JPH104271A

JPH104271A - 多層プリント配線板の製造方法

Info

Publication number: JPH104271A
Application number: JP15678096A
Authority: JP
Inventors: Naoyuki Urasaki; 直之浦崎; Koichi Tsuyama; 宏一津山; Kazuhito Kobayashi; 和仁小林; Tokuo Okano; 徳雄岡野; Hiroshi Shimizu; 浩清水; Nobuyuki Ogawa; 信之小川; Akishi Nakaso; 昭士中祖
Original assignee: Hitachi Chemical Co Ltd
Current assignee: Showa Denko Materials Co Ltd
Priority date: 1996-06-18
Filing date: 1996-06-18
Publication date: 1998-01-06
Anticipated expiration: 2016-06-18
Also published as: JP3865083B2

Abstract

(57)【要約】【課題】バイアホール、配線の高密度化、微細化に有効
な多層プリント配線板の製造方法を提供すること。【解決手段】特定の熱硬化性樹脂を、銅箔の粗化面に塗
布し加熱半硬化させ樹脂層を形成し、予めめっきスルー
ホールと導体回路を形成した内層板の上に接着層を配置
し、加熱・加圧により積層接着し、銅箔部分を、ＩＶＨ
の穴形状にエッチング除去し、エッチングレジストを、
除去し、ＩＶＨの穴形状にエッチング除去された銅箔の
微細穴から露出した樹脂層を、レーザ光を照射すること
により、内層板の導体回路が露出するまで、除去してバ
イアホールとし、バイアホール壁面の硬化した樹脂層
を、粗化剤を用いて粗化し、内層板の導体回路と銅箔を
電気的に接続するための、めっきを行い、銅箔上にエッ
チングレジストを形成し、該エッチングレジストから露
出した銅箔をエッチング除去することにより、配線回路
を形成し、エッチングレジストを除去する

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、バイアホールを有
する多層プリント配線板の製造方法に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】電子機器の小型化、高性能化、多機能化
に伴い、多層プリント配線板はより高密度化の方向に進
んでいる。この高密度化を達成するため、層間の薄型
化、配線の微細化、層間接続穴の小径化が進み、更には
隣接する配線層のみを接続するインタスティシャルバイ
アホール（以下、ＩＶＨという。）や、ベリードバイア
ホール（以下、ＢＶＨという。）が用いられるようにな
り、更に、高密度化のためこのＩＶＨ、ＢＶＨの小径
化、多層化が求められる状況である。

【０００３】プリント配線板の多層化を図るために、内
層板の外表面に絶縁層と導体層とを交互に積層する、い
わゆるビルドアップ多層プリント配線板が提案されてい
る。このビルドアップ多層プリント配線板は、通常、め
っきスルーホールと内層回路が形成された内層板のスル
ーホールに、絶縁性の樹脂を、印刷法などにより穴埋め
して加熱硬化した後、めっきスルーホールからはみ出し
た余分な穴埋め樹脂を研磨等で除去した後、層間の絶縁
と接着とを行う樹脂の塗布及び硬化によって、第１層目
の絶縁層を形成し、内層回路と外層回路の接続を行うＩ
ＶＨのための穴を形成し、内層回路と外層銅箔とを電気
的に接続し、外層銅箔の不要な箇所をエッチング除去す
る等して、外層回路を形成する。

【０００４】この第１層目の絶縁層に設けられるＩＶＨ
を形成するための穴は、その絶縁層のフォトマスクと紫
外線硬化による選択的な硬化による方法、その絶縁層の
レーザ光の照射による選択的な除去、あるいは化学液に
よる膨潤、溶解等のウェット法により行われる選択的な
除去等により、形成される。ＩＶＨを形成した絶縁層に
は、めっきの接着を強化するために通常行われる表面粗
化処理を行い、その粗化面に無電解銅めっきを析出させ
るための触媒が付与され、無電解銅めっきを薄く析出さ
せた後、電気銅めっきで厚付けを行い、エッチングレジ
ストを形成し、不要な銅をエッチング除去して外層配線
を形成する。さらに配線層が必要な場合、上記のように
して作製した多層配線板を内層回路板として用い、その
上に第２層目の絶縁層及び導体層を形成するのである
が、基本的には前記ビルドアップ法のプロセスを繰り返
すことにより形成することができる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、前記めっき
スルーホールに絶縁性樹脂を印刷法で穴埋めを行う場合
は、印刷、熱硬化、研磨と工程が長くなり生産性が低下
する。また、ビルドアップ層のＩＶＨのような凹部に対
してめっきを行うと、ＩＶＨの中央に窪みができ、この
窪みを残した状態で第２層目のビルドアップ層を形成す
ると、基板表面に凹みができ平滑性に劣る基板となり、
部品実装時におけるボンディング精度の低下や、配線形
成時のショートや断線不良の原因となる。

【０００６】また、ＩＶＨのレーザ加工が可能な材料
は、絶縁層にガラス布等の強化材を含まないエポキシ樹
脂やポリイミド樹脂などのフィルムが知られているが、
レーザ加工により樹脂層が炭化し、炭化物がＩＶＨ表面
や壁面を汚染し層間接続のためのめっき密着力が劣ると
いう課題や、フィルムのはんだ耐熱性やイオンマイグレ
ーション性等が低く、配線板の信頼性が低いという課題
があった。

【０００７】本発明は、バイアホールの形成、配線の高
密度化、微細化に有効な多層プリント配線板の製造方法
を提供するものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意検討の
結果、ＩＶＨをレーザ加工で形成できる材料としてガラ
スクロス基材を含まず、かつ特定の組成の樹脂層を用い
ることが、前述の課題を解決するために有用であるとい
う知見を得た結果、本発明を成したものである。

【０００９】すなわち、本発明の多層プリント配線板の
製造法は、以下の工程を、この順序に行うことを特徴と
する。ａ．二官能エポキシ樹脂とハロゲン化二官能フェノール
類の配合当量比をエポキシ基／フェノール水酸基＝１／
０．９〜１．１とし、触媒の存在下、加熱して重合させ
たフィルム形成能を有する分子量１００，０００以上の
エポキシ重合体及び架橋剤、多官能エポキシ樹脂を構成
成分とする熱硬化性エポキシ樹脂を、銅箔の粗化面に塗
布し加熱半硬化させエポキシ樹脂層を形成し、予めめっ
きスルーホールと導体回路を形成した内層板の上にエポ
キシ樹脂層を配置し、加熱・加圧により積層接着する工
程、ｂ．前記銅箔上にエッチングレジストを形成し、エッチ
ングレジストから露出した銅箔部分を、ＩＶＨを形成す
るための穴の形状にエッチング除去する工程、ｃ．エッチングレジストを、除去する工程、ｄ．ＩＶＨを形成するための穴の形状にエッチング除去
された銅箔の微細穴から露出した、前記工程ａにおいて
加熱硬化したエポキシ樹脂層を、レーザ光を照射するこ
とにより、内層板の導体回路が露出するまで、除去し
て、バイアホールとする工程、ｅ．バイアホール壁面の硬化した樹脂層を、粗化剤を用
いて粗化する工程、ｆ．内層板の導体回路と銅箔を電気的に接続するため
の、めっきを行う工程ｇ．銅箔上にエッチングレジストを形成し、該エッチン
グレジストから露出した銅箔をエッチング除去すること
により、配線回路を形成する工程ｈ．前記エッチングレジストを除去する工程

【００１０】また、上記工程ａに代えて、ａ１．熱硬化性樹脂に電気絶縁性セラミック系ウィスカ
ーを配合し、撹拌により前記ウィスカーを前記熱硬化性
樹脂中に均一に分散させた後、銅箔の粗化面に塗布し加
熱半硬化させ熱硬化性樹脂層を形成し、予めめっきスル
ーホールと導体回路を形成した内層板の上に熱硬化性樹
脂層を配置し、加熱・加圧により積層接着する工程、を
用いることもできる。

【００１１】また、工程ａ〜ｈ又はａ１〜ｈを、必要な
回数繰り返し、２層以上のバイアホールを形成すること
もできる。

【００１２】

【発明の実施の形態】

（工程ａ）本発明に用いるエポキシ樹脂層は、フィルム
状のものを使用することが好ましく、その半硬化後の厚
さは、内層回路の銅箔の厚さにもよるが、２５〜１００
μｍの範囲が好ましく、更に好ましくは４０〜６０μｍ
の範囲であり、２５μｍ未満であると成形性や耐イオン
マイグレーション性が低下し、１００μｍを越えるとエ
ポキシ樹脂層の除去に時間がかかり経済的でない。

【００１３】このエポキシ樹脂層には、二官能エポキシ
樹脂とハロゲン化二官能フェノール類の配合当量比をエ
ポキシ基／フェノール水酸基＝１／０．９〜１．１と
し、触媒の存在下、加熱して重合させたフィルム形成能
を有する分子量１００，０００以上のエポキシ重合体及
び架橋剤、多官能エポキシ樹脂を構成成分とする熱硬化
性エポキシ樹脂を用い、ワニス状の前記熱硬化性エポキ
シ樹脂を銅箔の粗化面に塗布し、加熱により半硬化状態
にして、銅箔上に直接エポキシ樹脂層を形成したり、前
記熱硬化性エポキシ樹脂をフィルム基材上に塗布しフィ
ルム化した後に、銅箔とラミネートして形成することも
できる。

【００１４】（熱硬化性エポキシ樹脂の組成）本発明で
使用する、二官能エポキシ樹脂とハロゲン化二官能フェ
ノール類の配合当量比をエポキシ基／フェノール水酸基
＝１／０．９〜１．１とし、触媒の存在下、加熱して重
合させたフィルム形成能を有する分子量１００，０００
以上のエポキシ重合体及び架橋剤、多官能エポキシ樹脂
を構成成分とする熱硬化性エポキシ樹脂組成物は、フィ
ルム形成能を有するエポキシ重合体および架橋剤、多官
能エポキシ樹脂を構成成分とする。

【００１５】（エポキシ重合体）フィルム形成能を有す
るエポキシ重合体は、重量平均分子量が１００，０００
以上の、いわゆる高分子量エポキシ重合体であり、二官
能エポキシ樹脂とハロゲン化二官能フェノール類を二官
能エポキシ樹脂と二官能フェノール類の配合当量比を、
エポキシ基／フェノール性水酸基＝１／０．９〜１．１
とし、触媒の存在下、沸点が１３０℃以上のアミド系ま
たはケトン系溶媒中、反応固形分濃度５０重量％以下
で、加熱し重合させて得られる。

【００１６】二官能エポキシ樹脂は、分子内に二個のエ
ポキシ基をもつ化合物であればどのようなものでもよ
く、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフ
ェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキ
シ樹脂、脂肪族鎖状エポキシ樹脂などがある。これらの
化合物の分子量はどのようなものでもよい。これらの化
合物は何種類かを併用することができる。また、二官能
エポキシ樹脂以外の成分が不純物として含まれていても
かまわない。

【００１７】ハロゲン化二官能フェノール類は、ハロゲ
ン原子が置換し、しかも二個のフェノール性水酸基を持
つ化合物であればどのようなものでもよく、例えば、単
環二官能フェノールであるヒドロキノン、レゾルシノー
ル、カテコール、多環二官能フェノールであるビスフェ
ノールＡ、ビスフェノールＦ、ナフタレンジオール類、
ビスフェノール類、およびこれらのアルキル基置換体な
どのハロゲン化物などがある。これらの化合物の分子量
はどのようなものでもよい。これらの化合物は何種類か
を併用することができる。また、ハロゲン化二官能フェ
ノール類以外の成分が不純物として含まれていてもかま
わない。

【００１８】触媒は、エポキシ基とフェノール性水酸基
のエーテル反応を促進させるような触媒能を持つ化合物
であればどのようなものでもよく、例えば、アルカリ金
属化合物、アルカリ土類金属化合物、イミダゾール類、
有機りん化合物、第二級アミン、第三級アミン、第四級
アンモニウム塩などがある。中でもアルカリ金属化合物
が最も好ましい触媒であり、アルカリ金属化合物の例と
しては、ナトリウム、リチウム、カリウムの水酸化物、
ハロゲン化物、有機酸塩、アルコラート、フェノラー
ト、水素化物、ホウ水素化物、アミドなどがある。これ
らの触媒は併用することができる。

【００１９】反応溶媒としては、アミド系またはケトン
系溶媒が好ましく、アミド系溶媒としては、沸点が１３
０℃以上で、原料となるエポキシ樹脂とフェノール類を
溶解すれば、特に制限はないが、例えば、ホルムアミ
ド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルム
アミド、アセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，
Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テト
ラメチル尿素、２−ピロリドン、Ｎ−メチル−２−ピロ
リドン、カルバミド酸エステルなどがある。これらの溶
媒は併用することができる。また、ケトン系溶媒、エー
テル系溶媒などに代表されるその他の溶媒と併用しても
かまわない。また、ケトン系溶媒としては、シクロヘキ
サノン、アセチルアセトン、ジイソブチルケトン、ホロ
ン、イソホロン、メチルシクロヘキサノン、アセトフェ
ノンなどがある。

【００２０】重合体の合成条件としては、二官能エポキ
シ樹脂とハロゲン化二官能フェノール類の配合当量比
は、エポキシ基／フェノール性水酸基＝１／０．９〜
１．１とされる。重合反応温度は、６０〜１５０℃であ
ることが好ましく、６０℃未満であると、高分子量化反
応が著しく遅く、１５０℃を越えると、副反応が多くな
り直鎖状に高分子量化しない。溶媒を用いた重合反応の
際の固形分濃度は、５０重量％以下であればよいが、さ
らには３０重量％以下にすることが好ましい。

【００２１】このようにすることにより、フィルム形成
能を有する分子量が１００，０００以上の、いわゆる高
分子量エポキシ重合体が得られる。この高分子量エポキ
シ重合体の架橋剤として、架橋剤の反応性制御が容易で
ワニスの保存安定性が確保し易い、イソシアネート類を
他の活性水素を持つ化合物でマスク（ブロック）したマ
スクイソシアネート類を用いるのが好ましい。

【００２２】イソシアネート類は分子内に２個以上のイ
ソシアネート基を有するものであればどのようなもので
もよく、例えば、フェノール類、オキシム類、アルコー
ル類などのマスク剤でマスクされたヘキサメチレンジイ
ソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、イ
ソホロンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート
などが挙げられる。特に、硬化物の耐熱性の向上のため
フェノール類でマスクされたイソホロンジイソシアネー
ト、トリレンジイソシアネートが好ましい。この架橋剤
の量は、高分子量エポキシ重合体のアルコール性水酸基
１．０当量に対し、イソシアネート基が０．１〜１．０
当量にすることが好ましい。

【００２３】（多官能エポキシ樹脂）多官能エポキシ樹
脂としては、分子内に２個以上のエポキシ基を持つ化合
物であればどのようなものでもよく、例えば、フェノー
ルノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型
エポキシ樹脂、レゾール型エポキシ樹脂、ビスフェノー
ル型エポキシ樹脂などのフェノール類のグリシジルエー
テルであるフェノール型エポキシ樹脂や脂環式エポキシ
樹脂、エポキシ化ポリブタジエン、グリシジルエステル
型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、イ
ソシアヌレート型エポキシ樹脂、可撓性エポキシ樹脂な
どであり、エポキシ樹脂ならば何を用いてもかまわない
が、特にフェノール型エポキシ樹脂、または、フェノー
ル型エポキシ樹脂と多官能エポキシ樹脂との混合物が、
耐熱性の向上のために好ましい。この多官能エポキシ樹
脂の量は、高分子量エポキシ重合体１００重量部に対
し、２０〜１００重量部にすることが好ましい。また、
この多官能エポキシ樹脂は、接着成分および成形時の樹
脂流れとして働くため、内層銅箔の厚さやその回路の密
度によって、適正な量に調節することができる。これら
の多官能エポキシ樹脂は、単独でまたは２種類以上混合
して用いてもかまわない。

【００２４】（添加剤）さらに、多官能エポキシ樹脂の
硬化剤および硬化促進剤を用いることが好ましい。エポ
キシ樹脂の硬化剤および硬化促進剤としては、ノボラッ
ク型フェノール樹脂、ジシアンジアミド、酸無水物、ア
ミン類、イミダゾール類、フォスフィン類などが挙げら
れる。また、これらを組み合わせて用いてもかまわな
い。さらにシランカップリング剤を添加することは、エ
ポキシ樹脂層の接着力、特に銅箔との接着力を向上させ
るので好ましい。添加するシランカップリング剤として
は、エポキシシラン、アミノシラン、尿素シラン等が好
ましい。

【００２５】（塗布）このような組成の混合物を、溶剤
により希釈し、銅箔の表面に塗布する。このときの塗布
方法は、ブレードコータ、ロッドコータ、ナイフコー
タ、リバースロールコータ、リップコータ、ダイコータ
等により塗布すことができる。また、塗布した後に、１
３０〜１５０℃、２〜３０分の条件で乾燥し、半硬化状
にする。

【００２６】（工程ａ１）前記熱硬化性エポキシ樹脂に
代えて、熱硬化性樹脂に電気絶縁性セラミック系ウィス
カーを配合し、撹拌により該ウィスカーを該熱硬化性樹
脂中に均一に分散させた熱硬化性樹脂を用いることもで
き、この場合、ワニス状の前記熱硬化性樹脂を銅箔の粗
化面に塗布し、加熱により半硬化状態にして熱硬化性樹
脂層を形成するものである。

【００２７】（熱硬化性樹脂）本発明で使用する熱硬化
性樹脂は、単独でフィルム形成能を有しない樹脂であ
る。ここで、本発明でいうフィルム形成能とは、ワニス
をキャリアフィルムに塗工するときに、所定の厚さに制
御することが容易で、加熱乾燥して半硬化状にした後の
搬送、切断、あるいは積層工程において、樹脂割れや欠
落を生じ難く、その後の加熱加圧成形時に層間絶縁層の
最小厚さを確保できることをいう。また、フィルム形成
能を有しない樹脂は、通常、分子量が３０，０００を越
えない程度の低分子量であることが多い。具体的には、
従来からガラスクロス基材に含浸する熱硬化性樹脂が好
ましく、例えば、エポキシ樹脂、ビストリアジン樹脂、
ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、珪素
樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、シアン酸エステル樹
脂、イソシアネート樹脂、またはこれらの変性樹脂等を
使用することができる。この中で、積層板の特性を向上
する上で、特にエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、または
ビストリアジン樹脂は好適である。さらには、エポキシ
樹脂としては、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビス
フェノールＳ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型
エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、
ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、サリチル
アルデヒドノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノール
Ｆノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、グ
リシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型
エポキシ樹脂、ヒダントイン型エポキシ樹脂、イソシア
ヌレート型エポキシ樹脂、脂肪族環状エポキシ樹脂、な
らびにこれらのハロゲン化物、水素添加物、から選択さ
れた１以上のものを使用することができる。なかでも、
ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂と、サリチ
ルアルデヒドノボラック型エポキシ樹脂は、耐熱性に優
れ好ましい。

【００２８】（ウィスカー）本発明に用いるウィスカー
は、電気絶縁性セラミック系ウィスカーであり、弾性率
が２００ＧＰａ以上であることが好ましく、２００ＧＰ
ａ未満では、配線板材料あるいは配線板として用いたと
きに十分な剛性が得られない。このようなものとして、
例えば、硼酸アルミニウム、ウォラストナイト、チタン
酸カリウム、塩基性硫酸マグネシウム、窒化けい素、及
びα−アルミナの中から選ばれた１以上のものを用いる
ことができる。なかでも、硼酸アルミニウムウィスカー
と、チタン酸カリウムウィスカーは、モース硬度が、一
般的なプリプレグ基材に用いるＥガラスとほぼ同等であ
り、従来のプリプレグと同様のドリル加工性を得ること
ができる。硼酸アルミニウムウィスカーは、弾性率がほ
ぼ４００ＧＰａと高く、樹脂ワニスと混合し易く、さら
に好ましい。

【００２９】このウィスカーの平均直径は、０．３μｍ
〜３μｍであることが好ましく、さらには、０．５μｍ
〜１μｍの範囲がさらに好ましい。このウィスカーの平
均直径が、０．３μｍ以下であると、樹脂ワニスへの混
合が困難となり、３μｍを越えると、微視的な樹脂への
分散が十分でなく、表面の凹凸が大きくなり好ましくな
い。また、この平均直径と平均長さの比は、１０以上で
あることが、さらに剛性を高めることができ、好まし
い、さらに好ましくは、２０以上である。この比が１０
未満であると、繊維としての補強効果が小さくなる。こ
の平均長さの上限は、１００μｍであり、さらに好まし
くは５０μｍである。この上限を越えると、樹脂ワニス
中への分散が困難となる他、２つの導体回路に１つのウ
ィスカーが接触する確率が高くなり、ウィスカーの繊維
に沿って銅イオンのマイグレーションが発生する確率が
高くなる。

【００３０】また、多層プリント配線板の、剛性、耐熱
性及び耐湿性を高めるために、樹脂との濡れ性や結合性
に優れたカップリング剤で表面処理した電気絶縁性のウ
ィスカーを使用することが好ましく、このようなカップ
リング剤として、シリコン系カップリング剤、チタン系
カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、ジル
コニウム系カップリング剤、ジルコアルミニウム系カッ
プリング剤、クロム系カップリング剤、ボロン系カップ
リング剤、リン系カップリング剤、アミノ酸系カップリ
ング剤等から選択して使用することができる。

【００３１】（硬化剤）このような樹脂の硬化剤として
は、従来使用しているものが使用でき、樹脂がエポキシ
樹脂の場合、例えば、ジシアンジアミド、ビスフェノー
ルＡ，ビスフェノールＦ、ポリビニルフェノール、ノボ
ラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、ならび
にこれらのフェノール樹脂のハロゲン化物等を使用でき
る。なかでも、ビスフェノールＡノボラック樹脂は、耐
熱性に優れ好ましい。この硬化剤の前記樹脂に対する割
合は、従来使用している割合でよく、樹脂１００重量部
に対して、２〜１００重量部の範囲が好ましく、さらに
は、ジシアンジアミドでは、２〜５重量部、それ以外の
硬化剤では、３０〜８０重量部の範囲が好ましい。

【００３２】（硬化促進剤）硬化促進剤としては、樹脂
がエポキシ樹脂の場合、イミダゾール化合物、有機リン
化合物、第３級アミン、第４級アンモニウム塩等を用い
ることができる。この硬化促進剤の前記樹脂に対する割
合は、従来使用している割合でよく、樹脂１００重量部
に対して、０．０１〜２０重量部の範囲が好ましく、
０．１〜１．０の範囲がより好ましい。

【００３３】（希釈剤）これらは、溶剤に希釈して用
い、この溶剤には、アセトン、メチルエチルケトン、ト
ルエン、キシレン、メチルイソブチレン、酢酸エチル、
エチレングリコールモノメチルエーテル、メタノール、
エタノール、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−
ジメチルアセトアミド等を使用できる。この希釈剤の前
記樹脂に対する割合は、従来使用している割合でよく、
樹脂１００重量部に対して、１〜２００重量部の範囲が
好ましく、３０〜１００重量部の範囲がさらに好まし
い。

【００３４】（熱硬化性樹脂とウィスカーの割合）熱硬
化性樹脂とウィスカーの割合は、硬化した樹脂中のウィ
スカーの体積分率が５％〜５０％の範囲となるように調
整することが好ましい。硬化した樹脂中のウィスカーの
体積分率が５％未満であると、銅箔付プリプレグ（銅箔
／熱硬化性樹脂層）が切断時に樹脂が細かく砕けて飛散
するなど、取扱が著しく困難であり、配線板としたとき
に剛性が低くなる。一方ウィスカーの体積分率が５０％
を越えると、加熱加圧成形時の穴や回路間隙への埋め込
みが不十分となり、成形後にボイドやかすれを発生し、
絶縁性が低下する。また、樹脂とウィスカーの割合は、
硬化した樹脂中のウィスカーの体積分率は、２０〜４０
％であることが、さらに好ましい。

【００３５】（塗布）銅箔に、前記ウィスカーを含む樹
脂ワニスを塗布するには、ブレードコータ、ロッドコー
タ、ナイフコータ、スクイズコータ、リバースロールコ
ータ、トランスファロールコータ等の銅箔と平行な面方
向にせん断力を負荷できるかあるいは、銅箔の面に垂直
な方向に圧縮力を負荷できる塗布方法を採用することが
できる。

【００３６】本発明に用いる熱硬化性樹脂層は、樹脂と
溶剤からなるワニスにウィスカーを混合し、撹拌により
ウィスカーをワニス中に均一に分散させ、それを銅箔の
片面に塗工し、加熱乾燥により溶剤を除去するとともに
樹脂を半硬化状にして形成できる。

【００３７】本発明の、予めめっきスルーホールと導体
回路を形成した内層板は、エポキシ樹脂を含浸したガラ
ス布の両面に銅箔を貼り合わせた両面銅張り積層板のス
ルーホールとなる箇所に穴をあけ、無電解めっきの前処
理を行い、無電解めっきを行って、穴内壁を金属化した
後、両面の銅の不要な箇所をエッチング除去し、内層回
路を形成したものである。

【００３８】上記のエポキシ樹脂層又は熱硬化性樹脂層
を銅箔の粗化面に形成し、加熱半硬化させたものを、前
記予めめっきスルーホールと導体回路を形成した内層板
の上に、エポキシ樹脂層又は熱硬化性樹脂層が内層回路
と接するように配置し、加熱・加圧により積層接着す
る。以下、エポキシ樹脂層の場合について述べるが、熱
硬化性樹脂層の場合も同様にして行うことができる。こ
のときの積層条件は、１７０〜１８０℃、２〜４ＭＰ
ａ、３０〜９０分である。特に加熱温度・時間は硬化度
合に影響し、後のエッチング速度にばらつきの要因にな
るため完全に硬化させる必要がある。エポキシ樹脂層の
樹脂フローは、５００μｍ〜１０ｍｍに調節することが
好ましく、５００μｍ未満では、内層銅箔の埋め込み性
や表面の凹凸が生じてしまい、１０ｍｍを越えると、多
層プリント配線板としたときの端部厚さが低下し、絶縁
性が低下するという問題がある。このように、樹脂フロ
ーを制御するには、使用するエポキシ樹脂の分子量の調
節、架橋剤濃度の調節、あるいは塗布後の乾燥条件の調
節により行うことができる。ここで、樹脂フローとは、
樹脂の厚さが５０μｍの銅箔付プリプレグに３０ｍｍ角
の穴をあけ、銅張り積層板の銅箔面に配置し、１７０
℃、２．５ＭＰａ、６０分の条件で積層接着を行い、穴
の銅箔端部から穴内部に流れ出した樹脂の端部までの最
少距離のことをいう。

【００３９】（工程ｂ）前記積層接着物の外層となる銅
箔上にエッチングレジストを形成し、エッチングレジス
トから露出した銅箔部分を、ＩＶＨを形成するための穴
の形状にエッチング除去するのは、通常の配線板の導体
回路をエッチングによって製造する工程に用いるのと同
じ方法が使用できる。このエッチングレジストは、専用
に作られたレジストインクを用いてシルクスクリーン法
によっても形成できるが、形成できるパターンの精度が
低いため、専用に作られたエッチングレジスト形成用の
感光性ドライフィルムを、ホットロールラミネータによ
ってラミネートし、形成するパターンの形状に紫外線等
を透過させる部分を有するフォトマスクを重ね、紫外線
等を露光して、形成するパターンの形状に硬化させ、露
光していない部分を溶解除去して現像して形成すること
が好ましい。銅箔をＩＶＨを形成する穴の形状にエッチ
ング除去するのも、通常の配線板の製造と同じ方法が使
用でき、例えば銅を溶解する、塩化第二銅を主成分とす
る化学エッチング液を、前述のエッチングレジストを形
成した材料に接触させる。この接触は、通常の配線板の
製造に用いる、浸漬やスプレー噴霧によって行うことが
できる。

【００４０】（工程ｃ）この銅箔をＩＶＨを形成するた
めの穴の形状にエッチング除去した後、エッチングレジ
ストは不要になるので、エッチングレジストを、溶剤や
アルカリ水溶液を用いて除去する。

【００４１】（工程ｄ又はｄ１）ＩＶＨを形成するため
の穴の形状にエッチング除去された銅箔の微細穴から露
出した、前記工程ａ又はａ１において加熱硬化した樹脂
層（前記エポキシ樹脂層又は熱硬化性樹脂層のことをい
う。以下同じ。）を、レーザ光を照射することにより、
内層板の導体回路が露出するまで除去してバイアホール
とする。樹脂層を除去するのに用いるレーザには、炭酸
ガスレーザ、ＹＡＧレーザ、エキシマレーザが使用で
き、生産性の点から炭酸ガスレーザが好ましい。このと
きのレーザ光は、時間が短く出力の大きなパルス状のレ
ーザ発信をするものを用いることが好ましく、時間とし
ては、１パルスの幅が１〜４０μｓｅｃで、パルス繰返
し周波数が１５０〜１０，０００Ｈｚ、繰返しパルス数
が１〜１０パルスであり、出力としては、上記条件のパ
ルスが２〜５パルスの範囲で、穴加工できるエネルギー
を用いることが、レーザ発振・制御の効率や制御の容易
さから好ましく、エネルギー密度にして１５〜４０Ｊ／
ｃｍ²の範囲であることが好ましい。出力が小さければ
樹脂層を蒸発・発散させることができず、大きすぎると
必要以上の穴径となり、時間が短ければ、出力が小さい
のと同様に樹脂層を蒸発・発散させることができず、時
間が長ければ、一旦蒸発した樹脂が炭化して付着するの
で、その付着した炭化物を除去しなければならなくな
る。

【００４２】（工程ｅ）このようにして形成したバイア
ホールの壁面の硬化した樹脂層に、この後の工程におい
て、めっき層を形成するために、めっき層と樹脂層の接
着強度を強めるために、粗化剤を用いて粗化する。この
粗化剤は、樹脂を膨潤あるいは溶解するものであればど
のようなものでも使用することができ、通常は、アルカ
リ過マンガン酸水溶液を使用することが好ましい。

【００４３】（工程ｆ）内層板の導体回路と銅箔を電気
的に接続するために、めっきを行う。このめっきは、通
常の配線板の硬化した樹脂層上にめっき層を形成する技
術を用いる。すなわち、パラジウム化合物等のめっきの
核になる物質を、粗化した樹脂層に付着させ、必要な場
合には、そのめっきの核になる物質を、イオンの状態か
ら還元させておき、イオン化しためっき金属、めっき金
属の錯化剤と、そのめっき金属の還元剤とを有する無電
解めっき液に接触させ、その核にめっき金属を析出さ
せ、さらには、その核の付着した壁に沿ってめっき金属
の析出を拡大して、壁がめっき金属で覆われるようにす
る。このようにめっきを行うと、外層の銅箔の上にもめ
っきが析出し、ＩＶＨの内壁に析出しためっき金属と接
続され、バイアホールから露出した内層回路導体と外層
の銅箔とが電気的に接続される。

【００４４】（工程ｇ）この外層の銅箔上にエッチング
レジストを形成し、該エッチングレジストから露出した
銅箔をエッチング除去することにより、内層回路と電気
的に接続されたＩＶＨのめっきを介して接続された外層
の配線回路を形成することができる。このときのエッチ
ングも、前述の外層銅箔にＩＶＨの形状に穴を形成する
工程と同じ方法や材料を用いることができる。（工程ｈ）さらには、前述の外層銅箔にＩＶＨを形成す
るための穴を形成する工程ｃと同じ方法によって、前記
エッチングレジストを除去することもできる。

【００４５】

【実施例】

実施例１図１（ａ）に示すように、厚さ０．８ｍｍのガラス布−
エポキシ樹脂含浸両面銅張り積層板であるＭＣＬ−Ｅ６
７（日立化成工業株式会社製、商品名）を使用し、穴明
け、無電解銅めっき、電解銅めっきを行い、通常のエッ
チング法によって内層配線を形成した、穴径０．３ｍ
ｍ、穴密度２５個／ｃｍ²のめっきスルーホール１０１
を有する内層板１を作製した。次に、図１（ｂ）に示す
ように、厚さ１８μｍの銅箔３に、樹脂フローを５００
μｍ以上に調節した熱硬化性エポキシ樹脂を、絶縁層の
厚さが５０μｍとなるように銅箔の粗化面に塗布し、加
熱半硬化させ、エポキシ樹脂層２を形成した、銅箔付接
着フィルムであるＭＣＦ−３０００Ｅ（日立化成工業株
式会社製、商品名）を、内層配線板の両面に配置し、鏡
板で１７０℃、６０分、４．０ＭＰａの条件で、加熱加
圧して積層接着した。ここで、樹脂フローの調節は、以
下の組成と半硬化条件を用いることによって行った。こ
のＭＣＦ−３０００Ｅ（日立化成工業株式会社製、商品
名）のエポキシ樹脂は、分子量１００，０００以上のエ
ポキシ重合体１００部、クレゾールノボラック型エポキ
シ樹脂３０部、フェノールノボラック樹脂２０部の組成
からなるもので、電解銅箔の粗化面にダイコータにて塗
布し、温度１３０℃で５分間乾燥して半硬化状態とし作
製したものである。次に図１（ｃ）に示すように、外層
銅箔を通常のエッチング法によりＩＶＨを形成するため
の穴となる形状にエッチング除去し、１００μｍの開口
部４を設けた。次に図１（ｄ）に示すように、露出した
バイアホールとなる部分の樹脂を炭酸ガスレーザによ
り、エネルギー密度２０Ｊ／ｃｍ²、発振時間１μｓｅ
ｃ、３パルス数の条件で、内層の銅箔が露出するまで照
射し除去し、バイアホール５を形成した。この後、７％
のアルカリ過マンガン酸水溶液で、バイアホール５内壁
のエポキシ樹脂層２を粗化した。次に図１（ｅ）に示す
ように、以下の組成の無電解銅めっき液を用い、液温７
０℃、時間７時間の条件で、無電解めっきを厚さ１５μ
ｍまで行い、エッチングレジストを形成し、通常のエッ
チング法で、外層の銅箔の不要な箇所をエッチング除去
し、配線回路６１とＩＶＨ６を形成した。（めっき液組成）・ＣｕＳＯ₄・Ｈ₂Ｏ：１０ｇ／ｌ・ＥＤＴＡ・４Ｎａ：４０ｇ／ｌ・３７％ＣＨ₂Ｏ：３ｍｌ／ｌ・ＮａＯＨ：ｐＨを１２．３とする量次に図１（ｆ）に示すように、厚さ１８μｍの銅箔８
に、厚さが５０μｍとなるようにエポキシ樹脂層７を形
成した、銅箔付接着フィルムであるＭＣＦ−３０００Ｅ
（日立化成工業株式会社製、商品名）を、前記配線を形
成した積層板の両面に配置し、鏡板で１７０℃、６０
分、４．０ＭＰａの条件で、加熱加圧して積層接着し
た。このＭＣＦ−３０００Ｅ（日立化成工業株式会社
製、商品名）は、前記図１（ｂ）の工程で用いたものと
同じものである。次に図１（ｇ）に示すように、外層銅
箔を通常のエッチング法によりＩＶＨとなる形状にエッ
チング除去し、１００μｍの開口部９を設けた。次に図
１（ｈ）に示すように、露出したバイアホールとなる部
分の樹脂を炭酸ガスレーザにより、エネルギー密度２０
Ｊ／ｃｍ²、発振時間１μｓｅｃ、３パルス数の条件
で、内層の銅箔が露出するまで照射し除去し、バイアホ
ール１０を形成すると共に、ドリルによりスルーホール
となる穴１１１をあけた。この後、７％のアルカリ過マ
ンガン酸水溶液で、バイアホール内壁のエポキシ樹脂層
７と、スルーホールとなる穴１１１の内壁の樹脂層を粗
化した。次に図１（ｉ）に示すように、以下の組成の無
電解銅めっき液を用い、液温７０℃、時間７時間の条件
で、無電解めっきを厚さ１５μｍまで行い、前記と同様
通常のエッチング法で、外層の銅箔の不要な箇所をエッ
チング除去し、配線回路１２１とＩＶＨ１２並びにスル
ーホール１１を形成した。（めっき液組成）・ＣｕＳＯ₄・Ｈ₂Ｏ：１０ｇ／ｌ・ＥＤＴＡ・４Ｎａ：４０ｇ／ｌ・３７％ＣＨ₂Ｏ：３ｍｌ／ｌ・ＮａＯＨ：ｐＨを１２．３とする量このときのライン／スペース＝１００μｍ／１００μｍ
の配線を形成し、６層のビルドアップ多層配線板を作製
した。

【００４６】実施例２厚さ０．４ｍｍのガラスエポキシ樹脂銅張り積層板を使
用し、穴径０．６ｍｍ、穴密度２５個／ｃｍ²のめっき
スルーホールを有する内層板を作製し、厚さ１８μｍの
銅箔に、樹脂フローを５００μｍ以上に調節した、熱硬
化性エポキシ樹脂を絶縁層の厚さが５０μｍとなるよう
に銅箔の粗化面に塗布し加熱半硬化させ熱硬化性樹脂層
を形成した、銅箔付接着フィルムであるＭＣＦ−６００
０（日立化成工業株式会社製、商品名）を、内層配線板
の両面に配置し、鏡板で１７０℃、６０分、２．５ＭＰ
ａの条件で、加熱加圧して積層接着した。ここで、樹脂
フローの調節は、以下の組成と塗布後の乾燥条件とによ
って行った。このＭＣＦ−６０００（日立化成工業株式
会社製、商品名）は、ビスフェノールＡノボラック型エ
ポキシ樹脂１００重量部、ビスフェノールＡノボラック
樹脂６０重量部、２−エチル−４メチルイミダゾール
０．５重量部、メチルエチルケトン１００重量部、ホウ
酸アルミニウムウィスカー３０体積分率の組成からなる
もので、電解銅箔の粗化面にナイフコータにて塗布し、
温度１５０℃で１０分間加熱乾燥して溶剤を除去すると
共に樹脂を硬化させ作製したものである。上記以外は、
実施例１と同様にして、６層のビルドアップ多層板を作
製した。

【００４７】実施例３厚さ０．４ｍｍのガラスエポキシ樹脂銅張り積層板を使
用し、穴明け無電解銅めっきを行って、通常のエッチン
グ法によって穴径０．３ｍｍ、穴密度５０個／ｃｍ²の
めっきスルーホールを有する内層配線板を作製し、厚さ
１８μｍの銅箔に、実施例１と同様にして樹脂フローを
５００μｍ以上に調節した、絶縁層の厚さが５０μｍと
なるように熱硬化性エポキシ樹脂を塗布した、銅箔付接
着フィルムであるＭＣＦ−３０００Ｅ（日立化成工業株
式会社製、商品名）を、内層配線板の両面に配置し、鏡
板で１７０℃、６０分、４．０ＭＰａの条件で、加熱加
圧して積層接着した。このＭＣＦ−３０００Ｅ（日立化
成工業株式会社製、商品名）は、実施例１で使用したも
のと同じものである。上記以外は、実施例１と同様にし
て、６層のビルドアップ多層板を作製した。

【００４８】実施例４厚さ０．４ｍｍのガラスエポキシ樹脂銅張り積層板を使
用し、穴径０．６ｍｍ、穴密度２５個／ｃｍ²のめっき
スルーホールを有する内層板を作製し、厚さ１８μｍの
銅箔に、実施例２と同様にして樹脂フローを５００μｍ
以上に調節した、絶縁層の厚さが５０μｍとなるように
熱硬化性エポキシを塗布した、銅箔付接着フィルムであ
るＭＣＦ−６０００（日立化成工業株式会社製、商品
名）を、内層配線板の両面に配置し、鏡板で１７０℃、
６０分、２．５ＭＰａの条件で、加熱加圧して積層接着
した。このＭＣＦ−６０００（日立化成工業株式会社
製、商品名）は、実施例２で使用したものと同じもので
ある。上記以外は、実施例１と同様にして、６層のビル
ドアップ多層板を作製した。

【００４９】比較例１厚さ０．８ｍｍのガラス布−エポキシ樹脂含浸両面銅張
り積層板であるＭＣＬ−Ｅ６７（日立化成工業株式会社
製、商品名）を使用し、穴明け、無電解銅めっき、電解
銅めっきを行い、通常のエッチング法によって穴径０．
３ｍｍ、穴密度２５個／ｃｍ²のめっきスルーホールを
有する内層板を作製した。次に、その内層板の上に、エ
ポキシ樹脂であるＥ−６７（日立化成工業株式会社製、
商品名）を、厚さ６０μｍとなるようにスクリーン印刷
法により塗布し、８５℃、３０分の条件で加熱し半硬化
し、ベルトサンダーにより表面を５μｍ研磨し、さらに
その上に、厚さ１８μｍの外層銅箔を内層板の上に配置
し、鏡板で１７０℃、６０分、２．５ＭＰａの条件で、
加熱加圧して積層接着した。上記以外は、実施例１と同
様にして、６層のビルドアップ多層板を作製した。その
結果、内層スルーホール内にボイドが発生し、耐熱性、
接続信頼性が低下し、凹凸による配線形成不良が発生し
た。

【００５０】比較例２厚さ０．８ｍｍのガラス布−エポキシ樹脂含浸両面銅張
り積層板であるＭＣＬ−Ｅ６７（日立化成工業株式会社
製、商品名）を使用し、穴明け、無電解銅めっき、電解
銅めっきを行い、通常のエッチング法によって穴径０．
３ｍｍ、穴密度２５個／ｃｍ²のめっきスルーホールを
有する内層配線板を作製した。次に、厚さ０．０６ｍｍ
のガラス布−エポキシ樹脂含浸プリプレグであるＧＥ−
６７ＮＫＬＮ（日立化成工業株式会社製、商品名）を、
厚さ１８μｍの外層銅箔と内層板の間に配置し、鏡板で
１７０℃、６０分、２．５ＭＰａの条件で、加熱加圧し
て積層接着した。上記以外は、実施例１と同様にして、
６層のビルドアップ多層板を作製した。その結果、ＩＶ
Ｈ部をレーザにより加工したが、ガラスクロスを除去す
る条件では過剰にエネルギーが加わり、エッチバックや
炭化樹脂層が形成され、ＩＶＨ接続信頼性が著しく低下
した。

【００５１】比較例３厚さ０．８ｍｍのガラス布−エポキシ樹脂含浸両面銅張
り積層板であるＭＣＬ−Ｅ６７（日立化成工業株式会社
製、商品名）を使用し、穴明け、無電解銅めっき、電解
銅めっきを行い、通常のエッチング法によって穴径０．
３ｍｍ、穴密度２５個／ｃｍ²のめっきスルーホールを
有する内層配線板を作製した。次に、その内層配線板の
上に、エポキシ樹脂であるＥ−６７（日立化成工業株式
会社製、商品名）を、厚さ６０μｍとなるようにスクリ
ーン印刷法により塗布し、１７０℃、６０分の条件で加
熱硬化し、ベルトサンダーにより表面を５μｍ研磨し、
さらにその上に、エポキシ樹脂であるＥ−６７（日立化
成工業株式会社製、商品名）を、厚さ７０μｍとなるよ
うにスクリーン印刷法により塗布し、加熱し半硬化し、
その上に、厚さ１８μｍの外層銅箔を配置し、鏡板で１
７０℃、６０分、２．５ＭＰａの条件で、加熱加圧して
積層接着した。上記以外は、実施例１と同様にして、６
層のビルドアップ多層板を作製した。その結果、内層ス
ルーホール内にボイドが発生し、耐熱性、接続信頼性が
低下し、凹凸による配線形成不良が発生した。

【００５２】比較例４厚さ１．０ｍｍのガラスエポキシ樹脂銅張り積層板であ
るＭＣＬＥ−６７（日立化成工業株式会社製、商品
名）を使用し、穴径０．３ｍｍ、穴密度２５個／ｃｍ²
のめっきスルーホールを有する内層板を作製した以外
は、実施例１と同様にして６層のビルドアップ多層板を
作製した。その結果、内層板のスルーホールを埋めるこ
とができないため表面の凹凸が２０〜３０μｍ発生し、
ライン／スペース＝１００μｍ／１００μｍを形成する
ことができなかった。

【００５３】比較例５厚さ０．４ｍｍのガラスエポキシ樹脂銅張り積層板であ
るＭＣＬＥ−６７（日立化成工業株式会社製、商品
名）を使用し、穴径０．８ｍｍ、穴密度２５個／ｃｍ²
のめっきスルーホールを有する内層板を作製した以外
は、実施例１と同様にして６層のビルドアップ多層板を
作製した。その結果、内層板のスルーホールを埋めるこ
とができないため表面の凹凸が２０〜３０μｍ発生し、
ライン／スペース＝１００μｍ／１００μｍを形成する
ことができなかった。

【００５４】比較例６厚さ０．４ｍｍのガラスエポキシ樹脂銅張り積層板であ
るＥ−６７（日立化成工業株式会社製、商品名）を使用
し、穴径０．３ｍｍ、穴密度６０個／ｃｍ²のめっきス
ルーホールを有する内層板を作製した以外は、実施例１
と同様にして６層のビルドアップ多層板を作製した。そ
の結果、内層板のスルーホールを埋めることができない
ため表面の凹凸が２０〜３０μｍ発生し、ライン／スペ
ース＝１００μｍ／１００μｍを形成することができな
かった。

【００５５】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明の多層プリ
ント配線板及びその製造方法によれば、内層板のスルー
ホールを穴埋めする構造が可能となり、基板表面が平滑
になるため、多層プリント配線基板の配線形成性、実装
信頼性、耐熱性及びイオンマイグレーション性を確実に
向上させることができるという優れた効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）〜（ｉ）は、それぞれ本発明の一実施例
を示す断面図である。

【符号の説明】

１．内層板２．エポキシ樹脂
層３．銅箔４．開口部５．バイアホール６．ＩＶＨ７．エポキシ樹脂層８．銅箔９．開口部１０．バイアホー
ル１１．スルーホール１２．ＩＶＨ６１．配線回路１０１．スルーホ
ールと１１１．スルーホールとなる穴１２１．配線回路

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者岡野徳雄茨城県下館市大字小川1500番地日立化成工業株式会社下館研究所内 (72)発明者清水浩茨城県下館市大字小川1500番地日立化成工業株式会社下館研究所内 (72)発明者小川信之茨城県下館市大字小川1500番地日立化成工業株式会社下館研究所内 (72)発明者中祖昭士茨城県下館市大字小川1500番地日立化成工業株式会社下館研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】以下の工程を、この順序に行うことを特徴
とする多層プリント配線板の製造方法。ａ．二官能エポキシ樹脂とハロゲン化二官能フェノール
類の配合当量比をエポキシ基／フェノール水酸基＝１／
０．９〜１．１とし、触媒の存在下、加熱して重合させ
たフィルム形成能を有する分子量１００，０００以上の
エポキシ重合体及び架橋剤、多官能エポキシ樹脂を構成
成分とする熱硬化性エポキシ樹脂を、銅箔の粗化面に塗
布し加熱半硬化させエポキシ樹脂層を形成し、予めめっ
きスルーホールと導体回路を形成した内層板の上にエポ
キシ樹脂層を配置し、加熱・加圧により積層接着する工
程、ｂ．前記銅箔上にエッチングレジストを形成し、エッチ
ングレジストから露出した銅箔部分を、ＩＶＨを形成す
るための穴の形状にエッチング除去する工程、ｃ．エッチングレジストを、除去する工程、ｄ．ＩＶＨを形成するための穴の形状にエッチング除去
された銅箔の微細穴から露出した、前記工程ａにおいて
加熱硬化したエポキシ樹脂層を、レーザ光を照射するこ
とにより、内層板の導体回路が露出するまで、除去し
て、バイアホールとする工程、ｅ．バイアホール壁面の硬化したエポキシ樹脂層を、粗
化剤を用いて粗化する工程、ｆ．内層板の導体回路と銅箔を電気的に接続するため
の、めっきを行う工程ｇ．銅箔上にエッチングレジストを形成し、該エッチン
グレジストから露出した銅箔をエッチング除去すること
により、配線回路を形成する工程ｈ．前記エッチングレジストを除去する工程
【請求項２】以下の工程をこの順序に行うことを特徴と
する多層プリント配線板の製造方法。ａ１．熱硬化性樹脂に電気絶縁性セラミック系ウィスカ
ーを配合し、撹拌により前記ウィスカーを前記熱硬化性
樹脂中に均一に分散させた後、銅箔の粗化面に塗布し加
熱半硬化させ熱硬化性樹脂層を形成し、予めめっきスル
ーホールと導体回路を形成した内層板の上に熱硬化性樹
脂層を配置し、加熱・加圧により積層接着する工程、ｂ．前記銅箔上にエッチングレジストを形成し、エッチ
ングレジストから露出した銅箔部分を、ＩＶＨを形成す
るための穴の形状にエッチング除去する工程、ｃ．エッチングレジストを、除去する工程、ｄ１．ＩＶＨを形成するための穴の形状にエッチング除
去された銅箔の微細穴から露出した、前記工程ａ１にお
いて加熱硬化した熱硬化性樹脂層を、レーザ光を照射す
ることにより、内層板の導体回路が露出するまで、除去
して、バイアホールとする工程、ｅ．バイアホール壁面の硬化した熱硬化性樹脂層を、粗
化剤を用いて粗化する工程、ｆ．内層板の導体回路と銅箔を電気的に接続するため
の、めっきを行う工程ｇ．銅箔上にエッチングレジストを形成し、該エッチン
グレジストから露出した銅箔をエッチング除去すること
により、配線回路を形成する工程ｈ．前記エッチングレジストを除去する工程
【請求項３】工程ａ〜ｆ又はａ１〜ｆを、必要な回数繰
り返し、２層以上のバイアホールを形成する工程を有す
ることを特徴とする請求項１または２に記載の多層プリ
ント配線板の製造方法。
【請求項４】エポキシ樹脂層又は熱硬化性樹脂層の樹脂
フローが、５００μｍ以上であり、エポキシ樹脂層又は
熱硬化性樹脂層の半硬化後の厚さが、２５μｍ〜１００
μｍの範囲であることを特徴とする請求項１〜３のうち
いずれかに記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項５】内層板の板厚が０．８ｍｍ以下であり、穴
埋めするＩＶＨ径が０．６ｍｍ以下であり、穴密度が５
０個／ｃｍ²以下であることを特徴とする請求項１〜４
のうちいずれかに記載の多層プリント配線板の製造方
法。