理して、銅表面に防錆処理を行った。
図１（ｂ）に示すように、内層回路板２の両面に、絶縁接着剤であるＢＬ−９７００（日立化成工業株式会社製、商品名）を、厚さ０．０４ｍｍに塗布し、１７０℃で６０分加熱し、絶縁層１を形成した。
図１（ｃ）に示すように、炭酸ガスインパクトレーザー穴あけ機Ｌ−５００（住友重機械株式会社製、商品名）により、直径８０μｍの非貫通穴４をあけ、過マンガン酸カリウム６５ｇ／ｌと水酸化ナトリウム４０ｇ／ｌの混合水溶液に、液温７０℃で２分間、浸漬し、スミアの除去を行った。
次に、めっき前処理として、酸性脱脂液Ｚ−２００（株式会社ワールドメタル製、商品名）に液温６０℃の条件で１分浸漬し、それを過硫酸ソーダ５０ｇ／ｌに１分間浸漬し、続いて１０ｖｏｌ％の硫酸に室温で１分間浸漬した。それをメルプレートアクチベータ３５０（メルテックス株式会社製、商品名）に室温で５分間浸漬した。
無電解ニッケル−リン合金めっきであるＮＩＰＳ−１００（日立化成工業株式会社製、商品名）に９０℃で２時間浸漬し、図１（ｄ）に示すように、非貫通穴４をめっき１０で充填し、樹脂表面を羽布研磨により平坦にした。
図１（ｅ）に示すように、過マンガン酸カリウム６５ｇ／ｌと水酸化ナトリウム４０ｇ／ｌの混合水溶液に、液温７０℃で２分間、浸漬し、表面の粗化処理を行い、微細な凹凸面を作った後、パラジウム溶液であるＨＳ−２０２Ｂ（日立化成工業株式会社製、商品名）に２５℃で１５分間、浸漬処理し、触媒を付着させ、ＣＵＳＴ−２０１（日立化成工業株式会社製、商品名）を使用し、液温２５℃、３０分の条件で無電解銅めっきを行い、厚さ０．３μｍの無電解銅めっき層６を形成した。
図１（ｆ）に示すように、フォトレジスト用ドライフィルムであるフォテックＨＷ−４２５（日立化成工業株式会社製、商品名）を、無電解銅めっき層６の表面にラミネートし、電解銅めっきを行う個所をマスクしたフォトマスクを介して紫外線を露光し、現像して、めっきレジスト７を形成した。
図１（ｇ）に示すように、硫酸銅浴を用いて、液温２５℃、電流密度１．０Ａ／ｄｍ2の条件で、電解銅めっきを１０μｍほど行い、回路導体幅／回路導体間隔（Ｌ／Ｓ）＝５０／５０となるように電解銅めっき層８を形成した。
図１（ｈ）に示すように、めっきレジスト７を、１重量％の炭酸ナトリウムにより溶解除去し、次にアンモニウム系アルカリ銅エッチング液であるＡプロセス液（メルテックス株式会社製、商品名）に室温で１分間浸漬し、図１（ｉ）に示すように、めっきレジスト７の下に形成されていた無電解銅めっき層６をエッチング除去し、その直後に、流水で洗浄した。
そして最後に、樹脂の表面に付着した無電解めっき用触媒のパラジウムとわずかに残った無電解銅めっきを除去するために、過マンガン酸カリウムを６５ｇ／ｌと水酸化ナトリウムを４０ｇ／ｌに調整した混合水溶液に、液温７０℃で浸漬時間２分間の条件で浸漬処理し、樹脂ごとエッチング除去した。
【００３４】
実施例２
無電解ニッケル合金めっきに以下の組成の液を用いた他は、実施例１と同様に基板を作成した。
（めっき浴組成）
・硫酸ニッケル ３．０ｇ／ｌ
・硫酸銅 ０．６ｇ／ｌ
・次亜リン酸ナトリウム ３０ｇ／ｌ
・クエン酸ナトリウム ４０ｇ／ｌ
・ホウ砂 ２０ｇ／ｌ
【００３５】
比較例１
実施例１と同様に、絶縁基材２２に、厚さ１８μｍの銅箔を両面に貼り合わせた厚さ０．２ｍｍのガラス布基材エポキシ銅張積層板であるＭＣＬ−Ｅ−６７９（日立化成工業株式会社製、商品名）を用い、その不要な個所の銅箔をエッチング除去して、内層導体回路を２１を形成し、内層回路板２を作製した。
その内層回路板２の内層導体回路２１の表面処理を、ＭＥＣ ｅｔｃｈ ＢＯＮＤ ＣＺ−８１００（メック株式会社製、商品名）を用い、液温３５℃、スプレー圧力０．１４７ＭＰａの条件で、スプレー噴霧処理し、銅表面を粗面化して、粗さ３μｍ程度の凹凸をつくり、続いて、ＭＥＣ ｅｔｃｈ ＢＯＮＤ ＣＬ−８３００（メック株式会社製、商品名）を用いて、液温２５℃、浸漬時間２０秒間の条件で浸漬処理して、銅表面に防錆処理を行った。
内層回路板２の両面に、絶縁接着剤であるＢＬ−９７００（日立化成工業株式会社製、商品名）を、厚さ０．０４ｍｍに塗布し、１７０℃で６０分加熱し、絶縁層１を形成した。
炭酸ガスインパクトレーザー穴あけ機Ｌ−５００（住友重機械株式会社製、商品名）により、直径８０μｍの非貫通穴４をあけ、過マンガン酸カリウム６５ｇ／ｌと水酸化ナトリウム４０ｇ／ｌの混合水溶液に、液温７０℃で２分間、浸漬し、スミアの除去と、第２の絶縁層１１の表面の粗化を行った。
パラジウム溶液であるＨＳ−２０２Ｂ（日立化成工業株式会社製、商品名）に、２５℃で１５分間、浸漬処理し、触媒を付着させ、ＣＵＳＴ−２０１（日立化成工業株式会社製、商品名）を使用し、液温２５℃、３０分間の条件で無電解銅めっきを行い、厚さ０．３μｍの無電解銅めっき層６を形成した。
硫酸銅浴を用いて、液温２５℃、電流密度１．０Ａ／ｄｍ2の条件で、電解銅めっきを１０μｍほど行った。
エッチング用ドライフィルムであるフォテックＨＷ−４２５（日立化成工業株式会社製、商品名）を、電解銅めっき層の表面にラミネートし、エッチング除去する個所をマスクしたフォトマスクを介して紫外線を露光し、現像して、エッチングレジスト７１を形成した。
エッチングレジスト７１に覆われていない電解銅めっきを塩化第二銅エッチング液を用いて、液温４０℃、スプレー圧力０．１４７ＭＰａの条件で、エッチング除去し、回路導体幅／回路導体間隔（Ｌ／Ｓ）＝５０／５０μｍとなるように回路導体を形成した。
エッチングレジスト７１を、１重量％の炭酸ナトリウム水溶液により溶解除去し、その直後に、流水で洗浄した。
【００３６】
比較例２
絶縁基材２２に、厚さ１８μｍの銅箔を両面に貼り合わせた厚さ０．２ｍｍのガラス布基材エポキシ銅張積層板であるＭＣＬ−Ｅ−６７９（日立化成工業株式会社製、商品名）を用い、その不要な個所の銅箔をエッチング除去して、内層導体回路を２１を形成し、内層回路板２を作製した。
その内層回路板２の内層導体回路２１の表面処理を、ＭＥＣ ｅｔｃｈ ＢＯＮＤ ＣＺ−８１００（メック株式会社製、商品名）を用い、液温３５℃、スプレー圧力０．１４７ＭＰａの条件で、スプレー噴霧処理し、銅表面を粗面化して、粗さ３μｍ程度の凹凸をつくり、続いて、ＭＥＣ ｅｔｃｈ ＢＯＮＤ ＣＬ−８３００（メック株式会社製、商品名）を用いて、液温２５℃、浸漬時間２０秒間の条件で浸漬処理して、銅表面に防錆処理を行った。
内層回路板２の両面に、絶縁接着剤であるＢＬ−９７００（日立化成工業株式会社製、商品名）を、厚さ０．０４ｍｍに塗布し、１７０℃で６０分加熱し、絶縁層１を形成した。
炭酸ガスインパクトレーザー穴あけ機Ｌ−５００（住友重機械工業株式会社製、商品名）により、直径８０μｍの非貫通穴４をあけ、過マンガン酸カリウム６５ｇ／ｌと水酸化ナトリウム４０ｇ／ｌの混合水溶液に、液温７０℃で２分間、浸漬し、スミアの除去を行った。
次に、めっき前処理として酸性脱脂液Ｚ−２００（株式会社ワールドメタル製、商品名）に液温６０℃の条件で１分浸漬し、それを過硫酸ソーダ５０ｇ／ｌに１分間浸漬し、続いて１０ｖｏｌ％の硫酸に室温で１分間浸漬した。それをメルプレートアクチベータ３５０（メルテックス株式会社製、商品名）に室温で５分間浸漬した。
次に、Ｌ−５９めっき液に７０℃で２０時間浸漬し、銅ポストを形成し、樹脂表面を羽布研磨により平坦にした。
過マンガン酸カリウム６５ｇ／ｌと水酸化ナトリウム４０ｇ／ｌの混合水溶液に、液温７０℃で２分間、浸漬し、表面の粗化処理を行い、微細な凹凸面を作った後、パラジウム溶液であるＨＳ−２０２Ｂ（日立化成工業株式会社製、商品名）に、２５℃で１５分間、浸漬処理し、触媒を付着させ、ＣＵＳＴ−２０１（日立化成工業株式会社製、商品名）を使用し、液温２５℃、３０分の条件で無電解銅めっきを行い、厚さ０．３μｍの無電解銅めっき層６を形成した。
フォトレジスト用ドライフィルムであるフォテックＨＷ−４２５（日立化成工業株式会社製、商品名）を、電解銅めっき層６の表面にラミネートし、電解銅めっきを行う個所をマスクしたフォトマスクを介して紫外線を露光し、現像して、めっきレジスト７を形成した。
硫酸銅浴を用いて、液温２５℃、電流密度１．０Ａ／ｄｍ2の条件で、電解銅めっきを１０μｍほど行い、回路導体幅／回路導体間隔（Ｌ／Ｓ）＝５０／５０となるように電解銅めっき層８を形成した。
めっきレジスト７を、１重量％の炭酸ナトリウムににより溶解除去し、次にアンモニウム系アルカリ銅エッチング液であるＡプロセス液（メルテックス株式会社製、商品名）に室温で１分間浸漬し、めっきレジスト７の下に形成されていた無電解銅めっき層６をエッチング除去し、その直後に、流水で洗浄した。
そして最後に、樹脂の表面に付着した無電解めっき用触媒のパラジウムとわずかに残った無電解銅めっきを除去するために、過マンガン酸カリウムを６５ｇ／ｌと水酸化ナトリウムを４０ｇ／ｌに調整した混合水溶液に、液温７０℃で浸漬時間２分間の条件で浸漬処理し、樹脂ごとエッチング除去した。
【００３７】
（導体回路形成性試験）
上記実施例と比較例で作製した、回路導体幅／回路導体間隔（Ｌ／Ｓ）＝５０μｍ／５０μｍ導体回路の形成状態を調べるため、自動検査装置を用い、断線、ショート、へこみ等の回路欠陥の発生率を求めた。
回路欠陥は、導体の幅が、設計値の２／３以下に細くなっている個所が導体幅の長さ以上にあるものを欠陥とし、導体間隔が設計値の２／３以下に細くなっている個所が導体幅の長さ以上にあるものも欠陥とし、設計値の回路面積に対する欠陥個所の合計を回路欠陥発生率として算出した。ＩＶＨの不良率は、導通不良があるものした。
【００３８】
【表１】
表から分かる通り、本発明により作製した基板の配線形成性は、従来の基板と同等以上であった。
【００４０】
（はんだフロート試験）
ＩＶＨの層間の接続信頼性を評価するため、２６０℃のはんだフロート試験を行った。１分毎に１ＩＶＨあたりの導通抵抗変化率を測定し、導通抵抗変化率が１０％以上になる時間を調べた。結果を表２に示す。
【００４１】
（ホットオイル試験）
層間の接続信頼性を評価するため、ホットオイル試験を行った。このホットオイル試験は２６０℃、１０秒と２０℃、１０秒を１サイクルとして、１ＩＶＨあたりの導通抵抗変化率を１０サイクル毎に測定し、導通抵抗変化率が１０％以上になるサイクル数を調べた。結果を表２に示す。
【００４２】
（熱サイクル試験）
層間の接続信頼性を評価するため、熱サイクル試験を行った。この熱サイクル試験は気相１２５℃、３０分と−６５℃、３０分を１サイクルとして、１ＩＶＨあたりの導通抵抗変化率を１０サイクル毎に測定し、導通抵抗変化率が１０％以上になるサイクル数を調べた。結果を表２に示す。
【００４３】
【表２】
表から分かる通り、本発明により作製した基板の接続信頼性は、従来の基板と同等以上であった。
【００４５】
（最外層めっきピール強度）
次に、最外層のめっきピール強度を測定した。その結果を表３に示す。
【００４６】
（ＩＶＨのめっき充填に要した時間）
次に、ＩＶＨのめっき充填に要した時間を表３に示す。
【００４７】
【表３】
比較例２は、ＩＶＨのめっき充填を無電解銅めっきで行っているため、ＩＶＨのめっき充填に時間がかかる。さらに強アルカリに１０時間絶縁材料がさらされ、めっきピールが低下する。
【００４９】
本発明の方法で製造されるプリント配線板は、ＩＶＨを完全にめっきで充填しているので、ＩＶＨの上部が平坦で配線設計の自由度が高く、部品ランド直下に層間接続が可能で、かつＩＶＨの上にＩＶＨを設計でき、回路形成性も問題ない。また従来のめっき接続と異なり、ＩＶＨを完全にめっきで充填しているので接続信頼性も向上する。ＩＶＨのめっき充填を無電解ニッケルめっき若しくは無電解ニッケル合金めっきで行っているので、強アルカリ雰囲気でめっきを行う必要が無く、高速のＩＶＨめっき充填が可能であり、絶縁材料に与える負荷が少ない。
【００５０】
【発明の効果】
以上に説明したとおり、本発明によって、作業環境に優れ、析出速度に優れためっきによってＩＶＨを充填することのできるプリント配線板とその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を示す各工程における断面図である。
【符号の説明】
１．絶縁層
２．内層回路板
２２．絶縁基材
２１．内層導体回路
４．非貫通穴
６．無電解銅めっき層
７．めっきレジスト
８．電解銅めっき層
１０．めっき
Claims (9)
- 絶縁層と、その絶縁層の表面に設けられた回路導体と、異なる層に設けられた回路導体を接続するための無電解ニッケルめっき若しくは無電解ニッケル合金めっきで充填されたＩＶＨとを有するプリント配線板において、前記ＩＶＨの底部に無電解パラジウムめっきのパラジウム皮膜を有することを特徴とするプリント配線板。
- ＩＶＨに充填された無電解ニッケルめっき若しくは無電解ニッケル合金めっきが、０重量％〜３０重量％のりんを含有している請求項１に記載のプリント配線板。
- ＩＶＨに充填された無電解ニッケルめっき若しくは無電解ニッケル合金めっきが、０重量％〜１５重量％のホウ素を含有している請求項１に記載のプリント配線板。
- 無電解ニッケル合金めっきが、金、銀、銅、すず、鉄、亜鉛、タングステン、パラジウム、コバルト、マンガン、クロム及びレニウムのうち少なくとも１種類以上を含有している請求項１〜３のうちいずれかに記載のプリント配線板。
- 内層導体を有する内層回路板の上に絶縁層を設け、その絶縁層に内層導体に達する穴をあけ、前記穴の底部に無電解パラジウムめっきを選択的に行い、前記穴に無電解ニッケルめっき若しくは無電解ニッケル合金めっきを充填する工程を有するプリント配線板の製造方法。
- 無電解ニッケルめっき若しくは無電解ニッケル合金めっきに用いる還元剤として、ヒドラジン、次亜リン酸塩、ジメチルアミンボランの内いずれかを含有する無電解めっき液を用いる請求項５に記載のプリント配線板の製造方法。
- 無電解ニッケルめっき若しくは無電解ニッケル合金めっきに用いるめっき液に、ニッケルイオンを少なくとも０．１ｍモル／ｌ以上含有する請求項５又は請求項６に記載のプリント配線板の製造方法。
- 絶縁層にあける内層導体に達する穴を、レーザー照射によって形成する請求項５〜７のうちいずれかに記載のプリント配線板の製造方法。
- 絶縁層にあける内層導体に達する穴をあけるために、絶縁層に光硬化型の絶縁材料を用い、絶縁層の上にＩＶＨとなる箇所をマスクするフォトマスクを介して紫外線を照射し、未露光の部分を現像して除去する請求項５〜７のうちいずれかに記載のプリント配線板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33596699A JP4505907B2 (ja) | 1999-11-26 | 1999-11-26 | 多層プリント配線板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33596699A JP4505907B2 (ja) | 1999-11-26 | 1999-11-26 | 多層プリント配線板及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001156451A JP2001156451A (ja) | 2001-06-08 |
| JP4505907B2 true JP4505907B2 (ja) | 2010-07-21 |
Family
ID=18294322
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33596699A Expired - Fee Related JP4505907B2 (ja) | 1999-11-26 | 1999-11-26 | 多層プリント配線板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4505907B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10353677A1 (de) * | 2003-11-17 | 2005-06-30 | Siemens Ag | Außenstromlose Kontaktierung |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09326556A (ja) * | 1996-06-06 | 1997-12-16 | Kyocera Corp | 多層配線基板及びその製造方法 |
| JPH11177200A (ja) * | 1997-12-05 | 1999-07-02 | Toshiba Corp | 回路基板、回路基板の製造方法、回路基板の検査方法および回路基板の製造装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03203341A (ja) * | 1989-12-29 | 1991-09-05 | Hoya Corp | 微小電極を有する基板およびその製造方法 |
| JPH06314883A (ja) * | 1993-04-28 | 1994-11-08 | Ibiden Co Ltd | 多層プリント配線基板及びその製造方法 |
| JPH10247783A (ja) * | 1997-03-04 | 1998-09-14 | Ibiden Co Ltd | 多層プリント配線板およびその製造方法 |
| JPH10261868A (ja) * | 1997-03-19 | 1998-09-29 | Nec Toyama Ltd | 多層印刷配線板の製造方法 |
-
1999
- 1999-11-26 JP JP33596699A patent/JP4505907B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09326556A (ja) * | 1996-06-06 | 1997-12-16 | Kyocera Corp | 多層配線基板及びその製造方法 |
| JPH11177200A (ja) * | 1997-12-05 | 1999-07-02 | Toshiba Corp | 回路基板、回路基板の製造方法、回路基板の検査方法および回路基板の製造装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001156451A (ja) | 2001-06-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1667506B1 (en) | Electroless plating process and printed circuit board | |
| KR101807901B1 (ko) | 수지 조성물, 수지 경화물, 배선판 및 배선판의 제조 방법 | |
| JP2002076618A (ja) | 多層プリント配線板の製造方法 | |
| JP4592889B2 (ja) | 多層回路基板 | |
| JP4505908B2 (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
| JPH11177237A (ja) | ビルドアップ多層プリント配線板とその製造方法 | |
| JP4592929B2 (ja) | 多層回路基板 | |
| JP4505907B2 (ja) | 多層プリント配線板及びその製造方法 | |
| JP3049215B2 (ja) | 配線板の製造方法 | |
| JP4366632B2 (ja) | 内層回路付金属張積層板、多層プリント配線板及びそれらの製造方法 | |
| JP4359797B2 (ja) | 多層プリント配線板の製造方法 | |
| JP4370490B2 (ja) | ビルドアップ多層プリント配線板及びその製造方法 | |
| JP2003069232A (ja) | 配線板とその製造方法 | |
| JP3049214B2 (ja) | 配線板の製造方法 | |
| JP4592890B2 (ja) | 多層回路基板 | |
| JP3348846B2 (ja) | 多層プリント配線板の製造方法および多層プリント配線板 | |
| JP4478844B2 (ja) | プリント配線板の製造方法及びその方法によって製造されたプリント配線板 | |
| JP2000077851A (ja) | 多層プリント配線板の製造方法 | |
| JP4236327B2 (ja) | 無電解めっき液、無電解めっき方法、プリント配線板の製造方法およびプリント配線板 | |
| JP2002134880A (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
| JP2009147387A (ja) | 多層プリント配線板および多層プリント配線板の製造方法 | |
| JP3815765B2 (ja) | 多層プリント配線板の製造方法 | |
| JP2001223469A (ja) | ビルドアップ配線板及びその製造方法 | |
| JP2002344143A (ja) | 多層プリント配線板の製造方法 | |
| JP4334052B2 (ja) | 粗化面形成用樹脂組成物およびプリント配線板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061023 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090709 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090901 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20090901 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100223 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100301 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100406 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100419 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514 Year of fee payment: 3 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514 Year of fee payment: 3 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |